JP2002359174A - 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造の露光工程における重ね合わせ精
度を、経時的な変動を考慮して管理する。 【解決手段】 露光工程においては、第１の露光装置と
第２の露光装置とを用いて、１枚のウェハに予め定めら
れたパターンが露光される。１枚のウェハに露光された
パターンの間にずれが発生する。露光工程管理装置は、
露光処理された日時と、ずれ量とを記憶する検査データ
記憶部３２と、第１の期間に処理されたウェハのずれ量
の分散値と、第２の期間の処理されたウェハのずれ量の
分散値とが、互いに等しいか否かを判断して、ずれ量の
分散値が互いに等しくないと、露光工程におけるずれ量
が変動したことを表示部４０に表示させる精度変動検出
部２２とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、複数の露光工程におけるパターンの重ね合
わせ精度を向上させる技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
製造装置自体の自動化と、製造に関する情報の統括的管
理とにより、生産の最適化を図る生産管理システムが構
築されている。

【０００３】このような半導体装置の露光工程におい
て、近年、微細加工化、半導体チップの大面積化などか
ら、多種多様な露光方式が用いられている。複数の露光
工程毎に最適な露光方式が採用され、工程に応じて異な
る種類の露光装置が用いられる。このような場合、以下
のような問題がある。

【０００４】露光装置のレンズには、各々固有のディス
トーションと呼ばれる歪みがある。これにより転写され
るパターンの位置精度は、設計上転写される位置からの
ずれを生じる。同一の露光装置でパターンを重ね合わせ
る場合、重ね合わせられるパターンと重ね合わせるパタ
ーンとの関係においては、各々の同一の歪みを持ってい
るために、相対的にずれが生じない。異なった露光装置
でパターンを重ね合わせる場合、２台の異なった露光装
置はそれぞれの固有のディストーションを持っているた
め、パターンの重ね合わせには、２台の組合せによる相
対的な歪みが生じる。この相対的なディストーションの
ずれをディストーション変動という。

【０００５】特開２０００−１１４１３２号公報は、こ
のような問題点に対して、ディストーション変動を考慮
して、露光パターンの重ね合わせ精度を自動的に判定
し、半導体装置の生産効率を向上させる、生産支援シス
テムを開示する。

【０００６】この生産支援システムは、 複数の露光工
程に配置された複数の露光装置の中から、すべての露光
装置の組合せにおけるレンズディストーション変動を記
憶する記憶部と、露光工程における検査規格を記憶する
検査規格記憶部と、重ね合わせ精度検査装置から、重ね
合わせ精度検査装置が計測した重ね合わせずれ量の実測
値を受信する受信部と、２つの露光装置間におけるレン
ズディストーション変動を読出して、読出されたレンズ
ディストーション変動と、受信した重ね合わせずれ量の
実測値とに基づいて、真の重ね合わせ精度のずれ量と算
出する演算部と、算出された真の重ね合わせ精度のずれ
量と検査規格とに基づいて、合否判定を行なう判定部と
を含む。

【０００７】このシステムによると、記憶部は、予め実
験により測定された、すべてのレンズの組合せにおける
レンズディストーション変動を記憶する。算出部は、記
憶された２つの露光装置間のレンズディストーション変
動と、重ね合わせ精度検査装置により重ね合わせのずれ
量の実測値とに基づいて、真の重ね合わせ精度のずれ量
を算出する。判定部は、算出された真の重ね合わせ精度
と、露光工程の重ね合わせ精度の規格とを比較して、重
ね合わせ精度の規格内であるか否かを判断する。これに
より、異なる露光装置を用いて露光パターンを処理した
場合でも、２つのレンズディストーションに起因する誤
差要因を考慮して、真の重ね合わせ精度のずれ量を算出
できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このシ
ステムでは、レンズディストーション変動のような、予
め実験により測定された重ね合わせ精度の変動要因が考
慮されるにすぎない。このシステムでは、露光装置を構
成する部品の劣化等の装置に起因する精度の悪化、およ
び重ね合わせ工程で成膜される下地膜の形状の変化など
に起因する精度の変化を検出できない。

【０００９】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであって、経時的な変動を考慮して半導体製
造の露光工程における重ね合わせ精度を分析でき、変動
の要因を分析できる、露光工程管理システム、露光工程
管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る露光工
程管理システムは、半導体ウェハの露光工程を管理する
システムである。露光工程において、第１の露光装置と
第２の露光装置とを用いて、１枚のウェハに予め定めら
れたパターンが露光される。第１の露光装置により露光
されたパターンと、第２の露光装置により露光されたパ
ターンとの間には、ずれが発生する。露光工程におい
て、ずれ量を予め定められた範囲に収めるように管理さ
れる。露光工程管理システムは、露光工程が処理された
日時と、露光工程におけるずれ量を記憶するための記憶
手段と、記憶手段に接続され、第１の期間に処理された
ウェハに対する、複数のずれ量を含む集合と、第２の期
間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集
合とに基づいて、各集合におけるずれ量の分散が、２つ
の集合において互いに等しいか否かを判断するための判
断手段と、判断手段に接続され、ずれ量の分散が互いに
等しくないと、露光工程におけるずれ量が変動したこと
を検知するための検知手段と、検知手段に接続され、検
知手段による検知結果を出力するための出力手段とを含
む。

【００１１】第１の発明によると、判断手段は、第１の
期間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含む
集合、および第２の期間に処理されたウェハに対する、
複数のずれ量を含む集合におけるずれ量の分散が、２つ
の集合において互いに等しいか否かを判断する。検知手
段は、ずれ量の分散が互いに等しくないと、露光工程に
おけるずれ量が変動したことを検知する。これにより、
経時的な要因により、ずれ量の分散が変動すると、出力
手段からずれ量が変動したことが出力される。その結
果、統計的手法を用いて、経時的な変動を考慮して半導
体製造の露光工程における重ね合わせ精度を分析でき
る、露光工程管理システムを提供することができる。

【００１２】第２の発明に係る露光工程管理システム
は、第１の発明の構成に加えて、判断手段は、第１の期
間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集
合の分散値と、第２の期間に処理されたウェハに対す
る、複数のずれ量を含む集合の分散値との比率が、予め
定められた値以上であるか否かにより、各集合における
ずれ量の分散値が、２つの集合において互いに等しいか
否かを判断するための手段を含む。

【００１３】第２の発明によると、判断手段は、第１の
期間に処理されたずれ量を含む集合の分散値と、第２の
期間に処理されたずれ量を含む集合の分散値との比率
が、予め定められた値以上であると、各集合におけるず
れ量の分散値が、２つの集合において互いに等しくない
と判断する。第１の期間に比べて、第２の期間における
ずれ量の分散傾向が変動すると、ずれ量が変動したこと
を検知する。

