JP2005064210A - 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子の表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくすること。
【解決手段】 局所ガス給排出部１８０は、２つの開口部１８３，１８４を備える。開口部１８３は、不活性ガス給排気管１９６、開閉バルブ２０８及び切り替えバルブ２１５を介して不活性ガス供給装置２０３又は不活性ガス回収装置２０４に接続される。開口部１８４は、不活性ガス給排気管１９７、開閉バルブ２１２及び切り替えバルブ２１６を介して不活性ガス供給装置２０３又は不活性ガス回収装置２０４に接続される。開口部１８３から開口部１８４に向けて不活性ガスを流し、所定の間隔をあけて開口部１８４から開口部１８３に向けて不活性ガスを流すことにより、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子の表面に到達する到達量の分布を略均一にする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体集積回路、液晶ディスプレイ、撮像素子、磁気ヘッド等の電子デバイスの製造工程で必要となる微細パターンの形成工程で使用される露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置に関する。
半導体素子又は液晶表示素子などをフォトリソグラフィ工程で製造する際に、レチクルのパターン像を、投影光学系を介して感光材（フォトレジスト）が塗布されたウエハ上の各投影（ショット）領域に縮小して投影する縮小投影露光装置が使用されている。半導体素子中の回路は、上記投影露光装置でウエハ上に回路パターンを露光することにより転写して、該ウエハに後処理を施すことにより形成される。
近年、集積回路の高密度集積化、すなわち回路パターンの微細化が進められている。このため、投影露光装置における投影光も短波長化される傾向にある。すなわち、これまで主流だった水銀ランプの輝線に代わってＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）が用いられるようになり、さらに短波長のＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を用いた投影露光装置の実用化も最終段階に入りつつある。また、更なる高密度集積化をめざしてＦ2レーザ（１５７ｎｍ）を使用する露光装置の研究も進められている。
一般に波長が約１９０ｎｍ以下の紫外線は真空紫外光とも呼ばれ、空気中を透過しない。これは空気中に含まれる酸素分子（Ｏ2）、水分子（Ｈ2Ｏ）、二酸化炭素分子（ＣＯ2）などの物質（以下吸光物質）によって光が吸収されるからである。このため、真空紫外光を用いた露光装置において、露光光をウエハ面上に十分な照度で到達させるためには、露光光路上の吸光物質の低減もしくは排除する必要がある。一般的に十分な生産性（スループット）を確保しつつ半導体製造作業を行うためには、高純度不活性ガスで光路空間をパージして、不純物濃度を数ｐｐｍ以下にしなければならない。上記のように真空紫外光を用いた露光装置では、より微細な遮光パターン（回路パターン）の転写が可能な一方で、吸光物質の排除を行う必要があるなど取り扱いが容易ではない。
特に、投影光学系の最下端にある光学素子とウエハとの間の空間では上記のような高純度パージは容易ではない。これは、
１．半導体製造装置で重要となる生産性（スループット）を低減させないようにすると、投影光学系の最下端にある光学素子とウエハとの間の空間の密閉が容易ではない（空間内への外気の混入の低減が容易ではない）。
２．ウエハの露光はステップアンドリピート操作を繰り返して行うために、ウエハステージ周辺の機構が複雑である。
３．局所パージ機構から高純度パージガス（高純度不活性ガス）が漏れ出すと測長干渉計に与える誤差が無視できないレベルとなる。
などが理由である。
ウエハステージの外周に隔壁を設けることでウエハステージを密閉空間内に設置するとすれば、高純度パージは容易である。しかし、半導体回路を焼き付けるウエハの出し入れに時間がかかるので、露光装置の生産性（スループット）の低下を招くことになり、好ましい対処方法とは言えない。
真空紫外光（例えばＦ2レーザ光）を用いた露光装置では、これまでのように有機物やＳｉ化合物による露光光の吸収だけではなく、Ｏ2、Ｈ2Ｏ分子等による露光光の吸収も問題となる。また、その吸収量もこれまでのＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザを用いた露光装置とは比較とならないほど大きい。
このため露光光の光路空間内は、高純度不活性ガスで不純物濃度がｐｐｍレベル以下にパージされる必要がある。
しかし、投影光学系の最下端にある光学素子とウエハとの間の狭い空間でのパージは上記の理由から容易ではないので、特に問題となる。また、レジストから放出される脱ガス（レジスト放出ガス）は、有機化合物、Ｓｉ化合物等を主成分としたものであり、露光光による作用（光ＣＶＤ反応）を受けて、直接的に投影光学系の最下端にある光学素子の表面を曇らせる（照度低下の原因）ことになり、問題が大きい。
このため以下のような局所パージ機構が提案されている。
投影光学系の最下端にある光学素子とウエハとの間に穴あき板（ガイド板）を設置し、その上部の任意の一方向からガスを供給する一方、対向する方向からガスを排気する。（なお、対向する位置から排気しない場合、ガイド板の穴では強いダウンフローが生じるが、その跳ね返りとしてレジスト放出ガス成分を大量に含むガス流のアップフローが発生する可能性がある。）
これにより投影光学系の最下端にある光学素子とウエハとの間の露光光が通過する空間（局所パージ空間）を高純度ガスで満たすことができる。
上記局所パージ機構を設けることで上述した問題の殆どは解決される。
しかし、第１の不具合として、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量を大幅に低減させることができたとしても、上記光学素子表面に対するレジスト放出ガスの到達量が均一ではなく、ばらつきがあると、これが照度ムラの原因となるおそれがあった。
また、第２の不具合として、高純度ガスの給排気には通常パイプが用いられるが、これを局所パージ空間に直結すると、パイプの出入り口近傍でのガス流が乱れ、局所パージ空間内でのパージガスの流れ（流速ベクトルの分布）の均一性が低下し、上記光学素子表面に対するレジスト放出ガスの到達量の分布にムラができてしまう。これは上記と同様に照度ムラの原因となるおそれがあった。
上記局所パージ機構の有効性については疑う余地はないが、より完成度を高めて上記２つの不具合を低減させることが要望されている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、局所パージ空間内でのパージガスの流れを均一化することができる、露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の露光方法は、投影光学系（１５０）を介して被露光基板（２３０）上に所定のパターンを露光転写する露光方法であって、投影光学系と被露光基板
との間の、露光光の光路を含む空間（１８１）に、露光光を透過する透過性流体を供給し、空間から透過性流体を含む流体を排出し、所定の間隔で露光光の光路を含む空間に対する透過性流体の供給方向又は透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更することを特徴とする。
本発明の露光方法によれば、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
本発明の露光方法において、前記空間に前記透過性流体を供給する供給口と、前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出する排出口とに切り替わる少なくとも２つの開口（１８３，１８４）を有し、前記透過性流体の供給方向又は前記透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方の変更は、前記少なくとも２つの開口のそれぞれを、前記供給口と前記排出口とに交互に切り替えることにより行われることが好ましい。
また、前記少なくとも２つの開口のうち、前記供給口に設定されている一方の開口を、所定時間経過後に前記排出口に設定すると共に、前記少なくとも２つの開口のうち、前記排出口に設定されている他方の開口を、所定時間経過後に前記供給口に設定することが好ましい。
また、前記少なくとも２つの開口のうち、少なくとも１つの開口（１８３，１８４）に流体均一化機構（２６０）を装備して、前記空間内における前記透過性流体あるいは前記透過性流体を含む流体の流れを均一化させることが好ましい。これにより、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができることと、露光光の光路を含む空間を流れる流体の速度分布を均一化できることとが相俟って、露光光強度ムラ（照度ムラ）をさらに少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができ、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
前記透過性流体は、窒素ガス又は希ガスであることが好ましい。
また、本発明の別の露光方法は、投影光学系（１５０）を介して被露光基板（２３０）上に所定のパターンを露光転写する露光方法であって、投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間（１８１）に、供給口を介して、該露光光を透過する透過性流体を供給し、排出口を介して空間から透過性流体を含む流体を排出し、供給口又は排出口の少なくとも一方に流体均一化機構（２６０）を装備して、空間内における透過性流体あるいは透過性流体を含む流体の流れを均一化させることを特徴とする。
