JP4160286B2 - Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの製造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上の各チップ領域に形成されるLSI(半導体集積回路)パターンの寸法測定箇所選定方法に関するものであり、CAD(コンピュータ支援設計)装置を使用したフォトマスクの設計に際してLSIパターンの寸法品質(精度)保証を行うために使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、LSIの製造に際して、半導体ウェハの製造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ(以下、加工後ウェハと記す)に対するLSIパターンの寸法測定は、マスク上のLSIチップ領域の外側に予め配置しておいた寸法測定マークを測定することによって実現していた。
【0003】
しかし、加工寸法の微細化に伴って、チップ領域外の特殊な環境下にある寸法測定マークの仕上がり寸法とチップ領域内部のパターン仕上がり寸法との相関が小さくなるという問題が発生していた。
【0004】
これを解決するために、近年、チップ領域内部のパターン寸法を測定することによって、フォトマスクマスクおよび加工後ウェハの品質(精度)保証を行うようになってきた。
【0005】
従来、フォトマスクあるいは加工後ウェハにおけるチップ領域内部のパターン寸法測定箇所を選定するために、レイアウトデータまたはEB(電子ビーム)描画データをビュワーで表示し、人手によって適切な測定箇所を選定していた。
【0006】
しかし、1つのフォトマスクあるいは加工後ウェハに対して何百箇所もの測定箇所の選定が必要であり、人手で作業すると、測定箇所の選定に長い時間と労力を要し、作業ミスが多発するなどの問題があった。
【0007】
このパターン寸法測定箇所の選定を電子計算機を用いて自動的に実行する場合、LSIパターンの幅・スペース等がパターン寸法測定箇所として適切な部分を抽出する処理は既存のCADツールであるデザインルールチェック(Design Rule Check; DRC) 機能によって実現可能である。
【0008】
しかし、DRC機能を用いて抽出される個数は、レイアウトデータまたはEB描画データによって異なり、予め知ることができず、通常は非常に多数抽出される。寸法測定作業の時間的制約によって測定点数は固定もしくは一定の範囲に限定されており、フォトマスク内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散させることも必要である。そこで、多数の寸法測定箇所候補からフォトマスク内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散するように特定個数の寸法測定箇所を選定する手段の実現が要望されていた。
【0009】
また、前述したようにLSIパターンの寸法測定箇所として適切な部分を抽出する処理をDRC機能によって実現する際、抽出結果として、測定箇所の図形(矩形)だけを出力した場合、矩形の縦横比によっては測定方向・測定寸法を確定することができないという問題があった。
【0010】
また、従来は、フォトマスクあるいは加工後ウェハの寸法測定に使用するLSIパターンの寸法を設計データに付加するなどしていたので、複雑な図形処理などに伴って設計データ上の寸法とマスク上の寸法が変るような処理が行われる場合には、処理内容を加味することで寸法値を出す必要があった。
【0011】
しかし、近年になってOPC(0ptical Proximity Correction)処理などによる加工に伴って、設計データからフォトマスク上の寸法を単純には出せない場合が多くなっており、寸法測定のための情報を作成する手間が大きくなっている。
【0012】
また、加工後ウェハ上のパターン寸法を測定する順序として、従来は、図18に示すように、隣接する例えば4個のLSIチップ領域CHIP1〜4の各測定箇所1、2、3、4について、図中矢印で示すように、「測定箇所のX座標を第1キー、Y座標を第2キーとしてソートする方法」、または、「測定箇所のY座標を第1キー、X座標を第2キーとしてソートする方法」が採用されていた。
【0013】
この際、寸法測定作業を行うオペレータが、測定パターンを示した図面と被測定パターンとを視認により対比しながら寸法測定を行う場合、測定毎に被測定パターンが異なるので、測定効率が悪いという問題があった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように従来のフォトマスクあるいは加工後ウェハのパターン寸法測定箇所の選定に際して、人手で作業すると、測定箇所の選定に長い時間と労力を要し、作業ミスが多発するなどの問題があった。
