JPS61156736A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS61156736A JPS61156736A JP59280572A JP28057284A JPS61156736A JP S61156736 A JPS61156736 A JP S61156736A JP 59280572 A JP59280572 A JP 59280572A JP 28057284 A JP28057284 A JP 28057284A JP S61156736 A JPS61156736 A JP S61156736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter element
- luminous flux
- spectrum
- filter
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002730 mercury Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体製造用の？１元装置に関し、特に回路パ
ターン等が形成されているマスクをシリコンウェハ等に
転写する０に好適な投影用の露光装置に関するものであ
る。
ターン等が形成されているマスクをシリコンウェハ等に
転写する０に好適な投影用の露光装置に関するものであ
る。
（従来技術）
従来より投影用の露光装置では照明用の光源として水銀
ランプが多用されている。この水銀ランプからは第２図
に示される様に輝線スペクトルが多数発光しており、通
常最とも拭く用いられるｇ線（４３６ｎｍ ）付近では
ｈ線（４０５ｎｍ ） とｅ 線（５４６ｎｍ ）が
隣接して存在している。従来はｇ線より短かい波長はシ
ャープカットの色フィルターでカットし、ｇ線より長い
波長はコールドミラーでカットしたりレジストの分光感
度そのものがｚｆｆＭよりも長波長側で低下する事等を
利用していた。しかしながら色フィルターやゴールドミ
ラー、レジストの分光感度特性は波長対透過率あろいは
波長対反射率の分光特性がシャープでないのでｈ＠やｅ
ａはカットできてもｔａ付近の連続スペクトルは焼付光
束中に残ってしまう。この連続スペクトルは強度は輝線
スペクトルに比べて小さいが、波長域が広い為、トータ
ルして、波長強度を積分して効果を考えた場合、焼付性
能（与える影響が大きい。即ち、露光装置に用いられて
いる投影光学系は輝線スペクトルの拡がシ内の波長成分
については色補正されているものの、連続スペクトル領
域の波長迄は色収差が補正されていない。従って連続ス
ペクトルを含んだ光音用いて焼付を行つと、ピントの合
った輝線スペクトル成分の光く、ピントの外れた連続ス
ペクトル成分の光が重なる事になり、焼付性能に悪影響
を与える事になる。
ランプが多用されている。この水銀ランプからは第２図
に示される様に輝線スペクトルが多数発光しており、通
常最とも拭く用いられるｇ線（４３６ｎｍ ）付近では
ｈ線（４０５ｎｍ ） とｅ 線（５４６ｎｍ ）が
隣接して存在している。従来はｇ線より短かい波長はシ
ャープカットの色フィルターでカットし、ｇ線より長い
波長はコールドミラーでカットしたりレジストの分光感
度そのものがｚｆｆＭよりも長波長側で低下する事等を
利用していた。しかしながら色フィルターやゴールドミ
ラー、レジストの分光感度特性は波長対透過率あろいは
波長対反射率の分光特性がシャープでないのでｈ＠やｅ
ａはカットできてもｔａ付近の連続スペクトルは焼付光
束中に残ってしまう。この連続スペクトルは強度は輝線
スペクトルに比べて小さいが、波長域が広い為、トータ
ルして、波長強度を積分して効果を考えた場合、焼付性
能（与える影響が大きい。即ち、露光装置に用いられて
いる投影光学系は輝線スペクトルの拡がシ内の波長成分
については色補正されているものの、連続スペクトル領
域の波長迄は色収差が補正されていない。従って連続ス
ペクトルを含んだ光音用いて焼付を行つと、ピントの合
った輝線スペクトル成分の光く、ピントの外れた連続ス
ペクトル成分の光が重なる事になり、焼付性能に悪影響
を与える事になる。
（本発明の目的）
本発明は照明系に輝線スペクトル以外に連続スペクトル
を放射する光源を用いても、高解像力の得られる半導体
製造用に好適な露光装置の提供を目的とする。
を放射する光源を用いても、高解像力の得られる半導体
製造用に好適な露光装置の提供を目的とする。
本発明の更なる目的は照明系の特定の位置に所定の分光
特性を有したフィルター素子を配装置することにより連
続スペクトルの影４１に排除した高性能の露光装置の提
供にある。
特性を有したフィルター素子を配装置することにより連
続スペクトルの影４１に排除した高性能の露光装置の提
供にある。
（本発明の目的を達成する為のｇ光装置の主たる特徴）
照明系に複数のスペクトルを放射する光源を用い九半導
