JPH1140657A - 試料保持装置および走査型露光装置 - Google Patents

試料保持装置および走査型露光装置

Info

Publication number
JPH1140657A
JPH1140657A JP9196698A JP19669897A JPH1140657A JP H1140657 A JPH1140657 A JP H1140657A JP 9196698 A JP9196698 A JP 9196698A JP 19669897 A JP19669897 A JP 19669897A JP H1140657 A JPH1140657 A JP H1140657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
stage
sample
holding device
clamper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9196698A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Sato
剛 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9196698A priority Critical patent/JPH1140657A/ja
Publication of JPH1140657A publication Critical patent/JPH1140657A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ステージの加速減速時に慣性力でレチクルがず
れにくくするとともに、試料の表面が歪まないよう固定
保持する試料保持装置を提供する。 【解決手段】走査型スキャン露光装置のレチクルステー
ジ4上でレチクル3は試料保持装置60で固定保持され
る。試料保持装置60は、ステージ4との間でレチクル
3を挟持するために回動可能に軸支されたクランパ63
を有する。クランパ63には独立して押圧力が調節可能
な押圧装置70a〜70cが設けられ、各押圧装置70
a〜70cが個別にレチクル3の別々の箇所を挟持す
る。レチクル3にうねりや凹凸があっても、レチクル3
はレチクルステージ4上で精度よく保持固定される。ク
ランパ63の回転軸心62はレチクル3の表面高さにほ
ぼ一致している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体回路パター
ンや液晶素子パターンなどが形成されたレチクルやマス
ク、あるいはそのようなパターンが投影露光される感光
基板をステージ上で保持することができる試料保持装置
に関する。また本発明は、レチクルやマスクと感応基板
とを投影光学系を挟んで同期して移動する走査型露光装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえばレチクルステージとウエハステ
ージを互に逆方向に投影縮小率に応じた速度比でそれぞ
れ移動して、レチクルパターンをウエハに投影露光する
走査型投影露光装置では、各種のパターンが形成された
レチクルはレチクルステージ上に真空吸着で搭載され、
ウエハやガラス基板も基板ステージ上に真空吸着で搭載
される。たとえばレチクルステージに設けられたバキュ
ームパッド上にレチクルを載置し、コンプレッサによっ
てバキュームパッドの上部の空気を吸引してレチクルが
レチクルステージに吸着される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルー
プットを向上させるためにステージ移動速度が高速化さ
れると、真空吸着でレチクルを保持する場合にはレチク
ルステージの慣性力でレチクルが正規の位置からずれて
しまうおそれがある。吸着力を確保するために真空吸着
の面積を広げることも考えられるが、面積を広げる余地
はあまりなく、慣性力によるずれを防止するだけの吸着
力を得ることは難しい。そして、レチクルがわずかでも
ずれると、レチクルのアライメント精度が著しく低下す
る。
【0004】本発明は、ステージの加速減時の慣性力で
試料ずれが起きにくくするとともに、試料の表面が歪ま
ないよう試料を固定保持する試料保持装置およびその試
料保持装置を備えた走査型露光装置を提供することを目
的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】一実施の形態の図1〜4
に対応づけて本発明を説明する。(1)請求項1の発明
は、少なくとも一方向に移動可能なステージ4に載置さ
れた平面状の試料3を保持する試料保持装置60に適用
される。そして試料3の複数の箇所をその押圧力を独立
して調節可能に、かつステージ4に対してそれぞれ個別
に挟持する複数の押圧装置70a〜70cを備えること
により、上記目的を達成する。 (2)請求項2の発明のように、試料3を真空吸着する
真空吸着装置を併せて備えるのが好ましい。 (3)請求項3の発明による試料保持装置60は、回動
可能に軸支されたクランパ63に押圧装置70a〜70
cを設け、クランパ63を介してステージ4と押圧装置
70a〜70cとの間で試料3を挟持するようにしたも
のであり、この場合、クランパ63の回動軸心62を試
料3の表面高さにほぼ一致させるものである。 (4)請求項4の発明は、パターンが形成されたレチク
