JP2002118058A - 投影露光装置及び方法 - Google Patents

投影露光装置及び方法

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JP2002118058A
JP2002118058A JP2001002580A JP2001002580A JP2002118058A JP 2002118058 A JP2002118058 A JP 2002118058A JP 2001002580 A JP2001002580 A JP 2001002580A JP 2001002580 A JP2001002580 A JP 2001002580A JP 2002118058 A JP2002118058 A JP 2002118058A
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optical system
exposure apparatus
projection exposure
light
projection
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JP2001002580A
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Tetsuo Takahashi
哲男 高橋
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光光の照射による温度変化によって生じる
収差変動を簡易に低減することができる投影露光装置。 【解決手段】 マスク3のパターンからの光が、第1結
像光学系K1を介して、マスクパターンの一次像Iを形
成する。一次像Iからの光は、主鏡M1の中央開口部お
よびレンズ成分L2を介して副鏡M2で反射され、副鏡
M2で反射された光はレンズ成分L2を介して主鏡M1
で反射される。主鏡M1で反射された光は、レンズ成分
L2および副鏡M2の中央開口部を介してウエハ9面上
にマスクパターンの二次像を縮小倍率で形成する。この
際、副鏡M2の反射面R2をレンズ成分L2よりも熱伝
導率が大きい放熱板81で裏打ちしているので、比較的
発熱の多い裏面反射面である反射面R2で発生した熱
は、レンズ成分L2よりも放熱板81に逃げ易くなり、
高精度の結像が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体素
子や液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造す
る投影露光装置及び露光方法に関し、特に反射屈折光学
系や反射光学系からなる投影光学系を備える投影露光装
置及びこれを用いた露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
素子等を製造するためのフォトグラフィ工程において、
フォトマスクまたはレチクル(以下、まとめて「レチク
ル」という)のパターン像を、投影光学系を介して、フ
ォトレジスト等が塗布されたウエハ(またはガラスプレ
ート等)上に露光する投影露光装置が使用されている。
【0003】斯かる投影露光装置に使用される投影光学
系に要求される解像力は、半導体素子等の集積度が向上
するにつれて益々高まっている。この要求を満足するた
め、照明光の波長を短くし且つ投影光学系の開口数
(N.A.)を大きくする必要が生じている。
【0004】しかし、照明光の波長が短くなると、光の
吸収によって実用に耐える硝材の種類は限られ、波長が
300nm以下になると現在のところ、実用上使える硝
材は合成石英と螢石だけである、このため、色収差を補
正する手段として、反射光学系の使用が望まれている。
具体的には、248nmのKrFレーザでは屈折系での
実用がかなり進んでいるものの、200nm以下になる
と屈折系での実用はかなり困難であり、反射屈折光学系
への期待が高まっている。特に、螢石であれば、100
nmまで十分な透過率があることが知られており、この
範囲までであれば屈折部材として使用できるので、波長
100〜300nmの領域で反射屈折光学系が成立す
る。
【0005】反射屈折光学系については、既にいくつか
のタイプが提案されている。このうちN.A.の中心部
分が遮蔽されるタイプの光学系(以下中心遮蔽タイプと
略す)は、2面以上の反射面を用いることで、光路偏向
部材を持たずに1本の光軸を基準にすべての光学素子を
組み立てることができ、さらには、光軸の物体を像面に
結像できるため、少ない光学部材数で広い露光フィール
ドを収差補正できるというメリットがあり、有力なタイ
プといえる。このタイプの従来技術としては、米国特許
第5,717,518号公報や第5,650,877号
公報などに開示のものが挙げられる。
【0006】ここで、一般に投影露光装置においては、
露光に際して投影光学系に対して照明光が照射され照明
光(すなわち露光光)の吸収が生じるので、光学部材に
例えば非対称な変形、内部の温度分布等が生じることに
なり、収差変動が生じる(特開平9−213611号公
報参照)。
【0007】このような収差変動は、投影光学系の硝材
内部に生じる吸収だけでなく、表面の薄膜等で生じる吸
収によるものであると考えられる。殊に反射屈折光学系
では、硝材内部や表面薄膜に比較して反射面での吸収が
特に大きくなると考えられ、屈折光学系の場合に比して
吸収による収差変動が問題になる可能性が高い。
【0008】極紫外領域の投影光学系では、屈折部材の
裏面で反射を起こす裏面鏡の使用が上述した米国特許第
5,717,518号公報のように有効であり、この場
合、材料としては、石英や螢石、BaF2、LiF2のよ
うにこの波長域で光を透過させることができる硝材を使
用する必要がある。これらの硝材はdN/dTや膨張率
が大きいので、上述のように屈折部材が反射面を持つよ
うな場合には、反射面で発生した比較的多量の熱が屈折
部材中に伝播して硝子内部に比較的大きな温度分布が生
じることになり、収差変動を抑える何らかの対策が必要
であると考えられる。特に200nm以下の露光光で
は、薄膜の開発が行われつつある状況であり、この波長
域になると投影光学系自体に期待される性能も非常に高
精度になることとあいまって、反射面を含む光学部材の
照射による収差変動は大きな問題である。
【0009】さらに、上述した米国特許第5,717,
518号公報の投影光学系では、縮小像面近くにある最
終的に結像する部分、すなわち屈折兼反射部材中の最後
の光路において、光束がかなり集中している。このよう
な光束は、光学部材中に不均一で大きな温度分布を生じ
させるので、問題が大きい。
【0010】また、反射部材であっても、反射コートと
の相性のために、CaF2やBSC7等の膨張率の大き
い物質を用いる必要がある場合があり、その場合屈折部
材より遥かに大きい吸収率による熱膨脹によって発生す
る収差が問題となる。
【0011】これを避けるために、この屈折兼反射部材
を像面から離すことが考えられるが、屈折兼反射部材を
像面から離すことは、中心遮蔽部分をできるだけ小さく
する必要があることを考慮すると、設計上かなりの困難
性を伴う。このような不均一な温度分布に起因する収差
への対応手段として、例えば特開平10−242048
号公報では、走査露光等を行う場合に回転非対称な収差
変動が発生することに着目し、非球面からなる光学手段
をあらかじめ収差変動に対応して作製しておき、これを
必要に応じて動かす方法等が提案されている。しかし、
このような方法を実施するには、このような収差変動に
対応させた回転非対称な非球面を作製する必要があり、
それ専用の製造装置が必要になり、さらにその非球面を
照射時に適宜偏心させるにはかなり高精度の偏心調整機
構も必要になるので、投影光学系の製造が困難となる。
【0012】また、投影光学系全体の温度が変化するこ
とによっても収差変動が生じるが、このような収差変動
のうち、反射鏡の変形によって生じる収差は、反射によ
って生じる光束の変化が屈折の場合に比べて約4倍であ
ることから、上述のような反射屈折光学系では、温度変
化の影響が問題になりやすい。そのため、あらかじめ反
射鏡の変形をあらかじめ考慮した設計が望ましいと言え
る。
【0013】このような場合の対策として、特開平5−
144701号公報に開示のものがある。この発明で
は、投影光学系を構成する一部のレンズの熱的形状変化
を求めて、それをもとに調整手段で光学調整を行ってい
る。しかし、現実問題として露光中のレンズの形状変化
を、露光に悪影響を与えずに測定するのはかなり困難で
あると思われる。
【0014】上記の問題に鑑み、本発明は、反射屈折光
学系等への露光光の照射による温度変化によって生じる
収差変動を簡易に低減することができる投影露光装置を
提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第1の投影露光装置は、第1面の像を第2
面に結像させる反射屈折光学系を備える投影露光装置で
あって、前記反射屈折光学系は、反射面を含む部材を有
し、前記反射面を含む部材よりも熱伝導率が大きい材料
を含み、かつ前記反射面を含む部材に接して配置される
伝熱部材を備えることを特徴とする。また、上記装置の
好ましい態様では、前記伝熱部材は、前記反射面を含む
部材の前記反射面の有効反射領域外、例えば反射面の裏
