JPH07335748A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH07335748A JPH07335748A JP12487394A JP12487394A JPH07335748A JP H07335748 A JPH07335748 A JP H07335748A JP 12487394 A JP12487394 A JP 12487394A JP 12487394 A JP12487394 A JP 12487394A JP H07335748 A JPH07335748 A JP H07335748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- film
- sog
- oxide film
- interlayer insulating
- Prior art date
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＯＧのアウトガスによる金属配線のボイド
発生を抑制し、金属配線の信頼性を向上させる。 【構成】 第１金属配線１０を形成し、その後、Ｐ−Ｓ
ｉＯ１１を形成する。次に、ＳＯＧ膜１２をスピンコー
トし、硅素化する。フォトリソグラフィにより、レジス
トパターン１３を形成し、レジストパターン１３をマス
クとして、スルーホールを開孔する。レジストパターン
１４を除去し、その後、剥離液により側壁保護膜１４を
除去する。ＴＥＯＳ酸化膜１５を形成してＳＯＧ膜１２
をキャッピングする。その後、レジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチ
ング、ドライエッチングにより、ＴＥＯＳ酸化膜１５を
除去する。レジストパターンを除去し、スパッタリング
して第２金属配線を形成する。
発生を抑制し、金属配線の信頼性を向上させる。 【構成】 第１金属配線１０を形成し、その後、Ｐ−Ｓ
ｉＯ１１を形成する。次に、ＳＯＧ膜１２をスピンコー
トし、硅素化する。フォトリソグラフィにより、レジス
トパターン１３を形成し、レジストパターン１３をマス
クとして、スルーホールを開孔する。レジストパターン
１４を除去し、その後、剥離液により側壁保護膜１４を
除去する。ＴＥＯＳ酸化膜１５を形成してＳＯＧ膜１２
をキャッピングする。その後、レジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチ
ング、ドライエッチングにより、ＴＥＯＳ酸化膜１５を
除去する。レジストパターンを除去し、スパッタリング
して第２金属配線を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造方法
に関し、特にコンタクトホール側壁部に絶縁物質よりな
るバリア壁を形成し、ＳＯＧ（Spin On Glass)よりの水
分放出を防ぐことによって、良好な金属配線を形成する
方法に関するものである。
に関し、特にコンタクトホール側壁部に絶縁物質よりな
るバリア壁を形成し、ＳＯＧ（Spin On Glass)よりの水
分放出を防ぐことによって、良好な金属配線を形成する
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）〜（ｄ）は、従来の多層配線
構造を持った微細半導体素子の製造方法の工程図であ
る。この図２（ａ）〜（ｄ）の工程（１）〜（４）を以
下に説明する。 （１） 図２（ａ）の工程 アルミニウム等の金属により第１金属配線１を形成した
後、第１層間絶縁膜としてプラズマ化学気相成長（以
下、プラズマＣＶＤと呼ぶ）法により、ＳｉＨ4、及び
Ｎ2 Ｏを原料ガスとして、膜厚０．４μｍのシリコン酸
化膜（Ｐ−ＳｉＯ）２を形成する。次に、平坦度向上を
