JP2715895B2 - 光強度分布シミュレーション方法 - Google Patents

光強度分布シミュレーション方法

Info

Publication number
JP2715895B2
JP2715895B2 JP6009011A JP901194A JP2715895B2 JP 2715895 B2 JP2715895 B2 JP 2715895B2 JP 6009011 A JP6009011 A JP 6009011A JP 901194 A JP901194 A JP 901194A JP 2715895 B2 JP2715895 B2 JP 2715895B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light intensity
intensity distribution
integrator
light source
simulation method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6009011A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07220995A (ja
Inventor
直生 安里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP6009011A priority Critical patent/JP2715895B2/ja
Priority to US08/381,326 priority patent/US5644390A/en
Publication of JPH07220995A publication Critical patent/JPH07220995A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2715895B2 publication Critical patent/JP2715895B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光強度分布シミュレーシ
ョン方法に関し、特に半導体装置のリソグラフィー工程
において用いられる光強度分布シミュレーション方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程の一つであ
るリソグラフィー工程においては、主に光リソグラフィ
ーが用いられている。現在、光リソグラフィーにおいて
は、縮小投影露光装置のレンズの高NA化により、最小
線幅が0.5μm以下の半導体装置の量産も可能な状態
となってきている。しかし、レンズの高NA化により解
像力は向上したものの、これとは対照的に焦点深度が減
少する傾向にあり、これによって、更に微細な0.35
μm以下のパターン形成を考える場合には、これまでの
ような投影レンズの高NA化だけの手法では、安定した
半導体装置の量産化が困難な事態となってきている。そ
こで、照明系の最適化による解像特性の向上を図るこ
と、所謂変形照明法が注目されるようになってきてい
る。このために必要とされる縮小投影露光装置として
は、例えば、特開昭61−91662号公報“投影露光
装置”に一つの提案が示されている。本提案は、照明の
面内均一性を向上させるための光学素子であるインテグ
レータ(ホモジナイザー、フライアイレンズまた蠅の目
とも呼ばれる)の直後に特殊な絞りを設けて、有効光源
の形状を変える方法である。インテグレータは、一般に
四角形の細長い同型の単体レンズを数十本束ねて構成さ
れる光学素子であり、それぞれの単体レンズが焦点を結
び、有効光源を形成する。本来の光源である超高圧水銀
ランプにおいては、比較的広い範囲で光が発生されるの
で、その光は干渉性が高いとは云えないが、インテグレ
ータを構成する単体レンズによりそれぞれ焦点が結ばれ
た光は干渉性が高まり、それぞれが独立の点光源として
機能する。従って、これによる結像特性としては、元の
水銀ランプの光源形状による影響が全て解消されて、当
該インテグレータにより形成される点光源群の形状のみ
により影響を受けることになる。このために、このイン
テグレータにより形成される点光源群は有効光源と呼ば
れる。
【0003】一般に、パターンを解像するためには、回
折光の内、0次光と+1または−1次光とを集めること
が必要になる。しかし、図7(a−2)の投影露光装置
の概念図に示されるように、絞り6として、図(a−
1)に示されるようなの絞り6が用いられる場合には、
パターンが微細になると回折角θが大きくなって投影レ
ンズ系8に入らなくなり、パターンは解像しない状態と
なる。しかし、図7(b−2)に示されるように、図7
(a−1)に示されるリング形状の絞り6を用いると、
レチクル7に対して斜めからのみ光が入射する状態とな
り、その分、+1または−1次回折光の何れかが投影レ
ンズ系8に入るようになり、より微細なパターンまで解
像することができるようになる。また、輪帯照明以外に
も、特に縦横パターンの解像特性の向上を目的として、
4点で照明する4点照明が用いられる。そして、レチク
ルパターンごとに、それぞれに最適な絞りを使い分ける
ことにより、半導体装置の製造マージンを広げることが
できる。
【0004】このように、光リソグラフィーの機能限界
に近づいた段階において、プロセスマージンを少しでも
拡大するために、レチクルごとに最適な露光方法を用い
ることが必要となってきており、このために、従来より
シミュレーションによる手法が重要の手段となってきて
いる。即ち、種々のレチクルパターンに対応して、充分
なプロセスマージンを確保するためには、先に述べたよ
うな種々の変形照明に対応した光強度分布シミュレーシ
ョンが必要となっている。また、変形照明法において
は、解像度および焦点深度が向上する反面、異常なパタ
