JP2005251549A

JP2005251549A - マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法

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Publication number: JP2005251549A
Application number: JP2004060057A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Konishi; 浩小西
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2004-03-04
Filing date: 2004-03-04
Publication date: 2005-09-15

Abstract

【課題】低インサーションロスと高アイソレーションを両立させ、かつ低消費電力化が期待できるマイクロスイッチを提供する。
【解決手段】ローレンツ力発生用配線パターン８に電流を流し、ローレンツ力を発生させて可動部２を固定部１に近づける。ローレンツ力により可動部２が、自身の撓み力に抗して固定部１に近づいたとき、静電力用電極５ａ、５ｂ間に電圧を印加して、静電引力により可動部２を固定部１側に吸引すると共に、ローレンツ力発生用配線パターン８に流す電流を切り、ローレンツ力の発生を停止する。その後、静電力用電極５ａ、５ｂに電圧を印加し続けることにより、接点４ａ、４ｂ間には十分な押圧力が働くので、低インサーションロスを実現することができる。かつ、この状態においては静電力のみが働くので、省電力化が実現できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、マイクロマシニング技術を使用して製造された、微細なマイクロスイッチ及びその駆動方法に関するものである。

近年、携帯電話、ＰＤＡ端末、無線ＬＡＮなどいわゆる情報携帯端末の小型化に伴い、その内部基板を構成する、フィルター、スイッチ、コンデンサ、インダクター等の主要部品の小型化が検討されている。また、扱われる情報量の増加に伴い、それらの情報携帯端末の使用周波数は数百ＭHz帯から数ＧHzとなっており、さらに近い将来には、数十ＧHzに到達すると言われている。

このような状況下では、例えば現状多く用いられている、半導体型のＰＩＮダイオードやガリウム砒素系のトランジスタなどから成るスイッチは、周波数の高域化に伴う浮遊寄生容量の増加による、ＯＦＦ時の絶縁抵抗の低下（低アイソレーション）、又はＯＮ時の抵抗増加による、挿入損失の増加（高インサーションロス）が問題となってきている。

特に近年爆発的に利用台数が増加している携帯電話については、周波数の高域化に伴い、次世代機種が提案され、その内部部品としてのスイッチ等は低電力化、高性能化が特に要求される。

上記のような課題を解決すべく、近年ではマイクロマシニング技術を用いて製造されたメカニカルマイクロスイッチについて、報告がされるようになってきている。これらは、例えば片持ち梁形状に形成された対向する固定電極と可動電極に、それぞれ電気配線がなされ、可動電極が固定電極に接触したり、離れたりすることにより、機械的に電気信号をＯＮ／ＯＦＦするものである。このような機械的な接点を利用したメカニカルスイッチは古くから存在しているが、これに対してマイクロマシニング技術を用いることにより、小型化、省電力化が期待でき従来のトランジスタ方式のスイッチに代わるものと期待されるものである。

可動電極を駆動させるアクチュエータ方式には、静電アクチュエータ方式、電磁アクチュエータ方式、バイメタルを利用した熱アクチュエータ方式などが提案されている。スイッチ／リレーの基本的な性能として、接点が接続している状態すなわちＯＮ時には抵抗値が少なく（低インサーションロス）、又、接点が離れている状態すなわちＯＦＦ時には抵抗値が大きい（高アイソレーション）ものが望ましい。

一般にインサーションロスを下げるには、接点同士をしっかり接触させて接触力をできるだけ上げる必要がある。一方高アイソレーションを確保するためには、アイソレーション低下の原因である浮遊寄生容量の影響を除去するため、接点間の距離を大きくする必要がある。

このような見地から例えばスイッチの駆動方式のうち、静電アクチュエータ方式を例にとって説明すると、可動電極と固定電極を有する並行平板の静電引力Ｆ１は一般に
Ｆ１＝ε×Ｖ^２×Ｓ／２ｄ^２で表される。
ここに、εは誘電率、Ｖは駆動電圧、Ｓは電極面積、ｄは電極間距離である。

