JPS61251025A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS61251025A JPS61251025A JP60090892A JP9089285A JPS61251025A JP S61251025 A JPS61251025 A JP S61251025A JP 60090892 A JP60090892 A JP 60090892A JP 9089285 A JP9089285 A JP 9089285A JP S61251025 A JPS61251025 A JP S61251025A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば半導
体回路を焼付ける露光装置に関し、特に大画面を分割焼
きする分割走査(ステップアンドスキ・ヤン)形として
好適な投影露光装置に関する。
体回路を焼付ける露光装置に関し、特に大画面を分割焼
きする分割走査(ステップアンドスキ・ヤン)形として
好適な投影露光装置に関する。
[従来の技術の説明]
ミラープロジェクション方式の半導体焼付装置において
は、マスクと基板(またはウェハ)をキャリフジ上に乗
せこれを露光面上にスキャン移動させることにより画面
全体を露光している。
は、マスクと基板(またはウェハ)をキャリフジ上に乗
せこれを露光面上にスキャン移動させることにより画面
全体を露光している。
しかし、最近の傾向として、チップコストの低減を目的
としたウェハの大口径化や液晶TV用等の大型の液晶表
示板の製造のため、画面が大型化してくると、露光範囲
を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければならない
ことにより装置が大型化してくるという問題があった。
としたウェハの大口径化や液晶TV用等の大型の液晶表
示板の製造のため、画面が大型化してくると、露光範囲
を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければならない
ことにより装置が大型化してくるという問題があった。
この対策として、画面を分割してスキャン焼きを複数回
に分けて行なうステップアンドスキャン焼方式が考えら
れている。
に分けて行なうステップアンドスキャン焼方式が考えら
れている。
第2図は、このようなステップアンドスキャン形の露光
装置として本発明者等が先に提案したものの構成を示す
。同図において、1は焼付パターンが形成されているフ
ォトマスク、2はマスク1を搭載してX、Y、θ方向に
移動可能なマスクステージである。3は液晶表示板を製
造するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオ
ン・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが
通常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基
板で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。4
は基板3を保持してX、Y、θ方向に移動可能な基板ス
テージである。5は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる
周知のミラー投影系で、マスクステージ2によって所定
位置にアライメントされたマスク1のパターン像を基板
3上へ等倍投影する。6は不図示の光源からの特定の波
長の光で露光位置にあるマスク1を照明する照明光学系
で、マスク上のパターンを介して基板3上の感光層を露
光することにより、マスク上のパターンを基板3に転写
可能とするためのものである。なお、投影系5の光軸は
照明系6の光軸と一致させである。
装置として本発明者等が先に提案したものの構成を示す
。同図において、1は焼付パターンが形成されているフ
ォトマスク、2はマスク1を搭載してX、Y、θ方向に
移動可能なマスクステージである。3は液晶表示板を製
造するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオ
ン・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが
通常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基
板で、対角線の長さが14インチ程度の方形である。4
は基板3を保持してX、Y、θ方向に移動可能な基板ス
テージである。5は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる
周知のミラー投影系で、マスクステージ2によって所定
位置にアライメントされたマスク1のパターン像を基板
3上へ等倍投影する。6は不図示の光源からの特定の波
長の光で露光位置にあるマスク1を照明する照明光学系
で、マスク上のパターンを介して基板3上の感光層を露
光することにより、マスク上のパターンを基板3に転写
可能とするためのものである。なお、投影系5の光軸は
照明系6の光軸と一致させである。
7はY方向(紙面に垂直な方向)に設けられた2つのガ
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向)、Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
イドレール8に沿って移動可能なLAB(リニアエアベ
アリング)で、一方はX方向(紙面の左右方向)、Z方
向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方はZ方向拘束タ
イプである。9はマスクステージ2と基板ステージ4を