【0015】
また、フォトマスクあるいは加工後ウェハのパターン寸法測定箇所の選定に際して、DRC機能を用いて測定箇所を多数抽出した場合、フォトマスク内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散するように特定個数の寸法測定箇所を選定する手段の実現が要望されていた。この際、測定箇所の図形(矩形)だけを抽出した場合、矩形の縦横比によっては測定方向・測定寸法を確定することができないという問題があった。また、複雑な図形処理などに伴って設計データ上の寸法とマスク上の寸法が変るような処理が行われる場合には、処理内容を加味することで寸法値を出す必要があったが、寸法測定のための情報を作成する手間が大きくなるという問題があった。
【0016】
また、従来の加工後ウェハ上のパターン寸法測定順序の決定に際して、測定毎に被測定パターンが異なるので、測定効率が悪いという問題があった。
【0017】
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、フォトマスクあるいは加工後ウェハ上のパターン寸法測定箇所をCAD装置を使用して自動的に選定する際、自動的に高速かつ適切に選定し得るLSIパターンの寸法測定箇所選定方法を提供することを目的とする。
【0018】
また、本発明は、フォトマスクあるいは加工後ウェハのパターン寸法測定箇所をCAD装置を使用して自動的に選定する際、多数の寸法測定箇所候補からフォトマスク内に均一に分散するように特定個数の寸法測定箇所を選定し得るLSIパターンの寸法測定箇所選定方法を提供することを目的とする。
【0019】
また、本発明の他の目的は、フォトマスクあるいは加工後ウェハ上のLSIパターンの寸法測定のために使用する情報を作成する際、複雑な図形処理などに伴って設計データに対してマスク上のパターンサイズが種々に変ってしまう際にも、マスクの寸法測定に用いる情報を容易に作成し得るLSIパターンの寸法測定情報作成方法を提供することにある。
【0020】
また、本発明の他の目的は、加工後ウェハ上のLSIパターンの寸法測定順番を決定する際、寸法測定作業を行うオペレータの負担を軽くし、測定効率の向上、測定ミスの低減化を図り得るLSIパターンの寸法測定順序決定方法を提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法は、コンピュータ支援設計装置を使用してLSIのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のLSIチップ領域のパターンの寸法測定箇所候補を抽出し、その中から寸法測定箇所を選定処理する際に、少なくとも、選定すべき寸法測定点数を得る手段と前記フォトマスクあるいは加工後ウェハの全領域を規定する矩形領域座標値を得る手段を使用し、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域をx方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第1のステップと、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域をy方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第2のステップと、前記第1のステップおよび第2のステップにおいて、ある領域の寸法測定点数が1である場合に、その領域内の任意の寸法測定箇所候補あるいはその領域の中心点に最も近くに存在する寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定し、ある領域の寸法測定点数が2以上の場合にその領域およびその領域に割り振られた寸法測定点数に対して前記第2のステップあるいは第1のステップを適用することを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0026】
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体ウェハの製造に使用されるフォトマスク(あるいはそれを用いて加工された加工後ウェハ)のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法の全体的な処理を示している。
【0027】