【００１４】第３の発明に係る露光工程管理システム
は、半導体ウェハの露光工程を管理するシステムであ
る。露光工程管理システムは、露光工程におけるずれ量
を記憶するための記憶手段と、記憶手段に接続され、ウ
ェハに対する、複数のずれ量を含む集合におけるずれ量
の分散を算出するための算出手段と、テストウェハを用
いて測定された、第１の露光装置および第２の露光装置
における、ウェハの停止のずれ量を表わす複数のデータ
を記憶するための停止精度記憶手段と、停止精度記憶手
段に接続され、データの標準偏差を算出するための標準
偏差算出手段と、算出手段と標準偏差算出手段とに接続
され、分散と標準偏差とに基づいて、露光工程における
ずれの要因を分析するための分析手段とを含む。

【００１５】第３の発明によると、算出手段は、ウェハ
に対する、複数のずれ量を含む集合におけるずれ量の分
散を算出する。標準偏差算出手段は、テストウェハを用
いて測定された、第１の露光装置および第２の露光装置
における、ウェハの停止のずれ量を表わす複数のデータ
の標準偏差を算出する。分析手段は、分散と標準偏差と
に基づいて、露光工程におけるずれの要因を分析する。
これにより、標準偏差を分散と比較できる値に換算し
て、その換算値と分散とに基づいて、装置要因のずれ量
の分布を分析できる。その結果、半導体製造の露光工程
における重ね合わせ精度の変動の要因を分析できる、露
光工程管理システムを提供することができる。

【００１６】第４の発明に係る露光工程管理システム
は、第３の発明の構成に加えて、算出手段は、複数のず
れ量を含む集合におけるずれ量の分散値を算出するため
の手段を含む。分析手段は、分散値と標準偏差に基づく
値との比率に基づいて、装置に起因するずれの割合を分
析するための手段を含む。

【００１７】第４の発明によると、分散値と標準偏差に
基づく値との比率に基づいて、装置に起因するずれの割
合を分析できる。これにより、管理者は、露光装置に起
因する要因と、これ以外の要因である、成膜された下地
膜の形状の変化などのプロセスに起因する要因などとの
比率を特定できる。

【００１８】第５の発明に係る露光工程管理システム
は、第１〜第４のいずれかの発明の構成に加えて、記憶
手段に接続され、記憶手段に記憶された露光工程におけ
るずれ量に基づいて、ウェハを複数の領域に分割して、
露光時の位置決め補正を指示するための指示手段をさら
に含む。

【００１９】第５の発明によると、ウェハ面を複数の領
域に分割して補正することにより、重ね合わせによる非
線型な変形が存在しても、より残留誤差（ウェハ内の複
数箇所のずれ量と、検査装置で測定されたずれ量から計
算される線形型な変形によるずれ量との差）を少なくで
きる。

【００２０】第６の発明に係る露光工程管理システム
は、第１〜第４の発明の構成に加えて、記憶手段に接続
され、記憶手段に記憶された露光工程におけるずれ量の
差に基づいて、第１の露光装置と第２の露光装置とを組
合せて、露光時の位置決め補正を指示するための指示手
段をさらに含む。

【００２１】第６の発明によると、ずれ量の差が予め定
められた値よりも小さい（露光装置のレンズの特性が似
ていて、互いにずれ量が近い）露光装置を組合せて管理
ができる。

【００２２】第７の発明に係る露光工程管理方法は、半
導体ウェハの露光工程を管理する方法である。露光工程
管理方法は、露光工程が処理された日時と、露光工程に
おけるずれ量を記憶する記憶ステップと、第１の期間に
処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集合
と、第２の期間に処理されたウェハに対する、複数のず
れ量を含む集合とに基づいて、各集合におけるずれ量の
分散が、２つの集合において互いに等しいか否かを判断
する判断ステップと、ずれ量の分散が互いに等しくない
と、露光工程におけるずれ量が変動したことを検知する
検知ステップと、検知ステップにて検知された結果を出
力する出力ステップとを含む。

【００２３】第７の発明によると、判断ステップは、第
１の期間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量を
含む集合、および第２の期間に処理されたウェハに対す
る、複数のずれ量を含む集合におけるずれ量の分散が、
２つの集合において互いに等しいか否かを判断する。検
知ステップは、ずれ量の分散が互いに等しくないと、露
光工程におけるずれ量が変動したことを検知する。これ
により、経時的な要因により、ずれ量の分散が変動する
と、出力ステップにてずれ量が変動したことが出力され
る。その結果、統計的手法を用いて、経時的な変動を考
慮して半導体製造の露光工程における重ね合わせ精度を
分析できる、露光工程管理方法を提供することができ
る。

【００２４】第８の発明に係る露光工程管理方法は、第
７の発明の構成に加えて、判断ステップは、第１の期間
に処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集合
の分散値と、第２の期間に処理されたウェハに対する、
複数のずれ量を含む集合の分散値との比率が、予め定め
られた値以上であるか否かにより、各集合におけるずれ
量の分散値が、２つの集合において互いに等しいか否か
を判断するステップを含む。

【００２５】第８の発明によると、判断ステップは、第
１の期間に処理されたずれ量を含む集合の分散値と、第
２の期間に処理されたずれ量を含む集合の分散値との比
率が、予め定められた値以上であると、各集合における
ずれ量の分散値が、２つの集合において互いに等しくな
いと判断する。第１の期間に比べて、第２の期間におけ
るずれ量の分散傾向が変動すると、ずれ量が変動したこ
とを検知する。

【００２６】第９の発明に係る露光工程管理方法は、半
導体ウェハの露光工程を管理する方法である。露光工程
管理方法は、露光工程におけるずれ量を記憶する記憶ス
テップと、ウェハに対する、複数のずれ量を含む集合に
おけるずれ量の分散を算出する算出ステップと、テスト
ウェハを用いて測定された、第１の露光装置および第２
の露光装置における、ウェハの停止のずれ量を表わす複
数のデータを記憶する停止精度記憶ステップと、停止精
度記憶ステップにて記憶されたデータの標準偏差を算出
する標準偏差算出ステップと、分散と標準偏差とに基づ
いて、露光工程におけるずれの要因を分析する分析ステ
ップとを含む。

【００２７】第９の発明によると、算出ステップは、ウ
ェハに対する、複数のずれ量を含む集合におけるずれ量
の分散を算出する。標準偏差算出ステップは、テストウ
ェハを用いて測定された、第１の露光装置および第２の
露光装置における、ウェハの停止のずれ量を表わす複数
のデータの標準偏差を算出する。分析ステップは、分散
と標準偏差とに基づいて、露光工程におけるずれの要因
を分析する。これにより、標準偏差を分散と比較できる
値に換算して、その換算値と分散とに基づいて、装置容
易のずれ量の分布を分析できる。その結果、半導体製造
の露光工程における重ね合わせ精度の変動の要因を分析
できる、露光工程管理方法を提供することができる。

