DE102008041179B4 - Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

Info

Publication number
DE102008041179B4
DE102008041179B4 DE102008041179A DE102008041179A DE102008041179B4 DE 102008041179 B4 DE102008041179 B4 DE 102008041179B4 DE 102008041179 A DE102008041179 A DE 102008041179A DE 102008041179 A DE102008041179 A DE 102008041179A DE 102008041179 B4 DE102008041179 B4 DE 102008041179B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
influencing
illumination
areas
optical
polarization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102008041179A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008041179A1 (de
Inventor
Damian Fiolka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102008041179A priority Critical patent/DE102008041179B4/de
Priority to US12/536,925 priority patent/US7787104B2/en
Publication of DE102008041179A1 publication Critical patent/DE102008041179A1/de
Priority to US12/836,982 priority patent/US20100277707A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102008041179B4 publication Critical patent/DE102008041179B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Beleuchtungsoptik (5) für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage (1) zur Ausleuchtung eines in einer Objektebene (6) liegenden Objektfeldes mit Beleuchtungslicht (4) einer Strahlungsquelle (3),
– wobei die Beleuchtungsoptik (5) ein optisches Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) aufweist, das unterteilt ist in mindestens zwei Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) zur Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für das Objektfeld,
– wobei das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) verlagerbar ist zwischen
– einer ersten Strahlbeeinflussungsstellung, in der ein erster (22a; 28a) der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) mit einem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist,
– mindestens einer weiteren Strahlungsbeeinflussungsstellung, in der ein weiterer (22b; 28b) der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) mit dem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist,
– wobei jeder der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) eine mit Beleuchtungslicht (4) beaufschlagbare Fläche aufweist, die eine lange und eine kurze Seitenlänge hat, wobei das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) senkrecht zur langen...

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches Strahlbeeinflussungselement zum Einsatz in einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Herstellungsverfahren für ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauelement unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Herstellungsverfahren hergestelltes Bauelement.
  • Eine Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage ist bekannt aus der US 2006/0072095 A1 , der US 2007/0211231 A1 , der US 2007/0058151 A1 sowie der US 2006/0158624 A1 .
  • Aus der US 7 265 816 B2 und der US 2006/0083996 A1 sind jeweils Beleuchtungsoptiken zur Ausleuchtung eines in einer Objektebene liegenden Objektfeldes mit Beleuchtungslicht einer Strahlungsquelle offenbart, bei denen die Beleuchtungsoptik ein optisches Strahlbeeinflussungselement enthält, das mehrere Strahlbeeinflussungsbereiche zur Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für das Objektfeld aufweist.
  • Die US 4 858 003 und die DE 24 04 716 A1 offenbaren Anordnungen zum Bildwechsel in Film- und Diaprojektoren.
  • Die Leistungsfähigkeit von Projektionsbelichtungsanlagen für die mikrolithografische Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen wird wesentlich durch die Abbildungseigenschaf ten der Projektionsobjektive bestimmt. Darüber hinaus werden die Bildqualität, die Flexibilität der Verfahrensführung, der mit der Anlage erzielbare Wafer-Durchsatz und andere Leistungsmerkmale wesentlich durch Eigenschaften des dem Projektionsobjektiv vorgeschalteten Beleuchtungssystems, also der Beleuchtungsoptik und der Strahlungsquelle, mitbestimmt. Die Beleuchtungsoptik sollte in der Lage sein, das Licht einer primären Lichtquelle, beispielsweise eines Lasers, mit möglichst hohem Wirkungsgrad zu präparieren und dabei in einem Objekt- bzw. Beleuchtungsfeld des Beleuchtungssystems eine möglichst gleichmäßige Intensitätsverteilung zu erzeugen. Zudem soll es möglich sein, am Beleuchtungssystem verschiedene Beleuchtungsmodi einzustellen, um beispielsweise die Beleuchtung entsprechend der Strukturen der einzelnen abzubildenden Vorlagen, also von Masken oder Retikeln, zu optimieren. Üblich sind Einstellungsmöglichkeiten zwischen unterschiedlichen konventionellen Beleuchtungssettings mit verschiedenen Kohärenzgraden sowie Ringfeldbeleuchtung und Dipol- oder Quadrupolbeleuchtung. Die nicht-konventionellen Beleuchtungssettings zur Erzeugung einer schiefen Beleuchtung können u. a. der Erhöhung der Tiefenschärfe durch Zweistrahlinterferenz sowie der Erhöhung des Auflösungsvermögens dienen. Die Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für das Objektfeld durch die mindestens zwei Strahlbeeinflussungsbereiche des optischen Strahlbeeinflussungselements kann von einer Lichtschwächung unabhängig sein. Dies ist dann der Fall, wenn die Erzeugung in den Strahlbeeinflussungsbereichen diffraktiv, refraktiv oder reflektiv geschieht.
  • Für Mehrfachbelichtungen können schnelle Wechsel des Beleuchtungssettings erwünscht sein, um in kurzen Zeiten eine Maske im Objektfeld mit zwei unterschiedlichen Beleuchtungssettings zu beleuchten. Die Möglichkeiten herkömmlicher Beleuchtungsoptiken mit variabel einstellbaren Pupillenformungseinrichtungen sind in dieser Hinsicht begrenzt, insbesondere wenn für den Wechsel zwischen unterschiedlichen Beleuchtungssettings relativ lange Verfahrwege für die Massen der verschiebbaren optischen Komponenten zurückgelegt werden müssen. Bei einem Einsatz von auswechselbaren Pupillenfiltern muss Lichtverlust in Kauf genommen werden.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage bereit zu stellen, die einen schnellen Wechsel zwischen unterschiedlichen Beleuchtungssettings, möglichst innerhalb von Sekundenbruchteilen und im Wesentlichen ohne Lichtverlust, ermöglicht.
  • Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage zur Ausleuchtung eines in einer Objektebene liegenden Objektfeldes mit Beleuchtungslicht einer Strahlungsquelle,
    • – wobei die Beleuchtungsoptik ein optisches Strahlbeeinflussungselement aufweist, das unterteilt ist in mindestens zwei Strahlbeeinflussungsbereiche zur von einer Lichtschwächung unabhängigen Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für das Objektfeld,
    • – wobei das optische Strahlbeeinflussungselement verlagerbar ist zwischen
    • – einer ersten Strahlbeeinflussungsstellung, in der ein erster der Strahlbeeinflussungsbereiche mit einem Bündel des Beleuchtungslichts beaufschlagt ist,
    • – mindestens einer weiteren Strahlungsbeeinflussungsstellung, in der ein der Strahlbeeinflussungsbereiche mit dem Bündel des Beleuchtungslichts beaufschlagt ist,
    • – wobei jeder der Strahlbeeinflussungsbereiche eine mit Beleuchtungslicht beaufschlagbare Fläche aufweist, die eine lange und eine kurze Seitenlänge hat, wobei das optische Strahlbeeinflussungselement senkrecht zur langen Seitenlänge verlagerbar ist.
