JP2910716B2 - 光強度計算のパラメトリック解析方法 - Google Patents

光強度計算のパラメトリック解析方法

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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
フォトリソグラフィ−工程における光強度計算のパラメ
トリック解析方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フォトリソグラフィ−工程は、集積回路
等の半導体デバイスの製造工程において、半導体基板表
面上に所望のパタ−ンを形成する最も基本的で重要な製
造工程のひとつである。このフォトリソグラフィー工程
に用いる露光装置は、図6に示す光学系を備えている。
光学系は、光源61と、光源61からの光を平行光線に
変換するコリメートレンズ62と、所望のマスクパタ−
ン63aを含むマスク63と、マスクパタ−ン63aの
像を結像する結像レンズ64と、フォトリソグラフィ−
対象のウエハ65上のフォトレジスト66とを含む。光
源61からでた光はコリメートレンズ62で平行光線に
なりマスク63を照明する。マスク上のマスクパタ−ン
63aを通過した光は結像レンズ64で集光されてウエ
ハ65上のフォトレジスト66に至り、マスクパターン
を結像する。ウエハ上に結像されたパターンの光強度分
布は、パターンの解像度、再現性等を左右する大きな要
因であり、光強度分布を解析することでフォトリソグラ
フィー工程の各種パラメータを最適化できる。
【0003】光強度分布の解析には、光技術コンタクト
誌、第28号、1990年、第165頁〜175頁に開
示されているHopkinsの式を使った方法が広く用
いられている。Hopkinsの式を使った光強度計算
方法によれば、ウエハ上の光強度分布I(u,v)は次
式(1)のように表される。
【0004】
【0005】式(1)の相互透過係数(TCC)は次式
(2)で表される。
【0006】
【0007】ここで、Sは有効光源、Pは瞳関数、P*
はPの複素共役、δはデフォ−カスである。また、式
(1)、(2)中のウエハ上の座標(u,v)及びデフ
ォ−カスδは正規化されていて、実座標(U,V)及び
実際のデフォ−カスΔとは次の関係がある。
【0008】 U=uλ/NA ・・・・・ (3−1) V=vλ/NA ・・・・・ (3−2) Δ=δλ/(NA)2 ・・・・・ (3−3) ここで、λは光の波長、NAは結像レンズの開口数であ
る。
【0009】式(1)、式(2)から光強度分布I
(u,v)を計算するには、l,mを整数として p=
lfx 、q=mfy とすると、瞳によるカットオフ(式
(2)の S(r,s)P(p+r,q+s)P* (p
´+r,q´+s) が0にならない条件)から次式
(4−1)、式(4−2)が成り立つから、式(4−
1)、式(4−2)を満たす最小の整数l、mをフーリ
エ変換の最大次数lmax 、mmax とし、式(1)、式
(2)を最大次数lmax 、mmax の組まで計算すればよ
い。
【0010】 (1+σ)/fx ≦l ・・・・・ (4−1) (1+σ)/fy ≦m ・・・・・ (4−2) ここで、σはコヒーレンス因子、fx、fyはそれぞれ
x方向、y方向のマスクパターンの繰り返し周波数であ
る。
【0011】上記の計算手順を図5の流れ図に示す。ま
ず、コヒーレンス因子σと、マスクの透過率、パターン
配置等のマスク条件と、光源、瞳等の光学条件との初期
条件を設定する(ステップ51)。次に、式(4)から
最大次数lmax 、mmax を計算する(ステップ52)。
相互透過係数を式(2)により最大次数lmax 、mmax
まで計算してテーブル化する(ステップ53)。マスク
の透過率tのフーリエ変換(以後、マスクのフーリエ変
換と記す)を最大次数lmax 、mmax まで計算し、テー
ブル化する(ステップ54)。ステップ53、54で作
成したテーブルと式(1)からウエハ上の光強度分布I
(u,v)を計算する(ステップ55)。全ての条件に
ついて計算し尽くしたか調べ(ステップ56)、まだ計
算し終わっていなければ、コヒーレンス因子σ、マスク
の透過率、パターン配置、光源、瞳等の条件を変えて、
再度ステップ52〜56を実行し、与えられた全ての条
件について計算し終わるまでステップ52〜56を繰り
返す。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光強度
分布計算方法では、各条件毎に毎回相互透過係数とマス
