JPH04235558A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH04235558A
JPH04235558A JP3002156A JP215691A JPH04235558A JP H04235558 A JPH04235558 A JP H04235558A JP 3002156 A JP3002156 A JP 3002156A JP 215691 A JP215691 A JP 215691A JP H04235558 A JPH04235558 A JP H04235558A
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JP
Japan
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substrate
mask
stage
scanning stage
driven
Prior art date
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JP3002156A
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English (en)
Inventor
Masaki Chokai
正樹 鳥海
Taketoshi Kiyono
清野 武寿
Tomoji Sekiya
関谷 智司
Noboru Takasu
高須 登
Ryoichi Suzuki
亮一 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH04235558A publication Critical patent/JPH04235558A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、とくに大型の基板に
パターンを露光するのに好適する露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】露光装置にはマスクと基板とを数十ミク
ロンのギャップで近接させて露光するプロミキシミテイ
型露光装置、小型のマスクで大型基板上を細かく分割露
光していくステッパ型露光装置、マスクと基板との間に
光学系を設け、円弧照明により基板の一括露光を行う反
射ミラー型投影露光装置などが知られている。
【0003】上記プロミキシミテイ型露光装置は基板が
大きくなる程、ギャップの設定が難しく、また解像力は
ギャップに依存するため10〜30ミクロンと低い。上
記ステッパ型露光装置は解像力も高く大型基板に対応可
能であるが、スループットが悪く、各露光パターン間で
面つぎを必要とするため、面つぎ部で露光パターンの劣
化を招く。
【0004】それに対して上記反射ミラー型投影露光装
置は上記プロミキシミテイ型露光装置や上記ステッパ型
露光装置のような問題がないため、大型の基板の露光に
適する。図6は反射ミラー型投影露光装置の基本的構成
を示す。すなわち、同図中1はマスクである。このマス
ク1は円弧スリット状の照明光Lによって照射される。 このマスク1を透過した照明光Lは折返しミラー2の第
1の反射面2aに入射してほぼ直角方向に反射する。こ
の照明光Lの反射方向には凹面ミラー3が配設されてい
る。この凹面ミラー3で反射した照明光Lは凸面ミラー
4で反射して折返し、再び凹面ミラー3で反射してから
上記折返しミラー2の第2の反射面2bで反射する。こ
の第2の反射面2bで反射した照明光は基板5を照射す
る。それによって、上記マスク1のパターンが上記基板
5に投影されることになる。
【0005】このような構成の反射ミラー型投影露光装
置において、マスク1のパターン全体を基板5に投影す
るには、上記マスク1と基板5とを位置合せしたのち、
これらを同方向に同時に移動させなければならない。そ
のため、上記マスク1、基板5は同一のステージに保持
され、このスキャニングステージを駆動するようにして
いる。しかしながら、スキャニングステージを駆動機構
によって駆動する場合、このスキャニングステージが駆
動方向および直交する方向に対してねじれ(たとえばヨ
ーイング等)を起こすことが避けられないから、それに
よってスキャニングステージの駆動方向および直交する
方向の一端側と他端側とでずれが生じる。つまり、スキ
ャニングステージの一端側に設けられたマスク1と基板
5との間にずれが生じ、基板5に転写されるマスク1の