面に接している。
【0016】この場合、前記反射面を含む部材よりも熱
伝導率が大きい材料を含む伝熱部材が、前記反射面を含
む部材の前記反射面の有効反射領域外に接して配置され
るので、露光光の入射によって反射面で発生した熱を簡
易に前記反射面を含む部材外部に発散させることができ
る。よって、前記反射面を含む部材内部への熱の蓄積を
防止することができ、収差変動を低減した高精度の露光
が可能となる。
【0017】また、伝熱部材が反射面を持つ反射型光学
部材または反射面を含む屈折型光学部材に直接接触する
ときに生ずる圧力のような力学的負担を当該光学部材に
かけないために、該光学部材の反射面で光が反射する方
向と反対側の位置であって且つ該光学部材から30mm
以内の位置に該光学部材に沿って配置された熱伝導率が
大きい伝熱部材を備え、該光学部材と伝熱部材との間隔
の少なくとも一部を所定の気体で満たしても良い。
【0018】この場合、該光学部材と伝熱部材との間隔
が気体を挟んでかなり小さいので、あまり気体の熱抵抗
を受けずに反射面の熱を伝熱部材に発散させることがで
きる。よって、該光学部材内部への熱の蓄積を防止する
ことができ、収差変動を低減した高精度の露光が可能と
なる。なお、該光学部材と伝熱部材との間隔が30mm
を越えると、熱が気体の熱容量以上には伝導しないので
伝熱部材へ効果的に熱伝導できなくなる。
【0019】また、上記装置の好ましい態様では、前記
伝熱部材に接続された強制冷却手段をさらに備える。
【0020】この場合、強制冷却手段によって前記伝熱
部材を冷却することができるので、放熱効果を高めて前
記反射面を含む部材の温度上昇をより効果的に抑制する
ことができる。
【0021】また、上記装置の好ましい態様では、前記
反射屈折光学系は、前記反射面として対向して配置され
る第1及び第2反射面を有し、前記第1及び第2反射面
は、中央部に光束を少なくとも一部透過させることが可
能である第1及び第2光透過部をそれぞれ有し、前記第
1及び第2反射面の少なくとも一方は、前記反射面を含
む部材に含まれる。
【0022】この場合、第1面から出射した露光光は、
第2光透過部を経て第1反射面に入射し、第1反射面で
反射された後に第2反射面でさらに反射され、第1光透
過部を経て第2面に導かれる。この際、第1及び第2反
射面の少なくとも一方が前記反射面を含む部材に含まれ
るので、前記反射面を含む部材による裏面反射の結果と
して第1及び第2反射面のいずれかで発生した熱を伝熱
部材によって前記反射面を含む部材外部に迅速に発散さ
せることができる。
【0023】また、本発明の第2の投影露光装置は、第
1面の像を第2面に結像させる反射屈折光学系を備える
投影露光装置であって、前記反射屈折光学系は、対向し
て配置される第1及び第2反射面と、前記第1及び第2
反射面の間に配置される屈折部材とを有し、前記屈折部
材の少なくとも一面は、コートが施されていないか、若
しくは3層以下のコートが施されているかのいずれかで
あることを特徴とする。
【0024】この場合、前記第1及び第2反射面の間に
配置される屈折部材では、第1及び第2反射面の間で
は、露光光が多重に通過する。この際、前記第1及び第
2反射面の間に配置される屈折部材の少なくとも一面
は、コートが施されていないか、若しくは3層以下のコ
ートが施されているかのいずれかであるので、屈折部材
の透過面における吸収を最小限に抑えることができる。
これにより、屈折部材への熱の蓄積を防止することがで
き、収差変動を低減した高精度の露光が可能となる。
【0025】また、上記装置の好ましい態様では、前記
第1及び第2反射面の少なくとも一方は、正のパワーを
有し、前記第1及び第2反射面は、中央部に光束を少な
くとも一部透過させることが可能である第1及び第2光
透過部をそれぞれ有し、前記第1及び第2光透過部の間
の空間の一部分に前記反射屈折光学系に入射した光束を
吸収する遮光板を有する。
【0026】この場合、第1面から出射した露光光は、
第2光透過部を経て第1反射面に入射し、第1反射面で
反射された後に第2反射面でさらに反射され、第1光透
過部を経て第2面に導かれる。この際、前記第1及び第
2光透過部の間の空間の一部分に前記反射屈折光学系に
入射した光束を吸収する遮光板を有するので、露光光を
有効に活用しつつ、第1及び第2反射面の間に配置され
る屈折部材の透過面で発生する反射光に起因するフレア
ーの発生を抑制することができる。
【0027】また、本発明の第3の投影露光装置は、第
1面の像を第2面に結像させる反射屈折光学系を備える
投影露光装置であって、反射屈折光学系は、第1及び第
2反射面を有し、該第1及び第2反射面の少なくとも一
方は正のパワーを有し、前記第1及び第2反射面は、中
央部に光束を少なくとも一部透過させることが可能であ
る第1及び第2光透過部をそれぞれ有し、前記第1及び
第2反射面の少なくとも一方は、透過部材の端面に形成
されており、前記透過部材の端面に形成された反射面に
入射させる際の有効径をφ1、吸収率をS1とし、前記透
過部材の端面に形成された反射面と接する透過面に入射
させる際の有効径をφ2、吸収率S2とするとき、 S2/φ22<3S1/(φ12−φ22) (1) の条件を満たすことを特徴とする。
【0028】この場合、第1面から出射した露光光は、
第2光透過部を経て第1反射面に入射し、第1反射面で
反射された後に第2反射面でさらに反射され、第1光透
過部を経て第2面に導かれる。この際、第1反射面又は
第2反射面において上記条件式(1)が満たされるの
で、反射面と透過面とにおける露光光の吸収、すなわち
発熱量がある程度均衡する。よって、透過部材が局所的
に加熱されて不均一な収差変動が発生することを防止で
き、高精度の露光が可能となる。
【0029】また、本発明の第4の投影露光装置は、第
1面の像を第2面に結像させる投影光学系を備える投影
露光装置であって、前記投影光学系は、少なくとも1つ
の反射鏡を有し、前記投影光学系の鏡筒の熱膨張率(d
L/L)/dTをαとするとき、前記反射鏡を形成する
材料のうち少なくとも1つの材料の膨張率βが α/3<β<3α,α≠β (2) の条件を満たすことを特徴とする。
【0030】この場合、反射鏡を形成する材料のうち少
なくとも1つの材料の膨張率βが上記条件式(2)を満
たすので、反射鏡と鏡筒の膨張率を略一致させた状態と
できる。つまり、反射鏡で発生する熱によって焦点距離
が変化してもこれに合わせて鏡筒のサイズが変化するの
で、投影光学系の結像状態の変動を抑えることができ、
高精度の露光が可能となる。
【0031】また、本発明の投影露光方法は、上記第1
〜4の投影露光装置を用いた投影露光方法であって、照
明光を生成する工程と、所定のパターンが形成されマス
クを前記第1面上に配置して前記照明光により照明する
工程と、前記反射屈折光学系を用いて、前記第1面上に
配置した前記マスクの前記所定のパターンの像を前記第
2面上に配置した感光性基板上へ投影する工程とを含
む。
【0032】この場合、上記第1〜4の投影露光装置を
用いるので、投影光学系の収差変動や結像状態の変動を
抑えることができ、高精度の露光が可能となる。また、
本発明の第5の投影露光装置は、第1面の像を第2面に
結像させる投影光学系を備える投影露光装置であって、
前記投影光学系は、反射面を持つ反射型光学部材または
反射面を含む屈折型光学部材を有し、前記反射面で光が
反射する方向と反対側の位置であって且つ前記光学部材
から30mm以内の位置に前記光学部材に沿って配置さ
れた伝熱部材を備え、該伝熱部材と前記反射面との間の
少なくとも一部は、所定の気体で満たされることを特徴
とする。この場合、反射面を含む光学部材で発生する熱
を、所定の気体を介して伝熱部材へ逃がすことが可能と
なり、その結果、反射面を含む光学部材の熱変形を減少
させることができる。なお、前記所定の気体は、ヘリウ
ムガスを有することが好ましい。また、本発明の投影露
光方法は、上記第5の投影露光装置を用いた投影露光方
法であって、照明光を生成する工程と、所定のパターン
が形成されたマスクを前記第1面上に配置して前記照明
光により照明する工程と、前記投影光学系を用いて、前
記第1面上に配置したマスクの前記所定のパターンの像
を前記第2面上に配置した感光性基板上へ投影する工程
とを含む。この場合、上記第5の投影露光装置を用いて
いるため、投影光学系の収差変動や結像性能の変動を抑
えることができ、高精度の露光が可能となる。
【0033】
【発明の実施の形態】(第1実施形態)図1は、本発明
の第1実施形態に係る投影露光装置の全体構成を概略的
に示す。なお、図1において、投影光学系を構成する投
影光学系8の光軸AXに平行にZ軸を、光軸AXに垂直
な面内において図1の紙面に平行にX軸を、紙面に垂直
にY軸を設定している。
【0034】図示の投影露光装置は、紫外領域の照明光
を供給するための光源として、例えばF2レーザ(発振
中心波長157.6nm)を備えている。光源1から射
出された光は、照明光学系2を介して、所定のパターン
が形成されたマスク3を均一に照明する。
【0035】なお、光源1から照明光学系2までの光路
には、必要に応じて光路を偏向するための1つまたは複
数の折り曲げミラーが配置される。また、光源1と投影
露光装置本体とが別体である場合には、光源1からのF
2レーザ光の向きを常に投影露光装置本体へ向ける自動
追尾ユニットや、光源1からのF2レーザ光の光束断面