  • Das erfindungsgemäße Strahlbeeinflussungselement hat mehrere Strahlbeeinflussungsbereiche, wobei über eine Verlagerung des Strahlbeeinflussungselements vorgegeben werden kann, welcher der verschiedenen Strahlbeeinflussungsbereiche mit dem Beleuchtungslichtbündel beaufschlagt wird. Da die Strahlbeeinflussungsbereiche verschiedene Beleuchtungszustände für das Objektfeld herbeiführen, kann auf diese Weise ein Wechsel zwischen den Beleuchtungszuständen erzielt werden. Die Strahlbeeinflussungsbereiche haben eine strahlbeeinflussende Wirkung, die von einer Lichtschwächung unabhängig ist. Beispiele für eine derartige, von der Schwächung des Beleuchtungslichts unabhängige strahlbeeinflussende Wirkung sind eine reflektive, eine refraktive und eine diffraktive Wirkung. Bei den Strahlbeeinflussungsbereichen handelt es sich also nicht um Filter für das Beleuchtungslicht. Das Strahlbeeinflussungselement kann zwei Strahlbeeinflussungsbereiche oder auch mehr als zwei Strahlbeeinflussungsbereiche aufweisen, z. B. drei, vier, fünf, acht, zehn oder noch mehr Strahlbeeinflussungsbereiche. Aufgrund der Gestaltung der mit Beleuchtungslicht beaufschlagbaren Fläche der Strahlbeeinflussungsbereiche mit einer langen und einer kurzen Seitenlange kann durch eine Verlagerung des Strahlbeeinflussungselements senkrecht zur langen Seitenlänge ein kurzer Verlagerungsweg realisiert werden, was wiederum zu kleinen Schaltzeiten führt. Ein Aspektverhältnis zwischen der langen und der kurzen Seitenlänge kann größer sein als 1,5, größer sein als 2, größer sein als 3, größer sein als 4, größer sein als 5 oder auch größer sein als 8 oder 10.
  • Das optische Strahlbeeinflussungselement kann ein optisches Strahlformungselement aufweisen, das unterteilt ist in mindestens zwei Strahlformungsbereiche zur Erzeugung verschiedener Strahlwinkelverteilungen des Beleuchtungslichts,
    • – wobei das Strahlformungselement verlagerbar ist zwischen – einer ersten Strahlformungsstellung, in der ein erster der Strahlformungsbereiche mit dem Bündel des Beleuchtungslichts beaufschlagt ist, – mindestens einer weiteren Strahlformungsstellung, in der ein weiterer der Strahlformungsbereiche mit dem Bündel des Beleuchtungslichts beaufschlagt ist.
  • Alternativ kann das optische Strahlbeeinflussungselement ein optisches Polarisationsformungselement aufweisen, das unterteilt ist in mindestens zwei Polarisationsformungsbereiche zur Erzeugung verschiedener Polarisationsverteilungen des Beleuchtungslichts,
    • – wobei das optische Polarisationsformungselement verlagerbar ist zwischen – einer ersten Polarisationsstellung, in der ein erster der Polarisationsformungsbereiche mit dem Bündel des Beleuchtungslichts beaufschlagt ist, – mindestens einer weiteren Polarisationsstellung, in der ein weiterer der Polarisationsformungsbereiche mit dem Bündel des Beleuchtungslichts beaufschlagt ist.
  • Derartige Strahlbeeinflussungselemente erlauben selektive Vorgaben von Beleuchtungssettings. Dies kann für anspruchsvolle Belichtungsaufgaben, insbesondere für definierte Mehrfachbelichtungen ein und derselben Objektstruktur genutzt werden.
  • Das optische Strahlbeeinflussungselement kann in einer zur Objektebene konjugierten Feldebene der Beleuchtungsoptik angeordnet sein. Eine derartige Anordnung führt zu einer reinen Beleuchtungswinkelbeeinflussung des Strahlbeeinflussungselements. Alternativ ist es möglich, das Strahlbeeinflussungselement auch benachbart oder beabstandet zu einer zur Objektebene konjugierten Feldebene anzuordnen. Das Strahlbeeinflussungselement kann dann sowohl Beleuchtungsparameter über das Objektfeld als auch die Form des Objektfeldes beeinflussen, wobei der Schwerpunkt dann auf der Beeinflussung der Intensitätsverteilung über das Objektfeld liegen kann. Weiterhin ist es möglich, das Strahlbeeinflussungselement in einer zu einer Pupillenebene einer der Beleuchtungsoptik nachgelagerten Projektionsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage optisch konjugierten Pupillenebene anzuordnen. In diesem Falle kann das optische Strahlbeeinflussungselement eine reine Beeinflussung einer Beleuchtungswinkelverteilung herbeiführen. Schließlich ist es möglich, das Strahlbeeinflussungselement auch benachbart oder beabstandet zu einer derartigen Pupillenebene anzuordnen. Das Strahlbeeinflussungselement kann dann wiederum sowohl Beleuchtungsparameter über das Objektfeld als auch die Form des Objektfeldes sowie die Intensitätsverteilung über das Objektfeld beeinflussen, wobei dann der Schwerpunkt der Beeinflussung auf der Beleuchtungswinkelbeeinflussung liegen kann.
  • Das optische Strahlbeeinflussungselement kann als diffraktives optisches Element ausgebildet sein, wobei die Strahlbeeinflussungsbereiche als diffraktive Strahlbeeinflussungsbereiche ausgebildet sind. Derartige Strahlbeeinflussungsbereiche erlauben eine definierte Strahlbeeinflussung, wobei auch komplizierte Beleuchtungssettings, z. B. Multipol-Settings realisiert werden können.
  • Die Strahlbeeinflussungsbereiche können eine unterschiedliche polarisierende Wirkung für das Beleuchtungslicht haben. Dies ermöglicht eine nochmalige Auflösungsverbesserung bei bestimmten abzubildenden Objektgeometrien. Ein polarisierender Strahlbeeinflussungsbereich kann als diffraktives optisches Element ausgebildet sein. Polarisierende diffraktive optische Elemente sind bekannt aus der US 2007/0 058 151 A1 und der US 2006/0 158 624 A1 .
