JP2000121491A - 光学系の評価方法 - Google Patents
光学系の評価方法Info
- Publication number
- JP2000121491A JP2000121491A JP10297846A JP29784698A JP2000121491A JP 2000121491 A JP2000121491 A JP 2000121491A JP 10297846 A JP10297846 A JP 10297846A JP 29784698 A JP29784698 A JP 29784698A JP 2000121491 A JP2000121491 A JP 2000121491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- wavefront aberration
- symmetric component
- projection optical
- odd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光学系による波面収差に基づいて、光学系の結
像性能をより正確に表現することが出来る評価手法を提
供する。 【解決手段】光学系１４の結像性能を評価する方法にお
いて、光学系１４を通過した波面収差Ｗ（ρ，θ）を瞳
の中央を中心とする回転対称成分Ｗrot（ρ，θ）と、
奇数対称成分Ｗodd（ρ，θ）と、偶数対称成分Ｗ
evn（ρ，θ）に分離し、分離された前記各成分Ｗrot、
Ｗodd、Ｗevnに基づいて前記光学系の結像性能を評価す
ることを特徴とする。
像性能をより正確に表現することが出来る評価手法を提
供する。 【解決手段】光学系１４の結像性能を評価する方法にお
いて、光学系１４を通過した波面収差Ｗ（ρ，θ）を瞳
の中央を中心とする回転対称成分Ｗrot（ρ，θ）と、
奇数対称成分Ｗodd（ρ，θ）と、偶数対称成分Ｗ
evn（ρ，θ）に分離し、分離された前記各成分Ｗrot、
Ｗodd、Ｗevnに基づいて前記光学系の結像性能を評価す
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学系の結像性能
の評価方法に関し、特に、光リソグラフィー用露光装置
に使用される投影光学系の結像性能の評価方法に関する
ものである。
の評価方法に関し、特に、光リソグラフィー用露光装置
に使用される投影光学系の結像性能の評価方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示素子、
または薄膜磁気ヘッド等を製造するための露光装置で
は、マスク、レチクルなどの投影原版上のパターンを、
投影光学系を介して、ウエハ、ガラスプレートなどの感
光性基板上に投影して露光している。投影光学系の形式
としては、露光波長の光を透過・屈折するレンズで構成
された屈折型の投影光学系、露光波長の光を反射するミ
ラーで構成された反射型の投影光学系、レンズとミラー
とを組み合わせた反射屈折型の投影光学系がある。
または薄膜磁気ヘッド等を製造するための露光装置で
は、マスク、レチクルなどの投影原版上のパターンを、
投影光学系を介して、ウエハ、ガラスプレートなどの感
光性基板上に投影して露光している。投影光学系の形式
としては、露光波長の光を透過・屈折するレンズで構成
された屈折型の投影光学系、露光波長の光を反射するミ
ラーで構成された反射型の投影光学系、レンズとミラー
とを組み合わせた反射屈折型の投影光学系がある。
【０００３】近年、半導体素子などの集積度はますます
高まり、すなわち基板上に転写されるパターンは微細化
の一途をたどっている。そのため、露光装置の投影光学
系は、微細なマスクパターンをウエハの感光面上に転写
するために、高解像力で無収差に近い、極めて高い光学
性能が要求されている。この要求を満足するためには、
投影光学系の設計上の光学性能や、投影光学系を構成す
るレンズ等の光学部品の内部均質性や研磨精度などの部
品精度や、個々の光学部品の組み立て調整の精度など
に、非常に高い性能・精度が必要になってきている。そ
れと同時に、組み立てられた投影光学系の現実の結像性
能を評価する手法にも、高い精度が必要になってきてい
る。
高まり、すなわち基板上に転写されるパターンは微細化
の一途をたどっている。そのため、露光装置の投影光学
系は、微細なマスクパターンをウエハの感光面上に転写
するために、高解像力で無収差に近い、極めて高い光学
性能が要求されている。この要求を満足するためには、
投影光学系の設計上の光学性能や、投影光学系を構成す
るレンズ等の光学部品の内部均質性や研磨精度などの部
品精度や、個々の光学部品の組み立て調整の精度など
に、非常に高い性能・精度が必要になってきている。そ
れと同時に、組み立てられた投影光学系の現実の結像性
能を評価する手法にも、高い精度が必要になってきてい
る。
【０００４】投影光学系の結像性能の評価方法について
は、従来より、ウエハの感光面上に形成されるマスクパ
ターンの空間像を観測して、その空間像に基づいて結像
性能を評価する方法や、ウエハの感光面を形成するレジ
スト上に転写される実際のレジスト像を計測して、その
レジスト像に基づいて結像性能を評価する方法が用いら
れている。そのほかに、投影光学系を通過した波面収差
を計測し、その波面収差の最大値と最小値の差（以下Ｐ
−Ｖ値という）や、自乗平均平方根（以下ＲＭＳ値とい
う）などを評価指標として、投影光学系の結像性能を評
価する方法が用いられており、この場合、Ｐ−Ｖ値やＲ
ＭＳ値が小さいほど優秀な光学系であると考えられてき
た。それ故、既存の「高性能」と称する光学系は、これ
らの値を小さくすることを目的に製造が行われてきた。
は、従来より、ウエハの感光面上に形成されるマスクパ
ターンの空間像を観測して、その空間像に基づいて結像
性能を評価する方法や、ウエハの感光面を形成するレジ
スト上に転写される実際のレジスト像を計測して、その
レジスト像に基づいて結像性能を評価する方法が用いら
れている。そのほかに、投影光学系を通過した波面収差
を計測し、その波面収差の最大値と最小値の差（以下Ｐ
−Ｖ値という）や、自乗平均平方根（以下ＲＭＳ値とい
う）などを評価指標として、投影光学系の結像性能を評
価する方法が用いられており、この場合、Ｐ−Ｖ値やＲ
ＭＳ値が小さいほど優秀な光学系であると考えられてき
た。それ故、既存の「高性能」と称する光学系は、これ
らの値を小さくすることを目的に製造が行われてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、波面収
差のＰ−Ｖ値やＲＭＳ値の小さな投影光学系を完成する
には非常に長い工期がかかり、そのため量産化が困難で
あった。しかもこのようにして製造された投影光学系
は、波面収差のＰ−Ｖ値やＲＭＳ値が同じである場合に
も、空間像や実際のレジスト像を用いた評価では差が生
じる場合が少なくない。すなわち従来の波面収差のＰ−
Ｖ値やＲＭＳ値を用いる評価方法では、所望の光学性能
が得られない場合がある。そして、所望の光学性能を達
成していない投影光学系によって感光性基板上にマスク
パターンを転写しても、より高い集積度を持つ半導体素
子等の各種の素子を製造することは困難となる。したが
って本発明は、光学系による波面収差に基づいて、光学
系の結像性能をより正確に表現することが出来る評価手
法を提供することを課題とする。
差のＰ−Ｖ値やＲＭＳ値の小さな投影光学系を完成する
には非常に長い工期がかかり、そのため量産化が困難で
あった。しかもこのようにして製造された投影光学系
は、波面収差のＰ−Ｖ値やＲＭＳ値が同じである場合に
も、空間像や実際のレジスト像を用いた評価では差が生
じる場合が少なくない。すなわち従来の波面収差のＰ−
Ｖ値やＲＭＳ値を用いる評価方法では、所望の光学性能
が得られない場合がある。そして、所望の光学性能を達
成していない投影光学系によって感光性基板上にマスク
パターンを転写しても、より高い集積度を持つ半導体素
子等の各種の素子を製造することは困難となる。したが
って本発明は、光学系による波面収差に基づいて、光学
系の結像性能をより正確に表現することが出来る評価手
法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたものであり、すなわち、光学系の結
