JP3984841B2 - 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、微細加工技術によって、物体、例えば、プロセスに用いられる試料等を高精度で移動させる技術が求められている。例えば、半導体製造プロセスで用いられる露光装置においては、露光線幅の微細化に伴い、露光装置のウエハステージに求められる位置制御精度は数nmのオーダーに達している。また、生産性の向上の観点から、ステージの移動加速度および移動速度は年々増大の傾向にある。
【0003】
このような高速・高精度の位置制御を実現するためには、ウエハステージ位置制御系のサーボ帯域が高いことが必要である。高いサーボ帯域は目標値への応答性が高く、外乱などの影響にも頑健なシステムを実現する。従って、可能な限り高いサーボ帯域を実現する、ウエハステージ、本体構造体等の設計が行われている。
【0004】
図9は、従来の露光装置のウエハステージの構成を示す概略図である。なお、以下では基準座標系に対する並進3軸(X,Y,Z)と並進3軸の各軸周りの回転3軸(θx、θy、θz)を合わせて6自由度位置と呼ぶことにする。この例を用いて、従来の位置制御系の構成とその動作を説明する。
【0005】
定盤41は床Fからダンパを介して支持されている。Yステージ43は、定盤41に固定された固定ガイド42に沿ってY方向に推力を発生するYリニアモータ46により、定盤41の基準面上をY方向に移動可能である。定盤41および固定ガイド42とYステージ43との間は静圧軸受であるエアパッド44a、44bを介してエアで結合されており非接触である。Yステージ43はX方向のガイドを備えており、Yステージに搭載されたXステージ45をX方向に案内する。また、Yステージ43にはX方向に力を発生するXリニアモータ固定子が設けられ、Xステージに設けられたXリニアモータ可動子と共に、Xステージ45をX方向に駆動させる。定盤41及びXガイドとXステージ45との間は静圧軸受であるエアパッド44cを介してエアで結合されており、非接触である。
【0006】
Xステージ45にはチルトステージ48が搭載されている。チルトステージ48は不図示のリニアモータによる推力でZ方向の移動と3軸(θx、θy、θz)方向の回転とを行う。チルトステージ48上にウエハチャックを備えたステージ基板51が搭載され、被露光体であるウエハ53を保持する。また、ステージ基板51上にはX方向およびY方向の位置計測に用いる計測ミラー49a、bが設けられる。
【0007】
露光装置のステージ装置は、定盤41の基準面に対して面内方向(X、Y、θz)および垂直(チルト)方向(Z、θx、θy)の6自由度の位置決めを行い、1チップ分の露光を行う。面内方向(X、Y、θz)の位置の計測は不図示のレンズ鏡筒と一体であるレーザ干渉計50を用いて測定され、垂直(チルト)方向(Z、θx、θy)の計測はレンズ鏡筒と一体のアライメント計測系(不図示)によりZ方向の位置と回転成分の角度が計測される。
【0008】
図9ではレンズ鏡筒と定盤41は一体であると仮定して、レーザ干渉計50は定盤41に取り付けられている。また、Z方向の位置計測は図示を省略しているが、ステージ基板もしくはウエハ上の3点をレンズ鏡筒から計測することにより垂直(チルト)方向(Z、θx、θy)の計測が可能である。
【0009】
ステージ43、45、チルトステージ48のこれら6自由度位置方向への位置決めは、各XYZ軸にサーボ系を構成することにより行われる。すなわち、レーザ干渉計50により計測された位置情報をもとに補償器(不図示)がXステージ45をX方向に駆動する。XリニアモータとYステージ43をY方向に駆動するYリニアモータ46への駆動指令値を演算し、X、Yリニアモータが該駆動指令値に基づいて各々Xステージ45、Yステージ43を駆動する。また、補償器はZ方向の位置と回転方向(θx、θy)の角度と前記のθz方向の計測値に応じて、チルトステージ48への駆動指令値を演算し、リニアモータによりチルトステージ48が駆動される。
【0010】
このように構成された従来の位置制御系によれば、ウエハステージは与えられた目標位置に高速・高精度に移動させることができる。しかしながら、上記のように構成されたウエハステージをさらに高速に動かそうとすると、ウエハステージが持つ弾性特性に起因する弾性振動が発生し、位置決め精度や速度が低下することがある。このような課題を解決するために、ウエハステージの弾性振動の腹となるところに歪み計測装置(例えば圧電素子センサ)を取り付け、ウエハステージの弾性振動による歪みを計測し、逆に、またウエハステージの弾性振動の腹となるところに取り付けた圧電素子に通電して力(歪)を発生させ、歪み抑制装置(例えばアクチュエータ)として弾性振動を抑制する技術が知られている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、圧電素子センサは、ウエハステージ面に接着などの手段で直接貼り付けられるため、ウエハステージ面の弾性振動の方向を正確に計測できないという問題がある。この点について図7を用いて説明する。図7はウエハステージのステージ面に圧電素子センサを直接接着した状態を示す図である。ウエハステージが弾性振動してステージ面上に歪みが生じると、圧電素子は下記式(1)に示すように、図中のX方向、Y方向の歪み量εx、εyの和に比例した電圧V0を出力する。このように圧電素子センサを直接ウエハステージ面に接着すると、圧電素子は2方向(X方向とY方向)の歪み成分の和は計測できるが、各々の方向の歪み成分を正確に計測できないのである。