CAD装置を使用してLSIのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のLSIチップ領域のパターンの寸法測定箇所を選定する際、図1に示すように、まず、LSIパターンの寸法測定箇所選定条件ファイル10を得る。そして、前記寸法測定箇所選定条件ファイル10に基づいてLSIのレイアウトデータからLSIパターンの寸法測定箇所を選定するためのDRCコマンド記述を作成する機能11によりDRCコマンド記述を作成し、DRCコマンド記述ファイル12に格納する。
【0028】
次に、DRCコマンド記述ファイル12から入力するDRCコマンド記述とLSIレイアウトパターンデータファイル13から入力するLSIレイアウトパターンデータに基づいてDRC機能14によりDRCを実行し、この実行によって出力されたLSIパターンの寸法測定箇所候補データを寸法測定箇所候補ファイル15に格納する。
【0029】
次に、前記寸法測定箇所候補ファイル15から入力するデータおよび前記DRC機能14により得られたデータに基づいて必要個数だけ寸法測定箇所を抽出する個数限定機能16により寸法測定箇所を抽出し、抽出した寸法測定箇所データを寸法測定箇所ファイル17に格納する。
【0030】
図2は、図1中の寸法測定箇所選定条件を記述した寸法測定箇所選定条件ファイル10の一例を示す。
【0031】
図3は、図1中の寸法測定箇所選定用DRCコマンド記述作成機能11の具体例を示す。
【0032】
この機能は、寸法測定箇所選定条件ファイル10に記述された条件およびDRCコマンド記述テンプレートを入力として、テンプレート内の記述のうち可変のパラメータを寸法測定箇所選定条件ファイル10に記述された条件に基づいて決定し、DRC機能(図1中の14)に入力可能なファイルとしてDRCコマンド記述ファイル(図1中の12)に出力するものである。
【0033】
図4(A)乃至(D)は、図1中のDRC機能14を実行した場合に、レイアウトパターンから寸法測定箇所候補が選定される過程を説明するための図である。
【0034】
即ち、図4(A)に示すレイアウトパターンに対応するレイアウトデータとして入力された場合、DRC機能は、図2に示した寸法測定箇所選定条件ファイル10中の条件1に対応するDRCコマンド記述
A=(Layerから幅min-width 以上max-width 未満の部分を抽出するコマンド記述)にしたがって、図4(B)に示すように幅が適切なパターン部分a を選択して中間層A とする。
【0035】
次に、図2に示した寸法測定箇所選定条件ファイル10中の条件2に対応するDRCコマンド記述
B=(Aから間隔min-space 以上max-space 未満の部分を抽出するコマンド記述)にしたがって、図4(C)に示すように間隔が適切なパターン部分b を選択して中間層B とする。
【0036】
次に、図2に示した寸法測定箇所選定条件ファイル10中の条件3に対応するDRCコマンド記述
C=(Bから長さmin-length以上max-length未満の部分を抽出するコマンド記述)にしたがって、図4(D)に示すように長さが適切なパターン部分c を選択して中間層C とし、結果として、寸法測定箇所候補ファイル(図1中の15)に出力する。
【0037】
上記したように前記DRC機能14によって抽出されて寸法測定箇所候補ファイル15に格納された多数の寸法測定箇所候補から寸法測定に必要な個数だけを個数限定機能(図1中の16)により取り出し、寸法測定箇所ファイル17に出力する。この際、LSIレイアウト図形から、図4(A)あるいは(B)あるいは(C)に示したようなパターン幅・間隔・長さなどの条件毎に個数を絞り込む。
【0038】
即ち、第1の実施形態に係る寸法測定箇所選定方法は、CAD装置を使用してLSIのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のLSIチップ領域のパターンの寸法測定箇所を選定する際、LSIパターンの寸法測定箇所選定条件を得るステップと、前記寸法測定箇所選定条件に基づいてLSIのレイアウトデータからLSIパターンの寸法測定箇所を選定するためのDRCコマンド記述を作成するステップと、前記デザインルールチェックコマンド記述とLSIパターンを入力としてDRCを実行するステップと、前記DRCの実行によって出力されたLSIパターンの寸法測定箇所候補を入力として必要個数だけ寸法測定箇所を抽出する個数限定ステップとを具備することを特徴とするものである。
【0039】
上記第1の実施形態に係る寸法測定箇所選定方法によれば、LSIレイアウトパターンまたはLSIレイアウトパターンに対してOPCなどの補正を行った結果であるマスクパターンから、パターン幅・間隔その他の条件に適合する部位をDRC機能を利用して抽出することによって、寸法測定箇所を選定することを特徴とするものであり、LSIパターンの寸法測定箇所を自動的に高速かつ適切に選定することができる。