目的としてＳＯＧをスピンコートし、第１金属配線１に
支障のない４５０゜Ｃ以下の温度で加熱し、硅素化して
ＳＯＧ膜３を形成する。その後、再度、第１シリコン酸
化膜２と同様にして第２層間絶縁膜として第２シリコン
酸化膜４を０．４μｍ程度の厚さに気相成長させる。 （２） 図２（ｂ）の工程 フォトリソグラフィ工程により、第１金属配線１と第２
金属配線との接続のためのスルーホールを開孔するため
のレジストパターン５を形成する。 （３） 図２（ｃ）の工程 レジストパターン５をマスクとして、ウェットエッチン
グにより第２シリコン酸化膜４を除去し、端部をテーパ
形状する。その後、ドライエッチングにより残りの第２
シリコン酸化膜４、ＳＯＧ膜３、及び第１シリコン酸化
膜２を順次エッチング除去し、スルーホールを開孔す
る。この時、第１シリコン酸化膜２４、及び第２シリコ
ン酸化膜４の側壁に側壁保護膜６が形成される。次に、
レジストパターン５を除去し、その後、剥離液により側
壁保護膜６を除去する。 （４） 図２（ｄ）の工程 アルミニウム等の第２金属配線７をスパッタリング法に
より形成し、第１金属配線１と第２金属配線７との間の
コンタクトを取る。
構造を持った微細半導体素子の製造方法の工程図であ
る。この図２（ａ）〜（ｄ）の工程（１）〜（４）を以
下に説明する。 （１） 図２（ａ）の工程 アルミニウム等の金属により第１金属配線１を形成した
後、第１層間絶縁膜としてプラズマ化学気相成長（以
下、プラズマＣＶＤと呼ぶ）法により、ＳｉＨ4、及び
Ｎ2 Ｏを原料ガスとして、膜厚０．４μｍのシリコン酸
化膜（Ｐ−ＳｉＯ）２を形成する。次に、平坦度向上を
目的としてＳＯＧをスピンコートし、第１金属配線１に
支障のない４５０゜Ｃ以下の温度で加熱し、硅素化して
ＳＯＧ膜３を形成する。その後、再度、第１シリコン酸
化膜２と同様にして第２層間絶縁膜として第２シリコン
酸化膜４を０．４μｍ程度の厚さに気相成長させる。 （２） 図２（ｂ）の工程 フォトリソグラフィ工程により、第１金属配線１と第２
金属配線との接続のためのスルーホールを開孔するため
のレジストパターン５を形成する。 （３） 図２（ｃ）の工程 レジストパターン５をマスクとして、ウェットエッチン
グにより第２シリコン酸化膜４を除去し、端部をテーパ
形状する。その後、ドライエッチングにより残りの第２
シリコン酸化膜４、ＳＯＧ膜３、及び第１シリコン酸化
膜２を順次エッチング除去し、スルーホールを開孔す
る。この時、第１シリコン酸化膜２４、及び第２シリコ
ン酸化膜４の側壁に側壁保護膜６が形成される。次に、
レジストパターン５を除去し、その後、剥離液により側
壁保護膜６を除去する。 （４） 図２（ｄ）の工程 アルミニウム等の第２金属配線７をスパッタリング法に
より形成し、第１金属配線１と第２金属配線７との間の
コンタクトを取る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体素子の製造方法においては、次のような課題があ
った。図２（ｃ）のスルーホールの開孔時において、Ｓ
ＯＧ膜３の露出部から水分脱離によるアウトガスが発生
するため、異方性エッチングの効果を高める側壁保護膜
６が形成されずＳＯＧ膜３のサイドエッチが進行する。
そのため、図２（ｄ）の第２金属配線７をスパッタリン
グする際に、第２金属配線７のステップカバレッジが悪
化し、空洞（以下ボイドと呼ぶ）８が発生する。図３
は、図２（ｄ）中のボイドの拡大図である。この図に示
すようにＳＯＧ膜３の露出部のサイドエッチにより、こ
の部分にボイド８が発生する。このボイド８のために、
第２金属配線７のエレクトロマイグレーション耐性劣化
による断線等が問題となる。
半導体素子の製造方法においては、次のような課題があ
った。図２（ｃ）のスルーホールの開孔時において、Ｓ
