JPH10116778A - スキャン露光装置 - Google Patents
スキャン露光装置Info
- Publication number
- JPH10116778A JPH10116778A JP8285917A JP28591796A JPH10116778A JP H10116778 A JPH10116778 A JP H10116778A JP 8285917 A JP8285917 A JP 8285917A JP 28591796 A JP28591796 A JP 28591796A JP H10116778 A JPH10116778 A JP H10116778A
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- JP
- Japan
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- exposure
- pulse
- intensity
- scanning
- correction
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルス光光源の急激かつ大幅なパルス光強度
変化に対しても有効に照度むらを抑える。 【解決手段】 露光光源としてパルス光を用い、装置各
部を走査して露光を行なうスキャン露光装置において、
露光パルスの強度をモニタする露光パルスモニタ手段
と、該モニタ手段によって得られた露光パルスによる露
光量を記憶する露光パルス記憶手段と、該露光パルス発
光時の装置各部の走査位置を記憶する位置記憶手段とを
設ける。
変化に対しても有効に照度むらを抑える。 【解決手段】 露光光源としてパルス光を用い、装置各
部を走査して露光を行なうスキャン露光装置において、
露光パルスの強度をモニタする露光パルスモニタ手段
と、該モニタ手段によって得られた露光パルスによる露
光量を記憶する露光パルス記憶手段と、該露光パルス発
光時の装置各部の走査位置を記憶する位置記憶手段とを
設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スキャン露光装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スキャン露光装置には各種のものがある
が、半導体製造用のものは、ウエハとレチクルをそれぞ
れ移動可能なテーブルに載せて同時に駆動することによ
り、露光光を投影レンズまたはミラーを介して走査しレ
チクルの像をウエハに焼き付ける。最近この種の装置で
も、半導体プロセスの微細化に伴って、露光光源として
より波長の短いエキシマレーザなどを採用するものがあ
る。周知のとおり、エキシマレーザはパルス状に発光す
ることが特徴である。
が、半導体製造用のものは、ウエハとレチクルをそれぞ
れ移動可能なテーブルに載せて同時に駆動することによ
り、露光光を投影レンズまたはミラーを介して走査しレ
チクルの像をウエハに焼き付ける。最近この種の装置で
も、半導体プロセスの微細化に伴って、露光光源として
より波長の短いエキシマレーザなどを採用するものがあ
る。周知のとおり、エキシマレーザはパルス状に発光す
ることが特徴である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、露光装置用のエ
キシマレーザは種々の改良がなされ、性能および信頼性
が上がってきている。その一方で、大パワー化や繰り返
し周波数の高速化に伴って、発光パルス強度が急激に落
ちるパルス欠陥や発振指令に対してミスファイヤを起こ
すパルス欠落などの現象も報告されている。
キシマレーザは種々の改良がなされ、性能および信頼性
が上がってきている。その一方で、大パワー化や繰り返
し周波数の高速化に伴って、発光パルス強度が急激に落
ちるパルス欠陥や発振指令に対してミスファイヤを起こ
すパルス欠落などの現象も報告されている。
【０００４】ところで、こうしたパルス発光型の光源を
用いたスキャン露光装置の露光制御アルゴリズムは、光
源の発光パルス強度の変動に対して、そのパルス強度そ
のものを変化させて制御したり、スキャンスピードや発
光周波数を変化させて制御し露光むらを抑えている。し
かしながら、先述したようなパルス欠陥やパルス欠落な
ど、発光強度の急激かつ大幅な変動に対して必ずしも有
効に機能しない場合がある。
用いたスキャン露光装置の露光制御アルゴリズムは、光
源の発光パルス強度の変動に対して、そのパルス強度そ
のものを変化させて制御したり、スキャンスピードや発
光周波数を変化させて制御し露光むらを抑えている。し
かしながら、先述したようなパルス欠陥やパルス欠落な
ど、発光強度の急激かつ大幅な変動に対して必ずしも有
効に機能しない場合がある。
【０００５】本発明は、このような急激かつ大幅なパル
