JPS6336526A - ウエハ露光装置 - Google Patents

ウエハ露光装置

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JPS6336526A
JPS6336526A JP61179494A JP17949486A JPS6336526A JP S6336526 A JPS6336526 A JP S6336526A JP 61179494 A JP61179494 A JP 61179494A JP 17949486 A JP17949486 A JP 17949486A JP S6336526 A JPS6336526 A JP S6336526A
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JP
Japan
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wafer
exposure region
exposure area
exposure
light
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Pending
Application number
JP61179494A
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English (en)
Inventor
Masao Sadamura
定村 雅夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体集積回路素子等の製造に用いられるウェ
ハ露光装置、特にウェハの露光領域の位置補正装置に関
するものである。
(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、第2図および第
3図に示されるようなものがおった。第2図は従来のウ
ェハ露光装置のうち、−例として光による縮小投影露光
装置の概略構成を示したものでおり、第3図はこの縮小
投影露光装備に準備されている自動焦点合わt!装置を
示したものである。
第2図において、1は縮小投影露光装置の光源の水銀灯
でおり、この水銀灯1はその光を反射、集光する凹面鏡
2を有している。3は水銀灯1の光の方向を変えるため
の第1反I=l iffでおり、その反射光の光軸位置
には反射光を平行化するコリメ−タ4と光を均一化して
照度むらを小さくするためのインテグレータ5がj堪ブ
られている。このインテグレータ5の前方には第2反射
鏡6が設けられ、その反射光の前方光軸位置には集光用
のコンデンサレンズ7が設置されている。8は例えば現
寸パターンの5倍または10倍の大きざのパターンをも
ったマスクであり、マスク8の前方には縮小投影レンズ
9が設けられている。この縮小投影レンズ9は、マスク
8のパターンを例えば115または1/10に縮小して
、ウェハステージ10の上に置かれたウェハ11の上に
結像させるためのものでおる。
以上のように構成される縮小投影露光装置において、水
銀灯1の光は一点鎖線12で示されるように凹面鏡2に
より反射、集光され、ざらに第1反射鏡3によりその方
向を変えられて、コリメータ4に入射する。コリメータ
4により平行化された光は、インテグレータ5に入射し
て均一化され、ウェハ11上の照度むらが少ない一様な
光線となる。
インテグレータ5を出射した光は第2反射鏡6を経てコ
ンデンサレンズ7に入射する。コンデンサレンズ7によ
り集束された光はマスク8を照射した後、縮小投影レン
ズ9に入射する。縮小投影レンズ9の出射光は、マスク
8のパターンをウェハ11表面上の15mmx 15m
m程度の四辺形の露光領域に結像する。このような動作
をウェハステージ10を移動させて繰り返すことにより
、順次別の露光領域を露光させてウェハ11仝面を露光
させる。
以上のような縮小投影露光装置においては、ウェハ11
表面での焦点深度が±2μm程度と非常に浅いので、ウ
ェハ11表面を精度良く焦点面に合わせるために、第3
図に示されるような自動焦点合わせ装置が用いられる。
この自動焦点合わせ装置は、発光ダイオード20、第1
凸レンズ21、第1スリツト22、第2凸レンズ23、
第3凸レンズ24、(騒動反射鏡25、第2スリツト2
6およびホトダイオード27により構成されている。
上記の如く構成される自動焦点合わせ装置において、発
光ダイオード20からの出射光は一点鎖線28で示され
