JPH01292343A - ペリクル - Google Patents

ペリクル

Info

Publication number
JPH01292343A
JPH01292343A JP63122417A JP12241788A JPH01292343A JP H01292343 A JPH01292343 A JP H01292343A JP 63122417 A JP63122417 A JP 63122417A JP 12241788 A JP12241788 A JP 12241788A JP H01292343 A JPH01292343 A JP H01292343A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
substrate
frame part
frame
photomask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63122417A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Nishikata
西形 英治
Eiji Suzuki
英二 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63122417A priority Critical patent/JPH01292343A/ja
Publication of JPH01292343A publication Critical patent/JPH01292343A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体製造プロセスにおいて使用されるフォトマスクへ
の塵埃付着を防止するペリクルに関しフォトマスクへの
塵埃付着を防止するとともに、接着されるフォトマスク
の平面度を損なうことがなく、転写されたパターン精度
の劣化を防止しすることが可能なペクリルを提供するこ
とを目的とし、 透明薄膜よりなるペリクル膜を所定の空間を隔ててフォ
トマスク基板上に保持するペリクルフレームが、該ペリ
クル膜を略平面状に保持する上側フレーム部と、フォト
マスク基板に接着される下側フレーム部と、前記両フレ
ーム部の間に設けられ、前記下側フレーム部の変形を吸
収して前記上側フレーム部には伝達しない柔構造の中間
フレーム部とからなる構成である。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスにおいて使用されるフォ
トマスクへの塵埃付着を防止するペリクルに係り、特に
装着したマスク基板の平面度を損なわないペリクルに関
する。
〔従来の技術〕
ペリクルとは半導体製造プロセスにおけるフォトマスク
への塵埃付着を防止するためのものであり、第3図に示
されるようにペリクル膜3とペリクルフレーム12とか
らなっており、このペリクル膜3は薄い透明材料であり
、例えばサブミクロンから172 ミルの厚みのニトロ
セルローズやマイラなどからなる。
フレーム12は金属、たとえばアルミまたはアルミ合金
製で、内径120〜160mm、フレームの厚み2〜3
a+m、高さ4〜6mmの丸型または角型に形成された
枠状の部材で、上縁にペリクル膜3が張付けられ下縁1
2aに接着剤が塗布される。
そして使用に際しては、フォトマスク基板2の表面にそ
の下縁12aが接着剤で固着され、フォトマスク上に塵
埃の侵入不可能な密閉空間を形成してフォトマスクを清
浄に保つと共に、ペリクル膜3上に塵埃13が付着した
としても、デフォーカスとなり、露光されるウェハには
転写されることはない。このためにフレームは所定の高
さが必要である。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来のペリクルにおいては、ペリクル膜を支持しフ
ォトマスクに接着されるフレームが、アルミニュウムや
その合金などの硬い材質で所定軒高さが一体に形成され
ている。
ところが通常、このフレームは機械加工で製造されるた
め加工精度が低く、第4図(a)に示す如く、マスク基
板に接着される下縁12aの平面度δは50〜100μ
輪であり、フォトマスク基板の平面度1〜5μ−に比べ
て極めて悪い。
従って上記の如く剛性の大きい一体のフレームをフォト
マスク基板に接着すると、第4図(b)に示す如くマス
ク基板2がフレーム11の接着面に倣って変形し、フォ
トマスクの平面度が損なわれ、これによりウェハ上に露
光されたパターンの精度が劣化する。即ち平面度の良い
マスク基板上に正しく形成されたマスクパターンが平面
度数10μmに歪んだ状態で転写された場合、ウェハ上
に露光されたパターンの横すれが0,5μmにも達する
ことがあり、これはLSIなどの微細パターンでは許容
できない値である。
このように、フォトマスクの精度を向上させても、ウェ
ハ上に形成されたパターンの精度は向上できず、多重露
光の場合の重ね合わせ不良や、寸法不良が発生して製造
歩留りが低下するといった問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑み創出されたもので、フォトマ
スクへの塵埃付着を防止するとともに、接着されるフォ
トマスクの平面度を損なうことがなく、転写されたパタ
ーン精度の劣化を防止しすることが可能なフォトマスク
保護用ベクリルを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記の問題点は、 透明薄膜よりなるペリクル膜を所定の高さを隔ててフォ
トマスク基板上に保持するペリクルフレームが、 該ペリクル膜を略平面状に保持する上側フレーム部と、
フォトマスク基板に接着される下側フレーム部と、前記
両フレーム部の間に設けられ、前記下側フレーム部の変
形を吸収して前記上側フレーム部には伝達しない柔構造
の中間フレーム部とからなることをを特徴する本発明の
ペリクルにより解決される。
〔作用〕
フォトマスク基板に接着される下側フレーム部は剛性が
小いので、基板との接着面の平面度が悪くても基板に倣
って下面が平面になるように変形して接着される。そし
て中間フレーム部は柔軟な構造のため、上部フレームの
平面度が悪くてかつその剛性が高く、下側フレーム部と
の間の高さの変動をか生じても、中間フレーム部で吸収
されるれる。従って下側フレーム部はマスク基板の表面
に倣って自由に変形して全周が接着されるので、マスク
基板を歪ませることなくペリクルを装着でき、マスクパ
ターンをウェハ上に高精度で転写すること可能となる。
〔実施例〕
以下添付図により本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明のペリクルを示す斜視図、第2図は他の
実施例を示す断面図である。
本発明のペリクルは、ペリクル膜3を、下側フレーム部
41と中間フレーム部42と上側フレーム部43とが積
層されてなるペリクルフレーム4の上面に張りつけた構
造である。
ペリクル膜3はニトロセルローズやマイラ等の透明薄膜
で従来例と同じである。
下側フレーム部41は厚さが1mm程度のアルミニュウ
ム合金の枠部材で、マスク基板への接着代を確保するた
め幅を広くとっである。これは板厚方向(フレームの高
さ方向)の剛性が小さく平面度が多少悪くても、フォト
マスク基板に倣って全周で密着して接着できるようにな
っている。
中間フレーム部42は、例えば厚さ0 、05mm程度
のアルミニュウム合金薄板を高さが41程度のベローズ
状に形成したもので、高さ方向に対して柔軟な構造に形
成されている。
上側フレーム部43はその上面に張りイ1けられるペリ
クル膜3を略平面状に保持J−るに足る厚さ例えば1m
m程度のアルミニュウム合金よりなる枠部材である。
以上の3つのフレーム部を接着等で積層しペリクル膜3
が上側フレーム部43の上面に貼られて本発明のペリク
ルは完成する。
下部フレーム41は平坦でさえあれば、その平面度は余
り問題にしなくて良いため加工が容易である。
上記構造のペリクルフレーム4は側壁の高さの大部分が
、柔軟なベローズ構造となっているため高さ方向の変形
に対する剛性が、マスク基板の反り変形に対する剛性に
くらべて極めて小さいので、フレームの基板接着面41
aの平面度が悪くてもマスク基板に倣って接着され、従
来例の如くマスク基板を変形させることはない。
第2図は他の実施例を示すもので、幅広枠状の上側フレ
ーム部43゛  と下側フレーム部41゛ が薄肉の中
間フレーム部42′ で連結された形状を樹脂等で一体
にモールド成形してなるペリクルフレーム4゛を有する
もので、全体の剛性が小さいため同様な効果が得られる
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、フォトマスク基板に
装着した際に、基板の平面性を損なうことないペリクル
を提供することが可能となり、高精度パターンを有する
レチクルなどの高精度マスクパターンをウェハ上に転写
することができ、パターン精度や、重ね合わせ精度の向
上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のペリクルを示す一部切欠斜視図、 第2図は他の実施例を示す断面図、 第3図は従来のペリクルを示す図、 第4図は従来技術の問題点を示す模式図、である。 図においモ、 2−・フォトマスク基板、  3−・ペリクル膜、4.
4“−・−ペリクルフレーム・ 41.41’−−・下側フレーム部、 42、42’・−中間フレーム部1 、i3,43’・−・上側フレーム部、である。 佳− 本壽B月nベソクルを示マ一部り刀スー科a回他の聚施
g’1と示−twrt1口 窮2 起