ス強度変化に対しても有効に照度むらを抑える手段を提
供することを目的とする。
ス強度変化に対しても有効に照度むらを抑える手段を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、露光パルスの強度をモニタする
露光パルスモニタ手段と、該モニタ手段によって得られ
た露光パルスによる露光量を記憶する露光パルス記憶手
段と、該露光パルス発光時の装置各部の走査位置を記憶
する位置記憶手段とを有することを特徴とし、それらを
用いて露光むらを補正するための補正露光を行なうこと
を可能にしている。
成するために本発明は、露光パルスの強度をモニタする
露光パルスモニタ手段と、該モニタ手段によって得られ
た露光パルスによる露光量を記憶する露光パルス記憶手
段と、該露光パルス発光時の装置各部の走査位置を記憶
する位置記憶手段とを有することを特徴とし、それらを
用いて露光むらを補正するための補正露光を行なうこと
を可能にしている。
【０００７】本発明の好ましい実施例においては、前記
の補正露光を自動的に行なう、補正露光手段を有してい
る。この補正露光手段は、前記露光パルスモニタ手段に
よって得られた露光パルスによる露光量が、ある量より
少ない場合、すなわち過少露光の場合、露光のための走
査が終了した後に、該過少露光の露光パルス発光時の装
置各部の走査位置を前記位置記憶手段から読み出して、
当該位置に装置各部を駆動して、補正露光を行なう。こ
の場合、前記補正露光手段は、前記過少露光の露光パル
スおよびその前後のパルス列による露光量を前記露光パ
ルス記憶手段から読み出して、最適な補正露光のための
露光量を算出するための演算手段を備え、該演算手段に
よって算出された値に基づいて前記補正露光を行なう。
また、前記走査露光中は、前記露光パルスモニタ手段に
よって得られた露光パルスによる露光量が、ある量より
少ない場合、すなわち過少露光の場合でも、その過少露
光であったパルス発光をその露光過程において正常とみ
なしうる量のパルス強度があったものとして、以後の露
光制御を実施する。
の補正露光を自動的に行なう、補正露光手段を有してい
る。この補正露光手段は、前記露光パルスモニタ手段に
よって得られた露光パルスによる露光量が、ある量より
少ない場合、すなわち過少露光の場合、露光のための走
査が終了した後に、該過少露光の露光パルス発光時の装
置各部の走査位置を前記位置記憶手段から読み出して、
当該位置に装置各部を駆動して、補正露光を行なう。こ
の場合、前記補正露光手段は、前記過少露光の露光パル
スおよびその前後のパルス列による露光量を前記露光パ
ルス記憶手段から読み出して、最適な補正露光のための
露光量を算出するための演算手段を備え、該演算手段に
よって算出された値に基づいて前記補正露光を行なう。
また、前記走査露光中は、前記露光パルスモニタ手段に
よって得られた露光パルスによる露光量が、ある量より
少ない場合、すなわち過少露光の場合でも、その過少露
光であったパルス発光をその露光過程において正常とみ
なしうる量のパルス強度があったものとして、以後の露
光制御を実施する。
【０００８】
（第１の実施例）図１は、本発明の一実施例に係るスキ
ャン露光装置のブロック構成を示す。同図において、１
はスキャン露光装置全体を制御する主制御部、２は露光
領域を制限するための露光マスクを制御する露光マスク
制御システム、３はウエハに転写されるパターンが描画
されているレチクルの走査のためのレチクルステージを
制御するレチクル走査制御システム、４は該レチクル上
の転写パターンの像面にウエハの露光面が一致するよう
にウエハ姿勢を合わせるためウエハステージを制御する
ウエハ姿勢制御システム、５はウエハを走査するための
Ｘ−Ｙステージを制御するウエハ走査制御システム、６
は露光条件を満足するように光源であるエキシマレーザ
の発光強度、発光周波数および発光タイミング等を制御
する露光制御システム、７は露光パルスの発光強度をモ
ニタするパルス強度モニタ、８は該パルス強度モニタ７
のデータを記憶するための露光パルス記憶部、９は露光
パルス発光毎の露光マスク、レチクルステージ、ウエハ
ステージおよびＸ−Ｙステージ等の位置情報を記憶する
ための露光位置記憶部、１０は前記露光パルス記憶部８
および露光位置記憶部１０の情報を読み出して補正露光
のための処理を行ない、主制御部に補正露光を行なわせ
るための補正露光制御手段である。
ャン露光装置のブロック構成を示す。同図において、１
はスキャン露光装置全体を制御する主制御部、２は露光
領域を制限するための露光マスクを制御する露光マスク
制御システム、３はウエハに転写されるパターンが描画
されているレチクルの走査のためのレチクルステージを
制御するレチクル走査制御システム、４は該レチクル上
の転写パターンの像面にウエハの露光面が一致するよう
にウエハ姿勢を合わせるためウエハステージを制御する