クのフーリエ変換を計算するので、計算時間が非常に長
くなるという問題点がある。本発明は、計算回数が少な
くなるように、コヒーレンス因子σと、マスクの透過
率、パターン配置等のマスク条件と、光源、瞳等の光学
条件の各条件振りの順番を決め、系統的に条件を振るこ
とにより、相互透過係数の計算回数とマスクのフーリエ
変換の計算回数を減らして上記問題点を解決し、フォト
リソグラフィー工程の光強度分布を高速に計算する光強
度分布解析方法を提供するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の光強度計算のパ
ラメトリック解析方法は、データの条件振りを、コヒー
レンス因子σ、マスク条件(パターン配置、パターンピ
ッチ、マスクの透過率、位相マスクの位相変化量(以
下、位相と略記する)の任意の組み合わせから成るマス
クの特性を示すパラメータ)、光学条件(光源形状、光
源強度、デフォーカス、収差、瞳の位相、瞳の透過率、
瞳形状、結像レンズの開口数NAの任意の組み合わせか
ら成る、露光光学系の特性を示すパラメータ)の順に行
い、下記のステップ(a)〜(e)を実行する方法であ
る。
【0014】(a)光学条件設定後、コヒーレンス因子
σの最大値σmax とマスクパターンの繰り返し周波数f
の最小値fmin から決まる最大次数LT max 、MT max
まで相互透過係数を計算してテーブル化するステップ。
【0015】(b)マスク条件を設定後、コヒーレンス
因子σの最大値σmax と、設定されたマスク条件から決
まるマスクパターンの繰り返し周波数fとから決まる最
大次数LM max 、MM max までマスクのフーリエ変換を
計算してテーブル化するステップ。
【0016】(c)コヒーレンス因子σ設定後、ステッ
プ(a)、(b)で作成したテーブルと式(1)を使っ
て、全コヒーレンス因子σについて光強度分布の計算が
終わるまでコヒーレンス因子σを振って光強度分布を繰
り返し計算するステップ。
【0017】(d)マスク条件を振って、全てのマスク
条件がおわるまでステップ(b)〜(c)を繰り返すス
テップ。
【0018】(e)光学条件を振って、全ての光学条件
が終わるまでステップ(a)〜(d)を繰り返すステッ
プ。
【0019】本発明の他の光強度計算のパラメトリック
解析方法は、データの条件振りを、コヒーレンス因子
σ、光学条件、マスク条件の順に行い、下記のステップ
(a)〜(e)を実行する方法である。
【0020】(a)マスク条件設定後、コヒーレンス因
子σの最大値σmax と、設定されたマスク条件から決ま
るマスクパターンの繰り返し周波数fとから決まる最大
次数までマスクのフーリエ変換を計算してテーブル化す
るステップ。
【0021】(b)光学条件設定後、コヒーレンス因子
σの最大値σmax と設定されたマスク条件のマスクパタ
ーンの繰り返し周波数fとから決まる最大次数まで相互
透過係数を計算してテーブル化するステップ。
【0022】(c)コヒーレンス因子σ設定後、ステッ
プ(a)、(b)で作成したテーブルと式(1)を使っ
て、全コヒーレンス因子σについて光強度分布の計算が
終わるまでコヒーレンス因子σを振って光強度分布を繰
り返し計算するステップ。
【0023】(d)光学条件を振って、全ての光学条件
が終わるまでステップ(b)〜(c)を繰り返すステッ
プ。
【0024】(e)マスク条件を振って、全てのマスク
条件が終わるまでステップ(a)〜(d)を繰り返すス
テップ。
【0025】ここで、マスク条件とは、マスクパターン
形状、マスクパターンの配置、マスクパターンピッチ、
マスクの透過率、位相マスクの位相変化量のうちの任意
の組み合わせから成る、マスクの特性を示すデータであ
る。また、光学条件とは、光源の形状、光源の光強度、
光の波長、デフォーカス、収差、瞳の位相、瞳の透過
率、瞳形状、結像レンズの開口数NA,コヒーレンス因
子σのうちの任意の組み合わせから成る、露光装置の露
光光学系の特性を示すデータであるが、この計算では、
コヒーレンス因子σは独立に変化させるので、上記項目
からコヒーレンス因子σを除外したものの任意の組み合
わせを光学条件としている。
【0026】式(1)を使った光強度計算では、相互透
過係数とマスクのフーリエ変換を独立に計算することが
できるので、条件振りに際して相互透過係数とマスクの
フーリエ変換の計算結果を予め別々にテーブル化してお
くことができる。本発明は、このテーブルを再利用して
光強度分布I(u,v)を計算するので、光強度分布I
(u,v)を計算する度に相互透過係数とマスクのフー