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  透明薄膜よりなるペリクル膜(3)を所定の高さを隔
    ててフォトマスク基板(2)上に保持するペリクルフレ
    ーム(4)が、 該ペリクル膜(3)を略平面状に保持する上側フレーム
    部(43)と、前記フォトマスク基板(2)に接着され
    る下側フレーム部(41)と、前記両フレーム部(41
    、43)の間に設けられ、前記下側フレーム部(41)
    の変形を吸収して前記上側フレーム部(43)には伝達
    しない柔構造の中間フレーム部(42)と、からなるこ
    とを特徴とするペリクル。
JP63122417A 1988-05-19 1988-05-19 ペリクル Pending JPH01292343A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63122417A JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1988-05-19 ペリクル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63122417A JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1988-05-19 ペリクル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01292343A true JPH01292343A (ja) 1989-11-24

Family

ID=14835308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63122417A Pending JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1988-05-19 ペリクル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01292343A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009063740A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
JP2011007933A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2011007935A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2011007934A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
US8323855B2 (en) 2007-03-01 2012-12-04 Nikon Corporation Pellicle frame apparatus, mask, exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8323855B2 (en) 2007-03-01 2012-12-04 Nikon Corporation Pellicle frame apparatus, mask, exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2009063740A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011007935A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2011007934A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2011007933A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01292343A (ja) ペリクル
US7829248B2 (en) Pellicle stress relief
US7362417B2 (en) Pellicle frame and pellicle for photolithography using the same
TWI431415B (zh) 具有光罩及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的光罩單元與其製造方法。
KR102418136B1 (ko) 펠리클
TW505828B (en) Pellicle, method for producing the same, and photomask
US7968252B2 (en) Pellicle frame
JPH05335218A (ja) X線マスクとその製造方法、並びに該x線マスクを用いたデバイス製造方法とx線露光装置
JP2003222990A (ja) ペリクルのフォトマスクへの装着構造
JP2015001683A (ja) 高平坦リソグラフィ用ペリクル
JP4343775B2 (ja) ペリクルフレーム及びフォトリソグラフィー用ペリクル
JPH05267116A (ja) ウェハチャックの取り付け構造
JP3068398B2 (ja) レチクルの製造方法およびその製造装置
JPH0882918A (ja) ペリクル
JPH08114911A (ja) フォトマスク用ペリクル及びフォトマスク
JPH09319071A (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP2005062640A (ja) ペリクル付きフォトマスク
JPH1070066A (ja) X線マスク構造体、該x線マスク構造体を用いたx線露光方法、前記x線マスク構造体を用いたx線露光装置、前記x線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法及び該製造方法によって製造された半導体デバイス
JPH06260398A (ja) X線マスク構造体及びその製造方法、x線マスク構造体を用いたx線露光方法及びそのx線露光方法により製造される半導体デバイス
JPH07271017A (ja) フォトマスク用ペリクル枠
JP3278312B2 (ja) マスク、マスク支持方法、マスク支持機構、並びにこれを用いた露光装置やデバイス製造方法
JP3431039B2 (ja) 光学式エンコーダ
JPH06347999A (ja) 露光用マスク
JPS61241756A (ja) ホトマスク
JP2855045B2 (ja) ペリクル