JPH01147516A - ビーム位置制御装置 - Google Patents
ビーム位置制御装置Info
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- JPH01147516A JPH01147516A JP62305746A JP30574687A JPH01147516A JP H01147516 A JPH01147516 A JP H01147516A JP 62305746 A JP62305746 A JP 62305746A JP 30574687 A JP30574687 A JP 30574687A JP H01147516 A JPH01147516 A JP H01147516A
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- parallel
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明はレーザ等の平行ビームを光源とする装置におけ
るビーム位置の制゛御装置、特にレーザを光源とする半
導体露光装置等のビーム位置制御装置に関する。
るビーム位置の制゛御装置、特にレーザを光源とする半
導体露光装置等のビーム位置制御装置に関する。
[従来の技術]
レーザ等の平行ビームを光源とする半導体露光装置等の
精密光学装置において、光源にパルスレーザ等発熱、振
動するものを使用する際、平行ビームの直進性を利用し
て、光源と装置とを分離配置する場合がある。その際、
光源と装置との相対位置関係が振動、経時変化等の原因
で変化して装置へのビーム入射位置がずれることがあり
、パターン精度の低下等の問題があった。
精密光学装置において、光源にパルスレーザ等発熱、振
動するものを使用する際、平行ビームの直進性を利用し
て、光源と装置とを分離配置する場合がある。その際、
光源と装置との相対位置関係が振動、経時変化等の原因
で変化して装置へのビーム入射位置がずれることがあり
、パターン精度の低下等の問題があった。
この問題の解決のため、該平行ビーム中にミラーを配置
し、その角度を調節することによって、装置とビーム位
置との整合をとる装置が知られている。しかし、ミラー
の角度調節では、その角度の2倍ビームの角度が8動す
るので、特に光源と装置との距離が離れている場合等、
高精度の整合を行うことが困難である。
し、その角度を調節することによって、装置とビーム位
置との整合をとる装置が知られている。しかし、ミラー
の角度調節では、その角度の2倍ビームの角度が8動す
るので、特に光源と装置との距離が離れている場合等、
高精度の整合を行うことが困難である。
また、近年紫外線レーザの応用が各所で進められている
が、紫外域でのミラーの反射率は一般に低い、特に、紫
外線レーザの中でも最も応用が盛んなエキシマレーザの
ような高出力紫外線レーザでは、レーザによるダメージ
を考慮して、ミラーのコーティングを誘電体で構成する
が、そのような場合、反射率を98%以上にすることは
なかなか難しくまたコストも高くなる。従って、100
%から反射率を引いた残りは光量ロスになり、装置の効
率を下げる結果となってしまう。
が、紫外域でのミラーの反射率は一般に低い、特に、紫
外線レーザの中でも最も応用が盛んなエキシマレーザの
ような高出力紫外線レーザでは、レーザによるダメージ
を考慮して、ミラーのコーティングを誘電体で構成する
が、そのような場合、反射率を98%以上にすることは
なかなか難しくまたコストも高くなる。従って、100
%から反射率を引いた残りは光量ロスになり、装置の効
率を下げる結果となってしまう。
[発明の目的]
本発明は、前述のようにレーザを光源とする半導体露光
装置等で光源と装置との相対位置関係が変化しても装置
へのビーム入射位置がずれないように制御可能なビーム
位置制御装置の提供を目的とする。
装置等で光源と装置との相対位置関係が変化しても装置
へのビーム入射位置がずれないように制御可能なビーム
位置制御装置の提供を目的とする。
[発明の構成および作用]
第1図は本発明の原理図である。平行ビーム1中に該ビ
ームに対し透過性の(例えば透明な)平行平面板2を該
ビームに対し垂直な軸(図示しない)廻りに矢印Aのよ
うに回転可能に設ける。平行平面板2の厚さをd1屈折
率をnとし、図のように角度θだけ傾けるとビーム1の
方向は変化せずにXだけ変位する。この変位量Xは で表わされる。
ームに対し透過性の(例えば透明な)平行平面板2を該
ビームに対し垂直な軸(図示しない)廻りに矢印Aのよ
うに回転可能に設ける。平行平面板2の厚さをd1屈折
率をnとし、図のように角度θだけ傾けるとビーム1の
方向は変化せずにXだけ変位する。この変位量Xは で表わされる。
例えばn=1.5 、d=10mmのとき、1分の傾き
でx w 1μmとなり、非常に分解能の高い位置制御
ができる。
でx w 1μmとなり、非常に分解能の高い位置制御
ができる。
また、平行平面板2の両面に該ビーム波長に対する反射
防止膜を施すことにより、光量ロスも0.4%以下にお
さえることは容易である。
防止膜を施すことにより、光量ロスも0.4%以下にお
さえることは容易である。
[実施例]
本発明に係るビーム位置制御装置を、レーザ光源を用い
た投影式半導体露光装置に適用した実施例を第2図に示
す、3はレーザ光源で、該レーザビーム中に2枚の平行
平面板2−a、2−bが互いの回転軸20.21が直交
(ねじれ位置において)するように配置され、紙面の上