上記の式から明らかなように、接触力すなわち静電引力を上げるためには、静電引力Ｆ１は電極間距離ｄの２乗に反比例するので距離を狭めればよい。また距離を狭めることで所望の静電力を確保するために駆動電圧を下げる効果もある。しかし、一方では前述の通り、扱う信号の高周波数化に伴い、浮遊寄生容量が増加するため、電極間距離ｄを狭めるとＯＦＦ時の絶縁抵抗を下げることになり、信号品質の低下、消費電力の増大を招く。また電極間距離ｄを大きくすると、静電引力Ｆ１は２乗に反比例して小さくなるので、駆動電圧を上げたり、電極面積を大きくする必要が出てくる。駆動電圧を上げたり、電極面積大きくすることは携帯電話等用途の低電圧化、小型化が要求される部品に対しては適さない。

すなわち静電アクチュエータ方式のスイッチにおいては、低インサーションロスと高アイソレーションは相反する特性であり、現状では性能を満足するため重要な鍵である静電引力を決める各パラメータはトレードオフの関係ある。

一方、電磁駆動アクチュエータ方式は、ローレンツ力により可動電極を駆動する。ローレンツ力Ｆ２は
Ｆ２＝Ｉ×Ｂ×Ｌで表される。
ここにＩは電流、Ｂは磁束密度、Ｌは電線の長さである。

すなわち、電磁駆動アクチュエータ方式においては、静電アクチュエータ方式のように一定の磁束密度の間では、電極間距離が変ってもローレンツ力は変らないので、絶縁抵抗を満足するまで電極間距離を大きくしても、駆動電圧や電極面積を上げる必要がない。

しかしながら電磁駆動アクチュエータ方式をマイクロメカニカルスイッチに用いた場合、ＯＮ状態では可動電極を固定電極の接点に連続して接触させる必要があり、すなわちその間Ｉの電流を流し続ける必要がある。従って現在でさえ部品の低消費電力化が課題となっている携帯電話等用途の部品に対しては、消費電力を要する電磁駆動型アクチュエータによるスイッチは適さない。

上記の静電駆動型、電磁駆動型以外にも可動電極に熱膨張係数の異なる２種以上の金属を積層させ、可動電極をマイクロヒーター等により過熱、冷却をすることによりスイッチングが可能である。この方式は、静電駆動アクチュエータよりも駆動力、接点力を得やすい利点がある。しかしながら一般に金属の熱容量を十分に考慮しないと所望の応答速度が得られにくく、またＯＮ又はＯＦＦ時にヒーター通電が常時必要である欠点がある。さらに、電極の変位そのものはバイメタルの熱膨張係数の違いを利用しているので、外気温の変動により、変位量の制御が困難であり、温度補償等の機構を付与する必要がある。特に劣悪な温度環境化にある携帯電話等の部品には信頼性の観点から適さない。

本発明はこのような上記の事情に鑑みてなされたもので、低インサーションロスと高アイソレーションを両立させ、かつ低消費電力化が期待できるマイクロスイッチ、及びその駆動方法を提供することを課題とする。

前記課題を解決するための第１の手段は、固定部と、当該固定部に対して移動し得るように設けられた可動部とを備え、前記固定部は第１の電極部を有し、前記可動部は、前記第１の電極部との間の電圧により前記第１の電極部との間に静電力を生じ得る第２の電極部と、磁界内に配置されて通電によりローレンツ力を生ずる電流経路とを有し、前記固定部と前記可動部には、それぞれ前記可動部の移動に応じて接離する接点が設けられていることを特徴とするマイクロスイッチ（請求項１）である。

本手段においては、接点を有する可動部の駆動を、静電力とローレンツ力の双方で行えるようになっているので、両者の長所を生かして使用することができる。よって、接点のブレーク状態での接点間間隔を大きくできるので、高アイソレーションを実現でき、又、接点のメーク状態での接触圧を大きくできるので、低インサーションロスを実現できる。又、ローレンツ力は過渡的に働かせればよく、残りは静電力のみで駆動できるので、低消費電力化が実現できる。

前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、前記可動部が薄膜で構成されたことを特徴とするもの（請求項２）である。

可動部を薄膜で構成することで、マイクロマシニング技術を利用してマイクロスイッチを製造することが容易になる。

前記課題を解決するための第３の手段は、前記第１の手段又は第２の手段であって、前記電流経路は、前記静電力が増大する第１の位置に前記可動部を移動させるような方向にローレンツ力を生じ得るように、配置されたことを特徴とするもの（請求項３）である。

