JP3205468B2 - ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置 - Google Patents
ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置Info
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- JP3205468B2 JP3205468B2 JP17235594A JP17235594A JP3205468B2 JP 3205468 B2 JP3205468 B2 JP 3205468B2 JP 17235594 A JP17235594 A JP 17235594A JP 17235594 A JP17235594 A JP 17235594A JP 3205468 B2 JP3205468 B2 JP 3205468B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- outer peripheral
- wafer chuck
- peripheral wall
- wafer
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを吸着保
持するウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
に関し、特に、該ウエハチャックに保持された半導体ウ
エハの反り防止のための技術に関する。
持するウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
に関し、特に、該ウエハチャックに保持された半導体ウ
エハの反り防止のための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体ウエハ上にレジストを
塗布し、原盤であるレチクルなどに形成された１層分の
回路パターンを露光、現像することにより半導体ウエハ
上に所定のレジストパターンを形成する露光装置におい
ては、焦点距離が合っていないことに起因する解像不良
を防止して鮮鋭な回路パターンを形成するために、半導
体ウエハの平坦度が重要な問題となる。このため、平坦
度の良い半導体ウエハを用いて、これを平坦度の良いウ
エハチャックによって裏面から真空吸着することで平坦
な状態を実現し、これに対して露光処理が行われてい
る。
塗布し、原盤であるレチクルなどに形成された１層分の
回路パターンを露光、現像することにより半導体ウエハ
上に所定のレジストパターンを形成する露光装置におい
ては、焦点距離が合っていないことに起因する解像不良
を防止して鮮鋭な回路パターンを形成するために、半導
体ウエハの平坦度が重要な問題となる。このため、平坦
度の良い半導体ウエハを用いて、これを平坦度の良いウ
エハチャックによって裏面から真空吸着することで平坦
な状態を実現し、これに対して露光処理が行われてい
る。
【０００３】このような、露光装置を詳しく記載してい
る例としては、たとえば、工業調査会発行、「１９９３
年度版 超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック」（平成
４年１１月２０日発行）Ｐ１０９〜Ｐ１１４などがあ
る。また、ウエハチャックないし露光技術については、
たとえば、特開昭６３−２３９６３８号および特開昭５
３−７３０７９号各公報や、米国特許第４，２１３，６
９８号に開示されている。しかし、これらの文献には、
外周壁に空気取り込み溝を設けた技術は開示されていな
い。
る例としては、たとえば、工業調査会発行、「１９９３
年度版 超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック」（平成
４年１１月２０日発行）Ｐ１０９〜Ｐ１１４などがあ
る。また、ウエハチャックないし露光技術については、
たとえば、特開昭６３−２３９６３８号および特開昭５
３−７３０７９号各公報や、米国特許第４，２１３，６
９８号に開示されている。しかし、これらの文献には、
外周壁に空気取り込み溝を設けた技術は開示されていな
い。
【０００４】ここで、露光装置など半導体ウエハの平坦
度が問題となるケースにおけるウエハチャックを図７に
示す。本発明者等によって検討されたこのウエハチャッ
ク３１は、外周壁３２に囲まれた吸引室３３内に、半導
体ウエハ４１を支持する複数本の支持ピン３５が設けら
れたものである。そして、半導体ウエハ４１の外周部が
ウエハチャック３１の外周壁３２を覆うようにして載置
され、吸引孔３６に接続された真空ポンプなどによって
吸引室３３内の空気を引いて負圧にし、半導体ウエハ４