ル3を請求項1〜3のいずれかの試料保持装置60によ
り固定保持するレチクルステージ4と、パターンを露光
する感応基板10を保持する基板ステージ13と、レチ
クル3を透過した照明光を感応基板10に投影する投影
光学系9とを備え、レチクルステージ4と基板ステージ
13を同期して移動しつつパターンを感応基板10に投
影する走査型露光装置である。
【0006】以上の課題を解決する手段の欄では実施の
形態に対応づけて本発明を説明したが、これにより本発
明が実施の形態に限定されるものではない。
【0007】
【発明の実施の形態】図1〜図4により、本発明が適用
された試料保持装置を備える走査型露光装置について説
明する。
【0008】図1において、エキシマレーザなどのパル
ス発振型の光源1からの露光用照明光が照明光学系2を
介して均一な照度分布のパルス露光光ILとしてレチク
ル3を照明する。照明光学系2は、ビーム整形光学系、
減光光学系、オプティカルインテグレータ、視野絞りお
よびコンデンサレンズなどから構成される。レチクル3
には半導体回路パターンや液晶素子パターンが形成され
ており、そのパターンを透過した透過光は投影光学系9
によりウエハ10上に投影される。ウエハ10の表面に
はフォトレジストが塗布されており、投影されたパター
ン像がレジスト上に露光されて潜像が形成される。
【0009】レチクル3は、後述するレチクルホルダ3
0、32を介してレチクルステージ4上に後述する試料
保持装置60で固定保持され、レチクルステージ4は投
影光学系9の光軸と垂直な面内でXY方向に移動する。
露光に際してレチクル3をX方向および−X方向に移動
して露光光ILを走査する。レチクルステージ4上には
移動鏡6が固定され、レーザ干渉計7からのレーザビー
ムが移動鏡6に照射され、その反射ビームを干渉計7が
受光してレチクルステージ4のX方向位置座標が計測さ
れる。このX方向位置座標は信号S1として投影露光装
置全体を統轄する主制御系8に入力される。図示はして
いないが、レチクルステージ4のY方向位置座標を計測
するための移動鏡とレーザ干渉計も設けられ、このY方
向位置座標も主制御系8に入力される。主制御系8はレ
チクルステージ制御装置4aによりリニアモータのよう
なステージ駆動源を制御してレチクル3の位置および移
動速度を制御する。
【0010】ここで、レチクルステージ4上にレチクル
3を固定する試料保持装置60について図2〜図4に基
づいて詳細に説明する。
【0011】レチクルステージ4を上方から見た図2
(a)とその正面図である図2(b)において、レチク
ルステージ4上にはレチクルホルダ30,32が対向配
置されている。レチクルホルダ30,32はたとえばセ
ラッミックスで形成され、その平面度は0.4μm以下
とされる。なお、レチクル3の平面度は通常1〜2μm
である。レチクルホルダ30,32にはその長手方向に
沿って真空ウエハ吸着用の開口30a,32aが形成さ
れ、レチクル3はレチクルホルダ30,32上で真空吸
着される。さらに、レチクル3は試料保持装置60によ
りレチクルホルダ30,32との間で挟持固定される。
【0012】試料保持装置60について説明する。な
お、試料保持装置60は左右にそれぞれ設けられるが、
その構成は同一であり右側の試料保持装置60について
説明する。レチクルホルダ30,32のX方向の外側に
は所定の間隔をあけて一対のブラケット61が設置さ
れ、この一対のブラケット61には軸62によりクラン
パ63のアーム64が回転可能に軸支され、これによ
り、クランパ63はブラケット61に対して回転可能に
保持される。軸62の軸心の高さ位置はレチクル3の表
面の高さとほぼ一致するようにされている。その理由は
後述する。
【0013】クランパ63の中央部には駆動アーム65
が取り付けら、この駆動アーム65はレチクルステージ
4上に設置されたギアヘッド付きのモータ66で駆動さ
れる。図3によく示されているように、モータ66の出
力軸66aにはカム板67が設けられ、カム板67の一
端にはカムフォロア68が回転可能に設けられている。
このカムフォロア68がアーム65の下面に当接し、モ
ータ66によりカム板67を反時計回り方向に揺動する
ことにより、クランパ63が軸62を回転中心として反
時計回り方向に揺動する。アーム65にはクランパ63
を時計回り方向の付勢力が不図示のばねにより与えられ
ている。したがって、モータ66によりカム板67を時
計回り方向に揺動すると、クランパ63はばね力により
時計回り方向に揺動し、図3に2点鎖線で示すようなレ
チクル投入姿勢となる。
【0014】図2(a)に示されているように、クラン
パ63には所定間隔で押圧装置70a,70b,70c
が設けられている。いずれも同一の構成であり、図1の
IV−IV線断面を示す図4により説明する。クランパ6
3に形成されている円柱状の孔63aには十字形状の押
圧具71が収容され、その先端部はクランパ63の下面
からばね72のばね力で突出している。孔63aの上部
はねじ蓋73で閉鎖され、ねじ蓋73の螺合位置を調節
してばね72によるばね力を調節し、これにより、押圧
具71によるレチクル押圧力を調節する。試料保持装置
60はレチクル3の左右にそれぞれ配設されてレチクル
3の両辺をそれぞれ3箇所づつ固定することになる。こ
のとき、それぞれの押圧具71の押圧力は個別にばね7
2で調節される。なお、押圧具71によるレチクル押圧
力は、レチクルステージ4の移動速度(または加速度)
に応じて決めてもいい。例えば、レチクルステージ4の
移動速度(または加速度)が大きい場合にはレチクル押
圧力を大きくし、移動速度(または加速度)が小さい場
合にはレチクル押圧力を小さくすればいい。また、押圧
具71の材質としては、アルミニウムやプラスチックな
どの軽い材質を用いることが好ましい。
【0015】さらに各押圧装置70a〜70cには、各
ばね72がそれぞれ所定量以上撓んだときに閉じる図示
しないリミットスイッチがそれぞれ設けられている。そ
して各リミットスイッチが全て閉じるとモータ66の回
転を停止する不図示の制御回路が設けられている。
【0016】図1において、レチクルステージ4の下面
には、矩形の開口5aが開けられたレチクルブラインド
5が配設される。このレチクルブラインド5の開口5a
により、実質的にレチクル3上に矩形スリット状の照明
領域が設定される。
【0017】レチクルブラインド5の下方に配設された
投影光学系9を介して、レチクル3に描かれたパターン
のうち、レチクルブラインド5の開口5aで制限された
照明領域のパターン像がウエハ10上に投影される。す
なわち、レチクルブラインド5の開口5aで制限される
レチクル3上の照明領域と投影光学系9に関して共役な
領域がウエハ10上の矩形の露光領域となる。
【0018】ウエハ10は、図示しないウエハホルダを
介してZレベリングステージ12上に保持される。Zレ
ベリングステージ12は3個のZ方向に移動自在なアク
チュエータを介してXYステージ13上に載置される。
各アクチュエータの変位はそれぞれ付随するエンコーダ
によって計測される。アクチュエータには、カムをロー
タリモータで駆動してZ方向に直線移動する方式や、積
層型圧電素子を伸縮してZ方向に直線移動する方式など
が用いられる。エンコーダは光学式や静電容量式が用い
られる。上記レベリング用エンコーダのZ方向変位信号
は位置検出装置17に入力され、3支点のZ方向の計測
値からウエハ10のZ方向位置、X軸回りの傾斜角、お
よびY軸回りの傾斜角を算出する。主制御系8はウエハ
ステージ駆動回路16によりZレベリング用アクチュエ
ータを制御してウエハ10のZ方向位置と傾斜角を制御
する。3つのZレベリング用アクチュエータを同量変位
させればZ方向の位置が調節でき、個別に変位させれば
Zレベリングステージ12のX軸回りおよびY軸回りの
傾斜角を調整できる。
【0019】XYステージ13はウエハ10をX方向に
走査するXステージとY方向に走査するYステージとで
構成される。XステージおよびYステージはエアベアリ
ングで保持され、たとえばリニアモータでXY両方向に
移動するようにベース上に設けられる。
【0020】Zレベリングステージ12上にはX軸用の
移動鏡14とY軸用の移動鏡(不図示)が固定され、ベ
ースに固定されているレーザ干渉計15からのレーザビ
ームが移動鏡14に照射され、その反射ビームを干渉計
15が受光してZレベリングステージ12のX方向位置
を計測する。Y方向も同様にして計測される。X方向お
よびY方向位置座標も主制御系8に入力される。主制御
系8はウエハステージ駆動回路16により、リニアモー
タのようなステージ駆動源を制御してXYステージ13
を駆動制御してウエハ10の位置および移動速度を制御
する。
【0021】たとえば投影光学系9が投影倍率β(たと
えば1/4)で倒立像を投影する場合、レチクルステー
ジ4を介してレチクル3を照明領域に対して+X方向、
あるいは−X方向に速度VRで走査するのと同期して、
Xステージを介してウエハ10が−X方向、あるいは+
X方向に速度VWで走査される。ここで、ウエハ速度V
Wは(1/β)・VRで表される。
【0022】また、スリットスキャン露光時のレチクル
ステージ4およびウエハ側XYステージ13の移動速度
は、レチクル3上に照射されるパターン露光光ILの光
量レチクルブラインド5の開口5aおよびウエハ10に
塗布されたフォトレジストの感度などによって決定され
る。すなわち、レチクルステージ4の移動により、レチ
クル3上のパターンがレチクルブラインド5の開口5a
を横切る時間内にウエハ10上のフォトレジストが充分
感光するようにステージ速度が制御される。
【0023】図1において、投影光学系9のX方向の両
側には多点フォーカス検出装置19,20が配設されて
いる。多点フォーカス検出装置19,20は、ウエハ1
0の表面の高さを計測するもので、フォーカス信号S2
が演算装置18に供給される。演算装置18は、先に読
み込まれたフォーカス信号S2に基づいて、次回の露光
領域内で露光される被露光領域に対して、Zレベリング
ステージ12で設定すべき高さと傾き(目標高さおよび
目標傾き)を求め、これらの目標高さおよび目標傾きの
情報を主制御系8に供給する。主制御系8はこの情報に
基づいて、ステージ制御装置16を介してZレベリング
ステージ12の動作を制御する。
【0024】このような露光装置では、レチクルステー
ジ4上に設けた図2〜図4に示した試料保持装置60で
レチクル3は機械的にレチクルステージ4上に固定保持
される。そのため、次のような作用効果を得ることがで
きる。 (1)機械的な固定保持により、レチクルステージ4の
スキャン速度が高速化しても、従来のような真空吸着方
式に比べて加減速時に慣性力によって位置がずれること
を確実に防止できる。このため、レチクルステージ4と
Xステージとの移動速度を大きくすることができるた
め、露光時間を短縮でき走査型露光装置のスループット
を向上することができる。 (2)クランパ63による機械的な固定保持に加えて、
従来と同様な真空吸着でもレチクル3を固定するように
しているので、レチクル保持力をより大きくできる。こ
の場合、ローダによりレチクル3をレチクルホルダ3
0,32に載置したらまず真空吸着でレチクル3を固定
し、しかる後にクランパ63でレチクル3を固定する。
これにより、押圧具71がレチクル3に接触したときに
レチクル3がずれることが防止できる。すなわち、ロー
ダでレチクル3がレチクルホルダ30,32上に載置さ
れる際にレチクル3の位置はラフアライメントされてい
るので、クランパ63で固定するときにその位置がラフ
アライメントの許容範囲からずれてしまう場合には、ラ
フアライメントを再度行なう必要がある。本実施の形態
のようにレチクル3を機械的に固定する前に予め真空吸
着で固定しておくことにより、位置ずれが防止され、ラ
フアライメントの再実行が防止される。なお、真空吸着
をせずにクランパ63だけで保持固定してもよい。
【0025】(3)クランパ63の回転中心をレチクル
3の表面高さとほぼ一致するようにしたので、クランパ
63でレチクル3の表面を押圧する際に押圧具71の先
端がレチクル3に垂直に当ってすべることがなく、位置
決め精度が向上し、また、摩擦によりごみが発生するお
それも少なくなる。
【0026】(4)試料保持装置60はそれぞれ図2〜
4に示したように、3つの押圧装置70a〜70cを有
し、各押圧具71はそれぞればね72でその押圧力を独
立して調節することができ、したがって、レチクル3に
うねりや凹凸がある場合でも、従来のようにレチクルの
一つの辺を一つの押圧具で押圧して固定する場合のよう
な片当りが防止できる。その結果、レチクル3は、より
平面度がよいレチクルホルダ30,32の平面に倣うよ
うになり、保持された状態のレチクル3の平面度は保持
されない状態での平面度よりも良好となる。またレチク
ル3に不所望な荷重が作用するおそれがなく、それによ
る歪の発生もない。さらにまた、それぞれのばね72が
所定量以上撓むとモータ66の駆動を停止するようにし
ているので、ばね72のばね定数を小さくしておけば、
各押圧装置70a〜70cによる押圧力をほぼ一定に制
御することができる。
【0027】以上では6つの押圧装置でレチクル3を固
定保持するようにしたが、7個以上の押圧装置で固定保
持してもよい。モータ66でクランパ63を揺動させた
が、エアシリンダなど他のアクチュエータで駆動しても
よいし、カムに代えてリンクなどによりアクチュエータ
の運動をクランパの揺動運動に変換してもよい。あるい
は、モータで軸62を回転駆動してクランパ63を揺動
してもよい。
【0028】また以上では、レチクル3の保持装置につ
いて説明したが、ウエハの移動速度がさらに高速化する
場合には、ウエハをZレベリングステージ上で固定保持
する装置にも本発明を適用することができる。さらに、
エキシマレーザを用いた投影露光装置について説明した
が、この発明は、x線を用いた投影露光装置はもとよ
り、パターンが形成されたステンシルマスクなどに電子
ビームなどの荷電粒子線を照射し、電磁レンズや偏向器
などによりパターンを感応基板に投影露光する荷電粒子
線投影露光装置にも適用できる。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、機
械的に試料をステージ上で固定保持する際に、独立して
押圧力が調節可能でかつ、個別に試料上の複数の箇所を
押圧する押圧装置を設けたので、ステージの移動速度が
大きくなっても試料は確実に固定保持され、したがっ
て、ステージが高速度で移動する走査型露光装置に対し
てとくに効果が大きい。また、試料のうねりや凹凸に影
響されずに試料をステージ上に精度よく固定保持するこ
とができる。真空吸着を併用すればさらに保持性能が向
上するし、押圧装置で保持する前に真空吸着しておけば
押圧装置で固定する時に試料が位置ずれすることもな
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による露光装置の全体構
成図
【図2】(a)は本発明による試料保持装置の平面図、
(b)はその正面図
【図3】(a)は試料保持装置のIII−III線方向から見
た拡大図、(b)はその側面図
【図4】押圧装置を示す図2のIV−IV線断面図
【符号の説明】
3 レチクル 4 レチクルステージ 60 試料保持装置 62 軸 63 クランパ 66 モータ 67 カム板 70a〜70c 押圧装置 71 押圧具 72 ばね 73 ねじ蓋

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも一方向に移動可能なステージに
    載置された平面状の試料を保持する試料保持装置におい
    て、 前記試料の複数の箇所をその押圧力を独立して調節可能
    に、かつ前記ステージに対してそれぞれ個別に挟持する
    複数の押圧装置を備えることを特徴とする試料保持装
    置。
  2. 【請求項2】請求項1の試料保持装置において、 前記ステージは前記試料を真空吸着する真空吸着装置を
    併せて備えることを特徴とする試料保持装置。
  3. 【請求項3】請求項1の試料保持装置において、 前記押圧装置のそれぞれは、前記ステージとの間で前記
    試料を挟持するために回動可能に軸支されたクランパに
    設けられ、前記クランパの回動軸心を前記試料の表面高
    さにほぼ一致させたことを特徴とする試料保持装置。
  4. 【請求項4】請求項1〜3のいずれかの試料保持装置に
    より、パターンが形成されたレチクルを固定保持するレ
    チクルステージと、 前記パターンを露光する感応基板を保持する基板ステー
    ジと、 前記レチクルを透過した照明光を前記感応基板に投影す
    る投影光学系とを備え、 前記レチクルステージと基板ステージとを同期して移動
    しつつ前記パターンを前記感応基板に投影することを特
    徴とする走査型露光装置。
JP9196698A 1997-07-23 1997-07-23 試料保持装置および走査型露光装置 Withdrawn JPH1140657A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9196698A JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1997-07-23 試料保持装置および走査型露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9196698A JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1997-07-23 試料保持装置および走査型露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1140657A true JPH1140657A (ja) 1999-02-12

Family

ID=16362107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9196698A Withdrawn JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1997-07-23 試料保持装置および走査型露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1140657A (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2002065519A1 (ja) * 2001-02-13 2004-06-17 株式会社ニコン 保持装置、保持方法、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2004109780A1 (ja) * 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
WO2006068461A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Support structure and lithographic apparatus
JP2006195062A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Fuji Photo Film Co Ltd クランプ装置及び画像形成装置
JP2007251137A (ja) * 2006-02-14 2007-09-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011023425A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Canon Inc ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2002065519A1 (ja) * 2001-02-13 2004-06-17 株式会社ニコン 保持装置、保持方法、露光装置、およびデバイス製造方法
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US8253929B2 (en) 2003-06-04 2012-08-28 Nikon Corporation Stage apparatus, fixation method, exposure apparatus, exposure method, and device-producing method
WO2004109780A1 (ja) * 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JPWO2004109780A1 (ja) * 2003-06-04 2006-07-20 株式会社ニコン ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US7394526B2 (en) 2003-06-04 2008-07-01 Nikon Corporation Stage apparatus, fixation method, exposure apparatus, exposure method, and device-producing method