ーン変形を生じることがあり、このような近接効果の悪
影響を避けるためにも、光強度シミュレーションによる
正確な検討が不可欠になっている。
【0005】次に、一般的な光強度シミュレーション方
法について簡単に説明する。まず、最もよく知られてい
る方法として、Hopkins の理論を用いた方法がある。部
分コヒーレント照明光学系の場合には、Hopkins の理論
によれば、レチクルパターンの像面上の光強度分布I
(x,y)は、レチクルパターンの振幅透過率F(x',
y' )のフーリエ変換と、コヒーレント伝達係数TCC
(Transmission crosscoefficient :TCCと略称す
る)の関数の逆フーリエ変換により求められる。なお、
このコヒーレント伝達係数TCCは、コヒーレントのた
めに光強度分布が変化する程度を示しており、投影レン
ズ系の瞳関数Pと有効光源の光強度分布関数Sにより求
められる。従って、このHopkins の理論を用いた光強度
シミュレーションにおいては、以下のような手順により
強度分布I(x,y)を求めることができる。
【0006】(1)レチクルパターンのフーリエ変換の
計算。
【0007】(2)光学系のTCCの計算。
【0008】(3)上記(1)項および(2)項の計算
結果を用いた2重積分の計算。
【0009】(4)上記(3)項の計算結果の関数をフ
ーリエ逆変換して、I(x,y)を求める。
【0010】しかし、このようなコヒーレント伝達係数
TCCによる光学系の取扱いは、複数回の数値積分ざ必
要となるため、理論的には良いが、実際的ではないとい
う面もある。そこで、より計算機による取扱いに適した
方法として、M.Yeung の方法(コダックマイクロエレク
トロニクスセミナー・インターフェ−ス85、pp115-12
7 )が用いられることも多い。これは、先に述べたHopk
ins の理論では、光学系の特性を、有効光源と投影レン
ズ系の特性をまとめてコヒーレント伝達係数TCCとし
て扱ったのに対して、これらを独立に扱う方法である。
例えば、特開平3−216658号公報に述べられてい
るように、有効光源を有限個の点光源に分割して、各点
光源から出た光は、完全にコヒーレントとして各点光源
のみによる投影像を計算し、各点光源からの光は、他の
点光源からの光とはインコヒーレントとして、各点光源
の像を重ね合わせて有効光源全体による投影像を求める
方法である。
【0011】まず、図8に示されるように、まず有効光
源を分割する。その分割数nをとし、その分割されたi
番目の点光源からの光を単位ベクトルsi で示し、単位
ベクトルsi のレチクルでの座標系(x,y)における
成分(方向余弦)をpi およびqi とする。この場合
に、i番目の点光源からの光のレチクル面での振幅は、
i と方向余弦pi およびqi との関数になる。なお、
前記Ai は、i番目の光源の光の強度および位相を示す
複素数である。従って、i番目の点光源によるレチクル
の透過光の振幅は、この関数とレチクルの透過率分布関
数Fの積として表わされる。ここにおいて、コヒーレン
ト光源であるi番目の点光源によるレチクルパターンの
投影像を考えると、このレチクル透過光の振幅と、光学
系のコヒーレント伝達関数Kの積分により、像面におけ
るレチクル面全体からの光の振幅分布Ui が得られる。
i番目の点光源によるレチクルパターンの投影像の光強
度分布は振幅の2乗となり、有効光源全体(n個)の光
強度分布I(x,y)は、次式のように表わされる。 I(x,y)=Σ|Ai 2 ・ |i番目の点光源による
像面上の振幅値|2 上記の式において、もしも、n個の点光源の強度が全て
等しいものとすると、|Ai 2 =1/n(i=1,
2,3,……,n)となる。
【0012】また、上記のような表現は計算機に適した
表現ではないので、フーリエ変換の畳み込み積分を用い
て書き直される。これにより、前記光強度分布I(x,
y)は、関数K’と、レチクルの透過率分布のフーリエ
変換F’の積の、フーリエ逆変換の絶対値の2乗の和と
して表わされる。また、関数K’はコヒーレント伝達関
数K(x,y)のフーリエ変換であり、瞳関数Pにより
求められる。従って、計算機による計算手順は以下のよ
うになる。
【0013】(1)レチクルパターンのフーリエ変換の
計算。
【0014】(2)瞳関数Pよりコヒーレント伝達関数
Kのフーリエ変換K’の計算。
【0015】(3)それぞれの点光源に対し方向余弦p
i およびqi を定めて、関数F’と関数K’の積を計
算。
【0016】(4)上記(3)項の計算結果をフーリエ
変換し、その絶対値の2乗を全体の光強度分布I(x,
y)に加える。
【0017】(5)上記(3)項および(4)項の計算
を全ての点光源に対して行う。
【0018】なお、このシミュレーション方法は、先に
示したHopkins の理論を用いた方法より積分の工程が少
なく、計算機の取扱いに適している。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光強度
分布シミュレーション方法においては、レチクル照明系
のインテグレータにより形成される有効光源は点光源の
集合体であり、インテグレータ直後の光強度分布は、図
9(a)に示されるようにインテグレータ1の目、即ち
各単体レンス2の中心にピークを持つ離散的な分布とな
っている。しかしながら、従来は、この光強度分布を均
一な光強度分布を持つものとして取り扱ってきている。
実際、インテグレータ1の目が細かくて、その数が数十
個以上ある場合には、点光源の数およびその位置等は、
結像特性には何等の影響をも与えることはなかった。そ
して、半導体装置製造用の縮小投影露光装置において
は、照明均一性を向上させるために、可能な限り細かい
目のインテグレータが用いられており、インテグレータ
1のレイアウトを考慮する必要はない。