【００２８】第１０の発明に係る露光工程管理方法は、
第９の発明の構成に加えて、算出ステップは、複数のず
れ量を含む集合におけるずれ量の分散値を算出するステ
ップを含む。分析ステップは、分散値と標準偏差に基づ
く値との比率に基づいて、装置に起因するずれの割合を
分析するステップを含む。

【００２９】第１０の発明によると、分散値と標準偏差
に基づく値との比率に基づいて、装置に起因するずれの
割合を分析できる。これにより、管理者は、露光装置に
起因する要因と、これ以外の要因である、成膜された下
地膜の形状の変化などのプロセスに起因する要因などと
の比率を特定できる。

【００３０】第１１の発明に係る露光工程管理方法は、
第７〜第１０のいずれかの発明の構成に加えて、記憶ス
テップにて記憶された露光工程におけるずれ量に基づい
て、ウェハを複数の領域に分割して、露光時の位置決め
補正を指示する指示ステップをさらに含む。

【００３１】第１１の発明によると、ウェハ面を複数の
領域に分割して補正することにより、重ね合わせによる
非線型な変形が存在しても、より残留誤差を少なくでき
る、露光工程管理方法を提供することができる。

【００３２】第１２の発明に係る露光工程管理方法は、
第７〜第１０のいずれかの発明の構成に加えて、記憶ス
テップにて記憶された露光工程におけるずれ量の差に基
づいて、第１の露光装置と第２の露光装置とを組合せ
て、露光時の位置決め補正を指示する指示ステップをさ
らに含む。

【００３３】第１２の発明によると、ずれ量の差が予め
定められた値よりも小さい（露光装置のレンズの特性が
似ていて、互いにずれ量が近い）露光装置を組合せて管
理ができる、露光工程管理方法を提供することができ
る。

【００３４】第１３の発明に係るプログラムは、半導体
ウェハの露光工程を管理するためのプログラムである。
プログラムは、コンピュータに、露光工程が処理された
日時と、露光工程におけるずれ量を記憶する記憶手順
と、第１の期間に処理されたウェハに対する、複数のず
れ量を含む集合と、第２の期間に処理されたウェハに対
する、複数のずれ量を含む集合とに基づいて、各集合に
おけるずれ量の分散が、２つの集合において互いに等し
いか否かを判断する判断手順と、ずれ量の分散が互いに
等しくないと、露光工程におけるずれ量が変動したこと
を検知する検知手順と、検知手順による検知結果を出力
する出力手順とを実行させる。

【００３５】第１３の発明によると、判断手順は、第１
の期間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含
む集合、および第２の期間に処理されたウェハに対す
る、複数のずれ量を含む集合におけるずれ量の分散が、
２つの集合において互いに等しいか否かを判断する。検
知手順は、ずれ量の分散が互いに等しくないと、露光工
程におけるずれ量が変動したことを検知する。これによ
り、経時的な要因により、ずれ量の分散が変動すると、
出力手順にてずれ量が変動したことが出力される。その
結果、統計的手法を用いて、経時的な変動を考慮して半
導体製造の露光工程における重ね合わせ精度を分析でき
る、露光工程を管理するためのプログラムを提供するこ
とができる。

【００３６】第１４の発明に係るプログラムは、第１３
の発明の構成に加えて、判断手順は、第１の期間に処理
されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集合の分散
値と、第２の期間に処理されたウェハに対する、複数の
ずれ量を含む集合の分散値との比率が、予め定められた
値以上であるか否かにより、各集合におけるずれ量の分
散値が、２つの集合において互いに等しいか否かを判断
する手順を含む。

【００３７】第１４の発明によると、判断手順は、第１
の期間に処理されたずれ量を含む集合の分散値と、第２
の期間に処理されたずれ量を含む集合の分散値との比率
が、予め定められた値以上であると、各集合におけるず
れ量の分散値が、２つの集合において互いに等しくない
と判断する。第１の期間に比べて、第２の期間における
ずれ量の分散傾向が変動すると、ずれ量が変動したこと
を検知する。

【００３８】第１５の発明に係るプログラムは、半導体
ウェハの露光工程を管理するためのプログラムである。
プログラムは、コンピュータに、露光工程におけるずれ
量を記憶する記憶手順と、ウェハに対する、複数のずれ
量を含む集合におけるずれ量の分散を算出する算出手順
と、テストウェハを用いて測定された、第１の露光装置
および第２の露光装置における、ウェハの停止のずれ量
を表わす複数のデータを記憶する停止精度記憶手順と、
データの標準偏差を算出する標準偏差算出手順と、分散
と標準偏差とに基づいて、露光工程におけるずれの要因
を分析する分析手順とを実行させる。

【００３９】第１５の発明によると、算出手順は、ウェ
ハに対する、複数のずれ量を含む集合におけるずれ量の
分散を算出する。標準偏差算出手順は、テストウェハを
用いて測定された、第１の露光装置および第２の露光装
置における、ウェハの停止のずれ量を表わす複数のデー
タの標準偏差を算出する。分析手順は、分散と標準偏差
とに基づいて、露光工程におけるずれの要因を分析す
る。これにより、標準偏差を分散と比較できる値に換算
して、その換算値と分散とに基づいて、装置容易のずれ
量の分布を分析できる。その結果、半導体製造の露光工
程における重ね合わせ精度の変動の要因を分析できる、
露光工程を管理するためのプログラムを提供することが
できる。

【００４０】第１６の発明に係るプログラムは、第１５
の発明の構成に加えて、算出手順は、複数のずれ量を含
む集合におけるずれ量の分散値を算出する手順を含む。
分析手順は、分散値と標準偏差に基づく値との比率に基
づいて、装置に起因するずれの割合を分析する手順を含
む。

【００４１】第１６の発明によると、分散値と標準偏差
に基づく値との比率に基づいて、装置に起因するずれの
割合を分析できる。これにより、管理者は、露光装置に
起因する要因と、これ以外の要因である、成膜された下
地膜の形状の変化などのプロセスに起因する要因などと
の比率を特定できる。

【００４２】第１７の発明に係るプログラムは、第１３
〜第１６の発明の構成に加えて、コンピュータにさら
に、記憶手順にて記憶された露光工程におけるずれ量に
基づいて、ウェハを複数の領域に分割して、露光時の位
置決め補正を指示する指示手順を実行させる。

【００４３】第１７の発明によると、ウェハ面を複数の
領域に分割して補正することにより、重ね合わせによる
非線型な変形が存在しても、より残留誤差を少なくでき
る、露光工程を管理するためのプログラムを提供するこ
とができる。