体製造用の露光装置において、前記照明系の一部に前記
光源から放射される発光スペクトルのうち所定の波長の
光束のみを選択するフィルター素子を設けたことである
。
照明系に複数のスペクトルを放射する光源を用い九半導
体製造用の露光装置において、前記照明系の一部に前記
光源から放射される発光スペクトルのうち所定の波長の
光束のみを選択するフィルター素子を設けたことである
。
その他本発明に係る特徴は実施例において詳述されてい
る。
る。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図である。
図中１は橢円鏡、２は水銀ランプ等の光源、３はフィー
ルドレンズである。光源２とフィールドレンズ３は各々
橢円鏡１の第１焦点と第２焦点近傍に配置されている。
ルドレンズである。光源２とフィールドレンズ３は各々
橢円鏡１の第１焦点と第２焦点近傍に配置されている。
４は第１コンデンサーレンズでるり前側焦点近傍にフィ
ールドレンズ３が位置している。５はフィルター［−１
６，７は各々反射鏡、８はオプテイカルインテグレータ
、９は第２コンデンサーレンズで前側焦点近傍にオプテ
ィカルインテグレータ８が位置している。１０は回路パ
ターンが形成されているレチクル面、１）は投影光学系
、１２はウェハである。
ールドレンズ３が位置している。５はフィルター［−１
６，７は各々反射鏡、８はオプテイカルインテグレータ
、９は第２コンデンサーレンズで前側焦点近傍にオプテ
ィカルインテグレータ８が位置している。１０は回路パ
ターンが形成されているレチクル面、１）は投影光学系
、１２はウェハである。
光源２から放射された光束は橢円鏡１によって第２焦点
近傍に配置されたフィールドレンズ３に集光される。そ
して第１コンデンサーレンズ４１Ｃよシフイールドレン
ズ３の中心光束が略平行光となるようにして各光束のフ
ィルター素子５への入射角金小さくしている。そしてフ
ィルｐ−＝子ｓｔ−透過させ良後オプティヵルインテグ
レーメ８に導光している。
近傍に配置されたフィールドレンズ３に集光される。そ
して第１コンデンサーレンズ４１Ｃよシフイールドレン
ズ３の中心光束が略平行光となるようにして各光束のフ
ィルター素子５への入射角金小さくしている。そしてフ
ィルｐ−＝子ｓｔ−透過させ良後オプティヵルインテグ
レーメ８に導光している。
ここでフィルター素子５は投影露光用に必要な輝線スペ
クトルの波長幅の狭い範囲を透過しその他のスペクトル
元をカットするものであり本実施例で用いるフィルター
素子は、多層膜で構成されている。この丸め、光線の入
射角度の違イによって分子ｔ、特性がずれてしまうので
、フィルター素子への光線の入射角度が略一定となるよ
う即ち小さくなる様な位置に配置している。
クトルの波長幅の狭い範囲を透過しその他のスペクトル
元をカットするものであり本実施例で用いるフィルター
素子は、多層膜で構成されている。この丸め、光線の入
射角度の違イによって分子ｔ、特性がずれてしまうので
、フィルター素子への光線の入射角度が略一定となるよ
う即ち小さくなる様な位置に配置している。
波ｉｐ択された光はオプテイカルインテグレータ８全通
し第２コンデンサーレンズ９によって集光されレチクル
面１０ｔ−均一に照明して−る。
し第２コンデンサーレンズ９によって集光されレチクル
面１０ｔ−均一に照明して−る。
そして所定の波長の光で照明されたレチクル面ｌＯ上の
回路パターンを投影光学系１）によりウニへ面１２上に
投影している。
回路パターンを投影光学系１）によりウニへ面１２上に
投影している。
第２図、第３図は各々本発明に係る水銀ランプとフィル
ター素子の分光特性の貌明図である。
ター素子の分光特性の貌明図である。
第２図において点線で示す曲線はフィルター素子６とし
て狭帯域透過フィルターの干渉フィルターを用いた場合
の分光透過率である。又第３図は透過帯域の異なる２つ
のシャープカットフィルターＡ及びＢを組合わせて狭帯
域透過フィルターと同様の効果を得た本のであシ、フィ
ルターとして多層膜を用いるのであればフィルター素子
５０両面に各々透過帯域の異なる多ｌ−膜を蒸着するこ
とができる。又、フィルターＡ。
て狭帯域透過フィルターの干渉フィルターを用いた場合
の分光透過率である。又第３図は透過帯域の異なる２つ
のシャープカットフィルターＡ及びＢを組合わせて狭帯
域透過フィルターと同様の効果を得た本のであシ、フィ
ルターとして多層膜を用いるのであればフィルター素子
５０両面に各々透過帯域の異なる多ｌ−膜を蒸着するこ
とができる。又、フィルターＡ。
Ｂの一方が色素等により光の吸収を利用した所謂硝子フ
ィルターであればその片方の表面に）イルターＡ又はＢ
の特性を有する多層膜を蒸着しても同様の効果を得るこ
とができる。但しフィルターＡの様に長波長側をクヤー
プにカットする硝子フィルターは実際には現存せず、こ
の様な特性は多層膜を用いる事が必要である。