本発明の別の露光方法によれば、投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間を流れる流体の速度分布を均一化することができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
本発明の別の露光方法において、前記均一化機構（２６０）が、
板部材（２６１）を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記板部材に衝突して、分流した状態で前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記板部材に衝突して一旦分流した状態で排出されるようにすること、
スリット（２６２）を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が該スリ
ットにより分流した状態で前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記スリットを通過して排出されるようにすること、
メッシュ（２６３）を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記メッシュを通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記メッシュを通過して排出されるようにすること、
パーティクルフィルタ（２６４）を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記パーティクルフィルタを通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記パーティクルフィルタを通過して排出されるようにすること、
多孔体を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記多孔体を通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記多孔体を通過して排出されるようにすること、
あるいは、その内部を複数の流路に分割する分割路（２６５）を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記分割路を通過した後、前記空間内に流入して供給され、又は前記空間から前記流体が前記分割路を通過した後、前記排出口に流入して排出されるようにすることが好ましい。
本発明の電子デバイスの製造方法は、投影光学系を介して被露光基板上に所定のパターンを露光転写する電子デバイスの製造方法において、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の露光方法を使用して被露光基板を露光することを特徴とする。
本発明の露光装置は、投影光学系（１５０）を介して被露光基板（２３０）上に所定のパターンを露光転写する露光装置（１００）であって、投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間（１８１）に、露光光を透過する透過性流体を供給する手段（２０３）と、空間から透過性流体を含む流体を排出する手段（２０４）と、所定の間隔で露光光の光路を含む空間に対する透過性流体の供給方向又は透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更する手段（２１５，２１６）を装備してなることを特徴とする。
本発明の露光装置によれば、透過性流体の供給方向又は透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更するという簡単な構成により、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
本発明の別の露光装置は、投影光学系（１５０）を介して被露光基板（２３０）上に所定のパターンを露光転写する露光装置（１００）であって、投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間（１８１）に、供給口（１８３，１８４）を介して、該露光光を透過する透過性流体を供給する手段（２０３）と、排出口（１８４，１８３）を介して前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出する手段（２０４）と、供給口又は排出口の少なくとも一方に流体均一化機構（２６０）を装備して、空間内における透過性流体あるいは透過性流体を含む流体の流れを均一化させることを特徴とする。
本発明の別の露光装置によれば、投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間を流れる流体の速度分布を均一化することができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
請求項１に記載の本発明の露光方法によれば、所定の間隔で露光光の光路を含む空間に
対する透過性流体の供給方向又は透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更するので、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
また、請求項６に記載の本発明の別の露光方法によれば、透過性流体の供給口又は排出口の少なくとも一方に流体均一化機構を装備して、空間内における透過性流体あるいは透過性流体を含む流体の流れを均一化させるので、露光光の光路を含む空間を流れる流体の速度分布を均一化することができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
また、請求項１３に記載の本発明の電子デバイスの製造方法によれば、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の露光方法を使用して被露光基板を露光するので、露光処理のスループットを向上させて生産性を上げることができ、また歩留まりを向上させることが出来る。
また、請求項１４に記載の本発明の露光装置によれば、所定の間隔で露光光の光路を含む空間に対する透過性流体の供給方向又は透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更する手段を装備してなるので、簡単な構成によりレジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
また、請求項１９に記載の本発明の別の露光装置によれば、流体の供給口又は排出口の少なくとも一方に流体均一化機構を装備して、空間内における透過性流体あるいは透過性流体を含む流体の流れを均一化させるので、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
以下本発明の露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置の実施形態について図１乃至図６を参照して説明する。
図１は本発明の露光装置の第１実施形態を示す全体構成図、図２は図１の露光装置の投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間に装備される局所流体給排出部の平面図（先端の光学部材１５１側から見た平面図）、図３は図２に示す局所流体給排出部における流体の流れを示す説明側断面図、図４は図３に示す流体の流れ方向を変更した場合を示す図３と同様の説明側断面図、図５（ａ）乃至（ｃ）及び図６（ａ）乃至（ｃ）は図２の局所流体給排出部に配置される流体均一化機構の斜視図である。
まず本第１実施形態の露光装置の全体構成及び動作について、図１を参照して説明する。
本第１実施形態においては、露光用ビームとしてＦ2レーザー光を用いるステップ・アンド・スキャン型投影露光装置を例示して本発明を説明する。
露光装置１００は、光源１１０、照明光学系１２０、レチクル操作部１４０、投影光学系（ＰＬ）１５０、ウエハ操作部１６０、アライメント系１７０、局所ガス供給部（パー
ジ部）１８０、環境制御系２００及び図示せぬ制御部等を有する。
なお以下の説明においては、投影光学系１５０の光軸と直交して紙面と垂直な方向をＸ方向、投影光学系１５０の光軸と直交して紙面と平行な方向をＹ方向、また、Ｘ、Ｙ方向と直交して投影光学系１５０の光軸と平行な方向をＺ方向とする。
光源１１０は、真空紫外域である波長１５７ｎｍのパルスレーザー光を発生するＦ2レーザーである。光源１１０より出射された光ビームは、照明光学系１２０に入射される。
照明光学系１２０は、光源１１０より射出された光ビームの整形及び照度の均一化等の処理を行い、処理した露光光を転写すべきパターンが形成されたレチクル（Ｒ）２２０に照射する。
照明光学系１２０は、可動ミラーを有し光源１１０より射出された光ビームの位置合わせを行うビームマッチングユニット（ＢＭＵ）１２１、光ビームの減光率を調整する可変減光器としての光アッテネータ１２２、光ビームを整形するビーム整形光学系１２３、露光光の光量分布を調整するオプティカル・インテグレータとしてのフライアイレンズ１２４、露光光の光量分布を円形、複数の偏心領域、輪帯状などで設定して照明条件を決定する開口絞り１２５、露光光量検出のために光ビームを分岐するビームスプリッタ１２６、ミラー１２７及び１３１、リレーレンズ１２８及び１３０、照明領域を規定するレチクルブラインド（視野絞り）１２９、コンデンサレンズ系１３２及びこれらを収容する照明系チャンバ１３３を有する。