る如く、第1凸レンズ21により集束されて第1スリツ
ト22を通過する。この第1スリツト22の通過光は第
2凸レンズ23により集束されて、ウェハ11上の点2
9に第1スリツト22の像を結ぶ。
ざらに、ウェハ11上の点29で反射された光は、第3
の凸レンズ24を経て振動反射鏡25に入射する。
この撮動反射鏡25により微小角度の(騒動を与えられ
た光は、第2スリット26位首において再び像を結んで
ホトダイオード27に到達する。上記振動反射鏡25は
振動によりその反則角度を微小変化させるもので、おる
反射角度とそのときのホトダイオード27の感度との関
係によりウェハステージ10の所定の位置が検出される
。すなわら、ホトダイオード27の感度が最大となるよ
うな位置にウェハステージ10を上下に移動させること
により、ウェハ11を縮小投影レンズ9に対し所定の上
下位置に設定する。このような自動焦点合わせ装置によ
り、【ウェハ11上の設定された点29の縮小投影レン
ズ9の焦点に対する設定誤差稈±0.25μm以内とす
ることかできる。
(発明か解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の縮小投影露光装置およびその
自動焦点装置においては、次のような問題点があった。
すなわち、自動焦点合わせ装置によりウェハ11上の設
定された点2つの設定誤差は±0,25μm以内とする
ことができるものの、実際の装置においては縮小投影レ
ンズ9の焦点面が完全な平面ではないことと、像が投影
されるウェハ11表面の平坦性が完全ではあり得ないこ
とのために、焦点深度を超えた誤差が発生するおそれが
おった。
第4図に示されるように、焦点面の中央断面は曲線31
で表わされる如く湾曲しているので、・ウェハ11表面
の15mmx 15mm程度の広さの露光領域内におい
ては、焦点面の中心とその外縁部の焦点の上下方向距離
の差aは通常2〜3μm程度となる。
このため、露光領域内全面での露光領域と焦点との差が
最小となるように、露光領域の位置は自動焦点合わせ装
置により破線の直線32で示される如く、焦点の距離の
差aのほぼ中央付近に設定される。ところが実際のウェ
ハ11表面には凹凸かおるので、ウェハ11表面の露光
領域の中央断面は曲線33で示されるとすると、露光領
域の中心点34が前記直線32の位置に設定されている
に過ぎないことになる。ウェハ11表面には、通常上(
2〜3)μm程度の凹凸が存在するので、図のような場
合においては焦点面と露光領域との最大のずれbは、縮
小投影露光装置の焦点深度的±2μmを超えてしまうお
それが多分にある。
本発明は、前記従来技術がもっていた問題点として、ウ
ェハ11表面の露光領域において焦点面と露光領域とを
正確に一致させることが極めて難しい上に、焦点深度以
上のずれを発生する可能性が多分におるので、縮小投影
レンズ9の解像能力を十分発揮できず、したがって正確
な露光か行なわれないおそれがおる点について解決した
ウェハ露光装置を提供するものでおる。
(問題点を解決するための手段) 本発明は前記問題点を解決するために、ウェハ露光装置
に、ウェハ表面における露光領域の複数点に光線を照射
し、その光線の反射光に基づき前記複数点の上下位置に
関する信号を得てその信号を出力する露光領域測定部と
、電圧印加により変形する圧電物質を有しこの圧電物質
の変形準に応じ上下動して前記露光領域を変形させる複
数の圧電駆動ピンを空隙部に収容したウェハチャックと
、前記露光領域測定部の出力信号を入力し前記露光領域
の所定位置に対する修正量を求めてそれを出力する演算
回路と、前記演算回路の出力修正量を入力しこの修正量
に基づき前記圧電駆動ピンに電圧を印加して駆動させる
駆動回路とを設けたものである。
(作 用) 本発明によれば、以上のようにウェハ露光装置を構成し
たので、露光領域測定部はウェハ表面の露光領域の複数
点の上下位置の測定を正確に行う動きをし、演算回路は
前記測定値に基づき露光領域の所定位置に対する修正量
を求める動きをし、駆動回路は前記修正量に基づき圧電
駆動ピンを駆動させる動きをし、ざらにウェハチャック
は圧電駆動ピンを収容した真空の空隙部の負圧によりウ
ェハを吸着して固定すると同時に、圧電駆動ピンの上下
動により露光領域を変形させて所定位置に合致させる働
きをする。上記の働きにより露光領域は所定の位置、例
えば縮小投影レンズの焦点面に正確に一致させることが
できるので、ウェハ表面に対する正確な露光を行うこと