ウエハ姿勢制御システム、５はウエハを走査するための
Ｘ−Ｙステージを制御するウエハ走査制御システム、６
は露光条件を満足するように光源であるエキシマレーザ
の発光強度、発光周波数および発光タイミング等を制御
する露光制御システム、７は露光パルスの発光強度をモ
ニタするパルス強度モニタ、８は該パルス強度モニタ７
のデータを記憶するための露光パルス記憶部、９は露光
パルス発光毎の露光マスク、レチクルステージ、ウエハ
ステージおよびＸ−Ｙステージ等の位置情報を記憶する
ための露光位置記憶部、１０は前記露光パルス記憶部８
および露光位置記憶部１０の情報を読み出して補正露光
のための処理を行ない、主制御部に補正露光を行なわせ
るための補正露光制御手段である。
【０００９】これらの構成で、主制御部１がスキャン露
光指令を、露光マスク制御システム２、レチクル走査制
御システム３、ウエハ姿勢制御システム４、ウエハ走査
制御システム５および露光制御システム６にそれぞれ出
力すると、一連のスキャン露光動作が開始される。露光
中はパルス強度モニタ７の出力をモニタしながら露光ア
ルゴリズムにしたがって、露光パルス強度等を変化させ
て露光を実行する。この際、各露光パルス発光時の露光
パルス強度が露光パルス記憶部８に、前記露光マスクの
位置、前記レチクルステージの位置、前記ウエハステー
ジの姿勢および前記Ｘ−Ｙステージの位置等が露光位置
記憶部９に記憶される。
光指令を、露光マスク制御システム２、レチクル走査制
御システム３、ウエハ姿勢制御システム４、ウエハ走査
制御システム５および露光制御システム６にそれぞれ出
力すると、一連のスキャン露光動作が開始される。露光
中はパルス強度モニタ７の出力をモニタしながら露光ア
ルゴリズムにしたがって、露光パルス強度等を変化させ
て露光を実行する。この際、各露光パルス発光時の露光
パルス強度が露光パルス記憶部８に、前記露光マスクの
位置、前記レチクルステージの位置、前記ウエハステー
ジの姿勢および前記Ｘ−Ｙステージの位置等が露光位置
記憶部９に記憶される。
【００１０】スキャン露光中のウエハに照射される露光
パルス列を模式的に表わしたものが図２である。通常の
露光では同図のごとく、強度がほぼ揃った露光パルス列
がウエハ上にほぼ等間隔で並んだように露光され、図３
に示すようにその積算値は、ウエハ上の各点で露光量が
等しくなる、すなわち露光むらのない状態で露光されて
いる。図４は、スキャン露光の途上で、露光パルスが１
つだけ抜けた場合を表わす図である。一般的な露光アル
ゴリズムでは、当該露光パルス以前の露光パルス列のパ
ルス強度等から当該露光パルスのパルス強度を決定して
いるため、同図に見られるように欠落の影響を補正する
ために、露光パルス欠落直後の露光パルスはその強度が
増加している。さらにその次の露光パルスは前露光パル
スの強度が大きかったためその影響を受けて、そのパル
ス強度は逆に小さくなっている。図５はこの場合の露光
パルスの積算値を表わしたものである。同図からわかる
ように、露光パルス欠落の影響で露光むらが発生してい
るのがわかる。このように走査露光中に露光パルスが欠
落した場合には、走査露光中の今までの露光パルス列の
パルス強度等から次の露光パルスのパルス強度を決定す
る従来の露光量制御方式では露光むらの補正はできず、
むしろ露光むらが増加する場合もある。この理由から、
露光パルス欠落のように、本来露光パルスに期待される
強度が、ある値以下であった場合に露光を停止する装置
もある。
パルス列を模式的に表わしたものが図２である。通常の
露光では同図のごとく、強度がほぼ揃った露光パルス列
がウエハ上にほぼ等間隔で並んだように露光され、図３
に示すようにその積算値は、ウエハ上の各点で露光量が
等しくなる、すなわち露光むらのない状態で露光されて
いる。図４は、スキャン露光の途上で、露光パルスが１
つだけ抜けた場合を表わす図である。一般的な露光アル
ゴリズムでは、当該露光パルス以前の露光パルス列のパ
ルス強度等から当該露光パルスのパルス強度を決定して
いるため、同図に見られるように欠落の影響を補正する
ために、露光パルス欠落直後の露光パルスはその強度が
増加している。さらにその次の露光パルスは前露光パル
スの強度が大きかったためその影響を受けて、そのパル
ス強度は逆に小さくなっている。図５はこの場合の露光
パルスの積算値を表わしたものである。同図からわかる
ように、露光パルス欠落の影響で露光むらが発生してい
るのがわかる。このように走査露光中に露光パルスが欠
落した場合には、走査露光中の今までの露光パルス列の
パルス強度等から次の露光パルスのパルス強度を決定す
る従来の露光量制御方式では露光むらの補正はできず、
むしろ露光むらが増加する場合もある。この理由から、
露光パルス欠落のように、本来露光パルスに期待される
強度が、ある値以下であった場合に露光を停止する装置
もある。