像性能を評価する方法において、前記光学系を通過した
波面収差を前記光学系の瞳を中心とする回転対称成分
と、奇数対称成分と、偶数対称成分に分離し、分離され
た前記成分に基づいて前記光学系の結像性能を評価する
ことを特徴とする光学系の評価方法である。その際、前
記回転対称成分、奇数対称成分、及び偶数対称成分のそ
れぞれのＲＭＳ値（自乗平均平方根）を、前記光学系の
結像性能の評価指標とすることが出来る。
するためになされたものであり、すなわち、光学系の結
像性能を評価する方法において、前記光学系を通過した
波面収差を前記光学系の瞳を中心とする回転対称成分
と、奇数対称成分と、偶数対称成分に分離し、分離され
た前記成分に基づいて前記光学系の結像性能を評価する
ことを特徴とする光学系の評価方法である。その際、前
記回転対称成分、奇数対称成分、及び偶数対称成分のそ
れぞれのＲＭＳ値（自乗平均平方根）を、前記光学系の
結像性能の評価指標とすることが出来る。
【０００７】本発明はまた、投影原版上に形成された所
定のパターンの像を感光性基板上へ投影する投影光学系
の製造方法において、投影光学系の波面収差を測定する
第１工程と；該第１工程にて測定された前記波面収差
を、前記光学系の瞳を中心とする回転対称成分と、奇数
対称成分と、偶数対称成分とに分離する第２工程と；該
第２工程にて分離された前記各成分に基づいて、前記投
影光学系を調整する第３工程と；を有することを特徴と
する製造方法である。本発明は更に、投影原版上に形成
された所定のパターンの像を感光性基板上へ投影露光す
る投影露光装置において、上記の製造方法により製造さ
れた投影光学系を備えることを特徴とする投影露光装置
である。
定のパターンの像を感光性基板上へ投影する投影光学系
の製造方法において、投影光学系の波面収差を測定する
第１工程と；該第１工程にて測定された前記波面収差
を、前記光学系の瞳を中心とする回転対称成分と、奇数
対称成分と、偶数対称成分とに分離する第２工程と；該
第２工程にて分離された前記各成分に基づいて、前記投
影光学系を調整する第３工程と；を有することを特徴と
する製造方法である。本発明は更に、投影原版上に形成
された所定のパターンの像を感光性基板上へ投影露光す
る投影露光装置において、上記の製造方法により製造さ
れた投影光学系を備えることを特徴とする投影露光装置
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について具体
的に説明する。図１は、本発明による評価方法を適用し
ようとする投影光学系を備えた露光装置を示す。４００
ｎｍ以下の特定の波長、例えば２４８．４ｎｍの波長の
光を発する光源１１より発した光束は、照明光学系１２
を通過し、マスク１３上のパターンＰを均一な照度にて
照明する。パターンＰを通過した光束は、投影光学系１
４を介して、ウエハ１５上の感光面にパターンＰの像を
形成し、こうしてパターンＰの像がウエハ１５上の感光
面に転写される。
的に説明する。図１は、本発明による評価方法を適用し
ようとする投影光学系を備えた露光装置を示す。４００
ｎｍ以下の特定の波長、例えば２４８．４ｎｍの波長の
光を発する光源１１より発した光束は、照明光学系１２
を通過し、マスク１３上のパターンＰを均一な照度にて
照明する。パターンＰを通過した光束は、投影光学系１
４を介して、ウエハ１５上の感光面にパターンＰの像を
形成し、こうしてパターンＰの像がウエハ１５上の感光
面に転写される。
【０００９】投影光学系１４の結像性能を評価するに
は、先ず、投影光学系１４を通過した結像波面の波面収
差を測定する。波面収差の測定には、フィゾー型干渉
計、トワイマングリーン型干渉計、シアリング型干渉計
などが用いられる。一例として、図２にフィゾー型干渉
計を示す。光源２１から射出した光束は、ハーフプリズ
ム２２で反射（又は透過）して、フィゾーレンズ２３に
入射する。フィゾーレンズ２３に入射した光束のうち、
一部の光束はフィゾーレンズの参照面２３ａで反射して
参照光となり、往路を逆進してハーフプリズム２２に戻
る。フィゾーレンズ２３に入射した光束のうち、他の光
束は参照面２３ａを透過して測定光となる。測定光は、
投影光学系１４を通過し、ＸＹステージ２５上に載置さ
れた球面鏡２４で反射し、往路を逆進してハーフプリズ
ム２２に戻る。ハーフプリズム２２に入射した参照光と
測定光は、ハーフプリズム２２を透過（又は反射）し
て、撮像素子２６上に球面鏡２４の像を形成する。
は、先ず、投影光学系１４を通過した結像波面の波面収
差を測定する。波面収差の測定には、フィゾー型干渉
計、トワイマングリーン型干渉計、シアリング型干渉計
などが用いられる。一例として、図２にフィゾー型干渉
計を示す。光源２１から射出した光束は、ハーフプリズ
ム２２で反射（又は透過）して、フィゾーレンズ２３に
入射する。フィゾーレンズ２３に入射した光束のうち、
一部の光束はフィゾーレンズの参照面２３ａで反射して
参照光となり、往路を逆進してハーフプリズム２２に戻
る。フィゾーレンズ２３に入射した光束のうち、他の光
束は参照面２３ａを透過して測定光となる。測定光は、
投影光学系１４を通過し、ＸＹステージ２５上に載置さ
れた球面鏡２４で反射し、往路を逆進してハーフプリズ
ム２２に戻る。ハーフプリズム２２に入射した参照光と
測定光は、ハーフプリズム２２を透過（又は反射）し
て、撮像素子２６上に球面鏡２４の像を形成する。
【００１０】投影光学系１４に収差がないときには、測
定光は球面鏡２４の各点に同位相で入射し、フィゾーレ
ンズの参照面２３ａの各点に同位相で戻る。したがって
撮像素子２６上の各点で参照光と測定光との位相差が等
しいから、球面鏡２４の像は均一な強度分布となる。し
かるに、投影光学系１４に収差があるときには、撮像素
子２６上の各点で参照光と測定光との位相差が異なるか
ら、球面鏡２４の像として干渉縞が観測される。測定光
は投影光学系１４を２回通過しているから、干渉縞の位
相差を２で割ることにより、投影光学系１４の波面収差
Ｗを求めることが出来る。
定光は球面鏡２４の各点に同位相で入射し、フィゾーレ
ンズの参照面２３ａの各点に同位相で戻る。したがって
撮像素子２６上の各点で参照光と測定光との位相差が等
しいから、球面鏡２４の像は均一な強度分布となる。し
かるに、投影光学系１４に収差があるときには、撮像素
子２６上の各点で参照光と測定光との位相差が異なるか
ら、球面鏡２４の像として干渉縞が観測される。測定光
は投影光学系１４を２回通過しているから、干渉縞の位
相差を２で割ることにより、投影光学系１４の波面収差
Ｗを求めることが出来る。
【００１１】次いで、投影光学系１４の射出瞳面上に座
標系を定めて、得られた波面収差Ｗをその座標系で表わ
し、更に、直交関数系に展開する。本発明では、波面収
差Ｗを前記光学系の瞳を中心とする回転対称成分と、奇
数対称成分と、偶数対称成分に分離するから、座標系と
しては極座標を用い、直交関数系としてはツェルニケの
円筒関数を用いる。
標系を定めて、得られた波面収差Ｗをその座標系で表わ
し、更に、直交関数系に展開する。本発明では、波面収
差Ｗを前記光学系の瞳を中心とする回転対称成分と、奇
数対称成分と、偶数対称成分に分離するから、座標系と
しては極座標を用い、直交関数系としてはツェルニケの
円筒関数を用いる。
【００１２】すなわち、射出瞳面上に極座標を定め、得
られた波面収差Ｗを、 Ｗ（ρ，θ） として表わす。ここでρは射出瞳の半径を１に規格化し
た規格化瞳半怪、θは極座標の動径角である。次いで、
波面収差Ｗ（ρ，θ）を、ツェルニケの円筒関数系Ｚn
（ρ，θ）を用いて、 Ｗ（ρ，θ）＝ΣＣnＺn（ρ，θ） ‥‥（１） と展開する。ここでＣnは展開係数である。また、ツェ
ルニケの円筒関数系Ｚn（ρ，θ）のうち、ｎ＝０〜３
５は次の通りである。
られた波面収差Ｗを、 Ｗ（ρ，θ） として表わす。ここでρは射出瞳の半径を１に規格化し
た規格化瞳半怪、θは極座標の動径角である。次いで、
波面収差Ｗ（ρ，θ）を、ツェルニケの円筒関数系Ｚn
（ρ，θ）を用いて、 Ｗ（ρ，θ）＝ΣＣnＺn（ρ，θ） ‥‥（１） と展開する。ここでＣnは展開係数である。また、ツェ
ルニケの円筒関数系Ｚn（ρ，θ）のうち、ｎ＝０〜３
５は次の通りである。