形状を所定のサイズ・形状に整形するための整形光学
系、光量調整部などの光学系が配置される。また、照明
光学系2は、例えばフライアイレンズや内面反射型イン
テグレータからなり所定のサイズ・形状の面光源を形成
するオプティカルインテグレータや、マスク3上での照
明領域のサイズ・形状を規定するための視野絞り、この
視野絞りの像をマスク上へ投影する視野絞り結像光学系
などの光学系を有する。さらに、光源1と照明光学系2
との間の光路はケーシング(不図示)で密封されてお
り、光源1から照明光学系2中の最もマスク側の光学部
材までの空間は、露光光の吸収率が低い気体であるヘリ
ウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されている。
【0036】マスク3は、マスクホルダ4を介して、マ
スクステージ5上においてXY平面に平行に保持されて
いる。マスク3には転写すべきパターンが形成されてお
り、パターン領域全体のうちY方向に沿って長辺を有し
且つX方向に沿って短辺を有する矩形状(スリット状)
のパターン領域が照明される。
【0037】マスクステージ5は、図示を省略した駆動
系の作用により、マスク面(すなわちXY平面)に沿っ
て二次元的に移動可能であり、その位置座標はマスク移
動鏡6を用いた干渉計7によって計測され且つ位置制御
されるように構成されている。
【0038】マスク3に形成されたパターンからの光
は、反射屈折型の投影光学系8を介して、感光性基板で
あるウエハ9上にマスクパターン像を形成する。ウエハ
9は、ウエハホルダ10を介して、ウエハステージ11
上においてXY平面に平行に保持されている。そして、
マスク3上での矩形状の照明領域に光学的に対応するよ
うに、ウエハ9上ではY方向に沿って長辺を有し且つX
方向に沿って短辺を有する矩形状の露光領域にパターン
像が形成される。
【0039】ウエハステージ11は、図示を省略した駆
動系の作用によりウエハ面(すなわちXY平面)に沿っ
て二次元的に移動可能であり、その位置座標はウエハ移
動鏡12を用いた干渉計13によって計測され且つ位置
制御されるように構成されている。
【0040】また、図示の投影露光装置では、投影光学
系8を構成する光学部材のうち最もマスク側に配置され
た光学部材と最もウエハ側に配置された光学部材との間
で投影光学系8の内部が気密状態を保つように構成さ
れ、投影光学系8の内部の気体はヘリウムガスや窒素な
どの不活性ガスで置換されている。
【0041】さらに、照明光学系2と投影光学系8との
間の狭い光路には、マスク3およびマスクステージ5な
どが配置されているが、マスク3およびマスクステージ
5などを密封包囲するケーシング(不図示)の内部に窒
素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されている。
【0042】また、投影光学系8の直下の光路上には、
ウエハ9およびウエハステージ11などが配置されてい
るが、ウエハ9およびウエハステージ11などを密封包
囲するケーシング(不図示)の内部に窒素やヘリウムガ
スなどの不活性ガスが充填されている。
【0043】このように、光源1からウエハ9までの光
路の全体に亘って、露光光がほとんど吸収されることの
ない雰囲気が形成されている。
【0044】上述したように、投影光学系8によって規
定されるマスク3上の視野領域(照明領域)およびウエ
ハ9上の投影領域(露光領域)は、X方向に沿って短辺
を有する矩形状である。したがって、駆動系および干渉
計(7、13)などを用いてマスク3およびウエハ9の
位置制御を行いながら、矩形状の露光領域および照明領
域の短辺方向すなわちX方向に沿ってマスクステージ5
とウエハステージ11とを、ひいてはマスク3とウエハ
9とを同期的に移動(走査)させることにより、ウエハ
9上には露光領域の長辺に等しい幅を有し且つウエハ9
の走査量(移動量)に応じた長さを有する領域に対して
マスクパターンが走査露光される。
【0045】図2は、図1の投影露光装置に組み込まれ
ている投影光学系8の構造を説明する図である。この投
影光学系8は、マスク3のパターンの一次像(中間像)
Iを形成するための第1結像光学系K1と、一次像Iか
らの光に基づいてマスクパターンの二次像を縮小倍率で
感光性基板であるウエハ9上に形成するための第2結像
光学系K2と、第2結像光学系K2を構成する裏面反射
鏡の温度上昇を防止するための伝熱部材である放熱板8
1とから構成されている。
【0046】第1結像光学系K1は、マスク側から順
に、正の屈折力を有する第1レンズ群G1と、開口絞り
Sと、正の屈折力を有する第2レンズ群G2とから構成
されている。
【0047】ここで、第1レンズ群G1は、マスク側か
ら順に、マスク側に非球面形状の凸面を向けた正メニス
カスレンズL11と、マスク側に非球面形状の凸面を向け
た正メニスカスレンズL12と、ウエハ側に非球面形状の
凹面を向けた正メニスカスレンズL13とから構成されて
いる。
【0048】また、第2レンズ群G2は、マスク側から
順に、マスク側の面が非球面形状に形成された両凹レン
ズL21と、マスク側の面が非球面形状に形成された両凸
レンズL22と、ウエハ側に非球面形状の凸面を向けた正
メニスカスレンズL23と、ウエハ側に非球面形状の凹面
を向けた正メニスカスレンズL24とから構成されてい
る。
【0049】第2結像光学系K2は、マスク側から順
に、ウエハ側に凹面を向けた表面反射面R1を有し且つ
中央に光透過部である開口部APを有する主鏡M1と、
屈折部材であるレンズ成分L2と、そのウエハ側のレン
ズ面上に設けられ且つ中央に光透過部である開口部AP
を有する反射面R2を備えた副鏡M2とから構成されて
いる。すなわち、別の観点によれば、副鏡M2とレンズ
成分L2とは裏面反射鏡を構成し、レンズ成分L2は裏
面反射鏡の屈折部(屈折部材)を構成している。
【0050】ここで、裏面反射鏡(M2、L2)の屈折
部を構成するレンズ成分L2は、マスク側に非球面形状
の凹面を向けた負メニスカスレンズ状に形成されてい
る。また、副鏡M2の反射面R2は、マスク側に凹面を
向けた形状に形成されている。
【0051】なお、投影光学系8を構成するすべての光
学要素(G1、G2、M1、M2)は単一の光軸AXに
沿って配置されている。また、主鏡M1は一次像Iの形
成位置の近傍に配置され、副鏡M2はウエハ9に近接し
て配置されている。
【0052】本実施形態において、投影光学系8を構成
するすべての屈折光学部材(レンズ成分)には螢石(C
aF2結晶)を使用している。また、裏面反射鏡(M
2、L2)は、螢石の裏面にアルミ膜をつけることによ
って形成されている。また、露光光であるF2レーザ光
の発振中心波長は157.6nmである。
【0053】放熱板81は、中央に開口81aを形成し
た円形のアルミニウム板であり、反射面R2を裏打ちす
るように取り付けられている。つまり、放熱板81は、
裏面反射鏡(M2、L2)を鏡筒内で下方のウエハ9側
から支持しているが、この際、放熱板81の支持面81
bと反射面R2とは同一の曲率となっており、レンズ成
分L2の裏面に形成されたアルミ膜は支持面81bに密
着する。これにより、裏面反射鏡(M2、L2)内部、
特に反射面R2で発生した熱がアルミ膜を経て放熱板8
1に伝搬することになり、裏面反射鏡(M2、L2)の
みの温度が周囲に比較して上昇することや、裏面反射鏡
(M2、L2)内部に温度分布が形成されることを簡易
に防止できる。なお、開口81aは、反射面R2の開口
部APを遮蔽しないように設けられている。
【0054】ここで、放熱板81の熱伝導率について説
明する。裏面反射鏡を構成するレンズ成分L2は螢石で
できているので、その熱伝導率は10.3Wm-1-1
ある。また、アルミ製の放熱板81の熱伝導率は、23
6Wm-1-1である。裏面反射による吸収は10%程度
であり、1%程度である透過による吸収に比較して大き
いが、上記のように放熱板81の熱伝導率の方がレンズ
成分L2の熱伝導率よりも10倍以上大きいので、レン
ズ成分L2の裏面反射で発生した熱の大部分は放熱板8
1に伝わって発散される。
【0055】なお、裏打ちする放熱板81の材質は、レ
ンズ成分L2の材料(この場合、螢石)より熱伝導率の
良いものならどれでもよく、大部分の金属がこの条件を
満たしている。
【0056】さらにまた、第2結像光学系K2を構成す
る反射鏡である主鏡M1において、反射面R1で発生す
る熱による温度上昇を防止するために、裏面反射鏡(M
2,L2)への放熱板81の取り付けと同様に伝熱部材
を主鏡M1にマスク3側から裏打ちするように取り付け
ても良い。
【0057】以上の説明から明らかなように、本実施形
態では、マスク3のパターンからの光が、第1結像光学
系K1を介して、マスクパターンの一次像(中間像)I
を形成する。一次像Iからの光は、主鏡M1の中央開口
部APおよびレンズ成分L2を介して副鏡M2で反射さ
れ、副鏡M2で反射された光はレンズ成分L2を介して
主鏡M1で反射される。主鏡M1で反射された光は、レ
ンズ成分L2および副鏡M2の中央開口部APを介して
ウエハ9面上にマスクパターンの二次像を縮小倍率で形
成する。この際、副鏡M2の反射面R2をレンズ成分L
2よりも熱伝導率が大きい放熱板81で裏打ちしている
ので、比較的発熱の多い裏面反射面である反射面R2で
