TW200841384A - Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method - Google Patents
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Description
200841384 九、發明說明: 本申萌疋原申請案號94100817,申請日2005年01月 12曰,發明名稱為“偏光變換元件、光學照明裝置、曝光 裝置以及曝光方法,,的分案申請。 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於偏光變換元件、光學照明裝置、曝光 裝置、以及曝光方法,且特別是有關於一種曝光裝置,用 於製成半$體元件、影像攝取元件、液晶顯示元件、薄膜 磁性頭等微元件的微影製程中。 【先前技術】 關於一些典型的曝光裝置,從光源射出的光束穿過做 為光學積分器(optical integrator)的複眼(fly eye)透鏡,以形 成由夕個光源所構成的貫質面光源的二次光源。由二次光 源(一般是光學照明裝置的照明瞳或是被形成於其附近的 照明瞳分佈)射出的光束,穿過被配置於複眼透鏡的後侧焦 點面附近的光圈而被限制後,入射於集光透鏡。 利用集光透鏡而被集光的光束,與被形成有所定圖案 的罩幕重®地照明。穿過罩幕的圖案的光’穿過投影光學 系統成像於晶圓上。接著,在晶圓上,罩幕圖案被投影曝 光(轉印)。又,被形成於罩幕的圖案,在被高積集化時, 對於此微細圖案要正確地被轉印到晶圓上’在晶圓上要得 到均一照度分佈是不可缺少的。 例如在發明人的日本專利第3246615號公開資料,揭 示為了實現將任意方向的微細圖案以忠實地轉印的照明條 15926-D4-pif 6 200841384 !二=的後侧焦點面形成輪帶狀的二次光源,且 帶狀二次光源的光束,在周方向的偏光方 向為=偏絲態(以下簡稱為「周方向偏光狀態」)。 成的=ί述公開資料的技術,利用穿過複眼透鏡所形 限!;過具有輪帶狀開口的光圈,以形成 2旦光彳。失^ 、口果,對於傳統技術,會使光圈產生 馨 【發明内容】 衣置的產缝下,因此不適合。 可以本發賴出—種偏光變換元件, 光,變換成有約為周方向的 、、、良偏先狀心、的入射 光,且可以防止光量損^的偏先方向的周方向偏光狀態的 態的入射光,變換成有約為光方向的直線偏光狀 光狀態的光,可以良好防偏先方向的周方向偏 態的輪帶狀照明瞳分佈。 里貝失,形成周方向偏光狀 裝置ΐ以=3=置與曝光方法,使用光學照明 狀照明瞳分佈,用適當“明=周,向偏光狀態的輪帶 地且高產能轉印。 才、’可以將微細圖案忠實 光變=決==,明的第-實施例提供-種偏 態,利时旋紐為所定的偏光狀 ^成在周方向有厚度變 15926-D4-pif 7 200841384 化分佈。 於第一較佳實施例,該厚度分佈,被設定使將有約單 向的偏光方向的直線偏光狀態的光,變換成有約為周 ^向的偏光方向的周方向偏光狀態的光。又,周方向被分 有多個區域,且這些區域中的任意2相鄰區域的厚度 侄為不同。於此情形,這些區域中的任意2相對區域, 車父佳有大約相等的旋光角度。 相a ^,於此情形,前述任意2相對區域,較佳相互約有 狀寻厚度。又,該些多個區域之每一個,較佳都有約扇形 又周方向較佳有連續的厚度變化。又,於第一實施 J較t更有不具實質旋光性的中央區域。 、 ㈣本發明第二實施例,提供_光學照明裝置,包括 配月ί的光源’以及該光源與被照射面之間的光路被 -置弟一實施例的偏光變換元件。 根據第二較佳實施例,前述偏光 . ,光學照明裝置的瞳或其附近。又:二= =被配置於該先源與該偏光變換元件之二Γ 逃光〜^有/2波長板,可以在做為前 先予π月衣置的光軸中心的結晶光學軸上,自由旋轉。 又,根據第二較佳實_,較佳更包括第2相 =配置於該光源與該相位部件之_統中 牛 前述第2相位部件^的先。魏情形, 干季乂么有1/4波長板,可以在做為前述 !5926-D4-pif 8
V 200841384 光學照明裝置的光軸中心的結晶光學軸上,自由旋轉。又, 於第二較佳實施例,前述中央區域的徑向方向的大小,較 佳為前述偏韻換元件的有效區域賴方向大小的大於或 等於1/3 〇 於本發明第三實施例,提供光學照明裝置,對於根據 由光源供給的照明光,照明於被照射面的光學照明裝置。 鈾述光學H?、明裝置的照明瞳面或與該照明瞳面共車厄 的面内被形成的光強度分佈,關於在其所定的有效光源區 ⑩域的第1方向偏光的平均特定偏光率以RSPh(Ave)表示, 關於第2方向偏光的平均特定偏光率以RSPv(Ave)表示, 滿足 RSPh(Ave) > 70%,RSPv(Ave) > 70%。 又, RSPh(Ave) = lx (Ave)/(Ix+Iy) Ave ; RSPv(Ave) = ly (Ave)/(Ix+Iy) Ave。 於此,lx (Ave)為通過所定的有效光源區域到達像面 • 的一點的光束,在第1方向偏光成分的強度平均。Iy(Ave) 為通過所定的有效光源區域到達像面的一點的光束,在第 2方向偏光成分的強度平均。(Ix+Iy) Ave為通過所定的 效光源區域的全部光束強度的強度平均。又,前十、跑 别现光學戶3 明裝置的照明瞳面,定義成對應前述被照射面之光學傅〜 葉轉換關係的面,在前述光學照明裝置與投影先學1統組 合的情形,可以定義出與投影光學系統的光圈光學共者/& 光學照明裝置内的面。又,與前述光學照明裝置的坪、 …、月瞳 15926-D4-pif 9 200841384 面共輛的面,報定於前述光學照日錄置_面,例如前 述光子&、明裝置與彳X影光學系統組合時,也可以投影光學 系統内的面。更也可以是用以檢Μ學照明裝置(或投影曝 光裝置)的偏光狀態的偏光測定器内的面。 本發明第四實施例,提供曝光裝置,包括第二實施例 =弟三實施例的光學照雜置,穿職光學酬裝置將 ^奉上的圖案曝光於感光性基板上。本發明第五實施例,
壯:曝二:会’使用第二實施例或第三實施例的光學照明 衣置’將罩秦上的圖案曝光於感光性基板上。 亦與的偏光變換元件,例如利时如水晶旋光性的 八:Γ被形成,在周方向有變化厚度分佈。於此,厚度 :=]ΐ,!ί設定使約為單一方向的偏光方向的直線偏 光狀$㈣’Γ換成有約為周方向的偏光方向的周方向偏 吉果,於本發明’可以實現防止光量損失, 偏光方向的直線偏光狀態的入射光, ΐ光變換I置周向的周方向偏光狀態的光的 優點。、'"置進而有波長板在相對上很容易製造的 裝置另二光學照明裝置,因為使用偏光變換 入射光,變換成有:2的偏光方向的直線偏光狀態的 態的光,可以^好為周方向的偏《方向的周彳向偏光狀 的輪帶狀照^八^光量損失,而形方向偏光狀態 刀 又,本發明的曝光裝置與曝光方法, 15926-D4-pif 10 200841384 使用光學照賴置,m好防止 向偏光狀態的輪帶肤昭明睥八皮^ 叩办成周方 以0且-產= 佈,於適當的照明條件,可 =且▲地轉印微細圖案’進而元件製造也有良好 為讓本發日此上述和其他目的、特徵和㈣能更 =下了讀舉較佳實施例,並配合所關式,作詳細ί 【實施方式】
圖1繪不根據本發明實施例的曝光裝置示意圖。 卜分別設定沿著感光性基板即晶圓w的法線方向為^ 轴’晶圓W的面内與圖!的紙面平行的方向為,曰 圓W的面内與圖1的紙面垂直的方向為X軸。請參照圖^ 本實施例的曝光裝置,包含用以供給曝光的光(照明光)的 光源1。 、做為光源1,例如可以使用供給248 nm波長光的KrF 準分子雷射光源或是供給193 nm波長光的ArF準分子雷 射光源。從光源1沿著Z方向射出的約平行光束,沿著χ 方向有細長延伸的矩形狀斷面,且入射於由一對透鏡2a 與2b所構成的光束擴展器2(expander)。各別的透鏡2&與 2b,在圖1的紙面内(YZ平面内)分別具有負屈折力與正屈 折力。因此,入射於光束擴展器2的光束,在圖丨的紙面 内被放大,並被整形為有所定的矩形斷面的光束。 穿過做為整形光學系·統的光束擴展器2之大約平行的 光束,其由反射鏡3折曲偏向到γ方向後,穿過1/4波長 15926-D4-pif 11 v 200841384 板4a、1/2波長板4b、消偏振鏡(dep〇larizer)4c、以及輪帶 照明用的繞射光學騎5,而入射於無焦點(afoeal)透鏡6。 於此’ 1/4波長板4a、1/2波長板牝以及消偏振鏡4c,如 後述,構祕光狀態變換部4。無焦點絲系統設定為: 使無焦點透鏡6 ’其前地齡置純射光學元件5的位 置大約致,且後側焦點位置與如圖中虛線所示的所定面 7的位置大約一致。 -般’繞射光學元件,基板形成有高度差其間隔為曝 餘度,使人械束麵要的肖度有繞 射作用。具體地,輪帶照明用的繞射光學元件5,在且 ,面為矩形狀的平行光束入射時,具有在遠場伽·蝴、 疋Fraunh〇fer、繞射區域)形成輪帶狀光強度分佈的功能。 因此:入射於做為光束變換元件的繞射光學元件5的 、料行光束,在無焦點透鏡6的瞳面形成輪帶狀的光強度 为佈後’約平行光束從無焦點透鏡6被射出。又,益隹點 ,鏡6的前透鏡群6a與後透鏡群你之間的光路中的、瞳面 或其附近,被配置圓錐柱狀鏡(axic〇n)系齡,其詳細籌 與作用描述於後。以下,為簡單說明,忽^ 統8,說明基本的結構與作用。 狀獍糸 穿過無焦點透鏡6的光束,穿過可 鏡9 (zoom lens)與偏光變換元件 ,用增細透 積分器(_al integra㈣的 妒川抱止拆祕_从眼透鏡(或是複眼透 、=)11。偏先祕70件10的結構與相綱於後。微 透鏡11 S由縱橫且密集配列的多個具有正屈折力的^ 15926-D4-pif 12 200841384 ι鏡所構成的光學元件。-般而言,微複 利用平行平面板絲㈣處理㈣成微 例如是 接著,構成微複眼透鏡的各微小透鏡,^所製成。 鏡的各透鏡單元(lens dement)微小。又,q、冓成複眼逯 與由相互被隔絕的透鏡單元所構成的複^^眼透鏡, 微小透鏡(微小屈折面),不相互被隔絕而—髀· #同多個 在具有正屈折力的透鏡單元被縱橫配置的觀/,°二然、而, 透鏡是與複眼透鏡相同之波面分割型的光學積分器仏4目艮 所定面7的位置被配置於伸縮透鏡9的前= 的附近’而微複眼透鏡n的人射面被配置於伸縮透二置 的後側焦點位置的附近。換言之,伸縮透鏡9配置^^ 面7與微複眼透鏡11的人射面實質上為傅立葉轉換關)疋 進而配置成無焦點透鏡6的瞳面與微複眼透鏡丨〗射^ ’ 大致光學共輛。 、面為 接著,微複眼透鏡11的入射面上,與無焦點透铲 的瞳面相同,例如被形成以光軸AX做為中心的輪帶^4日§6 ♦ 射範圍。此輪帶狀照射範圍的全體形狀是與伸縮透鏡9: 焦點距離依存而相似地變化。構成微複眼透鏡Η的各微小 透鏡具有矩形狀_面,其與在罩幕Μ上要形成照射範圍 的形狀(進而在晶圓W上要形成曝光區域的形狀)相似。 =射微複眼透鏡11的光束是利用多個微小透鏡而被 二維分割,其後侧焦點面或是其附近(進而照明瞳),藉由 入射光束,有與被形成的照射範圍大約相同光強度分饰的 二次光源,即是以光軸ΑΧ做為中心的輪帶把的實質面光 15926-D4-pif 13 200841384 源所構成的二次光源被形成。從微複眼透鏡η的後侧焦點 面或是其附近被形成的二次光源的光束,穿過分光器12a (beam splitter )及集光系統13後,與罩幕遮板(mask blind) 重疊地照明。 接著,作為照明視野光圈的罩幕遮板14,形成了矩形 狀的照射範圍,其對應構成微複眼透鏡U之各個微小透鏡 的形狀與焦點距離。再者,内部設置有分光器12a的偏光 監視器12,其内部結構與作用如後所述。穿過罩幕遮板14 的矩开>狀開口部(透光部)的光束,在受到成像光 15的集光作用後,重疊地照射在形成有所定圖案的罩幕m 上0
即是,成像光學系統15,使罩幕遮板14的矩形狀開 口部的像被形成於罩幕Μ上。穿過罩幕_圖案的光束, 又穿過投影光學系統PL’將罩幕_的像形成於感光性基 ^即晶圓W上。接著’在與投影光學系統PL的光軸ΑΧ 3的平面(χγ面)内,利用二維地轉控制晶圓W進行 掃描曝光’罩幕Μ的圖案依序被曝光料圓w的 谷曝光±老。 二=偏光狀態切換部4中,1/4波長板4a_ 轉於以光軸“做為中心的結晶光學轴,將 = 成輪光光束。又,1/2波長板4b 轴,使入I的直ίΪί以光軸AX做為中心的結晶光學 利用古、、、:、、”光的偏光面變化。又,消偏振鏡4c 互齡狀的麵狀水晶魏無形狀^英稜鏡而被 15926-D4-pif 14 200841384 一體的稜鏡組合體,被構 構成。水晶稜鏡與石英稜鏡做為 成對照明光路可以自由插脫。 為先、=準刀子雷射光源或是ArF準分子雷射光源做 下,從這些光源被射出的光,—般有95% H、、,光度’且約直線偏光的光入射於1/4波長板4a。 :二光源1與偏光狀態切換部4之間的光路中,有做為 射鏡的直角稜鏡的情形時,入射的直線偏光的偏光
偏光面或§偏光面—致,利用直緩鏡的全反射 使直線偏光變為橢圓偏光。 ,光狀態切換部4 ’雖然例如是由於直角稜鏡的全反 身 =成的橢圓偏光光束入射,利们/4波長板如的作用被 U奐成錄偏光光束,人射於W波長板#。W波長 ,4b的結晶光學軸,職人射的成錄偏糾偏光面設定 成〇度或90度時,入射於1/2波長板牝的直線偏光的光 束,其偏光面不會變化而通過。 一又’ 1/2波長板4b的結晶光學軸,對應入射的直線偏 光的偏光面’以45度設定的情形,入射於1/2波長板仙 的直線偏光光束的偏光面,僅以90度變化被變換成直線偏 光的光。再者,消偏振鏡4c的水晶稜鏡的結晶光學軸,對 f入射的直線偏光的偏光面被設定成45度的情形,入射水 曰曰稜鏡的直線偏光的光被變換成非偏光狀態的光(非偏光 化)。 於偏光狀態切換部4,當消偏振鏡4c在照明光路中定 位,使水晶稜鏡的結晶光學軸相對入射的直線偏光的偏光 15 15926-D4-pif
V 200841384 面為45度。另外,水晶稜鏡的結晶光學軸相對入射的直線 偏光的偏光面,設定為0度或90度的角度時,入射水晶稜 鏡的直線偏光的偏光面不會變化而通過。又,1/2波長板 4b的結晶光學軸相對入射的直線偏光的偏光面,設定為 =·5度的角度時,入射1/2波長板4b的直線偏光的光,被 變換成含有偏光面不會變化而通過直線偏光成分和偏光面 僅90度變化的直線偏光成分的非偏光狀態的光。 、對於偏光狀態切換部4,如上述,直線偏光的光入射 於1/2波長板4b,是為了以下的簡單說明,在圖i的乙方 向具有偏光方向(電場方向)的直線偏光(以下稱Z方向偏光) =光其入射於1/2波長板4b。消偏振鏡4C在照明光路中 ^位時,入射於1/2波長板4b的結晶光學軸相對z方向偏 光的偏光面(偏光方向)設定為〇度或9〇度,且入射於ι/2 波長板4b的z方向偏光,其偏光科會變化的z方向偏 而人射於消偏振鏡4e的水晶稜鏡。水晶稜鏡的結 曰曰^軸’相對人射的z方向偏光的偏光面,因為設 又的角度,入射水晶稜鏡Z方向偏光的光成偏 光狀態的光。 俠成非偏 穿過水晶稜鏡被非偏光化的光,穿過為了 方向而作為補償器(compensator)的 、仃 狀態入射於繞射光學元件5。-方面\ 二非偏光 =的結晶光學轴相對z方向偏光的偏光面設$長板 -度變化’如在圖〗方向具有偏 15926-D4-pif 16 200841384 下稱X方向偏光)的光,入射於消偏振鏡如的 ilt 對人射於水晶稜鏡的結晶光學轴的X方向偏 面,因為設定為45度’入射水晶稜鏡的X方向 光’被變換成非偏光狀態,且穿過石英稜鏡,並以 非偏光狀態入射於繞射光學元件5。 、反之,在消偏振鏡4c從照明光路退開時,入射於1/2 4b的結,光學軸相躲z方向偏光的偏光面設定 ’、'又或9〇度時,入射於1/2波長板牝的2方向偏糸的 光不會變化而通過 z 、 Z方向偏先狀恶入射於繞射光學元 於2古方面’人射於1/2波長板413的結晶光學麵相對 扑t方?^偏光面設定為45度時,入射於1/2波長板 向偏杏If 光,偏光面會僅9G度而變成x方 1 而以X方向偏光狀態入射於燒射光學元件5。 4c τ wn! 11 ^ ^ 射來與-M : 叹非偏从祕光人射於繞 用訊。又’使消偏振鏡4(;從照明光路退開,且利 偏ΞίίΓ2波長板4b的結晶光學軸相對於入射的z方向 ,先的偏光面為0度或90度, 光入射於鉾鉍本與分彼ς $土 、從乙万向偏先狀悲的 退開,且二Μ Γ * 。再者”肖偏振鏡4c從照明光路 射的奴使1/2波長板扑的結晶光學軸相對於入 方向偏光的偏光面為45度,& 態的光入射於繞射光學元件5。了以使χ方向偏光狀 對於偏光狀態切換部4,由1/4波長板 波長板4b與消偏振鏡4c所組成的偏光狀態切換部 l5926-D4-pif 17 200841384 的f用,往繞縣學元件5的人射躺偏光狀 態(進而照明 幕Μ與晶圓%的光的偏光狀態),可以在直線偏光狀態 兵非偏光狀態之間切換,於直線偏光狀態的情形,可以在 =:=狀態鄉糊綱與Χ方向偏光 者’對於偏光狀態切換部4,使1/2波長板4b與消 έ士 起從照明光路退開,且利用1/4波長板4a的 軸相對於人射的橢圓偏光奴所要的角度,圓偏 ίΪίΓ人射於繞射絲元件5。又-般上,利用1/2 態,%以設彳i繞射光學元件5的人射光的偏光狀 、X成在任思方向有偏光方向的直線偏光狀態。 側為統8 ’順著光源側,由對向先源 %,為凹圓錐狀的屈折面的第1稜鏡部 面的第i對向光源側為凸圓錐狀的屈折 折= 3=,。第1稜鏡部如的凹圓錐狀屈 的形狀I ? 騎狀歸面,Η接合而互補 被=著稜鏡部-之至少其- 折面鱼第第1稜鏡部8a的凹圓錐狀屈 的/、抑夂鏡部处的凸圓錐狀屈折面之間的間隔是可變 徒鏡::的T圓::二的凹圓錐狀屈折面與第2 鏡系統8做為平行平面板的機:目互且接,^ 輪帶狀二次光源。然而,使 響到被形成的 規0P 8a的凹圓錐狀屈折 改26机pif 200841384 面與弟2稜鏡部%的 系統8做為所祝去去姐尸固錐狀屈折面間離時,圓錐柱狀鏡 鏡季统擴展器的機能。因此,隨著圓錐桎狀 鏡糸、=跑,變化向所定面7的入射光角度枝狀 作用說明。域,®雜狀鏡系統的 零且伸縮透/,9 λ㈣純狀鏡线8的間隔為 態),被形成帶、=離r小值的狀態(以下稱標準狀 系統8的間隔從零;戶=人=;〇a,利用使圓錐柱狀鏡 差的1/2··圖中以箭值而擴大,其寬度(外徑與内徑的 大,而變化成Λ會變化,外徑與内徑一起擴 狀鏡系統8的;:源,:。換言之’利用圓錐柱 輪贡狀—次光源的寬度不會變化,且 輪可比(内徑/外徑)與大小(外徑)—起變化。- ,3對輪▼狀二次光源’伸縮透鏡的作用說 月用,照圖3,在標準狀態被形成的輪帶狀二次光源他, 騎鏡9㈣、點轉從最小值朗定值擴大,其全 體形狀相似地擴大而變化成輪帶狀二次統歎。換士 =利用伸縮透鏡9的仙,輪帶狀二次光源的輪帶比 會變化’其寬度與大小(外徑)—起變化。 ☆圖4 %不圖1的偏光監視器的内部結構示意斜視圖。 參照圖4,偏光監抑12包含:被崎於微魏透鏡U 與集光系統13之間的光路的第i分光器ua。第i分光哭 12,如是利用石英玻璃形成之沒有塗佈的平行面板(即是 素玻璃)_1且其具有將與人射光的偏綠態相異的偏 光狀態的反射光從光路取出的機能。 15926-D4-pif 19 200841384 、利用第1分先器12a而從光路被取出的光,入射於第 2 ^光器12=第2分光器i2b與第1分光器Ua相周,例 如疋利用石英破璃形成的沒有塗佈的平行面板型態,且其 具有使與入射光的偏光狀態相異的偏光狀態的反射光發生 的機能。接著,進行設定使相對第1分光器12a的P偏光 成為相對第2分光器12b的S偏光,且相對第1分光器i2a 的S偏光成為相對第2分光器12b的p偏光。 又’透過第2分光器12b的光是利用第1光度檢測器 12c而被檢測’在第2分光器12b被反射的光是利用第2 光度檢測器12d而被檢測。第1光度檢測器12c與第2光 度檢測為12d的輸出,分別被輸給控制部(未示於圖)。控 制部依需要驅動構成偏光狀態切換部4的1/4波長板4a、 1/2波長板4b與消偏振鏡4c。 如上述,關於第1分光器12a與第2分光器12b,對 於P偏光的反射率與S偏光的反射率,實質上是不同。因 此’對於偏光監視器12,從第1分光器12a的反射.光,含 有例如往第1分光器12a的入射光的約10%的S偏光成分 (對第1分光器12a的S偏光成分是對第2分光器12b的P 偏光成分),與例如往第1分光器12a的入射光的約1%的 P偏光成分(對第1分光器12a的P偏光成分是對第2分光 器12b的S偏光成分)。 又,從第2分光器12b的反射光,含有例如往第1分 光器12a的入射光的約1〇%乂1%二0.1%的?偏光成分(對第 1分光器12a的P偏光成分是對第2分光器12b的S偏光 20 15926-D4-pif 200841384 成分),與例如往第1分光器12&的入射光的約 1%χ10%=0·1%的的S偏光成分(對第1分光器12a的s偏 光成分是對第2分光器12b的P偏光成分)。 如此,對於偏光監視器12,第1分光器12a回應其反 射特性而具有將與入射光偏光狀悲相異的偏光狀態的反射 光從光路取出的機能。其結果,很少受到第2分光器12b 造成的偏光變動的影響,根據第1光度檢測器12c的輸出 (關於第2分光器12b的透過光強度資料,即是從第1分光 器12a的反射光約相同偏光狀態的光的強度資料),可以檢 知往第1分光器12a的入射光的偏光狀態(偏光度),進而 往罩幕Μ的照明光的偏光狀態。 又,對於偏光監視器12,被設定為相對第1分光器 12a的Ρ偏光為對第2分光器12b的S偏光,且對第1分 光為12a的S偏光為對第2分光器12b的P偏光。其結果, 根據第2光度檢測器12d的輸出(關於第1分光器12a與第 2分光器12b被順次反射光的強度資料),實質上不受往第 1分光器12a的入射光的偏光狀態的變化的影響,可以檢 知往第1分光器12a的入射光的光量(強度),進而往罩幕 Μ的照明光的光量。 接著,使用偏光監視器12,檢知往第1分光器i2a的 ^射光的偏光狀態,進而可以判定是否往罩幕M的照明光 是所要的非偏光狀n、直線偏光狀態、或圓偏光狀態。控 制邻根據由偏光監視器12的檢知結果,確認往罩幕M(進 而曰曰圓W)的照明光是否為所要的非偏光狀態 、直線偏光狀 15926-D4-pif 21 200841384 悲、或圓偏錄態的情形,鶴調整構錢光狀態切換部 ill74波長板4a、1/2波長板4b與消偏振鏡4c,而可以 調整往的照明光的狀態_要_偏光狀態、直線 偏光狀態、或圓偏光狀態。 ,者,取代輪帶照明用的繞射光學元件5的4極照明 用的繞射光學元件(未示於圖),藉由設定於照明光路中, 可以進行4極照明。4極照明用的繞射光學元件,在入射 有矩形狀的斷面的平行光束的情形,有在其遠場形成4極 狀的光強度分佈的機能。因此’穿過4極照明用的繞射光 學元件的光束,在微複眼透鏡11的入射面,形成例如以光 車由ΑΧ做為中心的4個圓形狀照射區域所組成的4極狀照 射區域。其結果,微複眼透鏡11的後侧焦點面或其附近, 與被形成於入射面的照射區域相同,被形成4極狀的二次 光源。 又,取代輪帶照明用的繞射光學元件5的圓形照明用 的繞射光學元件(未示於圖),藉由設定於照明光路中,可 以進行一般的圓形照明。圓形照明用的繞射光學元件,在 入射有矩形狀的斷面的平行光束的情形,有在其遠場形成 圓形狀的光強度分佈的機能。因此,穿過圓形照明用的繞 射光學元件的光束,在微複眼透鏡11的入射面,形成例如 以光軸ΑΧ做為中心的圓形狀照射區域所組成的4極狀照 射區域。其結果,微複眼透鏡11的後侧焦點面或其附近, 與被形成於入射面的照射區域相同,被形成圓形狀的二次 光源。 15926七 4-pif 22 200841384 中,可以、隹〜,件(未不於圖),猎由設定於照明光路 k仃各種多極照明(2極照明、8極昭 地,取代於燋防ηα扣,1 征…、明寺)。同樣 射光風ί 繞射光學元件5的有適當特性的繞 、子兀牛,藉由設定於照明光路中,可以進匕 的變換照明。 丁各種形恶 #亍\5^?1的偏光變換元件的内部結構示意圖。圖 作用,被:。圖7㈣湘偏光變換元件的 破叹疋成周方向偏光狀態的輪帶狀二次 、斤。:1的正前面,即是照明光學裝置(1〜PL)的瞳或其附 ^ 此,在輪帶照明的情形,對偏光變換元件 斷面約輪帶狀且以光做為中心的光束。入射有 、、-=照圖5,偏光變換元件10,有全體光軸AX做為中 〜輪T狀的有效區域,其輪帶狀的有效區域以光軸Αχ做 為中心,、姻在圓周方向等分成8個扇形形狀的的基本元 件被構成。在這些8個基本元件,夾著光軸Αχ相對的一 對基本兀件相互有相同特性。即是,8個基本元件,延著 光穿過方向(Υ方向)的厚度(光軸方向的長度)相互不同的4 種基本元件10Α〜10D各含2個。 具體而言,設定成第1基本元件1〇Α的厚度最大,第 基本兀件10D的厚度最小,第2基本元件1〇Β的厚度比 第3基本元件10C的厚度大。其結果,偏光變換元件忉 勺方的面(例如入射面)為平面狀,而另一面(例如出射 15926-D4-pif 23 200841384 面)’利用各基本元件10A〜10D的厚度不同,成為凹凸狀。 了以偏光雙換元件10的雙面(入射面與出射面)一起形 成凹凸狀。 又’本實施例,各基本元件10A〜10D是利用有旋光 性的光學材料亦即是做為結晶材料的水晶所構成,各基本 元件10A〜10D的結晶光學轴與光轴Αχ約一致,即是設定 成與入射光的行進方向約一致。以下,參照圖6,對水晶 春 碰光性進行簡單說明。參照圖6,由厚度為d的水晶所 構成的平行面板光學部材1〇〇,其結晶光學軸與光軸Αχ 被配置成一致。如此情形,利用光學部材1〇〇的旋光性, 入射的直線偏光的偏光方向對光軸Αχ僅旋轉— 狀態被射出。 又 > /b時,光學部材100的旋光性造成偏光方向的旋轉角 (旋光角度)Θ,利用光學部材1〇〇的厚度(1與旋光能 下式(a)表示。 0=d · p (a) 藝一般’水晶的旋光能P為波長依存性(依存使用光的波 長其不同旋光能值··旋光分散),具體地,使用光的波長短, 會有愈大的傾向。根據在「應用光學n」的第167頁的記 載,相對於具有250.3nm的波長的光,水晶的旋光能口為 153.9 度/mm 〇 在本實施例,第1基本元件10A,被設定成厚度dA, 在z方向偏光的直線偏光的光入射的情形,z方向繞著γ 轴使+180度旋轉的方向,即是在z方向有偏光方向的直線 15926-D4-pif 24 200841384 偏射出。因此’在此情形,如圖7所示的輪帶狀 二先源之中,受到一對第i基本元件ι〇Α的旋光作 方=”,Λ過形成的一對圓弧狀區域31八的光束的偏光 万向疋在ζ方向。 第2基本元件1〇Β,被設定成厚度dB,在ζ 光的直線偏光的光人射時,Z方㈣著γ級+135产旋轉 =向,即是在z方向繞著γ軸使七度_的方二‘ 偏先方向的直線偏光的光射出。因此,在此情形,如圖7 所不的輪帶狀二次光源31之中,受到—對 ;〇Β , =先束的偏光方向,是z方向繞著丫軸使旋轉Μ度的方 向。 弟3基本元件10C,被設定成厚度dc,在z 光的直線偏光的光人射時,z方向縣¥概度旋轉 =方:::是有X方向偏光方向的直線偏光的光射出。因 此,在此h形’如圖7所示的輪帶狀二次光源31之中,受 到-對第3基本元件1〇c的旋光作用的光束,通過形成的 -對=弧狀區域31C的妹的偏光方向是在χ方向。 第4基本元件10D,被設定成厚度⑩,在ζ方向 光的直線偏光的光人射時,z方向絲 的方向有偏光方向的直線偏光的光射出。因此,在此^ 如圖7所示的輪帶狀二次光源』之中,受到—對第*基本 旋光作用的光束,通過形成的—對圓弧狀區域 3m的光束的偏光方向,是ζ方向繞著γ軸使旋轉+45度 15926-D4-pif 25 200841384 的方向。 再者,對分別被形成的8個基本元件進行組合可 到偏光變換元件H),也可以利用將平行平面板的水晶基板 形成所要的凹凸形狀(段差)而得到偏光變換元件1〇又 不將偏光變換元件H)從光路退啊,可㈣
照明,且設定圓形狀的中央區域廳,其大小為偏光變換 π件10的有效區域的財向大小的大於等於·,較佳 為大於等於1/3,且沒有旋光性。於此,中央區域刚,二 以利用沒有旋光性的光學材料例如石英而形成,也可以是 簡單的圓形狀開σ。但是,中央區域歷不是偏光變換= 件10的必要元件。再者,中央輯_的大小是由周方 向偏光狀態區域與非此區域的邊界所決定。 於本實施例,周方向偏光輪帶照明時(通過輪帶狀的二 次光源的光束被設定成周方向偏光狀態的變形照明),有Z 方向偏光的直線偏光的光被入射於偏光變換元件1〇。其結 果,微複眼透鏡11的後側焦點面或其附近,如圖7所/示^ 輪帶狀的二次:¾源(輪帶狀的瞳分佈)31被形成,通過此輪 帶狀的二次光源31的光束被設定成周方向偏光狀態。對於 周方向偏光狀態,分別通過構成輪帶狀的二次光源31的圓 弧狀區域31A〜31D的光束,沿著各圓弧狀區域31八〜3m 的圓周方向’而在中心位置的直線偏光狀態的偏光方向是 大約與以光軸AX做為中心的圓的切線方向一致。 接著,於本實施例,與因光圈大而發生光量損失的傳 統技術不同,利用偏光變換元件1〇的旋光作用,不會有實 15926-D4-pif 26 200841384 質的光量損失發生 -一次光源31。 。換言之, 好地抑制光量損失,
對於典型的各基本元 X ’ 根摅届 — · ,·、此.· 可以形成周方向偏光狀態的輪帶狀的 -,對於本實施例的照明先學裝置,良 口偏光狀態的輪帶狀的 鮮於本實施例,因為使用光學元件的偏 緩設定,達到優良效果
其點上的界面法線與入射光的面。 其結果,對於周方向偏光輪帶狀照明,可以提升投影 光學系統的光學性能(焦點深度等),可以得到在晶 光 性基板)上高對比的罩幕圖案像。即是,對於本發明^施 • 例,因為使用可以良好地抑制光量損失,且形成周方向偏 光狀態的輪帶狀照明瞳分佈的照明光學裝置,用適當的照 明條件可以忠實且高產能地將微細圖案轉寫。 接著,於本實施例’利用有X方向偏光方向的直線偏 光的光使其入射偏光變換元件’如圖8所示通過輪帶狀 二次光源32的光束設定為徑方向偏光狀態,且進行徑方向 偏光輪帶照明(通過輪帶狀二次光源32的光束被設定成徑 方向偏光狀態的變形照明)。於徑方向偏光狀態,分別通過 15926-D4-pif 27 200841384 構成輪帶狀二次光源32的圓弧狀區域32八〜32 沿著各圓錄區域32A〜32D的_方向,而在巾心位晉的 直線偏光狀態是大賴料軸ΑΧ做為巾叫圓的半獲方 式一致。 工乃
根據徑方向偏光狀態的輪帶狀照明瞳分佈的 偏光輪帶照明,被照射到做為最終的被照明面的晶圓W 光,是以Ρ偏光為主要成份的偏光狀態。於此,ρ偏光, 是相對上述定Α的人射面的平行方向的偏光方向的直線偏 光(平行入射面方向電性向量震動的偏光)。其結果,徑方 向偏光輪帶狀照明,被塗佈於晶圓上的光阻的光反射^減 小,在晶圓(感光性基板)上,可以得到良好的罩幕圖案像\ 又,於上述實施例,入射偏光變換元件W的光束, 利用在Z方向有偏光方向的直線偏光狀態與在又方向有偏 光方向的直線偏光狀態之間的切換,而實現周方向偏光輪 帶照明與徑方向偏光輪帶照明。但是,不限定於此,例: 對於在Z方向或X方向有偏光方向的直線偏光狀態的入射 光束,利用偏光變換元件10在如圖5所示的第1狀態與繞 著光軸AX使僅90度回轉的第2狀態之間切換,可以實現 周方向偏光輪帶照明與徑方向偏光輪帶照明。 又,於上述實施例,微複眼透鏡n的正前方配置偏 光變換元件10。但是,不限定於此,一般照明裝置(NPL) 的瞳或其附近,例如投影光學系統PL的瞳或其附近,成 像光學系統15的瞳或其附近,圓錐柱狀鏡系統§的正前方 (無焦點透鏡6的瞳或其附近)等可以配置偏光變換元件 15926-D4-pif 28 200841384 ίο。 因此,如果投影光學系統PL中盥 ίί偏光變換元件1G,因為偏光變換元件lG^J要的 大又考慮到有困難得到高品質的大水晶基板的現:大
使偏光變換7^ 1G所要的有效_、, =照射面的晶圓…距離長,防止透鏡反射的 鏡子的反射麟會改變偏光狀態的因素容易介入在 私二路中而不佳。即是,透鏡的防止反射塗佈與鏡子的反 射馭,容易由於偏光狀態(P偏光與s偏光)與入射角的反 射率而變差,進而容易變化偏光狀態。 又,於上述實施例,偏光變換元件10的至少其一面 的(例如射出面)被形成凹凸狀,進而偏光變換元件10在周 方向有離散(不連續)變化厚度分佈。但是,不限定於此, 如偏光變換元件10在周方向具有約不連續變化的厚度分 佈’偏光變換元件10的至少其一面(例如射出面)可以形成 曲面狀。 又,於上述實施例,利用對應輪帶狀的有效區域的8 分割的8個扇形狀的基本元件,構成偏光變換元件10。但 是,不限定於此,可以例如利用對應圓形狀有效區域的8 分割的8個扇形狀的基本元件,或是利用對應圓形狀或輪 帶狀的有效區域的4個分割的4個扇形狀的基本元件,或 是利用對應圓形狀或輪帶狀的有效區域的16個分割的16 個扇形狀的基本元件構成偏光變換元件10。即是,偏光變 l5926-D4-pif 29 200841384 換元件ίο的有效區域彬貼,女‘广l 數有效區域分割數(基本元件的 要文里J寻j以有多種不同的變形例。 二:上述實施例’用水晶形成各種基本元件 m光變換元件⑼。但是,秘定於此,使 ^有旋先性的其他適當絲材料可形成各基本元件。盘此 以使用對應使用波長的光有⑽度/mm以工的 說t的战材料。即是’如果使用旋光能小的光學材料,
要付,偏光方向所要的旋轉肖之所需的厚度會過厚,且由 於光量損失的原因而不佳。 又’於上述實施例’偏光變換元件10對應照明光路 固定設定’也可喊偏光變換元件1G職㈣光路可以插 脫設定。X ’於上述實施例’雖然相對晶圓w白勺s偏光與 輪帶照明組合為例,也可以相對晶圓w的s偏光與2極或 4極等的多極照明與圓形照明組合。又,於上述實施例, 往罩幕Μ的知、明條件與往晶圓w的成像條件(數值孔徑與 像差)’例如罩幕Μ的圖案的種類等因此可以自動設定。 圖9綠示多個偏光變換元件可以交換的變化示意圖。 又,圖9的變形有例如圖i所示的實施例類似的結構,其 差異點在於多個偏光變換元件可以交換的轉台1〇τ (turret)。 圖10繪示做為圖9的交換機構的轉台1〇τ被載置多 種偏光受換元件1 〇a〜10e不思圖。如圖9與圖1 〇所示,對 於變形例,與光軸AX平行方向做為軸可以旋轉的轉台1〇τ 上,設置多種種類的偏光變換元件1〇a〜1〇e,利用轉台1〇τ 15926-D4-pif 30 200841384 的旋轉作用可以交換多種種類的偏光變換元件10a〜10e。 又,於圖9,多種種類的偏光變換元件1〇a〜1〇e之中,僅 偏光變換元件l〇a ’ 1〇b示於圖。又,對於做為偏光變換元 件的交換機構’不限疋於轉台10T,例如滑動件也可以。 圖11A〜11E繪示多種偏光變換元件1〇a〜1〇e分別的結 構示意圖。於圖11A ’弟1偏光變換元件iQa具有與圖$ 所示的實施例的偏光變換元件10相同的結構。於圖11B, 第2偏光變換元件l〇b,雖然具有與圖11A所示偏光變換 元件10a類似的結構’但不同點是於中央區域log設置有 偏光消解部材l〇4c。此偏光消解部材104c具有與圖}所 示的消偏振鏡4c相同結構’且有將入射的直線偏光的光變 換成非偏光狀態的光的功能。 於圖11C,第3偏光變換元件l〇c具有與圖HA所示 偏光變換元件l〇a類似結構,不同點在於中央區域10E的 大小較大(第1〜第4基本元件10A〜10D的寬度較窄)。又, 於圖11D,第4偏光變換元件l〇d具有與圖11C所示偏光 變換元件l〇c類似結構,差異點在於中央區域10E設置偏 光消解部材l〇4c。 於圖11E ’第5偏光變換元件l〇e不是由8個基本元 件所構成,而是由6個基本元件10C、10F、10G组合所構 成。第5偏光變換元件10e,以做為全體的光轴AX做為 中心有輪帶狀的有效區域’且此輪帶狀的有效區域以光車由 AX做為中心,利用在圓周方向等分割成6個扇形狀基本 元件10C、10F、10G被構成。在這些6個扇形狀基本元件 15926-D4-pif 31 200841384 IOC: ' 1卯、10G,夾著光軸Αχ相對的一對基本元件相互 有相同特性。即是,6個基本元件10C、10F、1〇G,沿著 光的透過方向(γ方向)的厚度(光軸方向的長度)相互為異 的3種類基本元件1〇c、1〇F、1〇G各含2個。 接著,基本元件10C,與圖7所示的第3基本元件loc 有相同機能部材,而省略其機能說明。基本元件1〇F,被 設定^厚度dF,在有Z方向偏光的直線偏光入射情形,z 方向繞著¥軸使旋轉+150度的方向,即是z方向繞著γ 軸使旋轉-30度的方向的偏光方向的直線偏光的光射出。 基本元件10G,被設定有厚度dG,在有z方向偏光的直 線偏光入射情形,Z方向繞著γ軸使旋轉+3〇度方向的偏 光方向的直線偏光的光射出。又,取代中央區域1〇E,也 可以設置偏光消解部材l〇4c。 又,回到圖10,於轉台10τ上設置未載置偏光變換元 件的開口部40,對於進行不是周方向偏光照明的偏光照明 的情形,進行大的σ值(σ值=照明光學裝置的罩幕側數值 Φ 孔径/投影光學系統的罩幕側數值孔徑)的非偏光照明的情 形,此開口部40位於照明光路中。 又,如上述,被載置於轉台1〇τ的偏光變換元件 10a〜10e的中央部,雖然以由圓形狀的開口或沒有旋光性 的材料構成中央區域10E或是設置偏光消解部材 104c 為 例不之,也可以配置沒有設置中央區域1〇E或偏光消解部 材104c的偏光變換元件(由扇形狀的基本元件所組成的偏 光變換元件)。 15926-D4-pif 32 200841384 圖12A〜12C繪示利用偏光變換元件的作用被設定成 周方向偏光狀態的二次光源的一例示意圖。又,於圖 12A〜12C,為容易理解的偏光變換元件,重繪於圖示。 圖12A,取代繞射光學元件5,在遠場(或是Fraunhofer 繞射區域)形成8極狀的光強度分佈的繞射光學元件(光束 變換元件)被設置於光路中,且偏光變換元件10a或10b被 設置於照明光路的情形,以8極狀的二次光源33示之。因 此,通過8極狀的二次光源33的光束被設定成周方向偏 光狀態。對於周方向偏光狀態,分別通過構成8極狀的二 次光源33的8個圓形區域33A〜33D的光束,由8個圓形 區域33A〜33D結合成圓的圓周方向,即是與這些8個圓形 區域33A〜33D結合的圓的切線方向約一致的偏光方向的 直線偏光狀態。又,於圖12A,雖然8極狀的二次光源33 以8個圓形區域33A〜33D所構成為例示之,但不限定於有 8個區域形狀為圓形。 圖12B’取代繞射光學元件5,在遠場(或是Fraunhofer 繞射區域)形成4極狀的光強度分佈的繞射光學元件(光束 變換元件)被設置於光路中,且偏光變換元件l〇c或1〇(1被 設置於照明光路的情形,以4極狀的二次光源34示之。因 此,通過4極狀的二次光源34的光束被設定成周方向偏 光狀態。對於周方向偏光狀態,分別通過構成4極狀的二 次光源34的4個區域34A、34C的光束,由4個區域34A、 34C結合成圓的圓周方向,即是與這些4個區域34a、34c 結合的圓的切線方向約一致的偏光方向的直線偏光狀態。 15926-D4-pif 33 200841384 又,於圖12B,雖然4極狀的二次光源34以4個橢圓形區 域34A、34C所構成為例示之,但不限定於4個區域形狀 為橢圓形。