【００１３】 ｎ：Ｚn（ρ，θ） 0：１ 1：ρcosθ 2：ρsinθ 3：２ρ2− １ 4：ρ2cos２θ 5：ρ2sin２θ 6：（３ρ2−２） ρcosθ 7：（３ρ2−２）ρsinθ 8：６ρ4−６ρ2＋１ 9：ρ3cos３θ 10：ρ3sin３θ 11：（４ρ2−３）ρ2cos２ θ 12：（４ρ2−３）ρ2sin２θ 13：（１０ρ4−１２ρ2＋３ ） ρcosθ 14：（１０ρ4−１２ρ2＋３） ρsinθ 15：２０ρ6 −３０ρ4＋１２ρ2−１ 16：ρ4cos４θ 17：ρ4sin４θ 18：（５ρ2−４）ρ3cos３θ 19：（５ρ2−４）ρ3sin３θ 20：（１５ρ4−２０ρ2＋６） ρ2cos２θ 21：（１５ρ4−２０ρ2＋６ ） ρ2sin２θ 22：（３５ρ6−６０ρ4＋３０ρ2−４） ρ cosθ 23：（３５ρ6−６０ρ4＋３０ρ2−４） ρ sinθ 24：７０ρ8−１４０ ρ6＋９０ρ4−２０ρ2＋１ 25：ρ5cos５θ 26：ρ5sin５θ 27：（６ρ2−５）ρ4cos４θ 28：（６ρ2−５）ρ4sin４θ 29：（２１ρ4−３０ρ2＋１０） ρ3cos３θ 30：（２１ρ4−３０ρ 2 ＋１０） ρ3sin３θ 31：（５６ρ6−１０４ρ4＋６０ρ2−１０）ρ2c os２θ 32：（５６ρ6−１０４ρ4＋６０ρ2−１０）ρ2sin２θ 33：（１２６ρ8−２８０ρ6＋２１０ρ4−６０ρ2＋５）ρcosθ 34： （１２６ρ8−２８０ρ6＋２１０ρ4−６０ρ2＋５）ρsinθ 35：２５ ２ρ10−６３０ρ8＋５６０ρ6−２１０ρ4＋３０ρ2−１
【００１４】既に述べたように、従来の波面収差Ｗに基
づく評価手法は、波面収差Ｗの最大最小の差（Ｐ−Ｖ
値）やＲＭＳ値を評価指標として用いていた。しかしな
がら、Ｐ−Ｖ値やＲＭＳ値による評価では同じ値となる
場合でも、各項の展開係数Ｃ0、Ｃ1、Ｃ2、‥‥の組み
合わせによっては、空間像やレジスト像による評価では
異なる性能を示す場合があった。すなわち波面収差Ｗの
Ｐ−Ｖ値やＲＭＳ値は、空間像やレジスト像による評価
を必ずしも正確に予測するものではなかった。
づく評価手法は、波面収差Ｗの最大最小の差（Ｐ−Ｖ
値）やＲＭＳ値を評価指標として用いていた。しかしな
がら、Ｐ−Ｖ値やＲＭＳ値による評価では同じ値となる
場合でも、各項の展開係数Ｃ0、Ｃ1、Ｃ2、‥‥の組み
合わせによっては、空間像やレジスト像による評価では
異なる性能を示す場合があった。すなわち波面収差Ｗの
Ｐ−Ｖ値やＲＭＳ値は、空間像やレジスト像による評価
を必ずしも正確に予測するものではなかった。
【００１５】そこで本発明者は、（１）式の各項を、 （ａ）θを含まない項、すなわち、ある座標での値と、
その座標を瞳の中央を中心として任意の角度だけ回転し
た座標での値とが等しい回転対称な成分 （ｂ）sin（又はcos）θ、sin（又はcos）３θなどの、
動径角θの奇数倍の３角関数を含む項、すなわち、ある
座標での値と、その座標を瞳の中央を中心として３６０
°の奇数分の１だけ回転した座標での値とが等しい奇数
対称な成分 （ｃ）sin（又はcos）２θ、sin（又はcos）４θなど
の、動径角θの偶数倍の３角関数を含む項、すなわち、
ある座標での値と、その座標を瞳の中央を中心として３
６０°の偶数分の１だけ回転した座標での値とが等しい
偶数対称な成分 に分類して検討した。
その座標を瞳の中央を中心として任意の角度だけ回転し
た座標での値とが等しい回転対称な成分 （ｂ）sin（又はcos）θ、sin（又はcos）３θなどの、
動径角θの奇数倍の３角関数を含む項、すなわち、ある
座標での値と、その座標を瞳の中央を中心として３６０
°の奇数分の１だけ回転した座標での値とが等しい奇数
対称な成分 （ｃ）sin（又はcos）２θ、sin（又はcos）４θなど
の、動径角θの偶数倍の３角関数を含む項、すなわち、
ある座標での値と、その座標を瞳の中央を中心として３
６０°の偶数分の１だけ回転した座標での値とが等しい
偶数対称な成分 に分類して検討した。
【００１６】すなわち、波面収差Ｗの回転対称成分、奇
数対称成分、及び偶数対称成分をそれぞれ、 Ｗrot、Ｗodd、Ｗevn とすると、 Ｗrot（ρ，θ） ＝Ｃ0＋Ｃ3（２ρ2−１）＋Ｃ8（６ρ4−６ρ2＋１） ＋Ｃ15（２０ρ6−３０ρ4＋１２ρ2−１） ＋Ｃ24（７０ρ8−１４０ρ6＋９０ρ4−２０ρ2＋１）＋‥‥ ‥‥（２） Ｗodd（ρ，θ） ＝Ｃ1（ρcosθ）＋Ｃ2（ρsinθ）＋Ｃ6（（３ρ2−２）ρcosθ） ＋Ｃ7（（３ρ2−２）ρsinθ）＋Ｃ9（ρ3cos３θ） ＋Ｃ10（ρ3sin３θ）＋‥‥ ‥‥（３） Ｗevn（ρ，θ） ＝Ｃ4（ρ2cos２θ）＋Ｃ5（ρ2sin２θ） ＋Ｃ11（（４ρ2−３）ρ2cos２θ） ＋Ｃ12（（４ρ2−３）ρ2sin２θ）＋Ｃ16（ρ4cos４θ） ＋Ｃ17（ρ4sin４θ）＋‥‥ ‥‥（４） となる。
数対称成分、及び偶数対称成分をそれぞれ、 Ｗrot、Ｗodd、Ｗevn とすると、 Ｗrot（ρ，θ） ＝Ｃ0＋Ｃ3（２ρ2−１）＋Ｃ8（６ρ4−６ρ2＋１） ＋Ｃ15（２０ρ6−３０ρ4＋１２ρ2−１） ＋Ｃ24（７０ρ8−１４０ρ6＋９０ρ4−２０ρ2＋１）＋‥‥ ‥‥（２） Ｗodd（ρ，θ） ＝Ｃ1（ρcosθ）＋Ｃ2（ρsinθ）＋Ｃ6（（３ρ2−２）ρcosθ） ＋Ｃ7（（３ρ2−２）ρsinθ）＋Ｃ9（ρ3cos３θ） ＋Ｃ10（ρ3sin３θ）＋‥‥ ‥‥（３） Ｗevn（ρ，θ） ＝Ｃ4（ρ2cos２θ）＋Ｃ5（ρ2sin２θ） ＋Ｃ11（（４ρ2−３）ρ2cos２θ） ＋Ｃ12（（４ρ2−３）ρ2sin２θ）＋Ｃ16（ρ4cos４θ） ＋Ｃ17（ρ4sin４θ）＋‥‥ ‥‥（４） となる。
【００１７】（１）式の波面収差Ｗの自乗平均平方根
（ＲＭＳ値）をｒWとし、（２）式の波面収差の回転対
称成分ＷrotのＲＭＳ値をｒrotとし、（３）式の波面収
差の奇数対称成分ＷoddのＲＭＳ値をｒoddとし、（４）
式の波面収差の偶数対称成分Ｗ evnのＲＭＳ値をｒevnと
すると、これらの間には、 （ｒW）2＝（ｒrot）2＋（ｒodd）2＋（ｒevn）2 の関係がある。
（ＲＭＳ値）をｒWとし、（２）式の波面収差の回転対
称成分ＷrotのＲＭＳ値をｒrotとし、（３）式の波面収
差の奇数対称成分ＷoddのＲＭＳ値をｒoddとし、（４）
式の波面収差の偶数対称成分Ｗ evnのＲＭＳ値をｒevnと
すると、これらの間には、 （ｒW）2＝（ｒrot）2＋（ｒodd）2＋（ｒevn）2 の関係がある。
【００１８】ｒrotが球面収差と相関があることは自明
であるが、本発明者は、ｒoddをコマ収差と関連付け、
ｒevnを非点収差と関連付けて検討したところ、共に強
い相関があることがわかった。したがってこれら３つの
ＲＭＳ値ｒrot、ｒodd、ｒevnを投影光学系の評価指標
として用いることにより、投影光学系によって形成され
る実際の空間像やレジスト像の球面収差、コマ収差、非
点収差と関連付けることができ、より合理的に投影光学
系の設計、調整が可能となった。
であるが、本発明者は、ｒoddをコマ収差と関連付け、
ｒevnを非点収差と関連付けて検討したところ、共に強
い相関があることがわかった。したがってこれら３つの
ＲＭＳ値ｒrot、ｒodd、ｒevnを投影光学系の評価指標
として用いることにより、投影光学系によって形成され
る実際の空間像やレジスト像の球面収差、コマ収差、非
点収差と関連付けることができ、より合理的に投影光学
系の設計、調整が可能となった。
【００１９】
【実施例１】次に実施例１と実施例２によって、具体的
な評価の例を示す。実施例１では、波面収差の奇数対称
成分のＲＭＳ値ｒoddと、コマ収差との関係を示す。先
ず、コマ収差の定量化について説明する。空間像やレジ
スト像を使ったコマ収差の検出法には、古くから様々な
方法が知られている。コマ収差が発生すると像の横ずれ
が起こるが、この横ずれの量は物体構造や空間周波数に
よって異なり、横ずれ量の差からコマ収差を定量化する
ことができる。図３にコマ収差を検出するための物体構
造（マスクパターン）の例を示す。幅Ｌの５本の遮光パ
ターンを間隔Ｓで配置する。通常は、間隔Ｓは線幅Ｌと
同じ寸法であることが多い。間隔Ｓと線幅Ｌとが等しい
ときには、幅Ｌ（＝Ｓ）の線が間隔Ｓにて無限に並んで
いる細かい物体（空間周波数の高い物体）と、幅９Ｓの
１つの大きな物体（空間周波数の低い物体）の両方の性
質を併せ持つ。
な評価の例を示す。実施例１では、波面収差の奇数対称