  • Mindestens einer der Strahlbeeinflussungsbereiche kann eine depolarisierende Wirkung haben. Dies kann eine für bestimmte Belichtungsaufgaben unerwünschte Vorzugsrichtung vermeiden. Ein depolarisierender Strahlbeeinflussungsbereich ist bekannt aus der US 6,466,303 B1 .
  • Die Polarisationsformungsbereiche können aus optisch aktivem Material ausgeführt sein. Hierbei kann es sich um einen optischen Rotator oder um ein optisch doppelbrechendes Material handeln. Eine Ausführung der Polarisationsformungsbereiche aus optisch aktivem Material ermöglicht eine präzise Polarisationseinstellung.
  • Die Polarisationsformungsbereiche können transmissiv und aus Material unterschiedlicher Dicke ausgeführt sein. Über die Dickenwahl lässt sich die jeweilige polarisierende Wirkung des Polarisationsformungsbereichs vorgeben.
  • Das optische Strahlbeeinflussungselement kann angetrieben linear verlagerbar und/oder um eine Schwenkachse angetrieben verlagerbar sein, wobei im Falle der schwenkbaren Verlagerbarkeit die Strahlformungsbereiche als Sektorabschnitte in Umfangsrichtung um die Schwenkachse angeordnet sein können. Derartige Verlagerungsanordnungen des Strahlbeeinflussungselements lassen sich mit vergleichsweise niedrigem konstruktivem Aufwand realisieren.
  • Die Vorteile eines optischen Strahlbeeinflussungselements zum Einsatz in einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden.
  • Die Vorteile eines Beleuchtungssystems mit einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik und einer Strahlungsquelle entsprechen denen der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik. Als Strahlungsquelle kann eine DUV-Quelle oder auch eine EUV-Quelle zum Einsatz kommen.
  • Das Beleuchtungslichtbündel kann durch die formende Wirkung des Beleuchtungssystems in der Ebene des optischen Strahlbeeinflussungselements von einer längeren und einer kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension aufgespannt sein, wobei das optische Strahlbeeinflussungselement in Richtung der kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension verlagerbar ist. Das Verhältnis aus der längeren und der kürzeren Bündelquerschnitts- Dimension kann größer sein als 2. Die Strahlbeeinflussungsbereiche des optischen Strahlbeeinflussungselements können in Richtung der kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension eine Ausdehnung haben, die maximal 10% größer ist als die kürzere Bündelquerschnitts-Dimension. Diese Ausgestaltungen ermöglichen besonders kurze Schaltzeiten des Strahlbeeinflussungselements zum Wechsel von Beleuchtungssettings. Schaltzeiten im Bereich von Millisekunden lassen sich dann realisieren.
  • Eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen Beleuchtungssystem hat eine Projektionsoptik zur Abbildung des in der Objektebene liegenden Objektfeldes in ein Bildfeld in einer Bildebene, einen Retikelhalter zur Halterung eines abzubildende Strukturen tragenden Retikels im Objektfeld und einen Waferhalter zur Halterung eines Wafers im Bildfeld, wobei bevorzugt der Retikelhalter und der Waferhalter bei der Projektionsbelichtung synchronisiert zueinander senkrecht zur Strahlrichtung des Beleuchtungslichts in einer Verlagerungsrichtung verlagerbar sind. Die Vorteile einer solchen Projektionsbelichtungsanlage entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäßen Komponenten bereits erläutert wurden.
  • Die Strahlformungsbereiche können rechteckig sein, wobei die Verlagerungsrichtung des Retikel- bzw. des Waferhalters im Wesentlichen parallel zu den langen Seitenlängen der insbesondere rechteckigen Strahlbeeinflussungsbereiche verläuft. Dies gewährleistet eine definierte Beaufschlagung der einzelnen Objektfeldpunkte während der Projektionsbelichtung.
  • Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten:
    • – Bereitstellen eines Wafers, auf den zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist,
    • – Bereistellen eines Retikels, das abzubildende Strukturen aufweist,
    • – Bereitstellen einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage,
    • – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels auf einen Bereich der Schicht des Wafers mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage,
    und eines mit diesem Verfahren hergestellten Bauelements entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik und erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage erläutert wurden.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
  • 1 stark schematisch im Meridionalschnitt optische Hauptgruppen einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie;
  • 2 stark schematisch eine Ausführung eines modular aufgebauten Beleuchtungssystems für die Projektionsbelichtungsanlage nach 1, wobei optische Komponenten innerhalb der Module sichtbar dargestellt sind;
  • 3 eine Aufsicht auf ein Strahlbeeinflussungselement mit mehreren Strahlbeeinflussungsbereichen zur Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für ein Objektfeld der Projektionsbelichtungsanlage;
  • 4 einen Ausschnitt des Strahlbeeinflussungselements nach 3 mit zwei Strahlbeeinflussungsbereichen, wobei durch diese beiden Strahlbeeinflussungsbereiche erzeugte Fernfeldverteilungen zusätzlich schematisch dargestellt sind;
  • 5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung ebenfalls zwei Strahlbeeinflussungsbereiche eines Strahlbeeinflussungselements, wobei deren strahlbeeinflussende Wirkung einschließlich einer polarisationsbeeinflussenden Wirkung zusätzlich schematisch dargestellt ist;
  • 6 in einem Ausschnitt einer zu 2 ähnlichen Darstellung ein Strahlbeeinflussungselement mit einem optischen Strahlformungselement und einem optischen Polarisationsformungselement; und
  • 7 eine Aufsicht auf eine weitere Ausführung eines optischen Strahlbeeinflussungselements.
  • Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 ist, was ihre optischen Hauptgruppen angeht, schematisch in der 1 im Meridionalschnitt dargestellt. Diese schematische Darstellung zeigt die optischen Hauptgruppen als refraktive optische Elemente. Genauso gut können die optischen Hauptgruppen auch als diffraktive oder reflektive Komponenten oder als Kombinationen oder Unterkombinationen von refraktiven/diffraktiven/reflektiven Zusammenstellungen optischer Elemente ausgebildet sein.
  • Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird in der Zeichnung durchgehend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. In der 1 verläuft die x-Achse senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach oben. Die z-Achse verläuft in der 1 nach rechts und parallel zu einer optischen Achse 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Die optische Achse 2 kann, wie bei nachfolgend beschriebenen Figuren noch dargestellt, ggf. ein- oder mehrfach gefaltet sein.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Strahlungsquelle 3, die Nutzlicht in Form eines Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 erzeugt. Das Nutzlicht 4 hat eine Wellenlänge im tiefen Ultraviolett (DUV), beispielsweise im Bereich zwischen 100 und 200 nm. Alternativ kann das Nutzlicht auch eine Wellenlänge im EUV-Bereich, insbesondere im Bereich zwischen 5 und 30 nm, haben.