ィルターであればその片方の表面に）イルターＡ又はＢ
の特性を有する多層膜を蒸着しても同様の効果を得るこ
とができる。但しフィルターＡの様に長波長側をクヤー
プにカットする硝子フィルターは実際には現存せず、こ
の様な特性は多層膜を用いる事が必要である。
このように本実施例では所定の輝線スペクトルノ領域外
の連続スペクトルの光束をフィルター素子により効率良
く除去し、容易に高解像力の得られる露光装置を達成し
ている。
の連続スペクトルの光束をフィルター素子により効率良
く除去し、容易に高解像力の得られる露光装置を達成し
ている。
第４図、第５図は各々本発明の好ましい他の実施例の光
学系の概略図である。第１図と同一の部材には同一の符
号を付けである。
学系の概略図である。第１図と同一の部材には同一の符
号を付けである。
第４図に示す実施例に従うフィルター素子５はオプテイ
カルインテグレータ８とレチクル１００間に配置されて
いる。この場合重要なのはフィルター素子５のシェーデ
ィングの問題である。
カルインテグレータ８とレチクル１００間に配置されて
いる。この場合重要なのはフィルター素子５のシェーデ
ィングの問題である。
フィルター素子５は前述の様にシャープカット特性を持
九せる為、誘電体の多層膜を用いて構成され、入射角に
従って特性が変化する。従ってレチクル１０の各点を照
明する光束がフィルター素子５を遡る状態はすべて同一
である事が望ましい。第４図の実施例は投影光学系のレ
チクル面１０側がテレセンドリンクである場合である。
九せる為、誘電体の多層膜を用いて構成され、入射角に
従って特性が変化する。従ってレチクル１０の各点を照
明する光束がフィルター素子５を遡る状態はすべて同一
である事が望ましい。第４図の実施例は投影光学系のレ
チクル面１０側がテレセンドリンクである場合である。
同図で１５で示した各光線がレチクル面１０上の各点に
対する主光線である。主光線は投影光学系に従い平行と
なっている。従って第４図の場付、レチクル（ｆｉｌｏ
と照明糸のコンデンサーレンズ９の間にフィルター素子
５を配置すれば、フィルターの角度ｔ￥ｊ注はレチクル
面上の各点について全く同一でありシェーディングを起
こさない。
対する主光線である。主光線は投影光学系に従い平行と
なっている。従って第４図の場付、レチクル（ｆｉｌｏ
と照明糸のコンデンサーレンズ９の間にフィルター素子
５を配置すれば、フィルターの角度ｔ￥ｊ注はレチクル
面上の各点について全く同一でありシェーディングを起
こさない。
尚フィルター素子５は、レチクル面上の各点に対する照
明光束の主光線が平行になる所に設置すれは良く、必ず
しもレチクル面１０とコンデンサーレンズ９との間に設
ける必要はない０第５図には、レチクル面１０１Ｎ＋１
がテレセントリックでない投影光学系に対して木兄ＥＪ
Ａｔ適用した例である。レチクル面１０に入射する主光
線１５は平行ではないので第４図の様な位置にフィルタ
ー５を配置する事は適当でない。この場合には照明系内
に主光線が平行になる部分を作ってやれば良く、第５図
では正にその様な状態をオプティカルインテグレータ８
の後方に配置しｔ集光系２１により作り出し、その位ｔ
ｉｃフィルター系子５を配置している。勿論、レチクル
面１０側がテレセントリックな投影系に対する照明系の
場合にも、照明系Ｖ′３ＩｆＩ％に主光線が平行な所を
作ってやれば第４図の配置の代りに其拠にフィルターを
配置する事もできる。２２は照明系の一部を構成する光
学部材である。
明光束の主光線が平行になる所に設置すれは良く、必ず
しもレチクル面１０とコンデンサーレンズ９との間に設
ける必要はない０第５図には、レチクル面１０１Ｎ＋１
がテレセントリックでない投影光学系に対して木兄ＥＪ
Ａｔ適用した例である。レチクル面１０に入射する主光
線１５は平行ではないので第４図の様な位置にフィルタ
ー５を配置する事は適当でない。この場合には照明系内
に主光線が平行になる部分を作ってやれば良く、第５図
では正にその様な状態をオプティカルインテグレータ８
の後方に配置しｔ集光系２１により作り出し、その位ｔ
ｉｃフィルター系子５を配置している。勿論、レチクル
面１０側がテレセントリックな投影系に対する照明系の
場合にも、照明系Ｖ′３ＩｆＩ％に主光線が平行な所を
作ってやれば第４図の配置の代りに其拠にフィルターを
配置する事もできる。２２は照明系の一部を構成する光
学部材である。
尚本実施例においてフィルター素子を配置する位置はフ
ィルター素子に入射する光束が厳密に平行でなくても所
定の４線スペクトルの光束が選択出来しかも不必要な連
続スペクトルの光束が除去出来る位置ならばどこに配置
しても艮いＯ （本発明の効果） 本発明によれば投影光学系を照明する照明系内の一部ｌ
ｌＣ過当なフィルター素子を挿入し、それを用いて連続
スペクトルを効果的にカットし、１４勝スペクトルに対
する悪影４ｇＩを軽減させた高解像力の露を装置を達成
することができる。
