JPH11264756A - 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 - Google Patents

液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置

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JPH11264756A
JPH11264756A JP8829398A JP8829398A JPH11264756A JP H11264756 A JPH11264756 A JP H11264756A JP 8829398 A JP8829398 A JP 8829398A JP 8829398 A JP8829398 A JP 8829398A JP H11264756 A JPH11264756 A JP H11264756A
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light
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liquid
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JP8829398A
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Yasuji Umahara
康爾 馬原
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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  • Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液面を任意に連続して精度良く検出すること
ができ、小型である液面検出器を提供すること。 【解決手段】 発光部81から光ファイバー84の内壁
に向けて光が射出され、光ファイバー84の内壁で順次
反射しながら光ファイバー84先端部の反射面85に到
達され、この反射面85で反射した後、光ファイバー8
4の内壁で順次反射しながら戻った反射光が受光部82
により検知される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、タンク等内の液面
を検出する液面検出器および液面検出方法、ならびにそ
の液面検出器を用いた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおける
フォトリソグラフィー工程のための塗布・現像処理シス
テムにおいては、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」とい
う)を洗浄処理および疎水化処理した後、冷却ユニット
で冷却し、次いでレジスト塗布ユニットでウエハにレジ
スト液を塗布する。その後、加熱処理ユニットでプリベ
ーク処理し、冷却ユニットで冷却した後、インターフェ
ース部を介して露光装置に搬送し、そこで所定のパター
ンを露光する。露光後、再びインターフェース部を介し
てシステムに搬入し、加熱処理ユニットでポストエクス
ポージャーベーク処理を施し、その後、冷却ユニットで
冷却したウエハを現像処理ユニットで現像処理し、ウエ
ハに所定の回路パターンを形成する。
【0003】上記のような各種処理ユニットにおいて
は、レジスト液、現像液、排液等の液体を貯留した各種
のタンクを用いており、このようなタンク内の液面を液
面検出センサーにより検出している。このような液面検
出センサーとしては、例えばフローティングセンサーを
用いたものや、光学センサーおよび光ファイバーを用い
たものが知られている。
【0004】フローティングセンサーによりタンク内の
液面を検出する場合には、タンク内の液体にフロートを
浮かせておき、液面レベルに応じて変化するフロートの
傾斜角度をメカニカルに検出することにより、タンク内
の液面レベルを検出する。
【0005】また、光学センサーおよび光ファイバーを
用いた液面検出センサーにより液面を検出する場合に
は、発光部および受光部を有するセンサー本体から延び
る光ファイバーを液体内に垂直に配置しておき、発光部
から射出された光を光ファイバーの先端部に導く。光フ
ァイバーの先端部が空気に触れる時と液体に触れる時と
では光の屈折率が異なり、液面レベルが高く光ファイバ
ーの先端部が液体中に浸っている場合には、光は光ファ
イバーの先端から液体中に放射されるのに対し、液面が
低下して光ファイバーの先端部が空気中に出た場合に
は、光は光ファイバーの先端で反射する。したがって、
その反射光を受光部で検知することにより液面レベルを
検出することができる。このような光学センサーおよび
光ファイバーを用いた液面検出センサーは、小型であ
り、液面を精度よく検出することができ、耐熱性もある