【0020】従って、Hopkins の理論による光強度分布
シミュレーションにおいては、TCCを求める際に、一
般的には、インテグレータにおいて形成される有効光源
を均一な光強度を有するものとして散り扱っている。ま
た、特別な場合においても、全体的な光強度差(インテ
グレータの中央と周辺)に対する考慮しか為されていな
いのが実情である。また、M.Yeung の方法を用いる場合
においても、有効光源を有限個の点光源に分割する際
に、実際のインテグレータのレイアウトについての考慮
が為されてはいない。
【0021】しかし、輪帯照明または4点照明などの変
形照明を行う場合には、絞りの開口部の面積が小さく、
有効となるインテグレータの目の数が少なくなるため
に、均一な光源として扱うことに問題が生じてきてい
る。即ち、変更照明用の絞りの開口部内の光強度分布ま
たは点光源の位置等により、シミュレーション結果に差
異が生じるという事態となっている。このために、イン
テグレータの目の一つ一つの光強度分布を考慮しなけれ
ば、実際のレチクルパターンの投影像を正確にシミュレ
ーションすることは困難であるという欠点がある。
【0022】
【課題を解決するための手段】第1の発明の光強度分布
シミュレ−ション方法は、インテグレ−タにより形成さ
れる有効光源を有限個の点光源に分割し、当該点光源に
よりそれぞれ照明されるレチクルパタ−ンの投影像の光
強度分布を計算して、前記点光源によるレチクルパタ−
ンの光強度分布を合成する工程を有する、半導体装置の
リソグラフイ−工程において用いられる光強度分布シミ
ュレ−ション方法において、前記インテグレ−タを形成
する複数の単体レンズにおける光強度分布を、複数の
光源によりモデル化する手順を介して、前記レチクルパ
タ−ンの光強度分布を生成することを特徴としている。
【0023】なお、前記単体レンズにおける光強度分布
のモデル化を行う手順においては、前記インテグレータ
上における光強度分布に比例した重み付け処理を行う手
順を含めてもよく、或はまた、前記インテグレータを形
成する単体レンズにおける光強度分布を、当該単体レン
ズの中心に配置される主点光源と、前記主点光源の周辺
に配置される少なくとも1個以上の補助点光源により生
成する手順を含めてもよい。
【0024】第2発明の光強度分布シミュレーション方
法は、Hopkins の理論を用い、有効光源の光強度分布関
数S(x,y)と投影レンズ系の瞳関数P(x' ,y'
)より、コヒーレント伝達係数を計算する手順を含
む、半導体装置のリソグラフィー工程において用いられ
る光強度分布シミュレーション方法において、インテグ
レータを構成する各単体レンズごとに、前記有効光源の
光強度分布関数S(x,y)を、それぞれ個別に定義す
る手順を有することを特徴としている。
【0025】なお、前記有効光源の光強度分布関数S
(x,y)を、前記インテグレータ上の光強度分布に基
づいて複数の光強度の異なる領域に分割する手順を有し
てもよい。
【0026】更に、第3の発明の光強度分布シミュレー
ション方法は、Hopkins の理論を用い、有効光源の光強
度分布関数S(x,y)と投影レンズ系の瞳関数P
(x' ,y' )より、コヒーレント伝達係数を計算する
手順を含む、半導体装置のリソグラフィー工程において
用いられる光強度分布シミュレーション方法において、
前記コヒーレント伝達係数を計算するための積分範囲
を、インテグレータを構成する各単体レンズごとに分割
する手順を有することを特徴としている。
【0027】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0028】図1は本発明の第1の実施例におけるイン
テグレータおよびモデル化した有効光源と、これらに対
応する光強度分布(インテグレータ上A−A' における
強度分布)を示す図である。図1(a)はインテグレー
タ1のレイアウトを概念的に示している。インテグレー
タ1は、有効範囲3に対応して、複数個の同型の単体レ
ンズ2を組立てることにより形成された光学素子であ
り、その組立てのために、光の当らない部分にも単体レ
ンズ2が配置されている。実際に、光路上に位置して有
効に機能する単体レンズ2は、図の有効範囲3の内部の
単体レンズのみである。図1(b)は、図1(a)のイ
ンテグレータ1の直後において測定した光強度分布であ
る。このインテグレータ1上における光強度分布を用い
て有効光源のモデル化を行う。まず、図1(c)に示さ
れるように、インテグレータ1の各単体レンズ2の中心
に主点光源4aを配置する。そして、インテグレータ1
上の各位置における光強度は、図1(d)に示されるよ
うに、インテグレータ1全体に亘る各有効光源による光
強度分布がカウス分布であるものと仮定して近似式を求
め(図1(d)において、それぞれ点線にて表示され
る)、その近似式の各位置における値に比例した値を設
定する。光強度の測定値をそのまま使用しないのは、測
定誤差を除くためと、一般性を持たせるためである。イ
ンテグレータ1上の光強度は、原光源の超高圧水銀ラン
プの取付位置による影響を受けて、数%程度変化する。
従って、或る超高圧水銀ランプの位置における測定結果
をそのまま使用することはできず、上下左右に対して対
称な形で近似することにより一般的な光強度分布が得ら
れる。
【0029】まず、図1(d)に示されるガウス分布近
似された光強度分布に対応して、それぞれの主点光源4
aをインテグレータ1上に配置する。これは、図2に示
されるインテグレータ1の各構成レンズ上における光強
度分布の測定値結果を、上述のようにガウス分布により
近似し、光強度の最大値(中央における値)の1/2の
光強度の位置PS (最大値の位置からの遷移位置)を求
める。そして、図3に示されるように、主点光源4aの
光強度の1/2の光強度の補助点光源4bを当該遷移位