本手段においては、ローレンツ力により、静電力が増大する方向に可動部を駆動し、静電力が十分大きくなったときに、静電力のみで可動部を駆動することが可能となる。

前記課題を解決するための第４の手段は、前記第３の手段であって、前記可動部は、前記第１の位置と前記静電力が低下又は消失する第２の位置との間を移動し得るとともに、前記第２の位置に復帰しようとする復帰力が生ずるように、設けられたことを特徴とするもの（請求項４）である。

本手段においては、ローレンツ力と静電力を働かせないようにした場合、すなわち、電源を供給しない場合に、可動部が自然に第２の位置に移動するので、可動部を第２の位置に位置させる場合には電力を必要としない。

前記課題を解決するための第５の手段は、前記第１の手段から第４の手段のいずれかであって、前記可動部は前記固定部に対して固定端が固定された片持ち梁構造を有し、前記可動部の前記固定端と自由端との間には、複数の梁構成部が形成され、前記第１の電極部、前記接点、および前記ローレンツ力を生ずる電流経路を生じる経路のうちローレンツ力の発生に寄与する部分は、曲げ剛性の強い第１の梁構成部に配置され、前記第１の梁構成部と前記固定端の間には、前記ローレンツ力、前記静電力により容易に変形する曲げ剛性の弱い第２の梁構成部が形成されていることを特徴とするもの（請求項５）である
第１の電極部、接点、およびローレンツ力を生ずる電流経路を生じる経路のうちローレンツ力の発生に寄与する部分は、変形しない部分に形成されていることが好ましい。よって本手段は、これらの部分を曲げ剛性の強い第１の梁構成部に配置している。そして、この第１の梁構成部と固定端の間に、ローレンツ力、静電力よりに容易に変形する曲げ剛性の弱い第２の梁構成部を形成しているので、可動部は、ローレンツ力、静電力によりこの部分で変形して、接点が固定部の接点と接離する。

前記課題を解決するための第６の手段は、前記第５の手段であって、前記第２の梁構成部は、前記可動部が力を受けない状態で、前記固定部とは反対側に湾曲していることを特徴とするもの（請求項６）である。

本手段においては、可動部が力を受けない状態で、固定部とは反対側に湾曲しているので、ローレンツ力、静電力により、可動部を固定部に近づけ、給電を行わないときは、可動部が固定部より離れるようにして、接点のメーク、ブレークを行わせることができる。

前記課題を解決するための第７の手段は、前記第６の手段であって、前記第２の梁構成部が、バイモルフ構造とされ、それにより、前記固定部とは反対側に湾曲していることを特徴とするもの（請求項７）である。

第２の梁構成部をバイモルフ構造としているので、簡単に前記第６の手段を実現することができる。

前記課題を解決するための第８の手段は、前記第１の手段から第７の手段のうちいずれか１項に記載のマイクロスイッチの駆動方法であって、前記可動部を前記固定部に近づける最初の段階では、ローレンツ力のみ又はローレンツ力と静電力により前記可動部を前記固定部に近づけ、所定時間経過後は、静電力のみにより駆動を行うことを特徴とするもの（請求項８）である。

本手段においては、可動部が固定部より遠くにある最初の段階では、ローレンツ力のみ又はローレンツ力と静電力により可動部を固定部に近づける。そして、所定時間経過して、静電力が十分大きくなる位置まで可動部が動いた状態では、静電力のみで駆動を行い、その後、接点がメーク、又はブレークした状態で固定部と可動部の位置関係が固定された状態では、静電力のみでその状態を維持する。よって、電流は、主としてローレンツ力を発生させるときだけ流れ、その後は、静電力発生用の電極間距離が変わらない限り流れないので、少ない電力で駆動を行うことができ、しかも、初期状態では、固定部と可動部の間隔を十分離すことができる。

以上説明したように、本発明によれば、低インサーションロスと高アイソレーションを両立させ、かつ低消費電力化が期待できるマイクロスイッチ、及びその駆動方法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態の例を図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の１例であるマイクロスイッチの原理を説明するための概要図であり、（ａ）は縦断面の端面を示す端面図、（ｂ）は、このマイクロスイッチの可動部を展開して（ａ）の上方から見た図である。ただし、端面図においてはハッチングを省略している
このマイクロスイッチは、シリコンやガラスなどの基板１（固定部）と、可動部２が固定端３を介して結合されたものである。基板１は、シリコンやガラス等で形成され、その上に、接点４ａ、静電力用電極５ａが設けられている。可動部２は、絶縁物である第１の薄膜６と第２の薄膜７が接合されて形成されている。これらの薄膜を構成する物質としては、互いに熱膨張係数が違うものが使用されており、製造時と使用時の温度差によって、使用時の温度では、図の上方に湾曲するようにされている。このような目的に使用される物質としては、Si_３Ｎ_４、SiＯ_２、SiＯＮ、SiＣ、Si等がある。