ィルター素子に入射する光束が厳密に平行でなくても所
定の４線スペクトルの光束が選択出来しかも不必要な連
続スペクトルの光束が除去出来る位置ならばどこに配置
しても艮いＯ （本発明の効果） 本発明によれば投影光学系を照明する照明系内の一部ｌ
ｌＣ過当なフィルター素子を挿入し、それを用いて連続
スペクトルを効果的にカットし、１４勝スペクトルに対
する悪影４ｇＩを軽減させた高解像力の露を装置を達成
することができる。
又従来の硝子フィルターではカットが困難であった焼付
光付近の連続スペクトルの光を容易にカットすることか
で春色収差の影響を除去し像のコントラストを向上させ
た露光装置を達成することができる。
光付近の連続スペクトルの光を容易にカットすることか
で春色収差の影響を除去し像のコントラストを向上させ
た露光装置を達成することができる。
ま危、積極的に照明光学系内にレチクル面の各点を照明
する光束の主光線が平行となる位置を設け、この位置に
フィルター素子を配置すれば、フィルター素子に入射す
る光線の入射角度を小さくすることができ、光線の入射
角のズレによるフィルター素子の透過光波長特性のシフ
トを僅少ＶＣし７’ｃ高解像力の得られる露光装置を達
成することができる。
する光束の主光線が平行となる位置を設け、この位置に
フィルター素子を配置すれば、フィルター素子に入射す
る光線の入射角度を小さくすることができ、光線の入射
角のズレによるフィルター素子の透過光波長特性のシフ
トを僅少ＶＣし７’ｃ高解像力の得られる露光装置を達
成することができる。
表画面の簡単な説明
第１図、＠４図、第５図は各々本発明の一実施例の光学
系の概略図、第２図、第３図は各々本発明に係る光源と
フィルター素子の分″／１％性の説明図である。
系の概略図、第２図、第３図は各々本発明に係る光源と
フィルター素子の分″／１％性の説明図である。
図中１は梱円鏡、２は光源、３はフィールドレンズ、４
は第１コンデンサーレンズ、５はフィルター素子、６，
７は各々反射鏡、８はオプテイカルインテグレータ、９
は第２コンデンサーレンズ、１０はレチクル面、１）は
投影光学系、１２はウニへ面である。
は第１コンデンサーレンズ、５はフィルター素子、６，
７は各々反射鏡、８はオプテイカルインテグレータ、９
は第２コンデンサーレンズ、１０はレチクル面、１）は
投影光学系、１２はウニへ面である。
Claims (3)
- （１）照明系に複数のスペクトルを放射する光源を用い
た半導体製造用の露光装置において、前記照明系の一部
に前記光源から放射される発光スペクトルのうち所定の
波長の光束のみを選択するフィルター素子を設けたこと
を特徴とする露光装置。 - （２）前記フィルター素子を前記照明系内の被照射面の
各点を照明する光束の主光線が略平行となる位置に設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。 - （３）前記フィルター素子は所定の輝線スペクトルの領
域外の連続スペクトルをカットするように構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280572A JPS61156736A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280572A JPS61156736A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156736A true JPS61156736A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17626896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59280572A Pending JPS61156736A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156736A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
| JPH02260412A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Ushio Inc | 露光装置 |
| JP2004358854A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Process Lab Micron:Kk | メタルマスクの製造方法、メタルマスク及びメタルマスク印刷版 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59280572A patent/JPS61156736A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0532900B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1993-05-18 | Ushio Electric Inc | |
