JPH0394445A - 半導体ウエハ搬送システム - Google Patents
半導体ウエハ搬送システムInfo
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- JPH0394445A JPH0394445A JP1232199A JP23219989A JPH0394445A JP H0394445 A JPH0394445 A JP H0394445A JP 1232199 A JP1232199 A JP 1232199A JP 23219989 A JP23219989 A JP 23219989A JP H0394445 A JPH0394445 A JP H0394445A
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title abstract description 32
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は．半導体ウェハ製造に訃ける搬送Ｖステムに
関するものである。
関するものである。
半導体ウェハ製造にかいては，ウェハの装置間の搬送が
従来の人手によるものからロボットや搬送車による自動
搬送に変わってきた。これは，人手をなくすことにより
．ウェハに付着する異物の減少（人間は異物の最大の発
生源である）．複雑な工程搬送への対応をめざすもので
ある。
従来の人手によるものからロボットや搬送車による自動
搬送に変わってきた。これは，人手をなくすことにより
．ウェハに付着する異物の減少（人間は異物の最大の発
生源である）．複雑な工程搬送への対応をめざすもので
ある。
従来は，装置間の搬送はクエ八が複数枚収容された容器
（ウェハカセット）をロボットや搬送車で運ぶことが多
かったが，近年，ウェハの大口径化や．多品種小量生産
の対応のため．ウェハを一枚ずつ搬送する必要が生じて
きた。
（ウェハカセット）をロボットや搬送車で運ぶことが多
かったが，近年，ウェハの大口径化や．多品種小量生産
の対応のため．ウェハを一枚ずつ搬送する必要が生じて
きた。
第９図に従来のウェハ枚葉搬送システムの一例を示す。
図にかいて，（１）はウェハ処理装置であり，これらの
装置を所定の順序でウェハ（２）が通過し，処理される
ことによυ．ウェハ（２）上にパターンが形或され．デ
バイスができあがっていく。（３）は各処理装Ｉｔ （
１）にウェハ（２）を搬送する搬送装置であシ，本例で
は搬送装置の一系路をモジ二一μとし，モジュー／Ｉ／
ｒ１ＪＪ搬送を別のモジュール間搬送装＠（４）により
行なっている。モジュールの入口にはウェハ（２）を一
時保管するウェハストツカ−（５）が備えられ，搬送の
平潤化を目ざす。搬送装置（３）及びウェハストツカ−
（５）の上方には，クリーンベンチ（６）を備え，ウェ
ハ（２）表面上への異物付着を防いでいる。
装置を所定の順序でウェハ（２）が通過し，処理される
ことによυ．ウェハ（２）上にパターンが形或され．デ
バイスができあがっていく。（３）は各処理装Ｉｔ （
１）にウェハ（２）を搬送する搬送装置であシ，本例で
は搬送装置の一系路をモジ二一μとし，モジュー／Ｉ／
ｒ１ＪＪ搬送を別のモジュール間搬送装＠（４）により
行なっている。モジュールの入口にはウェハ（２）を一
時保管するウェハストツカ−（５）が備えられ，搬送の
平潤化を目ざす。搬送装置（３）及びウェハストツカ−
（５）の上方には，クリーンベンチ（６）を備え，ウェ
ハ（２）表面上への異物付着を防いでいる。
ところが上記のよりに構威されている．従来のウェハ枚
葉搬送システムにおいては．次に述べるよりな問題点が
あった。
葉搬送システムにおいては．次に述べるよりな問題点が
あった。
（ｉ） ウェハを一枚ずつ裸の状態で運んだシ．保管
するため，従来の２５枚まとめて容器に入れた状態で運
ぶものに比べて．ウェハ表面に異物が付着し易い。
するため，従来の２５枚まとめて容器に入れた状態で運
ぶものに比べて．ウェハ表面に異物が付着し易い。
（ｉｔ） ウェハを一枚ずつ運ぶため．＠送系のスピ
ードを向上させたとしても，搬送系路の増大は避けられ
ず．搬送系上方に設けられるべきクリーンベンチの費用
が増大する。會た（ｉ）項で述べた異物の付着し易さを
クリーンベンチのクリーン度向上で補なかうとすると，
クリーンベンチは筐すます高価なものが必要となう，費
用がかさむ。
ードを向上させたとしても，搬送系路の増大は避けられ
ず．搬送系上方に設けられるべきクリーンベンチの費用
が増大する。會た（ｉ）項で述べた異物の付着し易さを
クリーンベンチのクリーン度向上で補なかうとすると，
クリーンベンチは筐すます高価なものが必要となう，費
用がかさむ。
（ｉ′ｌｉ） また，クリーンベンチを設けたとして
も．装置や搬送系のトフプルで人間が介在することは必
ずあシ，その時にウェハ上に異物が付着する。
も．装置や搬送系のトフプルで人間が介在することは必
ずあシ，その時にウェハ上に異物が付着する。
以上に述べた理由で，ウェハ枚葉搬送システムにおいて
は．ウェハ表面上に異物が付着し易く，ウェハ製造にか
ける歩留シ低下をもたらすという問題があった。
は．ウェハ表面上に異物が付着し易く，ウェハ製造にか
ける歩留シ低下をもたらすという問題があった。
この発明は，以上のよりな事情に鑑みてなされたもので
．ウェハ表面上に付着する異物が少ない，ウェハ枚葉搬
送システムを安価に提供するものである。
．ウェハ表面上に付着する異物が少ない，ウェハ枚葉搬
送システムを安価に提供するものである。
この発明に係るウェハ枚葉搬送システムは．半導体ウェ
ハの温度を周辺温度よ少高温に保ちながらウェハを運ぶ
搬送装置と，半導体ウェハの温度を周辺温度より高温に
保ちながらウェハを保管するウェハストツ力一とを有す
るものである。
ハの温度を周辺温度よ少高温に保ちながらウェハを運ぶ
搬送装置と，半導体ウェハの温度を周辺温度より高温に
保ちながらウェハを保管するウェハストツ力一とを有す
るものである。
この発明にかいては，搬送システムにかける搬送装置あ
るいはウェハストッ力に，搬送中あるいは保管中のウェ
ハ温度を周辺温度よシ高温に保つ機能を設けたことによ
り．異物の付着を防止するものである。
るいはウェハストッ力に，搬送中あるいは保管中のウェ
ハ温度を周辺温度よシ高温に保つ機能を設けたことによ
り．異物の付着を防止するものである。
なカ定明者の実験によると，ウェハ温度を４ｏ○℃に加
熱すると周辺温度と同一温度の場合に比べ，約１７５〜
１／１０に異物付着が減少できることが実証されてカシ
．これを搬送系に組み込むことによυ，異物付着を防止
できる。
熱すると周辺温度と同一温度の場合に比べ，約１７５〜
１／１０に異物付着が減少できることが実証されてカシ
．これを搬送系に組み込むことによυ，異物付着を防止
できる。
ウェハを周辺よシ高温にすると，異物付着を防止できる
。
。
理由は．熱泳動現象によるものと考えられるが．筐だ明
解な理論は確立されていない。
解な理論は確立されていない。
熱泳動現象とは．エアロゾｉｖ（微小粒子を含む気体）
に温度勾配が存在すると，粒子は高温側の媒質気体分子
から低温測よυも大きな運動量を与えられ，その結果，
高温側から低温側に力を受けてエアロゾルが移動する現
象である。
に温度勾配が存在すると，粒子は高温側の媒質気体分子
から低温測よυも大きな運動量を与えられ，その結果，
高温側から低温側に力を受けてエアロゾルが移動する現
象である。
この現象によシ，高温物体表面のごく近傍にはエアロゾ
ル粒子を含まない空間が生じ．高温物体表面にはエアロ
ゾル粒子（異物）が付着しないのである。この様子を第
１０図に示している。
ル粒子を含まない空間が生じ．高温物体表面にはエアロ
ゾル粒子（異物）が付着しないのである。この様子を第
１０図に示している。
以下．この余明の一実施例を図について説明する。
第１図に本発明による半導体ウェハ搬送システムの一実
施例の斜視図を示し．第２図に本システムを構或する搬
送装置の斜視図，第３図に同じくウェハストッ力一の斜
視図を示す。
施例の斜視図を示し．第２図に本システムを構或する搬
送装置の斜視図，第３図に同じくウェハストッ力一の斜
視図を示す。
第１図にかいて．（３）は各処理装置（１）にウェハ（
２）を搬送する搬送装置であシ．本例では．搬送装置の
一系路をモジューμとし，モジューノレ間搬送を別のモ
ジュール間搬送装置（４）により行なっている。
２）を搬送する搬送装置であシ．本例では．搬送装置の
一系路をモジューμとし，モジューノレ間搬送を別のモ
ジュール間搬送装置（４）により行なっている。
モジュールの入口にはウェハを一時保管するウェハスト
ッ力−（５）が備えられ．搬送の平潤化を図っている。
ッ力−（５）が備えられ．搬送の平潤化を図っている。
ウェハストツカー（５）の上方にはクリーンベンチ（６
）を備えている。
）を備えている。
第２図は．上述した搬送システムを構或する搬送装置（
３）の一実施例である。ウェハ（２）はヒーター（７）
を内蔵した加熱ステージ上に置かれ．４００℃程度に加
熱された状態で運ばれる。（８）は搬送レーμであう．
リニアモータ（図示せず）などによυ駆動力を得て高速
で処理装置間を移動する。
３）の一実施例である。ウェハ（２）はヒーター（７）
を内蔵した加熱ステージ上に置かれ．４００℃程度に加
熱された状態で運ばれる。（８）は搬送レーμであう．
リニアモータ（図示せず）などによυ駆動力を得て高速
で処理装置間を移動する。
＠３図は，同じく搬送システムを構戒するウェハストッ
カー（５）の一実施例である。ウェハ（２）ハヒーター
（７）を内蔵した加熱棚（９）上に置かれ，４０Ｏ℃程
度に加熱された状態で保管される。加熱棚（９）へのウ
ェハ出し入れは別の搬送装置（図示せず）が行なう。
カー（５）の一実施例である。ウェハ（２）ハヒーター
（７）を内蔵した加熱棚（９）上に置かれ，４０Ｏ℃程
度に加熱された状態で保管される。加熱棚（９）へのウ
ェハ出し入れは別の搬送装置（図示せず）が行なう。
なお．本実施例にかいては，搬送装置をレーμ上のステ
ージタイプとしたが，本発明はこれに限定されるもので
はなく．＠４図のよりに搬送ロボットタイプでもよい。
ージタイプとしたが，本発明はこれに限定されるもので
はなく．＠４図のよりに搬送ロボットタイプでもよい。
その場合，図のよりにグリップ部にヒーター（７）を設
けることになる。１た，第５図のよりに搬送車タイプの
ものでもよく．この場合．図のよりに搬送車上にヒータ
ー（７）を設け，ウェハ温度を周辺温度よジ高温に保て
ばよい。
けることになる。１た，第５図のよりに搬送車タイプの
ものでもよく．この場合．図のよりに搬送車上にヒータ
ー（７）を設け，ウェハ温度を周辺温度よジ高温に保て
ばよい。
また，本実施例に訃いては．ウェハの加熱源をヒーター
とステージによる伝４によるものとしたが．それに限る
ものでなく．第６図のよりにランプαＧによる放射加熱
，あるいはマイクロ波による加熱（図示せず）ｆｋとで
もよく．とにかくウエ八温度を周辺温度よシ高温に保て
ばよいのである。
とステージによる伝４によるものとしたが．それに限る
ものでなく．第６図のよりにランプαＧによる放射加熱
，あるいはマイクロ波による加熱（図示せず）ｆｋとで
もよく．とにかくウエ八温度を周辺温度よシ高温に保て
ばよいのである。
１た，本′４ｉ！施例にシいては．ウェハを４００℃に
加熱することによりウェハ温度を周辺温度よシ高温に保
ったが，ウェハを加熱すると不都合の場合は第７図のよ
りにウェハ外気を冷却し，ウェハと周辺温度の間に熱勾
配を設けてもよい。本夾施例のウエ〃加熱と外気冷却を
併用すれば．ウェハ温度をあまり上げずに温度勾配を大
きくとることができ，異物付着防止には一層効果的であ
る。
加熱することによりウェハ温度を周辺温度よシ高温に保
ったが，ウェハを加熱すると不都合の場合は第７図のよ
りにウェハ外気を冷却し，ウェハと周辺温度の間に熱勾
配を設けてもよい。本夾施例のウエ〃加熱と外気冷却を
併用すれば．ウェハ温度をあまり上げずに温度勾配を大
きくとることができ，異物付着防止には一層効果的であ
る。
筐た．木実施例にかいては，ウェハ表面を上方に向けた
状態での搬送．保管を示したが．それに限らず，＠Ｈ図
のよりに，ウェハ表面を下方に向ければ温度勾配の熱泳
動だげでは防げない大きな落下する異物の付着防止に非
常に効果があシ．本発明との併用でほぼ異物の付着を完
全になくすことができる。
状態での搬送．保管を示したが．それに限らず，＠Ｈ図
のよりに，ウェハ表面を下方に向ければ温度勾配の熱泳
動だげでは防げない大きな落下する異物の付着防止に非
常に効果があシ．本発明との併用でほぼ異物の付着を完
全になくすことができる。
以上のよりにこの発明はＬ」゛半導体ウェハの温度を周
辺温度よＦ）Ｋ温に床ちクエハを運ぶ搬送装置と，半導
体ウェハの温度を周辺温度よシ高温に保ちウェハを保管