パターンに歪みが生じることになる。
【0006】スキャニングステージの移動精度を補償す
るため、スキャニングステージを空気静圧軸受でガイド
し、その軸受圧力を変化させてスキャニングステージの
移動精度を確保するようにしたものがある。しかしなが
ら、空気静圧軸受を用いて空気の圧力を制御する方法は
、空気が圧縮性であることにより、細かな制御を精度よ
く行うことが難しいばかりか、1つの軸受の制御が他の
軸受へも影響を与える(軸干渉がある)ため、精度向上
に限界が生じる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の露
光装置は、スキャニングステージを駆動することによっ
てマスクと基板との間にずれが生じ、そのずれによって
基板に転写されるパターンに歪みや倍率誤差が発生する
ということが避けられなかった。
【0008】この発明は上記事情にもとずきなされたも
ので、その目的とするところは、スキャニングステージ
を駆動することによって生じるマスクと基板との間のず
れを除去し、マスクパターンの転写精度の向上を計るこ
とができるようにした露光装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、スキャニン
グステージと、このスキャニングステージを所定方向に
駆動する第1の駆動機構と、この第1の駆動機構により
駆動される上記スキャニングステージの駆動方向と直交
する方向の一端側に設けられ基板を保持する第1の保持
部および他端側に設けられマスクを保持する第2の保持
部と、上記基板とマスクとの間に設けられ上記マスクに
入射した照明光を上記基板に導く光学手段と、上記基板
あるいはマスクの少なくとも一方を上記スキャニングス
テージ上においてスキャニングステージの駆動方向およ
び直交する方向または少なくとも一方向に駆動する第2
の駆動機構と、上記スキャニングステージが上記第1の
駆動機構により駆動されることで生じる上記スキャニン
グステージの駆動方向および直交する方向または少なく
とも一方向における上記基板とマスクとの間の相対的ず
れ量を測定する測定手段と、この測定手段からの測定値
に応じて上記基板とマスクとの間の相対的ずれがなくな
るよう上記第2の駆動機構を駆動制御する制御手段とを
具備したことを特徴とする。
【0010】
【作用】上記の構成において、スキャニングステージが
駆動されることで基板とマスクとの間に相対的なずれが
生じると、そのずれが測定手段によって測定されること
で、その測定値に応じて第2の駆動機構が駆動され、上
記ずれが除去される。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。
【0012】図1はこの発明の一実施例に係る露光装置
の構成を示す斜視図である。この露光装置はスキャンニ
ングステージ11を備えている。このスキャニングステ
ージ11は長手方向両側面および上面が開口した中空直
方体状に形成されていて、下面の長手方向両端部にはそ
れぞれ断面ほぼコ字状をなした空気静圧軸受12がスキ
ャニングステージ11の幅方向に沿って設けられている
。これら空気静圧軸受12は平行に離間対向して配設さ
れた一対のガイド体13に非接触状態でスライド自在に
嵌挿されている。すなわち、スキャニングステージ11
は、上記一対のガイド体13に空気圧によって非接触状
態で支持されている。
【0013】上記一対のガイド体13間には、ガイド体
13と平行に駆動ねじ14が設けられている。この駆動
ねじ14は両端部が一対の受け部15(一方のみ図示)
によって回転自在に支持され、中途部は上記スキャニン
グステージ11の下面に設けられた図示しない連結部に
螺合されているとともに、他端は第1の駆動機構を構成
するメインモータ16に連結されている。駆動ねじ14
はメインモータ16によって回転駆動される。それによ
って、スキャニングステージ11は一対のガイド体13
に沿って駆動される。スキャニングステージ11のガイ
ド体13に沿う駆動方向をX方向とする。
【0014】上記スキャニングステージ11の上記メイ
ンモータ16による駆動方向と直交する方向の一方の側
壁11a内面には、第1のYステージモータ17によっ
てスキャニングステージ11の高さ方向(この方向をY
方向とする)に駆動される第1のYステージ18が一側
面をスライド自在に接合させて設けられている。この第
1のYステージ18の他側面にはXステージ19が一側
面をスライド自在に接合させて設けられている。このX