第１の薄膜６の表面には、固定部１に設けられた接点４ａ、静電力用電極５ａに対面するように、接点４ｂ、静電力用電極５ｂが設けられている。なお、図において、可動部２の左側の部分のみが湾曲しており、接点４ｂ、静電力用電極５ｂが設けられている右側の部分は湾曲していないが、このような構造を実現する方法については、後に説明する。

可動部２の（ａ）における上側の表面には、（ｂ）にハッチングで示したようにローレンツ力発生用配線パターン８が形成されている。なお、ローレンツ力発生用配線パターン８は、第１の薄膜６と第２の薄膜７との間に挟まるように形成してもよく、実際後に示す実施の形態ではそうしている。なお、このローレンツ力発生用配線パターン８は（ａ）においては図示を省略している。また、接点４ａ、静電力用電極５ａ、接点４ｂ、静電力用電極５ｂへの配線パターンも図示を省略している。接点４ａ、４ｂの材料としては金が使用され、静電力用電極５ａ、５ｂとしてはアルミニウムが使用される。なお、ローレンツ力発生用配線パターン８にはアルミニウムが使用される。

このマイクロスイッチは、（ａ）に矢印Ｂで示すような方向の磁界の中において使用される。よって、ローレンツ力発生用配線パターン８に電流を流すと、その先端部８ａにローレンツ力が発生する。電流の方向は、このローレンツ力が可動部２を固定部１の方向に近づけるような方向とされている。又、静電力用電極５ａ、５ｂ間に異なる極性の電圧を印加すると、両者の間に静電引力が働き、やはり可動部２を固定部１の方向に近づけるような力が発生する。

このようなマイクロスイッチの駆動は以下のように行う。まず、ローレンツ力発生用配線パターン８に電流を流さず、静電力用電極５ａ、５ｂ間に電圧を印加していないときは、（ａ）に示すように、接点４ａ、４ｂは十分な距離だけ離間しており、十分なアイソレーションが保たれている。

この状態で、まずローレンツ力発生用配線パターン８に電流を流し、ローレンツ力を発生させて可動部２を固定部１に近づける。ローレンツ力の大きさは、前述のように、可動部２と固定部１の距離にかかわらずほぼ一定であるので、固定部１と可動部２が離れていても十分大きな力を発生させることができる。このとき、同時に静電力用電極５ａ、５ｂ間に電圧を印加してもよいが、初期においては静電力用電極５ａ、５ｂ間の距離が大きく、従って発生する静電引力が小さいので、必ずしも電圧の印加を行う必要はない。

ローレンツ力により可動部２が、自身の撓み力に抗して固定部１に近づいたとき、静電力用電極５ａ、５ｂ間に電圧を印加して、静電引力により可動部２を固定部１側に吸引すると共に、ローレンツ力発生用配線パターン８に流す電流を切り、ローレンツ力の発生を停止する。このときには、静電力用電極５ａ、５ｂの間隔は十分狭くなっているので、静電引力だけで可動部２が固定部１の方向に引っ張られ、接点４ａと４ｂが接触して接点がメークする。その後、静電力用電極５ａ、５ｂに電圧を印加し続けることにより、接点４ａ、４ｂ間には十分な押圧力が働くので、低インサーションロスを実現することができる。

ローレンツ力発生用配線パターン８に流す電流を停止するタイミングは、電流の通電開始から所定時間経過したときとすればよい。この所定時間は、静電引力だけで可動部２を固定部１に吸引できる程度に、静電力用電極５ａと５ｂが近づくまでの時間とすればよいが、最も安定に作動させるには、接点がメークするまでの時間以上、ローレンツ力発生用配線パターン８に電流を流し続けることが好ましい。