ＯＧ膜３の露出部から水分脱離によるアウトガスが発生
するため、異方性エッチングの効果を高める側壁保護膜
６が形成されずＳＯＧ膜３のサイドエッチが進行する。
そのため、図２（ｄ）の第２金属配線７をスパッタリン
グする際に、第２金属配線７のステップカバレッジが悪
化し、空洞（以下ボイドと呼ぶ）８が発生する。図３
は、図２（ｄ）中のボイドの拡大図である。この図に示
すようにＳＯＧ膜３の露出部のサイドエッチにより、こ
の部分にボイド８が発生する。このボイド８のために、
第２金属配線７のエレクトロマイグレーション耐性劣化
による断線等が問題となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、Ｐ−ＳｉＯ等の第１層間絶縁膜を形成す
る工程と、ＳＯＧを塗布し、硅素化する工程と、フォト
リソグラフィにより第１レジストパターンを形成する工
程と、前記第１レジストパターンをマスクとして前記Ｓ
ＯＧ、及び第１層間絶縁膜を順次エッチング除去し、例
えば第１スルーホールを開孔する工程と、前記第１レジ
ストパターンを除去する工程と、ＴＥＯＳ酸化膜等の第
２層間絶縁膜を形成する工程と、フォトリソグラフィに
より第２レジストパターンを形成する工程と、前記第２
レジストパターンをマスクとして前記第２層間絶縁膜を
エッチング除去し、例えば第２スルーホールを開孔する
工程と、前記第２レジストパターンを除去する工程と、
金属配線を形成する工程とを順に施すようにしている。
決するために、Ｐ−ＳｉＯ等の第１層間絶縁膜を形成す
る工程と、ＳＯＧを塗布し、硅素化する工程と、フォト
リソグラフィにより第１レジストパターンを形成する工
程と、前記第１レジストパターンをマスクとして前記Ｓ
ＯＧ、及び第１層間絶縁膜を順次エッチング除去し、例
えば第１スルーホールを開孔する工程と、前記第１レジ
ストパターンを除去する工程と、ＴＥＯＳ酸化膜等の第
２層間絶縁膜を形成する工程と、フォトリソグラフィに
より第２レジストパターンを形成する工程と、前記第２
レジストパターンをマスクとして前記第２層間絶縁膜を
エッチング除去し、例えば第２スルーホールを開孔する
工程と、前記第２レジストパターンを除去する工程と、
金属配線を形成する工程とを順に施すようにしている。
【０００５】
【作用】本発明によれば、以上のように半導体素子の製
造方法を構成したので、フォトリソグラフィにより第１
レジストパターンを形成し、この第１レジストパターン
をマスクとしてＳＯＧ、及び第１層間絶縁膜を順次エッ
チング除去し第１コンタクトホールを開孔する。第１コ
ンタクトホールの開孔時において、ＳＯＧの露出部にお
いて水分脱離によりアウトガスが放出され、ＳＯＧのサ
イドエッチングが進行する。次に、第２層間絶縁膜を形
成し、ＳＯＧをキャッピングした後、フォトリソグラフ
ィにより第２レジストパターンを形成して、該第２レジ
ストパターンをマスクとして第２コンタクトホールを開
孔する。この第２コンタクトホール開孔時において、Ｓ
ＯＧが第２層間絶縁膜によってキャッピングされている
ので、この第２層間絶縁膜が、ＳＯＧのサイドエッチを
抑制し、金属配線の形成時のボイドの発生を抑制する働
きがある。従って、前記課題を解決できるのである。
造方法を構成したので、フォトリソグラフィにより第１
レジストパターンを形成し、この第１レジストパターン
をマスクとしてＳＯＧ、及び第１層間絶縁膜を順次エッ
チング除去し第１コンタクトホールを開孔する。第１コ
ンタクトホールの開孔時において、ＳＯＧの露出部にお
いて水分脱離によりアウトガスが放出され、ＳＯＧのサ
イドエッチングが進行する。次に、第２層間絶縁膜を形
成し、ＳＯＧをキャッピングした後、フォトリソグラフ
ィにより第２レジストパターンを形成して、該第２レジ
ストパターンをマスクとして第２コンタクトホールを開