圖12C,取代繞射光學元件5,在遠場(或是Fraunhofer 繞射區域)形成6極狀的光強度分佈的繞射光學元件(光束 變換元件)被設置於光路中,且偏光變換元件l〇e被設置於 照明光路的情形,以6極狀的二次光源35示之。因此,通 過6極狀的二次光源35的光束被設定成周方向偏光狀 態。對於周方向偏光狀態,分別通過構成6極狀的二次光 源35的6個區域35C、35F、35G的光束,由6個區域35C、 35F、35G結合成圓的圓周方向,即是與這些$個區域35C、 35F、=G結合的圓的切線方向約一致的偏光方向的直線偏 光狀怨。又,於圖12C,雖然6極狀的二次光源%以ό ,約梯形狀區域35C、35.F、35G所構成為例示之,但不限 疋於6個區域形狀為約梯形狀。 ηΐ ’於上述實麵)錢形例,雜偏光變換元件繞著 矣元件也可以繞著光軸使旋轉。圖13 ^成財絲可赠轉的偏光變換元件H)f的結構概 於圖13 10C触人摄1祕元件服,由4個基本元件說、 AX a/構成料變換元件1Gf,有做為全體的光秦 AX為中心的輪帶狀有效 體的光車 軸AX為中心右圓闽士人 祝,狀有效區域以夫 1〇! !〇〇 ^ 在廷4個基本元件1〇A、1〇c中,夹著夫 15926-D4-pif 34 200841384 ^ ΑΧ相對的—對基本元件相互有相同特性。即是,4個 1GA、1GC’在沿著光穿過方向(γ方向)的厚度(光 軸方向的長度)相互為異的2種基本元件iga、h分別含 2個° 於此,因為基本元件10A是與圖7所示的第1基本元 f 10A有相同機能的部材,基本元件i〇c是與圖7所示的
第3基本兀件1GC有相同機能的部材,而省略其機能說 明。又’取代中央區域1〇E的,也可以設置偏光消解部材 >此偏光k換元件1 Of,以光軸Αχ做為中心設定成可 以旋轉’例如以光軸Αχ為中心使+45度或_45度可以旋 2。圖14Α〜14C繪示利用偏光變換元件1〇f的作用,被設 定成周方向偏光狀態的二次光源的一例示意圖。又,於圖 14,為容易理解,偏光變換元件1〇f重複繪示。 ^圖14A’取代繞射光學元件5,在遠場(或是Fraunhofer $射區域)形成2極狀的光強度分佈的繞射光學元件(光束 變換兀件)被設置於光路中,且偏光變換元件1〇f在旋轉角 度為〇度的狀態(基準狀態),在被設置於照明光路中的情 形下以2極狀的二次光源36(36a)示之。於此,通過二次 光源36(36A)的光束被設定為縱方向偏光方向。 圖14B,取代繞射光學元件5,在遠場(或是Fraunhofer 繞射區域)形成4極狀的光強度分佈的繞射光學元件(光束 變換元件)被設置於光路中,且偏光變換元件1〇£在旋轉角 度為〇度的狀態(基準狀態),在被設置於照明光路中的情 15926-D4-pif 35 200841384 形下以4極狀的二次光源37示之。於此,通過二次光源 37的光束被設定為周方向偏光方向。又,於圖14B,4極 狀的光強度分佈侷限在紙面内上下(Z方向)以及左右方向 (X方向)。 於周方向偏光狀態,分別通過構成4極狀的二次光源 3 7的4個圓形區域3 7 A、3 7 C的光束,由這4個圓形區域 37A、37C結合成的圓的圓周方向,即是有與這$個圓形 區域3 7A、3 7C結合成的圓的切線方向約一致的偏光方向 的直線偏光狀態。又,於圖14B,雖然是以4極狀的二次 光源37由4個圓形區域37A、37C所構成而示之,4 &區 域的形狀不限定為圓形。 圖14C,取代圖14B的繞射光學元件,在遠場(或是 Fraunh〇fer繞射區域)侷限紙面内+45度(_135度)方向及紙 面内-45度㈢5度)方向,形成4極狀的光強度分佈的繞 射光學元件(光束變換元件)被設置於光路中,且偏光變換 l〇f在旋轉角度為+45度的狀態(相對基準狀態,順時 、’里方疋轉45度的狀態)使旋轉而設置於照明光路中的情形 下’以4極狀的二次光源38示之。 於圖14C,偏光狀態切換部4中的1/2波長板牝繞著 ^由使旋轉,相對偏光變換元件谢,使有+45度㈠35度 向)偏光方向的直線偏光人射。於此,因為基本元件似 使入射的直線偏光的偏光方向僅旋轉180度± nxi8〇度 32)的機能,且基本元件1GC妓人射直線偏“ 每先方向僅旋轉9G度± ηχ⑽度(n為整數)的機能,通過* 15926-D4-pif 36 200841384 極狀的二次光源38的光賴設定朝方向偏光狀態。 狀的於===不的周方向偏光狀態,分別通過構成4極 4個4個®形區域38B、38D的光束,由這 4们,區域38B、38D結合成的圓的 與這4個圓形區域38 I疋有 致的偏光方^古# 、,、°5成的圓的切線方向約— 致的偏先方向的直線偏光狀態。又,於圖i4c,雖然是以
H狀t二次光源38由4個圓形區域38β、3犯所構成的 例子不之,4個區域的形狀不限定為圓形。 如此’利帛偏光狀態浦部4的偏光方向的變更 作’與利用偏光切換元件1〇f的旋轉作用,雖然4極狀二 次光源舰在+45度(-135度)方向與_45度(+135度)方向, 雖然4極狀二次光源揭限在〇度(+18〇度)方向以及卯产 (270度)即是縱橫方向,雖然2極狀二次光源偈限在〇 ^ (+180度)方向或90度(270度)即是縱橫方向,也可以 周方向偏光狀態。見 又,以光軸AX做為中心在圓周方向被等分割而由8 個扇形狀的基本元件構成的偏光變換元件,也可以繞著光 軸AX旋轉。如圖1认所示’例如由8分割的基本元件所 構成的偏光變換元件(例如偏光變換元件1〇a),如果繞著光 軸AX使僅旋轉+45度,分別通過構成8極狀二次光源% 的8個圓形區域39A〜39D的光束,具有相對此8個圓形區 域39A〜39D結成的圓的圓周方向(8個圓形區域〜列d 結成的圓的切線方向)使僅旋轉_45度的偏光方向的直線偏 光狀態。 15926-D4-pif 200841384 8 〇先束在有相對此δ個圓形區域結合成的 ^圓^向(8個圓形區域結合成的圓的切線方向),長輛 1㈣+45度的偏光方向的橢圓偏光的情形,如圖 -土法不的偏光交換元件(例如偏光變換元件1Ga),利用繞 者光軸AX使僅旋轉+45度,如圖15(:所示,可以得到約 周方向偏光狀態。
、圖16 %示偏光變換元件被配置在照縣㈣統的瞳 附近位置内、圓雜狀鏡系統8的正前面位置(人射侧附近 的示意圖。於圖16之例,利用伸縮透鏡系統9 厂數k化作用,被投影到微複眼透鏡u的入射面中央區 域1〇E的像的大小,與被投影到微複眼透鏡11的入射面 的各基本元件〜10㈣像的大小會被變更,藉由圓錐柱 狀鏡糸統8的動作,被投影到微複眼透鏡^白认射面的各 基本元件10A〜的像,以練Αχ為中 幅度被變更。 1 …因此,有如圖16所示變形例的中央區域1〇Ε(或是偏 光消解部材1G4e)的偏光變換元件,比起有變換倍率作用 的光學系統(伸縮透鏡9)而設置在光源側的情形,考慮中 央區域10E佔據區域利用伸縮透鏡9的變換倍率而被變 更,也可以決定中央區域10E的大小。 又如圖16所示的變形例,在有中央區域WE(或是 偏光消解部材l〇4c)的偏光變換元件,比起有變更輪帶比 作用的光學⑽(_柱狀鏡系統8)而設置在光源^的情 15926-D4-pif 38 200841384 =如圖17所示’較佳献以下條件⑴與條件⑺的至少 ⑴(10in + AA)/l〇out < 0.75 (2) °*4<(10in +AA)/10〇ut. 其中, l〇in:偏光變換元件1G的中央區域應的有 lOout :偏光變換元件1〇的外側有效半徑, 二 △A:通過有變更輪帶比作_光料、⑽的 半徑的增加部份。 j 於此,不滿足條件⑴的情形,藉由偏光變換元件ι〇 使周方向偏光狀態被變換的輪帶狀的區域狹窄, 達成小輪帶比的輪帶狀❹極狀二次光源造成的周方向= 照明而不好。又,不滿足條件(2)的情形,可以通過偏光 夂換兀件ω的中央區域的光束的直徑明顯變小,例如當該 偏光變換7G件1G不會從照明光路外移,偏光狀態不變,因 為不能有小σ照明而不好。 又’如圖18所示,偏光變換元件被配置在照明光學 系統的_近位置中’比起微複眼透鏡η是在罩幕側的位 置,具體 =,也可以設置在將罩幕遮板14的像投影到 上的成像光學系統15的_近位置。在圖16與圖18所示 的實施例,與圖9到圖11的實施例相同,也可以有多個能 交換的偏光變換元件。 又’在上述實施例,比起偏光變換元件1〇,晶圓w 15926-D4-pif 39 200841384
侧的光學系統(照明光學系統與投影光學系統)有偏光像差 (延遲)的情形時’由於偏光像差’偏光方向會變化。於此 情形,在考慮此光學系統的偏光像差的影響上,利用偏光 變換元件1〇,較佳可以設定被旋轉的偏光面的方向。又, 利用偏光變換元件10,在晶圓W侧的光路中被配置反射 部材的情形,被此反射部材反射在每個偏光方向產生相位 差。此時,考慮由反射面的偏光特性引起的光束相位差, 利用偏=變換元件10也可以設定被旋轉的偏光面的方向。 接著,說明偏光狀態的評量方法的實施例。於本實施 例,保持做為感光性基板的晶圓w的晶圓平台(基板平台) 的侧方,使用可以進出的晶圓面偏光監視器90,檢測出到 達做為感光性基板的晶U w的光束的偏光狀態。又,晶圓 2光監視器90,也可輯設置在晶κ平台内,且也可以 將該晶圓平台設置在別的計測平台上。 ㈣f19繪示為了檢出照明晶圓w的光的偏光狀態以及 強3晶圓面偏光監視器90的結構示意圖。如圖19所 =:圓面偏光監視器90 ’包括可以定位 =通過針孔部材91的針孔- 近,如—己技衫光學系統PL·的像面位置或其附 二=焦點位置的對準 c〇mm 為約千行的光束,並在被 取 鏡系統94㈣ay lens)。穿H93反射後,入射於中繼透 束,穿過做為她移以;^;貌镇94的約平行光 件的偏光分光H 96後,f,rt _波長板%與做為偏光兀 運一維 CCD 97 ( Charge Coupled 15926-D4-pif 200841384 以―,電荷轉合元件)的檢測面97a。於此,二維CCD 97 ,檢測面97a與投影光學系統pL的射出瞳大致光學丘 軛,進而與照明光學裝置的照明瞳面大致光學共輛。-波長板95 ’被構成能以光軸做為中心 波長板%,被連接到為了被設定成以光轴做為中心 疋=疋部98。如此’對晶圓w的照明 在藉ΓΓ叫1/4波長板95繞著光軸旋 f,而k化在二維CCD 97的檢測面97^強度 b,、對於晶圓面:烏光監視器%,一面使用設定部%而使 /4波長板95繞著光軸使旋轉,而一 、^ ^ 先變化,且從此檢測結果到利== 凡件的方法,可以測定照明光的偏光狀態。 又,旋轉相位移動元件的方法,例如鹤田所描述的「光 峰給光技術者的應用光學」,如株式會社新技術通訊 (commumcatlons)的詳細記載。實際上’針孔部材91(進 =針”'沿著晶圓面使二維移動,在晶圓面的多個位 置測定照明光的偏綠態。鱗,對於晶圓 %,因為檢測出在二維檢測面97a的先強度分佈的 出的分佈資料’在照明光的瞳内可以測定偏光 又,對於晶圓面偏光監視器9〇,做為相位移動元件的 1/4波長板95可以取代使請波長板。使用相 件,偏光狀悲即是用於測定4個St〇kes參數,變化 位動元件與偏光元件(偏光分光器96)的光軸的相對g度, l5926-D4-pif 41 200841384 同時,相⑽件或偏*元件從纽退開,依需要在至 固相^狀恶檢測出S檢測自97a的光強度分佈變化。又, ΐίίϊ例,雜做為她移動元㈣1/4波長板95繞著 喊做為偏光元件的偏光分絲%繞著光 S又也移動元件與偏光元件二者繞著光: ^ 代這些彳呆作或是增加這些操作的,也可以係
祕元件的1/4波長板95無為偏光元件的偏光 刀先為96之其一或二者從光路中插脫。 又,對於晶圓面偏光監視器9〇,利用反射鏡%的偏 =寸性,是變化_偏光狀態。於此情形,因為預先知道 、反射鏡93的偏光特性,根據利用所需要的計算所得到對 ^射,93的偏光特性的偏光狀態的影響,補正晶圓面偏光 =器9G的測定結果,可且正確地測定照明光的偏光狀 :。又,不限於反射鏡,藉由變化由透鏡等的其他光學部 牛引起偏光狀態的情形以相同地補正測定結果,可以正確 地剛定照明光的偏光狀態。 =下,具體說明關於在照明光的瞳内的偏光狀態分佈 凉评量。首先,通過在瞳上的一點(或是微小區域),而到 、像面上的一點(被小區域)的光線,一個一個算出對應的 4寸定偏光度DSP。又,在以下說明,使用圖i、圖16、圖 18的XYZ座標系統。上述瞳上的一點(微小區域)對應二維 沈1397的一畫素,且像面上的一點(微小區域)對應針孔91 a 的XY座標系統。 此特定偏光度DSP,當在通過在瞳上的一點(或是微 15926七4侦 200841384 小區域),而到達像面上的一點(微小區域)的特定光線的χ 方向偏光成分(在瞳上X方向的振動方向的偏光)的強度為 lx ’該特定光線的γ方向偏光成分(在瞳上Υ方向的振動 方向的偏光)的強度為ly時, (3) DSP - (Ιχ — iy) / (ix+iy)。 又,此特定偏光度DSP,對應全部強度Sg的水平直線偏光 強度減去垂直直線偏光強度S1,與(s1/sg)相同。 又,由通過在瞳上的一點(或是微小區域),而到達像 面上的一點(微小區域)的特定光線的X方向偏光成分(在瞳 上X方向的振動方向的偏光)的強度為Ix,以及該特定光 線的Y方向偏光成分(在瞳上γ方向的振動方向的偏光)的 ,度為Iy,通過下式(4)、(5),可以定義於水平偏光(對應 在圖案面内水平方向延伸的罩幕圖案的繞射光成為s偏光 的偏光)的特定偏光率RSPh、與垂直偏光(對應在圖案面内 • ^直方向延伸料幕圖案雜射光絲S偏光的偏光)的 特定偏光率RSPV。 (4) RSPh = ΐχ /(ix+iy), (5) RSPV = iy /(ix+iy), =中,當理想的非偏光照明時RSPh,RSPv二者為5〇%, 當理想的水平偏光時RSPh為loo%,當理想的垂直偏光0時 15926-E)4-pif 43 200841384 RSPV 為 100%。 又,對應通過在瞳上的一點(或是微小區域)而到達像 面上的一點(微小區域)的光線的一個一個,當用以下式 (6)〜(9)定義偏光度V時,對應通過所要的有效光源區域而 到達像面上的一點(微小區域)的光束,可以用下式(1〇)定義 平均偏光度V(Ave)。 ⑹ V- (S!2 + S22 +s32)1/2/s( (sf + sf+s/2)1’2 ⑺ &,: =S^So ⑻ S2, = s2/s〇 (9) S3, = s3/s〇 其中SG為全部強度,S!為水平直線偏光強度減去垂直直線 偏光度’ S2為45度直線偏光強度減去135度直線偏光 強度’ S3為右旋圓偏光強度減去左旋圓偏光強度。 (10) V(Ave) = Σ [SoCxi,yi) · v(Xi,yi)] /IS0(Xi,yi)。 又,於式(10),SG(Xi,yi)是對應通過所要的有效光源 區域(Xi,y〇上的一點(或是微小區域)而到達像面上的一點 (微小區域)的光線的全部強度Sg,v(Xi,ya是對應通過所 要的有效光源區域(Xi,y〇上的一點(或是微小區域)而到達 像面上的一點(微小區域)的光線的偏光度。 15926-D4-pif 44 200841384 又,對應通過所要的有效光源區域而到達像面上的一 點(微小區域)的光線,用下式(11)可以定義關於水平偏光的 平均特定偏光率RSPh(Ave),用下式(12)可以定義關於垂直 偏光的平均特定偏光率RSPv(Ave)。 (11) RSPh(Ave) - lx (Ave) / (Ix+Iy) Ave =Σ [S〇(Xi ^ Yi) · RSPh (Xi ^ y〇] /IS〇(Xi , y.) 5 馨(12) RSPv(Ave) - Iy (Ave) / (Ix+Iy) Ave [S〇(Xi,yi) · RSPV (Xi,yi)]如咖,yi), 其中Ix(Ave)是通過所定的有效光源區域(Xi,yi)而到達像
面上的一點(微小區域)的光線在χ方向偏光成分(在瞳上X 方向的振動方向的偏光)的強度平均,Iy(Ave)是通過所定 的有效光源區域(Xi,yi)而到達像面上的一點(微小區域)的 光線在Y方向偏光成分(在瞳上γ方向的振動方向的偏光) 的強度平均,RSPh(Xi,L)是通過所定財效光源區域(Xi, ⑩Υί)=到達像面上的一點(微小區域)的光線的在水平偏光的 特定偏料’ RSPv(Xi,yi)是通過所定的有效光源區域(々, y:),到達像面上的一點(微小區域)的光線的在垂直偏光的 偏光率。X ’(ix+Iy)Ave是通酬㈣有效絲區域 的全部光束的強度平均。 於此,當理想的非偏光照明時RSPh(Xi,y0,RSPv(xi, 2一者為5。%,當理想的水平偏光時聊办,為100%, *理想的垂直偏光時RSPv(Xi,y〇為1〇〇%。 15926-D4-pif 45 200841384 接者對應通過戶斤定的有效光源區域(A,而到達像 面上的一點(微小區域)的光束,可以用T式(13)定義平均特 定偏光度DSP(Ave)。 ' (13) DSP(Ave)^ (lx ^ ly) Ave / (Ix+Iy)Ave -{Σ[Ιχ(Χί,yi[ Iy(Xi,y〇]即啦,》)+ 阶 = S!,(AVe) ={IS^ISo} 於此’(lx - Iy) Ave是通過所定的有效光源區域⑶d而 到達像面上的i(微小區域)的光束在χ方向偏光成分的 強度與平均通酬㈣有效光祕域&,咖到達像面上 的:點(微小區域)的光束在Y方向偏光成分的強度的相差 的平均,IX(Xi , yi)是通過所定的有效光源區域(Χί,yi)而到 達像面上的-點(微小區域)的光束在χ #向偏光成分的強 度,1y(xi,y〇是通過所定的有效光源區域(Xi,yi)而到達像 面上的(微小區域)的光束在γ方向偏光成分的強度,
Sl’(Ave)是在所定的有效光源區域(Xi’yi)的S!,成分的平 均0 於式(13),當理想的非偏光照明時DSP(AVe)為〇,當 水平偏料DSP(Ave)為1,當理―直偏光i DSP(Ave)為。 —現在,本實施例的照明光學裝置,進而曝光裝置,在 所定的有效光源區域(\,yi)的平均特定偏光率RSPh (Ave),RSMAve)滿足 15926-D4-pif 46 200841384 RSPh (Ave) > 70%,RSPV (Ave) > 70%, 可看到在所定的有效光源區域内是直線偏光。於此,告、, 均特定偏光岸RSPh (Ave),RSPv (Ave)不滿足上式停= 情形,在周方向偏光輪帶照明,或是周方向偏光四極照、、 周方向偏光二極照明等,在所定方向有偏光面因為不θ 希望的直線偏光狀態,對於有特幻旨向(piteh)方向=繞 寬度的細圖案不能向上提升成像能力。 …
又,如圖13所示,使用4分割偏光變換元件1〇進疒 4分割周方向偏光輪帶照明的情形,如圖2〇所示,輪帶^ 狀的一次光源31為4分割,也可以對每一個分割區域 31A卜31A2、31C卜31C2的平均特定偏光率RSPh(Av ' RSPV (Ave)進行評量。 對於上述實施例的曝光裝置,藉由照明光學裝置以照 明罩幕(十字標記)(照明步驟),藉由使用投影光學系統將 被形成於罩幕轉印用的圖案在感光性基板曝光(曝光步 驟)’可以製造彳政元件(半導體元件、拍攝元件、液晶顯示 元件、薄膜電磁頭等)。以下,使用上述實施例的曝光裝置, 以在做為感光性基板的晶圓等形成電路圖案,而得到做為 微元件的半導體元件的實際方法為例,參照圖21的流程圖 做說明。 首先,於圖21的步驟301,在一批次的晶圓上蒸鍍金 屬膜。於下一步驟3〇2,在這些一批次的晶圓上的金屬膜 上塗佈光阻。之後,於步驟303,使用上述實施例的曝光 裝置,罩幕上的圖案的像穿過投影光學系統,在這一批次 15926-D4-pif 47 200841384 ,於步 305,藉由;^、古_4 \日日口上的光阻顯影後,於步驟 巍列二二批:人的晶圓上的光阻圖案做為罩幕,進行 x ,口此,對應罩幕上圖案的電路圖安 晶圓的每個拍攝區域。之後,藉由進:成於母個 體元件笨= 專件被製造。根據上述半導 以有良好的=方法’有極微細電路圖案的半導體元件可 板)上又實施例的曝光裝置,利用在平板(玻璃基 到做為微二二圖電:圖案、電極圖案等)’可以得 做為一你卜,、3、,夜日日頭不兀件。以下,參照圖22的流程圖 每二’]明。在圖22’於圖案形成步驟彻,使用上述 在感光性基板(被塗佈有光阻的玻璃基 定的:之;感光性基板上,含有多個電極等所 驟,_牛㉟# 4 ’破曝光的基板,湘經過顯影步 =宰接除光阻步驟等的各步驟,基板上所定的 r著進行彩色濾光器職步驟術。 個點色濾光器形成步驟4G2,對應紅、綠、藍3 的;條:ί光=成f:車狀的多條配列,或是紅、綠、藍 由圖安艰士I 被進仃。於單元組合步驟403,組裝有 。卞/ 乂驟401所得到的所定圖案的基板,以及使用 !5926-D4-pif 48 200841384 由彩色濾光器形成步驟402所得到的彩色濾光器等,而得 到液晶面板(液晶單元)。 單元組合步驟4G3,例如,在由圖案形成步驟4〇1所 得到的所定前的基板,以及使用由彩色濾絲形成步驟 402、所得η到的彩色濾光器之間,注入液晶,而製造液晶面 板(液晶單7L)。之後’於模組的組合步驟術,進行被組合 的液晶面板(液晶單元)的顯示動作的電路,背光模組等的 各部件安裝,使完成做為液晶顯示元件。根據上述液晶顯 =件的製造方法’可以得到有極微細電路圖案的液晶顯 不件,並使其有良好產能。 又’對於上述實施例,做為曝光的光,雖然使用 準分子雷射光(波長248 nm)或是ArF準分 ,但繼於此,其他適合的統,例; 的雷射光的F2雷射光源等,也可以適用本=長 再者」對於上述實施例,包括照明絲裝置的曝 物(典型的液體)的方法,即所謂的液浸法。於此^媒介 為投影光學彡統贼級基板 巾=’做 法’可以採用已在國際公開號wo99/495(;中' =體的方 部填滿液體,日本專利特開平6_削73也揭的局 象的基板的平台在液槽中使移動的方法,日本專 15926-D4-pif 49 200841384 言折i率做::夜體’較佳使用可以對曝光的光有穿透性且
=安㈣r*㈣目對投f彡絲纟統與基板表面被塗佈的光阻 疋女疋的液體,例如以KrF 雷射光做為曝光的子田射先或疋ArF奉分子 ,. 先的炀形,做為液體的可以使用純水、 二的二二使用做為曝光的光的F2雷射的情形,作為 / _、 β r吏用可以透過f2雷射光,例 化聚驗(PFPE)f的氣素系液體。 【圖式簡單說明】 示:艮據本發明實施例的曝光裳置結構示意圖。 用說日^ W相對輪綠二次絲,圓錐柱狀鏡系統的作 圖3緣示相對輪帶狀二次光源,伸縮 的偏光監視器的内部結構示意斜 圖5圖1的偏光變換元件的内部結構示意 圖6繪示水晶旋光性說明圖。 θ 圖7繪示利用偏光變換元件的作用,被 偏光狀態的輪帶狀二次光源示意圖。 °成周方向 抱^^示_偏光變換元件的制,被設定成徑方h 偏光狀悲的輪帶狀二次光源示意圖。 向 圖9緣示多個偏光賴元件可以交換_ 圖10繪示做為圖9的交換機構的轉台 =圖。 種偏光變換元件1Ga〜1Ge示意圖。…°肌破载置多 15926-D4-pif 50 200841384 圖11A〜11E繪不多種偏光變換元件iQa〜iQe分別的結 構示意圖。 圖12A〜12C繪示利用偏光變換元件的作用被設定成 周方向偏光狀態的二次光源的一例示意圖。 圖13纟會示设置成迴繞光轴AX可以旋轉的偏光變換 元件10f的結構示意圖。 圖14A〜14C繪示利用偏光變換元件10f的作用,被設 定成周方向偏光狀態的二次光源的一例示意圖。 ^圖15A〜15C繪示由8個扇形基本構件所構成的偏光 、交換元件,得到迴繞光軸AX可以旋轉的二次光源的一例 不思圖。 圖16繪示偏光變換元件,被配置在照明光學系統的 瞳附近位置内、圓錐柱狀鏡系統g的正前面位置(入射侧附 近位置)一例示意圖。 圖Π繪示如圖16所示的變化例,為滿足條件式q) 與(2)的碌明示意圖。 圖18繪示偏光變換元件,配置在照明光學系統的曈 附近位置内、成像光學系統15的瞳附近位置一例示意圖= 圖19繪示為了檢出照明晶圓w的光的偏光狀態以及 光強度的晶圓面偏光監視器9〇的結構示意圖。 圖20繪示使用4分割的偏光變換元件i〇f,進行4分 割周方向偏光輪帶照明,以得到輪帶狀二次光源31 二 闺 〇 圖21繪示得到做為微元件的半導體元件的實際製程。 15926-D4-pif 51 200841384 圖22繪示得到做為微元件的液晶顯示元件的實際製 程。 【主要元件符號說明】 1 :光源 4:偏光狀態變換部 4a · 1/4波長板 4b : 1/2波長板 4c ·>肖偏振鏡 • 5:繞射光學元件 6 :無焦點透鏡 8:圓錐柱狀鏡系統 9 :伸縮透鏡 10 :偏光變換元件 10A〜10D :各基本元件 10E :中央區域 11:微複眼透鏡 φ 12:偏光監視器 12a :分光器 13 :集光系統 14 :罩幕遮板 15 :成像光學系統 104c:偏光消解部材 Μ :罩幕 PL :投影光學系統 15926-D4-pif 52 200841384 w :晶圓 15926-D4-pif 53
Claims (1)
- 200841384 十、申請專利範圍: 為對被射面進行照明的光學照明 1· 一種光學照明裝置 裝置,包括: 光束變換元件,配置在 方向认射光的斷面 路上,將1射m置麵戦綠_元件的酬光的光 夺射先的偏光狀態變換成所定的偏光狀能;光路 =積分旨’ _在類_狀的偏歧^照明光的 域,蔣右的古交換70件在周方向上具有被分割的多個區 ^田、、早—向的偏光方向的直線偏光狀態的光變換成有 、,、勺為周方向的偏光方向的財向偏光狀態的光,或是有約在徑 向方向的偏光方向的徑方向偏光狀態的光。 2&如申請專利範圍第〗項所述的光學照明裝置,還包括偏 光狀悲、欠更裝置,配置在該偏光變換元件的光入射側的光路 中,且δ亥偏光狀態變更裝置變化該入射光的偏光狀態。 3·如申請專利範圍第2項所述的光學照明裝置,其中該偏 光狀悲變更裝置包括一相位部件,使對應入射約直線偏光狀態 的光的偏光方向而變化。 4·如申請專利範圍第3項所述的光學照明裝置,其中該相 位部件有一 1/2波長板,可以在作為前述光學照明裝置的光軸 中心的結晶光學軸上自由旋轉。 5·如申請專利範圍第3項所述的光學照明裝置,其中該偏 光狀態變更裝置包括一第2相位部件,配置於該相位部件的光 15926-D4-pif 54 200841384 入射侧的光路中,使入射的橢圓偏光狀態的光變換成約直線偏 光狀態的光。 6·如申請專利範圍第5項所述的光學照明裝置,其中該第 2相位部件有一 1/4波長板,可以在作為前述光學照明裝置的 光軸中心的結晶光學軸上自由旋轉。 7·如申請專利範圍第項1所述的光學照明裝置,更包括一 輪帶比變更光學系統,配置在該光束變換元件與該偏光變換元 件之間的光路中。 8·如申請專利範圍第7項所述的光學照明裝置,其中該偏 光變換7L件配置在該光束變換元件與該輪帶比變更光學系統 之間的光路中。 /' ' 9.如申請專利範圍第8項所述的光學照明裝置,其中該輪 帶比變更光學系統包括柱狀鏡系統。 10·如申請專利範圍第9項所述的光學照明裝置,其中該 偏光變換元件配置成鄰接在該柱狀鏡系統的入射側。 U•如申請專利範圍第1項所述的光學照明裝置,1中, • 在該偏光變換元件的該些區域中,相鄰的任意2區域的厚度不 同。 12.如申請專利範圍第n項所述的光學照明裝置, 在該偏光變換元件的該些區域中,相對的任意 約相 13.如印一專利|巳圍第12j員所述的光學照明裝置, =變換元件的該些區域中,該相對的任意2區域細 15926-D4-pif 55 200841384 14·如申請專利範圍第η項所述的光學照明裝置,其中該 偏光變換70件的每—麵區域具有大約扇形形狀。 15·如申請專利範圍第u項所述的光學照明裝置,其中, 該偏光變換楊更包括不具實質旋光性的中央區域。 16·如申請專利範圍第15項所述的光學照明裝置,其中該 中央區或的>ί二向方向的大小,為該偏光變換元件的有效區域的 控向方向大小的大於等於3/10。 17·如申請專利範圍第丨丨項所述的光學照明裝置,該偏光 變換元件設置成·照明光的光路為自由插脫。 、丄18·如申請專利範圍帛Η項所述的光學照明裝置,其中形 成該偏光變換元件的該絲材料是由結晶光學軸被設定成入 射光的行進方向的結晶材料所形成。 /9·如申請專利範圍第1項所述的光學照明裝置,其中該 偏光,交換元件配置在該光學積分器的正前方。 20·如申請專利範圍第1項所述的光學照明裝置,其中包 括: 第1光束變換凡件,配置在照明光的光路,將入射光的斷 面f向中的光強度分佈變換成與所述光強度分佈不同的第1 光\度刀佈’而所述光束變換元件是該第1光束變換元件; 、>第/光束魏树,可替換該第1光束變換元件,該第2 光束艾換元件將人射光的斷面方向巾的光強度分佈變換成與 所述光強度分佈獨的第2光強度分佈。 21·如申請專利範圍第1〜20項任一項所述的光學照明裝 置’其巾錢學積分II具有乡個微小麟面。 15926-D4-pif 56 200841384 22. —種曝光裝置,包括: 如申請專利範圍第1〜20任一項所述的光學照明裝置,通 過該光學照明裝置將所定的圖案曝光到感光性基板上。 23. 如申請專利範圍第22項所述的光學照明裝置,其中該 光學積分器具有多個微小屈折面。 24. —種曝光方法,包括: 使用如申請專利範圍第1〜20任一項所述的光學照明裝 置,將所定的圖案曝光到感光性基板上。 25. —種元件製造方法,包括: 使用如申請專利範圍第1〜20任一項所述的光學照明裝 置,將所定的圖案曝光到感光性基板上的步驟;以及 將已曝光的所述感光性基板進行顯像的步驟。 15926-D4-pif 57
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004030555 | 2004-02-06 | ||
JP2004358218 | 2004-12-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200841384A true TW200841384A (en) | 2008-10-16 |
TWI437618B TWI437618B (zh) | 2014-05-11 |
Family
ID=34840152
Family Applications (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102139993A TWI505329B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW106113666A TWI609410B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW106144296A TW201809727A (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件 |
TW101102214A TWI494972B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW097117896A TWI412067B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW094100817A TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW097117888A TWI360837B (en) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | Polarization changing device, optical illumination |
TW102139992A TWI511182B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW097117893A TWI437618B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW104133152A TWI614795B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW097117899A TWI366219B (en) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
TW097117881A TWI379344B (en) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
Family Applications Before (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102139993A TWI505329B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW106113666A TWI609410B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW106144296A TW201809727A (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件 |
TW101102214A TWI494972B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW097117896A TWI412067B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW094100817A TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW097117888A TWI360837B (en) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | Polarization changing device, optical illumination |
TW102139992A TWI511182B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104133152A TWI614795B (zh) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW097117899A TWI366219B (en) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
TW097117881A TWI379344B (en) | 2004-02-06 | 2005-01-12 | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (10) | US20060170901A1 (zh) |
EP (5) | EP3173866A1 (zh) |
JP (8) | JP4747844B2 (zh) |
KR (10) | KR101429864B1 (zh) |
HK (9) | HK1098198A1 (zh) |
TW (12) | TWI505329B (zh) |
WO (1) | WO2005076045A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI391716B (zh) * | 2008-10-27 | 2013-04-01 | Seiko Epson Corp | 1/4波長板,光拾取裝置及反射型液晶顯示裝置 |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1857880B1 (en) | 2003-04-09 | 2015-09-16 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus and device manufacturing method |
TWI360158B (en) | 2003-10-28 | 2012-03-11 | Nikon Corp | Projection exposure device,exposure method and dev |
TW201809801A (zh) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
US8270077B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
KR101230757B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-06 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
US20070019179A1 (en) * | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TWI505329B (zh) | 2004-02-06 | 2015-10-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
US20070222962A1 (en) * | 2004-08-10 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | Illumination Optical Equipment, Exposure System and Method |
TWI423301B (zh) | 2005-01-21 | 2014-01-11 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7375799B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4612849B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006269853A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sony Corp | 露光装置および露光方法 |