ステージ19はXステージモータ21によって上記第1
のYステージ18の駆動方向と直交するX方向、つまり
メインモータ16によるスキャニングステージ11の駆
動方向と同方向に駆動されるようになっている。このX
ステージ19の他側面には、フォーカス調整するために
上記Y方向とX方向とがなす平面と直交するZ方向に図
示せぬ駆動源によって微小駆動されるZチルトステージ
22が一側面を対向させて設けられている。このZチル
トステージ22の他側面には、この面と直交する方向を
回転中心軸とするθ方向に回転自在な第1の保持部とし
ての第1のθテーブル23が一側面を接合させて設けら
れている。この第1のθテーブル23は、第1のθモー
タ24によってθ方向に回転駆動されるようになってい
る。上記θテーブル23の他側面には大型の基板25が
たとえば真空吸着などの手段によって吸着保持され、こ
の基板25には後述するマスク31のパターンが転写さ
れるようになっている。
【0015】上記スキャニングステージ11の他方の側
壁11bの外面には第2のYモータ26によってY方向
に駆動される第2のYステージ27が一側面を接合させ
て設けられている。この第2のYステージ27の他側面
には第2のθモータ28によってθ方向に回転駆動され
る第2の保持部としての第2のθテーブル29が設けら
れている。このθテーブル29の他側面には所定のパタ
ーンが形成された上記マスク31が真空吸着などの手段
によって保持されている。上記第2のθテーブル29、
第2のYステージ27および上記スキャニングステージ
11の他方の側壁11bの上記マスク31のパターンが
形成された部分と対応する部分には、光が透過する開口
32(第2のθテーブル29の開口32だけ図示)が穿
設されている。
【0016】上記スキャニングステージ11の長手方向
中央部分、つまり第1のθテーブル23に保持された上
記基板25と上記第2のθテーブル29に保持されたマ
スク31との間には断面台形状をなし、両側がそれぞれ
第1、第2の反射面33a、33bに形成された折返し
ミラー33が配置されている。この折返しミラー33の
第1の反射面33aにはマスク31の高さ方向(Y方向
)ほぼ全長を照射する断面が円弧スリット状に形成され
たg線やi線などの波長の短い照明光Lが上記マスク3
1を透過して入射する。第1の反射面33aで反射した
照明光Lは、上記折返しミラー33と対向して配置され
た凹面ミラー34で反射する。この凹面ミラー34と上
記折返しミラー33との間には凸面ミラー35が配設さ
れている。上記凹面ミラー34で反射した照明光Lは上
記凸面ミラー35で反射したのち、再び上記凹面ミラー
34で反射して折返しミラー33の第2の反射面33b
に入射して上記第1のθテーブル23に保持された基板
25を照射する。それによって、上記基板25には上記
マスク32のパターンが転写される。
【0017】なお、上記折返しミラー33、凹面ミラー
34および凸面ミラー35は、スキャニングステージ1
1の移動に連動しないよう図示しない固定部に固定して
設けられ、これらの対向間隔が常に一定に保たれるよう
になっている。
【0018】上記メインモータ16、第1のYステージ
モータ17、Xステージモータ21、第1のθモータ2
3、第2のYモータ26および第2のθモータ28は駆
動制御部36に接続され、この駆動制御部36からの駆
動信号に応じて作動するようになっている。この駆動制
御部36には設定部としてのCPU37が接続され、こ
のCPU37からの信号によって上記駆動制御部36か
ら駆動信号が出力されるようになっている。
【0019】スキャニングステージ11がメインモータ
16によってX方向に駆動されると、このスキャニング
ステージ11がY軸を回転中心として回転することで生
じる基板25とマスク31との間のX方向に沿うずれ量
(以下ヨーイングずれ量という)と、駆動ねじ14(X
軸)を回転中心として回転することで生じるY方向に沿
う基板25とマスク31とのずれ量(以下ローリングず
れ量という)とが図2に示す光学測定装置38によって
測定される。なお、図2においては、測定状態を分かり
易くするため、第1図に比べて基板25とマスク31と
の位置関係が逆になっている。
【0020】すなわち、上記光学測定装置38はスキャ
ニングステージ11の長手方向一端側に設置されたレー
ザヘッド41を有する。このレーザヘッド41から出力
されたレーザ光Rは、第1の反射体42で上記スキャニ
ングステージ11の長手方向と平行な方向に進路変更さ
れる。進路変更されたレーザ光Rは、Zチルドステージ