リエ変換を毎回計算する必要がなく、計算時間が短縮で
きる。
【0027】テーブルの大きさは、瞳によるカットオフ
条件を満たすコヒーレンス因子σとマスクパターンの繰
り返し周波数fとで決まる最大次数で決まる大きさであ
る。即ち、相互透過係数のテーブルは最大次数
T max 、MT max で決まる大きさである。また、同様
に、マスクのフーリエ変換のテーブルの大きさは最大次
数LM max 、MM max で決まる大きさである。さらに、
コヒーレンス因子σの或る設定値での光強度分布計算に
必要なマスクのフーリエ変換のテーブルの大きさ及び相
互透過係数のテーブル大きさは、最大次数lmax 、m
max で決まる大きさである。
【0028】テーブルの大きさを決める最大次数は、式
(4−1)、式(4−2)から決まる。ここで、光強度
分布を計算する際、コヒーレンス因子σ、マスク条件、
光学条件の順に条件を振る場合、相互透過係数のテーブ
ルは設定された光学条件に於いて、全てのマスク条件及
び全てのコヒーレンス因子σに対応できなければならな
いため、相互透過係数の計算に必要な最大次数
T max 、MT max (以後、相互透過係数の最大次数と
記す。)はコヒーレンス因子σの最大値σmax とマスク
条件中のマスクパターンの繰り返し周波数fの最小値f
min を用いて式(4−1)、式(4−2)から得られる
下記式(5−1)、式(5−2)(厳密には、式(4−
1)、式(4−2)のように不等式であるが便宜上等式
で示した。以下、式(6−1)等他の等式についても同
様である。)から決まる。同様に、マスクのフーリエ変
換のテーブルは設定されたマスク条件に於いて全てのコ
ヒーレンス因子σに対応できる必要がある。このため、
マスクのフーリエ変換の計算に必要な最大次数
M max 、MM max (以下、マスクのフーリエ変換の最
大次数と記す。)はコヒーレンス因子σの最大値σmax
を用いて、相互透過係数の場合と同様にして、式(6−
1)、式(6−2)から決まる。また、設定された、コ
ヒーレンス因子σ、マスク条件、光学条件の下での光強
度分布計算に必要なマスクのフーリエ変換と相互透過係
数の最大次数lmax 、mmax は、上記と同様に、設定さ
れたコヒーレンス因子σとマスクパタンの繰り返し周波
数fを用いて、式(7−1)、式(7−2)から決ま
る。
【0029】 LT max =(1+σmax )/fxmin ・・・・・(5−1) MT max =(1+σmax )/fymin ・・・・・(5−2) LM max =(1+σmax )/fx ・・・・・(6−1) MM max =(1+σmax )/fy ・・・・・(6−2) lmax =(1+σ)/fx ・・・・・・(7−1) mmax =(1+σ)/fy ・・・・・・(7−2) ここでσmax はコヒーレンス因子σの最大値、fxmin
yminはそれぞれx方向、y方向のマスクパターンの繰
り返し周波数fx 、fy の最小値である。
【0030】条件を振る順序を、コヒーレンス因子σ、
光学条件、マスク条件の順に行う場合、マスクのフーリ
エ変換のテーブルは、設定されたマスク条件に於いて、
全てのコヒーレンス因子σと全ての光学条件に対応でき
なければならないが、式(4−1)、式(4−2)から
分かるように、最大次数は光学条件には左右されないか
ら、全てのコヒーレンス因子σに対応できればよい。し
たがって、上記と同様に、マスクのフーリエ変換の最大
次数LM max 、MM max は式(6−1)、式(6−2)
から決まる。また、相互透過係数のテーブルは、設定さ
れたマスク条件と光学条件との下で、全てのコヒーレン
ス因子σ対応できる必要があるので、相互透過係数の最
大次数LT max 、MT max は、コヒーレンス因子σの最
大値σmax と設定されたマスク条件中のマスクパターン
の繰り返し周波数fとを用いた次式(8−1)、式(8
−2)から決まる。式(5−1)、式(5−2)を用い
てもよいが、計算時間を短縮するためには不要の計算は
省いた方がよいので式(8−1)、式(8−2)を用い
る。最大次数lmax 、mmax については、条件振りをコ
ヒーレンス因子σ、マスク条件、光学条件の順に行う場
合と同じである。
【0031】 LT max =(1+σmax )/fx ・・・・・ (8−1) MT max =(1+σmax )/fy ・・・・・ (8−2) 式(5−1)〜式(8−2)から各最大次数の間には次
式(9−1)、(9−2)の関係が成り立つから、 lmax ≦LM max ≦LT max ・・・・ (9−1) mmax ≦MM max ≦MT max ・・・・ (9−2) 光学条件とマスク条件を或る値に設定して、コヒーレン
