JPH0242382A - 移動ステージ構造 - Google Patents
移動ステージ構造Info
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- JPH0242382A JPH0242382A JP63192192A JP19219288A JPH0242382A JP H0242382 A JPH0242382 A JP H0242382A JP 63192192 A JP63192192 A JP 63192192A JP 19219288 A JP19219288 A JP 19219288A JP H0242382 A JPH0242382 A JP H0242382A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、移動ステージ構造に関し、詳しくは半導体焼
付装置または電子ビーム加工装置等に用いられる移動ス
テージを構成するメインフレームに関する。
付装置または電子ビーム加工装置等に用いられる移動ス
テージを構成するメインフレームに関する。
［従来の技術］
第４図は、従来の半導体焼付装置のウェハステージ周辺
部の基本構成図である。同図に示すように従来の半導体
焼付装置では、マスク１１に描かれた回路パターンが縮
小投影レンズ１２を通して紫外線１３によりウェハ１上
のレジスト層に投影され焼き付けられる。ウェハ１は定
盤１４の上に取付けられた移動ステージ１５上に置かれ
、焼付位置に位置決めされる。従って、ウェハの焼付位
置の位置決め精度は、定盤１４および穆勅ステージ１５
の剛性、防振性および減衰性等に依存している。また、
半導体集積回路としての集積度の限界は、縮小投影レン
ズ１２の光学性能および紫外線の回折等に依存している
。
部の基本構成図である。同図に示すように従来の半導体
焼付装置では、マスク１１に描かれた回路パターンが縮
小投影レンズ１２を通して紫外線１３によりウェハ１上
のレジスト層に投影され焼き付けられる。ウェハ１は定
盤１４の上に取付けられた移動ステージ１５上に置かれ
、焼付位置に位置決めされる。従って、ウェハの焼付位
置の位置決め精度は、定盤１４および穆勅ステージ１５
の剛性、防振性および減衰性等に依存している。また、
半導体集積回路としての集積度の限界は、縮小投影レン
ズ１２の光学性能および紫外線の回折等に依存している
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、近年では半導体に対して、より一層の集
積度が要求され、回路寸法はより小さく紫外線の回折に
よる解像限界を超えるものが要求されるようになった。
積度が要求され、回路寸法はより小さく紫外線の回折に
よる解像限界を超えるものが要求されるようになった。
そこで、紫外線よりも解像度の高いＸ線あるいは電子ビ
ームを用いた半導体焼付装置が考え出されてきた。特に
、Ｘ線による焼付装置としては、強度が強く平行性の良
好なシンクロトロン放射光ＳＯＲを用いたものが有望視
されている。
ームを用いた半導体焼付装置が考え出されてきた。特に
、Ｘ線による焼付装置としては、強度が強く平行性の良
好なシンクロトロン放射光ＳＯＲを用いたものが有望視
されている。
ところが、ＳＯＲからのＸ線は水平方向に放射され、反
射鏡による光路変更を行なうと強度損失が大きいため、
従来のような水平面内での穆勤ステージ構造の焼付装置
を用いることは不利となる。そこで、焼付装置を縦形と
し、鉛直平面内を上下左右に移動し、高速で高精度な位
置決めを行なう移動ステージ構造が必要となる。
射鏡による光路変更を行なうと強度損失が大きいため、
従来のような水平面内での穆勤ステージ構造の焼付装置
を用いることは不利となる。そこで、焼付装置を縦形と
し、鉛直平面内を上下左右に移動し、高速で高精度な位
置決めを行なう移動ステージ構造が必要となる。
しかしながら、従来の移動ステージ構造をそのまま縦形
にしたのでは、高剛性および高減衰性を実現する定盤が
重量物であるため、焼付装置全体の支持構造が著しく大
型となる欠点があった。
にしたのでは、高剛性および高減衰性を実現する定盤が
重量物であるため、焼付装置全体の支持構造が著しく大
型となる欠点があった。
一方、小形軽量化のために、ステージやガイドや駆動機
構を取付ける移動ステージ構造としてフレーム構造を用
いることが考えられる。しかし、フレーム構造を用いた
場合には、ステージ移動および停止に伴なうフレーム構
造の変形や振動が発生しやすく、高速および高精度な半
導体焼付プロセスを実現することが困難となるという問
題点があった。
構を取付ける移動ステージ構造としてフレーム構造を用
いることが考えられる。しかし、フレーム構造を用いた
場合には、ステージ移動および停止に伴なうフレーム構
造の変形や振動が発生しやすく、高速および高精度な半
導体焼付プロセスを実現することが困難となるという問
題点があった。
本発明の目的は、上述の従来形における問題点に鑑み、
高剛性および高減衰性の特性を有する鉛直面内移動ステ
ージを実現し、位置決めの高速、高精度化を実現する移
動ステージ構造を提供することにある。
高剛性および高減衰性の特性を有する鉛直面内移動ステ
ージを実現し、位置決めの高速、高精度化を実現する移
動ステージ構造を提供することにある。
［課題を解決するための手段および作用］上記の目的を