といった利点を有している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフローティングセンサーの液面検出センサーにあって
は、液面レベルをフロートの傾斜角度の変化によりメカ
ニカルに検出しているため、何らかの原因によりフロー
トがタンク内に引っかた場合等には、液面レベルを正確
に検出することができないといった問題がある。また、
フロートは、液面に浮遊させる必要があるため、比較的
大きな容積が必要であり、タンク内での作業等の妨げと
なりやすい。
【0007】また、光学センサーおよび光ファイバーを
用いた液面検出センサーにあっては、上述のような利点
がある反面、液面レベルが所定レベルになった時にの
み、反射光を検知するように構成されているため、液面
レベルが所定レベルに到達したか否かを検出する場合の
ように、一つの光センサーで、一つの液面レベルについ
てしか検出することができない。したがって、一つの光
センサーにより複数の液面を検出したいという最近の要
望に応えることができないといった問題がある。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、複数の液面を精度良く検出することがで
き、かつ小型化可能な液面検出器およびそのような液面
検出器を用いた基板処理装置を提供することを目的とす
る。また、複数の液面を精度良く検出することができる
液面検出方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、容器に貯留した液体内に延在させた光
ファイバーに発光部から光を射出し、光ファイバーの先
端部で反射した反射光を受光部により検知して、容器内
の液面レベルを検出する液面検出器において、前記発光
部から光ファイバーの内壁に向けて光を射出し、光ファ
イバー内壁で順次反射させながら光ファイバーの先端部
に到達させ、この先端部で反射した後、光ファイバー内
壁で順次反射しながら戻った反射光を前記受光部により
検知することを特徴とする液面検出器を提供する。
【0010】第2発明は、容器に貯留された液体の液面
レベルを検出するための液面検出器であって、光を射出
する発光部と、前記容器に貯留された液体内に延在さ
れ、前記発光部から射出した光を内壁で順次反射させな
がら先端部に到達させ、この先端部で反射した反射光を
内壁で順次反射させながら戻す光ファイバーと、前記光
ファイバーの内壁で反射しながら戻った反射光を検知す
る受光部とを具備することを特徴とする液面検出器を提
供する。
【0011】第3発明は、第1発明または第2発明の液
面検出器において、予め求めた液面レベルと反射光の強
度との関係に基づいて、検出した反射光の強度から液面
レベルを演算する演算手段をさらに具備することを特徴
とする液面検出器を提供する。
【0012】第4発明は、第1発明ないし第3発明のい
ずれかの液面検出器において、前記光ファイバーは、そ
の先端部に、光を反射する反射面を有していることを特
徴とする液面検出器を提供する。
【0013】第5発明は、容器に貯留した液体内に延在
させた光ファイバーに発光部から光を射出し、光ファイ
バーの先端部で反射した反射光を受光部により検知し
て、容器内の液面レベルを検出する液面検出方法におい
て、前記発光部から光ファイバーの内壁に向けて光を射
出し、光ファイバー内壁で順次反射させながら光ファイ
バーの先端部に到達させ、この先端部で反射した後、光
ファイバー内壁で順次反射させながら戻った反射光を前
記受光部により検知することを特徴とする液面検出方法
を提供する。
【0014】第6発明は、第5発明の液面検出方法にお
いて、予め求めた液面レベルと反射光の強度との関係に
基づいて、検出した反射光の強度から液面レベルを求め
ることを特徴とする液面検出方法を提供する。
【0015】第7発明は、処理液用容器に貯留した処理
液を用いて、基板に所定の処理を行う処理部と、前記処
理液用容器に配置され、処理液用容器に貯留した処理液
の液面レベルを検出するための液面検出器とを具備し、
前記液面検出器は、光を射出する発光部と、前記処理液
用容器に貯留した処理液内に延在され、前記発光部から
射出した光を内壁で順次反射させながら先端部に到達さ
せ、この先端部で反射した反射光を内壁で順次反射させ
ながら戻す光ファイバーと、この光ファイバー内壁で反
射しながら戻った反射光を検知する受光部とを有するこ
とを特徴とする基板処理装置を提供する。
【0016】第8発明は、液体により基板に所定の処理
を行った後、その排液を排液用容器内に貯留する処理部
と、前記排液用容器に配置され、排液用容器に貯留した
排液の液面レベルを検出するための液面検出器とを具備
し、前記液面検出器は、光を射出する発光部と、前記容
器に貯留した排液内に延在され、前記発光部から射出し
た光を内壁で順次反射させながら先端部に到達させ、こ
の先端部で反射した反射光を内壁で順次反射させながら
戻す光ファイバーと、前記光ファイバーの内壁で反射し
ながら戻った反射光を検知する受光部とを有することを