発生した熱は、レンズ成分L2よりも放熱板81に逃げ
易くなる。よって、レンズ成分L2の熱的変形等が減少
し、高精度の結像が可能になる。 (第2実施形態)以下、本発明の第2実施形態に係る投
影露光装置を説明する。本実施形態の露光装置は、第1
実施形態の投影露光装置の変形例であるので、同一の部
分については同一の符号を付して重複説明を省略する。
【0058】図3は、第2実施形態の投影露光装置に組
み込まれている投影光学系8の構造を説明する図であ
る。投影光学系8を構成するレンズ等の光学要素L11〜
L13、L21〜L24、L2、M1、M2自体は第1実施形
態の場合と同一であるが、副鏡M2の裏面に密着する放
熱板81の裏面にさらにクーラー82を設けている。
【0059】図4は、副鏡M2の周辺を拡大して示した
図である。図からも明らかなように、反射面R2を裏打
ちする放熱板81は、第1実施形態の場合よりも薄くな
っており、その裏面には円板状のクーラー82が張り付
けられている。クーラー82は、例えばペルチエ素子等
の多数の冷却素子からなり、放熱板81を裏面側から冷
却する。クーラー82には、温度モニターを組み込んで
あるので、放熱板81が加熱されてもこれを所望温度ま
で速やかに冷却することができる。
【0060】本実施形態の投影光学系でも、副鏡M2の
反射面R2をレンズ成分L2よりも熱伝導率が大きい放
熱板81で裏打ちしているので、比較的発熱の多い裏面
反射の反射面R2で発生した熱は、レンズ成分L2より
も放熱板81に逃げ易くなる。この際、クーラー82に
よって放熱板81を常時一定温度まで冷却しているの
で、レンズ成分L2の温度変化がさらに減少し、より高
精度の結像が可能になる。 (第3実施形態)以下、本発明の第3実施形態に係る投
影露光装置を説明する。本実施形態の露光装置も、第1
実施形態の投影露光装置の変形例である。
【0061】図5は、第3実施形態の投影露光装置に組
み込まれている投影光学系8の構造を説明する図であ
る。投影光学系8を構成するレンズ等の光学要素L11〜
L13、L21〜L24、M1、M2自体は第1実施形態の場
合と同一であるが、裏面反射鏡を構成するレンズ成分L
2のマスク3側の屈折面RSaと、そのウエハ9側の開
口部APにおける屈折面RSbとに、MgF2の単層コ
ートのみを施している。さらに、両屈折面RSa、RS
bで発生する意図しない反射光によってフレアーが発生
することを防止するため、両開口部APの間に遮光板8
3を配置している。この遮光板83は図示を省略する鏡
筒側から延びる線状の支持部材によって主鏡M1や副鏡
M2に対して位置決めされ固定されている。
【0062】本実施形態においては、図からも明らかな
ように、レンズ成分L2を露光光が3回通過することに
なる。特に、ウエハ9側の屈折面RSbの透過に際して
は、光束が絞られている。仮に、レンズ成分L2の表面
及び裏面の透過面である屈折面RSa、RSbに吸収率
の大きい反射防止コートが施されているとするならば、
屈折面RSaの反射防止コートによる吸収は一回通過の
場合に比較して3倍となり、さらに屈折面RSbでは比
較的高い面密度で発熱が起きる。
【0063】これを防止するため、本実施形態では、屈
折部材であるレンズ成分L2の両屈折面RSa、RSb
にMgF2の単層コートのみを施すことによって、両屈
折面RSa、RSbでの吸収を最低限に抑えている。但
し、両屈折面RSa、RSbに単層コートを施すと、意
図しない反射光によってフレアーの発生量がやや大きく
なるので、主鏡M1と副鏡M2の間に遮光板83を配置
してフレアーの集中を避けている。このような遮光板8
3は、主鏡M1や副鏡M2で反射されることなく直進す
る露光光を遮るために光軸上に必要となる中心遮蔽部材
としても機能する。 (第4実施形態)以下、本発明の第4実施形態に係る投
影露光装置を説明する。本実施形態の露光装置も、第1
実施形態の投影露光装置の変形例である。
【0064】図6は、第4実施形態の投影露光装置に組
み込まれている投影光学系8の構造を説明する図であ
る。投影光学系8は、マスク3の中間像を形成するため
の屈折型の第1結像光学系K1と、前記中間像からの光
に基づいてマスク3の最終像を縮小倍率でウエハ9上に
形成するための反射屈折型の第2結像光学系K2と、第
1及び第2結像光学系K1、2を位置決めして保持する
鏡筒85とを備えている。そして、第1結像光学系K1
は、マスク3側から順に、正屈折力の第1レンズ群G1
と、開口絞りSと、正屈折力の第2レンズ群G2とを有
し、第2結像光学系K2は、マスク3側から順に、ウエ
ハ9側に凹面を向けた表面反射面R1を有し且つ中央に
開口部APを有する主鏡M1と、屈折部材であるレンズ
成分L2と、そのウエハ9側のレンズ面上に設けられ且
つ中央に開口部APを有する反射面R2を備えた副鏡M
2とから構成されている。なお、副鏡M2とレンズ成分
L2とは裏面反射鏡を構成している。
【0065】図6の投影光学系において、第1レンズ群
G1は、マスク側から順に、マスク側に非球面形状の凹
面を向けた正メニスカスレンズL11と、マスク側に非球
面形状の凸面を向けた正メニスカスレンズL12と、マス
ク側に非球面形状の凹面を向けた負メニスカスレンズL
13と、マスク側に非球面形状の凸面を向けた正メニスカ
スレンズL14とから構成されている。
【0066】また、第2レンズ群G2は、マスク側から
順に、マスク側に非球面形状の凹面を向けた負メニスカ
スレンズL21と、マスク側に非球面形状の凹面を向けた
正メニスカスレンズL22と、マスク側の面が非球面形状
に形成された両凸レンズL23と、ウエハ側の面が非球面
形状に形成された両凸レンズL24とから構成されてい
る。
【0067】さらに、裏面反射鏡(M2、L2)の屈折
部を構成するレンズ成分L2は、マスク側に非球面形状
の凹面を向けた両凹レンズ状に形成されている。また、
副鏡M2の反射面R2は、マスク側に凸面を向けた形状
に形成されている。
【0068】ここで、各レンズL11〜L13、L21〜L24
は、上記第1〜第3実施形態の場合と同様に、螢石で形
成されている。また、レンズ成分L2も螢石で作製され
ている。さらに、主鏡M1はチタン製であり、鏡筒85
は、ステンレス製である。
【0069】次の表1に、第4実施形態の投影露光装置
の投影光学系の諸元の値を掲げる。表1において、λは
露光光の中心波長を、βは投影倍率を、NAは像側開口
数を、φはウエハ上でのイメージサークルの直径をそれ
ぞれ表している。また、面番号は物体面であるマスク面
から像面であるウエハ面への光線の進行する方向に沿っ
たマスク側からの面の順序を、rは各面の曲率半径(非
球面の場合には頂点曲率半径:mm)を、dは各面の軸
上間隔すなわち面間隔(mm)を、nは中心波長に対す
る屈折率をそれぞれ示している。
【0070】なお、面間隔dは、反射される度にその符
号を変えるものとする。したがって、面間隔dの符号
は、裏面反射面R2から表面反射面R1までの光路中で
は負とし、その他の光路中では正としている。そして、
光線の入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の
曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【0071】また、非球面は、光軸に垂直な方向の高さ
をyとし、非球面の頂点における接平面から高さyにお
ける非球面上の位置までの光軸に沿った距離(サグ量)
をzとし、頂点曲率半径をrとし、円錐係数をκとし、
n次の非球面係数をCn としたとき、以下の数式(a)
で表される。
【0072】 z=(y2/r)/〔1+{1−(1+κ)・y2/r21/2〕 +C4・y4+C6・y6+C8・y8+C10・y10 +C12・y12+C14・y14 …(a) なお、非球面形状に形成されたレンズ面には面番号の右
側に*印を付している。
【0073】
【表1】 (主要諸元) λ=157.6nm β=0.2500 NA=0.75 φ=26.4mm (光学部材諸元) 面番号 r d n (マスク面) 90.0000 1* -1040.1889 16.8787 1.5600000(レンズL11) 2 -284.5252 441.0860 3* 248.9993 31.6042 1.5600000(レンズL12) 4 1868.1161 86.0264 5* -256.4757 15.0000 1.5600000(レンズL13) 6 -1079.5886 1.0001 7* 160.4237 39.0505 1.5600000(レンズL14) 8 1268.4783 3.7000 9 ∞ 70.0471 (開口絞りS) 10* -129.2757 15.0000 1.5600000(レンズL21) 11 -277.5549 78.6066 12* -1494.7189 45.0000 1.5600000(レンズL22) 13 -238.2212 91.8347 14* 365.9254 18.9298 1.5600000(レンズL23) 15 -701.6534 129.1513 16 4243.7172 16.9695 1.5600000(レンズL24) 17* -216.4772 290.1728 18* -2125.3388 59.9425 1.5600000(レンズ成分L2) 19 5996.9618 -59.9425 1.5600000(裏面反射面R2) 20* -2125.3388 -230.3293 21 350.1412 230.3293 1.5600000(表面反射面R1) 22* -2125.3388 59.9425 1.5600000(レンズ成分L2) 23 5996.9618 10.0000 (ウエハ面) (非球面データ) r κ C4 1面 -1040.1889 0.00000 8.50114×10-96810 9.40854×10-14 3.85092×10-18 -5.46679×10-221214 0.00000 0.0000 0 r κ C4 3面 248.9993 0.00000 -1.42904×10-106810 6.60616×10-14 3.65786×10-18 -1.09842×10-221214 4.97484×10-27 0.00000 r κ C4 5面 -256.4757 0.00000 5.80903×10-96810 1.21604×10-13 1.20391×10-17 1.45440×10-221214 6.87071×10-27 0.00000 r κ C4 7面 160.4237 0.00000 -6.83384×10-96810 5.93636×10-13 6.46685×10-18 5.93586×10-221214 9.08641×10-26 0.00000 r κ C4 10面 -129.2757 0.00000 -1.19158×10-86810 5.20234×10-12 1.68410×10-16 6.16591×10-211214 -3.28458×10-25 0.00000 r κ C4 12面 -1494.7189 0.00000 3.04547×10-86810 -2.21766×10-12 1.10527×10-16 -3.25713×10-211214 1.29445×10-25 0.00000 r κ C4 14面 365.9254 0.00000 -3.76800×10-86810 1.05958×10-13 -2.08225×10-17 1.53887×10-211214 -1.62147×10-25 0.00000 r κ C4 17面 -216.4772 0.00000 1.07160×10-86810 -1.20868×10-13 -2.81385×10-18 2.81683×10-211214 0.00000 0.00000 r κ C4 18面 -2125.3388 91.723346 5.77862×10-10 20面 C6810 22面 -2.56941×10-14 1.81191×10-18 -4.17947×10-231214 1.10317×10-27 -1.11337×10-32 以下では、レンズ成分L2に生じる不均一な温度分布を
回避する手段について説明する。レンズ成分L2と副鏡
M2とからなる裏面反射鏡においては、透過光束と反射
光束が存在し、透過光束は開口部APを境として内側の
光軸部分を通り、反射光束は開口部APを境として外側
を通る。この場合、透過光の面密度が反射光の面密度よ
り著しく大きくなると、透過光が吸収される光軸付近の
温度のみが上がって、屈折率むらが生じ好ましくない。
これを防止するためには、透過面における透過光の面密
度が反射面における反射光の面密度より著しく大きくな
らないように設定すればよい。
【0074】ここで、レンズ成分L2の反射面R2に入
射するときの有効半径をφ1、吸収率をS1とし、開口部
APに対応する透過面に入射するときの有効半径をφ
2、吸収率S2とする。さらに、反射直前にレンズ成分L
2に入射する全エネルギー量をE1とし、その入射面が
ほぼ円形であるとすると、反射面R2に発生する熱の面
密度DRは、 DR=E1×S1/π(φ12−φ22) となる。また、開口部APに対応する透過面に発生する
熱の面密度DTは、透過直前にレンズ成分L2に入射す
る全エネルギー量をE2として DT=E2×S2/πφ22 となる。ここで、途中の吸収によって若干の差はあるも
ののE1≒E2と考えることができるので、開口部APに
対応する透過面における発熱の面密度DTが、反射面R
2における発熱の面密度DRよりも著しく大きくならな
い条件をDT<3DRとして、 S2/φ22<3S1/(φ12−φ22) (1) の関係が満たされるならば、反射面R2と開口部APの
透過面とにおける面平均発熱量が同程度となり、レンズ
成分L2に不均一な温度分布が発生することを防止でき
る。
【0075】上記実施例の光学系では、反射面R2の有
効半径φ1は125mm、開口部APの有効半径φ2は2
6mmである。また、反射時の吸収率S1は10%、透
過時の吸収率は1%である。よって、反射面に関する3
S1/(φ12−φ22)=1/49830となり、透過面
に関するS2/φ22=1/67600となって、上記関
係式(1)を満たしている。
【0076】次に、レンズ成分L2等を含む投影光学系
8全体に生じる温度上昇が結像状態に与える影響を低減
する手段について説明する。
【0077】投影光学系8全体の温度が変化した場合、
投影光学系8を構成する要素すべてが同一の比率で膨張
若しくは伸縮すれば、結像位置のずれは生じても投影光
学系8としての結像特性は変化しなくなる。具体的に
は、投影光学系8を組み立てている鏡筒85の熱膨張率
(dL/L)/dTをαとするとき、少なくとも1個乃
至全ての光学要素、特に反射鏡を形成する材料の膨張率
βが α/3<β<3α,α≒β (2) を満たすならば、温度変化による収差変動が比較的小さ
くなるものと考えられる。
【0078】一般に、投影光学系全体が温度変化する場
合、屈折部材を保持する鏡筒自体が膨張する影響、屈折
部材の温度変化によって屈折率が変化する影響、及び屈
折部材が膨張して、形状が変化する影響が考えられる。
そのため、屈折光学系では、これらの要素が組み合わさ
って収差が発生する。しかし、本実施形態のような反射
屈折光学系では、反射面が倍率を決めている場合が多
い。このような光学系では、屈折部材の影響が反射面に
比べて小さくなり、温度変化の影響が大部分において反
射面と鏡筒とによって決まる。このような場合、鏡筒材
料と反射鏡材料との膨張率が近ければ、全体に温度変化
したとしても投影光学系は全体に拡大するだけになり、
物***置や像位置さえ調整すれば、収差はほとんど発生
しないことになる。ただし、鏡筒材料自体は強度の強い
物が望ましいので材料は限られている。
【0079】以上の考察から、上記条件式(2)を満た
すように、主鏡M1(好ましくは主鏡M1及びレンズ成
分L2)を構成する材料の膨張率が鏡筒85を構成する
材料の膨張率と近くなるように材料を選択すれば、温度
による収差変動は少なくなる。なお、上記条件(2)を
満たさない場合、反射部材と鏡筒部材の膨張率差が大き
く異なるため、温度に変化に伴ってより大きな収差が発
生する。
【0080】なお、より望ましくは、反射鏡を形成する
材料の膨張率βが α/2<β<2,α≒β (3) の条件式をみたせば、いっそう温度変動は少なくなり好
ましい。
【0081】上記実施形態の光学系では、鏡筒85はス
テンレス鋼でできており、その線膨張率は14.7pp
m/Kである。一方、主鏡M1はチタンでできており、
反射用にアルミ膜が蒸着されている。ここで、チタンの
線膨張率は8.6ppm/Kであり、上記条件式(2)
を満たしている。これによって、投影光学系8全体が温
度変化した場合であっても、発生する収差変動を少なく
できる。なお、裏面反射鏡を構成するレンズ成分L2は
螢石であり、その線膨張率は19ppm/K)であり、
これも条件式(2)を満たしているが、この実施例の投
影光学系8では殆ど主鏡M1によって倍率が決まってい
るので、レンズ成分L2の温度変化の影響は主鏡M1の
場合に比較して小さい。
【0082】さて、上述の第1〜第4実施形態の投影露
光装置は、以下の手法により製造することができる。
【0083】まず、180nmよりも短い中心波長の照
明光によってマスク3上のパターンを照明するための照
明光学系2を準備する。具体的には、例えば中心波長が
157.6nmのF2レーザ光を用いてマスクパターン
を照明する照明光学系2を準備する。このとき、照明光
学系2は、所定の半値全幅以内のスペクトル幅の照明光
を供給するように構成される。
【0084】次いで、マスク上のパターンの像を感光性
基板上の感光面に結像するための投影光学系8を準備す
る。投影光学系8を準備することは、複数の屈折性光学
素子や反射鏡などを準備して、これら複数の屈折性光学
素子などを組み上げることを含むものである。そして、
これらの照明光学系2および投影光学系8を前述の機能
を達成するように電気的、機械的または光学的に連結す
ることにより、各実施形態にかかる投影露光装置を製造
することができる。
【0085】また、上述の各実施形態では、投影光学系
を構成する屈折性の光学部材の材料として螢石すなわち
CaF2(フッ化カルシウム)を使用しているが、この
CaF2に加えて、あるいはCaF2に代えて、例えばフ
ッ化バリウム、フッ化リチウム、およびフッ化マグネシ
ウムなどのフッ化物の結晶材料やフッ素がドープされた
石英を使用してもよい。ただし、マスクを照明する照明
光において十分な狭帯化が可能であるならば、投影光学
系は単一種類の光学材料で構成することが好ましい。さ
らに、投影光学系の製造のし易さや製造コストを考える
と、投影光学系はCaF2のみで構成されることが好ま