一定の関係で保持するホルダ(キャリッジ)で、LAB
7に支持されることによりマスクステージ2上のマスク
1と基板ステージ4上の基板3とを一体的に移送可能と
している。
11はマスク搬送装置で、複数のマスク1がセットされ
ており、所望のマスクをホルダ9の移送によって基板3
が分割露光されるごとにマスクステージ2に搬送する。
ており、所望のマスクをホルダ9の移送によって基板3
が分割露光されるごとにマスクステージ2に搬送する。
12は投影系5のピント面と基板3の表面との間隔を検
出するためのギャップセンサで、例えばエアマイクロセ
ンサや、基板3からの反射光で間隔を検出する光電タイ
プのセンサである。13は投影系5、照明系6およびガ
イドレール8を一定の関係で取付けるための基台である
。
出するためのギャップセンサで、例えばエアマイクロセ
ンサや、基板3からの反射光で間隔を検出する光電タイ
プのセンサである。13は投影系5、照明系6およびガ
イドレール8を一定の関係で取付けるための基台である
。
ところで、同図の装置は、基板3をステップ移動させる
だめの基板ステージ4や、基板3上の各焼付対象部分に
対応してマスク1を交換するためのマスク搬送装置11
およびマスクステージ2等をキャリッジ9に搭載してい
るが、この場合、基板ステージ4だけでも例えば40K
l)程度と比較的重く、キャリッジ9をエアで浮上させ
ているLAB7への負荷が大きくなり、平滑な走査が困
難になる。さらに、キャリッジは軽量化の要請から柔構
造となり勝ちであり、キャリッジ9が基板ステージ4等
の重量によって変形し、マスク1および基板3とミラー
投影系5との距離が変化してデフォーカスしたり、基板
3をステップ送りするため基板ステージ4を移動すると
マスク1の位置決め基準と基板3の位置決め基準との相
対ずれが発生して分割焼きした各バタニン間に段差や重
なりや逆に隙間が生じるという不都合があった。
だめの基板ステージ4や、基板3上の各焼付対象部分に
対応してマスク1を交換するためのマスク搬送装置11
およびマスクステージ2等をキャリッジ9に搭載してい
るが、この場合、基板ステージ4だけでも例えば40K
l)程度と比較的重く、キャリッジ9をエアで浮上させ
ているLAB7への負荷が大きくなり、平滑な走査が困
難になる。さらに、キャリッジは軽量化の要請から柔構
造となり勝ちであり、キャリッジ9が基板ステージ4等
の重量によって変形し、マスク1および基板3とミラー
投影系5との距離が変化してデフォーカスしたり、基板
3をステップ送りするため基板ステージ4を移動すると
マスク1の位置決め基準と基板3の位置決め基準との相
対ずれが発生して分割焼きした各バタニン間に段差や重
なりや逆に隙間が生じるという不都合があった。
[発明の目的]
本発明は、前述の問題点に鑑みてなされたもので、構造
のより簡略なステップアンドスキャン形露光装置を提供
することを第1の目的とする。また、走査時の可動部の
重量を減少させてより平滑な走査を可能にすることを第
2の目的とする。さらに、解像度や焼付精度を高レベル
に保つことを第3の目的とする。
のより簡略なステップアンドスキャン形露光装置を提供
することを第1の目的とする。また、走査時の可動部の
重量を減少させてより平滑な走査を可能にすることを第
2の目的とする。さらに、解像度や焼付精度を高レベル
に保つことを第3の目的とする。
[実施例の説明]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
なお、従来例と共通または対応する部分については同一
の符号で表わす。
の符号で表わす。
第1図は、本発明の一実施例に係るミラープロジェクシ
ョン露光装置の構成を示す。同図は、第2図が装置のx
7平面による断面を示すのに対し、YZ平面による断面
を示したものである。但し、Y方向を焼付は時の走査方
向、Z方向を鉛直方向とする。
ョン露光装置の構成を示す。同図は、第2図が装置のx
7平面による断面を示すのに対し、YZ平面による断面
を示したものである。但し、Y方向を焼付は時の走査方
向、Z方向を鉛直方向とする。
第1図の装置は、第2図のものに対し、ホルダ9を基台
13に固定し、かつマスクステージ2および基板ステー
ジ4のY方向のストロークをマスク1および基板3を投
影光学系5に対して走査し得る程度に延長するとともに
、走査時、これらのマスクステージ2および基板ステー
ジ4のY・方向への移動量を同期制御する制御回路15
を付加したものである。第1図において、16および1
7はそれぞれマスクステージ2および基板ステージ4を
Y方向に移動させるためのパルスモータ、18および1
9はそれぞれ各ステージ2.4すなわちマスク1および
基板3の位置をモニタするための測長器例えばレーザ干
渉計である。また、51.52.53は、それぞれ、投
影光学系5を構成する台形ミラー、凸面ミラーおよび凹
面ミラーである。
13に固定し、かつマスクステージ2および基板ステー
ジ4のY方向のストロークをマスク1および基板3を投
影光学系5に対して走査し得る程度に延長するとともに
、走査時、これらのマスクステージ2および基板ステー
ジ4のY・方向への移動量を同期制御する制御回路15
を付加したものである。第1図において、16および1
7はそれぞれマスクステージ2および基板ステージ4を
Y方向に移動させるためのパルスモータ、18および1
9はそれぞれ各ステージ2.4すなわちマスク1および
基板3の位置をモニタするための測長器例えばレーザ干
渉計である。また、51.52.53は、それぞれ、投
影光学系5を構成する台形ミラー、凸面ミラーおよび凹
面ミラーである。
上記構成において、制御回路15は、走査露光時、レー
ザ干渉計18および19からのステージ位置情報を基に
パルスモータ16および17への駆動パルスのパルス数
および周期を制御することにより、ステージ2および4
を互いに同期して移動させる。この制御の方法としては
、例えばモータ16を一定周期のパルスで駆動してマス
クステージ2を定速走行させ、レーザ干渉計18および
19で計測されるステージ2および4の位置に応じた駆
動パルスをモータ17に供給して基板ステージ4を移動
すればよい。
ザ干渉計18および19からのステージ位置情報を基に
パルスモータ16および17への駆動パルスのパルス数
および周期を制御することにより、ステージ2および4
を互いに同期して移動させる。この制御の方法としては
、例えばモータ16を一定周期のパルスで駆動してマス
クステージ2を定速走行させ、レーザ干渉計18および
19で計測されるステージ2および4の位置に応じた駆
動パルスをモータ17に供給して基板ステージ4を移動
すればよい。
この場合、各ステージ2および4の移動速度は、必ずし
も同一である必要はなく、適当な速度比を持たせてもよ
い。例えばレーザ干渉計18および19の出力波長を異
ならせるだけでも上記ステージ2゜4を異なる速度(速
度比?1)で走゛査することができる。また、より積極
的に上記制御回路15に上記速度比の可変手段を設け、
上記ステージ2,4を図示しないコンソールキーボード
等からの指令に基づく速度比で駆動するようにしてもよ
い。このようにマスク1と基板3の走査速度を異ならせ
た場合、基板3の速度をマスク1の速度より遅くすると
基板3上にはマスク像が走行方向(Y方向)に縮小され
て転写される。また、基板3の速度の方を速くすると基
板3上にはマスク像がY方向に拡大されて転写される。
も同一である必要はなく、適当な速度比を持たせてもよ
い。例えばレーザ干渉計18および19の出力波長を異
ならせるだけでも上記ステージ2゜4を異なる速度(速
度比?1)で走゛査することができる。また、より積極
的に上記制御回路15に上記速度比の可変手段を設け、
上記ステージ2,4を図示しないコンソールキーボード
等からの指令に基づく速度比で駆動するようにしてもよ
い。このようにマスク1と基板3の走査速度を異ならせ
た場合、基板3の速度をマスク1の速度より遅くすると
基板3上にはマスク像が走行方向(Y方向)に縮小され
て転写される。また、基板3の速度の方を速くすると基
板3上にはマスク像がY方向に拡大されて転写される。
すなわち、走査形の露光装置に1軸(Y)方向のみでは
あるが、拡大・縮小機能を持たせることができる。そし
て、この機能、特に拡大機能を活用すれば、例えば現在
、マスクサイズの点から縦(Y)・横(X)に4分割し
てステップアンドスキャンしていたものが、縦方向を2
倍に拡大(基板速度/マスク速度=2)することにより
同一サイズのマスクで縦方向の2分割のみで足りること
となり、基板のステップ移動およびマスク交換の回数を
減少して装置のスルーブツトを向上させることができる
他、マスク制作の手間も4枚を2枚分に減らすことがで
きる。
あるが、拡大・縮小機能を持たせることができる。そし
て、この機能、特に拡大機能を活用すれば、例えば現在
、マスクサイズの点から縦(Y)・横(X)に4分割し
てステップアンドスキャンしていたものが、縦方向を2
倍に拡大(基板速度/マスク速度=2)することにより
同一サイズのマスクで縦方向の2分割のみで足りること
となり、基板のステップ移動およびマスク交換の回数を
減少して装置のスルーブツトを向上させることができる
他、マスク制作の手間も4枚を2枚分に減らすことがで
きる。
[発明の応用例]
なお、上述の実施例においては、マスクステージ2と基
板ステージ4とを電気的に同期制御しているが、例えば
1つのモータの動力を歯車1.チェーン、ベルト、ロッ
ド、クランク、梃等の機械部品を介して各ステージ2,
4に伝達することにより、これらのステージ2.4を等
速または異なる速度で同期的に走査さ一往ることも可能
である。
板ステージ4とを電気的に同期制御しているが、例えば
1つのモータの動力を歯車1.チェーン、ベルト、ロッ
ド、クランク、梃等の機械部品を介して各ステージ2,
4に伝達することにより、これらのステージ2.4を等
速または異なる速度で同期的に走査さ一往ることも可能
である。
[発明の効果]
以上のように、本発明によると、マスクおよび基板ステ
ージを保持するためのホルダ(キャリッジ)を走行させ
る必要がないため、キャリッジを浮上させるためのLA
Bが不要になるとともに、マスクおよび基板を走行させ
るためのステージやモータならびに制御回路、さらにマ
スクおよび基板の位置を検出するための測長器等は、本
来マスクおよび基板の位置合せ等のために必要なものを
そのまま、または多少変形して用いることができるため
、装置の構成を簡略化することができる。
ージを保持するためのホルダ(キャリッジ)を走行させ
る必要がないため、キャリッジを浮上させるためのLA
Bが不要になるとともに、マスクおよび基板を走行させ
るためのステージやモータならびに制御回路、さらにマ
スクおよび基板の位置を検出するための測長器等は、本
来マスクおよび基板の位置合せ等のために必要なものを
そのまま、または多少変形して用いることができるため
、装置の構成を簡略化することができる。
同時に、LABのエアパッドの剛性の問題特にこの剛性
の不足による走行の不安定性の問題が解消される。また
、上記ホルダは基台に固定することができるため、より
堅固に構成することができ、ホルダの変形に伴うマスク
と基板の相対位置精度およびデフォ・−カスを軽減ない
し防止することができる。
の不足による走行の不安定性の問題が解消される。また
、上記ホルダは基台に固定することができるため、より
堅固に構成することができ、ホルダの変形に伴うマスク
と基板の相対位置精度およびデフォ・−カスを軽減ない
し防止することができる。
さらに、マスクと基板との走行速度比を任意に設定する
ことができ、このため、従来の走査形露光装置にはなか
った拡大・縮小機能を実現させることができる。
ことができ、このため、従来の走査形露光装置にはなか
った拡大・縮小機能を実現させることができる。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体焼付装置の概略
構成図、 第2図は本発明者等の先願に係る半導体焼付装置の概略
構成図である。 1:フォトマスク、2:マスクステージ、3:基板、4
:基板ステージ、5:ミラー投影系、9:ホルダ(キャ
リッジ)、13:基台、15:制御回路、16.17ニ
バルスモータ、18、19:レーザ干渉計。
構成図、 第2図は本発明者等の先願に係る半導体焼付装置の概略
構成図である。 1:フォトマスク、2:マスクステージ、3:基板、4
:基板ステージ、5:ミラー投影系、9:ホルダ(キャ
リッジ)、13:基台、15:制御回路、16.17ニ
バルスモータ、18、19:レーザ干渉計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、原板と被露光体とを位置的に整合した状態で投影光
学系に対して走査させることにより原板の像を被露光体
上に転写する投影露光装置であつて、上記原板を移送す
る手段と上記被露光体を移送する手段とを別個に設け、
かつ上記原板と被露光体とを走査する際にこれらの移送
手段を同期的に駆動する駆動手段を設けたことを特徴と
する投影露光装置。 2、前記2つの移送手段が、それぞれ、前記原板を搭載
する第1のXYステージとこのステージを前記走査方向
に一致する一方の軸方向に移動させる第1のモータ、お
よび前記被露光体を搭載する第2のXYステージとこの
ステージを前記走査方向に一致する一方の軸方向に移動
させる第2のモータであり、前記駆動手段が、上記第1
および第2のXYステージの位置を検出する第1および
第2の測長手段とこれらの測長手段の出力に基づいて上
記第1および第2のモータを電気的に同期制御する制御
回路とを具備するものである特許請求の範囲第1項記載
の投影露光装置。 3、前記駆動手段が、前記走査の際、前記2つの移送手
段を相対的に異なる速度で駆動する特許請求の範囲第1
または2項記載の投影露光装置。 4、前記駆動手段が、前記2つの移送手段の前記走査時
における速度比を調節または切換る手段を具備する特許
請求の範囲第1または2項記載の投影露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60090892A JPS61251025A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60090892A JPS61251025A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 投影露光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30942494A Division JP2670984B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | デバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61251025A true JPS61251025A (ja) | 1986-11-08 |
JPH0515054B2 JPH0515054B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=14011059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60090892A Granted JPS61251025A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61251025A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128713A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
JPH03179723A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置 |
US5581605A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus |
US5640284A (en) * | 1992-09-11 | 1997-06-17 | Nikon Corporation | Optical reflector, illumination optical system, light source system and illumination optical apparatus |
US5796469A (en) * | 1993-06-30 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
USRE37391E1 (en) | 1991-03-06 | 2001-09-25 | Nikon Corporation | Exposure method and projection exposure apparatus |
KR100492278B1 (ko) * | 1996-07-05 | 2005-08-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 |
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