孔する。この第２コンタクトホール開孔時において、Ｓ
ＯＧが第２層間絶縁膜によってキャッピングされている
ので、この第２層間絶縁膜が、ＳＯＧのサイドエッチを
抑制し、金属配線の形成時のボイドの発生を抑制する働
きがある。従って、前記課題を解決できるのである。
【０００６】
【実施例】図１（ａ）〜（ｃ）、及び図４（ａ）〜
（ｃ）は、本発明の実施例の半導体素子の製造方法を示
す工程図である。この図１（ａ）〜（ｃ）、及び図４
（ａ）〜（ｃ）の工程を以下（１）〜（６）に説明す
る。 （１） 図１（ａ）の工程 まず、アルミニウム等の金属により第１金属配線１０を
形成する。その後、第１層間絶縁膜としてプラズマＣＶ
Ｄ法により、原料ガスＳｉＨ4 、及びＮ2 Ｏ、圧力２．
０〜３．０Ｔｏｒｒで、膜厚０．４μｍのシリコン酸化
膜（Ｐ−ＳｉＯ）１１を形成する。このＰ−ＳｉＯ１１
は、層間絶縁膜としての働きの上に、次に形成するＳＯ
Ｇ膜１２の第１金属配線１０への水分の透過を抑制する
働きもある。その後、平坦化のためにシリコン酸化膜１
１上にＳＯＧをスピンコートし、温度４００゜Ｃ、ドラ
イＮ2 雰囲気で、ベークしてＳＯＧ膜１２を形成する。
ドライＮ2 雰囲気中でのベークは、水分の吸湿の抑制し
膜質の劣化を防止するためである。次に、第１スルーホ
ールを開孔するために、フォトリソグラフィ工程により
レジストパターン１３を形成する。 （２） 図１（ｂ）の工程 レジストパターン１３をマスクとして、ドライエッチン
グにより、ＳＯＧ膜１２、及び第１シリコン酸化膜１１
を順次エッチング除去し、第１スルーホールを開孔す
る。この時、第１シリコン酸化膜１１とドライエッチン
グによるエッチングガスとの反応により、第１シリコン
酸化膜１１の側壁部に、側壁部のオーバーエッチングを
抑制する異方性エッチングには好ましい側壁保護膜１４
が形成される。一方、ＳＯＧ膜１２の露出部から水分脱
離によるアウトガスが発生するので側壁保護膜が形成さ
れず、サイドエッチングが進行し、アンダーカットが発
生する。
（ｃ）は、本発明の実施例の半導体素子の製造方法を示
す工程図である。この図１（ａ）〜（ｃ）、及び図４
（ａ）〜（ｃ）の工程を以下（１）〜（６）に説明す
る。 （１） 図１（ａ）の工程 まず、アルミニウム等の金属により第１金属配線１０を
形成する。その後、第１層間絶縁膜としてプラズマＣＶ
Ｄ法により、原料ガスＳｉＨ4 、及びＮ2 Ｏ、圧力２．
０〜３．０Ｔｏｒｒで、膜厚０．４μｍのシリコン酸化
膜（Ｐ−ＳｉＯ）１１を形成する。このＰ−ＳｉＯ１１
は、層間絶縁膜としての働きの上に、次に形成するＳＯ
Ｇ膜１２の第１金属配線１０への水分の透過を抑制する
働きもある。その後、平坦化のためにシリコン酸化膜１
１上にＳＯＧをスピンコートし、温度４００゜Ｃ、ドラ
イＮ2 雰囲気で、ベークしてＳＯＧ膜１２を形成する。
ドライＮ2 雰囲気中でのベークは、水分の吸湿の抑制し
膜質の劣化を防止するためである。次に、第１スルーホ
ールを開孔するために、フォトリソグラフィ工程により
レジストパターン１３を形成する。 （２） 図１（ｂ）の工程 レジストパターン１３をマスクとして、ドライエッチン
グにより、ＳＯＧ膜１２、及び第１シリコン酸化膜１１
を順次エッチング除去し、第１スルーホールを開孔す
る。この時、第１シリコン酸化膜１１とドライエッチン
グによるエッチングガスとの反応により、第１シリコン
酸化膜１１の側壁部に、側壁部のオーバーエッチングを
抑制する異方性エッチングには好ましい側壁保護膜１４
が形成される。一方、ＳＯＧ膜１２の露出部から水分脱
離によるアウトガスが発生するので側壁保護膜が形成さ
れず、サイドエッチングが進行し、アンダーカットが発
生する。
【０００７】（３） 図１（ｃ）の工程 レジストパターン１４を除去し、その後、剥離液により
