JPH07167998A - レーザープラズマｘ線源用標的 - Google Patents
レーザープラズマｘ線源用標的Info
- Publication number
- JPH07167998A JPH07167998A JP5315446A JP31544693A JPH07167998A JP H07167998 A JPH07167998 A JP H07167998A JP 5315446 A JP5315446 A JP 5315446A JP 31544693 A JP31544693 A JP 31544693A JP H07167998 A JPH07167998 A JP H07167998A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- target material
- ray source
- laser
- thin film
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- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発生するＸ線が短波長域から長波長域まで広
範囲に渡って連続的であり、またＸ線強度の波長依存性
が小さくて連続スペクトルに近く、さらに長時間連続使
用できるレーザープラズマＸ線源用標的を提供するこ
と。 【構成】 レーザーを照射すると、プラズマを発生して
Ｘ線を放出するレーザープラズマＸ線源用標的におい
て、前記標的は、巻き取り可能な基板201 上に、原子量
１５０以上の元素からなる材料202 を真空薄膜形成法に
より層状に形成してなることを特徴とするレーザープラ
ズマＸ線源用標的。
範囲に渡って連続的であり、またＸ線強度の波長依存性
が小さくて連続スペクトルに近く、さらに長時間連続使
用できるレーザープラズマＸ線源用標的を提供するこ
と。 【構成】 レーザーを照射すると、プラズマを発生して
Ｘ線を放出するレーザープラズマＸ線源用標的におい
て、前記標的は、巻き取り可能な基板201 上に、原子量
１５０以上の元素からなる材料202 を真空薄膜形成法に
より層状に形成してなることを特徴とするレーザープラ
ズマＸ線源用標的。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線露光
装置、Ｘ線分析装置等のＸ線装置に用いられるレーザー
プラズマＸ線源用標的に関する。
装置、Ｘ線分析装置等のＸ線装置に用いられるレーザー
プラズマＸ線源用標的に関する。
【０００２】
【従来の技術】減圧された装置内にあるレーザープラズ
マＸ線源用標的にレーザーを照射すると、Ｘ線を放出す
るプラズマが発生する。従来、レーザープラズマＸ線源
用標的の材料には、銅、鉄、等の原子量の小さい材料が
用いられてきた。
マＸ線源用標的にレーザーを照射すると、Ｘ線を放出す
るプラズマが発生する。従来、レーザープラズマＸ線源
用標的の材料には、銅、鉄、等の原子量の小さい材料が
用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の銅や鉄等の標的
材料は、材料元素の原子量が小さいので、発生するＸ線
のスペクトルはバンド構造を示す。そのため、特定波長
域のみのＸ線を使用するときには、問題とならないが、
短波長から長波長に渡って（例えば、１ｎｍ程度から数
十ｎｍまで）Ｘ線波長を走査しながら使用すると、Ｘ線
強度が波長に依存して大きく変化するので、Ｘ線源とし
て適当でないという問題点がある。
材料は、材料元素の原子量が小さいので、発生するＸ線
のスペクトルはバンド構造を示す。そのため、特定波長
域のみのＸ線を使用するときには、問題とならないが、
短波長から長波長に渡って（例えば、１ｎｍ程度から数
十ｎｍまで）Ｘ線波長を走査しながら使用すると、Ｘ線
強度が波長に依存して大きく変化するので、Ｘ線源とし
て適当でないという問題点がある。
【０００４】本発明の目的は、かかる問題点を解決し、
発生するＸ線が短波長域から長波長域まで広範囲に渡っ
て連続的であり、またＸ線強度の波長依存性が小さくて
連続スペクトルに近く、さらに長時間連続使用できるレ
ーザープラズマＸ線源用標的を提供することにある。
発生するＸ線が短波長域から長波長域まで広範囲に渡っ
て連続的であり、またＸ線強度の波長依存性が小さくて
連続スペクトルに近く、さらに長時間連続使用できるレ
ーザープラズマＸ線源用標的を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「レーザーを照射すると、プラズマを発生してＸ線を
放出するレーザープラズマＸ線源用標的において、前記
標的は、巻き取り可能な基板上に、原子量１５０以上の
元素からなる材料を真空薄膜形成法により層状に形成し
てなることを特徴とするレーザープラズマＸ線源用標的
（請求項１）」を提供する。
に「レーザーを照射すると、プラズマを発生してＸ線を
放出するレーザープラズマＸ線源用標的において、前記
標的は、巻き取り可能な基板上に、原子量１５０以上の
元素からなる材料を真空薄膜形成法により層状に形成し
てなることを特徴とするレーザープラズマＸ線源用標的
（請求項１）」を提供する。
【０００６】また、本発明は第二に「前記材料の融点が
２０００°Ｃ以上であることを特徴とする請求項１記載
のレーザープラズマＸ線源用標的（請求項２）」 を提
供する。
２０００°Ｃ以上であることを特徴とする請求項１記載