ス因子σの条件を振って光強度分布I(u,v)を計算
する際、計算に必要とする相互透過係数とマスクのフー
リエ変換のテーブルの大きさは、予め作成した相互透過
係数及びマスクのフーリエ変換のテーブルの大きさを超
えることがない。このため、光強度分布I(u,v)の
計算に必要な相互透過係数及びマスクのフーリエ変換
は、予め作成した相互透過係数及びマスクのフーリエ変
換のテーブルが利用できるので、光強度分布I(u,
v)の計算の度にマスクのフーリエ変換と相互透過係数
を計算する必要がなく、計算時間が短縮できる。
【0032】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)本発明の第1の実施の形態を図1
に示す流れ図を用いて説明する。与えられた、解析に必
要なデータを、コヒーレンス因子σ、光学条件、マスク
条件の、3つに分類し、コヒーレンス因子σ、光学条
件、マスク条件の順番に並べる(ステップ1)。コヒー
レンス因子σの最大値σmax と、マスク条件から決まる
マスクパターンの繰り返し周波数fx 、fy の最小値f
xmin、fyminとを求める(ステップ2)。次に、マスク
条件を設定する(ステップ3)。マスクのフーリエ変換
の最大次数LM max 、MM max を式(6−1)、式(6
−2)から計算する(ステップ4)。マスクのフーリエ
変換を次数LM max 、MM max まで計算してテーブル化
する(ステップ5)。相互透過係数の最大次数
T max 、MT max を式(8−1)、式(8−2)から
計算する(ステップ6)。光学条件を設定する(ステッ
プ7)。式(2)から相互透過係数を次数LT max 、M
T max まで計算してテーブル化する(ステップ8)。コ
ヒーレンス因子σを設定し、このコヒーレンス因子σに
対応する最大次数lmax 、mmax を式(7−1)、式
(7−2)より計算し、ステップ8でテーブル化した相
互透過係数とステップ5でテーブル化したマスクのフー
リエ変換とを次数lmax 、mmax まで使って、式(1)
からウエハ上の光強度分布I(u,v)を計算する(ス
テップ9)。与えられたコヒーレンス因子σ全て(コヒ
ーレンス因子σの全水準)について光強度分布I(u,
v)を計算したかを調べ(ステップ10)、全てのコヒ
ーレンス因子σについて計算し終わるまでコヒーレンス
因子σの値を振ってステップ9、ステップ10を繰り返
す。次いで、全ての光学条件について光強度分布I
(u,v)を計算したか調べ(ステップ11)、全ての
光学条件について計算し終わるまで光学条件を振ってス
テップ7〜11を繰り返す。全ての光学条件について光
強度分布I(u,v)を計算し終えたら、全てのマスク
条件について計算したかを調べ(ステップ12)、全て
のマスク条件について計算し尽くすまでマスク条件を振
ってステップ3〜12を繰り返す。全てのマスク条件に
ついて計算し終えたら光強度分布の解析は終了する。
【0033】(実施例)マスク条件が、1.2μmピッ
チの1:1ホールパターン、光学条件が、光の波長λ=
0.248μm、結像レンズの開口数NA=0.5、の
ステッパー露光装置の、光学条件とマスク条件を一定に
し、コヒーレンス因子σのみを0.3から0.7まで変
化させて光強度分布I(u,v)を計算して計算時間を
評価した。この結果を図2に示す。図2の横軸はコヒー
レンス因子σの水準数、縦軸は規格化計算時間で、直線
(a)は実施例の結果、直線(b)は従来例の結果であ
る。なお、光源ビットマップは0.05σ刻みの精度
で、光強度分布は1周期分を1.2/128μm刻みで
128点計算した。
【0034】コヒーレンス因子σを40水準変化させた
とき、従来例ではコヒーレンス因子σを変えながら相互
透過係数を40回計算しなければならないが、本発明の
方法によれば、コヒーレンス因子σが0.7の時の相互
透過係数を1回計算すれば済むため、従来に比べて10
倍高速に計算できる。
【0035】(第1の実施の形態の変形例1)与えられ
た、解析に必要なデータを、コヒーレンス因子σ、光学
条件、マスク条件に分類してコヒーレンス因子σ、光学
条件、マスク条件の順序に並べるステップを省略し、図
1のステップ2以降を実行して光強度計算のパラメトリ
ック解析を行う。
【0036】(第1の実施の形態の変形例2)本発明の
第1の実施の形態の変形例を図3に示す流れ図を用いて
説明する。
【0037】与えられた、解析に必要なデータからコヒ
ーレンス因子σの最大値σmax と、マスク条件から決ま