【0012】
【数1】
また、上記圧電素子センサと同様にアクチュエータとして用いる場合も、圧電素子をウエハステージ面に直接貼り付けているので、ウエハステージ面の弾性振動を正確に抑制することは難しい。このことも図7を用いて説明する。ウエハステージが図中のX方向に弾性振動を生じているとする。この弾性振動を抑制するために圧電素子に電圧Viを印加させたとすると、下記式(2)、式(3)のように、X方向とY方向に同時に歪みによる力が発生する。つまり、圧電素子はX方向のみの弾性振動を抑制したい場合でも不要なY方向の力(歪)も発生してしまう。このために、圧電素子をアクチュエータとして用いてもウエハステージの弾性振動を高精度に低減できないのである。
【0013】
【数2】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、例えば、物体に発生する歪みを正確に計測する歪み計測装置、並びにその物体の歪みを大幅に低減する歪み抑制装置、露光装置、デバイス製造方法の提供を目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の側面は、物体の歪みを計測する歪み計測装置に係り、前記物体に生じる歪みを検出する歪み検出素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な直線上の離間する複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする。
【0015】
本発明の第2の側面は、物体の歪みを計測する歪み計測装置に係り、前記物体に生じる歪みを検出する歪み検出素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な複数のスリットを有することを特徴とする。
【0016】
本発明の第3の側面は、物体の歪みを計測する歪み計測装置に係り、物体に生じる歪みを検出する複数の歪み検出素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、前記複数の歪み検出素子は、前記物体の所定方向に平行な直線を挟んで離間して前記伝達部材に配置され、前記伝達部材は、前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする。
【0017】
本発明の第4の側面は、物体の歪みを計測する歪み計測装置に係り、物体に生じる歪みを検出する複数の歪み検出素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、前記複数の歪み検出素子は、前記物体の所定方向に平行な複数の直線の各直線上に離間して前記伝達部材に配置され、前記伝達部材は前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする。
【0018】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記伝達部材は、前記伝達部材に形成された台座を介して前記物体に固定されている。
【0019】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記歪み検出素子は、圧電素子である。
【0020】
本発明の第5の側面は、露光装置に係り、前記物体は、半導体製造工程において基板又は原版を移動させる移動ステージであることを特徴とし、上記の歪み計測装置を備えている。
【0021】
本発明の第6の側面は、物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置に係り、前記物体に対して歪みによる力を発生する歪み発生素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な直線上の離間する複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする。
【0022】
本発明の第7の側面は、物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置に係り、前記物体に対して歪みによる力を発生する歪み発生素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な複数のスリットを有することを特徴とする。
【0023】