成分のＲＭＳ値ｒoddと、コマ収差との関係を示す。先
ず、コマ収差の定量化について説明する。空間像やレジ
スト像を使ったコマ収差の検出法には、古くから様々な
方法が知られている。コマ収差が発生すると像の横ずれ
が起こるが、この横ずれの量は物体構造や空間周波数に
よって異なり、横ずれ量の差からコマ収差を定量化する
ことができる。図３にコマ収差を検出するための物体構
造（マスクパターン）の例を示す。幅Ｌの５本の遮光パ
ターンを間隔Ｓで配置する。通常は、間隔Ｓは線幅Ｌと
同じ寸法であることが多い。間隔Ｓと線幅Ｌとが等しい
ときには、幅Ｌ（＝Ｓ）の線が間隔Ｓにて無限に並んで
いる細かい物体（空間周波数の高い物体）と、幅９Ｓの
１つの大きな物体（空間周波数の低い物体）の両方の性
質を併せ持つ。
【００２０】次に、投影光学系の調整手法の一例につい
て説明する。投影光学系において波面収差の回転対称成
分が存在する場合、投影光学系を構成している複数の光
学部材同士の間隔のうち、少なくとも１つの間隔を変化
させることによって波面収差の回転対称成分を補正する
ことができる。また、投影光学系において波面収差の奇
数対称成分が存在している場合、この奇数対称成分とコ
マ収差との間で強い相関があり、単純な内コマ、外コマ
であるときには投影光学系中の複数の光学部材の間隔の
うち、少なくとも１つの間隔を変化させることにより、
内コマ、外コマを補正することができる。また、偏心コ
マ（光学部材が光軸に対して偏心または傾くことによる
コマ収差）であるときには、投影光学系中の複数の光学
部材のうち、少なくとも１つの光学部材を光軸に対して
直交方向へ移動させるか、傾けることにより、この偏心
コマを補正できる。
て説明する。投影光学系において波面収差の回転対称成
分が存在する場合、投影光学系を構成している複数の光
学部材同士の間隔のうち、少なくとも１つの間隔を変化
させることによって波面収差の回転対称成分を補正する
ことができる。また、投影光学系において波面収差の奇
数対称成分が存在している場合、この奇数対称成分とコ
マ収差との間で強い相関があり、単純な内コマ、外コマ
であるときには投影光学系中の複数の光学部材の間隔の
うち、少なくとも１つの間隔を変化させることにより、
内コマ、外コマを補正することができる。また、偏心コ
マ（光学部材が光軸に対して偏心または傾くことによる
コマ収差）であるときには、投影光学系中の複数の光学
部材のうち、少なくとも１つの光学部材を光軸に対して
直交方向へ移動させるか、傾けることにより、この偏心
コマを補正できる。
【００２１】また、投影光学系において波面収差の偶数
対称成分が存在している場合、この偶数対称成分と非点
収差との間で強い相関があり、単純な像面湾曲による非
点収差であるときには、投影光学系中の複数の光学部材
の間隔のうち、少なくとも１つの間隔を変化させること
により補正できる。また、投影光学系の像面上の中心で
の非点収差（軸上非点収差）であるときには、投影光学
系中の複数の光学部材のうち、少なくとも１つの光学部
材を光軸を中心として回転させることにより補正でき
る。
対称成分が存在している場合、この偶数対称成分と非点
収差との間で強い相関があり、単純な像面湾曲による非
点収差であるときには、投影光学系中の複数の光学部材
の間隔のうち、少なくとも１つの間隔を変化させること
により補正できる。また、投影光学系の像面上の中心で
の非点収差（軸上非点収差）であるときには、投影光学
系中の複数の光学部材のうち、少なくとも１つの光学部
材を光軸を中心として回転させることにより補正でき
る。
【００２２】図４（ａ）と（ｂ）に、この物体を投影光
学系で結像させた場合の像面上の光強度分布を示す。こ
のうち同図（ａ）は、コマ収差がない場合の光強度分布
を示し、同図（ｂ）は、コマ収差がある場合の光強度分
布を示す。５本の線の像のうち、中央の線の像の光強度
幅Ｌ3が、ちようどＬ×ｍ（ｍは光学系の倍率）になる
光強度でスライスして、このときの５本の線の左端の線
の像の光強度幅をＬ1とし、右端の線の像の光強度幅を
Ｌ5と定義すると、空間周波数によってコマ収差による
横ずれ量に差があるので、Ｌ1とＬ5の寸法に差が生じ
る。そこで、たとえばコマ収差Ｃを、 Ｃ≡（Ｌ1−Ｌ5）／（Ｌ1＋Ｌ5） と定義することにより、光強度分布を利用してコマ収差
量の定量化が可能となる。
学系で結像させた場合の像面上の光強度分布を示す。こ
のうち同図（ａ）は、コマ収差がない場合の光強度分布
を示し、同図（ｂ）は、コマ収差がある場合の光強度分
布を示す。５本の線の像のうち、中央の線の像の光強度
幅Ｌ3が、ちようどＬ×ｍ（ｍは光学系の倍率）になる
光強度でスライスして、このときの５本の線の左端の線
の像の光強度幅をＬ1とし、右端の線の像の光強度幅を
Ｌ5と定義すると、空間周波数によってコマ収差による
横ずれ量に差があるので、Ｌ1とＬ5の寸法に差が生じ
る。そこで、たとえばコマ収差Ｃを、 Ｃ≡（Ｌ1−Ｌ5）／（Ｌ1＋Ｌ5） と定義することにより、光強度分布を利用してコマ収差
量の定量化が可能となる。
【００２３】さて本発明者は、（３）式の波面収差の奇
数対称成分Ｗoddの展開係数Ｃ1、Ｃ 2、Ｃ6、‥‥がさま
ざまな値を持ったケースをモンテカルロ法によって模擬
し、各々のケースにおける波面収差の奇数対称成分のＲ
ＭＳ値ｒoddとコマ収差Ｃを計算した。計算条件は以下
の通りである。 光学系のＮＡ（開口数） ０．６０ 波長λ ２４８．４ｎｍ 投影光学系の倍率 ０．２倍 物体寸法Ｌ １．０μｍ （中央の線の像の幅Ｌ3＝０．２μｍ） データ数 ５００個
数対称成分Ｗoddの展開係数Ｃ1、Ｃ 2、Ｃ6、‥‥がさま
ざまな値を持ったケースをモンテカルロ法によって模擬
し、各々のケースにおける波面収差の奇数対称成分のＲ
ＭＳ値ｒoddとコマ収差Ｃを計算した。計算条件は以下
の通りである。 光学系のＮＡ（開口数） ０．６０ 波長λ ２４８．４ｎｍ 投影光学系の倍率 ０．２倍 物体寸法Ｌ １．０μｍ （中央の線の像の幅Ｌ3＝０．２μｍ） データ数 ５００個
【００２４】図５（ａ）と（ｂ）に、波面収差の奇数対
称成分のＲＭＳ値ｒoddと、コマ収差Ｃとの関係を示
す。このうち同図（ａ）は、コヒーレンスファクター
（照明光学系と投影光学系のＮＡの比率）が０．４２の
場合であり、同図（ｂ）は、コヒーレンスファクターが
０．７５の場合である。また縦軸のエラーバーは、平均
値±１σを表す。同図より明らかなように、投影光学系
の波面収差のうちの奇数対称成分Ｗoddの波面収差のＲ
ＭＳ値ｒoddが、コマ収差と強い相関を持っていること
が確認できた。
称成分のＲＭＳ値ｒoddと、コマ収差Ｃとの関係を示
す。このうち同図（ａ）は、コヒーレンスファクター
（照明光学系と投影光学系のＮＡの比率）が０．４２の
場合であり、同図（ｂ）は、コヒーレンスファクターが
０．７５の場合である。また縦軸のエラーバーは、平均
値±１σを表す。同図より明らかなように、投影光学系
の波面収差のうちの奇数対称成分Ｗoddの波面収差のＲ
ＭＳ値ｒoddが、コマ収差と強い相関を持っていること
が確認できた。
【００２５】
【実施例２】次に実施例２では、波面収差の偶数対称成
分のＲＭＳ値ｒevnと、非点収差との関係を示す。実施
例１と同様に、本発明者は、（４）式の波面収差の偶数
対称成分Ｗevnの展開係数Ｃ4、Ｃ5、Ｃ11、‥‥がさま
ざまな値を持ったケースをモンテカルロ法によって模擬
し、各々のケースにおける波面収差の偶数対称成分のＲ
ＭＳ値ｒev nと非点収差を計算した。計算条件は以下の
通りである。 光学系のＮＡ（開口数） ０．６０ 波長λ ２４８．４ｎｍ 投影光学系の倍率 ０．２倍 物体形状 Ｌ＝Ｓ＝１．０μｍの無限周期パターン データ数 ５００個
分のＲＭＳ値ｒevnと、非点収差との関係を示す。実施
例１と同様に、本発明者は、（４）式の波面収差の偶数
対称成分Ｗevnの展開係数Ｃ4、Ｃ5、Ｃ11、‥‥がさま
ざまな値を持ったケースをモンテカルロ法によって模擬
し、各々のケースにおける波面収差の偶数対称成分のＲ
ＭＳ値ｒev nと非点収差を計算した。計算条件は以下の
通りである。 光学系のＮＡ（開口数） ０．６０ 波長λ ２４８．４ｎｍ 投影光学系の倍率 ０．２倍 物体形状 Ｌ＝Ｓ＝１．０μｍの無限周期パターン データ数 ５００個
【００２６】図５（ａ）と（ｂ）に、波面収差の偶数対
称成分のＲＭＳ値ｒevnと、非点収差との関係を示す。