【００４４】第１８の発明に係るプログラムは、第１３
〜第１６の発明の構成に加えて、コンピュータにさら
に、記憶手順にて記憶された露光工程におけるずれ量の
差に基づいて、第１の露光装置と第２の露光装置とを組
合せて、露光時の位置決め補正を指示する指示手順を実
行させる。

【００４５】第１８の発明によると、ずれ量の差が予め
定められた値よりも小さい（露光装置のレンズの特性が
似ていて、互いにずれ量が近い）露光装置を組合せて管
理ができる、露光工程を管理するためのプログラムを提
供することができる。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一
の部品には同一の符号を付してある。それらの名称およ
び機能も同じである。したがってそれらについての詳細
な説明は繰返さない。

【００４７】図１を参照して、本実施の形態に係る露光
工程管理装置１０は、この露光工程管理装置１０を制御
する制御部２０と、各種データを記憶するデータ記憶部
３０と、各種データを表示する表示部４０と、ユーザが
指示を入力する入力部５０と、複数の露光装置７０およ
び検査装置８０と通信する通信部６０とを含む。

【００４８】制御部２０は、精度変動検出部２２と、変
動要因推定部２４とを含む。データ記憶部３０は、露光
処理後の検査データを記憶する検査データ記憶部３２
と、テストウェハを用いて測定された露光装置７０の駆
動ステージのずれ量を記憶する保全データ記憶部３４
と、露光工程の処理実績を記憶する処理実績データ記憶
部３６とを含む。

【００４９】精度変動検出部２２は、ユーザにより指定
された露光装置および変動検出対象の２つの期間に基づ
いて、処理実績データ記憶部３６から該当する品種、工
程を検索する。精度変動検出部２２は、検索された品
種、工程に基づいて、検査データ記憶部３２から、該当
する検査データを検索する。精度変動検出部２２は、２
つの期間に含まれるずれ量の分散値を算出する。精度変
動検出部２２は、算出された２つの期間に含まれるずれ
量の分散に対して、等分散検定を行なう。

【００５０】等分散検定について説明する。等分散検定
は、複数のデータをそれぞれ含む２つの集団において、
それぞれの集団の分散が互いに等しいか否かを判別する
ための統計的手法である。それぞれの集団の分散をＶ
１、Ｖ２として、サンプル数をｎ１、ｎ２とする。分散
がお互いに等しいとき、その分散比Ｆ＝（Ｖ１／Ｖ２）
は、自由度（ｎ１−１、 ｎ２−１）のＦ分布に従うこ
とを利用して、それぞれの集団の分散が互いに等しいか
否かを判別する。

【００５１】変動要因推定部２４は、ユーザにより指定
された露光装置に基づいて、処理実績データ記憶部３６
から該当する品種、工程を検索する。変動要因推定部２
４は、検索された品種、工程に基づいて、検査データ記
憶部３２から、該当する検査データを検索する。変動要
因推定部２４は、ずれ量の第１の分散値を算出する。変
動要因推定部２４は、ユーザにより指定された露光装置
に基づいて、保全データ記憶部３４から該当する露光装
置の保全データを検索する。変動要因推定部２４は、検
索された保全データの標準偏差を算出する。変動要因推
定部２４は、算出された標準偏差を、第１の分散値と比
較可能な第２の分散値に換算する。変動要因推定部２４
は、第１の分散値と第２の分散値との比率により、露光
装置が起因するずれの要因の比率を算出する。このよう
にして、変動要因推定部２４は、露光装置に起因する変
動と、それ以外の変動（たとえば、成膜された下地膜の
形状の変化などのプロセスに起因する変動）とを分離で
きる。この分離の根拠は、統計的手法における、分散の
加法性および中心極限定理に基づく。

【００５２】図２を参照して、検査データ記憶部３２に
記憶される検査データについて説明する。図２に示すよ
うに、検査データは、検査対象ロット名、検査対象品種
名、検査対象工程名ごとに、重ね合わせ精度の測定結果
データと、検査規格と、検査日時を含む。重ね合わせ精
度の測定結果データは、たとえばＸ方向のオフセット成
分、スケーリング成分およびウェハ回転成分、Ｙ方向の
オフセット成分、スケーリング成分およびウェハ回転成
分を含む。図３に、ぞれぞれの成分が有する意味を示
す。

【００５３】図３に示す線形成分の算出について説明す
る。線形成分は、重ね合わせのずれ量を、線形成分に分
解することにより算出される。ウェハの複数の箇所でＸ
方向、Ｙ方向のずれ量が測定される。このずれ量と以下
の式とに基づいて、線形成分が算出される。このとき、
以下の式に対して、最小２乗法が用いられる。

【００５４】 ｄｘ＝Ａ＋Ｂｘ―Ｃｙ、ｄｙ＝Ｄ＋Ｅｙ＋Ｆｘ ここで、ｘおよびｙは、ウェハ面内の重ね合わせ精度の
測定箇所の座標である。ｄｘおよびｄｙは、ウェハ内の
座標Ｘ，Ｙでの重ね合わせずれ量である。Ａは、ｘ方向
のオフセット成分である。Ｂは、ｘ方向のスケーリング
成分である。Ｃは、ｘ方向のウェハ回転成分である。Ｄ
は、ｙ方向のオフセット成分である。Ｅは、ｙ方向のス
ケーリング成分である。Ｆは、ｙ方向のウェハ回転成分
である。図３に示す、ローテーションは、（Ｆ＋Ｃ）／
２により算出される。直交度は、（Ｆ−Ｃ）により算出
される。

【００５５】図４を参照して、保全データ記憶部３４に
記憶される保全データについて説明する。図４に示すよ
うに、保全データは、露光装置（号機）ごとに、テスト
ウェハを用いて定期的または非定期的に測定した、ステ
ージ駆動装置の測定結果データと、測定日時と、手入力
保全データとを含む。ステージ駆動装置の測定結果デー
タは、測定数と、たとえばＸ方向のずれ量とＹ方向のず
れ量とを含む。各方向のずれは、平均値と標準偏差とを
含む。

【００５６】図５を参照して、処理実績データ記憶部３
６に記憶される処理実績データについて説明する。図５
に示すように、処理実績データは、露光装置（号機）ご
とに、露光対象ロット名と、露光対象品種名と、露光対
象工程名と、露光条件と、処理日時とを含む。

【００５７】本実施の形態に係る露光工程における管理
機能は、コンピュータにおいて、ＣＰＵ（Central Proc
essing Unit）により所定のプログラムを実行すること
により実現される。

【００５８】図６に、露光工程管理装置１０の一例であ
るコンピュータシステムの外観を示す。図６を参照して
このコンピュータシステムは、ＦＤ（Flexible Disk）
駆動装置１０６およびＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Rea
d Only Memory)駆動装置１０８を備えたコンピュータ１
０２と、モニタ１０４と、キーボード１１０と、マウス
１１２とを含む。

【００５９】図７に、このコンピュータシステムの構成
をブロック図形式で示す。図７に示すように、コンピュ
ータ１０２は、上記したＦＤ駆動装置１０６およびＣＤ
−ＲＯＭ駆動装置１０８に加えて、相互にバスで接続さ
れたＣＰＵ（Central Processing Unit）１２０と、メ
モリ１２２と、固定ディスク１２４と、他のコンピュー
タと通信するための通信インターフェイス１２６とを含
む。ＦＤ駆動装置１０６にはＦＤ１１６が装着される。
ＣＤ−ＲＯＭ駆動装置１０８にはＣＤ−ＲＯＭ１１８が
装着される。これらのＦＤ１１６およびＣＤ−ＲＯＭ１
１８には、ソフトウェアに対応した所定のプログラムが
格納されている。

【００６０】既に述べたように、露光工程を管理する機
能を有する露光工程管理装置１０は、コンピュータハー
ドウェアとＣＰＵ１２０により実行されるソフトウェア
とにより実現される。一般的にこうしたソフトウェア
は、ＦＤ１１６、ＣＤ−ＲＯＭ１１８などの記録媒体に
プログラムとして格納されて流通し、ＦＤ駆動装置１０
６またはＣＤ−ＲＯＭ駆動装置１０８などにより記録媒
体から読取られて固定ディスク１２４に一旦格納され
る。さらに固定ディスク１２４からメモリ１２２に読出
されて、ＣＰＵ１２０により実行される。

【００６１】これらのコンピュータのハードウェア自体
は一般的なものである。コンピュータは、ＣＰＵを含む
制御回路、記憶回路、入力回路、出力回路およびＯＳ
（Operating System）を含み、プログラムを実行する環
境を備えたものである。本発明のプログラムは、このよ
うなコンピュータに、露光工程を管理する機能を実現す
るプログラムである。したがって本発明の最も本質的な
部分は、ＦＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、メモリカード、固定ディ
スクなどの記録媒体に記録されたプログラムである。

【００６２】なお、図６および図７に示したコンピュー
タ自体の動作は周知であるので、ここではその詳細な説
明は繰返さない。なお、図１に示す制御部２０はＣＰＵ
１２０に、データ記憶部３０は固定ディスク１２４に、
表示部４０はモニタ１０４に、入力部５０はキーボード
１１０およびマウス１１２に、通信部６０は通信インタ
ーフェイス１２６に、それぞれ対応する。

【００６３】図８を参照して、本実施の形態に係る露光
工程管理装置で実行されるプログラムは、精度変動検出
処理に関し、以下のような制御構造を有する。

【００６４】ステップ（以下、ステップをＳと略す。）
１００にて、ＣＰＵ１２０は、キーボード１１０および
マウス１１２を用いて、露光工程管理装置のユーザが入
力した、検出対象の露光装置（号機）および変動検出期
間を検知する。Ｓ１１０にて、ＣＰＵ１２０は、処理実
績データ記憶部３６に記憶された処理実績データ（図
５）に基づいて、検出対象の露光装置を用いて処理され
た品種、工程を検索する。

【００６５】Ｓ１２０にて、ＣＰＵ１２０は、検査デー
タ記憶部３２に記憶された検査データ（図２）に基づい
て、検索された品種、工程についての重ね合わせ精度の
測定結果（たとえば、オフセット）を読出す。このとき
露光装置７０において、オフセット成分の補正が行なわ
れた状態で、露光処理がされている場合がある。この場
合、検査データ記憶部３２に記憶された検査データ（図
２）のオフセット量から、露光処理されたときの補正量
を減算した値を用いて、以下の処理が行なわれる。

【００６６】Ｓ１３０にて、ＣＰＵ１２０は、読出した
重ね合わせ精度の測定結果（オフセット）についての分
散値を算出する。Ｓ１４０にて、ＣＰＵ１２０は、算出
された分散値に基づいて、２つの期間における分散比を
算出する。Ｓ１５０にて、ＣＰＵ１２０は、等分散の検
定を行なう。ＣＰＵ１２０は、算出した分散比が予め定
められた値よりも大きいか否かを判断する。分散比が予
め定められた値よりも大きい場合には（Ｓ１５０にてＹ
ＥＳ）、処理はＳ１６０へ移される。もしそうでなけれ
ば（Ｓ１５０にてＮＯ）、処理はＳ１７０へ移される。

【００６７】Ｓ１６０にて、ＣＰＵ１２０は、ずれの変
動に有意差があると判断する。Ｓ１７０にて、ＣＰＵ１
２０は、ずれの変動に有意差がないと判断する。Ｓ１８
０にて、ＣＰＵ１２０は、モニタ１０４に、結果を出力
する。このとき、露光装置（号機）、品種および工程ご
とに、それぞれの期間における分散値と、それぞれの期
間の分散比およびずれの変動の有意差の有無が表示され
る。

【００６８】図９を参照して、本実施の形態に係る露光
工程管理装置で実行されるプログラムは、変動要因推定
処理に関し、以下のような制御構造を有する。

【００６９】Ｓ２００にて、ＣＰＵ１２０は、キーボー
ド１１０およびマウス１１２を用いて、この露光工程管
理装置のユーザが入力した測定対象の露光装置（号機）
を検知する。Ｓ２１０にて、ＣＰＵ１２０は、処理実績
データ記憶部３６に記憶された処理実績データ（図５）
に基づいて、推定対象の露光装置を用いて処理された品
種、工程を検索する。

【００７０】Ｓ２２０にて、ＣＰＵ１２０は、検査デー
タ記憶部３２に記憶された検査データ（図２）に基づい
て、検索された品種、工程についての重ね合わせ精度の
測定結果（たとえば、オフセット量）を読出す。Ｓ２３
０にて、ＣＰＵ１２０は、読出した重ね合わせ精度の測
定結果（オフセット量）についての第１の分散値を算出
する。Ｓ２４０にて、ＣＰＵ１２０は、保全データ記憶
部３４に記憶された、推定対象の露光装置の保全データ
（図４）を読出す。

【００７１】Ｓ２５０にて、ＣＰＵ１２０は、読出した
保全データに含まれる標準偏差を、第１の分散値と比較
できる第２の分散値に換算する。このとき、標準偏差を
σとする。この標準偏差σと、標準偏差σが計算された
測定数ｎとに基づく、[（σ×σ）／ｎ]により第２の分
散値を算出する。これにより、品種、工程ごとの第１の
分散値と比較できる値になる。

【００７２】Ｓ２６０にて、ＣＰＵ１２０は、第１の分
散値と第２の分散値とに基づいて、変動要因を、装置起
因変動分とプロセス起因変動分とに分類する。Ｓ２７０
にて、ＣＰＵ１２０は、モニタ１０４に結果を出力す
る。このとき、露光装置（号機）、品種および工程ごと
に、全変動に対する分散値と、装置変動に起因する分散
値と、プロセス変動に起因する分散値とが表示される。

【００７３】以上のような構造およびフローチャートに
基づく、露光工程管理装置の動作について説明する。

【００７４】［精度変動検出動作］露光工程管理装置の
ユーザが、検出対象の露光装置（号機）および変動検出
期間を入力する（Ｓ１００）。処理実績データ記憶部３
６に記憶された処理実績データ（図５）に基づいて、検
出対象の露光装置を用いて処理された品種、工程が検索
される（Ｓ１１０）。検索された品種、工程について、
検査データ記憶部３２に記憶された検査データ（図２）
の測定結果（オフセット量）が読出される（Ｓ１２
０）。読出された測定結果（オフセット量）についての
分散値が算出される（Ｓ１３０）。このとき、Ｓ１００
にて入力された２つの検出期間のそれぞれについての分
散値が算出される。算出された２つの分散値に基づい
て、２つの期間における分散値の比率（分散比）が算出
される（Ｓ１４０）。分散比が予め定められた値（たと
えば、１．８）よりも大きいと（Ｓ１５０にてＹＥ
Ｓ）、有意差があると判断される（Ｓ１６０）。

【００７５】このようにして精度変動検出動作の結果、
図１１に示す精度変動検出結果がモニタ１０４に表示さ
れる。図１０に示すように、精度変動検出結果は、露光
装置（号機）、品種、工程、期間１、期間２、分散比お
よび有意差を表わすデータを含む。

【００７６】［変動要因推定動作］露光工程管理装置の
ユーザが、測定対象の露光装置（号機）を入力する（Ｓ
２００）。実績処理データ記憶部３６に記憶された実績
処理データ（図５）に基づいて、推定対象の露光装置を
用いて処理された品種、工程が検索される（Ｓ２１
０）。検索された品種、工程について、検査データ記憶
部３２に記憶された検査データ（図２）の測定結果（オ
フセット量）が読出される（Ｓ２２０）。読出された測
定結果（オフセット量）についての第１の分散値が算出
される（Ｓ２３０）。変動要因が推定される対象の露光
装置についての保全データが保全データ記憶部３４から
読出される（Ｓ２４０）。読出された保全データに含ま
れる標準偏差が、第１の分散値と比較できる第２の分散
値に換算される（Ｓ２５０）。第１の分散値と第２の分
散値とに基づいて、装置起因変動分とプロセス変動起因
分とに、変動要因が分類される（Ｓ２６０）。

【００７７】このようにして、変動要因推定動作により
推定された結果が、図１１に示すようにモニタ１０４に
表示される（Ｓ２７０）。図１１に示すように、推定結
果は、号機、品種、工程、全変動量、装置変動量および
プロセス変動量を表わすデータを含む。これにより、ユ
ーザは、ずれ量の変動のうち、装置変動に起因する変動
量およびプロセスに起因する変動量を把握することがで
き、ずれ量の変動に対する早急な処置を行なうことがで
きる。

【００７８】以上のようにして、本実施の形態に係る露
光工程管理装置は、露光工程における複数の露光装置に
おいて測定されたずれ量に基づいて、経時的なずれ量の
変動を把握することができる。また、測定されたずれ量
の変動が、装置に起因する変動分と、プロセスに起因す
る変動分とを分けて推定することができる。その結果、
半導体装置の露光工程において、経時的なずれ量の変動
を考慮して、露光工程における重ね合わせ精度を分析で
き、変動の要因を分析できる、露光工程管理システムを
提供することができる。

【００７９】＜第１の変形例＞上述の実施の形態の第１
の変形例について説明する。この変形例は、制御部２０
に、補正指示部２６をさらに含む。

【００８０】補正指示部２６は、検査データ記憶部３２
から、ユーザにより指定されたずれ量を検索する。補正
指示部２６は、検索されたずれ量に基づいて、露光装置
７０に対する露光時の位置決め補正を、ウェハ面を複数
に分割して行なう。

【００８１】補正指示部２６は、検査装置８０で測定さ
れたウェハ内の複数箇所のずれ量を、図３に示す線形成
分に分解し、露光装置７０に対して各成分毎に露光時の
位置補正を行なう。このとき、図１２に示すように、ウ
ェハ面を２つの領域１０００、１０１０に分割して、そ
れぞれの領域における複数の測定箇所のずれ量を測定す
る。測定されたずれ量から線形成分を算出する。算出さ
れた線形成分を用いて各領域毎に、それぞれの領域で複
数の測定箇所のずれ量を計算する。これにより、ずれ量
に非線型な変形がある場合でも、ウェハ面を分割しない
補正に比較して、残留誤差（ウェハ内の複数箇所のずれ
量と、検査装置８０により測定されたずれ量との差）が
少なくなる。

【００８２】＜第２の変形例＞上述の実施の形態の第２
の変形例について説明する。この変形例は、制御部２０
に、補正区分設定部２８をさらに含む。

【００８３】補正区分設定部２８は、検査データ記憶部
３２から、ユーザにより指定されたずれ量を検索する。
補正区分設定部２８は、異なる２以上の品種、工程であ
って、互いのずれ量の差が予め定められた値よりも小さ
い集合を、１つの補正グループに設定する。補正区分設
定部２８は、そのグループ単位で露光装置に対する露光
時の位置決め補正を行なうように、指示を出力する。

【００８４】補正区分設定部２８は、検査データ記憶部
３２から、露光装置、品種、工程毎に記憶されたずれ量
（たとえば、Ｘ、Ｙ方向のオフセット量）を読出す。露
光処理において、オフセット成分の補正が行なわれてい
る場合、検査データ格納部３２から読出したオフセット
量から、露光処理されたときの補正量を減算した値を用
いて、以下の処理が行なわれる。補正区分設定部２８
は、読出したずれ量（Ｘ、Ｙ方向のオフセット量）の平
均値を計算する。補正区分設定部２８は、図１３に示す
相関図を作成する。図１３を参照して、横軸をＸ方向の
オフセット量、縦軸をＹ方向のオフセット量とする相関
図の各点は、品種、工程毎のずれ量である。補正区分設
定部２８は、各点の距離を計算し、予め定められた値よ
り小さい品種、工程を組合せる。このようにして、補正
区分設定部２８は、露光装置７０に対して位置決め補正
のグループ１１００、１１１０、１１２０を設定する。
補正区分設定部２８は、設定されたグループに従って、
補正を指示する。なお、補正区分判定部２８は、各点の
距離を計算し、予め定められた値より小さい品種、工程
を組み合せる機能に加えて、ユーザがグループを設定で
きる機能を有してもよい。

【００８５】このようにすると、最適な品種、工程を１
つのグループとして、補正を設定することができる。

【００８６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本実施の形態に係る露光工程管理装置の制御
ブロック図である。

【図２】 検査データ記憶部に記憶される検査データを
示す図である。

【図３】 ウェハの重ね合わせ時におけるずれの形態を
示す図である。

【図４】 保全データ記憶部に記憶される保全データを
示す図である。

【図５】 処理実績データ記憶部に記憶される処理実績
データを示す図である。

【図６】 図１に示す露光工程管理装置を実現するコン
ピュータの外観図である。

【図７】 図６に示すコンピュータの制御ブロック図で
ある。

【図８】 露光工程管理装置で実行される精度変動検出
処理のフローチャートを示す図である。

【図９】 露光工程管理装置で実行される変動要因推定
処理のフローチャートを示す図である。

【図１０】 表示部４０の表示例（その１）を示す図で
ある。

【図１１】 表示部４０の表示例（その２）を示す図で
ある。

【図１２】 ウェハの領域分割例を示す図である。

【図１３】 ずれ量の分布を表わす図である。

【符号の説明】

１０ 露光工程管理装置、２０ 制御部、３０ データ
記憶部、４０ 表示部、５０ 入力部、６０ 通信部、
７０ 露光装置、８０ 検査装置、１００ サーバ、１
０２ コンピュータ、１０４ モニタ、１０６ ＦＤ駆
動装置、１０８ＣＤ−ＲＯＭ駆動装置、１１０ キーボ
ード、１１２ マウス、１１６ ＦＤ、１１８ ＣＤ−
ＲＯＭ、１２０ ＣＰＵ、１２２ メモリ、１２４ 固
定ディスク、１２６ 通信インターフェイス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武内 景治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 赤見 豊 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 中川 平 香川県仲多度郡多度津町若葉町12番56号 四国計測工業株式会社内 (72)発明者 石場 輝昭 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 DA13 FC03 FC10