のレーザープラズマＸ線源用標的（請求項２）」 を提
供する。
【０００７】
【作用】本発明では、原子量１５０以上の元素からなる
材料を標的に使用しているので、放出されるＸ線の波長
域は、短波長から長波長にまで渡り（例えば、１ｎｍ程
度から数十ｎｍまで）、またＸ線強度の波長依存性が小
さい。さらに、標的材料を巻き取り可能な基板上に、真
空薄膜形成法により層状に形成したので、標的を巻き取
ることができる。そのため、レーザーが照射される標的
部分を巻き取りにより変更できるので、標的を巻き取り
ながら長時間連続使用することができる。
材料を標的に使用しているので、放出されるＸ線の波長
域は、短波長から長波長にまで渡り（例えば、１ｎｍ程
度から数十ｎｍまで）、またＸ線強度の波長依存性が小
さい。さらに、標的材料を巻き取り可能な基板上に、真
空薄膜形成法により層状に形成したので、標的を巻き取
ることができる。そのため、レーザーが照射される標的
部分を巻き取りにより変更できるので、標的を巻き取り
ながら長時間連続使用することができる。
【０００８】標的材料としては、例えば、タングステ
ン、鉛、タンタル、金等が好ましい。また、巻き取り可
能な基板としては、例えば、テープ状の、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリイミド、アルミニウム、銅、
鉄等が好ましい。特に、耐熱性の良いテープが好まし
い。標的材料は、前記巻き取り可能な基板上に、真空薄
膜形成法により層状に形成されるので、標的材料単体で
は、巻き取り可能な形状（例えば、テープ状）にできな
いような標的材料も使用できる。また、標的材料は層状
に形成されるので、厚さが比較的薄い。そのため、Ｘ線
を放出するプラズマからの飛散粒子の量を低減できるの
で、Ｘ線光学素子等の飛散粒子による損傷を抑制でき
る。
ン、鉛、タンタル、金等が好ましい。また、巻き取り可
能な基板としては、例えば、テープ状の、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリイミド、アルミニウム、銅、
鉄等が好ましい。特に、耐熱性の良いテープが好まし
い。標的材料は、前記巻き取り可能な基板上に、真空薄
膜形成法により層状に形成されるので、標的材料単体で
は、巻き取り可能な形状（例えば、テープ状）にできな
いような標的材料も使用できる。また、標的材料は層状
に形成されるので、厚さが比較的薄い。そのため、Ｘ線
を放出するプラズマからの飛散粒子の量を低減できるの
で、Ｘ線光学素子等の飛散粒子による損傷を抑制でき
る。
【０００９】ところで、標的材料の融点が２０００°Ｃ
以上であることが好ましい。Ｘ線を放出するプラズマか
らの飛散粒子の量を低減でき、Ｘ線光学素子等の飛散粒
子による損傷を抑制できるからである。以下、実施例に
より本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。
以上であることが好ましい。Ｘ線を放出するプラズマか
らの飛散粒子の量を低減でき、Ｘ線光学素子等の飛散粒
子による損傷を抑制できるからである。以下、実施例に
より本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。
【００１０】
【実施例】図１は、本実施例のレーザープラズマＸ線源
用標的を示す斜視図である。ポリイミドテープ上に真空
薄膜形成法により形成した、タングステン、鉛、又はタ
ンタルからなる厚さ数μｍから数十μｍのテープ状の標
的102 は、当初リール106 に巻き取られている。
用標的を示す斜視図である。ポリイミドテープ上に真空
薄膜形成法により形成した、タングステン、鉛、又はタ
ンタルからなる厚さ数μｍから数十μｍのテープ状の標
的102 は、当初リール106 に巻き取られている。
【００１１】リール106 ,107には、モーターがそれぞれ
連結されており（図示せず) 、これらのモーターの回転
により、テープ状の標的102 は、リール106 からリール
107に巻き取られる。巻き取りの途中で、パルスレーザ
ー光110 が 標的102 上に照射されると、プラズマが発
生してＸ線が放出される。レーザー光が照射される標的
部分では、押さえ板103 と、部材105 に取り付けられた
バネによって押さえ板103 に向かって押しつけられてい
る板104 とによって、標的位置がレーザー光110 の光軸
方向に変動しないように挟み込まれている。
連結されており（図示せず) 、これらのモーターの回転
により、テープ状の標的102 は、リール106 からリール
107に巻き取られる。巻き取りの途中で、パルスレーザ
ー光110 が 標的102 上に照射されると、プラズマが発
生してＸ線が放出される。レーザー光が照射される標的
部分では、押さえ板103 と、部材105 に取り付けられた
バネによって押さえ板103 に向かって押しつけられてい
る板104 とによって、標的位置がレーザー光110 の光軸
方向に変動しないように挟み込まれている。
【００１２】レーザー光110 は、押さえ板103 に設けら
れた穴111 を通って標的102 に照射される。リール106,
107 は、台101 上に回転可能に設けられている。部材10
5 及び押さえ板103 は、台101 上に固定されている。台
101 は、ステージ108 上に取り付けられており、ステー
ジ108 はモーター109 によりＡ方向に移動できる。テー
プ状標的102 がリール107 に全て巻き取られると、前回