【００１１】この露光むらの問題を解決するために本実
施例では、先ず、露光パルスに極度の異常があった場
合、すなわち露光パルスのパルス強度がある値以下であ
った場合、露光アルゴリズムに対して露光アルゴリズム
が指定したとおりの露光パルスが得られたものとして、
以後の露光を実行するようにしている。なお露光パルス
の強度は前記パルス強度モニタ７で逐次モニタしてい
る。図６および図７は先述のように露光パルス欠落が発
生しかつ、露光アルゴリズムが欠落した露光パルスが正
常であったものとして一連の露光を終了した様子を表わ
している。この状態では、図７からわかるようにウエハ
のある部分に過少露光部分が存在している。そこでこの
一連の露光を終了した後に、補正露光制御手段１０は、
パルス強度記憶部８から、異常を起こした露光パルスと
その前後の露光パルス列を読み出し、さらにそれらに対
応した露光マスク位置、レチクルステージ位置、ウエハ
ステージ姿勢およびＸ−Ｙステージ位置等のデータを露
光位置記憶部９から読み出す。これらのデータから図７
の積算値を補正するための最適な補正露光パルス強度
と、最適な補正露光位置を算出して主制御部１にそれら
のデータを送出する。主制御部１はこのデータを受け
て、適切なタイミングで補正露光動作に入る。補正露光
は、補正露光制御手段１０から受け取ったデータをもと
に、補正露光に最適な位置に、露光マスク、レチクルス
テージ、ウエハステージおよびＸ−Ｙステージ等をそれ
ぞれ駆動する。ここで、主制御部１が補正露光に最適な
露光パルス強度およびパルス数等を指定して、露光制御
システム６に補正露光指令を出力すると、露光制御シス
テム６は指定されたデータにしたがってパルス発光を行
なう。このようにして補正露光の一連の動作が終了する
と、図７の積算値は、図３のごとく正常なスキャン露光
が行なわれたと同等に露光むらのない状態となる。
施例では、先ず、露光パルスに極度の異常があった場
合、すなわち露光パルスのパルス強度がある値以下であ
った場合、露光アルゴリズムに対して露光アルゴリズム
が指定したとおりの露光パルスが得られたものとして、
以後の露光を実行するようにしている。なお露光パルス
の強度は前記パルス強度モニタ７で逐次モニタしてい
る。図６および図７は先述のように露光パルス欠落が発
生しかつ、露光アルゴリズムが欠落した露光パルスが正
常であったものとして一連の露光を終了した様子を表わ
している。この状態では、図７からわかるようにウエハ
のある部分に過少露光部分が存在している。そこでこの
一連の露光を終了した後に、補正露光制御手段１０は、
パルス強度記憶部８から、異常を起こした露光パルスと
その前後の露光パルス列を読み出し、さらにそれらに対
応した露光マスク位置、レチクルステージ位置、ウエハ
ステージ姿勢およびＸ−Ｙステージ位置等のデータを露
光位置記憶部９から読み出す。これらのデータから図７
の積算値を補正するための最適な補正露光パルス強度
と、最適な補正露光位置を算出して主制御部１にそれら
のデータを送出する。主制御部１はこのデータを受け
て、適切なタイミングで補正露光動作に入る。補正露光
は、補正露光制御手段１０から受け取ったデータをもと
に、補正露光に最適な位置に、露光マスク、レチクルス
テージ、ウエハステージおよびＸ−Ｙステージ等をそれ
ぞれ駆動する。ここで、主制御部１が補正露光に最適な
露光パルス強度およびパルス数等を指定して、露光制御
システム６に補正露光指令を出力すると、露光制御シス
テム６は指定されたデータにしたがってパルス発光を行
なう。このようにして補正露光の一連の動作が終了する
と、図７の積算値は、図３のごとく正常なスキャン露光
が行なわれたと同等に露光むらのない状態となる。
【００１２】これらの補正露光は、先述した露光パルス
の欠落や強度低下に対して有効であり、また複数の連続
あるいは不連続な露光パルス異常に対しても同等な効果
を発揮することはいうまでもない。
の欠落や強度低下に対して有効であり、また複数の連続
あるいは不連続な露光パルス異常に対しても同等な効果
を発揮することはいうまでもない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればス
キャン露光における露光パルスの異常による露光むらの
悪化を防止することができる。
キャン露光における露光パルスの異常による露光むらの
悪化を防止することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係るスキャン露光装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】 スキャン露光における露光パルス列を模式的
に表わした図である。
に表わした図である。
【図３】 スキャン露光における露光パルス列の積算値
を表わした図である。
を表わした図である。