このうち同図（ａ）は、コヒーレンスファクターが０．
４２の場合であり、同図（ｂ）は、コヒーレンスファク
ターが０．７５の場合である。また縦軸のエラーバー
は、平均値±１σを表す。同図より明らかなように、投
影光学系の波面収差のうちの偶数対称成分Ｗevnの波面
収差のＲＭＳ値ｒevnが、非点収差と強い相関を持って
いることが確認できた。なお、以上の説明では、結像性
能を評価しようとする光学系が、露光装置の投影光学系
である場合について説明したが、本発明による評価方法
は明らかに、いかなる種類の結像光学系に対しても適用
することが出来る。
称成分のＲＭＳ値ｒevnと、非点収差との関係を示す。
このうち同図（ａ）は、コヒーレンスファクターが０．
４２の場合であり、同図（ｂ）は、コヒーレンスファク
ターが０．７５の場合である。また縦軸のエラーバー
は、平均値±１σを表す。同図より明らかなように、投
影光学系の波面収差のうちの偶数対称成分Ｗevnの波面
収差のＲＭＳ値ｒevnが、非点収差と強い相関を持って
いることが確認できた。なお、以上の説明では、結像性
能を評価しようとする光学系が、露光装置の投影光学系
である場合について説明したが、本発明による評価方法
は明らかに、いかなる種類の結像光学系に対しても適用
することが出来る。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によって、光学系を
透過した波面収差を瞳の中央を中心とした回転対称成
分、奇数対称成分、偶数対称成分に分離して評価を行う
ことにより、光学系によって形成される実際の空間像や
レジスト像の球面収差、コマ収差、非点収差と関連付け
ることができ、より合理的に光学系の設計、調整が可能
となった。
透過した波面収差を瞳の中央を中心とした回転対称成
分、奇数対称成分、偶数対称成分に分離して評価を行う
ことにより、光学系によって形成される実際の空間像や
レジスト像の球面収差、コマ収差、非点収差と関連付け
ることができ、より合理的に光学系の設計、調整が可能
となった。
【図１】半導体素子等の製造に使用される露光装置の概
略図
略図
【図２】フィゾー型干渉計の波面収差測定の概念図
【図３】コマ収差を検出するための物体構造（マスクパ
ターン）の一例を示す図
ターン）の一例を示す図
【図４】（ａ）図３の物体をコマ収差がない光学系で結
像させた場合の像面上の光強度分布と、（ｂ）同じくコ
マ収差がある光学系で結像させた場合の像面上の光強度
分布を示す図
像させた場合の像面上の光強度分布と、（ｂ）同じくコ
マ収差がある光学系で結像させた場合の像面上の光強度
分布を示す図
【図５】（ａ）コヒーレンスファクターが０．４２の場
合と、（ｂ）コヒーレンスファクターが０．７５の場合
の、波面収差の奇数対称成分のＲＭＳ値ｒoddとコマ収
差Ｃとの関係を示す図
合と、（ｂ）コヒーレンスファクターが０．７５の場合
の、波面収差の奇数対称成分のＲＭＳ値ｒoddとコマ収
差Ｃとの関係を示す図
【図６】（ａ）コヒーレンスファクターが０．４２の場
合と、（ｂ）コヒーレンスファクターが０．７５の場合
の、波面収差の偶数対称成分のＲＭＳ値ｒevnと非点収
差との関係を示す図
合と、（ｂ）コヒーレンスファクターが０．７５の場合
の、波面収差の偶数対称成分のＲＭＳ値ｒevnと非点収
差との関係を示す図
１１…光源 １２…照明光学系 １３…マスク １４…投影光学系 １５…ウエハ ２１…光源 ２２…ハーフプリズム ２３…フィゾーレン
ズ ２３ａ…参照面 ２４…球面鏡 ２５…ＸＹステージ ２６…撮像素子 Ｐ…パターン
ズ ２３ａ…参照面 ２４…球面鏡 ２５…ＸＹステージ ２６…撮像素子 Ｐ…パターン
Claims (5)
- 【請求項１】光学系の結像性能を評価する方法におい
て、前記光学系を通過した波面収差を前記光学系の瞳を
中心とする回転対称成分と、奇数対称成分と、偶数対称
成分に分離し、分離された前記各成分に基づいて前記光
学系の結像性能を評価することを特徴とする光学系の評
価方法。 - 【請求項２】前記回転対称成分、奇数対称成分、及び偶
数対称成分のそれぞれの自乗平均平方根に基づいて前記
光学系の結像性能を評価することを特徴とする請求項１
記載の光学系の評価方法。 - 【請求項３】前記光学系は、４００ｎｍ以下の特定の波
長域で使用される光リソグラフィー用露光装置の投影光
学系であることを特徴とする請求項１又は２記載の光学
系の評価方法。 - 【請求項４】投影原版上に形成された所定のパターンの
像を感光性基板上へ投影する投影光学系の製造方法にお
いて、 投影光学系の波面収差を測定する第１工程と；該第１工
程にて測定された前記波面収差を、前記光学系の瞳を中
心とする回転対称成分と、奇数対称成分と、偶数対称成
分とに分離する第２工程と；該第２工程にて分離された
前記各成分に基づいて、前記投影光学系を調整する第３
工程と；を有することを特徴とする製造方法。 - 【請求項５】投影原版上に形成された所定のパターンの
像を感光性基板上へ投影露光する投影露光装置におい
て、 請求項４の製造方法により製造された投影光学系を備え
ることを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10297846A JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 光学系の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10297846A JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 光学系の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000121491A true JP2000121491A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17851916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10297846A Pending JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 光学系の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000121491A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031570A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Nikon Corporation | Procede d'evaluation de la qualite d'images |
| WO2002052620A1 (fr) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Nikon Corporation | Instrument de mesure de l'aberration d'un front d'onde, procede de mesure de l'aberration d'un front d'onde, appareil d'exposition et procede de fabrication d'un microdispositif |
| WO2002054459A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection et son procede de production, systeme d'exposition et son procede de production et procede de production d'un microdispositif |
| WO2002054036A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Procede de mesure et d'ajustement de caracteristiques d'imagerie, procede et systeme d'exposition, programme et support d'enregistrement et procede de production de dispositif |