本発明の第8の側面は、物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置に係り、前記物体に対して歪みによる力を発生する複数の歪み発生素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、前記複数の歪み抑制素子は、前記物体の所定方向に平行な直線を挟んで離間して前記伝達部材に配置され、前記伝達部材は、前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み抑制装置。
【0024】
本発明の第9の側面は、物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置に係り、前記物体に対して歪みによる力を発生する複数の歪み発生素子と、前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、前記歪み抑制素子は、前記物体の所定方向に平行な複数の直線の各直線上に離間して前記伝達部材に配置され、前記伝達部材は、前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする。
【0025】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記伝達部材は、前記伝達部材に形成された台座を介して前記物体に固定されている。
【0026】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記歪み抑制素子は、圧電素子である。
【0027】
本発明の第10の側面は、露光装置に係り、前記物体は、半導体製造工程において基板又は原版を移動させる移動ステージであることを特徴とし、上記の歪み抑制装置を備えている。
【0028】
本発明の第10の側面は、基板に感光材を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に上記の露光装置を利用してパターンを転写する露光工程と、前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、を有することを特徴とする。
【0034】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明する。
【0035】
本発明は以下の実施形態に限られず、例えば、移動ステージは弾性特性を有する構造物の弾性歪み計測及び弾性歪み抑制に有効である。また、例えば、半導体露光装置に用いられるウエハステージの構造物の弾性歪み計測及び弾性歪み抑制にも有効である。
【0036】
(第1実施形態)
図1は、本発明の好適な実施の形態に係る歪み計測装置及び/又は歪み抑制装置の概観を示す斜視図である。所定の方向をX方向として、圧電素子1の短手方向の略中心を通る長手方向に沿う直線3a上に拘束点2、3がある。計測したい歪みの方向もしくは発生させたい力の方向は、例えばX方向であるとする。この場合、圧電素子1を接着した伝達部材4は、拘束点2及び拘束点3のみで物体面5に固定されている。
【0037】
圧電素子1を歪み計測装置として使用する場合、物体面5が弾性振動による歪みを生じたとき、弾性歪みのY方向成分は伝達部材4には伝わらず、X方向の歪みのみが伝達部材4に伝わり、圧電素子1によってX方向の歪みが計測される。さらに、圧電素子1を移動ステージ面5の弾性歪みを抑制制御する歪み抑制装置として使用する場合、圧電素子1に電圧を印加した際、伝達部材4にはX、Y両方向の力が伝わるが、物体面5にはX方向のみの力が伝わる。図8は、図1に示す歪み抑制装置及び/又は計測装置を移動ステージに適用した一例を示す図である。図1及び図8において、圧電素子1は、歪み計測装置801、歪み抑制装置802として伝達部材4を介して移動ステージ面800に取り付けられている。歪み計測装置801によって計測された歪み量に従って、移動ステージ面800の弾性振動を抑制するように歪み抑制装置802に電圧が印加される。このようにして移動ステージ面800の弾性振動が低減されるため、移動ステージ装置803を高速且つ高精度に位置決めすることができる。また、本発明に係る好適な実施の形態の歪み抑制装置及び/又は計測装置は、移動ステージのみに適用が限定されるものではない。例えば、図9に示す従来の半導体露光装置のウエハステージにも適用することができる。図9において、レーザ干渉計50は、定盤41に接続されている。よって定盤41の弾性振動はレーザ干渉計50に伝わり、定盤41とレーザ干渉計50との接続部が弾性歪みを生じるため、ウエハステージの位置計測が正確に行えない。この場合、定盤41とレーザ干渉計50との接続部に伝達部材4を介して圧電素子1を取り付けることによって、弾性振動による歪みを低減するといった適用も考えられる。
【0038】
さらに、図1において、伝達部材4を物体面5に固定する拘束点は上記の2点に限るものではない。図1のX軸に平行な一直線を示す点線3a上であれば、無限に拘束点を設けても、歪み計測装置が計測する移動ステージの歪みと、歪み抑制装置が弾性振動を抑制すべく物体に与える力はX方向成分のみとなる。よって、伝達部材4は、所定の方向に対して任意の間隔に配置された1つまたは複数の拘束点を含みうる。これらの拘束点での拘束方法としては、例えば、拘束点に設けた穴にネジまたはピンで固定する方法がある。この固定方法の長所は取り外しが容易であるという点である。