特徴とする基板処理装置を提供する。
【0017】第9発明は、第7発明または第8発明の基
板処理装置において、前記液面検出器は、予め求めた液
面レベルと反射光の強度との関係に基づいて、検出した
反射光の強度から液面レベルを演算する演算手段を、さ
らに有することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【0018】第10発明は、第7発明ないし第9発明の
いずれかの基板処理装置において、前記光ファイバー
は、その先端部に、光を反射する反射面を有しているこ
とを特徴とする基板処理装置を提供する。
【0019】第1発明、第2発明および第5発明によれ
ば、発光部から光ファイバーの内壁に向けて光を射出
し、光ファイバー内壁で順次反射しながら光ファイバー
の先端部に到達させ、この先端部で反射した後、光ファ
イバー内壁で順次反射しながら戻った反射光を受光部に
より検知するようにしている。光ファイバーは、一般的
には、空気に触れる時と液体に触れる時とでは、その内
壁の屈折率が異なっているため、例えば液面レベルが順
次降下されるにつれて、液体中に浸っていた光ファイバ
ーの部位が液面に触れ、次いで、空気に触れると、この
光ファイバーの部位の内壁では、屈折率が変化し、この
屈折率の変化に対応して、光ファイバーの部位の内壁で
反射している反射光の強度が変化する。したがって、液
面レベルが変化すると、これに追随して、反射光の強度
が変化するため、この反射光の強度を検出することによ
り、任意の液面レベルを連続的に精度良く検出すること
ができる。これにより、複数の液面を精度良く検出する
ことができるし、液面レベルを連続的にモニターするこ
とも可能である。また、第1発明または第2発明に係る
液面検出器は、光ファイバーを利用しているため、小型
化が可能である。
【0020】また、液面レベルと反射光の強度との間に
は一定の関係があるため、第3発明、第6発明および第
9発明によれば、この関係を予め求めておくことによ
り、反射光の強度から液面レベルを演算することができ
る。
【0021】第4発明および第10発明によれば、光フ
ァイバーの先端部に設けられた反射面により、発光部か
ら射出され内壁で反射して先端部に到達した光を反射す
ることができる。
【0022】第7発明によれば、上記の液面検出器を基
板処理装置の処理液用容器内に設けているため、処理液
用容器の任意の液面レベルを連続的に精度良く検出する
ことができる。したがって、処理液用容器の複数の液面
レベルを精度良く検出することができるし、処理液用容
器の液面レベルを連続的にモニターすることも可能であ
る。
【0023】第8発明によれば、上記の液面検出器を基
板処理装置の排液用容器内に設けているため、排液用容
器の任意の液面レベルを連続的に精度良く検出すること
ができる。したがって、排液用容器の複数の液面レベル
を精度良く検出することができるし、排液用容器の液面
レベルを連続的にモニターすることも可能である。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図1ないし図3は、各々本発明の実施
の形態が採用された半導体ウエハ(以下、「ウエハ」と
いう)の塗布・現像処理システムの全体構成の図であっ
て、図1は平面、図2は正面、図3は背面を夫々示して
いる。
【0025】この塗布・現像処理システム1は、図1に
示すように、被処理基板としてウエハWをウエハカセッ
トCRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステム
に搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエ
ハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりす
るためのカセットステーション10と、塗布現像工程の
中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種
処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステー
ション11と、この処理ステーション11に隣接して設
けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け
渡しするためのインターフェース部12とを一体に接続
した構成を有している。
【0026】前記カセットステーション10では、図1
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション11側
に向けてX方向に一列に載置され、このカセット配列方
向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納された
ウエハのウエハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移動可