しい。なお、線膨張計数を考慮した上で屈折性の光学部
材の材料を選択することもできる。
【0086】さらに、上述の各実施形態では、光源1と
してF2レーザを用い、狭帯化装置によりそのスペクト
ル幅を狭帯化しているが、その代わりに、157nmに
発振スペクトルを持つYAGレーザなどの固体レーザの
高調波を用いるようにしても良い。また、DFB半導体
レーザまたはファイバーレーザから発振される赤外域ま
たは可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム
(またはエルビウムとイッテルビウムとの両方)がドー
プされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を
用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。な
お、単一波長発振レーザとしては、例えばイッテルビウ
ム・ドープ・ファイバーレーザを用いる。
【0087】このように、レーザ光源からの高調波を使
用する場合には、この高調波自体が十分に狭帯化された
スペクトル幅(例えば0.01pm程度)であるので、
上述の各実施形態の光源1の代わりに用いることができ
る。
【0088】さて、本発明は、ウエハ上の1つのショッ
ト領域へマスクパターン像を一括的に転写した後に、投
影光学系8の光軸と直交する面内でウエハを逐次二次元
的に移動させて次のショット領域にマスクパターン像を
一括的に転写する工程を繰り返すステップ・アンド・リ
ピート方式(一括露光方式)や、ウエハの各ショット領
域への露光時にマスクとウエハとを投影光学系8に対し
て投影倍率βを速度比として同期走査するステップ・ア
ンド・スキャン方式(走査露光方式)の双方に適用する
ことができる。なお、ステップ・アンド・スキャン方式
では、スリット状(細長い矩形状)の露光領域内で良好
な結像特性が得られればよいため、投影光学系8を大型
化することなく、ウエハ上のより広いショット領域に露
光を行うことができる。
【0089】次に、上記第1〜第4実施形態の投影露光
装置を用いてステップ・アンド・スキャン方式でウエハ
上に所定の回路パターンを形成する際の動作の一例につ
き図7のフローチャートを参照して説明する。先ず、図
7のステップS1において、1ロットのウエハ上に金属
膜が蒸着される。ステップS2において、その1ロット
のウエハ9上の金属膜状にフォトレジストが塗布され
る。その後、ステップS3において、第1〜第4実施形
態の投影光学系8を備えた図1の投影露光装置を用い
て、レチクル3上のパターンの像がその投影光学系8を
介して、その1ロットのウエハ9上の各ショット領域に
順次露光転写される。そして、ステップS4において、
その1ロットのウエハ9上のフォトレジストの現像が行
われた後、ステップS5において、その1ロットのウエ
ハ9上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを
行うことによって、レチクルR上のパターンに対応する
回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成さ
れる。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等
を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造さ
れる。
【0090】ところで、上述の各実施形態では、半導体
素子の製造に用いられる投影露光装置に本発明を適用し
ている。しかしながら、半導体素子の製造に用いられる
露光装置だけでなく、液晶表示素子などを含むディスプ
レイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプ
レート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に
用いられる、デバイスパターンをセラミックウエハ上に
転写する露光装置、撮像素子(CCDなど)の製造に用
いられる露光装置などにも本発明を適用することができ
る。また、レチクルまたはマスクを製造するためにガラ
ス基板またはシリコンウエハなどに回路パターンを転写
する露光装置にも、本発明を適用することができる。 (第5実施形態)以下、本発明の第5実施形態に係る投
影露光装置を説明する。
【0091】図8は、第5実施形態の投影露光装置を概
略的に示す。この投影露光装置は、軟X線領域の放射光
(EUV光)を露光光として用い、投影光学系として反
射面のみからなる反射光学系を用いている。
【0092】図8において、床F上のクリーンルーム内
に、例えば13nmの放射光を供給するEUV光源を含
む照明系40と、レチクルRを保持するレチクルステー
ジ系50と、レチクルRの像をウエハW上に縮小投影す
る投影光学系60と、ウエハWを保持するウエハステー
ジ系70とを有する投影露光装置が設置されている。
【0093】この投影露光装置を支持するために、床F
上にコラム30A、30B及びコラム31が固定されて
いる。両コラム30A、30Bの上部は、天井板30C
によって連結されている。照明系40は、コラム31に
よって支持されている。コラム30A、30Bの上部に
接続された天井板30Cは、図示なきレチクルステージ
ベースを支持し、このレチクルステージベースには、レ
チクルステージ系50が図中X方向に沿って移動可能と
なるように載置されている。
【0094】また、コラム30A及び30Bの中央下寄
りに接続された支持板32は、中央に開口部を有する。
投影光学系60は、支持板32の開口部内に、投影光学
系60の鏡筒61に設けられたフランジ61aを介して
支持されている。
【0095】ウエハステージ系70を載置しているウエ
ハ定盤71は、腕72A、72Bを介して支持板32に
接続されている。ウエハステージ系70も、図中X方向
に沿って移動可能となっている。
【0096】投影光学系60は、光軸AXに沿って配置
された4枚のミラーM51〜M54を有し、これら各ミ
ラーM51〜M54は、ミラー保持部材62A〜62D
にそれぞれ保持されている。そして、各ミラーM51〜
M54の光軸AX方向の位置決めを行うために、各ミラ
ー保持部材62A〜62Dの間隔を決定するためのスペ
ーサ63A〜63Eが設けられている。鏡筒61の内部
においては、ミラー保持部材62A〜62Dとスペーサ
63A〜63Eとが交互に積み重ねられている。
【0097】投影露光装置の全体の動作について説明す
る。照明系40からのEUV光は、レチクルステージ系
50によって走査されるレチクルRに入射する。レチク
ルRからの反射光は、投影光学系60に入射し、ミラー
M51〜M54を経てウエハWに入射して、レチクルR
の縮小像がウエハWに投影される。この際、ウエハステ
ージ系70もレチクルRの走査に同期して走査され、走
査露光が可能になる。
【0098】本実施形態において、各ミラーM51〜M
54は、例えばベリリウムで形成されており、鏡筒6
1、ミラー保持部材62A〜62D、及びスペーサ63
A〜63Eは、例えば真鍮で形成されている。
【0099】また、レチクルステージ系50を支持する
ことによって間接的にレチクルRの光軸AX方向での位
置決めを行っており、かつウエハステージ系70を支持
することによって間接的にウエハWの光軸AX方向の位
置決めを行っているコラム30A、30B、天井板30
C、支持板32、及び腕72A、72Bは、例えばステ
ンレスで形成されている。
【0100】ここで、ミラーM51〜M54の材料であ
るベリリウムの線膨張率は、11.3ppm/Kであ
る。また、ミラーM51〜M54の光軸AX方向の位置
決めを行うための鏡筒61等の部材の材料である真鍮の
線膨張率は、17.5ppm/Kである。さらに、レチ
クルRやウエハWの光軸AX方向の位置決めを行うため
のコラム30A、30B等の部材の材料であるステンレ
スの線膨張率は、14.7ppm/Kである。
【0101】つまり、ミラーM51〜M54の材質と鏡
筒61等の材質とは異なるが、第4実施形態で説明した
条件式(2)、(3)を満たすものとなっており、温度
変化に伴う収差変動を低減できる。
【0102】また、レチクルRやウエハWの位置決めを
行うコラム30A、30B等に関しても、条件式
(2)、(3)を満たすものとなっている。これによ
り、レチクルステージ系50やウエハステージ系70に
よって物像間距離を移動せずとも、温度変化による収差
変動を簡易に低減できる。
【0103】以上の説明では、ミラーM51〜M54の
材質と、鏡筒61等の材質と、コラム30A、30B等
の材質とがすべて条件式(2)、(3)を満足するもの
として説明したが、ミラーM51〜M54の材料と、こ
れらミラーM51〜M54の光軸AX方向の位置決めを
行うための鏡筒61等の部材の材料とについては、条件
式(2)、(3)を満足しないものとすることもでき
る。この場合、ミラーM51〜M54の温度変動を検出
する温度センサを投影光学系60内に設け、この温度セ
ンサの出力データに基づいてレチクルステージ系50や
ウエハステージ系70のうち少なくとも一方を駆動し、
物像間距離を収差変動が低減できる距離に変更する。こ
の構成によっても、温度変化による収差変動を低減でき
る。
【0104】(第6実施形態)図9は、第6実施形態に