  • Eine Beleuchtungsoptik 5 der Projektionsbelichtungsanlage 1 führt das Nutzlicht 4 von der Strahlungsquelle 3 hin zu einer Objektebene 6 der Projektionsbelichtungsanlage 1. In der Objektebene 6 ist ein durch die Projektionsbelichtungsanlage 1 abzubildendes Objekt in Form eines Retikels 7 angeordnet. Das Retikel 7 ist in der 1 gestrichelt angedeutet. Das Retikel 7 wird von einem nicht dargestellten Retikelhalter der Projektionsbelichtungsanlage 1 gehalten. Belichtet wird ein beispielsweise rechteckiges Objektfeld in der Objektebene 6.
  • Die Beleuchtungsoptik 5 zusammen mit der Strahlquelle 3 wird auch als Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1 bezeichnet.
  • Als erste optische Hauptgruppe umfasst die Beleuchtungsoptik 5 zunächst eine Pupillenformungsoptik 8. Diese dient dazu, in einer nachgelagerten Pupillenebene 9 der Beleuchtungsoptik 5 eine definierte Intensitätsverteilung des Nutzlichts 4 zu erzeugen. Die Pupillenformungsoptik 8 bildet die Strahlungsquelle 3 in eine Mehrzahl sekundärer Lichtquellen ab. Die Pupillenformungsoptik 8 kann zusätzlich auch eine feldformende Funktion haben. In der Pupillenformungsoptik 8 kann, wie nachfolgend noch erläutert, ein diffraktives optisches Element zum Einsatz kommen. Als pupillenformende optische Elemente können in der Pupillenformungsoptik 8 alternativ oder zusätzlich auch Facettenelemente oder Wabenelemente zum Einsatz kommen. Die Pupillenebene 9 ist optisch konjugiert zu einer weiteren Pupillenebene 10 eines Projektionsobjektivs 11 der Projektionsbelichtungsanlage 1, das der Beleuchtungsoptik 5 zwischen der Objektebene 6 und einer Bildebene 12 nachgelagert ist.
  • In der Bildebene 12 ist ein Wafer 13 angeordnet und in der 1 gestrichelt angedeutet. Das Objektfeld in der Objektebene 7 wird vom Projektionsobjektiv 11 in ein Bildfeld auf dem Wafer 13 in der Bildebene 12 abgebildet. Der Wafer 13 wird von einem in der Zeichnung nicht dargestellten Waferhalter der Projektionsbelichtungsanlage 1 gehalten.
  • Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 7 und der Wafer 13 synchronisiert zueinander in der y-Richtung gescannt. Auch ein sogenannter Stepper-Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 ist möglich, bei dem das Retikel 7 und der Wafer 13 synchronisiert zueinander in der y-Richtung zwischen zwei Belichtungen schrittweise verlagert werden. Die y-Richtung stellt also eine Objektverlagerungsrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 1 dar.
  • Der hinter der Pupillenformungsoptik 8 angeordneten Pupillenebene 9 nachgeordnet ist eine Feldlinsengruppe 14 als weitere optische Hauptgruppe der Beleuchtungsoptik 5. Die Feldlinsengruppe 14 hat eine objektfeldformende Funktion. Teil der Feldlinsengruppe 14 kann ein weiteres diffraktives feldformendes Element sein. Auch ein Mikrolinsen-Array kann Teil der Feldlinsengruppe 14 sein. Hinter der Feldlinsengruppe 14 ist eine Zwischenbildebene 15 angeordnet, die zur Objektebene 6 konjugiert ist. In der Zwischenbildebene 15 liegt eine Blende 16 zur Vorgabe einer randseitigen Begrenzung des auszuleuchtenden Objektfeldes in der Objektebene 6. Die Blende 16 wird auch als REMA-(Retikel Masking-System zum Abblenden des Retikels 7) Blende bezeichnet.
  • Die Zwischenbildebene 15 wird durch eine Objektivgruppe 17, die auch als REMA-Linsengruppe bezeichnet wird, in die Objektebene 6 abgebildet. Die Objektivgruppe 17 stellt eine weitere optische Hauptgruppe der Beleuchtungsoptik 5 dar. In der Objektivgruppe 17 ist eine weitere Pupillenebene 18 der Beleuchtungsoptik 5 angeordnet.
  • 2 zeigt eine Ausführung der Beleuchtungsoptik 5 teilweise stärker im Detail. Zur Pupillenformungsoptik 8 gehört zunächst eine Strahlaufweitungsoptik, die als Galilei-Teleskop mit Linsen 19, 20 ausgeführt ist. Ein typischer Aufweitungsfaktor dieser Aufweitungsoptik 19, 20 beträgt 2 bis 5. Nach der Aufweitungsoptik 19, 20 trifft das Nutzlicht 4 auf ein Zeilen-Array 21 aus diffraktiven optischen Elementen (DOEs) 22. Das Array 21 stellt ein optisches Strahlbeeinflussungselement dar, wobei die einzelnen DOEs 22 Strahlbeeinflussungsbereiche des Strahlbeeinflussungselements 21 zur Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für das Objektfeld darstellen. Vor dem Array 21 ist das Nutzlicht 4 linear parallel zur Zeichenebene der 2 polarisiert (p-pol). Das bei der Anordnung nach 2 aktuell durchstrahlte DOE 22 führt zu einer Polarisationsdrehung des Nutzlichts 4. Nach dem Array 21 ist das Nutzlicht 4 linear senkrecht zur Zeichenebene der 2 polarisiert (s-pol).