TW200710591A (en) * | 2005-06-13 | 2007-03-16 | Asml Netherlands Bv | Lithographic device, and method |
JP4976670B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007103835A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2007123333A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Canon Inc | 露光方法 |
WO2007055120A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
KR20080088579A (ko) | 2005-12-28 | 2008-10-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
JP4798489B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2011-10-19 | 株式会社ニコン | 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置 |
EP1986222A4 (en) | 2006-02-16 | 2010-09-01 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
EP1986223A4 (en) | 2006-02-16 | 2010-08-25 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
EP1993120A1 (en) | 2006-03-03 | 2008-11-19 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US20070242254A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7884921B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-02-08 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method |
JP4998803B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2012-08-15 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法 |
EP2009678A4 (en) * | 2006-04-17 | 2011-04-06 | Nikon Corp | OPTICAL LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
EP1857879A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-21 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | An illumination system and a photolithography apparatus |
JP5071385B2 (ja) | 2006-06-16 | 2012-11-14 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP5023589B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2012-09-12 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよび該フォトマスクの設計方法 |
DE102007027985A1 (de) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US7952685B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-05-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Illuminator for a lithographic apparatus and method |
KR101450362B1 (ko) * | 2007-04-03 | 2014-10-14 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈 |
US7872731B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080285000A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100916623B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2009-09-09 | 한국과학기술원 | 고개구수 렌즈의 입사광을 변조하기 위한 삼층 편광 변조장치 |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
DE102007043958B4 (de) | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP4971932B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法および偏光制御ユニット |
US20090091730A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20090097006A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and Method for Obtaining Information Indicative of the Uniformity of a Projection System of a Lithographic Apparatus |
EP2200070A4 (en) * | 2007-10-12 | 2012-11-21 | Nikon Corp | OPTICAL LIGHTING APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD AND APPARATUS |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG10201602750RA (en) * | 2007-10-16 | 2016-05-30 | Nikon Corp | Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method |
JP2010004008A (ja) * | 2007-10-31 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP5326259B2 (ja) | 2007-11-08 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
DE102007055062A1 (de) * | 2007-11-16 | 2009-05-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, sowie Verfahren zur Charakterisierung eines optischen Systems |
EP2233960A4 (en) | 2007-12-17 | 2012-01-25 | Nikon Corp | SPATIAL LIGHT MODULATION UNIT, OPTICAL LIGHTING SYSTEM, ALIGNMENT DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
TW200929333A (en) | 2007-12-17 | 2009-07-01 | Nikon Corp | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8908151B2 (en) | 2008-02-14 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system |
TW200938957A (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-16 | Nanya Technology Corp | Feedback system and feedback method for controlling power ratio of light source |
WO2009125511A1 (ja) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20090257043A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure optical system |
US20090265148A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Synopsys, Inc. | Modeling a sector-polarized-illumination source in an optical lithography system |
US9116302B2 (en) | 2008-06-19 | 2015-08-25 | Ravenbrick Llc | Optical metapolarizer device |
DE102008041179B4 (de) * | 2008-08-12 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage |
CA2737041C (en) | 2008-08-20 | 2013-10-15 | Ravenbrick, Llc | Methods for fabricating thermochromic filters |
WO2010024106A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20100123883A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2010073794A1 (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 株式会社 ニコン | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP5541164B2 (ja) | 2008-12-24 | 2014-07-09 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101262519B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2013-05-08 | 라벤브릭 엘엘씨 | 광학 메타편광자 장치 |
JP2010197352A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
TW201102765A (en) | 2009-07-01 | 2011-01-16 | Nikon Corp | Grinding device, grinding method, exposure device and production method of a device |
JP2011014707A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20110037962A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5842808B2 (ja) | 2010-02-20 | 2016-01-13 | 株式会社ニコン | 瞳強度分布を調整する方法 |
US20110205519A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9389519B2 (en) | 2010-02-25 | 2016-07-12 | Nikon Corporation | Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012004465A (ja) | 2010-06-19 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5366019B2 (ja) | 2010-08-02 | 2013-12-11 | 株式会社ニコン | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20120212722A1 (en) | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Nikon Corporation | Fast Illumination Simulator Based on a Calibrated Flexible Point Spread Function |
WO2012169090A1 (ja) | 2011-06-06 | 2012-12-13 | 株式会社ニコン | 照明方法、照明光学装置、及び露光装置 |
FR2978255B1 (fr) * | 2011-07-22 | 2014-02-21 | Horiba Jobin Yvon Sas | Dispositif optique d'eclairage conoscopique a cone creux pour microscope optique et procede de microscopie optique en conoscopie |
JPWO2013018799A1 (ja) | 2011-08-04 | 2015-03-05 | 株式会社ニコン | 照明装置 |
US9213227B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-12-15 | Nikon Corporation | Custom color or polarization sensitive CCD for separating multiple signals in autofocus projection system |
GB2508972B (en) * | 2011-09-29 | 2015-09-02 | Gen Electric | Aperture stop assembly and aperture element for an optical imaging system |
CN103033942B (zh) | 2011-09-29 | 2015-07-15 | 通用电气公司 | 光学成像***和方法以及孔径光阑组合和孔径元件 |
RU2624453C2 (ru) * | 2011-10-18 | 2017-07-04 | Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. | Светильник с расщепленным пучком и осветительная система |
KR102170875B1 (ko) * | 2011-10-24 | 2020-10-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP6001874B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-10-05 | 日東電工株式会社 | 光学積層体及び光学積層体の製造方法 |
DE102012206150B9 (de) * | 2012-04-16 | 2014-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
KR102170864B1 (ko) | 2012-05-02 | 2020-10-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 동공 휘도 분포의 평가 방법 및 개선 방법, 조명 광학계 및 그 조정 방법, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US20140240705A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, reticle method for checking position misalignment and method for manufacturing position misalignment checking mark |
JP6234105B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-11-22 | オリンパス株式会社 | 超解像顕微鏡 |
JP5534276B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2014-06-25 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
EP3076160A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-05 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Spatially resolved aerosol detection |
US9709897B2 (en) | 2015-10-28 | 2017-07-18 | Cymer, Llc | Polarization control of pulsed light beam |
DE102016214695B3 (de) * | 2016-08-08 | 2017-10-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System und Verfahren zur Korrektur von Maskenfehlern mit diesem System |
KR102676879B1 (ko) | 2017-02-08 | 2024-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2018168923A1 (ja) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム |
Family Cites Families (1016)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (zh) | ||||
JP3293882B2 (ja) | 1992-03-27 | 2002-06-17 | 株式会社東芝 | 投影露光装置 |
GB856621A (en) * | 1956-07-20 | 1960-12-21 | Nat Res Dev | Improvements in or relating to polarising microscopes |
US3146294A (en) | 1959-02-13 | 1964-08-25 | American Optical Corp | Interference microscope optical systems |
US3180216A (en) * | 1962-08-13 | 1965-04-27 | American Optical Corp | System and apparatus for variable phase microscopy |
JPS444993Y1 (zh) | 1964-05-28 | 1969-02-24 | ||
GB1192417A (en) * | 1967-04-10 | 1970-05-20 | Safege Transp | Improvements in or relating to Overhead Railways |
US3758201A (en) | 1971-07-15 | 1973-09-11 | American Optical Corp | Optical system for improved eye refraction |
US3892469A (en) * | 1974-02-01 | 1975-07-01 | Hughes Aircraft Co | Electro-optical variable focal length lens using optical ring polarizer |
US3892470A (en) | 1974-02-01 | 1975-07-01 | Hughes Aircraft Co | Optical device for transforming monochromatic linearly polarized light to ring polarized light |
FR2385241A1 (fr) * | 1976-12-23 | 1978-10-20 | Marie G R P | Convertisseurs de mode de polarisation pour faisceaux laser et generateurs de plasma les utilisant |
US4103260A (en) * | 1977-01-03 | 1978-07-25 | Hughes Aircraft Company | Spatial polarization coding electro-optical transmitter |
US4198123A (en) * | 1977-03-23 | 1980-04-15 | Baxter Travenol Laboratories, Inc. | Optical scrambler for depolarizing light |
FR2413678A1 (fr) * | 1977-12-28 | 1979-07-27 | Marie G R P | Convertisseurs de mode d'une onde non confinante en une onde confinante dans l'infrarouge lointain |
US4286843A (en) * | 1979-05-14 | 1981-09-01 | Reytblatt Zinovy V | Polariscope and filter therefor |
JPS5857066B2 (ja) | 1979-06-29 | 1983-12-17 | 古河電気工業株式会社 | リニアモ−タ |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2465241A1 (fr) * | 1979-09-10 | 1981-03-20 | Thomson Csf | Dispositif illuminateur destine a fournir un faisceau d'eclairement a distribution d'intensite ajustable et systeme de transfert de motifs comprenant un tel dispositif |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57152129A (en) | 1981-03-13 | 1982-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Developing method of resist |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS5845502U (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-26 | 株式会社津山金属製作所 | 広角反射器 |
JPS5849932A (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-24 | Ushio Inc | 照度分布パタ−ンの調整器 |
JPS58115945A (ja) | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | ハンドル部への電力伝送と信号送受方法 |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS59226317A (ja) | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS59155843A (ja) | 1984-01-27 | 1984-09-05 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6145923A (ja) | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Aronshiya:Kk | 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法 |
JPH0682598B2 (ja) | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
JPS61217434A (ja) | 1985-03-20 | 1986-09-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 搬送用装置 |
JPS6194342U (zh) | 1984-11-27 | 1986-06-18 | ||
JPS61156736A (ja) | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61196532A (ja) | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61251025A (ja) | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS61270049A (ja) | 1985-05-24 | 1986-11-29 | Toshiba Corp | テ−ブル装置 |
JPS622540A (ja) | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Canon Inc | ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系 |
JPS622539A (ja) | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Canon Inc | 照明光学系 |
DE3523641C1 (de) * | 1985-07-02 | 1986-12-18 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung |
US4683420A (en) | 1985-07-10 | 1987-07-28 | Westinghouse Electric Corp. | Acousto-optic system for testing high speed circuits |
JPS6217705A (ja) | 1985-07-16 | 1987-01-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | テレセントリツク光学系用照明装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62100161A (ja) | 1985-10-23 | 1987-05-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 平面モ−タ |
JPS62120026A (ja) | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPH07105323B2 (ja) | 1985-11-22 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 露光方法 |
JPS62153710A (ja) | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Furukawa Alum Co Ltd | ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法 |
US4744615A (en) * | 1986-01-29 | 1988-05-17 | International Business Machines Corporation | Laser beam homogenizer |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS62188316A (ja) | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS62203526A (ja) | 1986-02-28 | 1987-09-08 | トヨタ自動車株式会社 | 無線電力伝送装置 |
JPH0666246B2 (ja) | 1986-05-14 | 1994-08-24 | キヤノン株式会社 | 照明光学系 |
JP2506616B2 (ja) | 1986-07-02 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 |
JPS6336526A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ露光装置 |
JPH0695511B2 (ja) | 1986-09-17 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 洗浄乾燥処理方法 |
JPS63128713A (ja) | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
JPS63131008A (ja) | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Fujitsu Ltd | 光学的アライメント方法 |
JPS63141313A (ja) | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Hitachi Ltd | 薄板変形装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63160192A (ja) | 1986-12-23 | 1988-07-02 | 株式会社明電舎 | 高周波加熱装置の接続導体 |
JPS63231217A (ja) | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Omron Tateisi Electronics Co | 移動量測定装置 |
JPH0718699B2 (ja) | 1987-05-08 | 1995-03-06 | 株式会社ニコン | 表面変位検出装置 |
JPS6426704A (en) | 1987-05-11 | 1989-01-30 | Jiei Shirinian Jiyon | Pocket structure of garment |
JPS63292005A (ja) | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
JPH07117371B2 (ja) | 1987-07-14 | 1995-12-18 | 株式会社ニコン | 測定装置 |
JPS6468926A (en) | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Nikon Corp | Measurement of image distortion in projection optical system |
US4981342A (en) * | 1987-09-24 | 1991-01-01 | Allergan Inc. | Multifocal birefringent lens system |
JPH0191419A (ja) | 1987-10-01 | 1989-04-11 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH01115033A (ja) | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Hitachi Ltd | ガス放電表示装置 |
JPH01147516A (ja) | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Canon Inc | ビーム位置制御装置 |
JP2728133B2 (ja) | 1987-12-09 | 1998-03-18 | 株式会社リコー | デジタル画像形成装置 |
JPH01202833A (ja) | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 高精度xyステージ装置 |
JPH0831513B2 (ja) | 1988-02-22 | 1996-03-27 | 株式会社ニコン | 基板の吸着装置 |
JPH0545102Y2 (zh) | 1988-02-24 | 1993-11-17 | ||
JPH01255404A (ja) | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 浮上用電磁石装置 |
US4952815A (en) | 1988-04-14 | 1990-08-28 | Nikon Corporation | Focusing device for projection exposure apparatus |
JPH01276043A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 導波路型液体検知器 |
JPH01278240A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置用無停電電源 |
JPH01286478A (ja) | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Hitachi Ltd | ビーム均一化光学系おゆび製造法 |
JPH01292343A (ja) | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | ペリクル |
JPH01314247A (ja) | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Fuji Plant Kogyo Kk | プリント基板の自動露光装置 |
JPH0831514B2 (ja) | 1988-06-21 | 1996-03-27 | 株式会社ニコン | 基板の吸着装置 |
JPH0242382A (ja) | 1988-08-02 | 1990-02-13 | Canon Inc | 移動ステージ構造 |
WO1990002125A1 (en) | 1988-08-22 | 1990-03-08 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Oxirane derivatives and herbicides containing same as active ingredients |
JPH0265149A (ja) | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1998-03-18 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の露光装置 |