テープ走行時のレーザー照射により、標的102 上に生じ
た孔を少なくとも避けるように、ステージ108 をＡ方向
に移動する。その後、今度は逆に、リール107 からリー
ル106 に標的102 を巻き取りながらレーザー光を照射す
る。
れた穴111 を通って標的102 に照射される。リール106,
107 は、台101 上に回転可能に設けられている。部材10
5 及び押さえ板103 は、台101 上に固定されている。台
101 は、ステージ108 上に取り付けられており、ステー
ジ108 はモーター109 によりＡ方向に移動できる。テー
プ状標的102 がリール107 に全て巻き取られると、前回
テープ走行時のレーザー照射により、標的102 上に生じ
た孔を少なくとも避けるように、ステージ108 をＡ方向
に移動する。その後、今度は逆に、リール107 からリー
ル106 に標的102 を巻き取りながらレーザー光を照射す
る。
【００１３】このようにして、標的102 は複数回、往復
走行させて使用することができる。図２は、巻き取り可
能な基板201 と、その上に形成した薄膜状の標的材料20
2の概略断面図である。図２では、基板201 上の全面に
薄膜状の標的材料202 が形成されているが、図３、図４
に示すように、基板上のレーザー光照射部分だけに標的
材料を形成してもよい。図３では、基板301 上にドット
状の標的材料302 が形成され、また図４では、基板401
上にストライプ状の標的材料402 が形成されている。
走行させて使用することができる。図２は、巻き取り可
能な基板201 と、その上に形成した薄膜状の標的材料20
2の概略断面図である。図２では、基板201 上の全面に
薄膜状の標的材料202 が形成されているが、図３、図４
に示すように、基板上のレーザー光照射部分だけに標的
材料を形成してもよい。図３では、基板301 上にドット
状の標的材料302 が形成され、また図４では、基板401
上にストライプ状の標的材料402 が形成されている。
【００１４】なお、標的材料とバインダーを混合したも
のを基板上に塗布して標的を形成することもできる。
のを基板上に塗布して標的を形成することもできる。
【００１５】
【発明の効果】以上の通り、本発明のレーザープラズマ
Ｘ線源用標的によれば、発生するＸ線が短波長域から長
波長域まで広範囲に渡って連続的であり、またＸ線強度
の波長依存性が小さくて連続スペクトルに近く、さらに
長時間連続使用できる。
Ｘ線源用標的によれば、発生するＸ線が短波長域から長
波長域まで広範囲に渡って連続的であり、またＸ線強度
の波長依存性が小さくて連続スペクトルに近く、さらに
長時間連続使用できる。
【図１】は、実施例のレーザープラズマＸ線源用標的を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】は、本発明にかかるレーザープラズマＸ線源用
標的の一例である巻き取り可能な基板201 と、その上に
全面形成した薄膜状の標的材料202 の概略断面図であ
る。
標的の一例である巻き取り可能な基板201 と、その上に
全面形成した薄膜状の標的材料202 の概略断面図であ
る。
【図３】は、本発明にかかるレーザープラズマＸ線源用
標的の別の例である巻き取り可能な基板301 と、その上
にドット状に形成した薄膜状の標的材料302の概略断面
図である。
標的の別の例である巻き取り可能な基板301 と、その上
にドット状に形成した薄膜状の標的材料302の概略断面
図である。
【図４】は、本発明にかかるレーザープラズマＸ線源用
標的のさらに別の例である巻き取り可能な基板401 と、
その上にストライプ状に形成した薄膜状の標的材料402
の概略断面図である。
標的のさらに別の例である巻き取り可能な基板401 と、
その上にストライプ状に形成した薄膜状の標的材料402
の概略断面図である。
101 ・・・台 102 ・・・テープ状の標的( 巻き取り可能な基板の一
例) 103 ・・・第１の押さえ板 104 ・・・第２の押さえ板 105 ・・・部材 106 ・・・第１のリール 107 ・・・第２のリール 108 ・・・ステージ 109 ・・・モーター 110 ・・・レーザー光 111 ・・・第１の押さえ板に設けられた穴 201 ・・・巻き取り可能な基板 202 ・・・基板全面に層状に形成された標的材料 301 ・・・巻き取り可能な基板 302 ・・・基板上にドット状に形成された層状の標的材
料 401 ・・・巻き取り可能な基板 402 ・・・基板上にストライプ状に形成された層状の標
的材料 以 上
例) 103 ・・・第１の押さえ板 104 ・・・第２の押さえ板 105 ・・・部材 106 ・・・第１のリール 107 ・・・第２のリール 108 ・・・ステージ 109 ・・・モーター 110 ・・・レーザー光 111 ・・・第１の押さえ板に設けられた穴 201 ・・・巻き取り可能な基板 202 ・・・基板全面に層状に形成された標的材料 301 ・・・巻き取り可能な基板 302 ・・・基板上にドット状に形成された層状の標的材
料 401 ・・・巻き取り可能な基板 402 ・・・基板上にストライプ状に形成された層状の標
的材料 以 上
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｇ 2/00
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザーを照射すると、プラズマを発生
