JP2001097734A - 石英ガラス製容器およびその製造方法 - Google Patents
石英ガラス製容器およびその製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】使用中に金属不純物が溶け出さないもしくは高
温環境下で金属不純物が拡散しない石英ガラス製容器お
よびその製造方法を提供する。 【解決手段】任意の厚さ：ｔを有する石英ガラス容器で
あって、表面から２０μｍの厚さ領域および１／２ｔの
±１０μｍの厚さ領域いずれにおいても、Ｎａ、Ｍｇ、
Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃
度がいずれも０．１ｐｐｂ未満であることを特徴とする
石英ガラス製容器。また、合成石英ガラスブロックから
加熱処理することなく、機械研削のみにより、容器形状
を形成する石英ガラス製容器の製造方法。
温環境下で金属不純物が拡散しない石英ガラス製容器お
よびその製造方法を提供する。 【解決手段】任意の厚さ：ｔを有する石英ガラス容器で
あって、表面から２０μｍの厚さ領域および１／２ｔの
±１０μｍの厚さ領域いずれにおいても、Ｎａ、Ｍｇ、
Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃
度がいずれも０．１ｐｐｂ未満であることを特徴とする
石英ガラス製容器。また、合成石英ガラスブロックから
加熱処理することなく、機械研削のみにより、容器形状
を形成する石英ガラス製容器の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は石英ガラス製容器お
よびその製造方法に係わり、特に合成石英ガラスブロッ
クから切り出されて製造される石英ガラス製容器および
その製造方法に関する。
よびその製造方法に係わり、特に合成石英ガラスブロッ
クから切り出されて製造される石英ガラス製容器および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の高集積化に伴い、その製
造プロセス、シリコン基板に高清浄度が要求されてい
る。
造プロセス、シリコン基板に高清浄度が要求されてい
る。
【０００３】特に、Ｓｉのバンドギャプ中に準位を形成
し、半導体の特性の大きな影響を与えるＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ等の重金属や、半導体表面でイオンキャリアとして存
在し、電気的リークを引き起こすＮａ、Ｋ等のアルカリ
金属については、その汚染度の許容量は極めて低く抑え
られている。
し、半導体の特性の大きな影響を与えるＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ等の重金属や、半導体表面でイオンキャリアとして存
在し、電気的リークを引き起こすＮａ、Ｋ等のアルカリ
金属については、その汚染度の許容量は極めて低く抑え
られている。
【０００４】このため、製造プロセス、半導体ウェーハ
に対する金属汚染には厳しい管理が行われており、例え
ば特開平１０−１１１２２６号公報に開示されているよ
うに、環境からの微粒子による汚染や、試料容器からの
汚染を防止しながら、溶液試料の溶媒を除去して濃縮す
る、超微量不純物成分分析のための溶媒試料の溶媒除去
・濃縮方法および不純物定量法が行われている。
に対する金属汚染には厳しい管理が行われており、例え
ば特開平１０−１１１２２６号公報に開示されているよ
うに、環境からの微粒子による汚染や、試料容器からの
汚染を防止しながら、溶液試料の溶媒を除去して濃縮す
る、超微量不純物成分分析のための溶媒試料の溶媒除去
・濃縮方法および不純物定量法が行われている。
【０００５】また、特開平１０−２０９１０６号公報に
開示されているように、ビーカ内の半導体ウェーハおよ
び薬液の硫酸液をヒータにより加熱することにより、シ
リコン基板内の金属不純物を除去する洗浄方法が行われ
ている。
開示されているように、ビーカ内の半導体ウェーハおよ
び薬液の硫酸液をヒータにより加熱することにより、シ
リコン基板内の金属不純物を除去する洗浄方法が行われ
ている。
【０００６】従来、上記理化学用容器や半導体製造用容
器に用いられる石英製ガラス容器の製造は、石英ガラス
製パイプおよび板状の材料を使用し、これらを火炎加工
により、所定の形状に成形して製造していた。
器に用いられる石英製ガラス容器の製造は、石英ガラス
製パイプおよび板状の材料を使用し、これらを火炎加工
により、所定の形状に成形して製造していた。
【０００７】例えば、最も金属不純物汚染が少ないＶＡ