能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに選択的
にアクセスするようになっている。
【0027】さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第3の処理ユニット群G3の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット(ALIM)および
イクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
【0028】前記処理ステーション11には、図1に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが1組または複数の組に亘って多段に配置されてい
る。
【0029】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっ
ている。
【0030】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
【0031】また、図1に示すように、この例では、5
つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可
能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群
1、G2の多段ユニットは、システム正面(図1におい
て手前)側に配置され、第3の処理ユニット群G3の多
段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置
され、第4の処理ユニット群G4の多段ユニットはイン
ターフェース部12に隣接して配置され、第5の処理ユ
ニット群G5の多段ユニットは背面側に配置されること
が可能である。
【0032】図2に示すように、第1の処理ユニット群
1では、カップCP内でウエハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像
処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられて
いる。第2の処理ユニット群G2でも、2台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(CO
T)および現像処理ユニット(DEV)が下から順に2
段に重ねられている。これらレジスト塗布ユニット(C
OT)は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナンス
の上でも面倒であることから、このように下段に配置す
るのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置
することももちろん可能である。
【0033】図3に示すように、第3の処理ユニット群
3では、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト(ALIM)、イクステンションユニット(EX
T)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、下
から順に例えば8段に重ねられている。
【0034】第4の処理ユニット群G4でも、オーブン
型の処理ユニット、例えばクーリングユニット(CO
L)、イクステンション・クーリングユニット(EXT
COL)、イクステンションユニット(EXT)、クー
リングユニット(COL)、プリベーキングユニット
(PREBAKE)およびポストベーキングユニット
(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられ
ている。
【0035】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
【0036】前記インターフェース部12は、図1に示
すように、奥行方向(X方向)については、前記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェース部12の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体24が設け
られている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向
に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置2
3にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
24は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっ
ている。
【0037】また前記塗布・現像処理システム1では、
図1に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構22の