JPH0297239A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Canon Inc | 露光装置用電源装置 |
JP2682067B2 (ja) | 1988-10-17 | 1997-11-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2697014B2 (ja) | 1988-10-26 | 1998-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JPH02139146A (ja) | 1988-11-15 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 一段6自由度位置決めテーブル |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
US5253110A (en) | 1988-12-22 | 1993-10-12 | Nikon Corporation | Illumination optical arrangement |
JPH07104442B2 (ja) | 1989-04-06 | 1995-11-13 | 旭硝子株式会社 | フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法 |
DE3907136A1 (de) | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Jagenberg Ag | Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen |
JPH02261073A (ja) | 1989-03-29 | 1990-10-23 | Sony Corp | 超音波モータ |
JPH02287308A (ja) | 1989-04-03 | 1990-11-27 | Mikhailovich Khodosovich Vladimir | 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法 |
JPH02285320A (ja) | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡の絞装置 |
JP2527807B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1996-08-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光学的連想識別装置 |
JPH02298431A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
JPH02311237A (ja) | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Fuji Electric Co Ltd | 搬送装置 |
JPH0335201A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-15 | Nitto Denko Corp | 位相差板及びその製造方法 |
JPH0341399A (ja) | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法 |
JPH0364811A (ja) | 1989-07-31 | 1991-03-20 | Okazaki Seisakusho:Kk | 中空心線miケーブルと中空心線miケーブルの製造方法 |
JPH0372298A (ja) | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法 |
JPH0394445A (ja) | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ搬送システム |
JPH03132663A (ja) | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Fujitsu Ltd | ペリクル |
JPH03134341A (ja) | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置 |
JP3067142B2 (ja) | 1989-11-28 | 2000-07-17 | 富士通株式会社 | ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法 |
JP2784225B2 (ja) | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JPH03211812A (ja) | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH03246615A (ja) | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Nec Corp | マウス入力装置 |
JPH03263810A (ja) | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体露光装置の振動制御方法 |
JPH0710897B2 (ja) | 1990-04-27 | 1995-02-08 | 日本油脂株式会社 | プラスチックレンズ |
JPH0432154A (ja) | 1990-05-25 | 1992-02-04 | Iwasaki Electric Co Ltd | メタルハライドランプ装置 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP3077176B2 (ja) | 1990-08-13 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 露光方法、装置、及び素子製造方法 |
US7656504B1 (en) | 1990-08-21 | 2010-02-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with luminous flux distribution |
JP3049774B2 (ja) | 1990-12-27 | 2000-06-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 |
JP2995820B2 (ja) | 1990-08-21 | 1999-12-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び方法,並びにデバイス製造方法 |
JPH04130710A (ja) | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JP2548834B2 (ja) | 1990-09-25 | 1996-10-30 | 三菱電機株式会社 | 電子ビーム寸法測定装置 |
JPH04133414A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Yamaguchi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JPH04152512A (ja) | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | ウエハチャック |
DE4033556A1 (de) | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
US5072126A (en) | 1990-10-31 | 1991-12-10 | International Business Machines Corporation | Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens |
JPH04179115A (ja) | 1990-11-08 | 1992-06-25 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影露光装置 |
US6252647B1 (en) * | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6710855B2 (en) * | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JP3094439B2 (ja) | 1990-11-21 | 2000-10-03 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JPH0480052U (zh) | 1990-11-27 | 1992-07-13 | ||
JPH04235558A (ja) | 1991-01-11 | 1992-08-24 | Toshiba Corp | 露光装置 |
JP3084760B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JP3084761B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びマスク |
JP3255168B2 (ja) | 1991-02-28 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置 |
JP3200894B2 (ja) | 1991-03-05 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及びその装置 |
JP2860174B2 (ja) | 1991-03-05 | 1999-02-24 | 三菱電機株式会社 | 化学気相成長装置 |
JPH04280619A (ja) | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Canon Inc | ウエハ保持方法およびその保持装置 |
JPH04282539A (ja) | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Hitachi Ltd | 反射・帯電防止膜の形成方法 |
JPH05259069A (ja) | 1991-03-13 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ周辺露光方法 |
JPH04211110A (ja) | 1991-03-20 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法 |
JPH04296092A (ja) | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー装置 |
JP2602345Y2 (ja) | 1991-03-29 | 2000-01-11 | 京セラ株式会社 | 静圧軸受装置 |
US5251222A (en) | 1991-04-01 | 1993-10-05 | Teledyne Industries, Inc. | Active multi-stage cavity sensor |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH04330961A (ja) | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Matsushita Electron Corp | 現像処理装置 |
FR2676288B1 (fr) | 1991-05-07 | 1994-06-17 | Thomson Csf | Collecteur d'eclairage pour projecteur. |
JPH04343307A (ja) | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Ricoh Co Ltd | レーザー調整装置 |
JP2884830B2 (ja) | 1991-05-28 | 1999-04-19 | キヤノン株式会社 | 自動焦点合せ装置 |
JPH0590128A (ja) | 1991-06-13 | 1993-04-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
US5541026A (en) | 1991-06-13 | 1996-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and photo mask |
JPH0545886A (ja) | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nikon Corp | 角形基板の露光装置 |
US5272501A (en) | 1991-08-28 | 1993-12-21 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
US5348837A (en) | 1991-09-24 | 1994-09-20 | Hitachi, Ltd. | Projection exposure apparatus and pattern forming method for use therewith |
JPH05109601A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
KR950004968B1 (ko) | 1991-10-15 | 1995-05-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 투영노광 장치 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH05127086A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置 |
JPH05134115A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 複屈折部材 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JPH05199680A (ja) | 1992-01-17 | 1993-08-06 | Honda Motor Co Ltd | 電源装置 |
JPH0794969B2 (ja) | 1992-01-29 | 1995-10-11 | 株式会社ソルテック | 位置合せ方法及びその装置 |
JP3194155B2 (ja) | 1992-01-31 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH05217837A (ja) | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | Xy移動テーブル |
JP2796005B2 (ja) * | 1992-02-10 | 1998-09-10 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び偏光子 |
JP2866243B2 (ja) * | 1992-02-10 | 1999-03-08 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 |
JP3153372B2 (ja) | 1992-02-26 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPH05241324A (ja) | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法 |
JPH05243364A (ja) | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 |
JP3278896B2 (ja) | 1992-03-31 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3242693B2 (ja) | 1992-05-15 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | ペリクル貼り付け装置 |
JP2673130B2 (ja) | 1992-05-20 | 1997-11-05 | 株式会社キトー | 走行用レールの吊下支持装置 |
JP2946950B2 (ja) | 1992-06-25 | 1999-09-13 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた露光装置 |
JPH0629204A (ja) | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法及び装置 |
JPH0629102A (ja) | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Alps Electric Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
JPH0636054A (ja) | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | ワンチップマイクロコンピュータ |
JP3246615B2 (ja) * | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH07318847A (ja) | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
JPH06104167A (ja) | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |
US6404482B1 (en) | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
JP2884947B2 (ja) | 1992-10-01 | 1999-04-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法 |
JPH06118623A (ja) | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | レチクル及びこれを用いた半導体露光装置 |
JP2724787B2 (ja) | 1992-10-09 | 1998-03-09 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH06124872A (ja) | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Canon Inc | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 |
US5459000A (en) | 1992-10-14 | 1995-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method |
JP3322274B2 (ja) | 1992-10-29 | 2002-09-09 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JPH06148399A (ja) | 1992-11-05 | 1994-05-27 | Nikon Corp | X線用多層膜ミラーおよびx線顕微鏡 |
JPH06163350A (ja) | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Matsushita Electron Corp | 投影露光方法および装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3180133B2 (ja) | 1992-12-01 | 2001-06-25 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
JPH06177007A (ja) | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JP2866267B2 (ja) * | 1992-12-11 | 1999-03-08 | 三菱電機株式会社 | 光描画装置およびウェハ基板の光描画方法 |
JP2698521B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JPH06181157A (ja) | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Nikon Corp | 低発塵性の装置 |
JPH06186025A (ja) | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Yunisun:Kk | 三次元測定装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JP3201027B2 (ja) | 1992-12-22 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP2765422B2 (ja) | 1992-12-28 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JPH06204121A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2786070B2 (ja) | 1993-01-29 | 1998-08-13 | セントラル硝子株式会社 | 透明板状体の検査方法およびその装置 |
JPH07245258A (ja) | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
US5739898A (en) * | 1993-02-03 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
JPH06241720A (ja) | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Sony Corp | 変位量の測定方法及び変位計 |
JPH06244082A (ja) | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3291818B2 (ja) | 1993-03-16 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法 |
JP3537843B2 (ja) | 1993-03-19 | 2004-06-14 | 株式会社テクノ菱和 | クリーンルーム用イオナイザー |
JPH0777191B2 (ja) | 1993-04-06 | 1995-08-16 | 日本電気株式会社 | 露光光投射装置 |
JP3309871B2 (ja) | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JPH06326174A (ja) | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | ウェハ真空吸着装置 |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JPH07142338A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-06-02 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた露光装置 |
US5677757A (en) | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3463335B2 (ja) * | 1994-02-17 | 2003-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US6304317B1 (en) | 1993-07-15 | 2001-10-16 | Nikon Corporation | Projection apparatus and method |
JP3291849B2 (ja) | 1993-07-15 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置 |
JPH0757992A (ja) | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH0757993A (ja) | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3844787B2 (ja) | 1993-09-02 | 2006-11-15 | 日産化学工業株式会社 | フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法 |
JP3359123B2 (ja) | 1993-09-20 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 収差補正光学系 |
JP3099933B2 (ja) | 1993-12-28 | 2000-10-16 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
KR0153796B1 (ko) | 1993-09-24 | 1998-11-16 | 사토 후미오 | 노광장치 및 노광방법 |
JPH07122469A (ja) | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
KR0166612B1 (ko) | 1993-10-29 | 1999-02-01 | 가나이 쓰토무 | 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로 |
JP3505810B2 (ja) | 1993-10-29 | 2004-03-15 | 株式会社日立製作所 | パターン露光方法及びその装置 |
JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 2003-02-10 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP3339144B2 (ja) | 1993-11-11 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
JPH07134955A (ja) | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 表示装置およびその反射率調整方法 |
JP3278303B2 (ja) | 1993-11-12 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07147223A (ja) | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
DE69434108T2 (de) | 1993-12-01 | 2006-02-02 | Sharp K.K. | Display für dreidimensionale Bilder |
JPH07161622A (ja) | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH07167998A (ja) | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nikon Corp | レーザープラズマx線源用標的 |
JP3487517B2 (ja) | 1993-12-16 | 2004-01-19 | 株式会社リコー | 往復移動装置 |
JPH07183201A (ja) | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Nec Corp | 露光装置および露光方法 |
JP3508190B2 (ja) | 1993-12-21 | 2004-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 照明装置及び投写型表示装置 |
JPH07190741A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220989A (ja) | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Canon Inc | 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JP2715895B2 (ja) | 1994-01-31 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 光強度分布シミュレーション方法 |
JP3372633B2 (ja) | 1994-02-04 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置 |
JPH07234382A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超解像走査光学装置 |
JP2836483B2 (ja) | 1994-05-13 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 照明光学装置 |
US5559583A (en) | 1994-02-24 | 1996-09-24 | Nec Corporation | Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer |
JPH07239212A (ja) | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
JPH07243814A (ja) | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Fujitsu Ltd | 線幅測定方法 |
JPH07263315A (ja) | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 投影露光装置 |
US6333776B1 (en) | 1994-03-29 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US20020080338A1 (en) * | 1994-03-29 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JPH07283119A (ja) | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 露光装置および露光方法 |
FR2719124B1 (fr) | 1994-04-21 | 1996-06-07 | Merlin Gerin | Procédé et dispositif de correction d'un signal de courant. |
JPH088177A (ja) | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3193567B2 (ja) | 1994-04-27 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 基板収容容器 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
EP0687956B2 (de) | 1994-06-17 | 2005-11-23 | Carl Zeiss SMT AG | Beleuchtungseinrichtung |
US5473465A (en) | 1994-06-24 | 1995-12-05 | Ye; Chun | Optical rotator and rotation-angle-variable half-waveplate rotator |
JP3800616B2 (ja) | 1994-06-27 | 2006-07-26 | 株式会社ニコン | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
JP3090577B2 (ja) | 1994-06-29 | 2000-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 導電体層除去方法およびシステム |
JP3205663B2 (ja) | 1994-06-29 | 2001-09-04 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
JPH0822948A (ja) | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP3205468B2 (ja) | 1994-07-25 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置 |
JPH0846751A (ja) | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明光学系 |
JP3613288B2 (ja) | 1994-10-18 | 2005-01-26 | 株式会社ニコン | 露光装置用のクリーニング装置 |
DE69533645T2 (de) | 1994-10-26 | 2006-02-23 | Seiko Epson Corp. | Flüssigkristallvorrichtung und elektronisches gerät |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JPH08151220A (ja) | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nippon Sekiei Glass Kk | 石英ガラスの成形方法 |
JPH08162397A (ja) | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH08195375A (ja) | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Sony Corp | 回転乾燥方法および回転乾燥装置 |
JPH08203803A (ja) | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP3521544B2 (ja) | 1995-05-24 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3312164B2 (ja) | 1995-04-07 | 2002-08-05 | 日本電信電話株式会社 | 真空吸着装置 |
JPH08297699A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5663785A (en) | 1995-05-24 | 1997-09-02 | International Business Machines Corporation | Diffraction pupil filler modified illuminator for annular pupil fills |
US5631721A (en) * | 1995-05-24 | 1997-05-20 | Svg Lithography Systems, Inc. | Hybrid illumination system for use in photolithography |
US5680588A (en) | 1995-06-06 | 1997-10-21 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system |
JP3531297B2 (ja) | 1995-06-19 | 2004-05-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