１を支持ピン３５および外周壁３２の上面に密着させて
平坦な状態に吸着保持しようとするものである。
度が問題となるケースにおけるウエハチャックを図７に
示す。本発明者等によって検討されたこのウエハチャッ
ク３１は、外周壁３２に囲まれた吸引室３３内に、半導
体ウエハ４１を支持する複数本の支持ピン３５が設けら
れたものである。そして、半導体ウエハ４１の外周部が
ウエハチャック３１の外周壁３２を覆うようにして載置
され、吸引孔３６に接続された真空ポンプなどによって
吸引室３３内の空気を引いて負圧にし、半導体ウエハ４
１を支持ピン３５および外周壁３２の上面に密着させて
平坦な状態に吸着保持しようとするものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなウ
エハチャック３１では、真空ポンプなどによる吸引力が
半導体ウエハ４１の内平面に対して作用する一方、外周
部に対してはこれが作用しないので、いくら平坦度の良
好なウエハチャック３１と半導体ウエハ４１とを使用し
ても、図示するように外周部において反りが発生するこ
とになる。
エハチャック３１では、真空ポンプなどによる吸引力が
半導体ウエハ４１の内平面に対して作用する一方、外周
部に対してはこれが作用しないので、いくら平坦度の良
好なウエハチャック３１と半導体ウエハ４１とを使用し
ても、図示するように外周部において反りが発生するこ
とになる。
【０００６】そして、このような半導体ウエハ４１の反
りは焦点距離を狂わせ、転写された回路パターンの解像
不良を引き起こし、歩留まり低下の原因となる。特に、
半導体ウエハ４１の大口径化、半導体チップの縮小化の
傾向が著しい今日においては、外周部における解像不良
に起因する歩留まりの低下は、一層大きな問題としてク
ローズアップされてきている。
りは焦点距離を狂わせ、転写された回路パターンの解像
不良を引き起こし、歩留まり低下の原因となる。特に、
半導体ウエハ４１の大口径化、半導体チップの縮小化の
傾向が著しい今日においては、外周部における解像不良
に起因する歩留まりの低下は、一層大きな問題としてク
ローズアップされてきている。
【０００７】そこで、本発明の目的は、ウエハチャック
に吸着保持された半導体ウエハの反りを防止することの
できる技術を提供することにある。
に吸着保持された半導体ウエハの反りを防止することの
できる技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明によるウエハチャックを
備えた処理装置は、外周壁に囲まれた吸引室を負圧にす
ることによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平
坦に吸着保持するものであって、外周壁の上面に吸気溝
が形成され、外部の気体が吸気溝から吸引室内に吸引さ
れることを特徴とするものである。この場合、前記した
吸気溝は、外周壁の上面に所定の間隔で複数箇所にわた
って形成することができる。
備えた処理装置は、外周壁に囲まれた吸引室を負圧にす
ることによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平
坦に吸着保持するものであって、外周壁の上面に吸気溝
が形成され、外部の気体が吸気溝から吸引室内に吸引さ
れることを特徴とするものである。この場合、前記した
吸気溝は、外周壁の上面に所定の間隔で複数箇所にわた
って形成することができる。
【００１１】また、本発明によるウエハチャックを備え
た処理装置は、外周壁に囲まれた吸引室を負圧にするこ
とによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に
吸着保持するものであって、外周壁が支持ピンより低く
形成され、外部の気体が半導体ウエハと外周壁の上面と
の間から吸引室内に吸引されることを特徴とするもので
ある。
た処理装置は、外周壁に囲まれた吸引室を負圧にするこ
とによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に
吸着保持するものであって、外周壁が支持ピンより低く
形成され、外部の気体が半導体ウエハと外周壁の上面と
の間から吸引室内に吸引されることを特徴とするもので
ある。
【００１２】そして、本発明による露光装置は、前記し
たウエハチャックのいずれかを用いて構成されることを
特徴とするものである。
たウエハチャックのいずれかを用いて構成されることを
特徴とするものである。
【００１３】
【作用】上記のような構成のウエハチャックを備えた処
理装置によれば、吸気溝または半導体ウエハと外周壁上
面との空間によって外部からの気体が半導体ウエハの裏
面に沿って吸引室に吸入されることによりベンチュリー
効果が発生するので、半導体ウエハの外周部に反りを防