るマスクパターンの繰り返し周波数fx 、fy の最小値
xmin、fyminとを求める(ステップ13)。次に、相
互透過係数の最大次数LT max 、MT max を式(5−
1)、式(5−2)から計算する(ステップ14)。マ
スク条件を設定する(ステップ15)。マスクのフーリ
エ変換の最大次数LM max 、MM max を式(6−1)、
式(6−2)から計算する(ステップ16)。マスクの
フーリエ変換を次数LM max 、MM max まで計算してテ
ーブル化する(ステップ17)。光学条件を設定する
(ステップ18)。式(2)から相互透過係数を次数L
T max 、MT max まで計算してテーブル化する(ステッ
プ19)。コヒーレンス因子σを設定し、このコヒーレ
ンス因子σに対応する最大次数lmax、mmax を式(7
−1)、式(7−2)より計算し、ステップ19でテー
ブル化した相互透過係数とステップ17でテーブル化し
たマスクのフーリエ変換とを次数lmax 、mmax まで使
って、式(1)からウエハ上の光強度分布I(u,v)
を計算する(ステップ20)。
【0038】与えられたコヒーレンス因子σ全て(コヒ
ーレンス因子σの全水準)について光強度分布I(u,
v)を計算したかを調べ(ステップ21)、全てのコヒ
ーレンス因子σについて計算し終わるまでコヒーレンス
因子σの値を振ってステップ20、ステップ21を繰り
返す。次いで、全ての光学条件について光強度分布I
(u,v)を計算したか調べ(ステップ22)、全ての
光学条件について計算し終わるまで光学条件を振ってス
テップ18〜22を繰り返す。全ての光学条件について
光強度分布I(u,v)を計算し終えたら、全てのマス
ク条件について計算したかを調べ(ステップ23)、全
てのマスク条件について計算し尽くすまでマスク条件を
振ってステップ15〜23を繰り返す。全てのマスク条
件について計算し終えたら光強度分布の解析は終了す
る。
【0039】(第1の実施の形態の変形例3)与えられ
た、解析に必要なデータを、コヒーレンス因子σ、光学
条件、マスク条件に分類してコヒーレンス因子σ、光学
条件、マスク条件の順序に並べるステップを実行した
後、図3に示すステップ13〜23を実行、即ち、第1
の実施の形態の変形例2を実行して光強度計算のパラメ
トリック解析を行う。
【0040】(第2の実施の形態)本発明の第2の実施
の形態を図4に示す流れ図を用いて説明する。
【0041】与えられた、解析に必要なデータを、コヒ
ーレンス因子σ、マスク条件、光学条件の、3つに分類
し、コヒーレンス因子σ、マスク条件、光学条件の順番
に並べる(ステップ24)。コヒーレンス因子σの最大
値σmax と、マスク条件から決まるマスクパターンの繰
り返し周波数fx 、fy の最小値fxmin、fyminを求め
る(ステップ25)。相互透過係数の最大次数
T max 、MT max を式(5−1)、式(5−2)から
計算する(ステップ26)。光学条件を設定する(ステ
ップ27)。式(2)から相互透過係数を次数L
T max 、MT max まで計算してテーブル化する(ステッ
プ28)。マスク条件を設定する(ステップ29)。マ
スクのフーリエ変換の最大次数LM max 、MM max を式
(6−1)、式(6−2)から計算する(ステップ3
0)。マスクのフーリエ変換を最大次数LM max 、MM
max まで計算してテーブル化する(ステップ31)。コ
ヒーレンス因子σを設定し、このコヒーレンス因子σに
対応する最大次数lmax 、mmax を式(4−1)、式
(4−2)から求め、テーブル化された相互透過係数と
マスクのフーリエ変換とを次数lmax 、mmax まで使っ
て、式(1)からウエハ上の光強度分布I(u,v)を
計算する(ステップ32)。コヒーレンス因子σを調べ
(ステップ33)、コヒーレンス因子σを振って、全て
のコヒーレンス因子σについて計算し尽くすまでステッ
プ32、33を繰り返す。次に、マスク条件を調べ(ス
テップ34)、マスク条件を振って、全てのマスク条件
が終わるまでステップ29〜34を繰り返す。全てのマ
スク条件について計算し終わったら光学条件を調べ(ス
テップ35)、全光学条件について光強度分布の計算が
終わるまで光学条件を振ってステップ27〜35を繰り
返す。全ての光学条件について計算したら、光強度分布
の解析は終了する。
【0042】第2の実施の形態は、光学条件よりも先に
マスク条件を振るので、マスク条件について第1の実施
の形態よりも計算が早くでき、マスクの最適化に有利で
ある。又、計算時間の長い相互透過係数の計算回数がマ