| JPH0233914A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Ushio Inc | 照明光学装置 |
| JPH02260412A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Ushio Inc | 露光装置 |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| JP2004358854A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Process Lab Micron:Kk | メタルマスクの製造方法、メタルマスク及びメタルマスク印刷版 |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9429851B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-08-30 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9360763B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9310696B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-04-12 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2655465B2 (ja) | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 | |
| US5357312A (en) | Illuminating system in exposure apparatus for photolithography | |
| US5615047A (en) | Illumination apparatus and exposure apparatus using it | |
| JPS5916249B2 (ja) | 顕微鏡用汎用照明系 | |
| KR20060102278A (ko) | 프로젝터용 이미징 시스템 및 대응하는 프로젝터 | |
| JPS61156736A (ja) | 露光装置 | |
| JPH032284B2 (ja) | ||
| JPH0721583B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3658209B2 (ja) | 円弧照明光学系及びそれを用いた露光装置 | |
| US4375315A (en) | Arc lamp illuminator | |
| JP3208863B2 (ja) | 照明方法及び装置、露光方法、並びに半導体素子の製造方法 | |
| US4215935A (en) | Method and device for the projection printing of a mask onto a semiconductor substrate | |
| KR950015638A (ko) | 개량된 해상도 특성을 갖는 스텝 앤드 리피트 노출 시스템 | |
| JP2003207850A (ja) | 照明装置およびそれを用いたプロジェクタ | |
| JP2692660B2 (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
| JPH08139009A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPH05121290A (ja) | 微細パタン投影露光装置 | |
| JP2002222756A (ja) | 照明装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス | |
| JPH02244708A (ja) | 投影露光法及び装置 | |
| JP3209220B2 (ja) | 露光方法及び半導体素子の製造方法 | |
| JPH0769576B2 (ja) | 照明光学装置 | |
| JP2002350620A (ja) | 光学部材、当該光学部材を用いた照明装置及び露光装置 | |
| JP2003264143A (ja) | 照明装置、パターン投影方法及び半導体素子の製造方法 | |
| JPH07244318A (ja) | 画像取得装置 | |
| KR0160857B1 (ko) | 반도체장치의 미세패턴을 형성하기 위한 노광방법 |