側壁保護膜１４を除去する。次に、以下のプロセス条件
でＣＶＤ法により、膜厚０．８μｍ以上のＯ3−ＴＥＯ
Ｓ−ＮＳＧ（Non Silicate Glass) 膜（以下、ＴＥＯＳ
酸化膜と呼ぶ）１５を形成する。 ＴＥＯＳ酸化膜１５のプロセス条件 ＴＥＯＳ流量 １．５ＳＬＭ Ｏ2 流量 ７．５ＳＬＭ Ｏ3 流量 １００ｇ／ｍ3 生成温度 ４００゜Ｃ これにより、ＴＥＯＳ酸化膜１５がスルーホール内に平
坦性良く埋め込まれるとともに、ＳＯＧ膜１２の露出部
のアンダーカット部が、ＴＥＯＳ酸化膜１５によりキャ
ッピングされる。 （４） 図４（ａ）の工程 フォトリソグラフィ工程により、第２スルーホール開孔
のためのレジストパターン１６を形成する。
側壁保護膜１４を除去する。次に、以下のプロセス条件
でＣＶＤ法により、膜厚０．８μｍ以上のＯ3−ＴＥＯ
Ｓ−ＮＳＧ（Non Silicate Glass) 膜（以下、ＴＥＯＳ
酸化膜と呼ぶ）１５を形成する。 ＴＥＯＳ酸化膜１５のプロセス条件 ＴＥＯＳ流量 １．５ＳＬＭ Ｏ2 流量 ７．５ＳＬＭ Ｏ3 流量 １００ｇ／ｍ3 生成温度 ４００゜Ｃ これにより、ＴＥＯＳ酸化膜１５がスルーホール内に平
坦性良く埋め込まれるとともに、ＳＯＧ膜１２の露出部
のアンダーカット部が、ＴＥＯＳ酸化膜１５によりキャ
ッピングされる。 （４） 図４（ａ）の工程 フォトリソグラフィ工程により、第２スルーホール開孔
のためのレジストパターン１６を形成する。
【０００８】（５） 図４（ｂ）の工程 レジストパターン１６をマスクとして、まず０．２μｍ
程度のＴＥＯＳ酸化膜１５を以下の条件でウェットエッ
チングし、ＴＥＯＳ酸化膜１５の端部をテーパ形状にす
る。 ＴＥＯＳ酸化膜１５のウェットエッチングの条件 ＮＨ4 ＨＦ2 １０〜１１％ ＮＨ4 Ｆ １４％ ＣＨ3 ＣＯＯＨ ３２〜３３％ Ｈ2 Ｏ 残り の混合溶剤 次に、以下の条件のドライエッチングにより、レジスト
パターン１６をマスクとして、残ったＴＥＯＳ酸化膜１
５を除去して第２スルーホールを開孔する。 ＴＥＯＳ酸化膜１５のドライエッチングの条件 真空度 １００ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ７５０Ｗ Ａｒガス ８００ｓｃｃｍ ＣＨＦ3 ガス ６０ｓｃｃｍ ＣＦ4 ガス ６０ｓｃｃｍ この時、ＴＥＯＳ酸化膜１５、シリコン酸化膜１１の露
出部に側壁保護膜１７が形成され、エッチング形状が良
くなる。また、ＳＯＧ膜１２の露出部のアンダーカット
部が、ＴＥＯＳ酸化膜１５によりキャッピングされてい
るためＳＯＧ膜１２のアウトガスによるサイドエッチン
グは発生しない。 （６） 図４（ｃ）の工程 レジストパターン１６を除去し、その後、剥離液により
側壁保護膜１７を除去する。次に、アルミニウム等の金
属をスパッタリングして第２金属配線１８を形成する。
この時、ＳＯＧ膜１２がＴＥＯＳ酸化膜１５によりキャ
ピングされているため、第２金属配線１８のステップカ
バレッジが悪化することもなく、ボイドの発生を抑制す
ることができる。
程度のＴＥＯＳ酸化膜１５を以下の条件でウェットエッ
チングし、ＴＥＯＳ酸化膜１５の端部をテーパ形状にす
る。 ＴＥＯＳ酸化膜１５のウェットエッチングの条件 ＮＨ4 ＨＦ2 １０〜１１％ ＮＨ4 Ｆ １４％ ＣＨ3 ＣＯＯＨ ３２〜３３％ Ｈ2 Ｏ 残り の混合溶剤 次に、以下の条件のドライエッチングにより、レジスト
パターン１６をマスクとして、残ったＴＥＯＳ酸化膜１
５を除去して第２スルーホールを開孔する。 ＴＥＯＳ酸化膜１５のドライエッチングの条件 真空度 １００ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ７５０Ｗ Ａｒガス ８００ｓｃｃｍ ＣＨＦ3 ガス ６０ｓｃｃｍ ＣＦ4 ガス ６０ｓｃｃｍ この時、ＴＥＯＳ酸化膜１５、シリコン酸化膜１１の露