止しようとする方向の力が作用することになる。したが
って、半導体ウエハは平坦な状態に吸着保持される。
理装置によれば、吸気溝または半導体ウエハと外周壁上
面との空間によって外部からの気体が半導体ウエハの裏
面に沿って吸引室に吸入されることによりベンチュリー
効果が発生するので、半導体ウエハの外周部に反りを防
止しようとする方向の力が作用することになる。したが
って、半導体ウエハは平坦な状態に吸着保持される。
【００１４】よって、このようなウエハチャックが用い
られた露光装置によれば、保持された半導体ウエハの外
周部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態
になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回
路パターンを半導体ウエハに転写することが可能にな
る。
られた露光装置によれば、保持された半導体ウエハの外
周部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態
になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回
路パターンを半導体ウエハに転写することが可能にな
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１６】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
るウエハチャックが用いられた露光装置を示す概略図、
図２はそのウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視
図、図３は図２のウエハチャックの平面図、図４は図３
のIV−IV線に沿う断面図である。
るウエハチャックが用いられた露光装置を示す概略図、
図２はそのウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視
図、図３は図２のウエハチャックの平面図、図４は図３
のIV−IV線に沿う断面図である。
【００１７】図１に示すように、本実施例によるウエハ
チャック１が用いられた露光装置は、露光光源としてた
とえばＨｇランプ２が用いられている。このＨｇランプ
２からのｇ線（光）３は楕円ミラー４により収束されて
リフレクタ５で屈折され、インテグレータ６に入射され
るようになっている。インテグレータ６で所定の面域に
おける照度が均一化されたｇ線３は、再びリフレクタ７
によって屈折されてコンデンサレンズ８で凝縮される。
このような照明系を経た後、ｇ線３はレチクル９に形成
された回路パターンを取り込んで縮小レンズ１０によっ
て縮小され、最後にウエハチャック１に保持された半導
体ウエハ１１上に投影される。これによってレジストが
塗布された半導体ウエハ１１上にレチクル９の回路パタ
ーンが転写されることになる。
チャック１が用いられた露光装置は、露光光源としてた
とえばＨｇランプ２が用いられている。このＨｇランプ
２からのｇ線（光）３は楕円ミラー４により収束されて
リフレクタ５で屈折され、インテグレータ６に入射され
るようになっている。インテグレータ６で所定の面域に
おける照度が均一化されたｇ線３は、再びリフレクタ７
によって屈折されてコンデンサレンズ８で凝縮される。
このような照明系を経た後、ｇ線３はレチクル９に形成
された回路パターンを取り込んで縮小レンズ１０によっ
て縮小され、最後にウエハチャック１に保持された半導
体ウエハ１１上に投影される。これによってレジストが
塗布された半導体ウエハ１１上にレチクル９の回路パタ
ーンが転写されることになる。
【００１８】ここで、図２に示すように、経時変化や熱
膨張による変形を防止するためにたとえばセラミックに
より形成され、半導体ウエハ１１を保持するウエハチャ
ック１は、外周壁１２に囲まれた吸引室１３がチャック
本体１４に形成されているものである。図３に示すよう
に、外周壁１２は半導体ウエハ１１よりもやや小さく形
成されて、半導体ウエハ１１の裏面に回り込むように塗
布されたレジスト液の付着が防止されている。
膨張による変形を防止するためにたとえばセラミックに
より形成され、半導体ウエハ１１を保持するウエハチャ
ック１は、外周壁１２に囲まれた吸引室１３がチャック
本体１４に形成されているものである。図３に示すよう
に、外周壁１２は半導体ウエハ１１よりもやや小さく形
成されて、半導体ウエハ１１の裏面に回り込むように塗
布されたレジスト液の付着が防止されている。
【００１９】外周壁１２の上面の４箇所には、所定の間
隔をおいて吸気溝１２ａが形成され、載置された半導体
ウエハ１１の裏面と外周壁１２の上面との間に微小な空