  • 3 zeigt einen momentanen Beleuchtungszustand des Strahlbeeinflussungselements 21. In 3 wird von den acht dargestellten Strahlbeeinflussungsbereichen 22, die in der x-Richtung nebeneinander angeordnet sind, der dritte Strahlbeeinflussungsbereich 22 von links mit dem Nutzstrahlungsbündel 4 beaufschlagt. Die Strahlbeeinflussungsbereiche 22 haben jeweils eine mit dem Beleuchtungsstrahlungsbündel 4 beaufschlagbare Fläche mit einer langen Seitenlänge, die in der y-Richtung verläuft, und einer kurzen Seitenlänge, die in der x-Richtung verläuft. Die Strahlbeeinflussungsbereiche 22 sind einander in der x-Richtung direkt benachbart angeordnet. Die Strahlbeeinflussungsbereiche 22 sind rechteckig und haben bei der dargestellten Ausführungsform ein y/x-Aspektverhältnis von etwa 5,5. Auch andere Aspektverhältnisse, beispielsweise im Bereich zwischen 2 und 10, sind möglich. Das Beleuchtungsstrahlungsbündel 4 ist in der Ebene des Strahlbeeinflussungselements 21 ebenfalls rechteckig und aufgespannt von einer längeren Bündelquerschnitts-Dimension, die in y-Richtung verläuft, und einer kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension, die in x-Richtung verläuft. Das Verhältnis aus der längeren Bündelquerschnitts-Dimension und der kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension ist bei der dargestellten Ausführung etwa 8. Auch andere Aspektverhältnisse sind möglich, die größer sein können als 5 oder größer sein können als 2. Vom Nutzstrahlungsbündel 4 wird genau eines der DOEs 22, also genau ein Strahlbeeinflussungsbereich, beaufschlagt.
  • Die Strahlbeeinflussungsbereiche 22 haben aufgrund ihres Aufbaus als DOEs eine von einer Schwächung des Nutzstrahlungsbündels 4 unabhängige strahlbeeinflussende Wirkung. Die Beeinflussung des Nutzstrahlungsbündels 4 erfolgt also durch das Strahlbeeinflussungselement 21 nicht durch eine Filterung des Nutzstrahlungsbündels 4. In der 2 sind die DOEs 22 als transmissive DOEs angedeutet. Alternativ ist es auch möglich, die DOEs 22 als reflektive DOEs auszuführen.
  • Das Strahlbeeinflussungselement 21 kann in einer zur Objektebene 6 konjugierten Feldebene der Beleuchtungsoptik 5 angeordnet sein. Alternativ ist es möglich, das Strahlbeeinflussungselement 21 auch in einer Zwischenebene zwischen einer zur Objektebene konjugierten Feldebene und einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 5 anzuordnen.
  • Die Strahlbeeinflussungsbereiche 22 des Strahlbeeinflussungselements 21 haben in x-Richtung eine Ausdehnung x0, die nicht mehr als 10% größer ist als die kürzere Bündelquerschnitts-Dimension xB des Nutzstrahlungsbündels 4 in der Ebene des Strahlbeeinflussungselements 21. Dies stellt sicher, dass das Nutzstrahlungsbündel 4, eine korrekte Justierung des Strahlbeeinflussungselements 21 vorausgesetzt, genau einen der Strahlbeeinflussungsbereiche 22 beaufschlagen kann, ohne dass Nutzlichtanteile auch die direkt benachbarten Strahlbeeinflussungsbereiche 22 unerwünscht mit beaufschlagen.
  • Das Strahlbeeinflussungselement 21 ist in einer Schaltrichtung 23, die parallel zur x-Richtung verläuft, verlagerbar. Ein Schalt-Verlagerungsweg mit einem Betrag von x0 führt dazu, dass anstelle des in der 3 beaufschlagten Strahlbeeinflussungsbereichs 22 ein benachbarter der Strahlbeeinflussungsbereiche 22 mit dem Nutzstrahlungsbündel 4 beaufschlagt ist. Das Längenverhältnis zwischen den Dimensionen x0 und xB führt dazu, dass bei gegebener kürzerer Bündelquerschnitts-Dimension xB mit einem kurzen Schaltweg des Strahlbeeinflussungselements 21 in der Schaltrichtung 23 ein Wechsel in der Beaufschlagung der Strahlbeeinflussungsbereiche 22 erreicht werden kann.
  • Für die Verlagerung in der Schaltrichtung 23 ist das Strahlbeeinflussungselement 21 mechanisch mit einem angetriebenen Halteelement 24 verbunden, das in den 2 und 3 schematisch dargestellt ist. Ein Antriebsmotor des Halteelements 24 steht über eine Signalleitung 25 (vgl. 3) mit einer zentralen Steuereinrichtung 26 der Projektionsbelichtungsanlage 1 in Verbindung.
  • 4 zeigt die strahlbeeinflussende Wirkung einer ersten Ausführung der Strahlbeeinflussungsbereiche 22. Dargestellt sind zwei ausgewählte Strahlbeeinflussungsbereiche 22a und 22b des Strahlbeeinflussungselements 21 in leicht vergrößerter Darstellung. Die Strahlbeeinflussungsbereiche 22a, 22b haben eine rein strahlformende Wirkung, beeinflussen die Polarisation des einfallenden Nutzstrahlungsbündels 4 also nicht.
  • Dargestellt sind in der 4 neben den beiden Strahlbeeinflussungsbereichen 22a, 22b auch die strahlbeeinflussende Wirkung von diesem charakterisierende Fernfeldlichtverteilungen. Der Strahlbeeinflussungsbereich 22a, der in der 4 links dargestellt ist, erzeugt eine Fernfeldlichtverteilung 27a in Form eines y-Dipols. Entsprechend resultiert bei einer Beaufschlagung des Strahlbeeinflussungsbereichs 22a durch das Nutzstrahlungsbündel 4 eine y-Dipolbeleuchtung des Retikels 7 in der Objektebene 6.
  • Der Strahlbeeinflussungsbereich 22b, der in der 4 rechts dargestellt ist, erzeugt eine Fernfeldlichtverteilung 27b in Form eines x-Dipols. Entsprechend resultiert bei einer Beaufschlagung des Strahlbeeinflussungsbereichs 22b durch das Nutzstrahlungsbündel 4 eine x-Dipolbeleuchtung des Retikels 7 in der Objektebene 6.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Strahlbeeinflussungselement 21 auch Polarisationsformungsbereiche aufweisen, deren rechteckige Ausdehnung in der Ebene des Strahlbeeinflussungselements 21 genauso ist, wie diejenige der Strahlbeeinflussungsbereiche 22. 5 zeigt in einer zu 4 ähnlichen Darstellung derartige Polarisationsformungsbereiche 28 am Beispiel zweier Polarisationsformungsbereiche 28a und 28b. Die beleuchtungsformende Wirkung der Polarisationsformungsbereiche 28a, 28b entspricht derjenigen der Strahlbeeinflussungsbereiche 22a und 22b. Hinsichtlich der beleuchtungsformenden Wirkung erzeugt der Polarisationsformungsbereich 28a also einen y-Dipol 27a und der Polarisationsformungsbereich 28b erzeugt einen x-Dipol 27b. Zusätzlich erzeugt der in der 5 links dargestellt Polarisationsformungsbereich 28a eine Polarisation xpol des Nutzlichts 4 in der x-Richtung und der Polarisationsformungsbereich 28b eine Polarisation ypol des Nutzlichts 4 in der y-Richtung.
  • Die Polarisationsformungsbereiche 28 können aus optisch aktivem Material ausgeführt sein, also beispielsweise als optischer Rotator oder aus einem optisch doppelbrechenden Material. Zur Erzeugung unterschiedlicher polarisierender Wirkungen können die Polarisationsformungsbereiche 28a, 28b aus dem gleichen Material, aber mit in Strahlrichtung des Nutzlichts 4 unterschiedlicher Dicke ausgeführt sein. Dies gilt dann, wenn die Polari sationsformungsbereiche 28 als für das Nutzlicht 4 transmissive Bereiche ausgeführt sind. Hierbei kann eine lineare oder auch eine zirkulare Doppelbrechung ausgenutzt werden.
  • Entsprechende Polarisationsformungsbereiche 28 können auch eine depolarisierende Wirkung haben, einfallendes polarisiertes Nutzlicht 4 also so beeinflussen, dass dieses nach den Polarisationsformungsbereichen 28 depolarisiert ist.
  • Nach dem Strahlbeeinflussungselement 21 propagiert das Nutzlicht 4 durch eine Linse 29 (vgl. 2) und ein Zoom-Axikon 30, mit dem eine stufenlose Feineinstellung von durch das Strahlbeeinflussungselement 21 vorgegebenen Beleuchtungswinkeln im Objektfeld möglich ist. Die optischen Komponenten 19, 20, 21, 29 und 30 sind Bestandteile der Pupillenformungsoptik 8 der Beleuchtungsoptik 5. Nach dem Zoom-Axikon 30 wird das Nutzlicht 4 von einem 90°-Spiegel 31 reflektiert und durchtritt dann ein Rasterelement 32 in Form eines Wabenkondensors. Die optischen Komponenten 29 bis 32 sind in einem Zoom-Axikon-Modul 33 baulich zusammengefasst.
  • Nach dem Rasterelement 32 durchtritt das Nutzlicht 4 eine Feldlinse 34, die Bestandteil eines Einkoppelmoduls 35 der Beleuchtungsoptik 5 ist. Die optischen Komponenten 32 und 34 sind Bestandteile der Feldlinsengruppe 14 der Beleuchtungsoptik 5.
  • Nach dem Einkoppelmodul 35 ist die REMA-Blende 16 angeordnet. Dieser nachgeordnet ist ein weiterer 90°-Spiegel 36, dem die Objektivgruppe 17 mit zwei dargestellten Linsen 37, 38 nachgeordnet ist. Die optischen Komponenten 16, 36, 37 und 38 gehören zu einem REMA-Modul 39 der Beleuchtungsoptik 5.
  • Beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 mit der Beleuchtungsoptik 5 kann eine Doppelbelichtung (double patterning) des Retikels 7 erzeugt werden. Hierzu wird zunächst die Beaufschlagung eines ersten Strahlbeeinflussungsbereichs 22 des Strahlbeeinflussungselements 21 durch entsprechende Ansteuerung des Antriebsmotors des Halte elements 24 durch die Steuereinrichtung 26 vorgegeben. Das Retikel 7 wird dann mit dem entsprechend geformten Beleuchtungsstrahlungsbündel 4 beaufschlagt. Anschließend wird das Strahlbeeinflussungselement 21 über einen Schalt-Steuerbefehl der Steuereinrichtung 26 über den Antriebsmotor des Halteelements 24 in der Schaltrichtung 23 so verlagert, dass nun ein zweiter, ausgewählter Strahlformungsbereich 22 des Strahlformungselements 21 mit dem Beleuchtungsstrahlungsbündel 4 beaufschlagt wird, wobei das Beleuchtungsstrahlungsbündel 4 entsprechend geformt wird. Es folgt dann eine zweite Belichtung des bereits belichteten Abschnitts des Retikels 7 im Objektfeld in der Objektebene 6. Der zweite ausgewählte Strahlformungsbereich 22 ist in der Regel ein dem zunächst beaufschlagten Strahlformungsbereich 22 direkt benachbarter Strahlformungsbereich. Prinzipiell ist es möglich, bei der Verlagerung des Strahlbeeinflussungselements 21 einen Strahlbeeinflussungsbereich 22 oder mehrere Strahlbeeinflussungsbereiche 22 zu überspringen. Die beiden Belichtungen mit zur Beleuchtung mit unterschiedlicher Beleuchtungswinkelverteilung entsprechend geformtem Beleuchtungsstrahlungsbündel 4 können schnell aufeinander folgen, wobei das Strahlbeeinflussungselement 21 beispielsweise schnell hin- und hergeschaltet wird.
  • 6 zeigt eine weitere Ausführung eines Strahlbeeinflussungselements 40. Dieses hat neben einem Strahlformungselement 41 mit Strahlformungsbereichen 22 entsprechend denen, die vorstehend im Zusammenhang mit den 3 und 4 erläutert wurden, noch ein Polarisationsformungselement 42 mit Polarisationsformungsbereichen 43a und 43b. Die Polarisationsformungsbereiche 43 stellen ebenfalls Strahlbeeinflussungsbereiche dar und haben eine rein polarisierende, nicht aber strahlformende Wirkung. Der in der 6 rechts dargestellte Polarisationsformungsbereich 43b dreht die Polarisation des einfallenden Nutzlichts 4 um 90°. Dargestellt ist die Situation, in der p-polarisiertes, also parallel zur Zeichenebene der 6 einfallendes Nutzlicht 4 nach Durchtritt durch den Polarisationsformungsbereich 43b s-polarisiert, also senkrecht zur Zeichenebene der 6 polarisiert ist. Der Polarisationsformungsbereich 43a hat beispielsweise eine depolarisierende Wirkung, so dass das p-polarisiert einfallende Nutzlicht 4 bei Durchtritt durch den Polari sationsformungsbereich 43a depolarisiert wird und eine depolarisierte Beleuchtung des Objektfeldes in der Objektebene 6 resultiert.
  • In der Strahlrichtung (z-Richtung) des Beleuchtungsstrahlungsbündels 4 sind das Polarisationsformungselement 42 und das Strahlformungselement 41 direkt hintereinander angeordnet. Der Abstand zwischen diesen beiden Elementen 42, 41 kann einige Millimeter betragen. Alternativ ist es möglich, die beiden Elemente 42, 41 an voneinander stärker getrennten Positionen innerhalb der Beleuchtungsoptik 5 anzuordnen.
  • Das Strahlformungselement 41 einerseits und das Polarisationsformungselement 42 andererseits können unabhängig voneinander in Schaltrichtungen 23f und 23p verlagert werden, die parallel zur x-Richtung verlaufen. Hierzu sind jeweils Halteelemente 24f und 24p vorgesehen, deren Antriebe in nicht dargestellter Weise mit der Steuereinrichtung 26 in Signalverbindung stehen.
  • Mit Hilfe des Strahlbeeinflussungselements 40 ist eine unabhängige Vorgabe der Beleuchtungswinkel einerseits und der Beleuchtungspolarisationen andererseits in der Objektebene 6 möglich.
  • Mit Hilfe des Antriebs des Halteelements 24p kann das Polarisationsformungselement 42 auch ganz aus dem Strahlengang des Nutzlichts 4 herausgefahren werden, so dass eine unpolarisierende Wirkung erzielt wird.
  • 7 zeigt eine weitere Variante eines Strahlbeeinflussungselements 44. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 6 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
  • Anstelle rechteckiger Strahlbeeinflussungsbereiche 22 haben Strahlbeeinflussungsbereiche 45 des Strahlbeeinflussungselements 44 die Form von Sektorabschnitten, die in Um fangsrichtung um eine Schwenkachse 46 des Strahlbeeinflussungselements 44 angeordnet sind. Eine Schaltrichtung 47 des Strahlbeeinflussungselements 44 verläuft entsprechend in Umfangsrichtung um die Schwenkachse 46. Die Strahlbeeinflussungsbereiche 45 haben eine strahlbeeinflussende Wirkung, wie vorstehend im Zusammenhang mit den verschiedenen Ausführungen der Strahlbeeinflussungsbereiche 22, 28 und 43 nach den 2 bis 6 erläutert.
  • Das Strahlbeeinflussungselement 44 ist über ein nicht dargestelltes Halteelement mit einem Antriebsmotor um die Schwenkachse 46 antreibbar. Dieses Halteelement steht wiederum mit der Steuereinrichtung 26 der Projektionsbelichtungsanlage 1 in Signalverbindung.
  • Ein Schaltwechsel zwischen den Strahlbeeinflussungsbereichen 45 ist wiederum angesteuert über die Steuereinrichtung 26 möglich, wie vorstehend im Zusammenhang mit den Ausführungen nach den 2 bis 6 erläutert.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen der Strahlbeeinflussungselemente sind diffraktive Strahlbeeinflussungsbereiche vorgesehen. Alternativ oder zusätzlich zu den diffraktiven Strahlbeeinflussungsbereichen können auch reflektive oder refraktive Strahlbeeinflussungsbereiche vorgesehen sein. Schließlich ist es möglich, alternativ oder zusätzlich zu derartigen Strahlbeeinflussungsbereichen auch das Nutzlicht 4 schwächende Strahlbeeinflussungsbereiche, also beispielsweise Graufilter für das Nutzlicht 4, einzusetzen. Die refraktiven, reflektiven oder filternden Strahlbeeinflussungsbereiche können hinsichtlich ihrer beaufschlagbaren Fläche dimensioniert sein, wie vorstehend im Zusammenhang mit den Ausführungsbeispielen erläutert, also insbesondere eine lange und eine kurze Seitenlänge aufweisen, wobei das optische Strahlbeeinflussungselement mit diesen Strahlbeeinflussungsbereichen dann ebenfalls senkrecht zur langen Seitenlänge verlagerbar ist.

Claims (20)

  1. Beleuchtungsoptik (5) für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage (1) zur Ausleuchtung eines in einer Objektebene (6) liegenden Objektfeldes mit Beleuchtungslicht (4) einer Strahlungsquelle (3), – wobei die Beleuchtungsoptik (5) ein optisches Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) aufweist, das unterteilt ist in mindestens zwei Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) zur Erzeugung verschiedener Beleuchtungszustände für das Objektfeld, – wobei das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) verlagerbar ist zwischen – einer ersten Strahlbeeinflussungsstellung, in der ein erster (22a; 28a) der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) mit einem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist, – mindestens einer weiteren Strahlungsbeeinflussungsstellung, in der ein weiterer (22b; 28b) der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) mit dem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist, – wobei jeder der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) eine mit Beleuchtungslicht (4) beaufschlagbare Fläche aufweist, die eine lange und eine kurze Seitenlänge hat, wobei das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) senkrecht zur langen Seitenlänge verlagerbar ist.
  2. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) ein optisches Strahlformungselement (21; 41; 44) aufweist, das unterteilt ist in min destens zwei Strahlformungsbereiche (22; 28; 45) zur Erzeugung verschiedener Strahlwinkelverteilungen des Beleuchtungslichts (4), – wobei das Strahlformungselement (21; 41; 44) verlagerbar ist zwischen – einer ersten Strahlformungsstellung, in der ein erster (22a; 28a) der Strahlformungsbereiche (22; 28; 45) mit dem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist, – mindestens einer weiteren Strahlformungsstellung, in der ein weiterer (22b; 28b) der Strahlformungsbereiche (22; 28; 45) mit dem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist.
  3. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) ein optisches Polarisationsformungselement (21; 42; 44) aufweist, das unterteilt ist in mindestens zwei Polarisationsformungsbereiche (28a, 28b; 43a, 43b) zur Erzeugung verschiedener Polarisationsverteilungen des Beleuchtungslichts (4), – wobei das optische Polarisationsformungselement (21; 42; 44) verlagerbar ist zwischen – einer ersten Polarisationsstellung (28; 43a), in der ein erster der Polarisationsformungsbereiche (28a, 28b; 43a, 43b) mit dem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist, – mindestens einer weiteren Polarisationsstellung, in der ein weiterer (28b; 23b) der Polarisationsformungsbereiche (28a, 28b; 43a, 43b) mit dem Bündel des Beleuchtungslichts (4) beaufschlagt ist.
  4. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) in einer zur Objektebene (6) konjugierten Feldebene der Beleuchtungsoptik (5) angeordnet ist.
  5. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) als diffraktives optisches Element ausgebildet ist, wobei die Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) als diffraktive Strahlbeeinflussungsbereiche ausgebildet sind.
  6. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) eine unterschiedliche polarisierende Wirkung für das Beleuchtungslicht (4) haben.
  7. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Strahlbeeinflussungsbereiche (43a) eine depolarisierende Wirkung hat.
  8. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Polarisationsformungsbereiche (28a, 28b; 43a, 43b) aus optisch aktivem Material ausgeführt sind.
  9. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Polarisationsformungsbereiche (28a, 28b; 43a, 43b) transmissiv und aus Material unterschiedlicher Dicke ausgeführt sind.