ができる。したがって、前記問題点を除去できるのであ
る。
(実施例) 第1図は本発明の実施例を示すウェハ露光装置の要部構
成図でおり、主にウェハ露光領域の位置補正用の装置に
ついて示したものである。
図において、40は固定の縮小投影レンズでおり、この
縮小投影レンズ40はマスクのパターンを可動のウェハ
チャック41の上に置かれた「ウェハ42の表面に投影
、露光するものでおる。前記ウェハチャック41はその
上面に置かれたウェハ42との間隙に空隙部43−1を
有し、この空隙部43−1は、内部の空気が真空ライン
43−2によって吸引されることにより、真空に近い状
態となり、ウェハ42を吸着してウェハチャック41上
に固定している。前記空隙部43−1には複数の圧電駆
動ピン44がウェハチャック41に固定して設けられて
いる。この圧電駆動ピン44は、例えば水晶等の圧電現
象を利用して成るもので、印加された電圧に対応した°
水晶等の変形により圧電駆動ピン44が上下方向に変位
するものでおる。圧電駆動ピン44のそれぞれは、その
駆動回路45に電気的に接続されている。
46は発光ダイオード等の発光素子でおり、この発光素
子46を光源としてその光軸上に第1凸レンズ47、複
数の切込みが設けられた第1スリツト48および第2凸
レンズ49が順次設けられている。前記第1スリツト4
8の複数の切込みは、それぞれの像を縮小投影レンズ4
0に対応したウェハ42上の露光領域50に結ぶように
設定されている。また、この露光領1.+!50の前記
結像箇所のそれぞれは、前記圧電駆動ピン44のそれぞ
れと一対一の対応を成すように設定されている。前記結
像箇所にお(プるそれぞれの反射光の進む前方には第3
凸レンズ51および反射鏡52が設けられ、この反射鏡
52は、それぞれの反射光が第2スリツト53の直俊に
設置されたホトダイオード等の受光素子から成る複数の
ゼンサ54の受光面に結像するように、設定されている
。すなわち、センサ54は前記第1スリツト48の切込
みの位置および個数に対応して設けられている。上記の
発光素子46からセンサ54までの構成からなる光学系
は、露光領域測定部55を形成している。
前記センサ54のそれぞれは、その出力に応じてそれぞ
れのセンサ54に対応した前記圧電駆動ピン44の上下
動の変位量を決定する演算回路56に接続されている。
この演算回路56は例えばマイクロコンピュータ等によ
り構成され、その出力は前記駆動回路45に接続されて
おり、圧電駆動ピン44の駆動回路45を制御する。
以上のように、圧電駆動ピン44を有するウェハチャッ
ク41、駆動回路45、露光領域測定部55および演算
回路56により構成される自動露光領域補正装置の動作
について、次に説明する。先ず、圧電駆動ピン44に電
圧を印加しない状態において、ウェハチャック41を水
平方向に移動して、その上に固定されたウェハ42の露
光順Vi50を縮小投影レンズ40に対応した所定の位
置に設定する。このとき、露光順Vj、50の位置情報
は、位置設定と同時に演算回路56に与えられる。また
、露光領域50の中心の上下位置は、例えば予め演算回
路56に入力されている縮小投影レンズ40の焦点に一
致した位置に設定されているものとする。この状態にお
いて、露光領域測定部55により露光領域50の複数点
の上下位置の測定を行う。この測定は、発光素子46の
出射光57か第1凸レンズ47を経て第1スリツト48
の複数の切込みを通過したそれぞれの光によって行われ
る。それぞれの光は第2凸レンズ49を経て、露光領域
50の圧電駆動ピン44にそれぞれ対応した位置に入射
し、その反射光は第3凸レンズ51、反射鏡52および
第2スリツト53を経た後、それぞれ対応するセンサ5
4に入射する。このセンサ54による信号が演算回路5
6に入力されると、演算回路56は露光領域50の各入
射点と縮小投影レンズ40の焦点面とのずれを計算し、
その修正量を駆動回路45に出力する。駆動回路45は
修正量に応じた電圧を露光領域50の各点に対応した圧
電駆動ピン44に印加して、圧電駆動ピン44を修正量
に応じて上下に変位ざUる。これにより露光領域50は
変形して縮小投影レンズ40の焦点面に一致する。
以上のような動作をウェハチャック41を移動させて各
露光領域に対し順次繰り返すことにより、ウェハ42の
全表面に所定の露光を実施することができる。
本実施例においては、ウェハ42の各露光領域毎にそれ
ぞれの全面を縮小投影レンズ40の焦点面に合わせて露
光させることかできるので、縮小投影レンズ40の解像