このような照明光学系１２０においては、光源１１０より射出された光ビームは、ビームマッチングユニット１２１において光軸が照明光学系１２０の光軸と一致するように調整され、光アッテネータ１２２に入射される。光アッテネータ１２２の減光率は、図示せぬ制御部からの制御信号に基づいて段階的又は連続的に調整されるようになっており、これにより露光光量の調整がなされる。なお、露光光量の調整は、光源１１０における光ビームの出力エネルギーの制御と合わせて行われる。
光アッテネータ１２２を通過した光ビームは、ビーム整形光学系１２３において断面形状が整形され、フライアイレンズ１２４において光量分布が均一化された後、開口絞り１２５を介してビームスプリッタ１２６に入射される。
ビームスプリッタ１２６は、透過率が高く反射率が低いビームスプリッタ１２６であって、これにより反射された光は、図示せぬインテグレータセンサに入射され光量が計測される。
ビームスプリッタ１２６を通過した露光光ＥＬは、ミラー１２７によりほぼ水平方向に反射され、リレーレンズ１２８を介してレチクルブラインド１２９に達する。
レチクルブラインド１２９は、レチクル２２０のパターン面と光学的にほぼ共役な面に配置された、レチクル２２０のパターン面の照明領域外（露光範囲外）を覆うことによりレチクル２２０の照明領域を規定する遮光板である。レチクルブラインド１２９は、固定ブラインド及び可動ブラインドを有し、露光光ＥＬが照射されるレチクル２２０の照明領域を、投影光学系１５０の円形視野内で露光光ＥＬの光軸を中心としてＸ方向に延びる矩形形状に規定する。またレチクルブラインド１２９は、走査露光中、レチクル２２０が移動される走査方向（本実施形態ではＹ方向）の照明領域の幅を所定の幅に制御する。
レチクルブラインド１２９を通過した露光光ＥＬは、リレーレンズ１３０、ミラー１３
１及びコンデンサレンズ系１３２を介してレチクル操作部１４０に入射され、レチクル２２０のパターン面上の所定の領域を照明する。
照明光学系１２０のこれらビームマッチングユニット１２１からコンデンサレンズ系１３２に至る各構成部は、Ｆ2レーザー光である露光光ＥＬに対してエネルギー吸収の少ない不活性ガス（透過性ガス、例えばヘリウム、窒素等）若しくはこれらヘリウム、窒素等の混合ガスを充満させた照明系チャンバ１３３内に収容されている。
照明系チャンバ１３３は、バルブ２０９を介して不活性ガス回収装置２０４に接続され、またバルブ２０５を介して不活性ガス供給装置２０３に接続されている。従って、バルブ２０５及びバルブ２０９をそれぞれ開くことによって、照明系チャンバ１３３内の空気が排気される一方、照明系チャンバ１３３内に不活性ガスが供給されて、照明系チャンバ１３３内の空気が不活性ガスに置換される。
レチクル操作部１４０は、投影光学系１５０と照明光学系１２０との間に設けられ、レチクル（マスク）２２０を保持し、照明光学系１２０より出射され投影光学系１５０に入射される露光光ＥＬにレチクル２２０上のパターンの所望の領域が適切に照射されるように、その位置、姿勢を制御する。
レチクル操作部１４０は、レチクルステージ１４１、図示せぬレーザー干渉計システム及びレチクル室１４２を有する。
レチクルステージ１４１は、所定のストロークでＹ方向に移動可能に、またＸＹ平面内で回転方向及び並進方向に微動可能に、レチクル２２０を保持する。 レチクルステージ１４１は、図示しない少なくとも６つの測長軸を有するレーザー干渉計システムによって、Ｘ、Ｙ方向の位置、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸回りの３つの回転量（ピッチング量、ローリング量、ヨーイング量）、及び、Ｚ方向の位置（投影光学系１５０との間隔）が計測されている。レチクルステージ１４１は、これらの計測結果より図示せぬ制御部において生成される制御信号に基づいて、レチクル２２０を所望の位置、姿勢に調整し、また、走査露光時に、ウエハ２３０の移動に同期して、露光光ＥＬの照明領域に対してレチクル２２０を走査方向（Ｙ方向）に所定の速度で移動する。
レチクルステージ１４１は、露光光ＥＬに対してエネルギー吸収の少ない不活性ガスを充満させたレチクル室１４２に収容されている。
レチクル室１４２は、バルブ２１０を介して不活性ガス回収装置２０４に接続され、またバルブ２０６を介して不活性ガス供給装置２０３に接続されている。従って、バルブ２０６及びバルブ２１０をそれぞれ開くことによって、レチクル室１４２内の空気が排気される一方、レチクル室１４２内に不活性ガスが供給されて、レチクル室１４２内の空気が不活性ガスに置換される。不活性ガスは、大気圧より１〜１０％程度高い圧力となるようにレチクル室１４２内に供給される。
投影光学系１５０（ＰＬ）は、レチクル２２０のパターンの縮小像を、露光光ＥＬの照明領域と共役な露光領域（ウエハ２３０での露光光ＥＬの照射領域）に形成する両側テレセントリックな縮小系である。すなわち、レチクル２２０のパターンの像は、投影光学系１５０により所定の縮小倍率α（αは例えば１／４、１／５等）で縮小され、ウエハ操作部１６０のウエハステージ上に載置されている予め表面にフォトレジストが塗布されたウエハ２３０上に投影される。
なお、本実施形態において露光光ＥＬはＦ2レーザー光であるため、透過率のよい光学
硝材は、螢石（ＣａＦ2）、フッ素や水素をドープした石英ガラス、及び、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）等に限られる。従って、投影光学系１５０を屈折光学部材のみで構成して所望の色収差特性等の結像特性が得られない場合には、投影光学系１５０は、屈折光学部材と反射鏡を組み合わせた反射屈折系により構成する。
投影光学系１５０においては、レチクル２２０側の光学部材（光学素子）からウエハ２３０側の先端の光学部材までの全ての光学部材（投影光学系１５０内の露光光ＥＬの全光路）は、Ｆ2レーザー光である露光光ＥＬに対してエネルギー吸収の少ない不活性ガスを充満させた鏡筒ＰＫ内に収容されている。
鏡筒ＰＫは、その外周に形成した不図示のフランジを介して露光装置の図示しないボディフレームに搭載され、固定されている。鏡筒ＰＫは、バルブ２１１を介して不活性ガス回収装置２０４に接続され、またバルブ２０７を介して不活性ガス供給装置２０３に接続されている。従って、バルブ２０７及びバルブ２１１をそれぞれ開くことによって、鏡筒ＰＫ内の空気が排気される一方、鏡筒ＰＫ内に不活性ガスが供給され、鏡筒ＰＫ内の空気が不活性ガスに置換される。不活性ガスは、大気圧より１〜１０％程度高い圧力となるように、鏡筒ＰＫ内に供給される。
ウエハ操作部１６０は、露光対象のウエハ（感応基板）２３０を保持し、その位置を制御して、これを投影光学系１５０から出射される露光光ＥＬによるレチクル２２０のパターンの像の照射対象として供する。また、走査露光時には、レチクル操作部１４０におけるレチクル２２０の移動と同期して、ウエハ２３０の位置を順次移動させる。
ウエハ操作部１６０は、ウエハ２３０を保持するウエハステージ１６１、ウエハステージの位置及び姿勢を検出するレーザー干渉計システム１６２、ウエハステージを駆動するステージ駆動系１６３及びウエハローダ部１６４を有する。
ウエハステージ１６１は、ベース盤上に支持されステージ駆動系によりベース盤上をＸＹ２次元に自在に移動可能なステージ本体、３個のＺ方向アクチュエータによってステージ本体上に支持されＺ方向の位置及びＸＹ平面における傾きを調整する調整用ステージ、及び、調整用ステージ上に支持されウエハ２３０を表面に形成された吸着孔からの真空吸引力の作用により吸着し保持するウエハホルダを有し、ウエハローダ部１６４によって搬送され載置されたウエハ２３０を、ウエハホルダ上に所望の姿勢で保持し、露光に供する。
レーザー干渉計システム１６２は、少なくとも５つの測長軸を有し、調整用ステージに形成される反射面にレーザービームを照射して、ウエハステージのＸ、Ｙ方向の位置情報、及び、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸回りの３つの回転量、すなわち、ピッチング量、ローリング量及びヨーイング量を計測する。
ステージ駆動系１６３は、ベース盤上に支持されたウエハステージをＸ，Ｙ２次元方向に自在に移動させる。
ウエハローダ部１６４は、露光装置１００に投入されたウエハカセットより露光処理対象のウエハ２３０を取り出し、ウエハステージ１６１のウエハホルダ上に載置する。また、露光処理の終了したウエハ２３０をウエハステージより回収して、新たなウエハカセットの所定の位置に収容する。
アライメント系１７０は、ウエハ操作部１６０に保持されたウエハ２３０の位置を検出し所望の位置にウエハ２３０の位置を位置決めするために、ウエハ２３０のアライメント
マーク及びウエハ操作部１６０のウエハステージに設けられる基準マーク等を検出し、検出結果を図示せぬ制御部に出力する。
局所ガス給排出部（局所流体給排出部）１８０は、投影光学系１５０の先端の光学部材と、ウエハ操作部１６０に保持されたウエハ２３０との間の、露光光の光路空間を含む空間（特定空間）１８１に不活性ガスを所定の方向から流すことにより、特定空間１８１内の吸光物質を排除する。また、これにより、ウエハ２３０のレジストから発生するアウトガスが先端の光学部材に付着するのを抑制する。
局所ガス給排出部１８０の詳細な構成については、図２乃至図６を参照して後で説明する。
環境制御系２００は、露光装置１００本体の設置環境及び露光装置１００内の露光光ＥＬの経路等を所望の状態に整えるための構成部である。
環境制御系２００は、チャンバ２０１、フィルタ２０２、不活性ガス供給装置２０３及び不活性ガス回収装置２０４を有する。
チャンバ２０１は、露光装置１００全体を収容する環境制御チャンバ（エンバイロンメンタル・チャンバ）である。チャンバ２０１内には空調装置が設けられており、露光装置１００に対して温度や湿度が調整されたエアーが送風され、露光装置１００の設置環境が所望の状態に維持されている。