KR101087516B1 (ko) 2003-06-04 2011-11-28 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 고정 방법, 노광 장치, 노광 방법, 및디바이스의 제조 방법
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP2008526018A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. サポート構造およびリソグラフィ装置
JP4943345B2 (ja) * 2004-12-23 2012-05-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
KR100934739B1 (ko) 2004-12-23 2009-12-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 지지 구조체 및 리소그래피 장치
WO2006068461A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Support structure and lithographic apparatus
JP2006195062A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Fuji Photo Film Co Ltd クランプ装置及び画像形成装置
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2007251137A (ja) * 2006-02-14 2007-09-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011023425A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Canon Inc ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1140657A (ja) 試料保持装置および走査型露光装置
US20030076482A1 (en) Two stage method
JP2002289514A (ja) 露光装置及び露光方法
US20110046795A1 (en) Drive control method, drive control apparatus, stage control method, stage control apparatus, exposure method, exposure apparatus and measuring apparatus
JP3487368B2 (ja) 走査型露光装置
US6641981B1 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US6069683A (en) Scanning exposure method and apparatus
JP6981513B2 (ja) マスク保持装置、露光装置、マスク保持方法、及び露光方法
JPH10284408A (ja) 露光方法
JP2000243693A (ja) ステージ装置及び露光装置
JP3180301B2 (ja) 走査露光方法、走査型露光装置及び前記方法を使用するデバイス製造方法
US6509953B1 (en) Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning
JPH11162809A (ja) 試料保持装置および露光装置
JPH07326567A (ja) 等倍投影型露光装置
JP3648847B2 (ja) マスクの支持機構及びこれを用いた露光装置
JPH11212266A (ja) 走査型露光装置
JP2003156322A (ja) 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JPH11219901A (ja) 露光装置
JPH11325821A (ja) ステージ制御方法および露光装置
JP2001267220A (ja) ステージ装置および露光装置
US6122059A (en) Scanning exposure apparatus and device fabrication method in which multiple laser interferometers use a respective laser head
JP3271758B2 (ja) 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法
JP3271759B2 (ja) 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法
JPH11204425A (ja) レチクル基板固定装置及び露光装置
JP3309906B2 (ja) 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040721

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040825

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20061128