なお、接点４ａ、４ｂが接触した場合でも、静電力用電極５ａ、５ｂは接触しないように、（ａ）に示されているように、接点４ａ、４ｂの厚さが、静電力用電極５ａ、５ｂの厚さよりも厚くされている。接点をブレークさせるときは、静電力用電極５ａ、５ｂに印加する電圧を無くすと、可動部２がそれ自身の撓み力により固定部１から離れて（ａ）に示すような初期状態に戻り、接点４ａと４ｂが離間する。

なお、静電力用電極５ａ、５ｂ間の絶縁をより確実にするため、静電力用電極５ａ、５ｂの上に絶縁膜を形成してもよい。

この実施の形態においては、接点４ａ、４ｂがブレーク状態からメーク状態になる過渡的な時間しか駆動回路に電流が流れないので、小さな消費電力で作動させることができる。

以下、このようなマイクロスイッチのより詳しい構造の例を、図２、図３を使用して説明する。以下の図において、前出の図中で示された構成要素と同じ構成要素には、同じ符号を付してその説明を省略する。又、製図の都合上、図２、図３においては、２が湾曲しないような状態で図示を行っている。

図２（ａ）は、マイクロスイッチの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＹ１−Ｙ１端面図、（ｃ）は、（ａ）におけるＹ２−Ｙ２端面図、（ｄ）は、（ａ）におけるＹ３−Ｙ３端面図である。但し、（ａ）においては、最上部に位置する第２の薄膜７を取り除いた図を示してあり、各端面図においては、ハッチングを省略している。各図においてハッチングを施してあるのは配線部である。

図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ、図２（ａ）におけるＸ１−Ｘ１、Ｘ２−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ３、Ｘ４−Ｘ４端面図である。

図２（ａ）において、コの字型をした可動部２の表面にはローレンツ力発生用配線パターン８が設けられている他、静電力用電極用配線９と、接点用配線１０が設けられている。ローレンツ力発生用配線パターン８は図２（ｂ）、図３（ｂ）に示されるように、脚部３ａ、３ｂにより固定部１に設けられた配線部１２ａ、１２ｂに接続されており、静電力用電極用配線９は図２（ｄ）、図３（ａ）に示されるように、脚部３ｃにより固定部１に設けられた配線部１２ｄに接続されており、接点用配線１０は図２（ｃ）に示されるように、脚部３ｄにより固定部１に設けられた配線部１２ｄに接続されている。

端面図である図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、図３（ａ）、（ｂ）から分かるように、可動部２は、脚部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄにより、固定部１に接続され、片持ち梁の構造を有している。そして、ローレンツ力発生用配線パターン８、静電力用電極用配線９、接点用配線１０は、第１の薄膜６と第２の薄膜７の間に挟まれている。図２（ｃ）、図３（ｄ）に示されるように、接点用配線１０と接点４ｂの間には、第１の薄膜６の一部に孔が開けられており、この孔を通して接点用配線１０と接点４ｂが導通している。同様、図２（ｄ）、図３（ｃ）に示されるように、静電力用電極用配線９と静電力用電極５ｂの間には、第１の薄膜６の一部に孔が開けられており、この孔を通して静電力用電極用配線９と静電力用電極５ｂが導通している。

これらの図に示されるように、可動部２の図２における右側部分Ｂには凸状部１１が矩形形状に設けられており、この凸状部１１により、可動部２の右側部分Ｂの剛性が高くなっている。よって、可動部２がローレンツ力や静電力で上下に変動する場合には、この凸状部１１が設けられていない左側部分Ａが変形し、凸状部１１が設けられている右側部分Ｂは平面のまま保たれる。従って、接点４ｂ、静電力用電極５ｂ、ローレンツ力発生用配線パターン８の先端部８ａの位置が、可動部２の湾曲により変動することがない。

図２、図３に示されるようなマイクロスイッチの製造方法の例を図４に示す。図４に示すものは、図１におけるＹ１−Ｙ１端面を基本としているが、説明のために接点４ａ、静電力用電極５ａ、配線部１２ａを併せて図示している。

まず、シリコンからなる固定部１の上に、フォトリソグラフィ工程により接点４ａ、静電力用電極５ａ、配線部１２ａを製造する（ａ）。これらは、それぞれの部分に対応する孔の開いたマスクを固定部１の上に形成し、例えばイオンスパッタリングにより、孔の開いた部分にのみ、対応する金属膜を成膜すればよい。