置に配置する。これにより、有効光源全体においては、
図4に示されるように、1個の主点光源4aと4個の補
助点光源4bにより形成される点光源4が、それぞれ単
体レンズ2に配置されて、インテグレータ1がモデル化
される。そして、図示はされてはいないが、インテグレ
ータ1の直後には絞りが設けられており、この絞りによ
り遮光される部分については光強度は0とし、絞りの開
口部に位置する点光源のみを取り扱って、光強度シミュ
レーションが行われる。
【0030】このようにして、インテグレータ1の各構
成レンズを複数の点光源によりモデル化することによ
り、M.Yeung の方法を用いて、実際に近いレチクルパタ
ーン投影像の光強度分布シミュレーションを行うことが
できる。
【0031】なお、インテグレータ1上の光強度分布
は、露光装置の光学系の設計データを入手することがで
きれば、実際に測定することなしに、超高圧水銀ランプ
からの光路をシミュレーションして求めてもよい。但
し、露光装置の光学系の設計データは、ユーザーには提
供されないので、一般的には実測が必要となる。
【0032】また、上記の実施例においては、一つ一つ
のインテグレータ1の単体レンズ2を5個の点光源によ
りモデル化しているが、このモデル化の方法としては、
特にこれに限定されるものではない。例えば、インテグ
レータ1を構成する単体レンズ2を、中心に1個および
その周辺に所定の間隔にて8個の点光源を配置して、総
計9個の点光源ににより形成し、各位置における点光源
の光強度を実際の測定値に比例する状態としてモデル化
してもよい。この場合には、インテグレータ1を構成す
る単体レンズ2が4角形であれば、全体の点光源の間隔
は等間隔となるので、計算機による取扱いが容易になる
という利点がある。
【0033】そして、一つの単体レンズを幾つかの点光
源に分割するかは、対象とする変形照明用の絞りの開口
形状にも依存する。特に、変形照明の絞りにより、小数
のインテグレータの目しか有効とならない場合には、分
割する点光源の数を増やす必要がある。但し、シミュレ
ーション時間は、その数に比例して増加するので、その
数は適当に選択することが必要である。経験的には、上
記の実施例に示されるように、1個のインテグレータの
目を5個程度の点光源により近似すれば十分である。
【0034】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図5は、本実施例におけるインテグレータおよび
モデル化した有効光源と、これらに対応する光強度分布
(インテグレータ上A−A' における強度分布)を示す
図である。図5(a)はインテグレータ1のレイアウト
を概念的に示している。インテグレータ1は、有効範囲
3に対応して、複数個の同型の単体レンズ2を組立てる
ことにより形成された光学素子であり、その組立てのた
めに、光の当らない部分にも単体レンズ2が配置されて
いる。実際に、光路上に位置して有効に機能する単体レ
ンズ2は、図5(a)の有効範囲3の内部の単体レンズ
2のみである。図5(b)は、図5(a)のインテグレ
ータ1の直後の光強度分布を実測し、ガウス分布を仮定
して近似した光強度分布である。このインテグレータ1
上における光強度分布を用いて有効光源の光強度を決め
る。即ち、細大の光強度Imax の1/2(Imax /2)
の強度を用いて、各単体レンズごとに2値化を行う。即
ち、Imax /2以上の部分を一定の強度Imax とし、I
max /2以下の部分を強度0として、図5(d)に示さ
れるようなモデル化された光強度分布を求める。そし
て、この光強度分布に対応して、図5(c)に示される
ように、インテグレータ1上において、モデル化有効光
源5を設定して配置し、インテグレータ1をモデル化す
る。
【0035】このようにモデル化された有効光源を用い
て、Hopkins の方法によりコヒーレント伝達係数を計算
し、像面に投影されるレチクルパターンの光強度分布を
求めることが可能となる。なお、本実施例においては、
光強度分布については、単にImax の1/2の強度区分
により2値化を行い、インテグレータ1をモデル化して
いるが、光強度分布の2値化については、光強度の段階
をより細かく設定して多値化した方が、より正確な光強
度分布シミュレーションが得られる。但し、この場合に
おいても、複雑に領域をより細かく設定することにより
計算所要時間が長くなるため、計算精度と計算時間との
兼合いで適当な領域分割を決定することが必要である。
一般的には、変形照明の絞りにより、有効となるインテ
グレータ1の目が少ない程分割を細かくする必要がある
が、経験的には、上記の実施例にような2値化で充分で
ある。
【0036】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。この第3の実施例においても、前述の第1および
第2の実施例の場合と同様に、インテングレータ1の直
後の光強度を実測し、ガウス分布を仮定して光強度分布
の近似して求める。次いで、Hopkins の方法によりコヒ
ーレント伝達係数を計算する際に、インテグレータ1の
単体レンズごとに積分領域を分割し、これらの各領域を
(−1≦x,y≦1)の領域に座標変換を行い、この領
域においてGauss-Legendreの方法を用いて積分を行う。
そして、全ての有効な領域における値を合計してコヒー
レント伝達係数を求める。Gauss-Legendreの方法は、有
限要素法においてよく用いられる積分法である。例え
ば、図6に示される−1≦x、y≦1の2次元領域にお
いて、x,yの関数の積分を求める場合には、原点10
1と点102〜109を含む計9個の点に標本点を取
り、原点の位置(0,0)には8/9、その他の位置に
は5/9の重みを用いて各位置における値の合計をとる
ことにより、x,yの5次式までが正確に積分できると
いうものである。なお、ここにおいても、インテグレー
タ1の直後の絞りの開口部に位置する標本点のみが有効
となる。本実施例においては、積分をGauss-Legendreの
方法を用いて四則演算に変換しているので、計算時間を
大幅に短縮することができるという利点がある。また、
前述の第1および第2の実施例の場合と同様に、インテ
グレータ1の単体レンズ2内の光強度分布を考慮して、
計算領域をインテグレータ1の各構成レンズごとに分割
することにより、変形照明によるレチクルパターンの投
影像の光強度分布を正確にシミュレーションすることが
できる。また、この場合に、標本点の数は増やす程正確
な近似が得られる(x,yの標本点の個数nと正確に計
算される多項式の次数pとの間には、p=2n−1の関
係がある)。ここにおいても、標本点の数は、計算精度
と計算時間との兼合いで適当な数が決められる。一般
に、変形照明の絞りに遮光されるインテグレータ1の目
が多い程標本点の数は多くした方がよい。経験的には、
上記の実施例のように3個で充分である。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、インテ
グレータ上における離散的な光強度分布を考慮して、当
該インテグレータの目を一つ一つ複数の点光源によりモ
デル化することにより、変形照明の使用に際しても、正
確なシミュレーションを可能にするという効果がある。
【0038】また、インテグレータ上の離散的な光強度
分布を考慮して重付けを行ない、有効光源を強度の異な
る領域においてモデル化することにより、変形照明の使
用に際しても正確なシミュレーションを可能にするとい
う効果がある。
【0039】更にまた、有効光源を構成レンズごとの領
域に分割し、これらの各領域ごとにGauss-Legendreの方
法を用いてコヒーレント伝達係数を求めることにより、
変形照明の際における正確なシミュレーションを、高速
にて行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるインテグレー
タ、モデル化されたインテグレータおよび光強度分布を
示す図である。
【図2】前記第1の実施例における単体レンズの光強度
分布を示す図である。
【図3】前記第1の実施例におけるモデル化された単体
レンズの配置を示す図である。
【図4】前記第1の実施例におけるモデル化されたイン
テグレータの他の例を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施例におけるインテグレー
タ、モデル化されたインテグレータおよび光強度分布を
示す図である。
【図6】本発明の第3の実施例説明用の単体レンズにお
ける配置関係を示す図である。
【図7】投影露光装置を示す概念図である。
【図8】有効範囲に対応する点光源を示す図である。
【図9】従来例におけるインテグレータおよび光強度分
布を示す図である。
【符号の説明】
1 インテグレータ 2 単体レンズ 3 有効範囲 4 点光源 4a 主点光源 4b 補助点光源 5 モデル化有効光源 6 絞り 7 レチクル 8 投影レンズ系 9 半導体基板

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インテグレ−タにより形成される有効光
    源を有限個の点光源に分割し、当該点光源によりそれぞ
    れ照明されるレチクルパタ−ンの投影像の光強度分布を
    計算して、前記点光源によるレチクルパタ−ンの光強度
    分布を合成する工程を有する、半導体装置のリソグラフ
    イ−工程において用いられる光強度分布シミュレ−ショ
    ン方法において、 前記インテグレ−タを形成する複数の単体レンズにおけ
    る光強度分布を、複数の点光源によりモデル化する手順
    を介して、前記レチクルパタ−ンの光強度分布を生成す
    ることを特徴とする光強度分布シミュレ−ション方法。
  2. 【請求項2】 前記単体レンズにおける光強度分布のモ
    デル化を行う手順において、前記インテグレータ上にお
    ける光強度分布に比例した重み付け処理を行う手順を有
    することを特徴とする請求項1記載の光強度分布シミュ
    レーション方法。
  3. 【請求項3】 前記単体レンズにおける光強度分布のモ
    デル化を行う手順において、前記インテグレータを形成
    する単体レンズにおける光強度分布を、当該単体レンズ
    の中心に配置される主点光源と、前記主点光源の周辺に
    配置される少なくとも1個以上の補助点光源により生成
    する手順を有することを特徴とする請求項1記載の光強
    度分布シミュレーション方法。
  4. 【請求項4】 Hopkins の理論を用い、有効光源の光強
    度分布関数S(x,y)と投影レンズ系の瞳関数P
    (x' ,y' )より、コヒーレント伝達係数を計算する
    手順を含む、半導体装置のリソグラフィー工程において
    用いられる光強度分布シミュレーション方法において、 インテグレータを構成する各単体レンズごとに、前記有
    効光源の光強度分布関数S(x,y)を、それぞれ個別
    に定義する手順を有することを特徴とする光強度分布シ
    ミュレーション方法。
  5. 【請求項5】 前記有効光源の光強度分布関数S(x,
    y)を、前記インテグレータ上の光強度分布に基づいて
    複数の光強度の異なる領域に分割する手順を有すること
    を特徴とする請求項4記載の光強度分布シミュレーショ
    ン方法。
  6. 【請求項6】 Hopkins の理論を用い、有効光源の光強
    度分布関数S(x,y)と投影レンズ系の瞳関数P
    (x' ,y' )より、コヒーレント伝達係数を計算する
    手順を含む、半導体装置のリソグラフィー工程において
    用いられる光強度分布シミュレーション方法において、 前記コヒーレント伝達係数を計算するための積分範囲
    を、インテグレータを構成する各単体レンズごとに分割
    する手順を有することを特徴とする光強度分布シミュレ
    ーション方法。
JP6009011A 1994-01-31 1994-01-31 光強度分布シミュレーション方法 Expired - Lifetime JP2715895B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6009011A JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1994-01-31 光強度分布シミュレーション方法
US08/381,326 US5644390A (en) 1994-01-31 1995-01-31 Intensity distribution simulating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6009011A JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1994-01-31 光強度分布シミュレーション方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07220995A JPH07220995A (ja) 1995-08-18
JP2715895B2 true JP2715895B2 (ja) 1998-02-18

Family

ID=11708717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6009011A Expired - Lifetime JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1994-01-31 光強度分布シミュレーション方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5644390A (ja)
JP (1) JP2715895B2 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950958A (ja) * 1995-05-29 1997-02-18 Nikon Corp 照明光学装置及びそれを備えた投影露光装置
JP3796294B2 (ja) * 1996-07-09 2006-07-12 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
KR100257710B1 (ko) * 1996-12-27 2000-06-01 김영환 리소그라피 공정의 시물레이션 방법
JP2910716B2 (ja) * 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH11204397A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Mitsubishi Electric Corp パターン決定方法および露光装置に用いられるアパーチャ
TW552561B (en) 2000-09-12 2003-09-11 Asml Masktools Bv Method and apparatus for fast aerial image simulation
US20020123866A1 (en) * 2001-01-05 2002-09-05 Lin Benjamin Szu-Min Optical proximity correction algorithm for pattern transfer
TWI285295B (en) * 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
JP4266082B2 (ja) * 2001-04-26 2009-05-20 株式会社東芝 露光用マスクパターンの検査方法
JP2002359176A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
CN100568455C (zh) * 2002-04-17 2009-12-09 佳能株式会社 中间掩模和光学特性测量方法
KR101124179B1 (ko) 2003-04-09 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7302109B2 (en) * 2003-08-28 2007-11-27 General Electric Company Method and system for image processing for structured light profiling of a part
US7343271B2 (en) * 2003-10-27 2008-03-11 International Business Machines Corporation Incorporation of a phase map into fast model-based optical proximity correction simulation kernels to account for near and mid-range flare
US7366342B2 (en) * 2003-10-27 2008-04-29 International Business Machines Corporation Simultaneous computation of multiple points on one or multiple cut lines
US7287239B2 (en) * 2003-10-27 2007-10-23 International Business Machines Corporation Performance in model-based OPC engine utilizing efficient polygon pinning method
US7010776B2 (en) * 2003-10-27 2006-03-07 International Business Machines Corporation Extending the range of lithographic simulation integrals
US7055126B2 (en) * 2003-10-27 2006-05-30 International Business Machines Corporation Renesting interaction map into design for efficient long range calculations
TWI457712B (zh) 2003-10-28 2014-10-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7700247B2 (en) * 2003-12-19 2010-04-20 International Business Machines Corporation Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method
TWI360837B (en) 2004-02-06 2012-03-21 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination
JP4351928B2 (ja) * 2004-02-23 2009-10-28 株式会社東芝 マスクデータの補正方法、フォトマスクの製造方法及びマスクデータの補正プログラム
WO2005106593A2 (en) * 2004-04-14 2005-11-10 Litel Instruments Method and apparatus for measurement of exit pupil transmittance
DE102004031720A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-26 Infineon Technologies Ag Abbildungseinrichtung und Verfahren zum Ermitteln einer optimierten Beleuchtungsverteilung in der Abbildungseinrichtung
JP5218806B2 (ja) 2004-11-05 2013-06-26 日本電気株式会社 パターン検査装置、パターン検査方法及びパターン検査プログラム
US7173688B2 (en) * 2004-12-28 2007-02-06 Asml Holding N.V. Method for calculating an intensity integral for use in lithography systems
JP4843241B2 (ja) * 2005-03-28 2011-12-21 株式会社東芝 光強度分布シミュレーションシステム、光強度分布シミュレーション方法、マスクパターン補正方法、及び光強度分布シミュレーションプログラム
EP1881521B1 (en) 2005-05-12 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
JP2007273560A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 光強度分布シミュレーション方法
US7546573B1 (en) * 2006-06-06 2009-06-09 Kla-Tencor Corporation Semiconductor device pattern generation
JP4402145B2 (ja) * 2007-10-03 2010-01-20 キヤノン株式会社 算出方法、生成方法、プログラム、露光方法及び原版作成方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5086926B2 (ja) * 2008-07-15 2012-11-28 キヤノン株式会社 算出方法、プログラム及び露光方法
JP4921536B2 (ja) * 2009-10-26 2012-04-25 キヤノン株式会社 プログラム及び算出方法
JP5539140B2 (ja) * 2010-09-28 2014-07-02 キヤノン株式会社 決定方法、露光方法、プログラム及びコンピュータ
US8875066B2 (en) * 2013-03-15 2014-10-28 Synopsys, Inc. Performing image calculation based on spatial coherence
JP6345431B2 (ja) * 2014-02-03 2018-06-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 照明装置及びパターン検査装置
CN113777781B (zh) * 2021-09-01 2024-02-02 北京双翼麒电子有限公司 一种光圈透光结构的设计方法及光圈

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1497272A1 (de) * 1966-08-02 1969-05-14 Ass Elect Ind Bestrahlungsapparat