KR0155830B1 (ko) | 1995-06-19 | 1998-11-16 | 김광호 | 변형노광장치 및 노광방법 |
KR100474578B1 (ko) | 1995-06-23 | 2005-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법 |
JP3561556B2 (ja) | 1995-06-29 | 2004-09-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | マスクの製造方法 |
JP3637639B2 (ja) | 1995-07-10 | 2005-04-13 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH09108551A (ja) | 1995-08-11 | 1997-04-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 浄水器 |
JPH0961686A (ja) | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Nikon Corp | プラスチックレンズ |
JPH0982626A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3487527B2 (ja) | 1995-09-14 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 光屈折装置 |
JPH0992593A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5815247A (en) | 1995-09-21 | 1998-09-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures |
DE19535392A1 (de) * | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
JP3433403B2 (ja) | 1995-10-16 | 2003-08-04 | 三星電子株式会社 | ステッパのインタフェース装置 |
JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および形成装置 |
JPH09148406A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置 |
JPH09151658A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nichibei Co Ltd | 移動間仕切壁のランナ連結装置 |
JPH09160004A (ja) | 1995-12-01 | 1997-06-20 | Denso Corp | 液晶セル及びその空セル |
JP3406957B2 (ja) | 1995-12-06 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | 光学素子及びそれを用いた露光装置 |
JPH09162106A (ja) | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH09178415A (ja) | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Nikon Corp | 光波干渉測定装置 |
JPH09184787A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP3232473B2 (ja) | 1996-01-10 | 2001-11-26 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3189661B2 (ja) | 1996-02-05 | 2001-07-16 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置 |
JP3576685B2 (ja) | 1996-02-07 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JPH09227294A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 人工水晶の製造方法 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1997034171A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-18 | Johnson Kenneth C | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
JP3782151B2 (ja) | 1996-03-06 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | エキシマレーザー発振装置のガス供給装置 |
JPH09243892A (ja) | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子 |
JP3601174B2 (ja) | 1996-03-14 | 2004-12-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JPH09281077A (ja) | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | キャピラリ−電気泳動装置 |
RU2084941C1 (ru) | 1996-05-06 | 1997-07-20 | Йелстаун Корпорейшн Н.В. | Адаптивный оптический модуль |
JP2691341B2 (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH09326338A (ja) | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nikon Corp | 製造管理装置 |
JPH09325255A (ja) | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Olympus Optical Co Ltd | 電子カメラ |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH102865A (ja) | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Nikon Corp | レチクルの検査装置およびその検査方法 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1032160A (ja) | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Toshiba Corp | パターン露光方法及び露光装置 |
JP3646415B2 (ja) | 1996-07-18 | 2005-05-11 | ソニー株式会社 | マスク欠陥の検出方法 |
JPH1038517A (ja) | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Canon Inc | 光学式変位測定装置 |
JPH1079337A (ja) | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3646757B2 (ja) | 1996-08-22 | 2005-05-11 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPH1055713A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
JPH1062305A (ja) | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Advantest Corp | Ccdカメラの感度補正方法およびccdカメラ感度補正機能付lcdパネル表示試験システム |
JPH1082611A (ja) | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Nikon Corp | 面位置検出装置 |
JPH1092735A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2914315B2 (ja) | 1996-09-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 |
JPH10104427A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
JPH10116760A (ja) | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 露光装置及び基板保持装置 |
DE19781041B4 (de) * | 1996-10-08 | 2010-02-18 | Citizen Holdings Co., Ltd., Nishitokyo | Optische Vorrichtung |
JPH10116778A (ja) | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Canon Inc | スキャン露光装置 |
JPH10116779A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置 |
JP3955985B2 (ja) | 1996-10-16 | 2007-08-08 | 株式会社ニコン | マーク位置検出装置及び方法 |
KR100191329B1 (ko) | 1996-10-23 | 1999-06-15 | 윤종용 | 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치. |
JPH10135099A (ja) | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP3991166B2 (ja) | 1996-10-25 | 2007-10-17 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
CN1244021C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 光刻装置和曝光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP3624065B2 (ja) | 1996-11-29 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置 |
JPH10169249A (ja) | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Ohbayashi Corp | 免震構造 |
JPH10189700A (ja) | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | ウェーハ保持機構 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands B.V., Veldhoven | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
US5841500A (en) * | 1997-01-09 | 1998-11-24 | Tellium, Inc. | Wedge-shaped liquid crystal cell |
JP2910716B2 (ja) | 1997-01-16 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 光強度計算のパラメトリック解析方法 |
JPH10206714A (ja) | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Canon Inc | レンズ移動装置 |
JP2926325B2 (ja) | 1997-01-23 | 1999-07-28 | 株式会社ニコン | 走査露光方法 |
JPH10209018A (ja) | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスクフレームおよびx線マスクの保持方法 |
KR970016641U (ko) | 1997-02-06 | 1997-05-23 | 이석우 | 타이어의 스노우 체인 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JPH10294268A (ja) | 1997-04-16 | 1998-11-04 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH118194A (ja) | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム |
KR100261888B1 (ko) | 1997-04-30 | 2000-07-15 | 전주범 | 디지탈 비디오 디스크 레코더의 사용자 정보 처리방법 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH113856A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Canon Inc | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JP3233341B2 (ja) | 1997-06-12 | 2001-11-26 | 船井電機株式会社 | 製パン機およびこれに用いられる記録媒体 |
JPH113849A (ja) | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置 |
JPH1114876A (ja) | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH1140657A (ja) | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 試料保持装置および走査型露光装置 |
US6829041B2 (en) * | 1997-07-29 | 2004-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
JP3264224B2 (ja) | 1997-08-04 | 2002-03-11 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP3413074B2 (ja) | 1997-08-29 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH1187237A (ja) | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Nikon Corp | アライメント装置 |
JP4164905B2 (ja) | 1997-09-25 | 2008-10-15 | 株式会社ニコン | 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置 |
JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JPH11111819A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | ウェハーの固定方法及び露光装置 |
JPH11111818A (ja) | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウェハ保持装置及びウェハ保持具 |
JPH11111601A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH11195602A (ja) | 1997-10-07 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置 |
JP3097620B2 (ja) | 1997-10-09 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11142556A (ja) | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Nikon Corp | ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置 |
JPH11150062A (ja) | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法 |
JPH11162831A (ja) | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JPH11283903A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nikon Corp | 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置 |
JPH11163103A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JPH11159571A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Nikon Corp | 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法 |
JPH11166990A (ja) | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3673633B2 (ja) | 1997-12-16 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 投影光学系の組立調整方法 |
WO1999031716A1 (fr) | 1997-12-16 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
TW449672B (en) | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
AU1689899A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-19 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JPH11204390A (ja) | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JPH11219882A (ja) | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Nikon Corp | ステージ及び露光装置 |
JP3820728B2 (ja) | 1998-02-04 | 2006-09-13 | 東レ株式会社 | 基板の測定装置 |
JPH11288879A (ja) | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JPH11233434A (ja) | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
DE19807120A1 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Zeiss Carl Fa | Optisches System mit Polarisationskompensator |
JP4207240B2 (ja) | 1998-02-20 | 2009-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
JPH11239758A (ja) | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JPH11260791A (ja) | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
JPH11260686A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 露光方法 |
JPH11264756A (ja) | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 |
AU2747899A (en) | 1998-03-20 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure system |
EP1069600A4 (en) | 1998-03-24 | 2002-11-20 | Nikon Corp | ILLUMINATOR, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE |
AU2958299A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
DE69931690T2 (de) * | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
JPH11307610A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Nikon Corp | 基板搬送装置及び露光装置 |
JPH11312631A (ja) | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 照明光学装置および露光装置 |
US6238063B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US6597430B1 (en) | 1998-05-18 | 2003-07-22 | Nikon Corporation | Exposure method, illuminating device, and exposure system |
JP4090115B2 (ja) | 1998-06-09 | 2008-05-28 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
JP3985346B2 (ja) | 1998-06-12 | 2007-10-03 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法 |
WO1999066370A1 (fr) | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede relatif a l'elaboration d'un masque |
JP2000012453A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法 |
JP2000021742A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021748A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
DE19829612A1 (de) | 1998-07-02 | 2000-01-05 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator |
JP2000032403A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Sony Corp | データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置 |
JP2000029202A (ja) | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Nikon Corp | マスクの製造方法 |
JP2000036449A (ja) | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
AU4930099A (en) | 1998-08-18 | 2000-03-14 | Nikon Corporation | Illuminator and projection exposure apparatus |
JP2000081320A (ja) | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Canon Inc | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2000092815A (ja) | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Canon Inc | ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置 |
US6498501B2 (en) * | 1998-09-15 | 2002-12-24 | Vibro-Meter, S.A. | Measuring circuit |
JP4132397B2 (ja) | 1998-09-16 | 2008-08-13 | 積水化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル |
JP2000097616A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 干渉計 |
US6031658A (en) | 1998-09-25 | 2000-02-29 | University Of Central Florida | Digital control polarization based optical scanner |
JP4065923B2 (ja) | 1998-09-29 | 2008-03-26 | 株式会社ニコン | 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法 |
JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 光学系の評価方法 |
JP2001176766A (ja) | 1998-10-29 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 照明装置及び投影露光装置 |
JP2000147346A (ja) | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Toshiba Corp | モールドレンズの取付機構 |
JP2000180371A (ja) | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sharp Corp | 異物検査装置および半導体工程装置 |
KR20000048227A (ko) | 1998-12-17 | 2000-07-25 | 오노 시게오 | 이미지 투사 장치를 이용한 표면 조명 방법 및 조명 광학시스템 |
US6563567B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
US6406148B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Electronic color switching in field sequential video displays |
DE60042186D1 (de) * | 1999-01-06 | 2009-06-25 | Nikon Corp | Onssystems |
JP4146952B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-09-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000208407A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2000243684A (ja) | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000240717A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Canon Inc | 能動的除振装置 |
JP2000252201A (ja) | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法 |
JP2000283889A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法 |
JP2000286176A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置 |
JP2001174615A (ja) | 1999-04-15 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法 |
WO2000067303A1 (fr) | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition |
DE19921795A1 (de) | 1999-05-11 | 2000-11-23 | Zeiss Carl Fa | Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie |
US6498869B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-12-24 | Xiaotian Steve Yao | Devices for depolarizing polarized light |
JP2000003874A (ja) | 1999-06-15 | 2000-01-07 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2001007015A (ja) | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Canon Inc | ステージ装置 |
AU4395099A (en) | 1999-06-30 | 2001-01-22 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
JP4626117B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 石英ガラス部材の製造方法 |
JP2001020951A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Toto Ltd | 静圧気体軸受 |
JP2001023996A (ja) | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Sony Corp | 半導体製造方法 |
DE10029938A1 (de) | 1999-07-09 | 2001-07-05 | Zeiss Carl | Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett |
JP2001037201A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Nikon Corp | モータ装置、ステージ装置及び露光装置 |
JP2001100311A (ja) | 1999-07-23 | 2001-04-13 | Seiko Epson Corp | プロジェクタ |
JP2001044097A (ja) | 1999-07-26 | 2001-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
US6280034B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-08-28 | Philips Electronics North America Corporation | Efficient two-panel projection system employing complementary illumination |
JP3110023B1 (ja) | 1999-09-02 | 2000-11-20 | 岩堀 雅行 | 燃料放出装置 |
JP2001083472A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Nikon Corp | 光変調装置、光源装置、及び露光装置 |
JP4362857B2 (ja) | 1999-09-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 光源装置及び露光装置 |
AU6865300A (en) | 1999-09-10 | 2001-04-17 | Nikon Corporation | Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus andexposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufactur ing method and device |
DE69930398T2 (de) | 1999-09-20 | 2006-10-19 | Nikon Corp. | Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren |
WO2001023933A1 (fr) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
EP1139138A4 (en) | 1999-09-29 | 2006-03-08 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
JP2001097734A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
WO2001027978A1 (fr) | 1999-10-07 | 2001-04-19 | Nikon Corporation | Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition |
JP2001110707A (ja) | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Orc Mfg Co Ltd | 周辺露光装置の光学系 |
JP2001118773A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2001135560A (ja) | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Nikon Corp | 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法 |
AU1301801A (en) | 1999-11-09 | 2001-06-06 | Nikon Corporation | Illuminator, aligner, and method for fabricating device |
JP2001144004A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6361909B1 (en) * | 1999-12-06 | 2002-03-26 | Industrial Technology Research Institute | Illumination aperture filter design using superposition |