係る投影露光装置の投影光学系の裏面鏡(M2,L2)
の周辺を拡大した図である。第6実施形態では、裏面鏡
(M2,L2)の反射面と裏側に、3mm離れて、裏面
鏡(M2,L2)の形状にほぼ沿って伝熱部材Hが配さ
れている。なお、伝熱部材Hの曲率と裏面鏡(M2,L
2)の反射面の曲率とが完全に一致する必要はなく、全
面で裏面鏡(M2,L2)と伝熱部材Hとの距離が30
mm以内であれば良い。裏面鏡(M2,L2)は本実施
形態では157nmの露光光を用いているので螢石で形
成されている。伝熱部材Hは熱伝導率の良いもの、例え
ば、真鍮、アルミ合金、チタン合金等が好ましく、本実
施形態では、真鍮が用いられている。該伝熱部材Hはさ
らに不図示のボディー等の熱伝導率が良く熱容量の大き
い部材に接続されており、伝熱部材自体の温度も上がら
ないように構成されている。また、裏面鏡(M2,L
2)と伝熱部材Hとの間は熱伝導の良い気体、例えばヘ
リウム(He)で満たされていることが好ましい。
【0105】(第7実施形態)図10は、第7実施形態
に係る投影露光装置の投影光学系の反射鏡M1の周辺を
拡大した図である。第7実施形態では、反射鏡M1の裏
側に、5mm離れて、反射鏡M1の形状にほぼ沿って伝
熱部材Hが配されている。なお、伝熱部材Hの曲率と裏
面鏡M1の反射面の曲率とが完全に一致する必要はな
く、全面で反射鏡M1と伝熱部材Hの距離が30mm以
内であれば良い。本実施形態の露光光は157nmであ
り、反射鏡の材料としては反射膜との相性からBK7が
用いられている。伝熱部材Hとしては熱伝導率の良いも
のが好ましく、本実施形態ではステンレスが用いられて
いる。該伝熱部材Hはさらに不図示の強制冷却手段、例
えば水冷クーラー等に接続され、伝熱部材自体の温度も
上がらないように構成されている。また、裏面鏡M1と
伝熱部材Hとの間は純度の高い窒素で満たされている。
【0106】(第8実施形態)図11は、本発明の第8
実施形態に係る投影露光装置の全体的な概略図である。
この第8実施形態は、第1実施形態の変形例である。図
11において、投影光学系は、投影原板としてのレチク
ルR上のパターンの中間像を形成する反射屈折型の第1
結像光学系K1と、第1結像光学系K1による中間像の
像をワークとしてのウェハW上に再結像させる屈折型の
第2結像光学系K2とを有している。
【0107】レチクルRと第1結像光学系K1との間の
光路中には、光路を90°だけ偏向させるための光路折
り曲げ用の反射鏡M1が配置されており、第1結像光学
系K1と第2結像光学系K2との間の光路中、すなわち
中間像の近傍には、光路を90°だけ偏向させるための
光路折り曲げ用の反射鏡M2が配置されている。これら
の反射鏡M1,M2は、光路折り曲げ部材91上に設け
られている。
【0108】また、第1結像光学系K1は、光軸Ax2
に沿って配置された複数のレンズ成分と凹面反射鏡CM
とを有しており、ほぼ等倍またはやや縮小倍率のもとで
中間像を形成する。第2結像光学系K2は、光軸Ax2
と直交する光軸Ax3上に沿って配置された複数のレン
ズ成分及びコヒーレンスファクタを制御するための可変
開口絞りASを有しており、中間像からの光に基づいて
縮小倍率のもとで中間像の像、すなわち2次像を形成す
る。
【0109】第1結像光学系K1の光軸Ax2は光路折
り曲げ用反射鏡M1によって90°折り曲げられて、レ
チクルRと反射鏡M1との間に光軸Ax1を定義してい
る。本実施形態では、光軸Ax1と光軸Ax3とは互い
に平行であるが、一致はしていない。
【0110】なお、第8実施形態の投影光学系において
は、光軸Ax1に沿って単数または複数のレンズ成分を
配置しても良い。また、光軸Ax1と光軸Ax3とを互
いに一致するように配置しても良い。また、光軸Ax1
と光軸Ax2とのなす角度を90°とは異なる角度、好
ましくは凹面反射鏡CMを反時計回りに回転させた角度
としても良い。このとき、反射鏡M2での光軸の折り曲
げ角度を、レチクルRとウェハWとが平行となるように
設定することが好ましい。
【0111】第8実施形態においては、放熱板92が凹
面鏡CMの裏面側に取り付けられており、放熱部材91
上に上記反射鏡M1,M2が取り付けられている。凹面
鏡CM及び反射鏡M1,M2により発生する熱は、放熱
部材91及び放熱板92を介して逃がすことが可能であ
る。これにより、凹面鏡CM及び反射鏡M1,M2の熱
変形等が減少し、高精度な露光が可能となる。
【0112】(第9実施形態)図12は、本発明の第9
実施形態に係る投影露光装置の全体的な概略図である。
この第9実施形態は、第1実施形態の変形例である。
【0113】図12において、投影光学系は、投影原板
としてのレチクルR上のパターンの中間像を形成する反
射屈折型の第1結像光学系K1と、第1結像光学系K1
による中間像の像をワークとしてのウェハW上に再結像
させる屈折型の第2結像光学系K2とを有している。こ
こで、第1結像光学系K1と第2結像光学系との間の光
路中には、光路を90°だけ偏向させるための光路折り
曲げ用の反射面を備えた光路折り曲げ部材(反射鏡)M
1と、光路を90°だけ偏向させるための光路折り曲げ
用の反射面を備えた光路折り曲げ部材(反射鏡)M2と
が配置されている。
【0114】第1結像光学系K1は、光軸Ax1に沿っ
て配置された複数のレンズ成分及び凹面鏡CMを有して
おり、ほぼ等倍あるいはやや縮小倍率でレチクルRの中
間像を第1光路折り曲げ鏡としての反射鏡1の近傍に形
成する。第2結像光学系は、光軸Ax3にそって配置さ
れた複数のレンズ成分を有しており、中間像からの光に
基づいて、中間像の像(2次像)をウェハW上に縮小倍
率で形成する。ここで、反射鏡M1及び反射鏡M2が互
いに直交するような角度で配置されているため、第1及
び第2結像光学系K1,K2の光軸Ax1,Ax3は互
いに平行となり、レチクルRとウェハWとも互いに平行
となる。
【0115】なお、第9実施形態において、光路折り曲
げ用の反射鏡M1,M2の間の光路中に、単数あるいは
複数のレンズ成分を光軸Ax2に沿って配置しても良
い。
【0116】第9実施形態においては、放熱板92が反
射鏡M1,M2のそれぞれに取り付けられており、反射
鏡M1,M2により発生する熱は、放熱板92を介して
逃がすことが可能である。これにより、反射鏡M1,M
2の熱変形等が減少し、高精度な露光が可能となる。
【0117】(第10実施形態)図13は、本発明の第
10実施形態に係る投影露光装置の全体的な概略図であ
る。この第10実施形態は、第6実施形態の変形例であ
る。
【0118】図13において、投影光学系は、投影原板
としてのレチクルR上のパターンの中間像を形成する屈
折型の第1結像光学系K1と、第1結像光学系K1によ
る中間像の像(2次像)を再結像する反射屈折型の第2
結像光学系K2と、第2結像光学系K2による2次像を
ワークとしてのウェハW上に再結像させる屈折型の第3
結像光学系K3とを有している。ここで、第1結像光学
系K1と第2結像光学系K2との間の光路中には、光路
を90°だけ偏向させるための光路折り曲げ用の反射鏡
M1が配置されており、第2結像光学系K2と第3結像
光学系K3との間の光路中には、光路を90°だけ偏向
させるための光路折り曲げ用の反射鏡M2が配置されて
いる。
【0119】ここで、反射鏡M1,M2の裏面から30
mm以内の位置に放熱部材91が配置されており、これ
ら反射鏡M1,M2及び放熱部材91の間の空間には、
ヘリウムガスが所定の流速・流量のもとで流されてい
る。
【0120】また、第1結像光学系K1は、光軸Ax1
に沿って配置された複数のレンズ成分を有しており、約
1/1.5倍〜1/3程度の縮小倍率のもとで中間像を
形成する。第2結像光学系K2は、光軸Ax2に沿って
配置された単数または複数のレンズ成分と凹面鏡CMと
を有しており、ほぼ等倍のもとで、第1結像光学系によ
る中間像の像(2次像)を形成する。
【0121】ここで、凹面鏡CMの裏面から30mm以
内の位置に放熱板92が配置されており、これら反射鏡
CM及び放熱板92の間の空間には、ヘリウムガスが所
定の流速・流量のもとで流されている。
【0122】そして、第3結像光学系K3は、光軸Ax
3に沿って配置された複数のレンズ成分を有しており、
約1/1.5倍〜1/3程度の縮小倍率のもとで、第1
及び第2結像光学系K1,K2による2次像の像(3次
像)をウエハW上に形成する。
【0123】第10実施形態では、光軸Ax1と光軸A
x3とは互いに一致しているが、光軸Ax1と光軸Ax
3とは互いに平行且つ不一致であっても良く、また、光
軸Ax2は、光軸Ax1またはAx3に対して直交して
無くとも良い。
【0124】第10実施形態においては、反射鏡M1,
M2と放熱部材91との空間及び凹面鏡CMと放熱板9
2との空間中に熱伝導率の良い気体としてのヘリウムガ
スが満たされているため、反射鏡M1,M2及び凹面鏡
CMにより発生する熱は、ヘリウムガスを介して放熱部
材91及び放熱板92へ逃がすことが可能である。これ
により、反射鏡M1,M2及び凹面鏡CMの熱変形等が
減少し、高精度な露光が可能となる。
【0125】なお、上記第8〜第10実施形態におい
て、放熱部材91及び放熱板92に第2実施形態のクー
ラー82を取り付けても良い。
【0126】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る第1の投影露光装置によれば、前記反射面を含む