背面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5の多
段ユニットが配置できるようになっているが、この第5
の処理ユニット群G5の多段ユニットは、案内レール2
5に沿って主ウエハ搬送機構22からみて、側方へシフ
トできるように構成されている。したがって、この第5
の処理ユニット群G5の多段ユニットを図示の如く設け
た場合でも、前記案内レール25に沿ってスライドする
ことにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構22に対して背後からメンテナンス作業が容易に行え
る。
【0038】次に、本実施形態における現像処理ユニッ
ト(DEV)について説明する。図4および図5は、現
像処理ユニット(DEV)の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
【0039】この現像処理ユニット(DEV)の中央部
には環状のカップCPが配置され、カップCPの内側に
はスピンチャック52が配置されている。スピンチャッ
ク52は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態
で駆動モータ54によって回転駆動される。駆動モータ
54は、ユニット底板50の開口に昇降移動可能に配置
され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフラ
ンジ部材58を介してたとえばエアシリンダからなる昇
降駆動手段60および昇降ガイド手段62と結合されて
いる。駆動モータ54の側面にはたとえばSUSからな
る筒状の冷却ジャケット64が取り付けられ、フランジ
部材58は、この冷却ジャケット64の上半部を覆うよ
うに取り付けられている。
【0040】現像液塗布時、フランジ部材58の下端
は、ユニット底板50の開口の外周付近でユニット底板
50に密着し、これによりユニット内部が密閉される。
スピンチャック52と主ウエハ搬送機構22との間でウ
エハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段60が
駆動モータ54ないしスピンチャック52を上方へ持ち
上げることでフランジ部材58の下端がユニット底板5
0から浮くようになっている。
【0041】ウエハWの表面に現像液を供給するための
現像液供給ノズル66は、現像液供給管68を介して図
示しない現像液供給部に接続されている。この現像液供
給ノズル66はノズルスキャンアーム70の先端部にノ
ズル保持体76を介して着脱可能に取り付けられてい
る。このスキャンアーム70は、ユニット底板50の上
に一方向(Y方向)に敷設されたガイドレール72上で
水平移動可能な垂直支持部材74の上端部に取り付けら
れており、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持
部材74と一体にY方向に移動するようになっている。
【0042】この現像液供給ノズル66は、図5に示す
ように、ウエハWの径方向に直線状に延ばされており、
現像液を帯状に噴霧するようになっている。これによ
り、現像液の塗布の際には、現像液供給ノズル66から
現像液が帯状に噴霧されながら、ウエハWが例えば1回
転されることにより、現像液がウエハW全面に塗布され
る。この現像液供給ノズル66は、複数のノズルが並列
されたものであってもよく、スリットノズルのようなも
のであってもよい。なお、現像液供給ノズル66は、こ
れらに限定されるものではなく、他のタイプのものであ
ってもよい。また、洗浄液を吐出するためのリンスノズ
ル78が設けられ、このリンスノズル78は、ガイドレ
ール72上をY方向に移動自在に設けられたノズルスキ
ャンアーム79の先端に取り付けられている。これによ
り、現像液による現像処理の終了後、ウエハW上に移動
して、洗浄液をウエハWに吐出するようになっている。
【0043】次に、現像処理ユニット(DEV)におけ
る現像処理の動作を説明する。所定のパターンが露光さ
れポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理さ
れたウエハWが、主ウエハ搬送機構22によってカップ
CPの真上まで搬送され、昇降駆動手段60によって上
昇されたスピンチャック52に真空吸着される。次い
で、現像液供給ノズル66がウエハWの上方に移動し、
この現像液供給ノズル66から現像液が帯状に噴霧され
ながら、ウエハWが例えば1回転されることにより、現
像液がウエハW全面に例えば1mmの厚みになるように
塗布される。その後、ウエハWがスピンチャック52に
より比較的低速で回転され、現像液が撹拌され、現像処
理される。現像処理が終了すると、現像液供給ノズル6
6および撹拌部材106が退避位置に移動される。
【0044】次いで、ウエハWがスピンチャック52に
より回転されて現像液が振り切って捨てられる。その
後、リンスノズル78がウエハWの上方に移動され、リ
