JP3205663B2 - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
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- Japan
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- stage
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置な
どの荷電粒子ビーム装置に関し、特に、高真空下や特定
ガス雰囲気下で試料の移動を円滑に行うことができる荷
電粒子ビーム装置に関する。
どの荷電粒子ビーム装置に関し、特に、高真空下や特定
ガス雰囲気下で試料の移動を円滑に行うことができる荷
電粒子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置などでは、試料を真
空に排気された試料室に配置された移動ステージ上に載
せ、ステージを移動させながら試料に対して電子ビーム
により所望の描画を実行している。この試料周辺の真空
度は、試料が汚染しないように高真空（低圧力）とする
ことが望ましい。また、時として試料を特定ガス雰囲気
中で描画などの処理を行うが、この場合も試料室内を高
真空に排気した後、試料室中に特定ガスを入れるように
している。
空に排気された試料室に配置された移動ステージ上に載
せ、ステージを移動させながら試料に対して電子ビーム
により所望の描画を実行している。この試料周辺の真空
度は、試料が汚染しないように高真空（低圧力）とする
ことが望ましい。また、時として試料を特定ガス雰囲気
中で描画などの処理を行うが、この場合も試料室内を高
真空に排気した後、試料室中に特定ガスを入れるように
している。
【０００３】この試料室内には、ステージを水平方向に
移動させる移動機構が配置されている。例えば、この駆
動機構としては、ステージをレール上に載せ、このステ
ージを試料室の外部に設けられたモータにより回転する
送りネジによって移動させるようにする機構が用いられ
る。
移動させる移動機構が配置されている。例えば、この駆
動機構としては、ステージをレール上に載せ、このステ
ージを試料室の外部に設けられたモータにより回転する
送りネジによって移動させるようにする機構が用いられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に高真空下でのス
テージ系の十分な稼働には困難さがあり、特に、高真空
下で高速に連続してステージを移動させる運転条件を満
足させることは難しい。また、試料室内を特定ガスの環
境にした場合、ガスの性質によってはそのガスとステー
ジの移動部と固定部との間に設けられる潤滑剤や、ある
いは、ステージの各構成部材とが反応し、凝着などが生
じる。このため相対運動部、特にボールベアリングなど
の滑り運動部を有するステージ系の高い移動精度を維持
することは困難となる。
テージ系の十分な稼働には困難さがあり、特に、高真空
下で高速に連続してステージを移動させる運転条件を満
足させることは難しい。また、試料室内を特定ガスの環
境にした場合、ガスの性質によってはそのガスとステー
ジの移動部と固定部との間に設けられる潤滑剤や、ある
いは、ステージの各構成部材とが反応し、凝着などが生
じる。このため相対運動部、特にボールベアリングなど
の滑り運動部を有するステージ系の高い移動精度を維持
することは困難となる。
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、高真空や特定ガス雰囲気下に試料
を配置しても高い移動精度で試料ステージを移動させる
ことができる荷電粒子ビーム装置を実現するにある。
もので、その目的は、高真空や特定ガス雰囲気下に試料
を配置しても高い移動精度で試料ステージを移動させる
ことができる荷電粒子ビーム装置を実現するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム装置は、荷電粒子ビームが照射される試料を載せ
るステージと、ステージを水平方向に移動させるための
移動機構と、試料が入れられる第１のチャンバーと、移
動機構が入れられる第２のチャンバーと、第１のチャン
バー内を排気する第１の排気系と、第２のチャンバー内