【0039】
(第2実施形態)
図2は、本発明の第2の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。所定の方向をX方向として、伝達部材9の短手方向の略中心を通る長手方向に沿う直線3aに平行な複数のスリットが形成されている。図2に示すように、不図示の圧電素子は、X方向に溝が形成され、Y方向に配列された複数のスリットからなるスリット群6を有する伝達部材9上の一点鎖線部分8に接着される。この伝達部材9は、多数の拘束点7で物体(例えば移動ステージ)に固定される。この構成において、圧電素子を歪み計測装置として使用する場合、圧電素子はX方向の歪みは計測するが、Y方向の歪みはX軸に平行に切られたスリット群6によって圧電素子には伝わらないために計測されない。圧電素子を歪み抑制装置として使用した場合も同様に、X方向のみの力を物体(例えば移動ステージ)に与える。伝達部材9の物体(例えば移動ステージ)への拘束点の数は、伝達部材9上のスリットが切られていない部分であれば何点でもよい。
【0040】
(第3実施形態)
図3は、本発明の第3の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。所定の方向をX方向として、伝達部材10の短手方向の略中心を通る長手方向に沿う直線14に重ならないように複数の歪み抑制装置及び/又は計測装置(例えば圧電素子)が離間して配置されている。図3に示したように、伝達部材10は、複数の圧電素子12が取り付けられている。点線14上の拘束点11で物体面、例えば、移動ステージ面13を拘束すれば、前述の第1実施形態と同様に、これらの圧電素子12はX方向のみの歪みを計測する歪み計測装置、またはX方向のみに力を発生する歪み抑制装置となる。この伝達部材10の長所は、複数の圧電素子12に分けることによって点線14上にスペースを形成し、この開放されたスペースに伝達部材10の拘束点11を形成することにより、圧電素子12を移動ステージ面13へ容易に固定できることである。特に、伝達部材10をネジで固定する場合には、第1実施形態では物体側からネジで固定するもしくは圧電素子1に穴をあけてネジで物体に固定するなどの方法で行われるが、伝達部材10の場合は、移動ステージ面13に対する固定部分が面上に開放されていることによって、伝達部材10側から移動ステージ面13にネジで固定できるようになり、取り付けが容易になる。
【0041】
(第4実施形態)
図4、5は、本発明の第4の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。伝達部材18、21と物体、例えば移動ステージ19、24とは、伝達部材18、21に形成された台座18a、21aを介して当接している。図4、5はそれぞれ、図1、3に示した第1、第3実施形態の伝達部材4、10を改良したものである。図1、3に示した伝達部材4、10は、拘束点2、3、11付近以外にも物体、例えば移動ステージと接している部分が多数ありうる。これによって摩擦接触する部分が存在し、圧電素子の発生力が移動ステージ面に伝達される際、非線形な特性が含まれる可能性がある。同様の問題は移動ステージの歪みを計測する場合にも発生する。このことは、弾性振動を抑制する制御系を組む際に制御性能が劣化するので好ましくない。一方、図4、5に示す伝達部材18、21は拘束点16、17、22付近に台座18a、21aがついているため、拘束点付近以外は移動ステージと接触しない。このことによって摩擦接触する部分が減少し、非線形な特性によって制御系の制御性能が劣化することが少なくなる。
【0042】
(第5実施形態)
図6は、本発明の第5の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。所定の方向をX方向として、伝達部材26の短手方向の略中心を通る長手方向に沿う直線30と交差するように複数の歪み検出素子が離間して配置されている。図6に示す伝達部材26は、第3の実施形態で説明した図3の伝達部材10と同様に、複数の圧電素子27を用いて、物体、例えば移動ステージとの拘束点部分を開放したことによって、移動ステージへの取り付けを容易にするものである。この伝達部材26が図3の伝達部材10と違う点は、圧電素子27を複数の拘束点28の間に接着した点である。その結果、接着する圧電素子27は発生したい力の向きと直行する方向(図6ではY方向)に長細い形状にすることができる。式(2)に示したように圧電素子のX方向の発生力はY軸方向の長さに比例する。よって、伝達部材26のように圧電素子27を接着するとX方向の発生力を大きくする効果が得られる。また、この伝達部材26も第4の実施形態で述べた図4、5のように拘束点付近に台座を取り付ければ、非線形な特性を少なくすることができ、弾性歪みの制御性能が劣化することが少なくなる。
【0043】
次に、本発明の歪み計測装置、歪み抑制装置を半導体デバイスの製造プロセスで用いられる露光装置に適用した場合の実施の形態について説明する。
【0044】