22のY方向に沿う側面と対向する位置で第1のビーム
スプリッタ43によって垂直方向に上方に反射する光R
1 と直進方向に透過する光R2 とに分割される。
【0021】上記第1のビームスプリッタ43で反射し
た光R1 は第2のビームスプリッタ44によって水平
方向に反射する第1の反射光R12と、垂直方向に透過
する第1の透過光R13とに分割される。第1の反射光
R12は第1のXインタフェロメータ45に入射する。 このインタフェロメータ45から出射する第1の反射光
R12は上記Zチルドステージ22のY方向に沿う上記
側面に設けられた第1のXミラー46に入射する。この
第1のXミラー46で反射した第1の反射光R12は上
記第1のXインタフェロメータ45を介して第1のXレ
シーバ47に受光される。それによって、上記Zチルド
ステージ22のX方向の変位量、つまり基板25のX方
向の座標Xp が光干渉によって測定され、その測定値
は測長器48に入力される。
【0022】上記第1の透過光R13は第2の反射体5
1で水平方向に反射して第1のYインタフェロメータ5
2に入射する。この第1のインタフェロメータ52から
出射する第1の透過光R13は上記Zチルドステージ2
2のX方向に沿う上端面に設けられた第1のYミラー5
3に入射する。この第1のYミラー53で反射した第1
の透過光R13は上記第1のYインタフェロメータ52
を介して第1のYレシーバ54に受光される。それによ
って、上記Zチルドステージ22のY方向の変位量であ
る基板25のY方向の座標Yp が測定され、その測定
値は上記測長器48に入力される。
【0023】上記第1のビームスプリッタ43を透過し
た光R2 は上記第2のYステージ26のY方向に沿う
一側面と対応する位置で第3の反射体55によって垂直
方向上方へ反射する。第3の反射体55で反射した光R
2 は第3のビームスプリッタ56で水平方向に反射す
る第2の反射光R21と、垂直方向に透過する第2の透
過光R22とに分割される。
【0024】上記第2の反射光R21は第2のXインタ
フェロメータ57に入射する。このインタフェロメータ
57から出射する第2の反射光R12は上記第2のYス
テージ26のY方向に沿う一側面に設けられた第2のX
ミラー58に入射する。この第2のXミラー58で反射
した第2の反射光R12は上記第2のXインタフェロメ
ータ57を介して第2のXレシーバ59に受光される。 それによって、上記第2のYステージ26のX方向の変
位量であるマスク31のX方向の座標Xm が測定され
、その測定値は上記測長器48に入力される。
【0025】上記第2の透過光R22は第4の反射体6
1で水平方向に反射し、上記第2のYステージ26の上
端面に対応する位置で第2のYインターフェロメータ6
2に入射する。このインタフェロメータ62から出射す
る第2の透過光R22は上記第2のYステージ26のX
方向に沿う上端面に設けられた第2のYミラー63に入
射する。この第2のYミラー63で反射した第2の透過
光R22は上記第2のインタフェロメタ62を介して第
2のYレシーバ64に受光される。それによって、上記
第2のYステージ26のY方向の変位量であるマスク3
1のY方向の座標Ymが測定され、その測定値は上記測
長器48に入力される。
【0026】上記測長器48では基板25とマスク31
とのX方向とY方向との座標の相対的ずれ量が求められ
る。すなわち、上記基板25の上記マスク31に対する
X方向の相対的ずれ量ΔXp は、(ΔXp =Xm 
ーXp )で求められ、Y方向のずれ量ΔYp は、(
ΔYp =Ym ーYp )で求められる。
【0027】上記測長器48で求められた上記基板25
の上記マスク31に対するX方向の相対的ずれ量ΔXp
 と、Y方向のずれ量ΔYp は上記CPU37に入力
される。CPU37では、上記測長器48からのずれ量
ΔXp、ΔYp を後述する補正係数Ax 、Ay で
補正し、その補正された値が駆動信号となって上記駆動
制御部36に入力される。この駆動制御部36は、CP
U37からの駆動信号にもとずいて上記Xステージモー
タ21と第1のYステージモータ17とを上記ずれ量Δ
Xp とΔYp とが0になるよう駆動する。それによ
って、Z方向において相対向する基板26とマスク31
とのX方向とY方向との相対的なずれをなくすことがで
きるようになっている。
【0028】上記補正係数Ax 、Ay は、上記光学
測定装置38の各部品のアライメントのずれによって生
じる測定誤差を補正するための係数である。したがって
、基板25が実際に駆動されるX方向とY方向とのずれ
を補正するために駆動される駆動量ΔXp’,ΔYp’
は、ΔXp’=Ax ・ΔXp ΔYp’  =Ay ・ΔYp
【0029】となる。上記補正係数Ax ,Ay は、
たとえばスキャニングステージ11のX方向の駆動量が
0の状態で基板25とマスク31とのX方向とY方向と
の座標を測定し、そのときのずれ量が0となるように設
定すればよい。なお、上記第1のYミラー53と第2の
Yミラー63の長さ寸法は、照明光Lが基板25をX方
向に沿って照射する距離よりも長く設定されている。つ
ぎに、上記構成の露光装置の動作を第4図を参照しなが
ら説明する。
【0030】まず、CPU37にX方向とY方向との補
正係数Ax ,Ay を設定したならば、基板25とマ
スク31とのアライメントを行う。つまり、第2のYス
テージモータ27と第2のθモータ28とを駆動してマ
スク31を所定の位置に位置決めしたならば、第1のY
ステージモータ17、第1のXステージモータ21およ
びリットル1のθモータ24を駆動して基板25を上記
マスク31に位置合せする。
【0031】基板25とマスク31とのアライメントが
終了したならば、マスク31から照明光Lが入射される
とともに、メインモータ16が駆動されてスキャニング
ステージ11が駆動ねじ14によってX軸方向に沿って
駆動される。それによって、マスク31のパターンが折
返しミラー33、凹面ミラー34および凸面ミラー35
からなる光学手段を介して基板25に照射されるから、
この基板25に上記マスク31のパターンが露光される
ことになる。
【0032】スキャニングステージ11がX軸方向に駆
動されると、光学測定装置38の測長器48によって基
板25とマスク31とのX方向とY方向との相対的ずれ
量が測定される。測長器48によって測定された基板2
5とマスク31とのX方向とY方向との座標のずれΔX
p,ΔYp が測定されると、そのずれ量ΔXp,ΔY
p が補正係数Ax 、Ay で補正される。そして、
補正されたずれ量ΔXp’, ΔYp’にもとずいて駆
動制御部36によって基板25を保持した第1のYステ
ージ18とXステージ19とが駆動されて上記ずれ量Δ
Xp’, ΔYp’が除去される。
【0033】すなわち、スキャニングステージ11をX
軸方向に沿って駆動することでこのスキャニングステー
ジ11にヨーイングやローリングが生じ、基板25とマ
スク31との間にX方向とY方向とに沿うずれが生じて
も、ずれが生じると同時にそのことが光学測定装置38
によって検出され、CPU37を介して駆動制御部36
が駆動されることで補正される。したがって、上記基板
25には、マスク31のパターンをずれが生じることな
く転写することができる。
【0034】図3はヨーイングの発生の説明図である。 すなわち、スキャニングステージ11がX軸方向に沿う
駆動方向に対してY軸を回転中心として角度θy で傾
いたとき、基板25とマスク31との間隔をlとすると
、マスク31側から入射する照明光Lは、基板25上に
おける照射位置がΔXy ずれることになる。したがっ
て、このΔXy がヨーイング量となり、このヨーイン
グ量ΔXy は、(ΔXy =l・θy )で求めるこ
とができる。
【0035】なお、図示はしないが、ローリング量はス
キャニングステージ11がX軸を回転中心としてY方向
に傾いたときに生じるずれであり、ヨーイング量と同様
にして求めることができる。また、各ステージのX,Y
軸を測定する方向は特定されるものでない。
【0036】一方、露光を何回も繰返すことで基板25
に収縮などの熱変形が生じるから、その収縮などによる
パターンのずれの補正、つまり倍率補正をする必要があ
る。図4(a)〜(c)はX軸方向の倍率補正の原理を
説明している。すなわち、照明光Lがマスク31の一端
から他端を照射する間に、それぞれのX座標において、
基板25のX方向の座標が所定の倍率補正量にもとずい
て補正される。それによって、図4(a)のごとくマス
ク31の一端と基板25の一端との間にΔXmのずれが
あっても、図4(c)の時点では基板25とマスク31
との一端における相対的なずれΔXm が補正されるか
ら、露光を繰り返すことで基板25が収縮などしても、
各露光工程におけるパターンのずれが補正されることに
なる。
【0037】この実施例におけるX方向の倍率補正量は
以下のごとく行われる。すなわち、各露光工程を開始す
る前に、基板25とマスク31との熱変形によるずれ量