ンスノズル78から洗浄液が吐出されてウエハW上に残
存する現像液が洗い流される。次いで、スピンチャック
52が高速で回転され、ウエハW上に残存する現像液お
よび洗浄液が吹き飛ばされてウエハWが乾燥される。こ
れにより、一連の現像処理が終了する。
【0045】次に、本発明の実施の形態に係る液面検出
センサーを図6ないし図8を参照しつつ説明する。図6
は、本発明の実施の形態に係る液面検出センサーの断面
図であり、図7は、図6に示した液面検出センサーを装
着した現像液供給タンクの断面図であり、図8は、図6
に示した液面検出センサーを夫々装着した二つの排液タ
ンクの断面図である。
【0046】図4に示した現像処理ユニット(DEV)
においては、ウエハWの表面に現像液を供給するための
現像液供給ノズル66は、現像液供給管68を介して、
図7に示すような現像液供給タンク91に接続されてお
り、環状のカップCPの下方に設けられて排液を排出す
るためのドレン通路65は、図8に示すような排液用タ
ンク92に接続されている。
【0047】本実施の形態に係る液面検出センサー80
には、図6に示すように、光を射出するための発光部8
1と光を受けて検知するための受光部82とを有するセ
ンサー本体83が設けられている。このセンサー本体8
3から光ファイバー84が延在されており、この先端部
には、反射面85が設けられている。この光ファイバー
84は、例えば−40℃〜+200℃の耐熱性を有して
いる。
【0048】この液面検出センサー80では、発光部8
1から光ファイバー84のの内壁に向けて光が射出さ
れ、光ファイバー84の内壁で順次反射されて、光ファ
イバー84の先端部の反射面85に到達される。この反
射面85で反射された反射光は、光ファイバー84の内
壁で順次反射して戻されて、受光部82により検知され
る。
【0049】光ファイバー84は、一般的には、空気に
触れる時と液体に触れる時とでは、光ファイバー84の
内壁の屈折率が異なっている。そのため、例えば液面レ
ベルが順次降下される場合について説明すると、液面レ
ベルが順次降下されるにつれて、液体中に浸っていた光
ファイバー84の部位が液面に触れ、次いで、空気に触
れると、光ファイバー84の部位の内壁では、屈折率が
変化し、この屈折率の変化に対応して、光ファイバー8
4の部位の内壁で反射した反射光の強度が変化する。
【0050】このように、液面レベルが変化すると、こ
れに追随して反射光の強度が変化するため、この反射光
の強度を受光部82により検知することにより、任意の
液面レベルを連続してアナログ的に検出することができ
る。
【0051】この場合に、この液面レベルと反射光の強
度との関係には、一定の関係があるため、この関係を予
めキャリブレーションして、その結果をメモリー86に
記憶させておき、そのキャリブレーション結果に基づい
て、受光部82で検知された反射光の強度から、CPU
等の演算部87により液面レベルを演算することができ
る。
【0052】この際、反射光強度の変化は、液面レベル
の変化に対応したナログ値として検出されるため、検知
信号はA/D変換された後、レベル分割されて、演算部
87により演算される。そして、演算部87からの液面
レベル信号は、各種処理ユニットのユニットコントロー
ラに入力される。
【0053】図7に示すように、現像液供給タンク90
には、現像液供給ノズル66に接続された現像液供給管
68が接続されており、この現像液供給管68は、途中
にポンプ88を有しているとともに、現像液供給タンク
90内に挿入されている。これにより、ポンプ88が駆
動されて、現像液供給タンク90内の現像液が現像液供
給管68を介して現像液供給ノズル66に給送されるよ
うになっている。また、現像液を現像液供給タンク90
内に導入するための導入管89が設けられている。
【0054】この現像液供給タンク91に、上述した液
面検出センサー80が装着されている。そのため、例え
ば、現像液供給管68により現像液が給送されて、現像
液供給タンク90内に残存した現像液が少なくなってく
ると、液面検出センサー80により、低位の液面レベル
(L)が検出される。また、導入管87により導入され
た現像液で現像液供給タンク91内が満杯近くなってく
ると、液面検出センサー80により、高位の液面レベル
(H)が検出される。このように、本実施の形態では、
一つの液面検出センサーにより、複数箇所の液面レベル
を検出することができる。
【0055】また、本実施の形態では、液面検出センサ
ー80は、液面に応じて検知する光強度が変化するた
め、任意の液面レベルを検出することができ、しかも連
続して検出することができるため、予め定めた液面レベ
ル(L,H)だけでなく、常時液面レベルをモニターす
ることもできる。これら検出された液面レベルの信号
は、現像処理ユニット(DEV)のユニットコントロー
ラに送られ、この信号に基づいて、現像液供給タンク9
0への現像液の供給が制御される。
【0056】さらに、この液面検出センサー80は、光