出部に側壁保護膜１７が形成され、エッチング形状が良
くなる。また、ＳＯＧ膜１２の露出部のアンダーカット
部が、ＴＥＯＳ酸化膜１５によりキャッピングされてい
るためＳＯＧ膜１２のアウトガスによるサイドエッチン
グは発生しない。 （６） 図４（ｃ）の工程 レジストパターン１６を除去し、その後、剥離液により
側壁保護膜１７を除去する。次に、アルミニウム等の金
属をスパッタリングして第２金属配線１８を形成する。
この時、ＳＯＧ膜１２がＴＥＯＳ酸化膜１５によりキャ
ピングされているため、第２金属配線１８のステップカ
バレッジが悪化することもなく、ボイドの発生を抑制す
ることができる。
【０００９】以上説明したように、本実施例では、Ｐ−
ＳｉＯ１１、ＳＯＧ膜１２を形成し、第１スルーホール
を開孔し、その後、ＴＥＯＳ酸化膜１５を形成すること
により、ＳＯＧ膜１２の露出部をＴＥＯＳ酸化膜１５で
キャッピングする。そして、第２スルーホールを開孔し
て、第２金属配線１８を形成するので、以下の利点があ
る。 （ａ）第２金属配線１８のステップカバレッジが悪化す
ることなく、ボイドの発生を抑制することができ、多層
配線の信頼性を向上させ、半導体素子の歩留まりを向上
させることができる。 （ｂ）第２層間絶縁膜をＴＥＯＳ酸化膜１５とすること
により、第２層間絶縁膜が平坦になり、第２スルーホー
ルへの埋め込み性が良くなるとともに、第２金属配線１
８の形成後の熱処理において、ＳＯＧ膜１２内の残留水
分はＰ−ＳｉＯ１１で阻止され、その代わりにＴＥＯＳ
酸化膜中に拡散するので、ＳＯＧ膜１２内の加熱による
残留水分による第１金属配線１０への影響も低減するこ
とができる。なお、本発明は、上記実施例に限定されず
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 （ｉ） 金属配線の層間絶縁膜が、第１層間絶縁膜／Ｓ
ＯＧ膜／第２層間絶縁膜から構成され、該構造を持つ層
間絶縁膜にコンタクトホールを開孔し、金属配線を埋め
込む場合であれば、本発明を適用することができる。 （ii） 第２層間絶縁膜は、ＴＥＯＳ酸化膜以外の絶縁
膜、例えば、Ｐ−Ｓｉ０、またはＰＳＧ膜等であっても
よい。
ＳｉＯ１１、ＳＯＧ膜１２を形成し、第１スルーホール
を開孔し、その後、ＴＥＯＳ酸化膜１５を形成すること
により、ＳＯＧ膜１２の露出部をＴＥＯＳ酸化膜１５で
キャッピングする。そして、第２スルーホールを開孔し
て、第２金属配線１８を形成するので、以下の利点があ
る。 （ａ）第２金属配線１８のステップカバレッジが悪化す
ることなく、ボイドの発生を抑制することができ、多層
配線の信頼性を向上させ、半導体素子の歩留まりを向上
させることができる。 （ｂ）第２層間絶縁膜をＴＥＯＳ酸化膜１５とすること
により、第２層間絶縁膜が平坦になり、第２スルーホー
ルへの埋め込み性が良くなるとともに、第２金属配線１
８の形成後の熱処理において、ＳＯＧ膜１２内の残留水
分はＰ−ＳｉＯ１１で阻止され、その代わりにＴＥＯＳ
酸化膜中に拡散するので、ＳＯＧ膜１２内の加熱による
残留水分による第１金属配線１０への影響も低減するこ
とができる。なお、本発明は、上記実施例に限定されず
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 （ｉ） 金属配線の層間絶縁膜が、第１層間絶縁膜／Ｓ
ＯＧ膜／第２層間絶縁膜から構成され、該構造を持つ層
間絶縁膜にコンタクトホールを開孔し、金属配線を埋め
込む場合であれば、本発明を適用することができる。 （ii） 第２層間絶縁膜は、ＴＥＯＳ酸化膜以外の絶縁
膜、例えば、Ｐ−Ｓｉ０、またはＰＳＧ膜等であっても
よい。
【００１０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ＳＯＧ、及び第１層間絶縁膜を順次エッチング除