間が形成されるようになっている。よって、半導体ウエ
ハ１１が載置された状態でも、吸引室１３は外部とはこ
の吸気溝１２ａを介して連通されていることになる。
隔をおいて吸気溝１２ａが形成され、載置された半導体
ウエハ１１の裏面と外周壁１２の上面との間に微小な空
間が形成されるようになっている。よって、半導体ウエ
ハ１１が載置された状態でも、吸引室１３は外部とはこ
の吸気溝１２ａを介して連通されていることになる。
【００２０】吸引室１３内には半導体ウエハ１１を裏面
から支持する複数本の支持ピン１５が設けられている。
この支持ピン１５は外周壁１２と同一の高さとされてお
り、支持ピン１５および外周壁１２によって半導体ウエ
ハ１１が裏面から支持されるようになっている。
から支持する複数本の支持ピン１５が設けられている。
この支持ピン１５は外周壁１２と同一の高さとされてお
り、支持ピン１５および外周壁１２によって半導体ウエ
ハ１１が裏面から支持されるようになっている。
【００２１】吸引室１３からチャック本体１４の側面に
貫通して、真空ポンプ（図示せず）などの真空源に接続
された吸引孔１６（図４）が開設されている。したがっ
て、真空引きして吸引室１３を負圧にすることによっ
て、支持された半導体ウエハ１１がウエハチャック１に
吸着保持される。
貫通して、真空ポンプ（図示せず）などの真空源に接続
された吸引孔１６（図４）が開設されている。したがっ
て、真空引きして吸引室１３を負圧にすることによっ
て、支持された半導体ウエハ１１がウエハチャック１に
吸着保持される。
【００２２】このようなウエハチャック１により半導体
ウエハ１１を吸着した状態を示しているのが図４であ
る。
ウエハ１１を吸着した状態を示しているのが図４であ
る。
【００２３】図示するように、半導体ウエハ１１に覆わ
れた吸引室１３を真空ポンプにより真空引きすると、吸
引室１３と外部との圧力差により半導体ウエハ１１の裏
面が支持ピン１５に密着される。また、これと同時に、
外周壁１２の上面に形成された吸気溝１２ａから半導体
ウエハ１１の裏面に沿って外部の気体が高速で吸引室１
３内に吸引される。
れた吸引室１３を真空ポンプにより真空引きすると、吸
引室１３と外部との圧力差により半導体ウエハ１１の裏
面が支持ピン１５に密着される。また、これと同時に、
外周壁１２の上面に形成された吸気溝１２ａから半導体
ウエハ１１の裏面に沿って外部の気体が高速で吸引室１
３内に吸引される。
【００２４】このように、半導体ウエハ１１の裏面に沿
って気体が流れることにより、内平面が支持ピン１５に
密着されることによって反ろうとする半導体ウエハ１１
の外周部には、ベンチュリー効果によってこれを阻止し
ようとする力Ｆが発生する。したがって、半導体ウエハ
１１の外周部は、支持ピン１５と同一の高さにされた外
周壁１２に密着されて平坦な状態に保持されることにな
る。
って気体が流れることにより、内平面が支持ピン１５に
密着されることによって反ろうとする半導体ウエハ１１
の外周部には、ベンチュリー効果によってこれを阻止し
ようとする力Ｆが発生する。したがって、半導体ウエハ
１１の外周部は、支持ピン１５と同一の高さにされた外
周壁１２に密着されて平坦な状態に保持されることにな
る。
【００２５】よって、本実施例に示すウエハチャック１
によれば、保持された半導体ウエハ１１の外周部におけ
る反りの発生が防止されて完全に平坦な状態になるの
で、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回路パター
ンを半導体ウエハ１１に転写することが可能になる。こ
れにより、半導体ウエハ１１の外周部領域においても良
品の半導体チップを得ることができ、歩留まりの向上を
図ることが可能になる。
によれば、保持された半導体ウエハ１１の外周部におけ
る反りの発生が防止されて完全に平坦な状態になるの
で、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回路パター
ンを半導体ウエハ１１に転写することが可能になる。こ
れにより、半導体ウエハ１１の外周部領域においても良
品の半導体チップを得ることができ、歩留まりの向上を
図ることが可能になる。
【００２６】（実施例２）図５は本発明の他の実施例に
よるウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視図、図
６はそのウエハチャックによる半導体ウエハの吸着保持
状態を示す断面図である。
よるウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視図、図
６はそのウエハチャックによる半導体ウエハの吸着保持
状態を示す断面図である。
【００２７】本実施例のウエハチャック２１は、外周壁