ファイバー84を利用していることから、小型であり、
耐熱性を有するため、現像液供給タンク91での装着等
に関し、極めて操作性が良好である。
【0057】なお、図7に示した例では、現像液供給タ
ンク90は、一つしか設けられていないが、二つの現像
液供給タンク90を設け、現像液供給管68の途中に三
方弁等の切換弁を設け、一方のタンク90の現像液が空
になった場合に、他方のタンク90から現像液が供給さ
れるように構成されていてもよい。
【0058】次に、排液系について説明すると、図8に
示すように、排液を排出するためのドレン通路65に
は、三方切換弁88が設けられ、この三方切換弁88か
ら二つの排液用タンク92に、二つの排出管91が接続
されている。二つの排液用タンク92には、それぞれ、
液面検出センサー80が装着されている。
【0059】したがって、ドレン通路65から三方弁8
8および排出管89を介して、一方の排液用タンク92
に排液が導入され、この排液用タンク92が満杯近くに
なると、液面検出センサー80により高位の液面レベル
(H)が検出され、この高位の液面レベル(H)の信号
は、現像処理ユニット(DEV)のユニットコントロー
ラに送られる。これにより、タンク切換の警報等がなさ
れるとともに、三方切換弁88が切換られて、排液は、
他方の排液用タンク92に導入される。また、液面レベ
ルがさらに高位の液面レベル(HH)になった時、この
液面レベル(HH)が検出されて、排液用タンク92が
略満杯であるとの警報等が発せられるように構成されて
いてもよい。
【0060】また、この場合にも、液面検出センサー8
0は、液面レベルを任意に連続して検出できるため、所
定の液面レベル(H,HH)だけでなく、常時液面レベ
ルをモニターすることもできる。
【0061】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、液面検出器(センサー)は、現像処理ユニットに
適用されているが、これに限定されず、塗布処理ユニッ
ト等の他の基板処理装置であってもよい。さらに、上記
実施の形態では、半導体ウエハ用の塗布・現像処理シス
テムについて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処
理基板、例えばLCD基板用の塗布・現像処理システム
にも本発明を適用できる。さらにまた、本発明の液面検
出器は基板処理装置以外に適用することもできる。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、第1発明、第2発
明および第5発明によれば、発光部から光ファイバーの
内壁に向けて光を射出し、光ファイバー内壁で順次反射
しながら光ファイバーの先端部に到達させ、この先端部
で反射した後、光ファイバー内壁で順次反射しながら戻
った反射光を受光部により検知するようにしており、空
気に触れる時と液体に触れる時とにおける光ファイバー
の内壁の屈折率が異なることを利用し、液面レベルが変
化した際の反射光の強度を検出することにより、任意の
液面レベルを連続的に精度良く検出することができる。
したがって、複数の液面を精度良く検出することができ
るし、湯面レベルを連続的にモニターすることも可能で
ある。また、第1発明または第2発明に係る液面検出器
は、光ファイバーを利用しているため、小型化が可能で
ある。
【0063】第3発明、第6発明および第9発明によれ
ば、液面レベルと反射光の強度との関係を予め求めてお
くことにより、反射光の強度から液面レベルを容易に演
算することができる。
【0064】第7発明によれば、上記の液面検出器を基
板処理装置の処理液用容器内に設けているため、処理液
用容器内の任意の液面レベルを連続的に精度良く検出す
ることができる。したがって、処理液用容器内の複数の
液面レベルを精度良く検出することができるし、処理液
用容器内の湯面レベルを連続的にモニターすることも可
能である。
【0065】第8発明によれば、上記の液面検出器を基
板処理装置の排液用容器内に設けているため、排液用容
器内の任意の液面レベルを連続的に精度良く検出するこ
とができる。したがって、排液用容器内の複数の液面レ
ベルを精度良く検出することができるし、排液用容器内
の湯面レベルを連続的にモニターすることも可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。
【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図。
【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図。
【図4】図1に示した塗布現像処理システムに装着した
現像処理ユニットの全体構成の断面図。
【図5】図4に示した現像処理ユニットの平面図。
【図6】本発明の実施の形態に係る液面検出器(センサ
ー)の断面図である。
【図7】図6に示した液面検出センサーを装着した処理
液用タンクの断面図である。
【図8】図6に示した液面検出センサーを夫々装着した