が測定され、その測定値が倍率補正量としてCPU37
に入力される。CPU37は、上記倍率補正量を所定の
X座標ごとに分割設定する。そして、スキャニングステ
ージ11が上記所定のX座標に駆動されるごとに、その
座標における倍率補正量に応じてXステージモータ21
によって基板25がX方向に駆動されて上記倍率補正が
行われる。
【0038】なお、Y方向の倍率補正は、基板25の幅
の狭い方向となるため、X軸方向程、補正する必要が少
ないものの、その方向の倍率補正をする場合には、照明
光Lがマスク31に入射する前に図示しない光学系でY
方向に拡大あるいは縮小すればよい。
【0039】このように、スキャニングステージ11の
駆動にともない生じるヨーイング方向とローリング方向
とのずれの補正および基板25の熱変形による倍率補正
が行われながら照明光Lが基板25のX方向に沿う全長
を照射すると、スキャニングステージ11の駆動が停止
されて基板25へのマスク31のパターン露光が終了す
る。
【0040】なお、上記一実施例ではヨーイング補正、
ローリング補正および倍率補正を行うのに基板25をX
方向とY方向とに駆動したが、マスク31をY方向だけ
でなく、X方向にも駆動できる構造にし、マスク31を
X方向とY方向とに駆動して上記各補正を行うようにし
てもよく、あるいは基板25とマスク31との両者を駆
動して上記補正を行うようにしてもよい。
【0041】また、上記一実施例では、ヨーイング補正
の他にローリング補正と倍率補正を行うようにしたが、
この発明の露光装置は少なくとも各補正が1つ以上が行
える構成であればよい。たとえばヨーイング補正だけの
場合、基板25はX方向にだけ駆動される構成であれば
よく、また光学測定装置38は基板25とマスク31と
のX方向のずれ量だけを測定できればよい。
【0042】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、ス
キャニングステージの駆動方向および直交する方向また
は少なくとも一方向の基板とマスクとの間に生じるずれ
を測定するとともに、その測定値に応じて上記マスクあ
るいは基板の少なくとも一方を駆動して上記ずれを除去
しながら露光するようにしたから、上記マスクのパター
ンを上記基板にずれが生じることなく精度よく露光する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る露光装置の概略的構成
を示す斜視図。
【図2】同実施例における光学測定装置の概略的構成図
【図3】同実施例におけるヨーイングの補正原理の説明
図。
【図4】図4(a)〜(c)は同実施例における倍率補
正原理の説明図。
【図5】同実施例におけるフローチャート。
【図6】反射ミラー型投影露光装置の原理の説明図。
【符号の説明】
11…スキャニングステージ、16…メインモータ(第
1の駆動機構)、21…Xステージモータ(第2の駆動
機構)、25…基板、31…マスク、33,34,35
…光学手段、36…駆動制御部、37…設定部(CPU
)、38…光学測定装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  スキャニングステージと、このスキャ
    ニングステージを所定方向に駆動する第1の駆動機構と
    、この第1の駆動機構により駆動される上記スキャニン
    グステージの駆動方向と直交する方向の一端側に設けら
    れ基板を保持する第1の保持部および他端側に設けられ
    マスクを保持する第2の保持部と、上記基板とマスクと
    の間に設けられ上記マスクに入射した照明光を上記基板
    に導く光学手段と、上記基板あるいはマスクの少なくと
    も一方を上記スキャニングステージ上においてスキャニ
    ングステージの駆動方向および直交する方向または少な
    くとも一方向に駆動する第2の駆動機構と、上記スキャ
    ニングステージが上記第1の駆動機構により駆動される
    ことで生じる上記スキャニングステージの駆動方向およ
    び直交する方向または少なくとも一方向における上記基
    板とマスクとの間の相対的ずれ量を測定する測定手段と
    、この測定手段からの測定値に応じて上記基板とマスク
    との間の相対的ずれがなくなるよう上記第2の駆動機構
    を駆動制御する制御手段とを具備したことを特徴とする
    露光装置。
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