スクのフーリエ変換の計算回数よりも少なくて済むので
同一条件下では第1の実施の形態よりも高速に計算でき
る。
【0043】(第2の実施の形態の変形例)与えられ
た、解析に必要なデータを、コヒーレンス因子σ、マス
ク条件、光学条件に分類し、コヒーレンス因子σ、マス
ク条件、光学条件の順序に並べるステップを省略し、図
4のステップ25以降を実行して光強度計算のパラメト
リック解析を行う。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は相互透過
係数の計算回数とマスクのフーリエ変換の計算回数が少
なくなるように、コヒーレンス因子σと、マスクの透過
率、パターン配置等のマスク条件と、光源、瞳等の光学
条件との各条件振りの順番を決め、系統的に条件を振る
ことにより、相互透過係数とマスクのフーリエ変換のテ
ーブルを作成しておき、このテーブルを再利用して光強
度分布を計算するので、光強度分布を計算する度に相互
透過係数とマスクのフーリエ変換を毎回計算する必要が
なくなり、フォトリソグラフィー工程の光強度分布を高
速に計算できる。
【0045】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1の実施の形態の流れ図であ
る。
【図2】図2は本発明の第1の実施の形態により光強度
分布を計算したときの計算時間を示す図である。
【図3】図3は本発明の第1の実施の形態の変形例の流
れ図である。
【図4】図4は本発明の第2の実施の形態の流れ図であ
る。
【図5】図5は従来例の流れ図である。
【図6】図6は露光装置の光学系を示す図である。
【符号の説明】
61 光源 62 コリメータレンズ 63 マスク 63a マスクパターン 64 結像レンズ 65 ウエハ 66 フォトレジスト

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の製造工程におけるフォトリ
    ソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えら
    れた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算
    する光強度計算のパラメトリック解析方法において、 コヒーレンス因子の最大値と前記マスク条件中のマスク
    パターンの繰り返し周波数の最小値とから決まる整数を
    最大次数とし、前記光学条件の設定後、前記最大次数ま
    で相互透過係数を計算してテーブル化する第1のステッ
    プと、前記マスク条件を設定後、コヒーレンス因子の最
    大値と設定されたマスク条件のマスクパターンの繰り返
    し周波数とから決まる整数を最大次数とし、この最大次
    数までマスクのフーリエ変換を計算してテーブル化する
    第2のステプと、前記コヒーレンス因子を設定後、前記
    第1のステップと第2のステップで作成した2つのテー
    ブルと式(1)とから、コヒーレンス因子全てに対して
    光強度分布を計算し終わるまでコヒーレンス因子を振っ
    て光強度分布を繰り返し計算する第3のステップと、前
    記マスク条件を振って、全てのマスク条件について光強
    度分布の計算が終わるまで前記第2のステップと第3の
    ステップを繰り返す第4のステップと、前記光学条件を
    振って、全ての光学条件について光強度分布の計算が終
    わるまで前記第1のステップ〜第4のステップを繰り返
    す第5のステップとを少なくとも含むことを特徴とする
    光強度計算のパラメトリック解析方法。
  2. 【請求項2】 半導体装置の製造工程におけるフォトリ
    ソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えら
    れた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算
    する光強度計算のパラメトリック解析方法において、 与えられたデータを、コヒーレンス因子、マスク条件、
    光学条件に分類し、コヒーレンス因子、マスク条件、光
    学条件の順に並べる第1のステップと、コヒーレンス因
    子の最大値と前記マスク条件中のマスクパターンの繰り
    返し周波数の最小値とから決まる整数を最大次数とし、
    光学条件を設定後、この最大次数まで相互透過係数を計
    算してテーブル化する第2のステップと、前記マスク条
    件を設定後、コヒーレンス因子の最大値と設定されたマ