去し第１コンタクトホールを開孔した後、第２層間絶縁
膜によりＳＯＧをキャッピングして、第２コンタクトホ
ールを開孔し、金属配線を形成するので、金属配線のス
テップカバレッジが悪化することもなく、ボイドの発生
を抑制することができる。したがって、金属配線の信頼
性を向上させることができる。
れば、ＳＯＧ、及び第１層間絶縁膜を順次エッチング除
去し第１コンタクトホールを開孔した後、第２層間絶縁
膜によりＳＯＧをキャッピングして、第２コンタクトホ
ールを開孔し、金属配線を形成するので、金属配線のス
テップカバレッジが悪化することもなく、ボイドの発生
を抑制することができる。したがって、金属配線の信頼
性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例の半導体素子製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図２】従来の半導体素子の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図３】図２（ｄ）中のボイドを示す図である。
【図４】本発明の実施例の半導体素子製造方法を示す工
程図である。
程図である。
１０ 第１金属配線 １１ 第１層間絶縁膜（Ｐ−ＳｉＯ） １２ ＳＯＧ膜 １３，１６ レジストパターン １５ 第２層間絶縁膜（ＴＥＯＳ酸化膜） １８ 第２金属配線
Claims (1)
- 【請求項１】 第１層間絶縁膜を形成する工程と、 ＳＯＧを塗布し、硅素化する工程と、 フォトリソグラフィにより第１レジストパターンを形成
する工程と、 前記第１レジストパターンをマスクとして前記ＳＯＧ、
及び第１層間絶縁膜を順次エッチング除去し第１コンタ
クトホールを開孔する工程と、 前記第１レジストパターンを除去する工程と、 第２層間絶縁膜を形成する工程と、 フォトリソグラフィにより第２レジストパターンを形成
する工程と、 前記第２レジストパターンをマスクとして前記第２層間
絶縁膜をエッチング除去し第２コンタクトホールを開孔
する工程と、 前記第２レジストパターンを除去する工程と、 金属配線を形成する工程とを、 順に施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12487394A JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12487394A JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335748A true JPH07335748A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14896216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12487394A Withdrawn JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 半導体素子の製造方法 |
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| JP (1) | JPH07335748A (ja) |
Cited By (13)
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-
1994
- 1994-06-07 JP JP12487394A patent/JPH07335748A/ja not_active Withdrawn
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