JP2001167996A (ja) | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
TW546550B (en) | 1999-12-13 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus |
EP1109067B1 (en) | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
JP2002118058A (ja) | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
JP2001203140A (ja) | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3413485B2 (ja) | 2000-01-31 | 2003-06-03 | 住友重機械工業株式会社 | リニアモータにおける推力リップル測定方法 |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2001228404A (ja) | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Nikon Engineering Co Ltd | 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法 |
JP4018309B2 (ja) | 2000-02-14 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置 |
JP3302965B2 (ja) | 2000-02-15 | 2002-07-15 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法 |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
KR20010085493A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 시마무라 기로 | 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2002100561A (ja) | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001242269A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法 |
DE10010131A1 (de) | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
DE10012017A1 (de) * | 2000-03-11 | 2001-09-13 | Basysprint Gmbh Sys Druckind | Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Kompensation von optischen Fehlern |
JP2001264696A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Canon Inc | 照明光学系及びそれを備えた露光装置 |
JP2001265581A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Canon Inc | ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法 |
JP2001267227A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Canon Inc | 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001272764A (ja) | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法 |
JP2001338868A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 照度計測装置及び露光装置 |
JP4689064B2 (ja) | 2000-03-30 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001282526A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP3927753B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2001296105A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法 |
JP2001297976A (ja) | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2001307983A (ja) | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP3514439B2 (ja) | 2000-04-20 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法 |
JP2001304332A (ja) | 2000-04-24 | 2001-10-31 | Canon Inc | 能動制振装置 |
DE60124524T2 (de) | 2000-04-25 | 2007-03-08 | Asml Holding, N.V. | Optisches reduktionssystem mit kontrolle der belichtungspolarisation |
JP2003532282A (ja) | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | レチクル回折誘起バイアスのない光学縮小システム |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002057097A (ja) | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Nikon Corp | 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法 |
JP2002016124A (ja) | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Sony Corp | ウェーハ搬送アーム機構 |
JP2002015978A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002043213A (ja) | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2002035980A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法、並びにレーザ発振器 |
DE60126103T2 (de) | 2000-08-18 | 2007-11-15 | Nikon Corp. | Haltevorrichtung für optisches Element |
JP3645801B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2005-05-11 | ペンタックス株式会社 | ビーム列検出方法および検出用位相フィルター |
JP2002071513A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP4504537B2 (ja) | 2000-08-29 | 2010-07-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
JP2002075835A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
US6373614B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-04-16 | Cambridge Research Instrumentation Inc. | High performance polarization controller and polarization sensor |
JP2002093690A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002093686A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2002091922A (ja) | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Fujitsu General Ltd | アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム |
US6870668B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-03-22 | Nikon Corporation | Method for evaluating image formation performance |
JP4245286B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2002141270A (ja) | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Nikon Corp | 露光装置 |
US20020075467A1 (en) | 2000-12-20 | 2002-06-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
JP2002158157A (ja) | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Nikon Corp | 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002162655A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2002170495A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-14 | Akira Sekino | 隔壁一体型合成樹脂背面基板 |
JP2002231619A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2002190438A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002198284A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2002203763A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002195912A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002202221A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP3495992B2 (ja) | 2001-01-26 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
US6563566B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle |
JP2002229215A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2002227924A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Canon Inc | 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置 |
SE0100336L (sv) | 2001-02-05 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område |
WO2002063664A1 (fr) | 2001-02-06 | 2002-08-15 | Nikon Corporation | Systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif |
DE10113612A1 (de) | 2001-02-23 | 2002-09-05 | Zeiss Carl | Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem |
TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
KR100815222B1 (ko) | 2001-02-27 | 2008-03-19 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법 |
JP2002258487A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4501292B2 (ja) | 2001-03-05 | 2010-07-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法 |
JP2002289505A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Nikon Corp | 露光装置,露光装置の調整方法,マイクロデバイスの製造方法 |
JPWO2002080185A1 (ja) | 2001-03-28 | 2004-07-22 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002365783A (ja) | 2001-04-05 | 2002-12-18 | Sony Corp | マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
WO2002084850A1 (fr) | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege |
WO2002088843A2 (en) * | 2001-04-24 | 2002-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
JP3937903B2 (ja) | 2001-04-24 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
JP2002324743A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2002329651A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
DE10123725A1 (de) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren |
WO2002093209A2 (de) | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Carl Zeiss | Objektiv mit fluorid-kristall-linsen |
DE10124566A1 (de) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür |
DE10124474A1 (de) | 2001-05-19 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens |
US7053988B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-05-30 | Carl Zeiss Smt Ag. | Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine |
DE10124803A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator |
JP2002353105A (ja) | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002359176A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
JP2002359174A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム |
JP4622160B2 (ja) | 2001-05-31 | 2011-02-02 | 旭硝子株式会社 | 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置 |
US6737662B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
JP4689081B2 (ja) | 2001-06-06 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法 |
JP3734432B2 (ja) | 2001-06-07 | 2006-01-11 | 三星電子株式会社 | マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法 |
JPWO2002101804A1 (ja) | 2001-06-11 | 2004-09-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置 |
JP2002367523A (ja) | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
WO2002103766A1 (fr) * | 2001-06-13 | 2002-12-27 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe |
JP2002373849A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
WO2003003429A1 (fr) | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Nikon Corporation | Systeme de projection optique, systeme d'exposition et procede |
US6831731B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-12-14 | Nikon Corporation | Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system |
JP2003015314A (ja) | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003017003A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Canon Inc | ランプおよび光源装置 |
US6727992B2 (en) * | 2001-07-06 | 2004-04-27 | Zygo Corporation | Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements |
JP3507459B2 (ja) | 2001-07-09 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US6788389B2 (en) | 2001-07-10 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Production method of projection optical system |
JP2003028673A (ja) | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Canon Inc | 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法 |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
JP2003045712A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 防水コイル及びその製造方法 |
JP4522024B2 (ja) | 2001-07-27 | 2010-08-11 | キヤノン株式会社 | 水銀ランプ、照明装置及び露光装置 |
JP2003043223A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Nikon Corp | 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置 |
JP2003059799A (ja) | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003059803A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003068600A (ja) | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Canon Inc | 露光装置、および基板チャックの冷却方法 |
JP2003068604A (ja) | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2003068607A (ja) | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
TW554411B (en) | 2001-08-23 | 2003-09-21 | Nikon Corp | Exposure apparatus |
JP2003075703A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Konica Corp | 光学ユニット及び光学装置 |
KR100452928B1 (ko) | 2001-08-31 | 2004-10-14 | 안희석 | 감자라면 및 그 제조방법 |
EP1422562B1 (en) * | 2001-08-31 | 2013-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP4183166B2 (ja) | 2001-08-31 | 2008-11-19 | 京セラ株式会社 | 位置決め装置用部材 |
JP2003081654A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
WO2003023832A1 (fr) | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe |
JP2003084445A (ja) | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Canon Inc | 走査型露光装置および露光方法 |
JP2003090978A (ja) | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Canon Inc | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4160286B2 (ja) | 2001-09-21 | 2008-10-01 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法 |
JP3910032B2 (ja) | 2001-09-25 | 2007-04-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板現像装置 |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
JP4412450B2 (ja) | 2001-10-05 | 2010-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止フィルター |
JP2003124095A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2003130132A (ja) | 2001-10-22 | 2003-05-08 | Nec Ameniplantex Ltd | 除振機構 |
US6970232B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems |
JP2003202523A (ja) | 2001-11-02 | 2003-07-18 | Nec Viewtechnology Ltd | 偏光ユニット、該偏光ユニットを用いた偏光照明装置及び該偏光照明装置を用いた投写型表示装置 |
US6577379B1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US6900915B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-05-31 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
JP4307813B2 (ja) | 2001-11-14 | 2009-08-05 | 株式会社リコー | 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置 |
JP2003161882A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP2003166856A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | 光学式エンコーダ |
JP3809095B2 (ja) | 2001-11-29 | 2006-08-16 | ペンタックス株式会社 | 露光装置用光源システムおよび露光装置 |
JP3945569B2 (ja) | 2001-12-06 | 2007-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 現像装置 |
JP2003188087A (ja) | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Sony Corp | 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW200301848A (en) | 2002-01-09 | 2003-07-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method |
TW200302507A (en) | 2002-01-21 | 2003-08-01 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
JP3809381B2 (ja) | 2002-01-28 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003229347A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050134825A1 (en) | 2002-02-08 | 2005-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarization-optimized illumination system |
DE10206061A1 (de) | 2002-02-08 | 2003-09-04 | Carl Zeiss Semiconductor Mfg S | Polarisationsoptimiertes Beleuchtungssystem |
JP2003240906A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止体およびその製造方法 |
JP2003257812A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法 |
JP2003258071A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
WO2003075328A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nikon Corporation | Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif |
JP2003263119A (ja) | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | リブ付き電極およびその製造方法 |
JP3984841B2 (ja) | 2002-03-07 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP3975787B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-09-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4100011B2 (ja) | 2002-03-13 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法 |
US7085052B2 (en) | 2002-03-14 | 2006-08-01 | Optellios, Inc. | Over-parameterized polarization controller |
US20050094268A1 (en) | 2002-03-14 | 2005-05-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system with birefringent optical elements |
JP4335495B2 (ja) | 2002-03-27 | 2009-09-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置 |
JP2003297727A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
TWI278721B (en) | 2002-04-09 | 2007-04-11 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus, and manufacturing method of device |
WO2003085457A1 (fr) | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Tete d'exposition, dispositif d'exposition et utilisation |
DE10310690A1 (de) | 2002-04-12 | 2003-10-30 | Heidelberger Druckmasch Ag | Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine |
JP3950732B2 (ja) | 2002-04-23 | 2007-08-01 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、照明方法及び露光装置 |
JP4333078B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2009-09-16 | 株式会社ニコン | 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法 |
US20050095749A1 (en) | 2002-04-29 | 2005-05-05 | Mathias Krellmann | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
DE60208083T2 (de) | 2002-04-29 | 2006-08-31 | Micronic Laser Systems Ab | Vorrichtung zum schutz eines chips und verfahren zu dessen anwendung |
US6707534B2 (en) * | 2002-05-10 | 2004-03-16 | Anvik Corporation | Maskless conformable lithography |
JP4324957B2 (ja) | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
SG108320A1 (en) * | 2002-05-31 | 2005-01-28 | Asml Netherlands Bv | Kit of parts for assembling an optical element, method of assembling an optical element, optical element, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
JP4037179B2 (ja) | 2002-06-04 | 2008-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法、洗浄装置 |
JP2004015187A (ja) | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ |
JP2004014876A (ja) | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 |
JP2004022708A (ja) | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP3448812B2 (ja) | 2002-06-14 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法 |
JP2004179172A (ja) | 2002-06-26 | 2004-06-24 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP4012771B2 (ja) | 2002-06-28 | 2007-11-21 | 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 | ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム |
JP2004039952A (ja) | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置 |
JP2004040039A (ja) | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 露光方法の選択方法 |