を排気する第２の排気系と、第１と第２のチャンバーと
の間に配置され、移動機構によって移動するステージの
一部が貫通する開口を有した隔壁と、開口の周辺部にお
いて隔壁と対向して配置され、ステージと共に移動する
平面板とを有しており、隔壁と平面板との間には第１の
チャンバー内と第２のチャンバー内とを連通する小さな
排気コンダクタンスの間隙が設けられていることを特徴
としている。
ビーム装置は、荷電粒子ビームが照射される試料を載せ
るステージと、ステージを水平方向に移動させるための
移動機構と、試料が入れられる第１のチャンバーと、移
動機構が入れられる第２のチャンバーと、第１のチャン
バー内を排気する第１の排気系と、第２のチャンバー内
を排気する第２の排気系と、第１と第２のチャンバーと
の間に配置され、移動機構によって移動するステージの
一部が貫通する開口を有した隔壁と、開口の周辺部にお
いて隔壁と対向して配置され、ステージと共に移動する
平面板とを有しており、隔壁と平面板との間には第１の
チャンバー内と第２のチャンバー内とを連通する小さな
排気コンダクタンスの間隙が設けられていることを特徴
としている。
【０００７】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、試料が
入れられる第１のチャンバーと、移動機構が入れられる
第２のチャンバーとの間を小さな排気コンダクタンスの
間隙のみで連通し、差動排気によって第１のチャンバー
内を比較的高い真空度に維持し、第２のチャンバー内を
比較的低い真空度に維持する。
入れられる第１のチャンバーと、移動機構が入れられる
第２のチャンバーとの間を小さな排気コンダクタンスの
間隙のみで連通し、差動排気によって第１のチャンバー
内を比較的高い真空度に維持し、第２のチャンバー内を
比較的低い真空度に維持する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例の要部を示す図、
図２は図１の部分拡大図である。これらの図において、
１は内部がメインチャンバＭｃとなるメインチャンバ壁
であり、その内部の底部にはベース部材２が配置されて
いる。ベース部材２の上部にはガイド３を介して移動ス
テージ４が取り付けられている。このステージ４は複数
の部材から形成され、下部に位置する部材には雌ネジが
切られており、そこに送りネジ５が螺合されているが、
送りネジ５はメインチャンバＭｃの外部のモータ（図示
せず）に連結している。この送りネジ５をモータによっ
て回転させることにより、ステージ４はベース部材２上
のガイド３に沿って移動することになる。なお、図１で
は説明の簡便さのために、紙面に垂直な方向（Ｘ方向）
にステージ４を移動させる機構のみ図示したが、実際に
は紙面の左右方向（Ｙ方向）にステージ４を移動させる
機構が付加される。このＹ方向の移動を実現するには、
例えばベース部材２をＹ方向に移動させるように、ベー
ス部材２とメインチャンバ壁１との間に、前述のＸ方向
の駆動機構と同様な機構を設ければよい。
に説明する。図１は本発明の一実施例の要部を示す図、
図２は図１の部分拡大図である。これらの図において、
１は内部がメインチャンバＭｃとなるメインチャンバ壁
であり、その内部の底部にはベース部材２が配置されて
いる。ベース部材２の上部にはガイド３を介して移動ス
テージ４が取り付けられている。このステージ４は複数
の部材から形成され、下部に位置する部材には雌ネジが
切られており、そこに送りネジ５が螺合されているが、
送りネジ５はメインチャンバＭｃの外部のモータ（図示
せず）に連結している。この送りネジ５をモータによっ
て回転させることにより、ステージ４はベース部材２上
のガイド３に沿って移動することになる。なお、図１で
は説明の簡便さのために、紙面に垂直な方向（Ｘ方向）
にステージ４を移動させる機構のみ図示したが、実際に
は紙面の左右方向（Ｙ方向）にステージ４を移動させる
機構が付加される。このＹ方向の移動を実現するには、
例えばベース部材２をＹ方向に移動させるように、ベー
ス部材２とメインチャンバ壁１との間に、前述のＸ方向
の駆動機構と同様な機構を設ければよい。
【０００９】メインチャンバＭｃの上部にはサブチャン
バＳｃを形成するサブチャンバ壁６が設けられている。
サブチャンバ壁６の下端部分には、平板状のフランジ７