【0040】
<第2の実施形態>
第2の実施形態は、第1の実施形態における個数限定機能の具体例に相当するものである。
【0041】
図5は、本発明の第2の実施形態に係るフォトマスク(あるいは加工後ウェハ)上のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法に使用される機能、ファイル等を示す。
【0042】
図6乃至図8は、図5の寸法測定箇所選定方法における領域内寸法測定箇所決定処理を示すフローチャートである。図9(a)乃至(e)は、図6乃至図8の寸法測定箇所選定処理の内容全体を説明するために示した図である。
【0043】
寸法測定箇所選定処理を行うためには、図6に示すように、処理対象データの他に選定すべき寸法測定点数NUM 、フォトマスク描画領域を示す領域座標A0、領域分割を行う方向の初期値D が必要となる。ここで、NUM 、A0は外部から与えられる値である。
【0044】
本例では、NUM は、図9(a)に示す分割0の段階の括弧内に示した5が与えられたものとし、AOは、図9(a)に示した分割0の段階の領域A0の左下の座標値(X0,Y0)および右上の座標値(X1,Y1)が与えられたものとする。D は、"X" または"Y" のどちらか一方を任意に初期値とすることが可能だが、本実施例では"X" とした。
【0045】
これらの情報を用いて領域内寸法測定箇所決定処理を行うことにより、フォトマスク面内で均一となるように寸法測定箇所を選定することができる。
【0046】
図7および図8は、図6中の領域内寸法測定箇所決定処理を示すフローチャートである。
【0047】
図7に示すように、処理が開始されると、まず、領域内寸法測定点数NUM が1であるか検査する。NUM が1であれば、その領域内の寸法測定候補から任意の1個を寸法測定箇所として選定し、処理を終了する。
【0048】
NUM が1でない場合は、NUM が領域内の寸法測定箇所候補数以上であるか検査する。この条件を満たしている場合、その領域内の寸法測定候補全てを寸法測定箇所として選定し、処理を終了する。この条件を満たさない場合は以下の処理が必要となる。
【0049】
まず、与えられた領域をD 方向に2 分割してA1,A2とする。この場合、D の初期値は"X" としたので、図9(b)に示す分割1の段階のように、領域A0はA1-1,A1-2 という左右2つの領域に分割される。
【0050】
次に、領域A0に割り当てられていた寸法測定点数5を分割後の各領域にNUMl,NUM2 として振り分ける。基本的には両者ともNUM の1/2 に設定するが、領域A1-1の寸法測定箇所候補数がNUM1より小さい場合、NUMlを領域A1-1の寸法測定箇所候補数とし、NUM2をNUM-NUMlに設定する。
【0051】
上記とは逆に、領域A1-2の寸法測定箇所候補数がNUM2より小さい場合、NUM2をA1-2の寸法測定箇所候補数とし、NUM1をNUM-NUM2に設定する。
【0052】
上記どちらの条件にも該当しない場合は、NUMl,NUM2 ともNUM の1/2 に設定するが、NUM が奇数の場合は、寸法測定箇所候補数が多い方の領域に対する寸法測定点数が多くなるよう振り分ける。図9(b)に示した分割1の段階では、NUM1が3、NUM2が2に設定される。
【0053】
次に、図8に示すように、分割方向D を、現在の値が"X" なら"Y" に、"Y" なら"X" に変更し、領域A1,A2 の座標を算出した後、領域A1,A2 およびその領域に割り振られた寸法測定点数に対して順に領域内寸法測定箇所決定処理を再帰的に実行することによって処理が終了する。この場合の分割2、3、4の段階の領域を図9(c)、(d)、(e)に示した。
【0054】
即ち、第2の実施形態に係る寸法測定箇所方法は、CAD装置を使用してLSIのレイアウトデータからフォトマスク(あるいはそれを用いて加工されたウェハ)上のLSIチップ領域のパターンの寸法測定箇所候補を抽出し、その中から寸法測定箇所を選定処理する際に、少なくとも、選定すべき寸法測定点数を得る手段と前記フォトマスクあるいは加工後ウェハの全領域を規定する矩形領域座標値を得る手段を使用し、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域をx方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第1のステップと、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域をy方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第2のステップとを具備し、ある領域の寸法測定点数が1である場合に、その領域内の任意の寸法測定箇所候補、もしくは、その領域の中心点に最も近くに存在する寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定することを特徴とするものである。