  10. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Strahlbeeinflussungselement (22; 40) angetrieben linear verlagerbar ist.
  11. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Strahlbeeinflussungselement (44) um eine Schwenkachse (46) angetrieben verlagerbar ist.
  12. Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik (5) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 und einer Strahlungsquelle (3).
  13. Beleuchtungssystem nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine Ausführung derart, dass das Beleuchtungslichtbündel (4) in der Ebene des optischen Strahlbeeinflussungselements (21; 40; 44) aufgespannt ist von einer längeren (y) und einer kürzeren (x) Bündelquerschnitts-Dimension, wobei das optische Strahlbeeinflussungselement (21; 40; 44) in Richtung (23; 47) der kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension (x) verlagerbar ist.
  14. Beleuchtungssystem nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch ein Verhältnis aus der längeren und der kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension von mehr als 2.
  15. Beleuchtungssystem nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) des optischen Strahlbeeinflussungselements (21; 40; 44) in Richtung der kürzeren Bündelquerschnitts-Dimension (x) eine Ausdehnung (x0) haben, die maximal 10% größer ist als die kürzere Bündelquerschnitts-Dimension (xB).
  16. Projektionsbelichtungsanlage (1) – mit einem Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 12 bis 15, – mit einer Projektionsoptik (11) zur Abbildung des in der Objektebene (6) liegenden Objektfeldes in ein Bildfeld (12) in einer Bildebene, – mit einem Retikelhalter zur Halterung eines abzubildenden Strukturen tragenden Retikels (7) im Objektfeld, – mit einem Waferhalter zur Halterung eines Wafers (13) im Bildfeld.
  17. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlformungsbereiche (22; 28; 45) rechteckig sind, wobei die Verlagerungsrichtung (y) parallel zu den langen Seitenlängen der Strahlbeeinflussungsbereiche (22; 28; 43; 45) verläuft.
  18. Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Wafers (13) auf den zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (7), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 16 oder 17, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (7) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (13) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
  19. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlformungsbereiche (45) als Sektorabschnitte in Umfangsrichtung (47) um die Schwenkachse (48) angeordnet sind.
  20. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Retikelhalter und der Waferhalter bei der Projektionsbelichtung synchronisiert zueinander senkrecht zur Strahlrichtung des Beleuchtungslichts (4) in einer Verlagerungsrichtung (y) verlagerbar sind.
DE102008041179A 2008-08-12 2008-08-12 Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage Expired - Fee Related DE102008041179B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008041179A DE102008041179B4 (de) 2008-08-12 2008-08-12 Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage
US12/536,925 US7787104B2 (en) 2008-08-12 2009-08-06 Illumination optics for a microlithographic projection exposure apparatus
US12/836,982 US20100277707A1 (en) 2008-08-12 2010-07-15 Illumination optics for a microlithographic projection exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008041179A DE102008041179B4 (de) 2008-08-12 2008-08-12 Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008041179A1 DE102008041179A1 (de) 2010-03-18
DE102008041179B4 true DE102008041179B4 (de) 2010-11-04

Family

ID=41667603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008041179A Expired - Fee Related DE102008041179B4 (de) 2008-08-12 2008-08-12 Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7787104B2 (de)
DE (1) DE102008041179B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120212722A1 (en) 2011-02-21 2012-08-23 Nikon Corporation Fast Illumination Simulator Based on a Calibrated Flexible Point Spread Function

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2404716A1 (de) * 1974-02-01 1975-08-14 Prontor Werk Gauthier Gmbh Projektionsgeraet fuer diapositive
US4858003A (en) * 1988-01-12 1989-08-15 Eastman Kodak Company Mechanism for handling slides and film strips
US20060083996A1 (en) * 2004-10-11 2006-04-20 Ho-Chul Kim Apparatus for exposing a substrate, photomask and modified illuminating system of the apparatus, and method of forming a pattern on a substrate using the apparatus
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
US7265816B2 (en) * 2004-06-21 2007-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method with modified illumination generator

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191374A (en) * 1988-11-17 1993-03-02 Nikon Corporation Exposure control apparatus
US5636003A (en) * 1992-11-05 1997-06-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and scanning exposure apparatus
JP3985346B2 (ja) 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
JP2001174615A (ja) * 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
TW567406B (en) * 2001-12-12 2003-12-21 Nikon Corp Diffraction optical device, refraction optical device, illuminating optical device, exposure system and exposure method
KR101124179B1 (ko) 2003-04-09 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI360837B (en) * 2004-02-06 2012-03-21 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination
JP2007242775A (ja) 2006-03-07 2007-09-20 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2404716A1 (de) * 1974-02-01 1975-08-14 Prontor Werk Gauthier Gmbh Projektionsgeraet fuer diapositive
US4858003A (en) * 1988-01-12 1989-08-15 Eastman Kodak Company Mechanism for handling slides and film strips
US7265816B2 (en) * 2004-06-21 2007-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method with modified illumination generator
US20060083996A1 (en) * 2004-10-11 2006-04-20 Ho-Chul Kim Apparatus for exposing a substrate, photomask and modified illuminating system of the apparatus, and method of forming a pattern on a substrate using the apparatus
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008041179A1 (de) 2010-03-18
US20100039636A1 (en) 2010-02-18
US20100277707A1 (en) 2010-11-04
US7787104B2 (en) 2010-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60120282T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit hergestellter Artikel
DE102008001553B4 (de) Komponente zur Einstellung einer scanintegrierten Beleuchtungsenergie in einer Objektebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102010001388A1 (de) Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
WO2005083512A2 (de) Beleuchtungssystem für eine mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
DE102010009022B4 (de) Beleuchtungssystem sowie Projektionsobjektiv einer Maskeninspektionsanlage
DE102010029905A1 (de) Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007027985A1 (de) Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE60028172T2 (de) Beleuchtungsvorrichtung
EP1932061A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur beeinflussung der polarisationsverteilung in einem optischen system, insbesondere in einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102012208016A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102010030089A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102009045219A1 (de) Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
DE102011079837A1 (de) Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102012223217B3 (de) Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011076658A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102008041179B4 (de) Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage
WO2008009353A1 (de) Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102012208521A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102012205045A1 (de) Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2004099873A2 (de) Beleuchtungssystem für eine mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
DE102012205790B4 (de) Vorrichtung zur Homogenisierung von Laserstrahlung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102005026632A1 (de) Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
DE102015224522B4 (de) Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen Systems
DE102012217769A1 (de) Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102009016608A1 (de) Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: CARL ZEISS SMT GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R020 Patent grant now final

Effective date: 20110204

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee