DE60208083T2

DE60208083T2 - Vorrichtung zum schutz eines chips und verfahren zu dessen anwendung

Info

Publication number: DE60208083T2
Application number: DE60208083T
Authority: DE
Inventors: Mathias Krellmann; Tord Karlin
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV; Micronic Laser Systems AB
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV; Micronic Laser Systems AB
Priority date: 2002-04-29
Filing date: 2002-04-29
Publication date: 2006-08-31
Anticipated expiration: 2022-04-30
Also published as: JP2005524112A; DE60208083D1; EP1499560A1; EP1499560B1; WO2003093167A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf den Schutz eines Chips vor einem Abbau, und genauer auf den Schutz eines mit einer Strahlung bestrahlten Chips vor einem Abbau.
Vorrichtungen mit Mikrospiegeln, die in einem oder mehreren Chips integriert sind, werden heutzutage in einer Vielfalt von Anwendungen verwendet, wie z. B. optischen Schaltanwendungen oder Lichtmodulationsanwendungen. Die Mikrospiegel in den Chips werden in Reaktion auf ein elektrisches Signal mechanisch verschoben, wobei Licht, das von einer Lichtquelle ausgestrahlt und von den Mikrospiegeln reflektiert wird, räumlich moduliert werden kann. Für Anwendungen im ultravioletten Lichtbereich mit Wellenlängen von ungefähr 248 nm werden aufgrund ihrer guten optischen Reflexionseigenschaften in diesem Bereich Mikrospiegel aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen verwendet.
Ein bekannter Chip, der Mikrospiegel aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung enthält, weist Elektroden auf, die unterhalb der Mikrospiegel angeordnet sind. Zum Verschieben der Mikrospiegel wird ein elektrisches Signal an die Elektroden angelegt. In einem typischen System sind die Elektroden mit TiN überzogen, um während der Herstellung des Chips den Endpunkt in einem CMP-Verfahren (CMP process, chemical mechanical polishing process = chemisch-mechanisches Glättungsverfahren) zu bestimmen.
Wenn dazu an die mit TiN überzogenen Elektroden ein hohes Potential angelegt wird und sie zudem ultraviolettem Licht ausgesetzt werden, wird in einer oxidierenden Umgebung, wie z. B. Luft, eine Oxidation des TiN hervorgerufen. Dies tritt zum Beispiel auf, wenn eine Strahlung durch Schlitze einfällt, die zwischen den Spiegeln und den Scharnieren des Spiegels gebildet werden.
Ein aus der Oxidation der Elektroden (TiO₂) entstehendes Problem ist, dass die Ablenkung der Mikrospiegel verringert wird, wenn das TiN oxidiert wird. Die Gründe für die Verringerung der Ablenkung der Mikrospiegel sind nicht voltständig verstanden, es wird jedoch angenommen, dass isolierte Ladungen im Oxid (TiO₂) eingeschlossen werden. Die eingeschlossenen Ladungen verursachen eine Verringerung des zur Ablenkung der Spiegel angelegten elektrischen Feldes, und daher wird die Kraft verringert, die auf den Spiegel wirkt und die Verschiebung auslöst. Um einen dauerhaften Betrieb zu erreichen, ist es somit erforderlich, die Oxidation des auf den Elektroden vorgesehenen TiN-Materials zu verhindern.
Bislang ist das obenbeschriebene Problem der Oxidation der TiN-Elektroden des Chips nicht in zufriedenstellender Weise gelöst. Da allgemein bekannt ist, dass Luft einen hohen Sauerstoffanteil hat, ist ein Lösungsansatz des Problems, den Luftkontakt der TiN-Elektroden zu verhindern, indem der Chip in einen luftdichten Behälter eingeschlossen wird, und der Behälter evakuiert wird.
Das mit diesem Ansatz verbundene Problem ist, dass ein luftdichter Behälter nur durch den Einsatz hochpräziser Herstellungsschritte und hochqualitativer Materialien geschaffen werden kann, wodurch die Herstellung kostspielig und kompliziert wird. Ferner wirken durch das Evakuieren des Behälters Kräfte der umgebenden Luft auf den Behälter. Typischerweise wird ein gasdichter Behälter mittels hoch standardisierter Arbeitsgeräte aus einem Materialstück gefertigt. Für den Fall, dass mehrere Teile zur Herstellung des Behälters verwendet werden, müssen einige davon mit hochpräzisen Dichtungen versehen werden.
Ferner erfordert das Einsetzen des Chips in einen Behälter das Vorsehen eines Fensters, um einer Strahlung zu gestatten, auf wenigstens einen Teil des Chips aufzutreffen, was wiederum eine luftdichte Grenzfläche zwischen dem Behälter und dem Fenster erfordert, z. B. in Form von Dichtungen, die am Umfang des Fensters angebracht werden. Neben den Kosten für diese Dichtungen werden diese z. B. während des Versands oder während des Gebrauchs des Behälters leicht beschädigt.
Ein weiteres Problem dieses Ansatzes ist, dass ein erhöhter Wartungsaufwand erforderlich ist, da der luftdichte Behälter regelmäßig auf mögliche undichte Stellen hin geprüft werden muss, da selbst durch eine kleine Undichtigkeit Luft in den Behälter dringt. Derartige Messungen können weitere Vorrichtungen erfordern, wie z. B. Drucksensoren im Behälter. Dies hat weiteren Aufwand und Kosten zur Folge.
Ein weiterer Ansatz zum Schutz des Chips vor Oxidation ist, den Chip in einem Behälter anzuordnen und den Behälter unter einem höheren Druck als dem Luftdruck mit einem schützenden Gas zu füllen. In diesem Fall muss der Behälter jedoch ebenso luftdicht sein, um das schützende Gas am schnellen Entweichen aus dem Behälter zu hindern und um die umgebende Luft am Eindringen in das Innere des Behälters und Vermischen mit dem schützenden Gas zu hindern. Somit trifft auf diesen Ansatz dasselbe Problem wie oben dargestellt zu.
WO 02/01633 A beschreibt ein Miniatur-Mikrovorrichtungsgehäuse, das ein Rahmensubstrat und eine Mikrovorrichtungsführung umfasst, die eine Kammer zur Aufnahme einer auf dem Mikrovorrichtungssubstrat integrierten Mikrovorrichtung bildet. Der Mikrovorrichtung gegenüberliegend ist ein Fenster angeordnet, um Strahlung innerhalb der Kammer zuzulassen. In dem Substrat ist ein Kanal zum Auspumpen vorgesehen, um die Luft in der Kammer während des Herstellungsvorgangs auspumpen zu können, um innerhalb der Kammer ein Vakuum zu schaffen, nachdem der Kanal zum Auspumpen abgedichtet ist, um eine hermetisch dichte Kammer zu erhalten.
Von diesem Stand der Technik ausgehend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Vorrichtung und ein verbessertes Verfahren zum Schutz eines Chips vor einem Abbau zu schaffen, um einen beständigen Betrieb eines Chips zu ermöglichen.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1 und durch ein Verfahren nach Anspruch 10 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft eine Vorrichtung zum Schutz eines Chips, wie in Anspruch 1 spezifiziert ist.
Ferner schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Betrieb einer Vorrichtung zum Schutz eines Chips, wie in Anspruch 10 spezifiziert ist.
Entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Chip Mikrospiegel aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung und Elektroden, die mit Schichten aus TiN-Material überzogen sind und auf dem Chip unterhalb der Elektroden angeordnet sind, um elektrostatische Kräfte auf die Mikrospiegel zu übertragen. Eine Oxidation des TiN-Materials wird verhindert, indem die Luft mittels einer Gasströmung von dem Chip gespült wird, während der Chip wenigstens zu einem Teil mit UV-Strahlung bestrahlt wird, wobei der Chip betrieben wird, indem die Mikrospiegel in Reaktion auf an die Elektroden angelegte Signale ausgelenkt werden.
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, bei welchen:
1 eine Draufsicht einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
2 eine Seitenansicht der Ausführungsform der 1 zeigt.
In 1 ist eine Vorrichtung 10 entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Vorrichtung 10 dient dem Schutz eines Chips vor einem Abbau und umfasst ein Gehäuse 12, auch als Behälter bezeichnet. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf eine bestimmte Form des Gehäuses 12 beschränkt, wobei neben der in den Zeichnungen gezeigten Form auch andere Formen, wie z. B. eine zylindrische Form, zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung denkbar sind.
Das Gehäuse 12 weist eine Oberseite 14 auf, in der eine Ausnehmung 16 ausgebildet ist. Die Ausnehmung 16 dient zum Aufnehmen des Chips. Vorzugsweise weist die Ausnehmung 16 Abmessungen auf, die etwas größer als die Abmessungen des Chips sind, so dass lediglich ein kleiner Abstand zwischen dem Chip und den Seitenwänden der Ausnehmung 16 bleibt, wenn der Chip in der Ausnehmung 16 angeordnet wird. Dies ermög licht, eine Gasströmung entlang einer Oberfläche des Chips zu leiten, wie im Folgenden genauer erläutert wird.
Ferner wird ein optisches Fenster 18 an der oberen Seite des Gehäuses 12 angebracht, um eine UV-Strahlung durch das optische Fenster 18 passieren zu lassen und auf wenigstens einen Teil der Oberfläche des in der Ausnehmung 16 angeordneten Chips auftreffen zu lassen. Das Fenster 18 erstreckt sich über die Ausnehmung 16 und darüber hinaus, so dass die gesamte dem Fenster 18 gegenüberliegende Oberfläche des Chips mit einer UV-Strahlung bestrahlt werden kann. Das optische Fenster besteht aus einem Quarz-Material oder aus einem anderen Material, das UV-durchlässig ist, wie z. B. MgF₂.
Die Vorrichtung 10 umfasst einen Gaseinlass 20 am Gehäuse 12. Der Gaseinlass 20 ist dafür ausgelegt, einen Schlauch 22 aufzunehmen. Der Gaseinlass 20 steht mit der Ausnehmung 16 in Verbindung, um Gas aus dem Schlauch 22 in die Ausnehmung 16 des Gehäuses 12 strömen zu lassen. Obwohl der Gaseinlass 20 an einer Seite des Gehäuses 12 angebracht ist, kann dieser auch an einer Unterseite des Gehäuses 12 gegenüber der Oberseite 14 oder an jeder anderen passenden Stelle angebracht sein.
Der Gasschlauch 22 ist an seinem anderen Ende mit einer Gasversorgung 24 verbunden, die ein Schutzgas enthält. Eine Gasströmung von der Gasversorgung 24 zu der Ausnehmung 16 des Gehäuses 12 wird von einem Massenstromregler 26 geregelt.
Vorzugsweise ist das Schutzgas entweder Argon oder Stickstoff/Wasserstoff. Allerdings können auch andere bekannte Gase, die dem Schutz vor Oxidation dienen, bei anderen Ausführungsformen verwendet werden.
Der Massenstromregler 26 kann vom herkömmlich erhältlichen Typ sein und wird eingesetzt, um den Gasdurchfluss entsprechend vorgegebener Parameter, wie z. B. dem Volumen der Ausnehmung 16 des Gehäuses 12, zu regeln.
In 2 ist eine Querschnittsansicht des Gehäuses 12 und des Schlauchs 20 aus 1 gezeigt. Das Gehäuse 12 besteht aus einem Chipgehäuse 12a, das als Basisplatte dient, und einer Deckplatte 12b, die an deren Außenseiten Flanschabschnitte 28 aufweist, die sich nach unten erstrecken. Das Chipgehäuse 12a ist reversibel an der Deckplatte 12b angebracht. Die Ausnehmung 16 ist in der Deckplatte 12b ausgebildet und erstreckt sich vollständig durch diese hindurch. Das Fenster 18 ist auf der Oberseite 14 der Deckplatte 12b angelegt. Ein Chip 30 ist auf dem Chipgehäuse 12a angeordnet, wie in 2 gezeigt, so dass dieser in der Ausnehmung 16 angeordnet ist, wenn das Chipgehäuse 12a und die Deckplatte 12b verbunden sind. Wie deutlich wird, werden der Chip 30 und die Ausnehmung 16 derart bestimmt, dass ein Spalt 32 zwischen dem Chip, den Seitenwänden der Ausnehmung 16 und dem Fenster 18 erhalten bleibt, so dass ein Gas den Chip 30 passieren kann. Da keine gasdichte Abdichtung erforderlich ist, ist ein Austausch des Chips 30 einfach.