するウェハストッヵーとを有するウェハ搬送システムで
あるので，ウェハ搬送システムでの異物の付着を販力防
止でき，ウェハ製造に釦ける歩留シ向上が低価格で確実
に実現できる効果がある。
辺温度よＦ）Ｋ温に床ちクエハを運ぶ搬送装置と，半導
体ウェハの温度を周辺温度よシ高温に保ちウェハを保管
するウェハストッヵーとを有するウェハ搬送システムで
あるので，ウェハ搬送システムでの異物の付着を販力防
止でき，ウェハ製造に釦ける歩留シ向上が低価格で確実
に実現できる効果がある。
第１図〜ｗｃ３図は本発明の一実施例を示すもので，第
１図は半導体ウェハ搬送システムの一実施例を示す斜視
図．第２図は半導体ウェハ搬送システムを構或する搬送
装置を示す斜視図，第３図は半導体ウェハ搬送システム
を構或するウェハストツ力一を示す斜視図，第４図，第
５図，第６図．槙７図，＠８図は夫Ａ本発明に係る搬送
装置の他の実施例を示す略線図．第９図は従来の半導体
ウェハ搬送システムを示す斜視図．＠１０図は本発明の
原理を示す模式図である。 図中．（ｌ〉は処理装置，（２）はウェハ．（３）はウ
ェハ搬送装置．（４）はモジューμ間搬送装置，（５）
はウエ八ストツカ， （６）はクリーンペンチ．（７）
はヒーター（８）はレーμ，（９）は加熱棚．αＯはラ
ンプである。 なか．図中同一符号は同一または相当部分を示す。
１図は半導体ウェハ搬送システムの一実施例を示す斜視
図．第２図は半導体ウェハ搬送システムを構或する搬送
装置を示す斜視図，第３図は半導体ウェハ搬送システム
を構或するウェハストツ力一を示す斜視図，第４図，第
５図，第６図．槙７図，＠８図は夫Ａ本発明に係る搬送
装置の他の実施例を示す略線図．第９図は従来の半導体
ウェハ搬送システムを示す斜視図．＠１０図は本発明の
原理を示す模式図である。 図中．（ｌ〉は処理装置，（２）はウェハ．（３）はウ
ェハ搬送装置．（４）はモジューμ間搬送装置，（５）
はウエ八ストツカ， （６）はクリーンペンチ．（７）
はヒーター（８）はレーμ，（９）は加熱棚．αＯはラ
ンプである。 なか．図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体ウェハを搬送するに際し、半導体ウェハの温度を
周辺温度より高温に保ちながら運ぶ搬送装置と、半導体
ウェハの温度を周辺温度より高温に保ちながら保管する
ウェハストッカーとを有する半導体ウェハ搬送システム
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232199A JPH0394445A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体ウエハ搬送システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232199A JPH0394445A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体ウエハ搬送システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394445A true JPH0394445A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16935542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1232199A Pending JPH0394445A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体ウエハ搬送システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0394445A (ja) |
Cited By (14)
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-
1989
- 1989-09-06 JP JP1232199A patent/JPH0394445A/ja active Pending
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