二つの排液用タンクの断面図である。
【符号の説明】
65;ドレン通路 68;現像液供給管 80;液面検出器(センサー) 81;発光部 82;受光部 83;センサー本体 84;光ファイバー 85;反射面 86;ポンプ 87;導入管 88;三方切換弁 89;排出管 91;現像液供給タンク(処理液用容器) 92;排液用タンク(排液用容器)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 容器に貯留した液体内に延在させた光フ
    ァイバーに発光部から光を射出し、光ファイバーの先端
    部で反射した反射光を受光部により検知して、容器内の
    液面レベルを検出する液面検出器において、 前記発光部から光ファイバーの内壁に向けて光を射出
    し、光ファイバー内壁で順次反射させながら光ファイバ
    ーの先端部に到達させ、この先端部で反射した後、光フ
    ァイバー内壁で順次反射しながら戻った反射光を前記受
    光部により検知することを特徴とする液面検出器。
  2. 【請求項2】 容器に貯留された液体の液面レベルを検
    出するための液面検出器であって、 光を射出する発光部と、 前記容器に貯留された液体内に延在され、前記発光部か
    ら射出した光を内壁で順次反射させながら先端部に到達
    させ、この先端部で反射した反射光を内壁で順次反射さ
    せながら戻す光ファイバーと、 前記光ファイバーの内壁で反射しながら戻った反射光を
    検知する受光部とを具備することを特徴とする液面検出
    器。
  3. 【請求項3】 予め求めた液面レベルと反射光の強度と
    の関係に基づいて、検出した反射光の強度から液面レベ
    ルを演算する演算手段をさらに具備することを特徴とす
    る請求項1または請求項2に記載の液面検出器。
  4. 【請求項4】 前記光ファイバーは、その先端部に、光
    を反射する反射面を有していることを特徴とする請求項
    1ないし請求項3のいずれか1項に記載の液面検出器。
  5. 【請求項5】 容器に貯留した液体内に延在させた光フ
    ァイバーに発光部から光を射出し、光ファイバーの先端
    部で反射した反射光を受光部により検知して、容器内の
    液面レベルを検出する液面検出方法において、 前記発光部から光ファイバーの内壁に向けて光を射出
    し、光ファイバー内壁で順次反射させながら光ファイバ
    ーの先端部に到達させ、この先端部で反射した後、光フ
    ァイバー内壁で順次反射させながら戻った反射光を前記
    受光部により検知することを特徴とする液面検出方法。
  6. 【請求項6】 予め求めた液面レベルと反射光の強度と
    の関係に基づいて、検出した反射光の強度から液面レベ
    ルを求めることを特徴とする請求項5に記載の液面検出
    方法。
  7. 【請求項7】 処理液用容器に貯留した処理液を用い
    て、基板に所定の処理を行う処理部と、 前記処理液用容器に配置され、処理液用容器に貯留した
    処理液の液面レベルを検出するための液面検出器とを具
    備し、 前記液面検出器は、 光を射出する発光部と、 前記処理液用容器に貯留した処理液内に延在され、前記
    発光部から射出した光を内壁で順次反射させながら先端
    部に到達させ、この先端部で反射した反射光を内壁で順
    次反射させながら戻す光ファイバーと、 この光ファイバー内壁で反射しながら戻った反射光を検
    知する受光部とを有することを特徴とする基板処理装
    置。
  8. 【請求項8】 液体により基板に所定の処理を行った
    後、その排液を排液用容器内に貯留する処理部と、 前記排液用容器に配置され、排液用容器に貯留した排液
    の液面レベルを検出するための液面検出器とを具備し、 前記液面検出器は、 光を射出する発光部と、 前記容器に貯留した排液内に延在され、前記発光部から
    射出した光を内壁で順次反射させながら先端部に到達さ
    せ、この先端部で反射した反射光を内壁で順次反射させ
    ながら戻す光ファイバーと、 前記光ファイバーの内壁で反射しながら戻った反射光を
    検知する受光部とを有することを特徴とする基板処理装
    置。
  9. 【請求項9】 前記液面検出器は、予め求めた液面レベ
    ルと反射光の強度との関係に基づいて、検出した反射光
    の強度から液面レベルを演算する演算手段を、さらに有
    することを特徴とする請求項7または請求項8に記載の
    基板処理装置。
  10. 【請求項10】 前記光ファイバーは、その先端部に、
    光を反射する反射面を有していることを特徴とする請求
    項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の基板処理装
    置。
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