その後、その上にフォトレジストからなる犠牲層１３を形成する。フォトリソグラフィにより、犠牲層１３の、配線部１２ａに対応する部分には孔１３ｃを形成し、又、後に接点４ｂ、静電力用電極５ｂが形成される部分には、それぞれ凹部１３ｂ、凹部１３ａを形成しておく（ｂ）。

そして、これらの凹部１３ａ、１３ｂの部分に孔あけをしたマスクを使用して、イオンスパッタリング等により、接点４ｂ、静電力用電極５ｂを形成する。さらに、凸状部１１を形成するための犠牲層１４を形成する（ｃ）。

そして、その上に第１の薄膜６を成膜し、さらにその上にローレンツ力発生用配線パターン８と静電力用電極用配線９を成膜する。第１の薄膜６の材料としては、SiＮを用いる。その際孔１３ｃが配線材料で埋まるようにする。その後、第２の薄膜７を成膜する（ｄ）。第２の薄膜７の材料としては、Alを用いる。最後に、犠牲層１３と犠牲層１４を酸素プラズマでエッチングすると、マイクロスイッチが完成する（ｅ）。

なお、以上の実施の形態は、可動部が固定部に対して片持ち梁の構造を有するものであったが、例えば特開２００３−１５９６９８号公報に記載されるような、両持ち梁の構成を採るようにしてもよい。

本発明の実施の形態の１例であるマイクロスイッチの原理を説明するための概要図である。本発明の実施の形態であるマイクロスイッチの詳しい構造を示した図である。図２の断面を示す図である。図２に示すマイクロスイッチの製法を示す図である。

符号の説明

１…固定部、２…可動部、３…固定端、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ…脚部、４ａ…接点、４ｂ…接点、５ａ…静電力用電極、５ｂ…静電力用電極、６…第１の薄膜、７…第２の薄膜、８…ローレンツ力発生用配線パターン、８ａ…先端部、９…静電力用電極用配線、１０…接点用配線、１１…凸状部、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…配線部，１３…犠牲層、１３ａ，１３ｂ…凹部、１３ｃ…孔、１４…犠牲層

Claims

固定部と、当該固定部に対して移動し得るように設けられた可動部とを備え、前記固定部は第１の電極部を有し、前記可動部は、前記第１の電極部との間の電圧により前記第１の電極部との間に静電力を生じ得る第２の電極部と、磁界内に配置されて通電によりローレンツ力を生ずる電流経路とを有し、前記固定部と前記可動部には、それぞれ前記可動部の移動に応じて接離する接点が設けられていることを特徴とするマイクロスイッチ。
前記可動部が薄膜で構成されたことを特徴とする請求項１記載のマイクロスイッチ。
前記電流経路は、前記静電力が増大する第１の位置に前記可動部を移動させるような方向にローレンツ力を生じ得るように、配置されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のマイクロスイッチ。
前記可動部は、前記第１の位置と前記静電力が低下又は消失する第２の位置との間を移動し得るとともに、前記第２の位置に復帰しようとする復帰力が生ずるように、設けられたことを特徴とする請求項３に記載のマイクロスイッチ。
請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載のマイクロスイッチであって、前記可動部は前記固定部に対して固定端が固定された片持ち梁構造を有し、前記可動部の前記固定端と自由端との間には、複数の梁構成部が形成され、前記第１の電極部、前記接点、および前記ローレンツ力を生ずる電流経路を生じる経路のうちローレンツ力の発生に寄与する部分は、曲げ剛性の強い第１の梁構成部に配置され、前記第１の梁構成部と前記固定端の間には、前記ローレンツ力、前記静電力により容易に変形する曲げ剛性の弱い第２の梁構成部が形成されていることを特徴とするマイクロスイッチ。
前記第２の梁構成部は、前記可動部が力を受けない状態で、前記固定部とは反対側に湾曲していることを特徴とする請求項５に記載のマイクロスイッチ。
前記第２の梁構成部が、バイモルフ構造とされ、それにより、前記固定部とは反対側に湾曲していることを特徴とする請求項６に記載のマイクロスイッチ。
請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載のマイクロスイッチの駆動方法であって、前記可動部を前記固定部に近づける最初の段階では、ローレンツ力のみ又はローレンツ力と静電力により前記可動部を前記固定部に近づけ、所定時間経過後は、静電力のみにより駆動を行うことを特徴とするマイクロスイッチの駆動方法。