下方向および紙面に垂直方向にビームが変位できるよう
に構成されている。この2つの平行平面板はそれぞれ両
面とも該レーザ波長に対する反射防止膜が施されている
。レーザ耐力に優れた片面反射率0.2X以下の反射防
止膜は容易に得られる。従って平行平面板1枚当りの光
量ロスは0.4を以下である0回転軸20゜21はとも
にビームに対し垂直に配置されている。
た投影式半導体露光装置に適用した実施例を第2図に示
す、3はレーザ光源で、該レーザビーム中に2枚の平行
平面板2−a、2−bが互いの回転軸20.21が直交
(ねじれ位置において)するように配置され、紙面の上
下方向および紙面に垂直方向にビームが変位できるよう
に構成されている。この2つの平行平面板はそれぞれ両
面とも該レーザ波長に対する反射防止膜が施されている
。レーザ耐力に優れた片面反射率0.2X以下の反射防
止膜は容易に得られる。従って平行平面板1枚当りの光
量ロスは0.4を以下である0回転軸20゜21はとも
にビームに対し垂直に配置されている。
なお、回転軸20.21は模式的に平行平面板内に図示
しているが、これらの軸の位置は限定されず、ビームに
対し垂直でかつ相互に直交していればどの位置でもよい
、4は投影式半導体露光装置で、レーザ光源3からのビ
ームはフライアイレンズ9に入射し、ミラーlOで下方
に折り曲げられ、コンデンサレンズ11で、原画パター
ンの描かれたレチクル12を均一照射しその像を投影光
学系13によって、ステージ15上に搭載したウェハ1
4上に転写する。露光装置4を構成する各部材(9〜1
5)はすべて定盤1B上に搭載されでいる。振動等によ
りフライアイレンズ9に入射するレーザビームの位置が
ずれるとウェハ14面上の照度低下やひどい場合にはパ
ターンの焼付像の劣下を引き起こす、5は定盤16に固
定されたジャイロである。ジャイロ5で露光装置4の上
下左右の変位を検知する。この検知された変位量に基づ
いて、平行平面板2−a、2−bの傾けるべき角度をコ
ンピュータ6で計算し、不図示の一アクチュエータによ
って計算された量だけ平行平面板2−a、2−bを回転
軸20.21 廻りに回転させる。これにより露光装置
4に対するレーザビームのずれ量を補正するのに必要な
量だけ各平行平面板2−a、2−bを傾斜させフライア
イレンズ9に入るレーザビームの位置を常に一定に保つ
ことができる。
しているが、これらの軸の位置は限定されず、ビームに
対し垂直でかつ相互に直交していればどの位置でもよい
、4は投影式半導体露光装置で、レーザ光源3からのビ
ームはフライアイレンズ9に入射し、ミラーlOで下方
に折り曲げられ、コンデンサレンズ11で、原画パター
ンの描かれたレチクル12を均一照射しその像を投影光
学系13によって、ステージ15上に搭載したウェハ1
4上に転写する。露光装置4を構成する各部材(9〜1
5)はすべて定盤1B上に搭載されでいる。振動等によ
りフライアイレンズ9に入射するレーザビームの位置が
ずれるとウェハ14面上の照度低下やひどい場合にはパ
ターンの焼付像の劣下を引き起こす、5は定盤16に固
定されたジャイロである。ジャイロ5で露光装置4の上
下左右の変位を検知する。この検知された変位量に基づ
いて、平行平面板2−a、2−bの傾けるべき角度をコ
ンピュータ6で計算し、不図示の一アクチュエータによ
って計算された量だけ平行平面板2−a、2−bを回転
軸20.21 廻りに回転させる。これにより露光装置
4に対するレーザビームのずれ量を補正するのに必要な
量だけ各平行平面板2−a、2−bを傾斜させフライア
イレンズ9に入るレーザビームの位置を常に一定に保つ
ことができる。
第3図は、露光装置4の変位を検知するのにジャイロ5
を使わずにビーム位置を直接モニタする方法を示す、7
はハーフミラ−でフライアイレンズ9へ向かうビームを
一部反射させて取出し光電式ポジションセンサ8に導く
、ハーフミラーフおよびセンサ8は露光装置4内に固定
させているので、ポジションセンナ8上のビーム位置の
情報をコンピュータへ送って、ビーム位置が変位しない
ように平行平面板2−a、2−bの傾き量を制御するこ
とができる。この方法は特にレーザが連続発振の場合に
有効である。
を使わずにビーム位置を直接モニタする方法を示す、7
はハーフミラ−でフライアイレンズ9へ向かうビームを
一部反射させて取出し光電式ポジションセンサ8に導く
、ハーフミラーフおよびセンサ8は露光装置4内に固定
させているので、ポジションセンナ8上のビーム位置の
情報をコンピュータへ送って、ビーム位置が変位しない
ように平行平面板2−a、2−bの傾き量を制御するこ
とができる。この方法は特にレーザが連続発振の場合に
有効である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明に係るビーム位置制御装置
においては、ビーム中に平行平面板を配置しこれを必要
量だけ傾けるという簡単な構成によりビームの方向を変
化させずに位置を補正することができる。従って、平行
ビームを発する光源とこのビームを使用する装置とを分
離して配置した場合に、振動等により装置に対する光源
の位置がずれた場合でもビームの照射位置を常に一定に
保つことができる。
においては、ビーム中に平行平面板を配置しこれを必要
量だけ傾けるという簡単な構成によりビームの方向を変
化させずに位置を補正することができる。従って、平行
ビームを発する光源とこのビームを使用する装置とを分
離して配置した場合に、振動等により装置に対する光源
の位置がずれた場合でもビームの照射位置を常に一定に