２２が支持ピン１５よりも僅かに低く形成されたもので
あり、この点において、外周壁の上面に吸気溝が形成さ
れた実施例１のウエハチャックと相違している。なお、
その他の点においては前記実施例１に開示されたウエハ
チャックと同様であり、従って、同一の部材には同一の
符号を付して説明する。
２２が支持ピン１５よりも僅かに低く形成されたもので
あり、この点において、外周壁の上面に吸気溝が形成さ
れた実施例１のウエハチャックと相違している。なお、
その他の点においては前記実施例１に開示されたウエハ
チャックと同様であり、従って、同一の部材には同一の
符号を付して説明する。
【００２８】図６に示すように、本実施例によるウエハ
チャック２１によれば、載置された半導体ウエハ１１は
支持ピン１５によってのみ支持され、外周壁２２の上面
と半導体ウエハ１１との間には微小な空間が形成される
ことになる。
チャック２１によれば、載置された半導体ウエハ１１は
支持ピン１５によってのみ支持され、外周壁２２の上面
と半導体ウエハ１１との間には微小な空間が形成される
ことになる。
【００２９】したがって、吸引室１３を真空引きする
と、この吸引室１３と外部との圧力差により半導体ウエ
ハ１１の裏面が支持ピン１５に密着されると同時に、外
周壁２２の上面と半導体ウエハ１１とで形成された空間
から外部の気体が高速で吸引室１３内に吸引されるよう
になる。よって、半導体ウエハ１１の裏面に沿って気体
が流れるベンチュリー効果が発生し、半導体ウエハ１１
の外周部には反りを阻止しようとする力Ｆが作用してこ
れが平坦な状態に保持されることになる。
と、この吸引室１３と外部との圧力差により半導体ウエ
ハ１１の裏面が支持ピン１５に密着されると同時に、外
周壁２２の上面と半導体ウエハ１１とで形成された空間
から外部の気体が高速で吸引室１３内に吸引されるよう
になる。よって、半導体ウエハ１１の裏面に沿って気体
が流れるベンチュリー効果が発生し、半導体ウエハ１１
の外周部には反りを阻止しようとする力Ｆが作用してこ
れが平坦な状態に保持されることになる。
【００３０】このように、本実施例に示すウエハチャッ
ク２１によっても、保持された半導体ウエハ１１の外周
部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態に
保持されるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度
の回路パターンを半導体ウエハ１１に転写することが可
能になる。
ク２１によっても、保持された半導体ウエハ１１の外周
部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態に
保持されるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度
の回路パターンを半導体ウエハ１１に転写することが可
能になる。
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３２】たとえば、吸気溝１２ａは前記実施例１に
示すように所定の間隔で４箇所に形成されたものには限
定されない。したがって、必要な数（すなわち、１また
は複数箇所）だけ設けることができ、また、必ずしも規
則正しい間隔を開けて形成する必要もない。溝形状につ
いても本実施例以外の任意の形状とすることが可能であ
る。
示すように所定の間隔で４箇所に形成されたものには限
定されない。したがって、必要な数（すなわち、１また
は複数箇所）だけ設けることができ、また、必ずしも規
則正しい間隔を開けて形成する必要もない。溝形状につ
いても本実施例以外の任意の形状とすることが可能であ
る。
【００３３】そして、以上の説明では、主として本発明
者によってなされた発明をその背景となった利用分野で
ある光露光装置について説明したが、それに限定される
ものではなく、電子ビーム露光装置などのような他の種
々の露光装置、さらにはこれら露光装置にとどまらず半
導体ウエハを平坦な状態に保持する必要のある他の種々
の半導体製造装置や半導体検査装置に適用することが可
能である。
者によってなされた発明をその背景となった利用分野で
ある光露光装置について説明したが、それに限定される
ものではなく、電子ビーム露光装置などのような他の種
々の露光装置、さらにはこれら露光装置にとどまらず半
導体ウエハを平坦な状態に保持する必要のある他の種々
の半導体製造装置や半導体検査装置に適用することが可
能である。
【００３４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
【００３５】(1).すなわち、本発明のウエハチャックを
備えた処理装置によれば、吸気溝または半導体ウエハと