が設けられている。このフランジ７の中心には比較的大
きな開口８が穿たれており、この開口８を貫通してステ
ージ４がサブチャンバＳｃ内に配置される。ステージ４
には、リング状の平板部材９がフランジ７の下面と対向
して設けられている。固定のフランジ７と移動する平板
部材９との間隔は極めて微小に設定されており、この間
隙によりフランジ７と平板部材９との間にはリング状の
オリフィスＯが形成されている（図では間隙を強調して
いる）。ステージ４の上面には被描画試料１０が載せら
れた試料ホルダーＨが設けられている。
バＳｃを形成するサブチャンバ壁６が設けられている。
サブチャンバ壁６の下端部分には、平板状のフランジ７
が設けられている。このフランジ７の中心には比較的大
きな開口８が穿たれており、この開口８を貫通してステ
ージ４がサブチャンバＳｃ内に配置される。ステージ４
には、リング状の平板部材９がフランジ７の下面と対向
して設けられている。固定のフランジ７と移動する平板
部材９との間隔は極めて微小に設定されており、この間
隙によりフランジ７と平板部材９との間にはリング状の
オリフィスＯが形成されている（図では間隙を強調して
いる）。ステージ４の上面には被描画試料１０が載せら
れた試料ホルダーＨが設けられている。
【００１０】サブチャンバＳｃを形成するサブチャンバ
壁６の上部には電子ビームカラム１１が真空接手２０を
介して接続されている。図１では電子ビームカラム１１
の内部が一部図示されているが、電子ビームカラム１１
内には、図示されていないが電子銃，コンデンサレン
ズ，対物レンズなどが設けられている。電子ビームカラ
ム１１の中心部には電子ビームの通路を形成するチュー
ブ１２が設けられており、このチューブ１２の底部には
電子ビームが通過する微小な開口を有したオリフィス１
３が取り付けられている。
壁６の上部には電子ビームカラム１１が真空接手２０を
介して接続されている。図１では電子ビームカラム１１
の内部が一部図示されているが、電子ビームカラム１１
内には、図示されていないが電子銃，コンデンサレン
ズ，対物レンズなどが設けられている。電子ビームカラ
ム１１の中心部には電子ビームの通路を形成するチュー
ブ１２が設けられており、このチューブ１２の底部には
電子ビームが通過する微小な開口を有したオリフィス１
３が取り付けられている。
【００１１】メインチャンバＭｃ内部はメインチャンバ
壁１に設けられた排気口１４を介して排気系（図示せ
ず）により真空に排気される。また、サブチャンバＳｃ
内部は、排気管１５を介して排気系（図示せず）に接続
されており、サブチャンバＳｃ内部は適宜に高真空に排
気される。電子ビームカラム１１内の電子ビームの通路
を形成するチューブ１２内部は排気管１６を介して電子
ビームカラム用の排気系（図示せず）に接続されてい
る。なお、サブチャンバＳｃには試料交換のための管１
７が接続されている。管１７は図示していないが、仕切
弁を介して試料交換室に繋がっている。このような構成
の動作を次に説明する。
壁１に設けられた排気口１４を介して排気系（図示せ
ず）により真空に排気される。また、サブチャンバＳｃ
内部は、排気管１５を介して排気系（図示せず）に接続
されており、サブチャンバＳｃ内部は適宜に高真空に排
気される。電子ビームカラム１１内の電子ビームの通路
を形成するチューブ１２内部は排気管１６を介して電子
ビームカラム用の排気系（図示せず）に接続されてい
る。なお、サブチャンバＳｃには試料交換のための管１
７が接続されている。管１７は図示していないが、仕切
弁を介して試料交換室に繋がっている。このような構成
の動作を次に説明する。
【００１２】被描画試料１０に対する描画は、電子ビー
ムカラム１１内の電子銃から電子ビームを発生させ、こ
の電子ビームをコンデンサレンズや対物レンズによって
細く集束させ、試料１０上に照射する。更に、カラム１
１内に設けられた偏向コイルにより描画パターンに応じ
て電子ビームの偏向を行う。また、この被描画試料１０
への所望パターンの描画は、例えば送りネジ５を図示し
ていないモータによって回転させ、ステージ４を精密に
移動させながら行う。
ムカラム１１内の電子銃から電子ビームを発生させ、こ
の電子ビームをコンデンサレンズや対物レンズによって
細く集束させ、試料１０上に照射する。更に、カラム１
１内に設けられた偏向コイルにより描画パターンに応じ
て電子ビームの偏向を行う。また、この被描画試料１０