フィルタ２０２は、露光装置１００が設置されているチャンバ２０１内を清浄化するために、化学吸着及び物理吸着によりケミカルコンタミ等の不純物を除去する不純物除去フィルタ及び塵埃を除去するパーティクル除去フィルタである。前述したように、露光装置１００はチャンバ２０１内に設けられており、フィルタ２０２はチャンバ２０１内の空調装置の風上部に設置されている。その結果、チャンバ２０１内においては、露光装置１００に対して清浄なエアーが供給されることとなり、露光装置１００の周囲から露光装置１００へのケミカルコンタミ等の不純物の侵入を防止することができる。
不活性ガス供給装置２０３は、照明光学系１２０の照明系チャンバ１３３、レチクル操作部１４０のレチクル室１４２、投影光学系１５０の鏡筒ＰＫ及び局所ガス給排出部１８０に、Ｆ2レーザー光である露光光ＥＬに対してエネルギー吸収の少ない不活性ガスを供給する。
具体的には、不活性ガス供給装置２０３は、露光装置１００の全体が収納されているチャンバ２０１の外部に設置され、不活性ガスが高純度の状態で圧縮又は液化され貯蔵されたボンベである。そして、図示せぬ制御部の制御によりバルブ２０５乃至２０８が各々開閉されることにより、前述した各構成部へ不活性ガスを供給する。
なお、本実施の形態の露光装置１００においては、波長１５７ｎｍの真空紫外光を露光光ＥＬとして使用しており、この露光光ＥＬの吸光物質としては、酸素（Ｏ2）、水（水蒸気：Ｈ2Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、炭酸ガス（二酸化炭素：ＣＯ2）、有機物及びハロゲン化物等があり、一方、エネルギー吸収がほとんどなく、これを透過する気体としては、窒素ガス（Ｎ2）、水素（Ｈ2）及び、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒｎ）、よりなる希ガスがある。また、投影光学系とウエハとの間に液体を供給する場合は、水やフッ素系不活性オイルがある。
なお、本実施の形態において、不活性ガス供給装置２０３で供給する不活性ガス（透過性ガス）としては、窒素ガスを供給するものとする。
なお、窒素ガスは、波長が１５０ｎｍ程度までは透過性ガスとして使用することができるが、１５０ｎｍ以下の光に対しては吸光物質として作用する。一方、ヘリウムガスは、波長が１００ｎｍ程度まで透過性ガスとして使用することができる。また、ヘリウムガスは熱伝導率が窒素ガスの約６倍であり、気圧変化に対する屈折率の変動量が窒素ガスの約１／８である。
従って、より透過率を高くし光学系の特性を安定させたい場合や、露光光ＥＬの波長が１５０ｎｍ以下のような場合には、コストは高くなるものの、不活性ガスとしてヘリウムガスを使用することが望ましい。
不活性ガス回収装置２０４は、不活性ガス供給装置２０３より不活性ガスが供給される各部、すなわち、前述した照明光学系１２０の照明系チャンバ１３３、レチクル操作部１４０のレチクル室１４２、投影光学系１５０の鏡筒ＰＫ及び局所ガス給排出部１８０の排気を行う真空ポンプである。
不活性ガス回収装置２０４は、照明光学系１２０の照明系チャンバ１３３、レチクル操作部１４０のレチクル室１４２及び投影光学系１５０の鏡筒ＰＫについては、前述したように、不活性ガス供給装置２０３より不活性ガスが供給される前に各容器内の空気を吸引排気する。
また、局所ガス給排出部１８０については、不活性ガス回収装置２０４が、露光処理中常にバルブ２１３，２１４を介して真空吸引力を作用させ続け、不活性ガス供給装置２０３より供給される不活性ガスを含む特定空間１８１内の気体を排気する。これにより不活性ガスが特定空間１８１内をある程度の速度で流れることとなり、ウエハ２３０より発生するアウトガスを特定空間１８１より排気することができる。
図示せぬ制御部は、露光装置１００において全体として所望の露光処理が行われるように、露光装置１００の各構成部を制御する。
具体的には、ウエハローダ部による露光装置１００に投入されたウエハのウエハステージへのローディング及び露光の終了したウエハのアンローディング、アライメント系１７０により検出された信号に基づくアライメントマークの位置検出のための信号処理、検出したウエハステージ及びウエハの位置に基づくステージ駆動系の制御、及び、走査露光時のレチクル２２０及びウエハ２３０の移動、及び、位置及び姿勢の制御等を行う。
また、制御部は、照明光学系１２０のインテグレータセンサで検出したビームスプリッタ１２６での反射光の光量、及び、予め記憶しているビームスプリッタ１２６の透過率あるいは反射率に基づいて、投影光学系１５０に対する光の入射光量及びウエハ２３０上での光量を検出する。この検出結果に基づいて、光源１１０の発光の開始及び停止、発振周波数、及び、パルスエネルギーで定まる出力を制御し、また、光アッテネータ１２２における減光率を調整し、最終的にウエハ２３０に対する露光光ＥＬの光量を制御する。
次に、本発明の露光装置の特徴部分である局所ガス給排出部１８０について図２乃至図６を参照して詳細に説明する。
上述したように、局所ガス給排出部１８０は、投影光学系１５０とウエハ２３０との間、すなわち投影光学系１５０を構成する複数の光学部材のうち、最もウエハ２３０側に配
置される先端の光学部材１５１と、ウエハ２３０との間の露光光ＥＬが通過する光路から吸光物質を排除し、また、ウエハ２３０のレジスト部分から発生したアウトガスが先端の光学部材１５１に付着するのを防ぐために、先端の光学部材１５１とウエハ２３０との間の特定空間１８１に不活性ガスを流す機構である。
図２乃至図４に示すように、局所ガス給排出部１８０は、特定空間１８１に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給口と、この供給された不活性ガスを含む気体を排気する排気口に切り替わる同一構造を有する２つの開口部１８３，１８４を備える。さらに、局所ガス排出部１８０は、露光光ＥＬの光軸に対して、開口部１８３，１８４の外側で、かつウエハに対向する底面部１９１に、該底面部１９１とウエハ２３０との間の隙間の空間１８２の気体を吸い込む周囲排気溝（吸引口）１８６が設けられる。
不活性ガス供給口又は排気口部に切り替わる開口部１８３，１８４は、露光光ＥＬの光路を挟んで、露光装置１００のスキャン方向と同じ方向に対向して設けられる。なお、このような開口部１８３，１８４の配置に限定されず、例えば開口部１８３，１８４をスキャン方向と直交する方向に対向して設けてもよい。
底面部１９１は、ウエハ２３０の表面と平行に配置され、その中央部に露光光ＥＬの光路及びＡＦ光路に合わせて方形状の開口１９１ａが形成されている。
開口部１８３は、不活性ガス給排気管１９６、開閉バルブ２０８及び切り替えバルブ２１５を介して不活性ガス供給装置２０３又は不活性ガス回収装置２０４に接続される。
開口部１８４は、不活性ガス給排気管１９７、開閉バルブ２１２及び切り替えバルブ２１６を介して不活性ガス供給装置２０３又は不活性ガス回収装置２０４に接続される。
切り替えバルブ２１５，２１６は、例えば３方弁からなり、図示せぬ制御部からの電気信号により所定の間隔で開口部１８３，１８４を不活性ガス供給装置２０３側と不活性ガス回収装置２０４側に交互に切り替えるもので、切り替えバルブ２１５が開口部１８３を不活性ガス供給装置２０３側に切り替えたとき、切り替えバルブ２１６は開口部１８４を不活性ガス回収装置２０４側に切り替え、切り替えバルブ２１５が開口部１８３を不活性ガス回収装置２０４側に切り替えたとき、切り替えバルブ２１６は開口部１８４を不活性ガス供給装置２０３側に切り替えるように制御される。開口部１８３，１８４が共に不活性ガス供給装置２０３側に切り替えられたり、あるいは開口部１８３，１８４が共に不活性ガス回収装置２０４側に切り替えられたりしないようにしている。
切り替えバルブ２１５，２１６を切り替える間隔は、例えばウエハ２３０を交換する毎（ウエハ毎）に、複数枚のウエハ２３０を処理する毎（ロット毎）に、あるいは定期メンテナンス毎である。また、切り替えておく時間、例えば開口部１８３（１８４）を不活性ガス供給装置２０３側に切り替える時間の長さと、不活性ガス回収装置２０４側に切り替える時間の長さとは厳密に同一時間とする必要はなく、ほぼ同じであればよい。
なお、切り替えバルブ２１５として３方弁の代わりに通常のストップバルブを２つ装備してもよい。また、切り替えバルブ２１６についても３方弁の代わりに通常のストップバルブを２つ装備してもよい。
３方弁、ストップバルブは、電気信号よって容易にリモートコントロールが可能であり、また装置のコストアップに及ぼす影響は僅かである。
図３に示す状態では、開口部１８３は切り替えバルブ２１５を介して不活性ガス供給装
置２０３側に接続されていて、不活性ガスが、該不活性ガス供給装置２０３から開口部１８３より吹き出し、露光光ＥＬの光路を横切って開口部１８４の方向に流される。このとき、開口部１８３に対向する開口部１８４は切り替えバルブ２１６を介して不活性ガス回収装置２０４側に接続されていて、露光光ＥＬの光路を含む特定空間１８１に存在する不活性ガスを含む気体が、切り替えバルブ２１６、開閉バルブ２１２及び不活性ガス給排気管１９７を介して開口部１８４に作用する吸引力により吸気され、露光装置１００が設置されているチャンバ２０１の外に排気される。
また、図４に示す状態では、開口部１８４は切り替えバルブ２１６を介して不活性ガス供給装置２０３側に接続されていて、該不活性ガス供給装置２０３から不活性ガスが開口部１８４より吹き出し、露光光ＥＬの光路を横切って開口部１８３方向に流される。このとき、開口部１８４に対向する開口部１８３は切り替えバルブ２１５を介して不活性ガス回収装置２０４側に接続されていて、露光光ＥＬの光路を含む特定空間１８１に存在する不活性ガスを含む気体が、切り替えバルブ２１５、開閉バルブ２０８及び不活性ガス給排気管１９６を介して開口部１８３に作用する吸引力により吸気され、露光装置１００が設置されているチャンバ２０１の外に排気される。
