JP4954444B2 - 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4954444B2 JP4954444B2 JP2003431950A JP2003431950A JP4954444B2 JP 4954444 B2 JP4954444 B2 JP 4954444B2 JP 2003431950 A JP2003431950 A JP 2003431950A JP 2003431950 A JP2003431950 A JP 2003431950A JP 4954444 B2 JP4954444 B2 JP 4954444B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- suction port
- space
- flow path
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
R=k1・λ/NA … (1)
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
本発明の露光装置(EX)は、投影光学系(PL)と液体(LQ)とを介して基板(P)上に露光光(EL)を照射して基板(P)を露光する露光装置において、液体(LQ)を供給する供給口(13、14)と、投影光学系(PL)の投影領域(AR1)に対して供給口(13、14)より外側に設けられた第1吸引口(25)と、第1吸引口(25)より外側に設けられた第2吸引口(26)と、第1吸引口(25)に設けられ、第1の流れの抵抗を有する第1部材(27)と、第2吸引口(26)に設けられ、第1の流れの抵抗とは異なる第2の流れの抵抗を有する第2部材(28)とを備え、第2吸引口(26)に、液体(LQ)によって投影光学系(PL)の像面側に形成される液浸領域(AR2)の端部(EG)が配置されることを特徴とする。
また本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置(EX)を用いることを特徴とする。
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
図2及び図3において、流路形成部材30は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された第1液体供給口13と第2液体供給口14とを備えている。流路形成部材30の下面はほぼ平坦面であり、第1液体供給口13及び第2液体供給口14は流路形成部材30の下面に設けられている。また、流路形成部材30は、その内部に供給流路15、16を有している。供給流路15の一端部は第1液体供給口13に接続され、他端部は第1供給管11Aを介して第1液体供給部11に接続されている。供給流路16の一端部は第2液体供給口14に接続され、他端部は第2供給管12Aを介して第2液体供給部12に接続されている。
基板Pが基板ステージPSTに搬入された後、制御装置CONTは、基板P上に液体LQの液浸領域AR2を形成するために、液体供給機構10及び液体回収機構20を使って液体LQの供給及び回収を開始する。
基板P上の液体LQを吸引回収するに際し、第1部材27が配置された内側吸引口25は常時液体LQに覆われている。内側吸引口25を通過する液体LQの単位時間あたりの流量をMw、大気圧をPa、空間部31内部の圧力をPc、液体(水)LQの粘性係数をμw、液体LQの密度をρw、多孔質体である第1部材27の厚さをta、第1部材27(内側吸引口25)の面積をAa、第1部材27の浸透率(permeability)をKaとしたとき、ダルシーの法則より、
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
20…液体回収機構、21…液体回収部、23…真空系、24…吸引管、
25…内側吸引口(第1吸引口)、26…外側吸引口(第2吸引口)、27…第1部材、28…第2部材、29…第3部材、31…空間部、33…気液分離部材(分離器)、
AR1…投影領域、AR2…液浸領域、EG…端部、EL…露光光、EX…露光装置、
LQ…液体、P…基板、PL…投影光学系
Claims (25)
- 光学部材と物体との間の露光光の光路が液体で満たされるように液浸領域を形成する流路形成部材であって、
前記液体を供給する供給口と、
前記光路に対して前記供給口より外側に設けられた第1吸引口と、
前記第1吸引口より外側に設けられた第2吸引口と、
前記第1吸引口に設けられ、第1の流れの抵抗を有する第1部材と、
前記第2吸引口に設けられ、前記第1の流れの抵抗とは異なる第2の流れの抵抗を有する第2部材と、を備え、
前記第2吸引口が前記液体により覆われている面積割合が大きくなるにつれ、前記第1吸引口が前記液体を吸引する吸引力が大きくなる流路形成部材。 - 前記第2の流れの抵抗は、前記第1の流れの抵抗よりも大きい請求項1記載の流路形成部材。
- 前記第1部材及び前記第2部材は、前記物体の表面に対向するように配置される請求項1又は2記載の流路形成部材。
- 前記第1部材及び前記第2部材は、多孔質体である請求項1〜3のいずれか一項記載の流路形成部材。
- 前記第1部材は、前記第1の流れの抵抗を有する粗な多孔質体であり、前記第2部材は、前記第1の流れの抵抗よりも大きい前記第2の流れの抵抗を有する密な多孔質体である請求項2記載の流路形成部材。
- 前記第1部材は、前記液体に対して親液性であり、前記第2部材は、前記液体に対して撥液性である請求項1〜5のいずれか一項記載の流路形成部材。
- 前記第1吸引口及び前記第2吸引口のそれぞれに接続される空間部と、
前記空間部に設けられ、液体と気体とを分離する分離器と、を備える請求項1〜6のいずれか一項記載の流路形成部材。 - 前記分離器は、前記第1吸引口から前記空間部に吸引された前記液体と前記第2吸引口から前記空間部に吸引された前記気体とを分離する請求項7記載の流路形成部材。
- 前記分離器は、前記第2吸引口に位置合わせされる開口部を有し、前記第2吸引口を覆うように設けられる分離部材を含み、
前記第1吸引口からの液体は、前記空間部のうち前記分離部材の外側の空間に吸引され、
前記第2吸引口からの気体は、前記開口部を介して前記分離部材の内部空間に吸引される請求項8記載の流路形成部材。 - 前記分離部材は、前記分離部材の内部空間と外部とを連通する穴部を有し、
前記空間部の気体が真空系により吸引されて前記空間部が負圧にされる請求項9記載の流路形成部材。 - 前記空間部のうち前記内部空間の外側の空間の液体が前記穴部を介して前記内部空間に流入しないように前記空間部の前記液体の液面の高さを調整する液面調整機構を備える請求項10記載の流路形成部材。
- 前記分離部材は、前記第2吸引口の空間部側に液体が配置されないように液体をよける請求項9〜11のいずれか一項記載の流路形成部材。
- 前記空間部の液体が液体回収部により回収される請求項7〜12のいずれか一項記載の流路形成部材。
- 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項1〜13のいずれか一項記載の流路形成部材を備える露光装置。 - 投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給する供給口と、
前記投影光学系の投影領域に対して前記供給口より外側に設けられた第1吸引口と、
前記第1吸引口より外側に設けられた第2吸引口と、
前記第1吸引口に設けられ、第1の流れの抵抗を有する第1部材と、
前記第2吸引口に設けられ、前記第1の流れの抵抗とは異なる第2の流れの抵抗を有する第2部材とを備え、
前記第2吸引口に、前記液体によって前記投影光学系の像面側に形成される液浸領域の端部が配置され、
前記第2吸引口が前記液体により覆われている面積割合が大きくなるにつれ、前記第1吸引口が前記液体を吸引する吸引力が大きくなる露光装置。 - 前記第2の流れの抵抗は前記第1の流れの抵抗よりも大きい請求項15記載の露光装置。
- 前記第1吸引口及び前記第2吸引口のそれぞれに接続する空間部と、
前記空間部に接続し、前記空間部の気体を吸引する真空系と、
前記空間部と前記真空系とを接続する流路に設けられ、第3の流れの抵抗を有する第3部材とを備える請求項15又は16記載の露光装置。 - 前記第2吸引口を通過する単位時間あたりの気体量と、前記流路を通過する単位時間あたりの気体量とは略同じである請求項17記載の露光装置。
- 前記空間部に設けられ、液体と気体とを分離する分離器を有する請求項17又は18記載の露光装置。
- 前記分離器は、前記空間部の液体に対して前記第2吸引口から吸引された気体を分離する請求項19記載の露光装置。