への所望パターンの描画は、例えば送りネジ５を図示し
ていないモータによって回転させ、ステージ４を精密に
移動させながら行う。
【００１３】上記描画動作は、電子ビームカラム１１
内、メインチャンバＭｃ内、サブチャンバＳｃ内を真空
排気した後に行う。カラム１１と両チャンバＭｃ，Ｓｃ
内はそれぞれ独立して排気されるが、電子ビームカラム
１１内とサブチャンバＳｃとの間にはオリフィス１３が
設けられており、この両部屋との間の排気コンダクタン
スは著しく低くされている。また、サブチャンバＳｃと
メインチャンバＭｃとの間はフランジ７と平板部材９と
の間のリング状のオリフィスＯによって通じているが、
オリフィスＯのコンダンクタンスは著しく低くされてい
る。この結果、サブチャンバＳｃ内が高い真空度に排気
される。そして、メインチャンバＭｃ内は比較的低い真
空度に維持される。
内、メインチャンバＭｃ内、サブチャンバＳｃ内を真空
排気した後に行う。カラム１１と両チャンバＭｃ，Ｓｃ
内はそれぞれ独立して排気されるが、電子ビームカラム
１１内とサブチャンバＳｃとの間にはオリフィス１３が
設けられており、この両部屋との間の排気コンダクタン
スは著しく低くされている。また、サブチャンバＳｃと
メインチャンバＭｃとの間はフランジ７と平板部材９と
の間のリング状のオリフィスＯによって通じているが、
オリフィスＯのコンダンクタンスは著しく低くされてい
る。この結果、サブチャンバＳｃ内が高い真空度に排気
される。そして、メインチャンバＭｃ内は比較的低い真
空度に維持される。
【００１４】ここで図３に図１及び図２の構成の模式図
を示す。図３に示すように、リング状のオリフィスＯの
コンダクタンスをＣ1、オリフィス１３のコンダクタン
スをＣ２とし、メインチャンバＭｃの排気速度をＳ1、
メインチャンバＭｃの到達圧力をＰ1、電子ビームカラ
ム１１の排気速度をＳ2、電子ビームカラム１１の到達
圧力をＰ2、サブチャンバＳｃの排気速度をＳ0、サブチ
ャンバＳｃの到達圧力をＰ0、サブチャンバＳｃ内の放
出ガス量をｑとする。
を示す。図３に示すように、リング状のオリフィスＯの
コンダクタンスをＣ1、オリフィス１３のコンダクタン
スをＣ２とし、メインチャンバＭｃの排気速度をＳ1、
メインチャンバＭｃの到達圧力をＰ1、電子ビームカラ
ム１１の排気速度をＳ2、電子ビームカラム１１の到達
圧力をＰ2、サブチャンバＳｃの排気速度をＳ0、サブチ
ャンバＳｃの到達圧力をＰ0、サブチャンバＳｃ内の放
出ガス量をｑとする。
【００１５】この結果、電子ビームカラム１１からサブ
チャンバＳｃに、リング状のオリフィスＯを通って流入
するガス量はＰ1・Ｃ1、となる。また、メインチャンバ
ＭｃからサブチャンバＳｃに、リング状のオリフィスＯ
を通って流入するガス量はＰ 2・Ｃ2となる。従って、サ
ブチャンバＳｃ内の到達圧力Ｐ0は次のように表すこと
ができる。
チャンバＳｃに、リング状のオリフィスＯを通って流入
するガス量はＰ1・Ｃ1、となる。また、メインチャンバ
ＭｃからサブチャンバＳｃに、リング状のオリフィスＯ
を通って流入するガス量はＰ 2・Ｃ2となる。従って、サ
ブチャンバＳｃ内の到達圧力Ｐ0は次のように表すこと
ができる。
【００１６】Ｐ0＝（Ｐ1・Ｃ1＋Ｐ2・Ｃ2＋ｑ）／Ｓ0 例えば、 Ｐ1＝２×１０−7（Ｔｏｒｒ） Ｐ2＝１×１０−7（Ｔｏｒｒ） Ｃ1＝２×１０−1（ｌ／ｓ） Ｃ2＝１×１０−1（ｌ／ｓ） ｑ＝１×１０−7（Ｔｏｒｒ ｌ／ｓ） Ｓ0＝１．５×１０2（ｌ／ｓ） とすれば、サブチャンバＳｃ内の到達圧力Ｐ0は次のよ
うになる。
うになる。
【００１７】Ｐ0＝（４×１０−8＋１×１０−8＋１×
１０−7）／（１．５×１０2）＝（１．５×１０−7）
／（１．５×１０2）＝１×１０−9（Ｔｏｒｒ） 上記メインチャンバＭｃ内の到達圧力Ｐ1＝２×１０−7
（Ｔｏｒｒ）は、従来の真空用潤滑剤をステージ系に使
用して十分性能を維持できる圧力である。また、サブチ
ャンバＳｃ内の到達圧力Ｐ0＝１×１０−9（Ｔｏｒｒ）
は、試料の汚れを防止し、精密な描画を行うに十分な圧
力である。
１０−7）／（１．５×１０2）＝（１．５×１０−7）
／（１．５×１０2）＝１×１０−9（Ｔｏｒｒ） 上記メインチャンバＭｃ内の到達圧力Ｐ1＝２×１０−7
（Ｔｏｒｒ）は、従来の真空用潤滑剤をステージ系に使
用して十分性能を維持できる圧力である。また、サブチ