| EP1231516A2 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Nikon Corporation | Method of forming and adjusting optical system and exposure apparatus, and for determining specification thereof and related computer system |
| EP1296191A2 (de) * | 2001-09-21 | 2003-03-26 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften mehrerer optischer Elemente |
| EP1341043A2 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-03 | Nikon Corporation | Evaluation and correction of optical aberrations of an imaging system |
| WO2003075328A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nikon Corporation | Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif |
| EP1413870A1 (en) * | 2001-07-05 | 2004-04-28 | Nikon Corporation | Optical member for optical lithography and evaluation method therefor |
| JP2005268451A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Canon Inc | 露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法 |
| JP2007033343A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Hoya Corp | 偏心測定方法、偏心測定装置、非球面単レンズの製造方法、非球面単レンズ及び光学機器 |
| US7230682B2 (en) | 2002-01-29 | 2007-06-12 | Nikon Corporation | Image forming state adjusting system, exposure method and exposure apparatus, and program and information storage medium |
| US7605914B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system and method for improving imaging properties thereof |
| US7706074B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-04-27 | Nikon Corporation | Projection optical system, method of manufacturing projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN107462401A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-12 | 苏州维纳仪器有限责任公司 | 检测任意波长光学***的透射波前的方法 |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN112305874A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-02 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 | 一种衡量光瞳之间匹配程度的评价方法 |
-
1998
- 1998-10-20 JP JP10297846A patent/JP2000121491A/ja active Pending
Cited By (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6870668B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-03-22 | Nikon Corporation | Method for evaluating image formation performance |
| US7061671B2 (en) | 2000-10-10 | 2006-06-13 | Nikon Corporation | Method for evaluating image formation performance |
| WO2002031570A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Nikon Corporation | Procede d'evaluation de la qualite d'images |
| WO2002052620A1 (fr) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Nikon Corporation | Instrument de mesure de l'aberration d'un front d'onde, procede de mesure de l'aberration d'un front d'onde, appareil d'exposition et procede de fabrication d'un microdispositif |
| US6975387B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-12-13 | Nikon Corporation | Wavefront aberration measuring instrument, wavefront aberration measuring method, exposure apparatus, and method for manufacturing micro device |
| CN100346150C (zh) * | 2000-12-28 | 2007-10-31 | 株式会社尼康 | 成象状态调节法、曝光法及设备以及器件制造方法 |
| WO2002054036A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Procede de mesure et d'ajustement de caracteristiques d'imagerie, procede et systeme d'exposition, programme et support d'enregistrement et procede de production de dispositif |
| US7075651B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-07-11 | Nikon Corporation | Image forming characteristics measuring method, image forming characteristics adjusting method, exposure method and apparatus, program and storage medium, and device manufacturing method |
| JP4552337B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法及び露光装置の製造方法 |