【図４】 スキャン露光で露光パルスの欠落が発生した
場合を模式的に表わした図である。
場合を模式的に表わした図である。
【図５】 スキャン露光で露光パルスの欠落が発生した
場合の積算値を表わした図である。
場合の積算値を表わした図である。
【図６】 スキャン露光で露光パルスの欠落が発生し、
かつ露光アルゴリズムが正常な露光パルスが得られたも
のとして露光を継続した場合を模式的に表わした図であ
る。
かつ露光アルゴリズムが正常な露光パルスが得られたも
のとして露光を継続した場合を模式的に表わした図であ
る。
【図７】 スキャン露光で露光パルスの欠落が発生し、
かつ露光アルゴリズムが正常な露光パルスが得られたも
のとして露光を継続した場合の積算値を表わした図であ
る。
かつ露光アルゴリズムが正常な露光パルスが得られたも
のとして露光を継続した場合の積算値を表わした図であ
る。
１：主制御部、２：露光マスク制御システム、３：レチ
クル走査制御システム、４：ウエハ姿勢制御システム、
５：ウエハ走査制御システム、６：露光制御システム、
７：パルス強度モニタ、８：露光パルス記憶部、９：露
光位置記憶部、１０：補正露光制御手段。
クル走査制御システム、４：ウエハ姿勢制御システム、
５：ウエハ走査制御システム、６：露光制御システム、
７：パルス強度モニタ、８：露光パルス記憶部、９：露
光位置記憶部、１０：補正露光制御手段。
Claims (4)
- 【請求項１】 露光光源としてパルス光を用い、装置各
部を走査して露光を行なうスキャン露光装置において、 露光パルスの強度をモニタする露光パルスモニタ手段
と、該モニタ手段によって得られた露光パルスによる露
光量を記憶する露光パルス記憶手段と、該露光パルス発
光時の装置各部の走査位置を記憶する位置記憶手段を有
するスキャン露光装置。 - 【請求項２】 前記露光パルスモニタ手段によって検出
された露光量が所定量より少ない過少露光の露光パルス
発光が発生した場合、露光のための走査が終了した後
に、該過少露光の露光パルス発光時の装置各部の走査位
置を前記位置記憶手段から読み出し、当該位置に装置各
部を駆動して補正露光を行なう補正露光手段をさらに有
する請求項１に記載のスキャン露光装置。 - 【請求項３】 前記補正露光手段は、前記過少露光の露
光パルスおよびその前後のパルス列による露光量を前記
露光パルス記憶手段から読み出して、最適な補正露光の
ための露光量を算出するための演算手段を有し、該演算
手段によって算出された値に基づいて前記補正露光を行
なう、請求項２に記載のスキャン露光装置。 - 【請求項４】 前記露光パルスモニタ手段によって検出
された露光量が所定量より少ない過少露光の露光パルス
発光が発生した場合、その過少露光であったパルス発光
をその露光過程においては正常とみなしうる量のパルス
強度があったものとして以後の露光制御を実施すること
を特徴とする、請求項２および３に記載のスキャン露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285917A JPH10116778A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | スキャン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285917A JPH10116778A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | スキャン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116778A true JPH10116778A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17697695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8285917A Pending JPH10116778A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | スキャン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10116778A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007094470A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1996
- 1996-10-09 JP JP8285917A patent/JPH10116778A/ja active Pending
Cited By (17)
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