US4428647A (en) * 1982-11-04 1984-01-31 Xerox Corporation Multi-beam optical system using lens array
US5091744A (en) * 1984-02-13 1992-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system
US4799791A (en) * 1984-02-13 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Illuminance distribution measuring system
JPH0682598B2 (ja) * 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPH0669014B2 (ja) * 1986-02-24 1994-08-31 株式会社ニコン 露光装置
JP2571054B2 (ja) * 1987-04-28 1997-01-16 キヤノン株式会社 露光装置及び素子製造方法
JPH01227121A (ja) * 1988-03-08 1989-09-11 Nippon Sheet Glass Co Ltd 結像光学装置
US5333077A (en) * 1989-10-31 1994-07-26 Massachusetts Inst Technology Method and apparatus for efficient concentration of light from laser diode arrays
JPH03216658A (ja) * 1990-01-22 1991-09-24 Hitachi Ltd マスクパターン投影像のシミュレーション方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5644390A (en) 1997-07-01
JPH07220995A (ja) 1995-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2715895B2 (ja) 光強度分布シミュレーション方法
KR100993851B1 (ko) 원판 데이터 작성방법, 원판 작성방법, 노광방법, 디바이스제조방법, 및 원판 데이터를 작성하기 위한 컴퓨터 판독가능한 기억매체
JP3992688B2 (ja) コンタクト・ホール・マスクの光学的近接補正設計の方法
US5885748A (en) Method of exposing, with correction of pattern data used to draw photomask to overcome proximity effects
US6223139B1 (en) Kernel-based fast aerial image computation for a large scale design of integrated circuit patterns
US7631287B2 (en) Calculating method, verification method, verification program and verification system for edge deviation quantity, and semiconductor device manufacturing method
JP4395048B2 (ja) リソグラフィ・シミュレーションの積分範囲の拡張
JP2910716B2 (ja) 光強度計算のパラメトリック解析方法
JP5300354B2 (ja) 生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
US20100251202A1 (en) Lithography Modelling And Applications
JP2008040470A (ja) 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム
JP2007158328A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI444787B (zh) 記錄產生遮罩資料之程式的記錄媒體、製造遮罩之方法、及曝光方法
JP2007273560A (ja) 光強度分布シミュレーション方法
KR20090030216A (ko) 마스크 데이터의 생성방법, 마스크 제작방법, 노광방법, 디바이스 제조방법 및 기억매체
JP5052625B2 (ja) マスクのレイアウトを設計する方法及びプログラム
JP5159501B2 (ja) 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイス製造方法
CN115032858A (zh) 光刻感知源取样及重新取样
JP4077288B2 (ja) フォトマスクの設計方法およびプログラム
JPH0934101A (ja) 転写光強度分布のシミュレーション方法、マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置
US6839132B2 (en) Aberration measuring method of projection optical system
JP3854231B2 (ja) 投影光学系の収差測定方法
JP2009204823A (ja) シミュレーション方法及びシミュレーション用のプログラム
JPH0876360A (ja) フォトマスクの製造方法
JP4131981B2 (ja) パターン予測方法およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19971007