| JP2002258131A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-11 | Nikon Corp | 投影光学系及びその製造方法、露光装置及びその製造方法、並びにマイクロデバイスの製造方法 |
| WO2002054459A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection et son procede de production, systeme d'exposition et son procede de production et procede de production d'un microdispositif |
| SG155035A1 (en) * | 2001-02-13 | 2009-09-30 | Nikon Corp | Specification determining method, projection optical system making method and adjusting method, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
| KR100894238B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2009-04-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 사양결정방법, 투영광학계의 제조방법 및 조정방법, 노광 장치 및 그의 제조방법, 그리고 컴퓨터 시스템 |
| CN100401191C (zh) * | 2001-02-13 | 2008-07-09 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光设备以及器件制造方法 |
| EP1231516A3 (en) * | 2001-02-13 | 2004-09-08 | Nikon Corporation | Method of forming and adjusting optical system and exposure apparatus, and for determining specification thereof and related computer system |
| EP1231516A2 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Nikon Corporation | Method of forming and adjusting optical system and exposure apparatus, and for determining specification thereof and related computer system |
| US7215408B2 (en) | 2001-02-13 | 2007-05-08 | Nikon Corporation | Specification determining method, projection optical system making method and adjusting method, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
| US6961115B2 (en) | 2001-02-13 | 2005-11-01 | Nikon Corporation | Specification determining method, projection optical system making method and adjusting method, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
| US6829039B2 (en) | 2001-07-05 | 2004-12-07 | Nikon Corporation | Optical member for photolithography and method of evaluating the same |
| EP1413870A4 (en) * | 2001-07-05 | 2006-11-15 | Nikon Corp | OPTICAL ELEMENT FOR OPTICAL LITHOGRAPHY, AND RELATIVE EVALUATION METHOD |
| EP1413870A1 (en) * | 2001-07-05 | 2004-04-28 | Nikon Corporation | Optical member for optical lithography and evaluation method therefor |
| US7301622B2 (en) | 2001-09-21 | 2007-11-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for optimizing the image properties of at least two optical elements as well as methods for optimizing the image properties of at least three optical elements |
| EP1296191A3 (de) * | 2001-09-21 | 2005-04-27 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften mehrerer optischer Elemente |
| EP1296191A2 (de) * | 2001-09-21 | 2003-03-26 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften mehrerer optischer Elemente |
| US7230682B2 (en) | 2002-01-29 | 2007-06-12 | Nikon Corporation | Image forming state adjusting system, exposure method and exposure apparatus, and program and information storage medium |
| US7405803B2 (en) | 2002-01-29 | 2008-07-29 | Nikon Corporation | Image forming state adjusting system, exposure method and exposure apparatus, and program and information storage medium |
| US7391497B2 (en) | 2002-01-29 | 2008-06-24 | Nikon Corporation | Image forming state adjusting system, exposure method and exposure apparatus, and program and information storage medium |
| US7102728B2 (en) | 2002-02-27 | 2006-09-05 | Nikon Corporation | Imaging optical system evaluation method, imaging optical system adjustment method, exposure apparatus and exposure method |
| EP1341043A2 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-03 | Nikon Corporation | Evaluation and correction of optical aberrations of an imaging system |
| EP1341043A3 (en) * | 2002-02-27 | 2005-05-11 | Nikon Corporation | Evaluation and correction of optical aberrations of an imaging system |