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハの露光工程を管理するシス
   テムであって、前記露光工程において、第１の露光装置
   と第２の露光装置とを用いて、１枚のウェハに予め定め
   られたパターンが露光され、前記第１の露光装置により
   露光されたパターンと、前記第２の露光装置により露光
   されたパターンとの間には、ずれが発生し、前記露光工
   程において、ずれ量を予め定められた範囲に収めるよう
   に管理され、 前記システムは、 前記露光工程が処理された日時と、前記露光工程におけ
   るずれ量を記憶するための記憶手段と、 前記記憶手段に接続され、第１の期間に処理されたウェ
   ハに対する、複数のずれ量を含む集合と、第２の期間に
   処理されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集合と
   に基づいて、各前記集合におけるずれ量の分散が、前記
   ２つの集合において互いに等しいか否かを判断するため
   の判断手段と、 前記判断手段に接続され、前記ずれ量の分散が互いに等
   しくないと、前記露光工程におけるずれ量が変動したこ
   とを検知するための検知手段と、 前記検知手段に接続され、前記検知手段による検知結果
   を出力するための出力手段とを含む、露光工程管理シス
   テム。
2. 【請求項２】 前記判断手段は、第１の期間に処理され
   たウェハに対する、複数のずれ量を含む集合の分散値
   と、第２の期間に処理されたウェハに対する、複数のず
   れ量を含む集合の分散値との比率が、予め定められた値
   以上であるか否かにより、各前記集合におけるずれ量の
   分散値が、前記２つの集合において互いに等しいか否か
   を判断するための手段を含む、請求項１に記載の露光工
   程管理システム。
3. 【請求項３】 半導体ウェハの露光工程を管理するシス
   テムであって、前記露光工程において、第１の露光装置
   と第２の露光装置とを用いて、１枚のウェハに予め定め
   られたパターンが露光され、前記第１の露光装置により
   露光されたパターンと、前記第２の露光装置により露光
   されたパターンとの間には、複数の要因に基づくずれが
   発生し、前記露光工程において、ずれ量を予め定められ
   た範囲に収めるように管理され、 前記システムは、 前記露光工程におけるずれ量を記憶するための記憶手段
   と、 前記記憶手段に接続され、前記ウェハに対する、複数の
   ずれ量を含む集合におけるずれ量の分散を算出するため
   の算出手段と、 テストウェハを用いて測定された、前記第１の露光装置
   および前記第２の露光装置における、ウェハの停止のず
   れ量を表わす複数のデータを記憶するための停止精度記
   憶手段と、 前記停止精度記憶手段に接続され、前記データの標準偏
   差を算出するための標準偏差算出手段と、 前記算出手段と前記標準偏差算出手段とに接続され、前
   記分散と前記標準偏差とに基づいて、前記露光工程にお
   けるずれの要因を分析するための分析手段とを含む、露
   光工程管理システム。
4. 【請求項４】 前記算出手段は、複数のずれ量を含む集
   合におけるずれ量の分散値を算出するための手段を含
   み、 前記分析手段は、前記分散値と前記標準偏差に基づく値
   との比率に基づいて、装置に起因するずれの割合を分析
   するための手段を含む、請求項３に記載の露光工程管理
   システム。
5. 【請求項５】 前記露光工程管理システムは、 前記記憶手段に接続され、前記記憶手段に記憶された露
   光工程におけるずれ量に基づいて、前記ウェハを複数の
   領域に分割して、露光時の位置決め補正を指示するため
   の指示手段をさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記
   載の露光工程管理システム。
6. 【請求項６】 前記露光工程管理システムは、 前記記憶手段に接続され、前記記憶手段に記憶された露
   光工程におけるずれ量の差に基づいて、前記第１の露光
   装置と前記第２の露光装置とを組合せて、露光時の位置
   決め補正を指示するための指示手段をさらに含む、請求
   項１〜４のいずれかに記載の露光工程管理システム。
7. 【請求項７】 半導体ウェハの露光工程を管理する方法
   であって、前記露光工程において、第１の露光装置と第
   ２の露光装置とを用いて、１枚のウェハに予め定められ
   たパターンが露光され、前記第１の露光装置により露光
   されたパターンと、前記第２の露光装置により露光され
   たパターンとの間には、ずれが発生し、前記露光工程に
   おいて、ずれ量を予め定められた範囲に収めるように管
   理され、 露光工程管理方法は、 前記露光工程が処理された日時と、前記露光工程におけ
   るずれ量を記憶する記憶ステップと、 第１の期間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量
   を含む集合と、第２の期間に処理されたウェハに対す
   る、複数のずれ量を含む集合とに基づいて、各前記集合
   におけるずれ量の分散が、前記２つの集合において互い
   に等しいか否かを判断する判断ステップと、 前記ずれ量の分散が互いに等しくないと、前記露光工程
   におけるずれ量が変動したことを検知する検知ステップ
   と、 前記検知ステップにて検知された結果を出力する出力ス
   テップとを含む、露光工程管理方法。
8. 【請求項８】 前記判断ステップは、第１の期間に処理
   されたウェハに対する、複数のずれ量を含む集合の分散
   値と、第２の期間に処理されたウェハに対する、複数の
   ずれ量を含む集合の分散値との比率が、予め定められた
   値以上であるか否かにより、各前記集合におけるずれ量
   の分散値が、前記２つの集合において互いに等しいか否
   かを判断するステップを含む、請求項７に記載の露光工
   程管理方法。
9. 【請求項９】 半導体ウェハの露光工程を管理する方法
   であって、前記露光工程において、第１の露光装置と第
   ２の露光装置とを用いて、１枚のウェハに予め定められ
   たパターンが露光され、前記第１の露光装置により露光
   されたパターンと、前記第２の露光装置により露光され
   たパターンとの間には、複数の要因に基づくずれが発生
   し、前記露光工程において、ずれ量を予め定められた範
   囲に収めるように管理され、 露光工程管理方法は、 前記露光工程におけるずれ量を記憶する記憶ステップ
   と、 前記ウェハに対する、複数のずれ量を含む集合における
   ずれ量の分散を算出する算出ステップと、 テストウェハを用いて測定された、前記第１の露光装置
   および前記第２の露光装置における、ウェハの停止のず
   れ量を表わす複数のデータを記憶する停止精度記憶ステ
   ップと、 前記停止精度記憶ステップにて記憶された前記データの
   標準偏差を算出する標準偏差算出ステップと、 前記分散と前記標準偏差とに基づいて、前記露光工程に
   おけるずれの要因を分析する分析ステップとを含む、露
   光工程管理方法。
10. 【請求項１０】 前記算出ステップは、複数のずれ量を
    含む集合におけるずれ量の分散値を算出するステップを
    含み、 前記分析ステップは、前記分散値と前記標準偏差に基づ
    く値との比率に基づいて、装置に起因するずれの割合を
    分析するステップを含む、請求項９に記載の露光工程管
    理方法。
11. 【請求項１１】 前記露光工程管理方法は、 前記記憶ステップにて記憶された露光工程におけるずれ
    量に基づいて、前記ウェハを複数の領域に分割して、露
    光時の位置決め補正を指示する指示ステップをさらに含
    む、請求項７〜１０のいずれかに記載の露光工程管理方
    法。
12. 【請求項１２】 前記露光工程管理方法は、前記記憶ス
    テップにて記憶された露光工程におけるずれ量の差に基
    づいて、前記第１の露光装置と前記第２の露光装置とを
    組合せて、露光時の位置決め補正を指示する指示ステッ
    プをさらに含む、請求項７〜１０のいずれかに記載の露
    光工程管理方法。
13. 【請求項１３】 半導体ウェハの露光工程を管理するた
    めのプログラムであって、前記露光工程において、第１
    の露光装置と第２の露光装置とを用いて、１枚のウェハ
    に予め定められたパターンが露光され、前記第１の露光
    装置により露光されたパターンと、前記第２の露光装置
    により露光されたパターンとの間には、ずれが発生し、
    前記露光工程において、ずれ量を予め定められた範囲に
    収めるように管理され、 前記プログラムは、コンピュータに、 前記露光工程が処理された日時と、前記露光工程におけ
    るずれ量を記憶する記憶手順と、 第１の期間に処理されたウェハに対する、複数のずれ量
    を含む集合と、第２の期間に処理されたウェハに対す
    る、複数のずれ量を含む集合とに基づいて、各前記集合
    におけるずれ量の分散が、前記２つの集合において互い
    に等しいか否かを判断する判断手順と、 前記ずれ量の分散が互いに等しくないと、前記露光工程
    におけるずれ量が変動したことを検知する検知手順と、 前記検知手順による検知結果を出力する出力手順とを実
    行させる、プログラム。
14. 【請求項１４】 前記判断手順は、第１の期間に処理さ
    れたウェハに対する、複数のずれ量を含む集合の分散値
    と、第２の期間に処理されたウェハに対する、複数のず
    れ量を含む集合の分散値との比率が、予め定められた値
    以上であるか否かにより、各前記集合におけるずれ量の
    分散値が、前記２つの集合において互いに等しいか否か
    を判断する手順を含む、請求項１３に記載のプログラ
    ム。
15. 【請求項１５】 半導体ウェハの露光工程を管理するた
    めのプログラムであって、前記露光工程において、第１
    の露光装置と第２の露光装置とを用いて、１枚のウェハ
    に予め定められたパターンが露光され、前記第１の露光
    装置により露光されたパターンと、前記第２の露光装置
    により露光されたパターンとの間には、複数の要因に基
    づくずれが発生し、前記露光工程において、ずれ量を予
    め定められた範囲に収めるように管理され、 前記プログラムは、コンピュータに、 前記露光工程におけるずれ量を記憶する記憶手順と、 前記ウェハに対する、複数のずれ量を含む集合における
    ずれ量の分散を算出する算出手順と、 テストウェハを用いて測定された、前記第１の露光装置
    および前記第２の露光装置における、ウェハの停止のず
    れ量を表わす複数のデータを記憶する停止精度記憶手順
    と、 前記データの標準偏差を算出する標準偏差算出手順と、 前記分散と前記標準偏差とに基づいて、前記露光工程に
    おけるずれの要因を分析する分析手順とを実行させる、
    プログラム。
16. 【請求項１６】 前記算出手順は、複数のずれ量を含む
    集合におけるずれ量の分散値を算出する手順を含み、 前記分析手順は、前記分散値と前記標準偏差に基づく値
    との比率に基づいて、装置に起因するずれの割合を分析
    する手順を含む、請求項１５に記載のプログラム。
17. 【請求項１７】 前記プログラムは、前記コンピュータ
    にさらに、 前記記憶手順にて記憶された露光工程におけるずれ量に
    基づいて、前記ウェハを複数の領域に分割して、露光時
    の位置決め補正を指示する指示手順を実行させる、請求
    項１３〜１６のいずれかに記載のプログラム。
18. 【請求項１８】 前記プログラムは、前記コンピュータ
    にさらに、 前記記憶手順にて記憶された露光工程におけるずれ量の
    差に基づいて、前記第１の露光装置と前記第２の露光装
    置とを組合せて、露光時の位置決め補正を指示する指示
    手順を実行させる、請求項１３〜１６のいずれかに記載
    のプログラム。