投影光学系１５０の先端面と局所ガス給排出部１８０の上面との間隙を塞ぐために、局所ガス給排出部１８０の上面と投影光学系１５０の先端面の周縁部との間には、フィルム状封止部１９５が設けられている。このフィルム状封止部１９５は、気密性の高いフィルム状の部材である。なお、間隙を塞ぐ構成としては気密性の高いフィルム状の部材に限らず他の部材であってもよい。例えば弾性部材を使用してもよい。
これにより、投影光学系１５０の先端面と局所ガス給排出部１８０の上面（開口部１８３の上面部と開口部１８４の上面部）との間隙から、特定空間１８１内の不活性ガスを含む気体が、特定空間１８１外部、すなわち露光装置１００内のウエハ操作部１６０周辺に漏れ出るのを防ぐことができる。
開口部１８３の底面部と排気口部１８４の底面部は、局所ガス給排出部１８０の底面を規定する一連の底面部１９１と一体に形成されている。
局所ガス給排出部１８０は、該局所ガス給排出部１８０の底面部１９１が、ウエハに対して所定の間隔を介して非接触状態となるように、前記フィルム状封止部１９５によって、投影光学系１５０の先端面に取りつけられている。
また、局所ガス給排出部１８０には、ウエハ２３０と所定の距離離れて対向する局所ガス給排出部１８０の底面部１９１の、特定空間１８１の外側に、該特定空間１８１を取り囲むように、周囲排気溝１８６が設けられている。
周囲排気溝１８６は、図２に示すように、４箇所で排気管１９８，１９９に連結され、各排気管１９８，１９９は、対応するバルブ２１３，２１４を介して不活性ガス回収装置２０４に接続されている。これにより、局所ガス給排出部１８０とウエハ２３０との間の間隙に存在する気体が、不活性ガス回収装置２０４よりバルブ２１３，２１４及び排気管１９８，１９９を介して周囲排気溝１８６に作用される吸引力により吸気され、チャンバ２０１の外部に排気される。
周囲排気溝１８６からは、開口部１８３（開口部１８４）からの不可性ガスの供給量と開口部１８４（開口部１８３）からの気体の総排気量との差よりも多い量の気体を排気する。このようにすると、開口部１８３（開口部１８４）からの不活性ガスの供給量の方が開口部１８４（開口部１８３）からの気体の排気量よりも多くしても、周囲排気溝１８６
からの気体の排気量をも含めると、開口部１８４及び周囲排気溝１８６からの気体の総排気量は、開口部１８３（開口部１８４）からの不活性ガスの供給量よりも多くなる。その結果、周囲排気溝１８６は特定空間１８１を囲んで配置されているので、周囲排気溝１８６は、図３又は図４に示すように、特定空間１８１方向からの不活性ガスを含む気体に加えて、局所ガス給排出部１８０の外部方向からの空気をも合わせて吸い込む。すなわち、特定空間１８１からも外部からも周囲排気溝１８６に向かう気体の流れが発生する。その結果、外部の空気が特定空間１８１に入るのが防止されるとともに、特定空間１８１の気体が外部の空間に漏れ出すのも防止される。
周囲排気溝１８６には、図２に示すように、開口部１８３に接続される不活性ガス給排気管１９６と開口部１８４に接続される不活性ガス給排気管１９７の箇所で切り欠き１８６ａがあり、また不活性ガス給排気管１９６と不活性ガス給排気管１９７を結ぶ線と直交する線上にあるＡＦ光を露光エリアに導くためのガラス窓２５０，２５０の箇所で切り欠き１８６ｂがある。この切り欠き１８６ｂは切り欠き１８６ａに比して大きいので、外気が切り欠き１８６ｂを介して局所ガス給排出部１８０に流入する原因となる。このため、周囲排気溝１８６に接続される排気管１９８，１９９は、切り欠き１８６ｂ（ガラス窓２５０）の両側に配置されている。
次に、上記露光装置１００による露光方法及び電子デバイスの製造方法の一実施態様について説明する。
レチクル２２０のパターンをウエハ２３０に露光する露光処理時において、例えば、図３に示すように、切り替えバルブ２１５により開口部１８３を不活性ガス供給装置２０３側に切り替え、また切り替えバルブ２１６により開口部１８４を不活性ガス回収装置２０４側に切り替える。
これにより、不活性ガス供給装置２０３からバルブ２０８及び不活性ガス給排気管１９６を通して供給される不活性ガスは、開口部１８３より所定の速度で吹き出され、先端の光学部材１５１とウエハ２３０の露光領域の間の露光光ＥＬの光路を含む特定空間１８１に供給される。
特定空間１８１に供給された不活性ガスは、露光光ＥＬの光路に対向して配置されている開口部１８４により吸引されて、不活性ガス給排気管１９７及び不活性ガス回収装置２０４を介して、チャンバ２０１外に排気される。
特定空間１８１の吸光物質を含む空気等は、開口部１８３から開口部１８４に向かう不活性ガスの流れに伴って実質的に露光装置１００外へ排気されることとなり、特定空間１８１内は不活性ガスが充満した状態となる。
次に、図４に示すように、切り替えバルブ２１５により開口部１８３を不活性ガス回収装置２０４側に切り替え、また切り替えバルブ２１６により開口部１８４を不活性ガス供給装置２０３側に切り替える。
これにより、不活性ガス供給装置２０３からバルブ２１２及び不活性ガス給排気管１９７を通して供給される不活性ガスは、開口部１８４より所定の速度で吹き出され、先端の光学部材１５１とウエハ２３０の露光領域の間の露光光ＥＬの光路を含む特定空間１８１に供給される。
特定空間１８１に供給された不活性ガスは、露光光ＥＬの光路に対向して配置されている開口部１８３により吸引されて、不活性ガス給排気管１９６及び不活性ガス回収装置２
０４を介して、チャンバ２０１外に排気される。
特定空間１８１の吸光物質を含む空気等は、前回とは反対の開口部１８４から開口部１８３に向かう不活性ガスの流れに伴って実質的に露光装置１００外へ排気されることとなり、特定空間１８１内は不活性ガスが充満した状態となる。
特定空間１８１においては、図３に示すよう、開口部１８３から開口部１８４方向への、また図４に示すように、開口部１８４から開口部１８３方向への、すなわち先端の光学部材１５１及びウエハ２３０の表面に平行で露光光ＥＬの光路に垂直な方向への不活性ガスの流れが形成される。
これにより、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスは、露光光EＬの光軸方向、すなわち先端の光学部材１５１の方向に拡散しながらも不活性ガスの流れにより強制的に開口部１８４（又は開口部１８３）の方向に流され、開口部１８４（又は開口部１８３）より排気される。
不活性ガスが流れる方向を、開口部１８３から開口部１８４への方向と、開口部１８４から開口部１８３への方向と、所定の間隔をあけて変更することにより、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスが特定空間１８１内に拡散したとしても、該アウトガスの光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
開口部１８３（又は開口部１８４）から供給される不活性ガスの量は開口部１８４（又は開口部１８３）より排気される気体の量よりも多く、また、局所ガス給排出部１８０の上面と投影光学系１５０の間はフィルム状封止部１９５により封止されているので、特定空間１８１に供給された余分な不活性ガスは、局所ガス給排出部１８０とウエハ２３０との間の隙間の空間１８２に流れこみ、特定空間１８１から流れ出る。
一方、この隙間の空間１８２に対しては、特定空間１８１を取り囲むように全域に渡って設けられている周囲排気溝１８６より気体の排気が行われている。従って、特定空間１８１より空間１８２に流れた不活性ガスを含む気体は、周囲排気溝１８６により吸気され、最終的にチャンバ２０１外に排気される。
また、周囲排気溝１８６において排気される気体の量は、特定空間１８１から隙間の空間１８２（局所ガス給排出部１８０とウエハ２３０との間の空間）に流れ出す気体の量よりも多いので、周囲排気溝１８６においては、特定空間１８１から流出する気体とともに、特定空間１８１外のウエハ操作部１６０周辺の空気をも吸気し排気する。そのため、周囲排気溝１８６の外側の隙間の空間１８２においては、外部から周囲排気溝１８６方向への空気の流れが形成される。
その結果、周囲排気溝１８６に対して特定空間１８１と外部の両方から気流が発生することとなり、特定空間１８１内の気体のウエハ操作部１６０周辺への漏洩防止、及び、特定空間１８１外の空気の特定空間１８１内への侵入の防止の両方が達成される。
なお、電子デバイスは上述した実施形態の露光装置１００によりレチクル２２０のパターンをウエハ２３０に露光する露光処理を行った後、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などを含む）、検査ステップを経て製造される。
このように、本実施の形態の露光装置１００、該露光装置１００を使用した露光方法及び電子デバイスの製造方法においては、ウエハ２３０に照射される露光光ＥＬの光路である特定空間１８１に、開口部１８３（又は開口部１８４）より供給される不活性ガスを充満させ、特定空間１８１より吸光物質を含む空気等の気体を排気している。
従って、露光光ＥＬのエネルギーが吸光物質により吸収されて露光光ＥＬの光量が低下することを抑制し、露光時のウエハ表面における露光光ＥＬの照度低下を抑えており、露光処理のスループットを向上させることができる。
また、特定空間１８１及びその周囲の局所ガス給排出部１８０とウエハ２３０との間の空間１８２とを囲むように周囲排気溝１８６が配置され、周囲排気溝１８６では、特定空間１８１からの不活性ガスと、特定空間１８１外のウエハ操作部１６０周辺からの空気をともに吸気し、排気している。従って、特定空間１８１の内側からも特定空間１８１の外側からも周囲排気溝１８６方向への気流が発生し、特定空間１８１外の空気が特定空間１８１及び空間１８２に入ること、及び、特定空間１８１及び空間１８２の不活性ガスがウエハ操作部１６０周辺に漏れ出すことの両方が防止されている。その結果、特定空間１８１のみの局所的な不活性ガスのパージを適切に行うことができる。