| KR20030071521A (ko) * | 2002-02-27 | 2003-09-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계의 수차 평가 방법, 결상 광학계 조정 방법,투영 노광 장치, 투영 노광 방법, 기록 매체 및 컴퓨터로수신 가능한 반송파 |
| US7088426B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-08-08 | Nikon Corporation | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method and exposure apparatus, program, and device manufacturing method |
| WO2003075328A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nikon Corporation | Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif |
| US7102731B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-09-05 | Nikon Corporation | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method and exposure apparatus, program, and device manufacturing method |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JP4574198B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法 |
| JP2005268451A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Canon Inc | 露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法 |
| US7706074B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-04-27 | Nikon Corporation | Projection optical system, method of manufacturing projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2007033343A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Hoya Corp | 偏心測定方法、偏心測定装置、非球面単レンズの製造方法、非球面単レンズ及び光学機器 |
| US7605914B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system and method for improving imaging properties thereof |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN107462401A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-12 | 苏州维纳仪器有限责任公司 | 检测任意波长光学***的透射波前的方法 |
| CN112305874A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-02 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 | 一种衡量光瞳之间匹配程度的评价方法 |
| CN112305874B (zh) * | 2020-11-11 | 2024-05-17 | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 | 一种衡量光瞳之间匹配程度的评价方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000121491A (ja) | 光学系の評価方法 | |
| US6633390B2 (en) | Focus measurement in projection exposure apparatus | |
| TWI574116B (zh) | 檢驗裝置，微影裝置及元件製造方法 | |
| US7952726B2 (en) | Measurement apparatus, exposure apparatus having the same, and device manufacturing method | |
| US8004691B2 (en) | Measuring apparatus, exposure apparatus and method, and device manufacturing method | |
| JP2002175964A (ja) | 観察装置およびその製造方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP3348419B2 (ja) | 収差測定方法、収差測定システム及び収差測定マスク | |
| US7119880B2 (en) | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US7525656B2 (en) | Exposure apparatus and device fabrication method | |
| CN102033436A (zh) | 微光刻投射*** | |
| JP2000195782A (ja) | 投影装置および露光装置 | |
| JPWO2004104654A1 (ja) | 偏光解消素子、照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
| JP6917477B2 (ja) | リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法 | |
| US7193713B2 (en) | Method and apparatus for measuring optical characteristic, and projection exposure apparatus using the same | |
| CN115023658A (zh) | 小型化重叠测量***的光学设计 | |
| JP2006237109A (ja) | 光学系の評価方法、光学系、露光装置、および露光方法 | |
| JP4280521B2 (ja) | 収差測定装置及び投影露光装置 | |
| JP2008270502A (ja) | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 | |
| JP2009194238A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2001358059A (ja) | 露光装置の評価方法、及び露光装置 | |
| JPH06124870A (ja) | 投影露光装置及び露光方法 | |
| JP4307039B2 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US20040174534A1 (en) | Interferometer, exposure apparatus and method for manufacturing device | |
| JPH11121343A (ja) | 縮小投影露光装置の収差係数測定方法 | |
| JP2004071780A (ja) | 投影光学系の作製方法及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20050811 |