図10は、本発明の歪み計測装置、歪み抑制装置を半導体デバイスの製造プロセスに適用した場合に用いられる露光装置の概念図を示したものである。
【0045】
本発明の好適な実施形態における露光装置100は、照明光学系101、レティクル102、投影光学系103、基板104、移動ステージ105で構成される。照明光学系101は、例えば、エキシマレーザ、フッ素エキシマレーザなどを光源とした紫外光を露光光として用いることができる。照明光学系101からの光は、レティクル102に照射される。レティクル102を通った光は、投影光学系103を通して、基板104上に焦点を結び、基板104表面に塗布された感光材を露光する。基板104は、本発明の歪み計測装置、歪み抑制装置を適用した移動ステージ105を用いて所定の位置へ移動する。
【0046】
図11は、上記の露光装置を用いた半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローである。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク作製)では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
【0047】
図12は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記の露光装置を用いて、ウエハを移動するときに生じる移動ステージの歪みを正確に計測し、その物体の歪みを大幅に低減しながらウエハを精密に移動させ、回路パターンをウエハに転写する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【0048】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、物体に発生する歪みを正確に計測する歪み計測装置、並びにその物体の歪みを大幅に低減する歪み抑制装置、露光装置、デバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施の形態に係る歪み計測装置及び/又は歪み抑制装置の概観を示す斜視図である。
【図2】本発明の第2の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。
【図3】本発明の第3の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。
【図4】本発明の第4の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。
【図5】本発明の第4の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。
【図6】本発明の第5の好適な実施形態に係る歪み抑制装置及び/又は計測装置の概観を示す斜視図である。
【図7】ウエハステージのステージ面に圧電素子センサを直接接着した状態を示す図である。
【図8】図1に示す歪み抑制装置及び/又は計測装置を移動ステージに適用した一例を示す図である。
【図9】従来の半導体露光装置のウエハステージの構成を示す概略図である。
【図10】本発明の歪み計測装置、歪み抑制装置を半導体デバイスの製造プロセスに適用した場合に用いられる露光装置の概念図である。
【図11】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図12】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【符号の説明】
1 圧電素子、2、3 伝達部材拘束点、3a伝達部材中心軸線、46 伝達部材、5 物体面、6 スリット群、7 拘束点、8 圧電素子取り付け位置、9 伝達部材、10 伝達部材、11 拘束点、12 圧電素子、13 移動ステージ面、14 伝達部材中心軸線、15 圧電素子、16、17 伝達部材拘束点、18伝達部材、19 移動ステージ面、20 伝達部材中心軸線、21 伝達部材、22 伝達部材拘束点、23 圧電素子、24 移動ステージ面、25 伝達部材中心軸線、26 伝達部材、27 圧電素子、28 伝達部材拘束点、41 定盤、42 Y方向ガイド、43 Yステージ、44 エアパッド、45 Xステージ、46 リニアモータ、48 チルトステージ、49 ミラー、50 レーザ干渉計、51 ステージ基板、53 ウエハ、800 移動ステージ面、801 歪み抑制装置、802 歪み計測装置、803 移動ステージ装置
Claims (15)
- 物体の歪みを計測する歪み計測装置であって、
前記物体に生じる歪みを検出する歪み検出素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、
前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な直線上の離間する複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み計測装置。 - 物体の歪みを計測する歪み計測装置であって、
前記物体に生じる歪みを検出する歪み検出素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、