その結果、アウトガスが特定空間１８１内に拡散するのを低減することができ、アウトガスが投影光学系１５０にまで達して先端の光学部材１５１に付着するのを低減することができる。これにより、先端の光学部材１５１が汚れて透過率が低下することを抑制し、露光時のウエハ表面における露光光ＥＬの照度低下を抑え、ひいては露光処理のスループットを向上させることができる。
また、アウトガスが先端の光学部材１５１に到達する分布量を略均一にすることができて、照度ムラを抑制することができるため、露光処理を高精度に適切に行うことができ、不良な電子デバイスが発生するのを防ぎ、歩留まりを向上させることができる。
また、本実施の形態の露光装置１００においては、このような効果を得るにあたって局所ガス給排出部１８０の特定空間１８１に供給する不活性ガスの量を増やす必要がない。従って、不活性ガスの消費量の増大を抑え、ランニングコストの増大を防ぐことができる。
また、効率よい不活性ガスの供給や、効率よい電子デバイスの製造を行うことができるので、露光装置の寿命を延ばすこともできる。
次に本発明の露光装置の第２実施態様を説明する。
本第２実施形態の露光装置では、局所流体給排出部１８０の開口部１８３と開口部１８４に流体均一化機構２６０（図５（ａ）乃至（ｃ）及び図６（ａ）乃至（ｃ）参照）を装備している。
本第２実施形態の露光装置は、開口部１８３，１８４に流体均一化機構２６０を装備する点を除いて、上記第１実施形態の露光装置と同じ構成を有している。
図５（ａ）は流体均一化機構２６０の一実施形態を示している。この流体均一化機構２６０は、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）に接続される基端部から特定空間１８１に面する側に順次横幅が拡がるフード状に形成されている。流体均一化機構２６０の高さ寸法については、その基端部から特定空間１８１に面する側にかけて変化せず、一定である。
不活性ガス供給装置２０３側に接続された開口部１８３（又は開口部１８４）に装備された流体均一化機構２６０では、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）から供給された不活性ガスの流速は、流体均一化機構２６０に流入した直後にあっては不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上の部分で早く、それ以外の部分では延長線上から離れるに従って遅くなっていて、不活性ガスの速度分布は不均一である。不活性ガスは、流体均一化機構２６０内を特定空間１８１に向かって流れるにしたがって不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上の部分の流速が遅くなり、それ以外の部分の流速と略同じになる。流体均一化機構２６０を通って、開口部１８３（又は開口部１８４）から特定空間１８１内に流入する時点では、不活性ガスの速度分布が略均一になる。特定空間１８１内では、不活性ガスが略均一の速度分布で開口部１８３から開口部１８４に向けて、あるいは開口部１８４から開口部１８３に向けて流れる。
また、不活性ガス回収装置２０４側に接続された開口部１８４（又は開口部１８３）に装備された流体均一化機構２６０では、特定空間１８１から開口部１８４（又は開口部１８３）介して流入した不活性ガスは、不活性ガス給排気管１９７（又は不活性ガス給排気管１９６）に至る過程で、流体均一化機構２６０によってその流速が急激に変化することなく、徐々に速くなる。したがって、開口部１８４（又は開口部１８３）付近で不活性ガスの流れに乱れはなく、不活性ガスの速度分布は略均一に保たれている。
このように特定空間１８１内では、開口部１８３と開口部１８４との間の部分のみではなく、開口部１８３付近と開口部１８４付近の両箇所でも不活性ガスの速度分布が均一に保たれる。したがって、この不活性ガスの流れによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。これにより、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となる。
図５（ｂ）、（ｃ）及び図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は流体均一化機構２６０の変形例を示している。
図５（ｂ）に示す変形例では、図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０の特定空間１８１に面する側（開口部１８３又は開口部１８４）であって、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上に板部材２６１を配置して構成している。板部材２６１の両側にある隙間２６１ａの断面積の合計値は不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の断面積よりも大きく設定されている。
この変形例によれば、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）から供給された不活性ガスは、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上にある板部材２６０ａに衝突して運動量を失った後（減速された後）、板部材２６１の左右にある隙間２６１ａから特定空間１８１内に流入する。これにより、特定空間１８１内に流入する不活性ガスの速度分布が図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０に比してより均一となる。また、特定空間１８１内の不活性ガスは板部材２６１の左右にある隙間２６１ａを通り、不活性ガス給排気管１９７（又は不活性ガス給排気管１９６）に排出され、特定空間１８１内の不活性ガスの流れを乱さない。この速度分布が均一な不活性ガスの流れによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。
図５（ｃ）に示す変形例では、図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０の特定空間１８１に面する側（開口部１８３又は開口部１８４）の略全体にわたってスリット２６２を設けている。このスリット２６２は、その上下幅が不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の内径に比して充分小さく設定されている。
この変形例によれば、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）から供給された不活性ガスは、スリット２６２を通って特定空間１８１内に流入するが、このとき不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上にあるスリット２６２の部分のみから特定空間１８１内に流入することは出来ず、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上からはなれた箇所のスリット２６２の部分からも特定空間１８１内に流入することになり、特定空間１８１内に流入する不活性ガスの速度分布が図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０に比してより均一となる。また、特定空間１８１内の不活性ガスはスリット２６２を通り、不活性ガス給排気管１９７（又は不活性ガス給排気管１９６）に排出され、特定空間１８１内の不活性ガスの流れを乱さない。この速度分布が均一な不活性ガスの流れによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。
なお、上記変形例では、流体均一化機構２６０に設けられるスリット２６２の上下幅を同一にした場合を示したが、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上の付近でのスリット２６２の上下幅は小さくし、それ以外の部分のスリット２６２の上下幅を大きくすることにより、不活性ガスの速度分布をさらに均一化することが出来る。
図６（ａ）に示す変形例では、図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０の特定空間１８１に面する側（開口部１８３又は開口部１８４）にメッシュ２６３を設けている。このメッシュ２６３は見た目以上に流体に対する抵抗が大きく（流体のコンダクタンスを低下させ）、特に不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上にある運動量の大きい不活性ガスがメッシュ２６３に当たったとき、該不活性ガスを四散させる。
この変形例によれば、メッシュ２６３の流体に対する抵抗が大きく、不活性ガスは、不活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）の延長線上にあるメッシュ２６３の部分のみではなく、これ以外の部分からもメッシュ２６３を通過して特定空間１８１内に流入することになり、特定空間１８１内に流入する不活性ガスの速度分布が図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０に比してより均一となる。また、特定空間１８１内の不活性ガスはメッシュ２６３を通り、不活性ガス給排気管１９７（又は不活性ガス給排気管１９６）に排出され、特定空間１８１内の不活性ガスの流れを乱さない。この速度分布が均一な不活性ガスの流れによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。
なお、メッシュ２６３の代わりに多孔体を使用しても同様の効果が得られることはいうまでもない。
図６（ｂ）に示す変形例では、図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０の特定空間１８１に面する側（開口部１８３又は開口部１８４）にパーティクルフィルタ２６４を設けて
いる。このパーティクルフィルタ２６４は、メッシュ２６３と同様に見た目以上に流体に対する抵抗が大きく（流体のコンダクタンスを低下させ）、このパーティクルフィルタ２６４を通って特定空間１８１内に流入する不活性ガスの速度分布を均一化させる。
この変形例によれば、パーティクルフィルタ２６４を通過して特定空間１８１内に流入する不活性ガスの流速部分布は図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０に比してより均一となる。また、特定空間１８１内の不活性ガスはパーティクルフィルタ２６４を通り、不活性ガス給排気管１９７（又は不活性ガス給排気管１９６）に排出され、特定空間１８１内の不活性ガスの流れを乱さない。この速度分布が均一な不活性ガスの流れによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。
パーティクルフィルタ２６４は、不活性ガスの速度分布を均一化させるのみではなく、不活性ガス中に含まれている微細なパーティクルを除去してパーティクル含有量を著しく低下させることができる。
図６（ｃ）に示す変形例では、図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０の内部を複数の分割路２６５に仕切り、活性ガス給排気管１９６（又は不活性ガス給排気管１９７）から供給される不活性ガスが特定空間１８１内に流入する前に複数の流れに分流し、不活性ガスを拡散した状態で特定空間１８１内に供給することによって、不活性ガスの速度分布を均一にしている。
この変形例によれば、各分割路２６５を通って特定空間１８１内に拡散された状態で供給される不活性ガスの速度分布は図５（ａ）に示す流体均一化機構２６０に比してより均一となる。また、特定空間１８１内の不活性ガスは分割路２６５を通り、不活性ガス給排気管１９７（又は不活性ガス給排気管１９６）に排出され、特定空間１８１内の不活性ガスの流れを乱さない。この速度分布が均一な不活性ガスの流れによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができる。
上記本第２実施形態の露光装置では、開口部１８３，１８４の双方に流体均一化機構２６０を装備した場合を示したが、これに限定されるものではなく、開口部１８３，１８４の少なくともいずれか一方に装備しても同様の効果が奏される。
また、不活性ガスの供給口と排出口に交互に切り替わる開口部１８３，１８４に流体均一化機構２６０を装備した場合を示したが、不活性ガスの供給口に固定された開口部と排出口に固定された開口部の少なくともいずれか一方に流体均一化機構２６０を装備してもよい。この場合でも、流体均一化機構２６０により特定空間１８１内の不活性ガスの速度分布が均一となり、この不活性ガスによって運ばれる、ウエハ２３０の露光領域でレジストより発生したアウトガスについても、その光学部材１５１への到達分布量を略均一にすることができ、露光光強度ムラ（照度ムラ）を可及的に少なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができることは勿論である。
上記第２実施形態の露光装置による露光方法及び電子デバイスの製造方法については、上記第１実施態様の露光装置の場合と同様にして行われる。上記第２実施形態の露光装置を使用した場合には、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子表面に到達する到達量の分布を略均一にすることができることと、特定空間１８１を流れる不活性ガスの速度分布を均一化できることとが相俟って、露光光強度ムラ（照度ムラ）をさらに少
なくし、殆ど無視することが出来る程度にすることができ、長期間にわたって所望の露光性能を維持することが可能となり、また歩留まりを向上させることが可能となる。
なお、本第１、第２実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また任意好適な種々の改変が可能である。
本実施の形態においては、不活性ガスの供給口と排出口に切り替わる、互いに対向する一対の開口部１８３，１８４を配置した場合を示したが、これに限定されず、いずれか一方の開口部を複数設けてもよい。
また、本実施の形態においては、流体均一化機構２６０として図５乃至図６に図示されたものを例示したが、これに限定されるものではなく、要は特定空間１８１内の不活性ガスの速度分布を均一化するものであればよい。
また、本実施の形態においては、照明光学系１２０は、ビームマッチングユニット１２１乃至コンデンサレンズ系１３２の構成部全てを１のチャンバ１３３に収容して構成していた。しかし、例えば、ビームマッチングユニット１２１乃至ビームスプリッタ１２６を第１の照明光学系として１つのチャンバに収容し、投影光学系等の露光装置本体が載置されるコラムとは別の架台に設け、ミラー１２７乃至コンデンサレンズ系１３２を第２の照明光学系として１つのチャンバに収容し、露光装置本体と同一のコラムに設けるというように、照明光学系を適宜分割してチャンバに収容し、露光装置として実装するようにしてもよい。
また、本実施の形態においては、Ｆ2レーザーを光源として使用する露光装置を例示して本発明を説明したが、高圧水銀灯、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーを光源として用いた露光装置に対しても適用可能である。
また、本実施の形態においては、不活性ガスを特定空間１８１に供給する場合を例示して本発明を説明したが、先端の光学部材とウエハとの間に液体を挟むいわゆる液浸法による露光を行う場合には、例えば水やフッ素系不活性オイル等の所定の液体を同様の方法に供給し、また排出することになる。本発明はそのような場合にも適用可能であり、この場合も本発明の範囲内であることは明らかである。
本発明の露光装置の第１実施形態を示す全体構成図である。 図１の露光装置の投影光学系と被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間に装備される局所流体給排出部の平面図（先端の光学部材１５１側から見た平面図）である。 図２に示す局所流体給排出部における流体の流れを示す説明側断面図である。 図３に示す流体の流れ方向を変更した場合を示す図３と同様の説明側断面図である。 流体均一化機構の実施態様を示す斜視図である。 流体均一化機構の実施態様を示す斜視図である。
符号の説明
１００…露光装置
１１０…光源
１２０…照明光学系
１５０…投影光学系
１６０…ウエハ操作部
１８０…局所ガス給排出部
１８１…特定空間
１８２…隙間空間
１８３…開口部
１８４…開口部
１８６…周囲排気溝
１９１…底面部
１９６，１９７…不活性ガス給排出管
２０３…不活性ガス供給装置
２０４…不活性ガス回収装置
２１６，２１６…切り替えバルブ
２６０…流体均一化機構
２６１…板部材
２６２…スリット
２６３…メッシュ
２６４…パーティクルフィルタ
２６５…分割路

Claims (26)

  1. 投影光学系を介して被露光基板上に所定のパターンを露光転写する露光方法であって、
    前記投影光学系と前記被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間に、該露光光を透過する透過性流体を供給し、
    前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出し、
    所定の間隔で前記露光光の光路を含む空間に対する前記透過性流体の供給方向又は前記透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更することを特徴とする露光方法。
  2. 請求項１に記載の露光方法において、
    前記空間に前記透過性流体を供給する供給口と、前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出する排出口とに切り替わる少なくとも２つの開口を有し、
    前記透過性流体の供給方向又は前記透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方の変更は、前記少なくとも２つの開口のそれぞれを、前記供給口と前記排出口とに交互に切り替えることにより行われることを特徴とする露光方法。
  3. 請求項２に記載の露光方法において、
    前記少なくとも２つの開口のうち、前記供給口に設定されている一方の開口を、所定時間経過後に前記排出口に設定すると共に、前記少なくとも２つの開口のうち、前記排出口に設定されている他方の開口を、所定時間経過後に前記供給口に設定することを特徴とする露光方法。
  4. 請求項２又は３に記載の露光方法において、
    前記少なくとも２つの開口のうち、少なくとも１つの開口に流体均一化機構を装備して、前記空間内における前記透過性流体あるいは前記透過性流体を含む流体の流れを均一化させることを特徴とする露光方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記透過性流体が、窒素ガス又は希ガスであることを特徴とする露光方法。
  6. 投影光学系を介して被露光基板上に所定のパターンを露光転写する露光方法であって、
    前記投影光学系と前記被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間に、供給口を介して、該露光光を透過する透過性流体を供給し、
    排出口を介して前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出し、
    前記供給口又は前記排出口の少なくとも一方に流体均一化機構を装備して、前記空間内における前記透過性流体あるいは前記透過性流体を含む流体の流れを均一化させることを特徴とする露光方法。
  7. 請求項６に記載の露光方法において、
    前記均一化機構が板部材を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記板部材に衝突して、分流した状態で前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記板部材に衝突して一旦分流した状態で排出されるようにしたことを特徴とする露光方法。
  8. 請求項６に記載の露光方法において、
    前記均一化機構がスリットを備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が該スリットにより分流した状態で前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記スリットを通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光方法。
  9. 請求項６に記載の露光方法において、
    前記均一化機構がメッシュを備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記メッシュを通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記メッシュを通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光方法。
  10. 請求項６に記載の露光方法において、
    前記均一化機構がパーティクルフィルタを備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記パーティクルフィルタを通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記パーティクルフィルタを通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光方法。
  11. 請求項６に記載の露光方法において、
    前記均一化機構が多孔体を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記多孔体を通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記多孔体を通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光方法。
  12. 請求項６に記載の露光方法において、
    前記均一化機構がその内部を複数の流路に分割する分割路を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記分割路を通過した後、前記空間内に流入して供給され、又は前記空間から前記流体が前記分割路を通過した後、前記排出口に流入して排出されるようにしたことを特徴とする露光方法。
  13. 投影光学系を介して被露光基板上に所定のパターンを露光転写する電子デバイスの製造方法において、
    請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の露光方法を使用して前記被露光基板を露光することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
  14. 投影光学系を介して被露光基板上に所定のパターンを露光転写する露光装置であって、
    前記投影光学系と前記被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間に、該露光光を透過する透過性流体を供給する手段と、
    前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出する手段と、
    所定の間隔で前記露光光の光路を含む空間に対する前記透過性流体の供給方向又は前記透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更する手段を装備してなることを特徴とする露光装置。
  15. 請求項１４に記載の露光装置において、
    前記空間に前記透過性流体を供給する供給口と、前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出する排出口とに切り替わる少なくとも２つの開口を有し、
    前記透過性流体の供給方向又は前記透過性流体を含む流体の排出方向の少なくとも一方を変更する手段は、前記少なくとも２つの開口のそれぞれを、前記供給口と前記排出口とに交互に切り替える手段を含むことを特徴とする露光装置。
  16. 請求項１５に記載の露光装置において、
    前記切り替え手段は、前記少なくとも２つの開口のうち、前記供給口に設定されている一方の開口を、所定時間経過後に前記排出口に設定すると共に、前記少なくとも２つの開口のうち、前記排出口に設定されている他方の開口を、所定時間経過後に前記供給口に設定することを特徴とする露光装置。
  17. 請求項１５又は１６に記載の露光装置において、
    前記少なくとも２つの開口のうち、少なくとも１つの開口に流体均一化機構を装備して、前記空間内における前記透過性流体あるいは前記透過性流体を含む流体の流れを均一化させることを特徴とする露光装置。
  18. 請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記透過性流体が、窒素ガス又は希ガスであることを特徴とする露光装置。
  19. 投影光学系を介して被露光基板上に所定のパターンを露光転写する露光装置であって、
    前記投影光学系と前記被露光基板との間の、露光光の光路を含む空間に、供給口を介して、該露光光を透過する透過性流体を供給する手段と、
    排出口を介して前記空間から前記透過性流体を含む流体を排出する手段と、
    前記供給口又は前記排出口の少なくとも一方に流体均一化機構を装備して、
    前記空間内における前記透過性流体あるいは前記透過性流体を含む流体の流れを均一化させることを特徴とする露光装置。
  20. 請求項１９に記載の露光装置において、
    前記均一化機構が板部材を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記板部材に衝突して、分流した状態で前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記板部材に衝突して一旦分流した状態で排出されるようにしたことを特徴とする露光装置。
  21. 請求項１９に記載の露光装置において、
    前記均一化機構がスリットを備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が該スリットにより分流した状態で前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記スリットを通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光装置。
  22. 請求項１９に記載の露光装置において、
    前記均一化機構がメッシュを備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記メッシュを通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記メッシュを通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光装置。
  23. 請求項１９に記載の露光装置において、
    前記均一化機構がパーティクルフィルタを備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記パーティクルフィルタを通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記パーティクルフィルタを通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光装置。
  24. 請求項１９に記載の露光装置において、
    前記均一化機構が多孔体を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が該多孔体を通過した後、前記空間内に供給され、又は前記空間内から前記流体が排出される際、前記流体が前記多孔体を通過して排出されるようにしたことを特徴とする露光装置。
  25. 請求項１９に記載の露光装置において、
    前記均一化機構がその内部を複数の流路に分割する分割路を備え、前記流体が前記空間内に供給される際、前記流体が前記分割路を通過した後、前記空間内に流入して供給され、又は前記空間から前記流体が前記分割路を通過した後、前記排出口に流入して排出され
    るようにしたことを特徴とする露光装置。
  26. 請求項１９乃至２３のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記透過性流体が、窒素ガス又は希ガスであることを特徴とする露光装置。
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