してＸ線を放出するレーザープラズマＸ線源用標的にお
いて、 前記標的は、巻き取り可能な基板上に、原子量１５０以
上の元素からなる材料を真空薄膜形成法により層状に形
成してなることを特徴とするレーザープラズマＸ線源用
標的。 - 【請求項２】 前記材料の融点が２０００°Ｃ以上であ
ることを特徴とする請求項１記載のレーザープラズマＸ
線源用標的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5315446A JPH07167998A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | レーザープラズマｘ線源用標的 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5315446A JPH07167998A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | レーザープラズマｘ線源用標的 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07167998A true JPH07167998A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18065471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5315446A Pending JPH07167998A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | レーザープラズマｘ線源用標的 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07167998A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006075535A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| FR3089748A1 (fr) * | 2018-12-11 | 2020-06-12 | Centre Technologique Alphanov | Source de rayons X par interaction entre un faisceau laser et un matériau cible |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP5315446A patent/JPH07167998A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US7456417B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-11-25 | Nikon Corporation | Laser plasma EUV light source, target material, tape material, a method of producing target material, a method of providing targets, and an EUV exposure device |
| WO2006075535A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置 |
| JPWO2006075535A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2008-06-12 | 株式会社ニコン | レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置 |
| EP1837897A4 (en) * | 2005-01-12 | 2008-04-16 | Nikon Corp | EXTREME PLASMA LASER UV LIGHT SOURCE, TARGET MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET MEMBER, TARGET MEMBER DELIVERY METHOD, AND EXTREME UV EXPOSURE SYSTEM |
| EP1837897A1 (en) * | 2005-01-12 | 2007-09-26 | Nikon Corporation | Laser plasma euv light source, target member, production method for target member, target supplying method, and euv exposure system |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| FR3089748A1 (fr) * | 2018-12-11 | 2020-06-12 | Centre Technologique Alphanov | Source de rayons X par interaction entre un faisceau laser et un matériau cible |
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