前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な複数のスリットを有することを特徴とする歪み計測装置。 - 物体の歪みを計測する歪み計測装置であって、
物体に生じる歪みを検出する複数の歪み検出素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、
前記複数の歪み検出素子は、前記物体の所定方向に平行な直線を挟んで離間して前記伝達部材に配置され、
前記伝達部材は、前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み計測装置。 - 物体の歪みを計測する歪み計測装置であって、
物体に生じる歪みを検出する複数の歪み検出素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み検出素子が固着されて前記物体の歪みを前記歪み検出素子に伝達する伝達部材とを備え、
前記複数の歪み検出素子は、前記物体の所定方向に平行な直線上に離間して前記伝達部材に配置され、
前記伝達部材は前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み計測装置。 - 前記伝達部材は、前記伝達部材に形成された台座を介して前記物体に固定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の歪み計測装置。
- 前記歪み検出素子は、圧電素子であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の歪み計測装置。
- 前記物体は、半導体製造工程において基板又は原版を移動させる移動ステージであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の歪み計測装置を備えた露光装置。
- 物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置であって、
前記物体に対して歪みによる力を発生する歪み発生素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、
前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な直線上の離間する複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み抑制装置。 - 物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置であって、
前記物体に対して歪みによる力を発生する歪み発生素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、
前記伝達部材は、前記物体の所定方向に平行な複数のスリットを有することを特徴とする歪み抑制装置。 - 物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置であって、
前記物体に対して歪みによる力を発生する複数の歪み発生素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、
前記複数の歪み抑制素子は、前記物体の所定方向に平行な直線を挟んで離間して前記伝達部材に配置され、
前記伝達部材は、前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み抑制装置。 - 物体に発生する歪みを抑制する歪み抑制装置であって、
前記物体に対して歪みによる力を発生する複数の歪み発生素子と、
前記物体に固定されると共に、前記歪み発生素子が固着されて前記歪み発生素子の歪みによる力を前記物体に伝達する伝達部材とを備え、
前記歪み抑制素子は、前記物体の所定方向に平行な直線上に離間して前記伝達部材に配置され、
前記伝達部材は、前記直線上の複数点で前記物体に固定されていることを特徴とする歪み抑制装置。 - 前記伝達部材は、前記伝達部材に形成された台座を介して前記物体に固定されていることを特徴とする請求項8乃至請求項11のいずれか1項に記載の歪み抑制装置。
- 前記歪み抑制素子は、圧電素子であることを特徴とする請求項8乃至請求項12のいずれか1項に記載の歪み抑制装置。
- 前記物体は、半導体製造工程において基板又は原版を移動させる移動ステージであることを特徴とする請求項8乃至請求項13のいずれか1項に記載の歪み抑制装置を備えた露光装置。
- 半導体デバイスの製造方法であって、
基板に感光材を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に請求項7または請求項14に記載の露光装置を利用してパターンを転写する露光工程と、
前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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