度は常に最良の状態にあり、正確な露光を行うことがで
きるという利点がおる。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず種々の変形が
可能であり、例えば次に挙げるような変形例が考えられ
る。
(1)本実施例においては、光による縮小投影露光装置
について示したか、これに限定されない。例えば、光を
用いた他の露光装置である等倍投影露光装置やX線およ
びイオン線等を用いた露光装置等に対しても使用するこ
とか可能である。
(2)自動露光領域補正装置の構成は本実施例のものに
限定されない。すなわち、圧電駆動ピン44およびセン
サ54等の設置個数はいくつでもよい。また、圧電駆動
ピン44に対しては水晶のみならずロッシェル塩やチタ
ン酸バリウム結晶および圧電セラミック等の圧電効果を
有する他の物質を使用することができる。発光素子46
はレーザダイオードとしてもよく、ざらに半導体素子に
限定されず光源ランプとしてもよい。センサ54の受光
素子についても同様にホトトランジスタや光電管等とし
てもよい。
(3)本実施例においては、露光領域50の入射光の位
置と圧電駆動ピン44の位置およびそれぞれの個数は対
応するものとしたが、対応しなくてもよい。
ただしこの場合は、演算回路56による推定計算等によ
り、圧電駆動ピン44の位置にあける露光領域50の修
正量を求める必要かある。
(4)本実施例においては、縮小投影レンズ40の焦点
面およびウェハ42表面の凹凸に対する修正を行うこと
としたがこれに限定されず、いずれか一方の修正のみに
使用してもよいし、他の要因に対する修正に使用するこ
ともできる。
(5)本実施例の自動露光領域補正装置は、ウェハ露光
装置以外の装置、例えばホトリピータ等のマスク製造装
置等にも適用することができる。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、露光領域
測定部、演算回路、駆動回路および圧電駆動ピンを有す
るウェハチャックを設けたので、ウェハ表面の露光領域
を、例えば所定の焦点面に部分的に或は近似的に一致さ
せるのではなく、面全体として一致させることができる
。したがって極めて正確な露光をウェハ表面に行うこと
ができるので、半導体集積回路素子等の製造工程におけ
る歩留りの向上のみならず、その信頼性を飛躍的に向上
させるという効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示すウェハ露光装置の主に自
動露光領域補正装置部分を表わす要部構成図、第2図は
従来のウェハ露光装置の概略I成因、第3図は従来のウ
ェハ露光装置の主に自動焦点合わせ装置の部分を示す要
部構成図、第4図は焦点面と露光領域の断面曲線図でお
る。 40・・・・・・縮小投影レンズ、41・・・・・・ウ
ェハチャック、42・・・・・・ウェハ、43−1・・
・・・・空隙部、43−2・・・・・・真空ライン、4
4・・・・・・圧電駆動ピン、45・・・・・・駆動回
路、46・・・・・・発光素子、48・・・・・・第1
スリツ1〜.50・・・・・・露光領域、54・・・・
・・センサ、55・・・・・・露光領域測定部、56・
・・・・・演鋒回路。 出願人代理人  柿  水  恭  成7門 1,1j 従来のウェハ露fL妓買イ現略構成図 第2図 従来のウェハ露光装置要部構成図 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ウェハ表面における露光領域の複数点に光線を照射し、
    その光線の反射光に基づき前記複数点の上下位置に関す
    る信号を得てその信号を出力する露光領域測定部と、 電圧印加により変形する圧電物質を有しこの圧電物質の
    変形量に応じ上下動して前記露光領域を変形させる複数
    の圧電駆動ピンを空隙部に収容したウェハチャックと、 前記露光領域測定部の出力信号を入力し前記露光領域の
    所定位置に対する修正量を求めてそれを出力する演算回
    路と、 前記演算回路の出力修正量を入力しこの修正量に基づき
    前記圧電駆動ピンに電圧を印加して駆動させる駆動回路
    とを備えたことを特徴とするウエハ露光装置。
JP61179494A 1986-07-30 1986-07-30 ウエハ露光装置 Pending JPS6336526A (ja)

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