    スク条件のマスクパターンの繰り返し周波数とから決ま
    る整数を最大次数とし、この最大次数までマスクのフー
    リエ変換を計算してテーブル化する第3のステプと、前
    記コヒーレンス因子を設定後、前記第2のステップと第
    3のステップで作成した2つのテーブルと式(1)とか
    ら、全コヒーレンス因子について光強度分布の計算が終
    わるまでコヒーレンス因子を振って光強度分布を繰り返
    し計算する第4のステップと、前記マスク条件を振っ
    て、全てのマスク条件について光強度分布の計算が終わ
    るまで前記第3のステップと第4のステップを繰り返す
    第5のステップと、前記光学条件を振って、全ての光学
    条件について光強度分布の計算が終わるまで前記第2の
    ステップ〜第5のステップを繰り返す第6のステップと
    を少なくとも含むことを特徴とする光強度計算のパラメ
    トリック解析方法。
  3. 【請求項3】 半導体装置の製造工程におけるフォトリ
    ソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えら
    れた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算
    する光強度計算のパラメトリック解析方法において、 前記マスク条件を設定後、コヒーレンス因子の最大値と
    設定されたマスク条件のマスクパターンの繰り返し周波
    数とから決まる整数を最大次数とし、この最大次数まで
    マスクのフーリエ変換を計算してテーブル化する第1の
    ステプと、コヒーレンス因子の最大値と前記設定された
    マスク条件中のマスクパターンの繰り返し周波数とから
    決まる整数を最大次数とし、光学条件設定後、この最大
    次数まで相互透過係数を計算してテーブル化する第2の
    ステップと、前記コヒーレンス因子を設定後、前記第1
    のステップと第2のステップで作成した2つのテーブル
    と式(1)とから、全コヒーレンス因子に対して光強度
    分布の計算が終わるまでコヒーレンス因子を振って光強
    度分布を繰り返し計算する第3のステップと、前記光学
    条件を振って、全ての光学条件について光強度分布の計
    算が終わるまで前記第2のステップと第3のステップを
    繰り返す第4のステップと、前記マスク条件を振って、
    全てのマスク条件について光強度分布の計算が終わるま
    で前記第1のステップ〜第4のステップを繰り返す第5
    のステップとを少なくとも含むことを特徴とする光強度
    計算のパラメトリック解析方法。
  4. 【請求項4】 半導体装置の製造工程におけるフォトリ
    ソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えら
    れた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算
    する光強度計算のパラメトリック解析方法において、 与えられたデータを、コヒーレンス因子、光学条件、マ
    スク条件に分類し、コヒーレンス因子、光学条件、マス
    ク条件の順に並べる第1のステップと、前記マスク条件
    を設定後、コヒーレンス因子の最大値と設定されたマス
    ク条件のマスクパターンの繰り返し周波数とから決まる
    整数を最大次数とし、この最大次数までマスクのフーリ
    エ変換を計算してテーブル化する第2のステプと、コヒ
    ーレンス因子の最大値と前記設定されたマスク条件中の
    マスクパターンの繰り返し周波数とから決まる整数を最
    大次数とし、光学条件設定後、この最大次数まで相互透
    過係数を計算してテーブル化する第3のステップと、前
    記コヒーレンス因子を設定後、前記第2のステップと第
    3のステップで作成した2つのテーブルと式(1)とか
    ら、全コヒーレンス因子について光強度分布の計算が終
    わるまでコヒーレンス因子を振って光強度分布を繰り返
    し計算する第4のステップと、前記光学条件を振って、
    全ての光学条件について光強度分布の計算が終わるまで
    前記第3のステップ〜第4のステップを繰り返す第5の
    ステップと、前記マスク条件を振って、全てのマスク条
    件について光強度分布の計算が終わるまで前記第2のス
    テップ〜第5のステップを繰り返す第6のステップとを
    少なくとも含むことを特徴とする光強度計算のパラメト
    リック解析方法。
  5. 【請求項5】 半導体装置の製造工程におけるフォトリ
    ソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えら
    れた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算
    する光強度計算のパラメトリック解析方法において、 コヒーレンス因子の最大値と前記マスク条件中のマスク
    パターンの繰り返し周波数の最小値とから決まる整数を
    相互透過係数の最大次数とする第1のステップと、前記
    マスク条件を設定後、コヒーレンス因子の最大値と設定
    されたマスク条件のマスクパターンの繰り返し周波数と
    から決まる整数を最大次数とし、この最大次数までマス
    クのフーリエ変換を計算してテーブル化する第2のステ
    プと、光学条件設定後、前記相互透過係数の最大次数ま
    で相互透過係数を計算してテーブル化する第3のステッ
    プと、前記コヒーレンス因子を設定後、前記第2のステ
    ップと第3のステップで作成した2つのテーブルと式
    (1)とから、全コヒーレンス因子に対して光強度分布
    の計算が終わるまでコヒーレンス因子を振って光強度分
    布を繰り返し計算する第4のステップと、前記光学条件
    を振って、全ての光学条件について光強度分布の計算が
    終わるまで前記第3のステップと第4のステップを繰り
    返す第5のステップと、前記マスク条件を振って、全て
    のマスク条件について光強度分布の計算が終わるまで前
    記第2のステップ〜第5のステップを繰り返す第6のス
    テップとを少なくとも含むことを特徴とする光強度計算
    のパラメトリック解析方法。
  6. 【請求項6】 半導体装置の製造工程におけるフォトリ
    ソグラフィー工程でのウエハ上の光強度分布を、与えら
    れた光学条件とマスク条件の下で次式(1)により計算
    する光強度計算のパラメトリック解析方法において、 与えられたデータを、コヒーレンス因子、光学条件、マ
    スク条件に分類し、コヒーレンス因子、光学条件、マス
    ク条件の順に並べる第1のステップと、コヒーレンス因
    子の最大値と前記マスク条件中のマスクパターンの繰り
    返し周波数の最小値とから決まる整数を相互透過係数の
    最大次数とする第2のステップと、前記マスク条件を設
    定後、コヒーレンス因子の最大値と設定されたマスク条
    件のマスクパターンの繰り返し周波数とから決まる整数
    を最大次数とし、この最大次数までマスクのフーリエ変
    換を計算してテーブル化する第3のステプと、、光学条
    件設定後、前記相互透過係数の最大次数まで相互透過係
    数を計算してテーブル化する第4のステップと、前記コ
    ヒーレンス因子を設定後、前記第3のステップと第4の
    ステップで作成した2つのテーブルと式(1)とから、
    全コヒーレンス因子に対して光強度分布の計算が終わる
    までコヒーレンス因子を振って光強度分布を繰り返し計
    算する第5のステップと、前記光学条件を振って、全て
    の光学条件について光強度分布の計算が終わるまで前記
    第4のステップと第5のステップを繰り返す第6のステ
    ップと、前記マスク条件を振って、全てのマスク条件に
    ついて光強度分布の計算が終わるまで前記第3のステッ
    プ〜第6のステップを繰り返す第7のステップとを少な
    くとも含むことを特徴とする光強度計算のパラメトリッ
    ク解析方法。
  7. 【請求項7】 光学条件が、光源の形状、光源の光強
    度、デフォーカス、収差、瞳の位相、瞳の透過率、瞳形
    状、結像レンズの開口数NA,コヒーレンス因子の中の
    任意の組み合わせから成る、光学系の特性を示すデータ
    であることを特徴とした請求項1〜4のいずれかに記載
    の光強度計算のパラメトリック解析方法。
  8. 【請求項8】 マスク条件が、マスクパターン形状、マ
    スクパターンの配置、マスクパターンピッチ、マスクの
    透過率、位相マスクの位相変化量の中の任意の組み合わ
    せから成る、マスクの特性を示すデータである事を特徴
    とした請求項1〜5のいずれかに記載の光強度計算のパ
    ラメトリック解析方法。
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