Ｄ法（Ｖａｐａｒ−Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ：気相軸付け法）により製造された合成石
英ガラスインゴットを材料とする場合でも、合成石英ガ
ラスインゴット→製管→酸水素火炎加工の工程を経るて
石英ガラス製容器を形成するため、石英ガラスへの金属
不純物の二次汚染が避けられない。
Ｄ法（Ｖａｐａｒ−Ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ：気相軸付け法）により製造された合成石
英ガラスインゴットを材料とする場合でも、合成石英ガ
ラスインゴット→製管→酸水素火炎加工の工程を経るて
石英ガラス製容器を形成するため、石英ガラスへの金属
不純物の二次汚染が避けられない。
【０００８】つまり、製管時、酸水素火炎加工時いずれ
においても、加熱処理を行うために、例えば、製管ノズ
ルや酸水素バーナ中の不純物が石英ガラス製容器の特に
表層に、また多くの場合その中心付近に至るまで金属不
純物が混入することが避けられなかった。
においても、加熱処理を行うために、例えば、製管ノズ
ルや酸水素バーナ中の不純物が石英ガラス製容器の特に
表層に、また多くの場合その中心付近に至るまで金属不
純物が混入することが避けられなかった。
【０００９】上記のような従来の製造方法によって製造
されたＶＡＤ法石英ガラス製ビーカの内表面の化学分析
の測定結果では、Ｃａ：４．１ｐｐｂ、Ｎａ：３．９ｐ
ｐｂ、Ｆｅ：３．６ｐｐｂ、Ｋ：３．４ｐｐｂと金属不
純物の二次汚染が認められる。
されたＶＡＤ法石英ガラス製ビーカの内表面の化学分析
の測定結果では、Ｃａ：４．１ｐｐｂ、Ｎａ：３．９ｐ
ｐｂ、Ｆｅ：３．６ｐｐｂ、Ｋ：３．４ｐｐｂと金属不
純物の二次汚染が認められる。
【００１０】つまり、合成石英ガラスインゴットの段階
では、各不純物元素の含有量は＜０．１ｐｐｂであり、
製管、酸水素火炎加工を経るために完成段階での不純物
濃度が著しく増加する。
では、各不純物元素の含有量は＜０．１ｐｐｂであり、
製管、酸水素火炎加工を経るために完成段階での不純物
濃度が著しく増加する。
【００１１】高分析精度の要求が比較的緩やかな状況で
は、従来の製造方法により製造された理化学容器を用い
て、分析を行っても問題はなかったが、上述のように高
分析精度が要求されるようになると、理化学容器から薬
液中に溶け出す金属不純物が問題になってくる。
は、従来の製造方法により製造された理化学容器を用い
て、分析を行っても問題はなかったが、上述のように高
分析精度が要求されるようになると、理化学容器から薬
液中に溶け出す金属不純物が問題になってくる。
【００１２】また、半導体製造工程においても、多くの
石英製容器が用いられているが、従来の製造方法により
製造された半導体用容器を用いて、半導体の製造を行う
と半導体用容器から溶け出す、あるいは高温環境下で拡
散する金属不純物により、半導体が汚染され所定特性の
半導体が得られない場合があり、製造歩留を低下させる
おそれがあった。
石英製容器が用いられているが、従来の製造方法により
製造された半導体用容器を用いて、半導体の製造を行う
と半導体用容器から溶け出す、あるいは高温環境下で拡
散する金属不純物により、半導体が汚染され所定特性の
半導体が得られない場合があり、製造歩留を低下させる
おそれがあった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、使用中に金属
不純物が溶け出さないもしくは高温環境下で金属不純物
が拡散しない石英ガラス製容器およびその製造方法が要
望されていた。
不純物が溶け出さないもしくは高温環境下で金属不純物
が拡散しない石英ガラス製容器およびその製造方法が要
望されていた。
【００１４】本発明は上記事情に鑑みて発明されたもの
で、使用中に金属不純物が溶け出さないもしくは高温環
境下で金属不純物が拡散しない石英ガラス製容器および
その製造方法を提供することを目的とする。
で、使用中に金属不純物が溶け出さないもしくは高温環
境下で金属不純物が拡散しない石英ガラス製容器および
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１の発明は、任意の厚さ：ｔを有する
石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの厚さ領域
および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれにおいて
も、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、
ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ未満である
ことを特徴とする石英ガラス製容器であることを要旨と
している。
になされた請求項１の発明は、任意の厚さ：ｔを有する
石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの厚さ領域
および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれにおいて
も、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、
ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ未満である
ことを特徴とする石英ガラス製容器であることを要旨と
している。
【００１６】本願請求項２の発明は、合成石英ガラスブ
ロックから加熱処理することなく、機械研削のみによ
り、容器形状を形成することを特徴とする石英ガラス製
容器の製造方法であることを要旨としている。
ロックから加熱処理することなく、機械研削のみによ
り、容器形状を形成することを特徴とする石英ガラス製
容器の製造方法であることを要旨としている。
【００１７】本願請求項３の発明では、上記合成石英ガ
ラスブロックは、ＶＡＤ法により製造されることを特徴
とする請求項２に記載の石英ガラス製容器の製造方法で
あることを要旨としている。
ラスブロックは、ＶＡＤ法により製造されることを特徴
とする請求項２に記載の石英ガラス製容器の製造方法で
あることを要旨としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる石英ガラス
製容器およびその製造方法を図面に基づき説明する。
製容器およびその製造方法を図面に基づき説明する。
【００１９】図１は本発明に係わる石英ガラス製容器、
例えば理化学用容器のビーカ１で、このビーカ１はＶＡ
Ｄ法により製造された合成石英ガラス製であり、一般に
用いられている形状を有している。
例えば理化学用容器のビーカ１で、このビーカ１はＶＡ
Ｄ法により製造された合成石英ガラス製であり、一般に
用いられている形状を有している。
【００２０】理化学用容器として、ビーカ１の他に例え
ば、シャーレー、結晶皿、蒸発皿等が考えられる。
ば、シャーレー、結晶皿、蒸発皿等が考えられる。
【００２１】ビーカ１は、例えば図２に示すような工程
により製造される。
により製造される。
【００２２】例えば、合成石英ガラスインゴットを製造
する工程と、合成石英ガラスインゴットを切断し母材と
なる合成石英ガラスブロックを製造する工程と、合成石
英ガラスブロックから石英ガラス容器を機械研削する工
程を有する。
する工程と、合成石英ガラスインゴットを切断し母材と
なる合成石英ガラスブロックを製造する工程と、合成石
英ガラスブロックから石英ガラス容器を機械研削する工
程を有する。
【００２３】インゴットの製造は、一般に原料としてＳ
ｉＣｌ４を用い、酸水素火炎加水分解による直接堆積ガ
ラス化する直接法、高周波誘導プラズマによりガラス化
するプラズマ法、電気炉によりガラス化するスート法な
どがある。
ｉＣｌ４を用い、酸水素火炎加水分解による直接堆積ガ
ラス化する直接法、高周波誘導プラズマによりガラス化
するプラズマ法、電気炉によりガラス化するスート法な
どがある。
【００２４】このスート法にはＶＡＤ法があり、特にＶ
ＡＤ法により製造された合成石英ガラスは、最も金属汚
染量が少なく、従って、石英ガラス容器に用いる合成石
英ガラスブロックは、ＶＡＤ法により製造するのが最も
好ましい。
ＡＤ法により製造された合成石英ガラスは、最も金属汚
染量が少なく、従って、石英ガラス容器に用いる合成石
英ガラスブロックは、ＶＡＤ法により製造するのが最も
好ましい。
【００２５】ＶＡＤ法は、図３に示すような一般的なＶ
ＡＤ法合成石英ガラス製造装置１１を用いて製造され、
このＶＡＤ法合成石英ガラス製造装置１１は、反応容器
１２と、この反応容器１２で製造され合成石英ガラス製
で棒状の出発材１３ａに堆積する多孔質ガラス体１３を
引上げる引上装置１４と、反応容器１２内に原料ガス等
を供給し、反応させ原料供給装置１５を有するトーチ１
６と、引上装置１４と原料供給装置１５を制御する成長
速度制御装置１７と、この成長速度制御装置１７に入力
する成長速度設定器１８とを有している。
ＡＤ法合成石英ガラス製造装置１１を用いて製造され、
このＶＡＤ法合成石英ガラス製造装置１１は、反応容器
１２と、この反応容器１２で製造され合成石英ガラス製
で棒状の出発材１３ａに堆積する多孔質ガラス体１３を
引上げる引上装置１４と、反応容器１２内に原料ガス等
を供給し、反応させ原料供給装置１５を有するトーチ１
６と、引上装置１４と原料供給装置１５を制御する成長
速度制御装置１７と、この成長速度制御装置１７に入力
する成長速度設定器１８とを有している。
【００２６】このＶＡＤ法合成石英ガラス製造装置１１
を用いて、合成石英ガラスインゴットを製造するには、
出発材１３ａを反応容器１２内に挿入し、トーチ１６か
らＳｉＣｌ４、Ｈ２、Ｏ２を供給し、トーチ１６の吹出
口の前方に形成される酸水素火炎によって火炎加水分解
反応せしめＳｉＯ２のガラス微粒子を生成し、出発材１
３ａの回転軸方向の片端面に吹き付けて多孔質ガラス体
を形成した後、連続的にまたは非連続的に高温炉に挿入
させて脱泡透明ガラス化して合成石英ガラスインゴット
を得る。
を用いて、合成石英ガラスインゴットを製造するには、
出発材１３ａを反応容器１２内に挿入し、トーチ１６か
らＳｉＣｌ４、Ｈ２、Ｏ２を供給し、トーチ１６の吹出
口の前方に形成される酸水素火炎によって火炎加水分解
反応せしめＳｉＯ２のガラス微粒子を生成し、出発材１
３ａの回転軸方向の片端面に吹き付けて多孔質ガラス体
を形成した後、連続的にまたは非連続的に高温炉に挿入
させて脱泡透明ガラス化して合成石英ガラスインゴット
を得る。
【００２７】上記のようにして製造された合成石英ガラ
スインゴットを、切断装置によって、例えば複数個の合
成石英ガラスブロックに切断する。合成石英ガラスイン
ゴットが製造される石英ガラス容器の大きさに比べて大
きい場合には、この石英ガラス容器の大きさに近い大き
さに切断されるが、合成石英ガラスインゴットが製造さ
れる石英ガラス容器の大きさにほぼ等しい場合には、合
成石英ガラスインゴットの切断は必要とせず、この合成
石英ガラスインゴットから所定の厚さｔｍｍの石英ガラ
ス用容器を直接切り出す。
スインゴットを、切断装置によって、例えば複数個の合
成石英ガラスブロックに切断する。合成石英ガラスイン
ゴットが製造される石英ガラス容器の大きさに比べて大
きい場合には、この石英ガラス容器の大きさに近い大き
さに切断されるが、合成石英ガラスインゴットが製造さ
れる石英ガラス容器の大きさにほぼ等しい場合には、合
成石英ガラスインゴットの切断は必要とせず、この合成
石英ガラスインゴットから所定の厚さｔｍｍの石英ガラ
ス用容器を直接切り出す。
【００２８】合成石英ガラスブロックの機械研削工程で
は、前工程で切断された合成石英ガラスブロックから、
研削装置により容器形状のビーカ１を切り出す。切り出
したビーカ１を必要に応じて、研磨装置によって鏡面研
磨し、洗浄装置によって洗浄する。
は、前工程で切断された合成石英ガラスブロックから、
研削装置により容器形状のビーカ１を切り出す。切り出
したビーカ１を必要に応じて、研磨装置によって鏡面研
磨し、洗浄装置によって洗浄する。
【００２９】上記洗浄として、フッ化水素酸によって、
ビーカ１の表面を５〜１５μｍエッチング処理すること
がより好ましく、これにより、より確実な洗浄が可能と
なるからである。
ビーカ１の表面を５〜１５μｍエッチング処理すること
がより好ましく、これにより、より確実な洗浄が可能と
なるからである。
【００３０】このようにして製造された石英ガラス製容
器であるビーカ１は、表面から２０μｍの厚さ領域およ
び１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれにおいても、
Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ
およびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ未満に形成され
る。
器であるビーカ１は、表面から２０μｍの厚さ領域およ
び１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれにおいても、
Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ
およびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ未満に形成され
る。
【００３１】これによって、例えば容器内に薬液を入れ
た使用中に有害となる程度に金属不純物が溶け出すこと
がなく、また、高温環境下で金属不純物が拡散ないし理
化学用容器あるいは半導体製造用容器を提供することが
できる。
た使用中に有害となる程度に金属不純物が溶け出すこと
がなく、また、高温環境下で金属不純物が拡散ないし理
化学用容器あるいは半導体製造用容器を提供することが
できる。
【００３２】つまり、上記２つの領域における上記特定
を行った石英ガラス製容器によれば、極めて高感度な分
析評価が可能となり、また、極めて高純度な半導体を製
造することができる。
を行った石英ガラス製容器によれば、極めて高感度な分
析評価が可能となり、また、極めて高純度な半導体を製
造することができる。
【００３３】また、上述の通り合成石英ガラスブロック
から加熱処理することなく、機械研削のみにより容器形
状を形成する製造方法によれば、より確実に金属不純物
が溶け出すことがなく、また、高温環境下で金属不純物
が拡散ない石英ガラス製容器を製造することができる。
から加熱処理することなく、機械研削のみにより容器形
状を形成する製造方法によれば、より確実に金属不純物
が溶け出すことがなく、また、高温環境下で金属不純物
が拡散ない石英ガラス製容器を製造することができる。
【００３４】図４は本発明に係わる石英ガラス製容器、
例えば半導体製造工程の洗浄に用いられる半導体用容器
２で、この半導体用容器２はＶＡＤ法により製造された
合成石英ガラス製であり、一般に用いられている形状を
有している。
例えば半導体製造工程の洗浄に用いられる半導体用容器
２で、この半導体用容器２はＶＡＤ法により製造された
合成石英ガラス製であり、一般に用いられている形状を
有している。
【００３５】この半導体用容器２も、図２に示すような
製造工程により、合成石英ガラスブロックから切り出し
て製造される。この半導体用容器２も、任意の厚さ：ｔ
を有する石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの
厚さ領域および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれ
においても、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ
未満であるので、金属汚染がなく、合成石英ガラスブロ
ックとほぼ同等の純度に保つことができる。
製造工程により、合成石英ガラスブロックから切り出し
て製造される。この半導体用容器２も、任意の厚さ：ｔ
を有する石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの
厚さ領域および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれ
においても、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ
未満であるので、金属汚染がなく、合成石英ガラスブロ
ックとほぼ同等の純度に保つことができる。
【００３６】
【実施例】図５に示すような寸法のビーカをＶＡＤ法に
より製造した石英ガラスインゴットから機械研削加工に
より製作した（実施例）。
より製造した石英ガラスインゴットから機械研削加工に
より製作した（実施例）。
【００３７】また、実施例と同様の寸法を有し、下記の
ように作製された従来例についても、同様の試験を行っ
た。従来例の製造方法は、ＶＡＤ法合成石英ガラスイン
ゴット→製管（シリンダフォーミング、パイプチュービ
ング）→酸水素火炎加工（火炎旋盤→研削→火炎加工ア
ニール）の工程で行われる。
ように作製された従来例についても、同様の試験を行っ
た。従来例の製造方法は、ＶＡＤ法合成石英ガラスイン
ゴット→製管（シリンダフォーミング、パイプチュービ
ング）→酸水素火炎加工（火炎旋盤→研削→火炎加工ア
ニール）の工程で行われる。
【００３８】試験１：上記のようにして製作したビーカ
（実施例）をフッ化水素酸によりエッチングを行い、ビ
ーカの各層に含まれる金属不純物をＩＰＣーＭＳ（誘導
結合プラズマ質量分析装置）を用いて分析し、実施例に
ついて表１の結果を得、従来例については、表２のよう
な結果を得た。
（実施例）をフッ化水素酸によりエッチングを行い、ビ
ーカの各層に含まれる金属不純物をＩＰＣーＭＳ（誘導
結合プラズマ質量分析装置）を用いて分析し、実施例に
ついて表１の結果を得、従来例については、表２のよう
な結果を得た。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【発明の効果】本発明に係わる石英ガラス製容器および
その製造方法によれば、使用中に金属不純物が溶け出さ
ないもしくは高温環境下で金属不純物が拡散しない石英
ガラス製容器およびその製造方法を提供することができ
る。
その製造方法によれば、使用中に金属不純物が溶け出さ
ないもしくは高温環境下で金属不純物が拡散しない石英
ガラス製容器およびその製造方法を提供することができ
る。
【００４２】即ち、石英ガラス製容器は任意の厚さ：ｔ
を有する石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの
厚さ領域および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれ
においても、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ
未満であるので、容器内に薬液を入れて使用しても、使
用中に有害となる程度に金属不純物が溶け出すことがな
く、また、高温環境下で金属不純物が拡散せず、極めて
高感度な分析評価が可能となり、また、極めて高純度な
半導体を製造することができる。
を有する石英ガラス容器であって、表面から２０μｍの
厚さ領域および１／２ｔの±１０μｍの厚さ領域いずれ
においても、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ
未満であるので、容器内に薬液を入れて使用しても、使
用中に有害となる程度に金属不純物が溶け出すことがな
く、また、高温環境下で金属不純物が拡散せず、極めて
高感度な分析評価が可能となり、また、極めて高純度な
半導体を製造することができる。
【００４３】また、合成石英ガラスブロックから加熱処
理することなく、機械研削のみにより、容器形状を形成
するので、より確実に金属不純物が溶け出すことがな
く、また、高温環境下で金属不純物が拡散ない石英ガラ
ス製容器を製造することができる。
理することなく、機械研削のみにより、容器形状を形成
するので、より確実に金属不純物が溶け出すことがな
く、また、高温環境下で金属不純物が拡散ない石英ガラ
ス製容器を製造することができる。
【００４４】また、合成石英ガラスブロックは、ＶＡＤ
法により製造されるので、ＶＡＤ法により製造された合
成石英ガラスとほぼ同等の純度を有する石英ガラス製容
器を製造することができる。
法により製造されるので、ＶＡＤ法により製造された合
成石英ガラスとほぼ同等の純度を有する石英ガラス製容
器を製造することができる。
【図１】本発明に係わる石英ガラス容器の断面図。
【図２】本発明に係わる石英ガラス容器の製造方法の一
実施形態を示す製造工程図。
実施形態を示す製造工程図。
【図３】一般に用いられているＶＡＤ法の概念図。
【図４】本発明に係わる石英ガラス容器の他の実施形態
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図５】実施例の試験に用いられる石英ガラス容器の説
明図。
明図。
１ ビーカ ２ 半導体用容器 １１ ＶＡＤ法合成石英ガラス製造装置 １２ 反応容器 １３ａ 出発材 １３ 多孔質ガラス体 １４ 引上装置 １５ 原料供給装置 １６ トーチ １７ 成長速度制御装置 １８ 成長速度設定器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ
Claims (3)
- 【請求項１】 任意の厚さ：ｔを有する石英ガラス容器
であって、表面から２０μｍの厚さ領域および１／２ｔ
の±１０μｍの厚さ領域いずれにおいても、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺ
ｎ濃度がいずれも０．１ｐｐｂ未満であることを特徴と
する石英ガラス製容器。 - 【請求項２】合成石英ガラスブロックから加熱処理する
ことなく、機械研削のみにより、容器形状を形成するこ
とを特徴とする石英ガラス製容器の製造方法。 - 【請求項３】上記合成石英ガラスブロックは、ＶＡＤ法
により製造されることを特徴とする請求項２に記載の石
英ガラス製容器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27881299A JP2001097734A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27881299A JP2001097734A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001097734A true JP2001097734A (ja) | 2001-04-10 |
Family
ID=17602517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27881299A Pending JP2001097734A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001097734A (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050502 |
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