ャンバＳｃ内の到達圧力Ｐ0＝１×１０−9（Ｔｏｒｒ）
は、試料の汚れを防止し、精密な描画を行うに十分な圧
力である。
【００１８】ところで、サブチャンバＳｃの到達圧力Ｐ
0を十分低くするためには、放出ガス量ｑを小さくする
ことが重要であることは明白である。前記した具体的な
条件において、放出ガス量を２．５×１０−8（Ｔｏｒ
ｒ ｌ／ｓ）にできれば、サブチャンバＳｃ内の到達圧
力Ｐ0は次の通りとなる。
0を十分低くするためには、放出ガス量ｑを小さくする
ことが重要であることは明白である。前記した具体的な
条件において、放出ガス量を２．５×１０−8（Ｔｏｒ
ｒ ｌ／ｓ）にできれば、サブチャンバＳｃ内の到達圧
力Ｐ0は次の通りとなる。
【００１９】Ｐ0＝（４×１０−8＋１×１０−8＋２．
５×１０−8）／（１．５×１０2）＝（７．５×１０
−8）／（１．５×１０2）＝５×１０−10（Ｔｏｒｒ） 放出ガス量ｑを低下させるためには、ベーキングが必要
となる。各構成部品をベーキング後組み立て、全体をベ
ーキングするとき、いくつかの制限がある。まず第１
に、ステージ系に設けられたレーザ測長用ミラー部（図
示せず）の温度上昇を制限しなくてはならない。ミラー
固定が接着の場合は数十度であり、また、ステージ系の
相対運動部の制限がある。第２にベーキング時間は一般
に長時間に渡り、近接部分には絶えず熱が流入する。従
って、この熱を取り去る方法が必要になる。
５×１０−8）／（１．５×１０2）＝（７．５×１０
−8）／（１．５×１０2）＝５×１０−10（Ｔｏｒｒ） 放出ガス量ｑを低下させるためには、ベーキングが必要
となる。各構成部品をベーキング後組み立て、全体をベ
ーキングするとき、いくつかの制限がある。まず第１
に、ステージ系に設けられたレーザ測長用ミラー部（図
示せず）の温度上昇を制限しなくてはならない。ミラー
固定が接着の場合は数十度であり、また、ステージ系の
相対運動部の制限がある。第２にベーキング時間は一般
に長時間に渡り、近接部分には絶えず熱が流入する。従
って、この熱を取り去る方法が必要になる。
【００２０】そのため、ステージ４のサブチャンバＳｃ
に接した部分（ベーキングされる部分）と、メインチャ
ンバＭｃ内の部分（加熱が好ましくない部分）とを熱的
に絶縁し、メインチャンバＭｃ内の部分を冷却すること
は有効である。その結果、ステージ４のメインチャンバ
Ｍｃ内の部分に設けられたレーザ測長系のミラー部など
は、高い温度に加熱されて精度が低下することは防止さ
れる。
に接した部分（ベーキングされる部分）と、メインチャ
ンバＭｃ内の部分（加熱が好ましくない部分）とを熱的
に絶縁し、メインチャンバＭｃ内の部分を冷却すること
は有効である。その結果、ステージ４のメインチャンバ
Ｍｃ内の部分に設けられたレーザ測長系のミラー部など
は、高い温度に加熱されて精度が低下することは防止さ
れる。
【００２１】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、描画装置を例に
して説明したが、走査電子顕微鏡など真空中で試料を移
動させる機構を有した他の荷電粒子ビーム装置にも本発
明を適用することができる。また、サブチャンバ内を高
真空に排気する例を説明したが、サブチャンバ内を高真
空に排気した後、特定のガスを入れる場合にも本発明を
適用することができる。
はこの実施例に限定されない。例えば、描画装置を例に
して説明したが、走査電子顕微鏡など真空中で試料を移
動させる機構を有した他の荷電粒子ビーム装置にも本発
明を適用することができる。また、サブチャンバ内を高
真空に排気する例を説明したが、サブチャンバ内を高真
空に排気した後、特定のガスを入れる場合にも本発明を
適用することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム装置は、試料が入れられる第１のチャンバ
ーと、移動機構が入れられる第２のチャンバーとの間を
小さな排気コンダクタンスの間隙のみで連通し、差動排
気によって第１のチャンバー内を比較的高い真空度に維
持し、第２のチャンバー内を比較的低い真空度に維持す
るように構成した。その結果、ステージ系の滑り駆動部
と試料周辺部を実質的に真空的に切り離すことができ、
ステージ系駆動に十分な潤滑を確保できる一方、試料周
辺を高真空状態とすることができる。このため、高真空
対応のステージを開発する必要がなくなる。
電粒子ビーム装置は、試料が入れられる第１のチャンバ
ーと、移動機構が入れられる第２のチャンバーとの間を
小さな排気コンダクタンスの間隙のみで連通し、差動排
気によって第１のチャンバー内を比較的高い真空度に維
持し、第２のチャンバー内を比較的低い真空度に維持す
るように構成した。その結果、ステージ系の滑り駆動部
と試料周辺部を実質的に真空的に切り離すことができ、
ステージ系駆動に十分な潤滑を確保できる一方、試料周
辺を高真空状態とすることができる。このため、高真空
対応のステージを開発する必要がなくなる。
【００２３】また、サブチャンバと電子ビームカラムと
の間にオリフィスを設け、このオリフィスの電子銃側に
排気系を設けたので、サブチャンバを高真空に排気しや
すく、また、サブチャンバにガスを入れた場合でも、電
子銃への影響を阻止することができる。
の間にオリフィスを設け、このオリフィスの電子銃側に
排気系を設けたので、サブチャンバを高真空に排気しや
すく、また、サブチャンバにガスを入れた場合でも、電
子銃への影響を阻止することができる。
【図１】本発明の一実施例である電子ビーム描画装置を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】図１及び図２の構成の模式図である。
１ メインチャンバ壁 ２ ベース部材 ３ ガイド ４ 移動ステージ ５ 送りネジ ６ サブチャンバ壁 ７ フランジ ８ 開口 ９ 平板部材 １０ 試料 １１ 電子ビームカラム １２ チューブ １３ オリフィス １４ 排気口 １５，１６ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−26665（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−59719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−148827（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−186425（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−36035（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームが照射される試料を載せ
るステージと、ステージを水平方向に移動させるための
移動機構と、試料が入れられる第１のチャンバーと、移
動機構が入れられる第２のチャンバーと、第１のチャン
バー内を排気する第１の排気系と、第２のチャンバー内
を排気する第２の排気系と、第１と第２のチャンバーと
の間に配置され、移動機構によって移動するステージの
一部が貫通する開口を有した隔壁と、開口の周辺部にお
いて隔壁と対向して配置され、ステージと共に移動する
平面板とを有しており、隔壁と平面板との間には第１の
チャンバー内と第２のチャンバー内とを連通する小さな
排気コンダクタンスの間隙が設けられていることを特徴
とする荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731294A JP3205663B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731294A JP3205663B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817709A JPH0817709A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3205663B2 true JP3205663B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=15427354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14731294A Ceased JP3205663B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
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