JP2004045063A (ja) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Topcon Corp | 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板 |
JP2004051717A (ja) | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイオマスのガス化装置 |
AU2003252135A1 (en) | 2002-07-26 | 2004-02-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical imaging using a pupil filter and coordinated illumination polarisation |
JP2004063847A (ja) | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びステージ装置 |
JP2004063988A (ja) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004071851A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Canon Inc | 半導体露光方法及び露光装置 |
JP2004085612A (ja) | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP4095376B2 (ja) | 2002-08-28 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP2004095653A (ja) | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004145269A (ja) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法 |
US7293847B2 (en) | 2002-08-31 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cabinet for recessed refrigerators |
JP2004103674A (ja) | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
JP2004104654A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置 |
JP2004098012A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
JP4269610B2 (ja) | 2002-09-17 | 2009-05-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光装置の製造方法 |
JP2004111579A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
KR100480620B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
JP3958163B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
JP2004119497A (ja) | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Huabang Electronic Co Ltd | 半導体製造設備と方法 |
JP4333866B2 (ja) | 2002-09-26 | 2009-09-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004128307A (ja) | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法 |
JP2004134682A (ja) | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Nikon Corp | 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置 |
US6665119B1 (en) | 2002-10-15 | 2003-12-16 | Eastman Kodak Company | Wire grid polarizer |
JP2004140145A (ja) | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004146702A (ja) | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004153096A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004153064A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004152705A (ja) | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2004165249A (ja) | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法 |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
JP2004163555A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Olympus Corp | 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ |
JP2004165416A (ja) | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Nikon Corp | 露光装置及び建屋 |
JP2004172471A (ja) | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4378938B2 (ja) | 2002-11-25 | 2009-12-09 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6844927B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
US6958806B2 (en) | 2002-12-02 | 2005-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4314555B2 (ja) | 2002-12-03 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置 |
TW200412617A (en) | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
CN1723541B (zh) | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101157002B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
US20040108973A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-10 | Kiser David K. | Apparatus for generating a number of color light components |
JP2004301825A (ja) | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2004053950A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4595320B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP2004193425A (ja) | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Nikon Corp | 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004198748A (ja) | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004205698A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US6891655B2 (en) | 2003-01-02 | 2005-05-10 | Micronic Laser Systems Ab | High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices |
JP2004221253A (ja) | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
CN1723384A (zh) | 2003-01-15 | 2006-01-18 | 麦克罗尼克激光***公司 | 检测缺陷像素的方法 |
JP2004224421A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Tokyo Autom Mach Works Ltd | 製品供給装置 |
JP2004228497A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP2004241666A (ja) | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Nikon Corp | 計測方法及び露光方法 |
JP2004007417A (ja) | 2003-02-10 | 2004-01-08 | Fujitsu Ltd | 情報提供システム |
JP4366948B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-11-18 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004259828A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 半導体露光装置 |
JP2004259985A (ja) | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Sony Corp | レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP4604452B2 (ja) | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR101381538B1 (ko) | 2003-02-26 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP2004260115A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
JP2004260081A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP4305003B2 (ja) | 2003-02-27 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | Euv光学系及びeuv露光装置 |
EP1610361B1 (en) | 2003-03-25 | 2014-05-21 | Nikon Corporation | Exposure system and device production method |
JP2004294202A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 画面の欠陥検出方法及び装置 |
JP4265257B2 (ja) | 2003-03-28 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、フィルム構造体 |
JP4496711B2 (ja) | 2003-03-31 | 2010-07-07 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2004304135A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4281397B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-06-17 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
JP4288413B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
JP4465974B2 (ja) | 2003-04-07 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
JP4341277B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-10-07 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法 |
JP4374964B2 (ja) | 2003-09-26 | 2009-12-02 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
JP4902201B2 (ja) | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2004091079A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ |
EP1857880B1 (en) | 2003-04-09 | 2015-09-16 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus and device manufacturing method |
JP4428115B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-03-10 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステム |
US6842223B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-01-11 | Nikon Precision Inc. | Enhanced illuminator for use in photolithographic systems |
JP2004319724A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Ses Co Ltd | 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造 |
WO2004094940A1 (ja) | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ |
JP2004327660A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7095546B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-08-22 | Metconnex Canada Inc. | Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
WO2004094301A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-11-04 | Metconnex Canada Inc. | A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
JP2004335808A (ja) | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Sony Corp | パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム |
JP2004335864A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4487168B2 (ja) | 2003-05-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置 |
US7511886B2 (en) * | 2003-05-13 | 2009-03-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system |
JP2004342987A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Canon Inc | ステージ装置 |
TW200507055A (en) | 2003-05-21 | 2005-02-16 | Nikon Corp | Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method |
TW201515064A (zh) | 2003-05-23 | 2015-04-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
TW200509205A (en) | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
JP2005012190A (ja) | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法 |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
EP1628330A4 (en) | 2003-05-28 | 2009-09-16 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP2004356410A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2004109780A1 (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Nikon Corporation | ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
JP2005005295A (ja) | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005005395A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法 |
JP2005005521A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置 |
JP2005011990A (ja) | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
TWI536430B (zh) | 2003-06-19 | 2016-06-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
JP2005019628A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10328938A1 (de) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie |
JP2005024890A (ja) | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Renesas Technology Corp | 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法 |
JP2005026634A (ja) | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JPWO2005008754A1 (ja) | 2003-07-18 | 2007-09-20 | 株式会社ニコン | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク |
JPWO2005010963A1 (ja) | 2003-07-24 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP4492600B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005051147A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2005055811A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Olympus Corp | 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法 |
JP2005064210A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Nikon Corp | 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置 |
JP4262031B2 (ja) | 2003-08-19 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG10201607457PA (en) | 2003-08-29 | 2016-10-28 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JP4305095B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4218475B2 (ja) | 2003-09-11 | 2009-02-04 | 株式会社ニコン | 極端紫外線光学系及び露光装置 |
US7714983B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
JP2005091023A (ja) | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Minolta Co Ltd | 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置 |
JP4323903B2 (ja) | 2003-09-12 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを用いた露光装置 |
DE10343333A1 (de) | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005093324A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Toshiba Corp | 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置 |
JP2005093948A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005123586A (ja) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投影装置および投影方法 |
US7408616B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
KR101119723B1 (ko) | 2003-09-26 | 2012-03-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로 리소그래피 투영 노광 |
JP2005108925A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4385702B2 (ja) | 2003-09-29 | 2009-12-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP4470433B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4513299B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005114882A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置 |
JP2005116831A (ja) | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
EP1672682A4 (en) | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JP2005136364A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2005036619A1 (ja) | 2003-10-09 | 2007-11-22 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JPWO2005036620A1 (ja) | 2003-10-10 | 2006-12-28 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005127460A (ja) | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 免震除振床システム |
TWI360158B (en) | 2003-10-28 | 2012-03-11 | Nikon Corp | Projection exposure device,exposure method and dev |
JP4605014B2 (ja) | 2003-10-28 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
JP2005140999A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Nikon Corp | 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法 |
WO2005048326A1 (ja) | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
WO2005048325A1 (ja) | 2003-11-17 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置 |
TW201809801A (zh) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
JP4470095B2 (ja) | 2003-11-20 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4976094B2 (ja) | 2003-11-20 | 2012-07-18 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP4552428B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US6970233B2 (en) * | 2003-12-03 | 2005-11-29 | Texas Instruments Incorporated | System and method for custom-polarized photolithography illumination |
JP2005175177A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 光学装置及び露光装置 |
JP2005175176A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101941351B1 (ko) | 2003-12-15 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
JP3102327U (ja) | 2003-12-17 | 2004-07-02 | 国統国際股▲ふん▼有限公司 | 可撓管の漏れ止め機構 |
JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101636632B1 (ko) | 2004-01-05 | 2016-07-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4586367B2 (ja) | 2004-01-14 | 2010-11-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
US8270077B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
KR101230757B1 (ko) * | 2004-01-16 | 2013-02-06 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
WO2005071671A2 (en) | 2004-01-16 | 2005-08-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical system |
JP2005209705A (ja) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4474927B2 (ja) | 2004-01-20 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
US7697110B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-04-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
US7580559B2 (en) | 2004-01-29 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator |
US7990516B2 (en) | 2004-02-03 | 2011-08-02 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus |
TWI505329B (zh) * | 2004-02-06 | 2015-10-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
JP4548341B2 (ja) | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
JP4370992B2 (ja) | 2004-02-18 | 2009-11-25 | 株式会社ニコン | 光学素子及び露光装置 |
WO2005081291A1 (ja) | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2005234359A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Ricoh Co Ltd | 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置 |
EP1727188A4 (en) | 2004-02-20 | 2008-11-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4693088B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP4333404B2 (ja) | 2004-02-25 | 2009-09-16 | 株式会社ニコン | 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005243904A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及び露光方法 |
DE102004010569A1 (de) | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
US6977718B1 (en) | 2004-03-02 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography method and system with adjustable reflector |
JP2005251549A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法 |
JP2005257740A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP4778685B2 (ja) | 2004-03-10 | 2011-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置 |
JP4497968B2 (ja) | 2004-03-18 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005276932A (ja) | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005302826A (ja) | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及び露光方法 |
JP4474979B2 (ja) | 2004-04-15 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
EP1753016B1 (en) | 2004-04-19 | 2012-06-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device producing method |
JP2005311020A (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4776891B2 (ja) | 2004-04-23 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4569157B2 (ja) | 2004-04-27 | 2010-10-27 | 株式会社ニコン | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
JP2005340605A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 露光装置およびその調整方法 |
JP5159027B2 (ja) | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
JP2006005197A (ja) | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4419701B2 (ja) | 2004-06-21 | 2010-02-24 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