達成するため、本発明では、移動ステージを取付けるメ
インフレームとして、内部に節を設けた中空パイプで構
成されるフレーム構造を用い、さらにこの中空パイプの
内側に減衰性を増すための物質を封入したことを特徴と
する。
達成するため、本発明では、移動ステージを取付けるメ
インフレームとして、内部に節を設けた中空パイプで構
成されるフレーム構造を用い、さらにこの中空パイプの
内側に減衰性を増すための物質を封入したことを特徴と
する。
内部に節を設けた中空パイプによりフレームを構成した
ことにより十分な剛性が得られ、また中空パイプの内側
に減衰性を増すための物質を封入したことにより、ステ
ージの移動停止等の動作に伴なう振動が速やかに減衰さ
れる。
ことにより十分な剛性が得られ、また中空パイプの内側
に減衰性を増すための物質を封入したことにより、ステ
ージの移動停止等の動作に伴なう振動が速やかに減衰さ
れる。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る移動ステージ構造の
外観を示す。同図において、１はウェハ、２は移動ステ
ージ、３．４はガイドバー５．６はステージ駆動用モー
タ、７はメインフレームである。ウェハ１を固定しであ
る穆勤ステージ２は、２対のガイドバー３．４および２
個のステージ駆動用モータ５．６により鉛直平面内を移
動し、所定の焼付位置にウェハ１が置かれるように位置
決めされる。移動ステージ２は移動重量および移動距離
とも大きいため、特にガイドバー４に対してはその平行
度および剛性とも高い精度が要求される。そこで本実施
例の移動ステージ構造では、ガイドバー４は中空パイプ
で構成されたメインフレーム７に精度よく取り付けられ
ている。
外観を示す。同図において、１はウェハ、２は移動ステ
ージ、３．４はガイドバー５．６はステージ駆動用モー
タ、７はメインフレームである。ウェハ１を固定しであ
る穆勤ステージ２は、２対のガイドバー３．４および２
個のステージ駆動用モータ５．６により鉛直平面内を移
動し、所定の焼付位置にウェハ１が置かれるように位置
決めされる。移動ステージ２は移動重量および移動距離
とも大きいため、特にガイドバー４に対してはその平行
度および剛性とも高い精度が要求される。そこで本実施
例の移動ステージ構造では、ガイドバー４は中空パイプ
で構成されたメインフレーム７に精度よく取り付けられ
ている。
第２図は、第１図のメインフレーム７の詳細図である。
中空パイプの内部を説明するため、パイプの一部を取除
いて図示している。同図において、メインフレーム７は
中空の角柱パイプを組合せた構成であり、各角柱パイプ
は節８を内部に設けることにより、十分な剛性が得られ
るようになっている。さらに、節８によって仕切られた
メインフレーム７の内部の小部屋９には、砂等の高減衰
率の物質１０を封入してあり、移動ステージの移動およ
び停止に伴なうメインフレーム７の弾性変形撮動を速や
かに減衰させる効果をもたせている。
いて図示している。同図において、メインフレーム７は
中空の角柱パイプを組合せた構成であり、各角柱パイプ
は節８を内部に設けることにより、十分な剛性が得られ
るようになっている。さらに、節８によって仕切られた
メインフレーム７の内部の小部屋９には、砂等の高減衰
率の物質１０を封入してあり、移動ステージの移動およ
び停止に伴なうメインフレーム７の弾性変形撮動を速や
かに減衰させる効果をもたせている。
なお、上記実施例においてメインフレーム７の重量を小
さくする必要がある場合、あるいは角柱パイプに貫通穴
を設けて機器等を付加する必要がある場合には、節８で
仕切られた小部屋９のうちの一部に高減衰性物質１０を
封入することとすればよい。
さくする必要がある場合、あるいは角柱パイプに貫通穴
を設けて機器等を付加する必要がある場合には、節８で
仕切られた小部屋９のうちの一部に高減衰性物質１０を
封入することとすればよい。
また、高減衰性物質１０としては砂のほか、金属粒およ
び高粘性の高分子化合物等を用いることができる。
び高粘性の高分子化合物等を用いることができる。
さらに、上記実施例において、メインフレーム７を構成
する中空パイプは角柱パイプのほか、円柱パイプまたは
長円柱パイプ等を用いてもよく、同様の効果が得られる
。第３図は、円柱パイプを用いた実施例に係る移動ステ
ージ構造の外観を示す。
する中空パイプは角柱パイプのほか、円柱パイプまたは
長円柱パイプ等を用いてもよく、同様の効果が得られる
。第３図は、円柱パイプを用いた実施例に係る移動ステ
ージ構造の外観を示す。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、半導体焼付装置
のウェハ移動ステージ等に適用する穆勤ステージ構造に
おいて、フレーム構造を中空パイプで構成し、さらに中
空パイプ内に節を設けそれにより仕切られた小部屋に高
減衰性物質を封入しているので、高剛性および高減衰性
の鉛直面内移動ステージを実現することができ、位置決
めの高速および高精度化を実現することができる。
のウェハ移動ステージ等に適用する穆勤ステージ構造に
おいて、フレーム構造を中空パイプで構成し、さらに中
空パイプ内に節を設けそれにより仕切られた小部屋に高
減衰性物質を封入しているので、高剛性および高減衰性
の鉛直面内移動ステージを実現することができ、位置決
めの高速および高精度化を実現することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る半導体焼付装置のウ
ェハ移動ステージの構成図、 第２図は、第１図のメインフレーム部分の詳細図、 第３図は、円柱パイプを用いた実施例に係る移動ステー
ジの構成図、 第４図は、従来の半導体焼付装置のウェハステージ周辺
部の外観図である。 １：ウェハ、 ２：移動ステージ、 ３．４＝ガイドバー ５．６：ステージ駆動用モータ、 ７：メインフレーム、 ８：節、 ９：小部屋、 １０：高減衰性の物質。
ェハ移動ステージの構成図、 第２図は、第１図のメインフレーム部分の詳細図、 第３図は、円柱パイプを用いた実施例に係る移動ステー
ジの構成図、 第４図は、従来の半導体焼付装置のウェハステージ周辺
部の外観図である。 １：ウェハ、 ２：移動ステージ、 ３．４＝ガイドバー ５．６：ステージ駆動用モータ、 ７：メインフレーム、 ８：節、 ９：小部屋、 １０：高減衰性の物質。
Claims (2)
- （１）移動ステージを構成するフレーム構造として内部
に節を設けた中空パイプを用い、該中空パイプ内に減衰
性の高い物質を封入したことを特徴とする移動ステージ
構造。 - （２）前記減衰性の高い物質として、砂、金属粒、ゴム
もしくは油脂のいずれか、またはこれらを組合せたもの
を用いた特許請求の範囲第１項記載の移動ステージ構造
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192192A JPH0242382A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 移動ステージ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192192A JPH0242382A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 移動ステージ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242382A true JPH0242382A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16287213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63192192A Pending JPH0242382A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 移動ステージ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242382A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022200A1 (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Nikon Corporation | ステージ装置及び露光装置 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2014176951A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-09-25 | Takamatsu Machinery Co Ltd | 工作機械 |
| JP2015213985A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 高松機械工業株式会社 | 工作機械 |
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| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
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| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63192192A patent/JPH0242382A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| TWI416264B (zh) * | 2004-08-24 | 2013-11-21 | 尼康股份有限公司 | 載台裝置與曝光裝置 |
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| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
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| JP2016106036A (ja) * | 2013-02-14 | 2016-06-16 | 高松機械工業株式会社 | 工作機械 |
| JP2015213985A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 高松機械工業株式会社 | 工作機械 |
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