部材よりも熱伝導率が大きい材料を含む伝熱部材が、前
記反射面を含む部材の前記反射面の有効反射領域外に接
して配置されるので、露光光の入射によって反射面で発
生した熱を簡易に前記反射面を含む部材外部に発散させ
ることができる。よって、前記反射面を含む部材内部へ
の熱の蓄積を防止することができ、収差変動を低減した
高精度の露光が可能となる。
【0127】また、第2の投影露光装置によれば、前記
第1及び第2反射面の間に配置される屈折部材では、第
1及び第2反射面の間では、露光光が多重に通過する。
この際、前記第1及び第2反射面の間に配置される屈折
部材の少なくとも一面は、コートが施されていないか、
若しくは3層以下のコートが施されているかのいずれか
であるので、屈折部材の透過面における吸収を最小限に
抑えることができる。これにより、屈折部材への熱の蓄
積を防止することができ、収差変動を低減した高精度の
露光が可能となる。
【0128】また、第3の投影露光装置によれば、第1
面から出射した露光光は、第2光透過部を経て第1反射
面に入射し、第1反射面で反射されされた後に第2反射
面でさらに反射され、第1光透過部を経て第2面に導か
れる。この際、第1反射面又は第2反射面において上記
条件式(1)が満たされるので、反射面と透過面とにお
ける露光光の吸収、すなわち発熱量がある程度均衡す
る。よって、透過部材が局所的に加熱されて不均一な収
差変動が発生することを防止でき、高精度の露光が可能
となる。
【0129】また、第4の投影露光装置によれば、反射
鏡を形成する材料のうち少なくとも1つの材料の膨張率
βが上記条件式(2)を満たすので、反射鏡と鏡筒の膨
張率を略一致させた状態とできる。つまり、反射鏡で発
生する熱によって焦点距離が変化してもこれに合わせて
鏡筒のサイズが変化するので、投影光学系の結像状態の
変動を抑えることができ、高精度の露光が可能となる。
【0130】また、本発明の投影露光方法によれば、上
記第1〜4の投影露光装置を用いるので、投影光学系の
収差変動や結像状態の変動を抑えることができ、高精度
の露光が可能となる。また、第5の投影露光装置によれ
ば、反射面を含む光学部材で発生する熱を、所定の気体
を介して伝熱部材へ逃がすことが可能となるので、反射
面を含む光学部材の熱変形を減少させることができ、高
精度の露光が可能となる。また、本発明の投影露光方法
によれば、上記第5の投影露光装置を用いるので、投影
光学系の収差変動や結像状態の変動を抑えることがで
き、高精度の露光が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る投影露光装置の全
体構成を概略的に示す図である。
【図2】第1実施形態に係る投影露光装置の投影光学系
を示す。
【図3】第2実施形態に係る投影露光装置の投影光学系
を示す。
【図4】図3の投影光学系の要部を説明する図である。
【図5】第3実施形態に係る投影露光装置の投影光学系
を示す。
【図6】第4実施形態に係る投影露光装置の投影光学系
を示す。
【図7】第1〜第4実施形態にかかる投影露光装置を用
いて所定の回路パターンを形成する場合の動作の一例を
示すフローチャートである。
【図8】第5実施形態に係る投影露光装置の投影光学系
を示す。
【図9】第6実施形態に係る投影露光装置の投影光学系
の要部を示す図である。
【図10】第7実施形態に係る投影露光装置の投影光学
系の要部を示す図である。
【図11】第8実施形態に係る投影露光装置の全体的な
概略図である。
【図12】第9実施形態に係る投影露光装置の全体的な
概略図である。
【図13】第10実施形態に係る投影露光装置の全体的
な概略図である。
【符号の説明】
1 光源 2 照明光学系 3 マスク 8 投影光学系 9 ウエハ 61 鏡筒 62A〜62D ミラー保持部材 81 放熱板 82 クーラー 83 遮光板 85 鏡筒 H 伝熱部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 17/08 H01L 21/30 515D G03F 7/22 G02B 7/18 Z H01L 21/30 517

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1面の像を第2面に結像させる反射屈
    折光学系を備える投影露光装置であって、 前記反射屈折光学系は、反射面を含む部材を有し、 前記反射面を含む部材よりも熱伝導率が大きい材料を含
    み、かつ前記反射面を含む部材に接して配置される伝熱
    部材を備えることを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記伝熱部材は、前記反射面を含む部材
    の前記反射面の有効反射領域外に接していることを特徴
    とする請求項1記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】 前記伝熱部材に接続された強制冷却手段
    をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2記載の
    投影露光装置。
  4. 【請求項4】 前記反射面を含む部材は、屈折面を含む
    部材であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一
    項記載の投影露光装置。
  5. 【請求項5】 前記反射屈折光学系は、前記反射面とし
    て対向して配置される第1及び第2反射面を有し、前記
    第1及び第2反射面は、中央部に光束を少なくとも一部
    透過させることが可能である第1及び第2光透過部をそ
    れぞれ有し、前記第1及び第2反射面の少なくとも一方
    は、前記反射面を含む部材に含まれることを特徴とする
    請求項1乃至4の何れか一項記載の投影露光装置。
  6. 【請求項6】 第1面の像を第2面に結像させる反射屈
    折光学系を備える投影露光装置であって、 前記反射屈折光学系は、対向して配置される第1及び第
    2反射面と、前記第1及び第2反射面の間に配置される
    屈折部材とを有し、 前記屈折部材の少なくとも一面は、コートが施されてい
    ないか、若しくは3層以下のコートが施されているかの
    いずれかであることを特徴とする投影露光装置。
  7. 【請求項7】 前記第1及び第2反射面の少なくとも一
    方は、正のパワーを有し、前記第1及び第2反射面は、
    中央部に光束を少なくとも一部透過させることが可能で
    ある第1及び第2光透過部をそれぞれ有し、前記第1及
    び第2光透過部の間の空間の一部分に前記反射屈折光学
    系に入射した光束を吸収する遮光板を有することを特徴
    とする請求項6記載の投影露光装置。
  8. 【請求項8】 第1面の像を第2面に結像させる反射屈
    折光学系を備える投影露光装置であって、 反射屈折光学系は、第1及び第2反射面を有し、該第1
    及び第2反射面の少なくとも一方は正のパワーを有し、
    前記第1及び第2反射面は、中央部に光束を少なくとも
    一部透過させることが可能である第1及び第2光透過部
    をそれぞれ有し、 前記第1及び第2反射面の少なくとも一方は、透過部材
    の端面に形成されており、 前記透過部材の端面に形成された反射面に入射させる際
    の有効径をφ1、吸収率をS1とし、前記透過部材の端面
    に形成された反射面と接する透過面に入射させる際の有
    効径をφ2、吸収率S2とするとき、 S2/φ22<3S1/(φ12−φ22) の条件を満たすことを特徴とする投影露光装置。
  9. 【請求項9】 第1面の像を第2面に結像させる投影光
    学系を備える投影露光装置であって、 前記投影光学系は、少なくとも1つの反射鏡を有し、 前記投影光学系の鏡筒の熱膨張率(dL/L)/dTを
    αとするとき、前記反射鏡を形成する材料のうち少なく
    とも1つの材料の膨張率βが α/3<β<3α,α≠β の条件を満たすことを特徴とする投影露光装置。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至9の何れか一項に記載の
    投影露光装置を用いた投影露光方法であって、 照明光を生成する工程と、 所定のパターンが形成されマスクを前記第1面上に配置
    して前記照明光により照明する工程と、 前記反射屈折光学系を用いて、前記第1面上に配置した
    前記マスクの前記所定のパターンの像を前記第2面上に
    配置した感光性基板上へ投影する工程と、を含むことを
    特徴とする投影露光方法。
  11. 【請求項11】 第1面の像を第2面に結像させる投影
    光学系を備える投影露光装置であって、 前記投影光学系は、反射面を持つ反射型光学部材または
    反射面を含む屈折型光学部材を有し、 前記反射面で光が反射する方向と反対側の位置であって
    且つ前記光学部材から30mm以内の位置に前記光学部
    材に沿って配置された伝熱部材を備え、 該伝熱部材と前記反射面との間の少なくとも一部は、所
    定の気体で満たされていることを特徴とする投影露光装
    置。
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