保つことができる。
また、光量のロスも最小限に抑えることができる。
第1図は本発明の原理図、第2図は本発明の実施例の構
成図、第3図は本発明に係る位置変位センサの別の例の
説明図である。 1;ビーム、 2.2−a、2−b;平行平面板、 3;レーザ光源、4;露光装置、 20.21.30 、回転軸。
成図、第3図は本発明に係る位置変位センサの別の例の
説明図である。 1;ビーム、 2.2−a、2−b;平行平面板、 3;レーザ光源、4;露光装置、 20.21.30 、回転軸。
Claims (8)
- (1)略平行なビーム中に該ビームに対し透過性の平行
平面板を該ビームに対し垂直な軸廻りに回転可能に設け
たことを特徴とするビーム位置制御装置。 - (2)前記平行平面板を2枚備え、両平行平面板の回転
軸を相互に直交させたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のビーム位置制御装置。 - (3)前記ビームを使用するビーム使用装置に対する該
ビームの相対位置を検知する位置変位センサを設け、該
位置変位センサの出力に応じて前記平行平板板の回転角
を制御するように構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載のビーム位置制御装置。 - (4)前記位置変位センサはジャイロ式センサであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のビーム位置
制御装置。 - (5)前記位置変位センサは光電式ポジションセンサで
あることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のビー
ム位置制御装置。 - (6)前記平行ビームはレーザ光であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項から第5項までのいずれか1項
記載のビーム位置制御装置。 - (7)前記レーザ光は紫外線レーザ光であることを特徴
とする特許請求の範囲第6項記載のビーム位置制御装置
。 - (8)前記紫外線レーザ光はエキシマレーザ光であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第7項記載のビーム位置
制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62305746A JPH01147516A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ビーム位置制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62305746A JPH01147516A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ビーム位置制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01147516A true JPH01147516A (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=17948842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62305746A Pending JPH01147516A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ビーム位置制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01147516A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5731577A (en) * | 1995-04-21 | 1998-03-24 | Nikon Corporation | Illumination apparatus and projection exposure apparatus using the same |
WO2005010963A1 (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2010085434A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | ビーム照射装置および位置検出装置 |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62305746A patent/JPH01147516A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
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US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9360763B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2010085434A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | ビーム照射装置および位置検出装置 |
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