外周壁上面との空間によって外部からの気体が半導体ウ
エハの裏面に沿って吸引室に吸入されることによりベン
チュリー効果が発生するので、半導体ウエハの外周部に
反りを防止しようとする方向の力が作用することにな
る。したがって、半導体ウエハは平坦な状態に吸着保持
される。
備えた処理装置によれば、吸気溝または半導体ウエハと
外周壁上面との空間によって外部からの気体が半導体ウ
エハの裏面に沿って吸引室に吸入されることによりベン
チュリー効果が発生するので、半導体ウエハの外周部に
反りを防止しようとする方向の力が作用することにな
る。したがって、半導体ウエハは平坦な状態に吸着保持
される。
【００３６】(2).よって、本発明によるウエハチャック
が用いられた露光装置によれば、保持された半導体ウエ
ハの外周部における反りの発生が防止されて完全に平坦
な状態になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像
度の回路パターンを半導体ウエハに転写することが可能
になる。
が用いられた露光装置によれば、保持された半導体ウエ
ハの外周部における反りの発生が防止されて完全に平坦
な状態になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像
度の回路パターンを半導体ウエハに転写することが可能
になる。
【００３７】(3).前記した(2) により、半導体ウエハの
外周部領域においても良品の半導体チップを得ることが
でき、歩留まりの向上を図ることが可能になる。
外周部領域においても良品の半導体チップを得ることが
でき、歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【図１】本発明の実施例１によるウエハチャックが用い
られた露光装置を示す概略図である。
られた露光装置を示す概略図である。
【図２】そのウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜
視図である。
視図である。
【図３】図２のウエハチャックの平面図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】本発明の実施例２によるウエハチャックと半導
体ウエハとを示す斜視図である。
体ウエハとを示す斜視図である。
【図６】そのウエハチャックによる半導体ウエハの吸着
保持状態を示す断面図である。
保持状態を示す断面図である。
【図７】本発明者等の検討によるウエハチャックを示す
断面図である。
断面図である。
１ ウエハチャック ２ Ｈｇランプ ３ ｇ線（光） ４ 楕円ミラー ５ リフレクタ ６ インテグレータ ７ リフレクタ ８ コンデンサレンズ ９ レチクル １０ 縮小レンズ １１ 半導体ウエハ １２ 外周壁 １２ａ 吸気溝 １３ 吸引室 １４ チャック本体 １５ 支持ピン １６ 吸引孔 ２１ ウエハチャック ２２ 外周壁 ３１ ウエハチャック ３２ 外周壁 ３３ 吸引室 ３５ 支持ピン ３６ 吸引孔 ４１ 半導体ウエハ Ｆ 力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−163848（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 外周壁に囲まれた吸引室を負圧にするこ
とによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に
吸着保持するウエハチャックであって、前記外周壁の上
面に吸気溝が形成され、外部の気体が前記吸気溝から前
記吸引室内に吸引されることを特徴とするウエハチャッ
クを備えた処理装置。 - 【請求項２】 前記吸気溝は、前記外周壁の上面に所定
の間隔で複数箇所にわたって形成されていることを特徴
とする請求項１記載のウエハチャックを備えた処理装
置。 - 【請求項３】 外周壁に囲まれた吸引室を負圧にするこ
とによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に
吸着保持するウエハチャックであって、前記外周壁が前
記支持ピンより低く形成され、外部の気体が前記半導体
ウエハと前記外周壁の上面との間から前記吸引室内に吸
引されることを特徴とするウエハチャックを備えた処理
装置。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載のウエハチャ
ックを備えたことを特徴とする露光装置。
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ID=15940371
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