【0055】
換言すれば、LSIレイアウト図形からパターン幅・間隔その他の条件によって条件毎に抽出された寸法測定箇所候補の中から、予め指定されている測定点数分だけをフォトマスク全領域に均一に分散するように選定することを特徴とするものである。
【0056】
上記第2の実施形態に係る寸法測定箇所選定方法によれば、多数の寸法測定箇所候補からフォトマスク面内あるいは加工後ウェハ面内に均一に分散するように特定個数の寸法測定箇所を選定することができる。
【0057】
<第3の実施形態>
第3の実施形態は、第1の実施形態におけるDRC機能によって多数の寸法測定箇所候補を抽出する際に適用されるものである。
【0058】
図10(A)乃至(C)は、本発明の第3の実施形態に係るフォトマスク(あるいは加工後ウェハ)上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
【0059】
図10(A)に示すレイアウトパターンaに対して、DRC機能によって寸法測定箇所候補として図10(B)に示す矩形bが抽出された場合に、図10(C)に示すように矩形bを両側に延長した矩形cのパターンを作成し、これらの矩形b、cを異なる層のデータとして出力させる。これにより、寸法測定箇所の位置(座標値)、測定寸法、測定方向を確定するための測定情報を提供することができる。
【0060】
パターン間隔の寸法測定箇所についても、上記と同様に、図11中の矩形b、cを出力させることにより、パターン間隔の寸法測定箇所の測定情報を提供することができる。
【0061】
図12は、図10(A)乃至(C)および図11に示した寸法測定情報生成方法によって出力される図形情報である。
【0062】
図12中の矩形bの中心点座標から測定位置eを決定でき、矩形bの4辺のうちで矩形cの辺と重なりを持たない辺から測定寸法および測定方向dを決定することができる。
【0063】
図13(A)、(B)は、図10(A)乃至(C)、図11に示した寸法測定情報生成方法において付加するパターンcを作成するための具体例を示す。
【0064】
図13(A)、(B)中、fは付加パターンcを作成するための中間パターンであり、gは矩形bから中間パターンを作成するための太め幅である。
【0065】
図13(A)中のレイアウトパターンaに対する測定箇所抽出用DRC機能によって測定箇所bが抽出された場合、bを一定距離gだけ太めた中間パターンfを作成し、パターンaとfの共通部分を抽出することによって、図13(B)中の付加パターンcを作成することができる。
【0066】
即ち、第3の実施形態に係る寸法測定情報生成方法は、半導体ウェハの製造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のLSIパターンの寸法測定箇所をコンピュータ支援設計装置を使用して選定処理する際に寸法測定情報を作成する際、DRC機能によってパターン幅、パターン間隔の寸法測定箇所候補として矩形の図形データが抽出された場合に、別の矩形の図形データを作成し、これらの2つの矩形を異なる層に出力させることを特徴とするものである。
【0067】
上記第3の実施形態によれば、DRC機能によって抽出された測定箇所から、寸法測定箇所の位置(座標値)、測定寸法、測定方向を確定するための測定情報を、図形データの出力だけで表現し、伝達することが可能となる。
【0068】
<第4の実施形態>
第4の実施形態は、第1の実施形態におけるDRC機能によって設計者が指定した寸法測定箇所候補を抽出する際に適用されるものである。
【0069】
図14は、本発明の第4の実施形態の実施例1に係るフォトマスク(あるいは加工後ウェハ)上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
【0070】
処理前の設計データ2に対して、設計者の指定により、寸法測定箇所・寸法抽出用パターン1を付加しておく。この寸法測定箇所・寸法抽出用パターン1は、OPCなどの処理によって変化し得る処理後データ4よりも測定寸法3の測長方向に対して大きくしておく。
【0071】
寸法測定箇所・寸法抽出用パターン1と処理後データ4との共有部(アンド部)の中心座標を算出することにより、寸法を測定する箇所の座標情報を得ることができ、同じく共有部の長さを抽出すれば、処理後の寸法値を得ることができる。この時、図15に示すように、測定寸法3の方向は共有部の外側に図14中の処理後データが存在する側の辺と平行と判断すればよい。