JP2006017895A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP4444743B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006024819A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法 |
US7283209B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
WO2006006730A1 (ja) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2006032750A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4411158B2 (ja) | 2004-07-29 | 2010-02-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
EP1621930A3 (en) * | 2004-07-29 | 2011-07-06 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2006049758A (ja) | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Nikon Corp | 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置 |
JP2006054364A (ja) | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 基板吸着装置、露光装置 |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JP2006073584A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nikon Corp | 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法 |
KR101187611B1 (ko) | 2004-09-01 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 홀더, 스테이지 장치, 및 노광 장치 |
US7433046B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-10-07 | Carl Ziess Meditec, Inc. | Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography |
JP4772306B2 (ja) | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
JP2006080281A (ja) | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Nikon Corp | ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2006028188A1 (ja) | 2004-09-10 | 2008-05-08 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
CN100456423C (zh) | 2004-09-14 | 2009-01-28 | 尼康股份有限公司 | 校正方法及曝光装置 |
JP2006086141A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
CN101015039B (zh) | 2004-09-17 | 2010-09-01 | 尼康股份有限公司 | 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法 |
JP2006086442A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
WO2006035775A1 (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法 |
JP2006100363A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Canon Inc | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。 |
JP4747545B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
US7245353B2 (en) | 2004-10-12 | 2007-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method |
JP4335114B2 (ja) | 2004-10-18 | 2009-09-30 | 日本碍子株式会社 | マイクロミラーデバイス |
GB2419208A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-19 | Qinetiq Ltd | Optical correlation employing an optical bit delay |
JP2006120985A (ja) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2006128192A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006049134A1 (ja) | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7271874B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
JP4517354B2 (ja) | 2004-11-08 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TW200636816A (en) | 2004-11-11 | 2006-10-16 | Nikon Corp | Exposure method, device manufacturing method and substrate |
JP2006140366A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 投影光学系及び露光装置 |
JP2005150759A (ja) | 2004-12-15 | 2005-06-09 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
TWI493600B (zh) | 2004-12-15 | 2015-07-21 | 尼康股份有限公司 | A substrate holding device, an exposure device, and a device manufacturing method |
JP2006170811A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び軟x線光学機器 |
JP2006170899A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Sendai Nikon:Kk | 光電式エンコーダ |
JP2006179516A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Toshiba Corp | 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
KR20070090876A (ko) | 2004-12-24 | 2007-09-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 자기 안내 장치, 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의제조 방법 |
JP2006177865A (ja) | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Ntn Corp | 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置 |
JP4402582B2 (ja) | 2004-12-27 | 2010-01-20 | 大日本印刷株式会社 | 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置 |
US20060138349A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7312852B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7345740B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4632793B2 (ja) | 2005-01-12 | 2011-02-16 | 京セラ株式会社 | ナビゲーション機能付き携帯型端末機 |
TWI423301B (zh) | 2005-01-21 | 2014-01-11 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
EP1850464A4 (en) | 2005-01-21 | 2017-03-15 | Nikon Corporation | Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus |
US20060164711A1 (en) | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
JP4858439B2 (ja) | 2005-01-25 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
WO2006085524A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光装置 |
JP4650619B2 (ja) | 2005-03-09 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置 |
JP2006253572A (ja) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP5125503B2 (ja) | 2005-03-23 | 2013-01-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP4858744B2 (ja) | 2005-03-24 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP4561425B2 (ja) | 2005-03-24 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法 |
JP2006278820A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP4546315B2 (ja) | 2005-04-07 | 2010-09-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 微細加工用型の製造方法 |
WO2006118108A1 (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 |
JP4676815B2 (ja) | 2005-05-26 | 2011-04-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 露光装置および露光方法 |
US7405653B2 (en) * | 2005-06-13 | 2008-07-29 | Honeywell International Inc. | System for monitoring activities and location |
JP2006351586A (ja) | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4710427B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-06-29 | 株式会社ニコン | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
DE102005030839A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven |
US7317512B2 (en) | 2005-07-11 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101138070B (zh) | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
JP2007048819A (ja) | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007043980A (ja) | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Sanei Gen Ffi Inc | 焼成和洋菓子用品質改良剤 |
US20070058151A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam |
JP2007087306A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yokohama National Univ | 目標画像指定作成方式 |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
JP4640090B2 (ja) | 2005-10-04 | 2011-03-02 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構 |
JP2007113939A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法 |
JP2007120334A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Denso Corp | 車両駆動システムの異常診断装置 |
JP2007120333A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器 |
JP4809037B2 (ja) | 2005-10-27 | 2011-11-02 | 日本カニゼン株式会社 | 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品 |
TW200719095A (en) | 2005-11-09 | 2007-05-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
WO2007055120A1 (ja) | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
TWI397945B (zh) | 2005-11-14 | 2013-06-01 | 尼康股份有限公司 | A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
JP2007142313A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Nikon Corp | 計測工具及び調整方法 |
JP2007144864A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置 |
JP5194799B2 (ja) | 2005-12-06 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1962329B1 (en) | 2005-12-08 | 2014-08-06 | Nikon Corporation | Substrate holding device, exposure device, exposure method, and device fabrication method |
JP4800901B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-10-26 | 矢崎総業株式会社 | 電圧検出装置及び絶縁インタフェース |
US20070166134A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-19 | Motoko Suzuki | Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus |
JP2007170938A (ja) | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sendai Nikon:Kk | エンコーダ |
JP2007207821A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP2007220767A (ja) | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007227637A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
CN101389982A (zh) | 2006-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社尼康 | 分色镜 |
JP2007234110A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法 |
JP4929762B2 (ja) | 2006-03-03 | 2012-05-09 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
DE102006015213A1 (de) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung |
JP2007280623A (ja) | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法 |
JP2007295702A (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Toshiba Mach Co Ltd | リニアモータ、および、ステージ駆動装置 |
WO2007132862A1 (ja) | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4893112B2 (ja) | 2006-06-03 | 2012-03-07 | 株式会社ニコン | 高周波回路コンポーネント |
JP4873138B2 (ja) | 2006-06-21 | 2012-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 情報処理装置及びプログラム |
JP2008041710A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 照明光学装置、露光方法及び設計方法 |
DE102006037776B3 (de) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Kalibrieren einer Magnetresonanzanlage mit PET-Funktion |
JP2008058580A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Canon Inc | 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム |
JP2008064924A (ja) | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | 定着装置及び画像形成装置 |
JP5141979B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-02-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
JP2007051300A (ja) | 2006-10-10 | 2007-03-01 | Teijin Chem Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
JP4924879B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | エンコーダ |
WO2008061681A2 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
TWI452437B (zh) | 2006-11-27 | 2014-09-11 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
JP2007274881A (ja) | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
JP4910679B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-04-04 | 株式会社ニコン | 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路 |
DE102007027985A1 (de) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
WO2008078668A1 (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Miura Co., Ltd. | ボイラ給水用補給水の供給方法 |
NZ577980A (en) | 2006-12-27 | 2012-01-12 | Sanofi Aventis | Cycloalkylamine substituted isoquinolone derivatives |
EP2998983B1 (en) | 2006-12-27 | 2018-03-21 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus and device fabricating method |
WO2008090975A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Nikon Corporation | 支持構造体及び露光装置 |
KR101545361B1 (ko) | 2007-05-09 | 2015-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법 |
CN101680766B (zh) | 2007-05-31 | 2013-01-23 | 松下电器产业株式会社 | 图像摄影装置、附加信息提供服务器及附加信息过滤*** |
JP5194650B2 (ja) | 2007-08-31 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 電子カメラ |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US20090091730A1 (en) | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4499774B2 (ja) | 2007-10-24 | 2010-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JP2010004008A (ja) | 2007-10-31 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JPWO2009153925A1 (ja) | 2008-06-17 | 2011-11-24 | 株式会社ニコン | ナノインプリント方法及び装置 |
WO2009157154A1 (ja) | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造方法及び製造装置 |
KR20110028473A (ko) | 2008-06-30 | 2011-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치 |
US20110037962A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110205519A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-01-12 TW TW102139993A patent/TWI505329B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW106113666A patent/TWI609410B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW106144296A patent/TW201809727A/zh unknown
- 2005-01-12 TW TW101102214A patent/TWI494972B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117896A patent/TWI412067B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW094100817A patent/TWI389174B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117888A patent/TWI360837B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW102139992A patent/TWI511182B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117893A patent/TWI437618B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW104133152A patent/TWI614795B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117899A patent/TWI366219B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 TW TW097117881A patent/TWI379344B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-14 KR KR1020137002721A patent/KR101429864B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020147009165A patent/KR101578312B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 EP EP16184687.8A patent/EP3173866A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-14 EP EP13156322.3A patent/EP2615479B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 KR KR1020107000893A patent/KR101244282B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020147009172A patent/KR101626226B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020167013759A patent/KR20160063423A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-01-14 KR KR1020067018069A patent/KR101293399B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 JP JP2005517637A patent/JP4747844B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-14 KR KR1020187016763A patent/KR20180069120A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-01-14 EP EP05703646.9A patent/EP1720047B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 KR KR1020107000897A patent/KR101195687B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 KR KR1020127003793A patent/KR101323492B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 WO PCT/JP2005/000407 patent/WO2005076045A1/ja active Application Filing
- 2005-01-14 KR KR1020137027411A patent/KR101429868B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-14 EP EP13156325.6A patent/EP2615480B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 EP EP13156324.9A patent/EP2618188B1/en not_active Not-in-force
-
2006
- 2006-02-06 US US11/347,421 patent/US20060170901A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-02-23 HK HK07102084.6A patent/HK1098198A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-28 HK HK07103303.9A patent/HK1097603A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-02-27 HK HK08102156.8A patent/HK1111479A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102152.2A patent/HK1111470A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102155.9A patent/HK1111473A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102153.1A patent/HK1111471A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-02-27 HK HK08102154.0A patent/HK1111472A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2008-10-29 US US12/289,515 patent/US10007194B2/en active Active
- 2008-10-29 US US12/289,518 patent/US9429848B2/en active Active
-
2009
- 2009-08-25 US US12/461,801 patent/US20090316132A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-12-27 JP JP2010290979A patent/JP5696473B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-11 US US13/067,958 patent/US9140990B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012080678A patent/JP5594311B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-05-08 US US13/889,860 patent/US10241417B2/en active Active
- 2013-06-07 US US13/912,832 patent/US10234770B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-08 US US14/048,563 patent/US9423694B2/en active Active
- 2013-12-03 HK HK13113430.6A patent/HK1186250A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-04 HK HK13113468.1A patent/HK1186251A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-12-27 JP JP2013272068A patent/JP5821942B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-02 JP JP2015018675A patent/JP6020617B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-07 JP JP2016043787A patent/JP6319346B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-28 JP JP2017063051A patent/JP6399133B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-04-26 US US15/497,883 patent/US20170227854A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-07-12 JP JP2018132657A patent/JP2018189978A/ja active Pending
- 2018-08-06 US US16/055,452 patent/US20180341185A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI391716B (zh) * | 2008-10-27 | 2013-04-01 | Seiko Epson Corp | 1/4波長板,光拾取裝置及反射型液晶顯示裝置 |
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---|---|---|---|
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