Im Folgenden wird der Betrieb der Vorrichtung 10 mit Bezug auf eine weitere Ausführungsform, bei der ein spezieller Chip 30 verwendet wird, genauer beschrieben. Der Chip 30 umfasst einen Mikrospiegel aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung. Eine Elektrode ist unterhalb des Mikrospiegels angebracht, um in Reaktion auf ein an die Elektrode angelegtes elektrisches Signal eine elektrostatische Kraft auf den Mikrospiegel auszuüben. Die Elektrode ist mit TiN überzogen, um während der Herstellung des Chips den Endpunkt in einem CMP-Verfahren (CMP process, chemical mechanical polishing process = chemisch-mechanisches Glättungsverfahren) zu bestimmen.
Während des Betriebs ist der Chip 30 in der von der Ausnehmung 16, dem Fenster 18 und dem Chipgehäuse 12a gebildeten Kammer angeordnet, um die Oxidation des TiN-Materials, das die Elektroden umhüllt, zu verhindern. Ein Schutzgas von der Gasversorgung 24 wird unter Steuerung des Massenstromreglers 26 durch den Schlauch 22 und den Gaseinlass 20 in das Innere der Kammer eingebracht.
Nachdem das Gas aus dem Gaseinlass 20 in die Kammer geströmt ist, strömt es entlang des Spalts 32 zum Chip 30, um eine dem Fenster 18 gegenüberliegende Oberseite des Chips 30 zu passieren. Mittels der Gasströmung, die den Chip 30 passiert, wird Luft vom Chip 30 gespült. Die Kammer ist nicht luftdicht angelegt, wobei das Gas zusammen mit der von der Gasströmung weggespülten Luft aus der Kammer entweichen kann. Um die Gasströmung über der gesamten Oberseite des Chips 30 herzustellen, ist das Gehäuse 12 vorzugsweise so gestaltet, dass das Gas an der Seite der Kammer, die dem Gaseinlass gegenüber liegt, aus der Kammer entweichen kann. Zusätzliche Mittel, die dem Gas das Entweichen aus der Kammer gestatten, können im Flansch 28 vorgesehen sein, der dem Gaseinlass 20 gegenüberliegt.
Ein Gasauslass ist dem Gaseinlass 20 gegenüberliegend vorgesehen. Somit kann aus der Kammer strömendes Gas wieder zur Gasversorgung geleitet werden, um einen geschlossenen Gaskreislauf zu erhalten. Dies ist nützlich, wenn ein teures Schutzgas verwendet wird, um die Verluste an Schutzgas zu minimieren.
Aufgrund des durch die Kammer strömenden Gases wird die Luft aus der Kammer entfernt und die Kammer wird danach luftfrei gehalten, so lange die Gasströmung in der Kammer aufrechterhalten wird.
Ferner bewirkt die Gasströmung eine Kühlung des Chips 30, der durch die darauf auftreffende Strahlung erwärmt wird, wie im Folgenden beschrieben wird.
Während eines Betriebs des Chips 30 wird UV-Strahlung, die von einer geeigneten Quelle, wie z. B. einer Hg-Lampe oder einem Laser, erzeugt wird, zum Fenster 18 geleitet und passiert das Fenster 18, um auf den Mikrospiegel aufzutreffen, der auf der Oberseite des Chips 30 dem Fenster 18 gegenüberliegend angeordnet ist. Das Fenster 18 besteht aus Quarz, MgF₂ oder einem anderen, für UV-Strahlung durchlässigem Material, um einem hohen Anteil des UV-Lichts zu gestatten, das Fenster 18 zu passieren und auf den Chip 30 aufzutreffen. Vorzugsweise ist das Fenster 18 bezüglich der Oberseite des Chips 30 gekippt, um eine doppelte Abbildung zu vermeiden.
Die UV-Strahlung, die auf den Mikrospiegel trifft, wird von diesem reflektiert und nach dem Passieren des Fensters 18 aus dem Gehäuse 12 geleitet. Elektrische Signale werden an die Elektroden angelegt, die unterhalb des Mikrospiegels auf der Oberseite des Chips 30 vorgesehen sind. Die elektrischen Signale, die von einer Stromversorgung außerhalb der Kammer erzeugt werden, werden über elektrische Verbindungsmittel an die Elektroden angelegt.
In Reaktion auf die elektrischen Signale werden auf den Mikrospiegel elektrostatische Kräfte ausgeübt, wodurch sich der Mikrospiegel verschiebt. Das Verschieben des Mikrospiegels verursacht eine Richtungsänderung des reflektieren Strahls. In Reaktion auf die elektrischen Signale, die an die Elektroden angelegt werden, wird somit eine räumliche Modulation des reflektierten Strahls an dem Ort erzielt, an dem der reflektierte Strahl auftrifft.
Da die Kammer frei von Luft, O₂ und Feuchtigkeit gehalten wird, wird für den in der Kammer angeordneten Chip 30 eine nicht-oxidierende Umgebung geschaffen. Dies verhindert während des Betriebs des Chips 30 eine Oxidation des TiN-Materials, das die Elektroden überzieht, die unterhalb des Mikrospiegels liegen, die ansonsten stattfinden würde, wenn der Chip 30 einem oxidierenden Reaktanten, wie z. B. dem in der Luft enthaltenen Sauerstoff, ausgesetzt wäre. Wie oben beschrieben worden ist, findet während des Betriebs des Chips 30 in einer oxidierenden Umgebung eine Oxidation des TiN-Materials statt, wenn ein hohes elektrisches Potential an die Elektrode angelegt wird und eine UV-Strahlung, die durch die zwischen dem Mikrospiegel und einem Scharnier des Mikrospiegels vorgesehenen Schlitze strahlt, auf das TiN-Material trifft. Wenn die Oxidation des TiN-Materials nicht verhindert wird, wird das Verschieben des Mikrospiegels in Reaktion auf das an die Elektrode angelegte elektrische Signal verringert, woraus ein instabiler Betrieb des Chips resultiert.
Vorzugsweise ist die Ausnehmung 16 so bemessen, dass der Spalt 32 zwischen dem Chip 30 und dem optischen Fenster 18 einen kleinen Querschnitt aufweist. Somit kann die Gasströmung entlang der Oberfläche des Chips 30, auf welche durch das optische Fenster 18 Strahlung trifft, einen hohen Durchfluss aufweisen. Durch den kleinen Spalt 32 wird somit in den Bereichen, in denen Schutz erforderlich ist, d. h. in den Bereichen, auf die Strahlung trifft, Luft mit einer hohen Geschwindigkeit vom Chip 30 gespült. Ferner ermöglicht der kleine Spalt 32 einen hohen Schutz, selbst wenn die Gasströmung von der Gasversorgung 24 zum Gaseinlass von dem Massenstromregler 26 auf einen niedrigen Wert eingestellt wird.
Mit der neuartigen Lösung des Vorsehens einer Gasströmung durch die Kammer wird ein preiswerter Schutz für den Chip 30 geschaffen, da die Kammer nicht luftdicht sein muss, wodurch die Herstellung des Gehäuses 12 günstiger gemacht wird.
Ferner kann die technische Ausstattung, wie etwa die Gasversorgung 22 oder der Massenstromregler 24, vom herkömmlich erhältlichen Typ sein, was neben den niedrigen Kosten eine einfache Handhabung derselben bietet.
Zudem sind die Wartungskosten gering, da regelmäßige Überprüfungen auf undichte Stellen für einen beständigen Betrieb nicht notwendig sind. Sollte eine undichte Stelle auftreten, kann der Massenstromregler 24 eine steigende Gasströmung feststellen, was auf eine mögliche undichte Stelle hindeutet. In einem solchen Fall ist der Massenstromregler fähig, einen höheren Gasdruck zu schaffen, um die Luft daran zu hindern, in die Kammer einzudringen.
Die neuartige Vorrichtung 10 kann zudem in bestehende Systeme, die zur Modulation von Strahlung einen Chip ähnlich dem Chip 30 verwenden, integriert werden. Eine solche Integration ist leicht zu erreichen, da keine spezielle Technik erforderlich ist.
Ferner können die Größe und die Gestalt der Ausnehmung 16 entsprechend den Anforderungen des Chips 30 gewählt werden. Bei einer Ausführungsform ist beabsichtigt, den Chip 30 zusammen mit seiner Platte in der Ausnehmung 16 anzuordnen. Bei dieser Ausführungsform ist die Ausnehmung 16 dafür ausgelegt, den Chip mit seinem Gehäuse aufzunehmen, wobei der Chip 30 mittels der Gasströmung, die in der Kammer entlang der Oberfläche des Gehäuses geschaffen wird und Luft vom Chip spült, frei von Luft gehalten wird.
Obwohl bevorzugte Ausführungsformen beschrieben worden sind, bei denen der Chip 30 einen Mikrospiegel aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung umfasst und ferner eine mit TiN überzogene Elektrode umfasst, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diesen bestimmten Chip 30 beschränkt.
Beispielsweise ist bei einer Ausführungsform beabsichtigt, einen Chip 30 zu verwenden, der mehrere Mikrospiegel und mehrere mit TiN überzogene Elektroden umfasst.
Obwohl bevorzugte Ausführungsformen beschrieben wurden, bei denen der Chip 30 vor Oxidation des TiN während der Bestrahlung des Chips 30 mit UV-Strahlung bewahrt wird, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diesen bestimmten Schutz beschränkt.
Die vorliegende Erfindung ist vielmehr dafür gedacht, einen grundsätzlichen Schutz für den Chip 30 vor Einwirkungen zu schaffen, die aufgrund des Vorhandenseins von Reaktionskomponenten während der Bestrahlung des Chips mit einer Strahlung hervorgerufen werden.

Claims

Vorrichtung (10) zum Schutz eines mit einer Strahlung bestrahlten Chips (30) vor einem Abbau durch eine Reaktion eines Teils des Chips mit Reaktionskomponenten, mit mindestens einem Mikrospiegel, welcher ansprechend auf ein angelegtes Signal verschiebbar ist; einer Kammer (16), welche zur Aufnahme des Chips (30) ausgelegt ist; und einem Fenster (18), welches die Strahlung durchlässt und auf mindestens einen Teil des Chips (30) auftreffen lässt; wobei die Vorrichtung (10) einen Gaseinlass (20) umfasst, der mit der Kammer (16) kommuniziert und dazu ausgelegt ist, eine Gasströmung aus einer Gasversorgung (24) aufzunehmen; und zusätzlich zum Gaseinlass einen Gasauslass umfasst, der mit der Kammer (16) kommuniziert und dazu ausgelegt ist, Gas aus der Kammer (16) aufzunehmen.
Vorrichtung (10) nach Anspruch 1, bei welcher die Reaktionskomponente aus dem in der umgebenden Luft befindlichen Sauerstoff besteht, und bei welcher die Gasströmung während des Betriebs des Chips (30) einen Schutz gegen eine Oxidation von oxidierbaren Teilen des Chips (30) aufgrund der auf den Chip (30) auftreffenden Strahlung vorsieht.
Vorrichtung (10) nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher die Kammer (16) ein Entweichen von Gas in die umgebende Atmosphäre gestattet.
Vorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welcher das Fenster (18) gegenüber einer Oberfläche des Chips (30) gekippt ist.
Vorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei welcher das Fenster zur Transmission von UV-Strahlung ausgelegt ist.
Vorrichtung (10) nach Anspruch 5, bei welcher das Fenster (18) für die UV-Strahlung durchlässig ist, der Chip (30) einen Mikrospiegel, welcher Aluminium oder eine Aluminiumlegierung enthält, und zum Verschieben des Mikrospiegels eine Elektrode zum Erzeugen einer elektrischen Kraft zwischen dem Mikrospiegel und der Elektrode aufweist, die Elektrode aus TiN geformt ist oder dieses enthält und der Chip auf einer Platte montiert ist.
Vorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei welcher die Kammer (16) Mittel zum elektrischen Verbinden des Chips (30) mit einer außerhalb der Kammer (16) befindlichen Stromversorgung umfasst.
Vorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, welche zusätzlich ein Gehäuse (12, 12a, 12b) umfasst, wobei die Kammer (16) von einer Ausnehmung in dem Gehäuse (12, 12a, 12b) gebildet wird.
Vorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, welche zusätzlich ein Gehäuse aufweist, welches ein Chipgehäuse (12a) und eine Deckplatte (12b) umfasst.
Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Beaufschlagen des Chips (30) mit einer über den Gaseinlass (20) und den Gasauslass der Kammer (16) fließenden Gasströmung; und Bestrahlen des Chips (30) während der Chip (30) der Gasströmung ausgesetzt ist.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Strahlung eine UV-Strahlung ist.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei dem die Elektroden aus TiN gebildet sind, und die Gasströmung während eines Betriebs des Chips (30) eine Oxidation der Elektroden infolge einer auf den Chip (30) auftreffenden Strahlung verhindert.