【0072】
即ち、第4の実施形態の実施例1に係る寸法測定情報生成方法は、半導体ウェハの製造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のLSIパターンの寸法測定箇所をコンピュータ支援設計装置を使用して選定処理する際に寸法測定情報を作成する際、LSIのレイアウトデータに、寸法測定箇所を示す図形を付加し、この図形を利用して測定位置と寸法値と測定方向を得ることを特徴とするものである。
【0073】
上記第4の実施形態の実施例1によれば、設計データに対して予測困難な図形処理が行われるようなフォトマスクについても、寸法を測定するパターンの座標や方法・方向などを容易に抽出することが可能となる。
【0074】
ここで、前記LSIのレイアウトデータに、測定の目的や用途などを示す情報をさらに付加することによって、測定情報の分別をさらに容易にすることが可能である。
【0075】
図16は、本発明の第4の実施形態の実施例2に係るフォトマスク(あるいは加工後ウェハ)上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
【0076】
ひとつのパターンの処理前の設計データ2に対してx、y両方向の測定を行う必要がある場合は、寸法測定箇所・寸法抽出用パターン1を設計データ2の両方向に対して付加し、各方向について寸法抽出を行う。
【0077】
上記第4の実施形態の実施例2によれば、x、y両方向について寸法測定情報を生成することができる。
【0078】
<第5の実施形態>
図17は、本発明の第5の実施形態に係るウェハ上のLSIパターンの寸法測定順序決定方法を示している。
【0079】
図17に示すように、隣接する例えば4個のLSIチップ領域CHIP1〜4の各測定箇所1、2、3、4について、図中矢印で示すように、各チップ領域における同一座標の測定箇所のパターンについてCHIP1〜4の順序(あるいは、その逆の順序)でソートしてパターン寸法を測定する。
【0080】
この際、加工後ウェハ上の寸法測定作業を行うオペレータが、測定パターンを示した図面と被測定パターンとを視認により対比しながら寸法測定を行う場合、同一の被測定パターンとなる箇所を連続的に視認することができるので、測定効率が向上し、測定ミスが低減することが期待できる。
【0081】
【発明の効果】
上述したように本発明のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法によれば、チップ領域内部の実パターンから、人手をかけることなく、短時間で、ミスなく寸法測定箇所を選定することができる。また、多数の寸法測定箇所候補の中から既定の測定点数にしたがって、フォトマスク面内あるいは加工後ウェハ面内で均一となるように寸法測定箇所を選定することができる。
【0082】
本発明のLSIパターンの寸法測定情報生成方法によれば、DRC機能によって抽出された測定箇所から、寸法測定箇所の位置(座標値)、測定寸法、測定方向を確定するための測定情報を、図形データの出力だけで表現し、伝達することができる。また、設計データに対して予測困難な図形処理が行われるようなフォトマスクについても、寸法を測定するパターンの座標や方法・方向などを容易に抽出することができる。
【0083】
本発明のLSIパターンの寸法測定順序決定方法によれば、加工後ウェハ上の隣接する複数のチップ領域における同一の被測定パターンとなる箇所を連続的に視認することが可能になり、測定効率が向上し、測定ミスが低減することが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るフォトマスク(あるいは加工後ウェハ)のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法の全体的な処理を説明するために示す図。
【図2】図1中の寸法測定箇所選定条件を記述した寸法測定箇所選定条件ファイルの一例を示す図。
【図3】図1中の寸法測定箇所選定用DRCコマンド記述作成機能の具体例を示す図。
【図4】図1中のDRC機能を実行した場合に、レイアウトパターンから寸法測定箇所候補が選定される過程を説明するために示す図。
【図5】本発明の第2の実施形態に係るフォトマスク(あるいは加工後ウェハ)上のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法に使用される機能、ファイル等を示す図。
【図6】図5における領域内寸法測定箇所決定処理を示すフローチャート。
【図7】図5における領域内寸法測定箇所決定処理の一部として図6に続くフローチャート。
【図8】図5における領域内寸法測定箇所決定処理の一部として図7に続くフローチャート。
【図9】図6乃至図8の寸法測定箇所選定処理の内容全体を説明するために示す図。
【図10】本発明の第3の実施形態に係るフォトマスク上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法においてパターン幅の寸法測定箇所の位置、測定寸法、測定方向を確定するための測定情報を提供する処理を説明するために示す図。
【図11】本発明の第3の実施形態に係るフォトマスク上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法においてパターン間隔の寸法測定箇所を確定するための測定情報を提供する処理を説明するために示す図。
【図12】図10および図11に示した寸法測定情報生成方法によって出力される図形情報を説明するために示す図。
【図13】図10および図11に示した寸法測定情報生成方法において付加するパターンを作成するための具体例を示す図。
【図14】本発明の第4の実施形態の実施例1に係るフォトマスク上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法を説明するために示す図。
【図15】図14の処理において寸法測定箇所・寸法抽出用パターン1と処理後データ4との共有部の長さを抽出して処理後の寸法値を得る時、共有部の外側に処理後データ4が存在する側の辺と平行な方向を測定寸法3の方向と判断する様子を説明するために示す図。
【図16】本発明の第4の実施形態の実施例2に係るフォトマスク上のLSIパターンの寸法測定情報生成方法を説明するために示す図。
【図17】本発明の第5の実施形態に係る加工後ウェハ上のLSIパターンの寸法測定順序決定方法を説明するために示す図。
【図18】加工後ウェハ上のパターン寸法を測定する順序の従来例を説明するために示す図。
【符号の説明】
10…寸法測定箇所選定条件ファイル、
11…寸法測定箇所選定用DRCコマンド記述作成機能、
12…DRCコマンド記述ファイル、
13…LSIレイアウトパターンデータファイル、
14…DRC機能、
15…寸法測定箇所候補ファイル、
16…個数限定機能、
17…寸法測定箇所ファイル。
Claims (3)
- コンピュータ支援設計装置を使用してLSIのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のLSIチップ領域のパターンの寸法測定箇所候補を抽出し、その中から寸法測定箇所を選定処理する際に、
少なくとも、選定すべき寸法測定点数を得る手段と前記フォトマスクあるいは加工後ウェハのチップ領域を規定する矩形領域座標値を得る手段を使用し、
前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域をx方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第1のステップと、
前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域をy方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第2のステップとを具備し、
前記第1のステップおよび第2のステップにおいて、ある領域の寸法測定点数が1である場合に、その領域内の任意の寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定し、ある領域の寸法測定点数が2以上の場合にその領域およびその領域に割り振られた寸法測定点数に対して前記第2のステップあるいは第1のステップを適用することを特徴とするLSIパターンの寸法測定箇所選定方法。 - 前記任意の寸法測定箇所候補は、寸法測定点数が1である領域の中心点に最も近くに存在する寸法測定箇所候補であることを特徴とする請求項1記載のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法。
- 前記第1のステップおよび第2のステップにおいて、前記矩形領域座標値内に存在する寸法測定箇所候補の個数がその領域に割り当てられた寸法測定点数以下である場合は、その矩形領域内に存在するすべての寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定することを特徴とする請求項1または2記載のLSIパターンの寸法測定箇所選定方法。
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