- 前記第1吸引口及び前記第2吸引口に接続する前記空間部は前記投影領域を囲むように複数分割されて設けられている請求項17〜20のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記空間部の液体を回収する液体回収部を有する請求項17〜21のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2部材は撥液性である請求項15〜22のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2部材は多孔質体である請求項15〜23のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項14〜請求項24のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003431950A JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003431950A JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010013493A Division JP5246174B2 (ja) | 2010-01-25 | 2010-01-25 | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191344A JP2005191344A (ja) | 2005-07-14 |
JP4954444B2 true JP4954444B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=34789801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003431950A Expired - Fee Related JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4954444B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101124179B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI457712B (zh) | 2003-10-28 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI360837B (en) | 2004-02-06 | 2012-03-21 | Nikon Corp | Polarization changing device, optical illumination |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1863070B1 (en) | 2005-01-31 | 2016-04-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
EP1881521B1 (en) | 2005-05-12 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus and exposure method |
US7751026B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-07-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography |
WO2007055373A1 (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7701551B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4902505B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2012-03-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US8134685B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036194A1 (nl) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8421993B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2249205B1 (en) * | 2008-05-08 | 2012-03-07 | ASML Netherlands BV | Immersion lithographic apparatus, drying device, immersion metrology apparatus and device manufacturing method |
EP2131241B1 (en) | 2008-05-08 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2003226A (en) | 2008-08-19 | 2010-03-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method. |
US8477284B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
NL2004820A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow. |
JP5246174B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2013-07-24 | 株式会社ニコン | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
US20110222031A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120013863A1 (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120013864A1 (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US8937703B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019802A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019804A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004349645A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003431950A patent/JP4954444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005191344A (ja) | 2005-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4954444B2 (ja) | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6466894B2 (ja) | 露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP6195005B2 (ja) | 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5310683B2 (ja) | ノズル部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP4655763B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP4622340B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法 | |
JP4770129B2 (ja) | 露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2005236121A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4720106B2 (ja) | 露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5246174B2 (ja) | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4973754B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100716 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100727 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20101015 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120213 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4954444 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |