JP2011211200A - 3次元半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この装置は基板上に順に積層された水平構造体と、水平構造体を垂直に横切る垂直構造体とを具備する。水平構造体の各々は基板に平行な導電ライン及び垂直構造体に隣接した導電ラインの一側壁を覆う第2パターンを含む。また垂直構造体の各々は半導体柱及び水平構造体に隣接した半導体柱の少なくとも一側壁を覆う第1パターンを含む。
基板上に順に積層された電極を含む電極構造体と、電極構造体を垂直に貫通する半導体パターンと、第1パターン及び第2パターンを具備して半導体パターンと電極構造体との間に介在するメモリー要素と、を含み、第1パターンは垂直に延長されて複数の電極を横切り、第2パターンは水平に延長されて複数の半導体パターンを横切る。
【選択図】図22
Description
本発明の課題は3次元的に配列される導電パターンの抵抗を減少できる3次元半導体装置を提供することにある。
本発明の課題は動作電流の減少及びセルストリングの抵抗の増加を予防できる3次元半導体装置を提供することにある。
本発明の課題は動作電流の減少及びセルストリングの抵抗の増加を予防できる3次元半導体装置の製造方法を提供することにある。
前記半導体パターンと前記層間絶縁膜との間で前記層間絶縁膜の側壁に接するキャッピング膜をさらに含むことができる。
他の実施形態によれば、前記垂直パターンは前記トンネル絶縁膜及び前記電荷格納膜を含み、前記水平パターンは前記ブロッキング絶縁膜を含む。
前記垂直パターンは、前記電荷格納膜と異なる物質で形成され、前記電荷格納膜と前記ブロッキング絶縁膜との間に介在するキャッピング膜をさらに含むことができる。
この場合、前記水平パターン及び前記垂直パターンは前記電極と前記半導体パターンの側壁との間で互いに接触し、前記水平パターンの最高の含量を有する2種類の原子はこれに接触する前記垂直パターンの最高の含量を有する2種類の原子と同一である。
これによって、本発明の一実施形態による3次元半導体装置は図47を参照して説明する格納所優先方式によるパンチアンドプラグ技術での技術的制約に拘束されない。即ち、本発明の一実施形態に係る導電パターンは金属性物質で形成できる。
これに加えて、情報格納のための膜の一部である前記垂直パターンが前記リセス領域内に形成されるので、本発明の一実施形態に係る導電パターンの厚さは図48を参照して説明するプラグ優先方式でのそれより増加できる。
従って、3次元的に配列される導電パターンの抵抗を減少できる。
本発明の一実施形態によれば、導電パターンと半導体パターンの側壁との間から水平方向及び垂直方向に延長された部分を有する交差構造体を提供する。このような交差構造体は格納所優先方式及びプラグ優先方式各々単独の場合における技術的制約を緩和できる。
図1〜図11は、本発明の第1実施形態に係る3次元半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。
図1を参照すれば、基板10上に鋳型構造体(mold structure)100を形成する。前記基板10は例えば半導体特性を有する物質、絶縁性物質、絶縁性物質によって覆われた半導体又は導電体のうちの1つである。例えば、前記基板10はシリコンウェーハである。
一実施形態によれば、前記犠牲膜130は前記絶縁膜120に対して1:10〜1:200(より限定的には、1:30〜1:100)のエッチング選択比を提供できる物質のうちの1つである。例えば、前記絶縁膜120はシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうちの少なくとも一つであり、前記犠牲膜130はシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコンカーバイド及びシリコン窒化膜のうちから選択される前記絶縁膜120と異なる物質である。以下では、本発明の技術的思想について分かりやすいように、前記絶縁膜120はシリコン酸化膜であり、前記犠牲膜130はシリコン窒化膜である実施形態を例示的に説明する。
この実施形態によれば、前記開口部105はホール形状で形成される。即ち、前記開口部105の各々は深さが幅より少なくとも5倍大きい形状で形成される。これに加えて、この実施形態によれば、前記開口部105は前記基板10の上部面(即ち、xy平面)上に2次元的に形成される。即ち、前記開口部105の各々はx及びy方向に沿って互いに他の開口部から離隔して形成された、孤立した領域である。
前記垂直膜150は1つの薄膜又は複数の薄膜で構成される。例えば、前記垂直膜150は電荷トラップ型不揮発性メモリートランジスタのメモリー要素として用いられる薄膜のうちの少なくとも1つを含む。本発明の実施形態は前記垂直膜150を構成する薄膜の種類によって多様に分類できる。このように分類された実施形態は後述する図28〜図35を参照して詳細に説明する。
前記第2半導体膜170は例えば原子層蒸着(ALD)又は化学的気相蒸着(CVD)技術のうちの1つを用いて形成される多結晶シリコン膜である。一実施形態によれば、前記第2半導体膜170は前記開口部105を完全に埋め立てない厚さを有してコンフォーマルに形成する。即ち、図5に示したように、前記第2半導体膜170は前記開口部105内にホール105aを定義する。
図7を参照すれば、前記鋳型構造体100を貫通しながら前記犠牲膜130及び前記絶縁膜120の側壁を露出させるトレンチ200を形成する。前記トレンチ200は図示したように、前記開口部105から離隔してこれらの間を横切る。
一方、エッチング対象が実質的に同一であるので、前記開口部105の場合と同様に、前記基板10の上部面に近いほど前記トレンチ200の幅は減少する。このようなトレンチ200の幅の不均一は3次元的に配列されるトランジスタの動作特性の不均一性を誘発する。このような不均一に対するより詳細な説明及びその改善方法は特許文献6に開示されており、その開示内容はこの出願の一部として組み込まれている。
前記リセス領域210は前記トレンチ200から水平に延長されるギャップ領域であり、前記垂直パターン155の側壁を露出するように形成される。より具体的に、前記リセス領域210の外郭境界(outer boundary)は、その上部及び下部に位置する前記絶縁膜120及びその両側に位置する前記トレンチ200によって画定される。また、前記リセス領域210の内部境界(internal boundary)はそれを垂直に貫通する前記垂直パターン155の側壁によって画定定義される。
前記リセス領域210を形成する段階は、前記絶縁膜120及び前記垂直パターン155に対してエッチング選択性を有するエッチングレシピを用いて前記犠牲膜130を水平的にエッチングする段階を含む。例えば、前記犠牲膜130がシリコン窒化膜であり、前記絶縁膜120がシリコン酸化膜の場合、前記水平的エッチング段階はリン酸を含むエッチング液を用いて実行できる。
前記水平構造体HSを形成する段階は前記リセス領域210を順に満たす水平膜及び導電膜を順に形成した後、前記トレンチ200内で前記導電膜を除去して前記リセス領域210内に前記導電パターン230を残す段階を含む。
前記水平膜又は前記水平パターン220は、前記垂直膜150の場合と同様に、1つの薄膜又は複数の薄膜で構成する。一実施形態によれば、前記水平パターン220は電荷トラップ型不揮発性メモリートランジスタのブロッキング誘電膜を含む。上述のように、本発明の実施形態は前記垂直膜150及び前記水平パターン220の各々を構成する薄膜の種類によって多様に分類できる。このように分類された実施形態は図28〜図35を参照して再び詳細に説明する。
一実施形態によれば、前記導電膜は前記トレンチ200の内壁をコンフォーマルに覆うように形成され、この場合、前記導電パターン230を形成する段階は前記トレンチ200内で前記導電膜を等方性エッチングを用いて除去する段階を含む。他の実施形態によれば、前記導電膜は前記トレンチ200を満たすように形成され、この場合、前記導電パターン230を形成する段階は前記トレンチ200内で前記導電膜を異方性エッチングする段階を含む。
一実施形態によれば、前記不純物領域240の各々は互いに接続されて等電位状態にある。他の実施形態によれば、前記不純物領域240の各々は互いに異なる電位を有するように電気的に分離される。また他の実施形態によれば、前記不純物領域240は互いに異なる複数の不純物領域を含む独立的な複数のソースグループを構成し、ソースグループの各々は互いに異なる電位を有するように電気的に分離される。
一実施形態によれば、前記半導体スペーサ165及び前記半導体胴体部175の上部領域は上部不純物領域(図示せず)を有する。前記上部不純物領域の底は前記水平構造体HSのうちの最上層の上部面より高い。また、前記上部不純物領域はその下に位置する前記半導体スペーサ165の一部分と異なる導電型がドーピングされる。これによって、前記上部不純物領域はその下部領域とダイオードを構成する。この実施形態によれば、前記上部プラグ260は例えばドーピングされたシリコン及び金属性物質のうちの一つである。
前記上部配線270の各々は前記上部プラグ260を通じて前記半導体スペーサ165及び前記半導体胴体部175に電気的に接続され、前記水平構造体HSを横切るように形成される。NANDフラッシュメモリーのための実施形態によれば、前記上部配線270は複数のセルストリングの一端に接続するビットラインとして用いる。
[方法−第2実施形態]
図1及び図12を参照すれば、前記鋳型構造体100を貫通する開口部106を形成する。この実施形態によれば、前記開口部106は、xy平面及びxz平面上に投影される断面の縦横比が少なくとも5以上の六面体形状の部分を含むことができる。即ち、前記開口部106のy及びz方向の長さはそれのx方向の長さより5倍以上大きい形状である。
一方、上述の実施形態のように、前記垂直膜は1つの薄膜又は複数の薄膜で構成することができ、以後、図36〜図43を参照して詳細に説明するように、本発明の実施形態は前記垂直膜を構成する薄膜の種類によって多様に分類できる。
前記ストリング定義マスク182を形成する段階は前記第2半導体膜170が形成された結果物上に前記開口部106を満たすストリング分離膜を形成した後、前記開口部106を横切るように前記ストリング分離膜をパターニングする段階を含む。前記ストリング分離膜をパターニングする段階は前記第2半導体膜170に対してエッチング選択性を有するエッチングレシピを用いて前記ストリング分離膜を異方性エッチングする段階を含む。一実施形態によれば、前記ストリング分離膜をパターニングする段階は前記開口部106の底で前記第2半導体膜170を露出するように実施する。
図16を参照すれば、前記ストリング定義マスク182をエッチングマスクとして用いて、前記第2半導体膜170及び前記予備半導体スペーサ164を順にパターニングする。このパターニング段階は前記予備垂直パターン154に対してエッチング選択性を有するエッチングレシピを用いて前記第2半導体膜170及び前記予備半導体スペーサ164を等方的にエッチングする段階を含む。
即ち、前記ストリング定義マスク182と前記鋳型構造体100との間には、前記基板10上に2次元的に配列される垂直パターン155及び半導体スペーサ165が形成される。これに加えて、前記パターニング工程の結果として、前記第2半導体膜170も水平的に分離された第2半導体パターン174を形成する。前記第2半導体パターン174は図示したように、前記半導体スペーサ165と前記ストリング定義マスク182との間に介在する半導体胴体部175を含む。
前記ストリング分離膜ISOは絶縁性物質のうちの少なくとも1つで形成する。また、前記ストリング分離膜ISOは前記ストリング定義マスク182と類似の形状で形成する。即ち、前記ストリング分離膜ISOの各々は前記開口部106を水平に横切る上部分離パターンISOa及び前記上部分離パターンISOaから下方に延長されて前記開口部106を満たす延長部ISOb(図示せず)を有する。
上述の構成によれば、1つの開口部106内には複数の垂直構造体VS及びこれらの間に配置される複数のストリング分離膜ISOを配置でき、前記垂直構造体VSの各々は1つの前記半導体胴体部175、一対の前記垂直パターン155、及び一対の前記半導体スペーサ165を含む。一方、前記垂直構造体VSは前記延長パターン182bをさらに含むこともできる。
[3次元半導体装置]
また便宜上、前記説明された製造方法と重複する技術的特徴に対する説明は省略する。しかし、ここに説明される3次元半導体装置は上述の製造方法の変形又はそれと異なる製造方法を通じても製造できるので、上述の製造方法で説明された技術的特徴を全部又は完全に有する必要はない。
[構造−第1実施形態及びその変形例]
図22を参照すれば、水平構造体HSが基板10上に3次元的に配列され、前記水平構造体HSを垂直に貫通する垂直構造体VSが前記基板10上に2次元的に配列される。
前記水平構造体HSの各々は導電パターン230及び水平パターン220を含む。前記導電パターン230は、その長軸が前記基板10の上部面(即ち、xy平面)に平行に配置される。また、前記導電パターン230の内部には、前記垂直構造体VSによって貫通される複数の開口部105が形成される。前記水平パターン220は前記導電パターン230と前記垂直構造体VSとの間に介在する。即ち、前記水平パターン220は前記導電パターン230の内側壁又は前記開口部105の側壁を覆う。これに加えて、この実施形態によれば、前記水平パターン220は前記開口部105から水平に延長されて前記導電パターン230の上部面及び下部面を覆う。
前記半導体胴体部175は前記開口部105を完全に満たさない厚さで形成される場合、その内部にホール105aを定義できる。第1の実施形態の場合と同様、前記ホール105aを埋め立てパターン185によって満たすことができる。
一方、前記半導体胴体部175又は前記半導体スペーサ165は、結晶構造変更段階(例えば、レーザーアニーリング段階を含むエピタキシャル技術)を経る(undergo)ことで、化学気相蒸着を通じて形成される多結晶シリコンと異なる結晶構造を有し得る。例えば、前記半導体胴体部175又は前記半導体スペーサ165は、その下部領域とその上部領域が互いに異なるグレーンサイズ(grain size)を有するように形成できる。上述又は後述の実施形態に係る半導体胴体部175と半導体スペーサ165は、同一の、又は異なる結晶構造を有し得る。
[構造−第2実施形態及びその変形例]
図25を参照すれば、水平構造体HSが基板10上に3次元的に配列され、前記水平構造体HSの間には垂直構造体VSが配置される。前記垂直構造体VSは前記基板10上に2次元的に配列され、前記水平構造体HSの側壁に面するように配置される。
前記半導体スペーサ165の各々は、前記半導体胴体部175の側壁部と前記垂直パターン155との間に介在する六面体(直方体)形の部分を含む。前記半導体胴体部175の側壁部及び前記半導体スペーサ165のx方向の厚さは水平方向に隣接する一対の導電パターン230の間の間隔より小さい場合がある。前記半導体胴体部175の側壁部の間には、図15に示したように、ストリング定義マスク182の延長パターン182bが配置される。
図26及び図27を参照すれば、前記半導体胴体部175は前記半導体スペーサ165が形成された開口部105を実質的に完全に満たすように形成される。
ただし一実施形態によれば、前記半導体胴体部175の内部には不連続的境界面179又はボイドが形成される。
一方、図23を参照して説明したように、前記半導体胴体部175又は前記半導体スペーサ165は結晶構造変更段階(例えば、レーザーアニーリング段階を含むエピタキシャル技術)を経ることで、化学的気相蒸着を通じて形成される多結晶シリコンと異なる結晶構造を有し得る。
一方、以下に図36〜図43を参照して説明するように、電荷トラップ型不揮発性メモリー装置に関する実施形態によれば、前記垂直パターン155はトンネル絶縁膜TIL及び電荷格納膜CLを含むことができ、追加的に示したように、キャッピング膜CPLをさらに含むこともできる。このような実施形態のうちの一部によると、前記水平延長部155eはトンネル絶縁膜TIL及び電荷格納膜CLを全部含むことができる。
このような実施形態のうちの他の一部によると、図27に示したように、前記水平延長部155eは前記キャッピング膜CPLのみを含み、前記電荷格納膜CL及び前記トンネル絶縁膜TILは前記ストリング分離膜ISOによって水平方向に分離される。このような分離は図16を参照して説明した製造方法を通じて実現できる。
[情報格納膜]
前記垂直構造体VSが前記電荷格納膜CLを含む場合、図28、図33〜図36及び図41〜図43に示したように、前記垂直構造体VSは前記キャッピング膜CPLをさらに含むことができる。しかし、図29、図31、図37及び図39に示したように、前記垂直構造体VSと前記水平構造体HSは、前記キャッピング膜CPLなしに直接接触することもできる。
一方、物質の種類及び形成方法において、前記電荷格納膜CLは、トラップサイトが豊かな一又は複数の絶縁膜、及びナノ粒子を含む一又は複数の絶縁膜の双方又は一方であり、例えば、化学気相蒸着又は原子層蒸着技術の双方又は一方を用いて形成する。例えば、前記電荷格納膜CLはトラップ絶縁膜、浮遊ゲート(floating gate)電極、及び導電性ナノドット(conductive nano dots)の一部又は全部を含む。さらに具体的な例として、前記電荷格納膜CLはシリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコンリッチ窒化膜(Si−rich nitride)、ナノクリスタルシリコン(nanocrystallineSi)、及び薄層化トラップ膜(laminated trap layer)の一部又は全部を含む。
一実施形態によれば、前記第1ブロッキング絶縁膜BIL1はアルミニウム酸化膜及びハフニウム酸化膜などのような高誘電膜のうちの1つであり、前記第2ブロッキング絶縁膜BIL2は前記第1ブロッキング絶縁膜BIL1より小さい誘電常数を有する物質からなる。
他の実施形態によれば、前記第2ブロッキング絶縁膜BIL2は高誘電膜のうちの1つであり、前記第1ブロッキング絶縁膜BIL1は前記第2ブロッキング絶縁膜BIL2より小さい誘電常数を有する物質からなる。
変形された実施形態によれば、前記第1及び第2ブロッキング絶縁膜BIL1及びBIL2に加えて、前記電荷格納膜CLと前記導電パターン230との間に介在される少なくとも1つの追加的なブロッキング絶縁膜(図示せず)をさらに形成することができる。
[変形された実施形態]
図44〜図46を参照すれば、前記上部配線270と前記水平構造体HSとの間に、少なくとも一層の上部選択ラインUSLを形成する。前記上部選択ラインUSLは、前記上部配線270及び前記半導体パターンSPを経由する電流の流れを制御する上部選択トランジスタのゲート電極として用いる。前記上部選択トランジスタはMOS電界効果トランジスタになり、この場合、図示したように、前記上部選択ラインUSLと前記半導体パターンSPとの間には上部ゲート絶縁膜UGIを介在する。前記電流の流れの制御のために、前記上部選択ラインUSLは前記上部配線270と交差する方向(例えば、前記水平構造体HS又は前記導電パターン230と平行な方向)に形成することができる。
また、一実施形態によれば、前記上部ゲート絶縁膜UGIは前記水平パターン220及び前記垂直パターン155のうちの1つと同じ工程を利用して形成することによって、これらのうちの1つと実質的に同じ物質及び同じ厚さで形成する。
又は、前記上部ゲート絶縁膜UGIは前記水平パターン220及び前記垂直パターン155の一方又は双方を構成するのと同一の薄膜を含む。
他の実施形態によれば、前記上部ゲート絶縁膜UGIは前記水平パターン220及び前記垂直パターン155とは異なる製造工程を通じて独立的に形成する。
図45及び図46に示したように、前記基板10と前記水平構造体HSとの間に、少なくとも一層の下部選択ラインLSLを形成する。図46に示したように、前記基板10と前記半導体パターンSPとの間には下部半導体パターンLSPを介在し、前記下部選択ラインLSLは前記下部半導体パターンLSPの周りに形成する。前記下部選択ラインLSLは、前記不純物領域240及び前記半導体パターンSPを経由する電流の流れを制御する下部選択トランジスタのゲート電極として用いる。前記下部選択ラインLSLと前記下部半導体パターンLSPとの間には下部ゲート絶縁膜(又は下部ゲート絶縁膜)LGIを介在する。
図47及び図48を参照すれば、図10及び図21における電極分離パターン250の代わりに、前記トレンチ200内に前記不純物領域240に接続する垂直導電板255(vertical conductive plate)を形成し、前記垂直導電板255と前記導電パターン230との間の電気的分離のために、前記トレンチ200の側壁にトレンチスペーサ245をさらに形成する。
前記垂直導電板255は導電性物質(例えば、タングステンのような金属性物質のうちの少なくとも1つ)で形成し、前記不純物領域240と前記垂直導電板255との間にはバリア金属膜(例えば、金属窒化物:図示せず)又はシリサイド膜(図示せず)をさらに形成する。前記トレンチスペーサ245は絶縁性物質のうちの1つ(例えば、シリコン酸化膜)である。
前記垂直導電板255及び前記トレンチスペーサ245は前記導電パターン230を垂直に貫通するだけではなく、前記半導体パターンSPを水平に横切るように形成する。一実施形態によれば、前記垂直導電板255の厚さ(即ち、z方向長さ)及び長さ(即ち、y方向長さ)は前記トレンチ200のそれらと実質的に同一である。
例えば、前記格納所優先方式の場合、メモリー要素として用いられる前記トンネル絶縁膜TIL、前記電荷格納膜CL、及び前記ブロッキング絶縁膜BILが全部前記開口部105の内壁を覆うように形成する。これと異なり、前記プラグ優先方式の場合、メモリー要素として用いられる前記トンネル絶縁膜TIL、前記電荷格納膜CL、及び前記ブロッキング絶縁膜BILが全部前記導電パターン230の表面を覆うように形成する。
これと異なり、本発明の実施形態によれば、図9又は図20を参照して説明したように、前記ワードラインWL(即ち、前記導電パターン230)は前記開口部105を形成した後に形成される。これによって、本発明に係る実施形態の場合、前記導電パターン230は一般の前記格納所優先方式での制約に拘束されないので、金属性物質で形成できる。
これと異なり、本発明の実施形態によれば、前記メモリー要素を構成する膜の一部(即ち、前記水平パターン220)が前記リセス領域210を満たすので、前記プラグ優先方式での技術的困難は抑制可能である。
[情報格納膜と関わる変形例]
言いかえれば、前記情報格納膜を構成する少なくとも2つの薄膜(即ち、交差構造体CS)は上述の格納所優先方式及びプラグ優先方式によって各々形成されるが、これらは電荷が格納される電荷格納要素、トンネリング現象が発生するように構成されるトンネリング要素、電荷のバックトンネリングを防止するように構成されるブロッキング要素のうちのいずれか1つに要請される物性を共通的に有する。
例えば、前記第1ブロッキング絶縁膜BIL1はアルミニウム酸化膜及びハフニウム酸化膜などのような高誘電膜のうちの1つであり、前記第2ブロッキング絶縁膜BIL2は前記第1ブロッキング絶縁膜BIL1より小さい誘電常数を有する物質であってもよく、逆に、前記第2ブロッキング絶縁膜BIL2は高誘電膜のうちの1つであり、前記第1ブロッキング絶縁膜BIL1は前記第2ブロッキング絶縁膜BIL2より小さい誘電常数を有する物質であってもよい。
一方、前記垂直構造体VSを構成する前記交差構造体CSの厚さS3は前記水平構造体HSを構成する前記交差構造体CSの厚さS2と異なる。一実施形態によれば、厚さS2は厚さS3より大きく、他の実施形態によれば、厚さS2は厚さS3より小さい。本発明のまた他の実施形態によれば、厚さS2と厚さS3は実質的に同一である。
[ストリングの下部構造]
図57を参照すれば、基板10上に下部鋳型構造体101を形成した後、これを貫通する選択活性パターン(SAP、selection active pattern)を形成する。次に、前記選択活性パターンSAPが形成された結果物上に、上部鋳型構造体102を形成する。前記下部及び上部鋳型構造体101、102の各々は図1を参照して説明した実施形態の鋳型構造体100の形成のための製造方法を利用して形成し、このような変形は当業者が容易に実行できるので、別途の説明は省略する。前記下部及び上部鋳型構造体101、102は合わせて、この実施形態での鋳型構造体100を構成する。
前記ホール及び開口部は図2及び図12を参照して各々説明した実施形態と同一の形状及び配置を形成する。前記半導体膜は化学気相蒸着技術を用いて形成できる。この場合、前記下部鋳型構造体101の上部面が露出されるように前記半導体膜を平坦化する段階をさらに実施し、前記選択活性パターンSAPは前記半導体膜が前記平坦化段階を通じてエッチングされることによって得られる結果物である。
一実施形態によれば、前記選択活性パターンSAPは多結晶構造の半導体物質(例えば、多結晶シリコン)で形成する。しかし、他の実施形態によれば、前記半導体膜はエピタキシャル技術又はレーザー結晶化技術のうちの1つを利用して形成し、この場合、前記選択活性パターンSAPは単結晶構造を有するか、又は化学気相蒸着技術の結果物より大きいグレーンサイズを有する多結晶構造を有する。一方、前記選択活性パターンSAPのための物質はシリコンであるが、これに限定されない。例えば、炭素ナノ構造物、有機半導体物質、及び化合物半導体を前記選択活性パターンSAPのために用いることができる。
この実施形態によれば、前記半導体膜、そしてその結果物として前記選択活性パターンSAPは前記ホール又は前記開口部を満たすように形成でき、その結果として、前記選択活性パターンSAPは図示したように、実質的に長方形断面を有する。一方、前記ホール又は前記開口部の側壁が前記基板10の上部面に垂直ではない場合、前記選択活性パターンSAPは実質的に台形断面を有する。
図46を参照して説明した3次元半導体装置を製造する方法に関する第2実施形態によれば、図63に示したように、前記リセス領域210を形成した後、前記選択活性パターンSAPの露出された側壁に選択的に選択ゲート絶縁膜LGIを形成し、図64に示したように、前記リセス領域210を満たす導電パターン230及び不純物領域240を形成する。この実施形態によれば、前記垂直パターン155はトンネル絶縁膜、電荷格納膜、及びブロッキング絶縁膜を全部含む。しかし、変形された実施形態によれば、前記導電パターン230を形成する前に、前記リセス領域210の内壁を覆う絶縁性薄膜を形成する段階をさらに含む。前記絶縁性薄膜は前記ブロッキング絶縁膜の一部として用いることができる。
蒸着工程と異なり、熱酸化工程の場合、前記熱酸化膜は供給される酸素原子と前記選択活性パターンSAPを構成するシリコン原子の反応を通じて形成されるので、前記選択活性パターンSAPの表面に位置するシリコン原子を消耗し、その結果として、図67に示したように、前記選択ゲート絶縁膜LGI又は前記導電パターン230の上部又は下部での前記選択活性パターンSAPの厚さW1は前記選択ゲート絶縁膜LGIの周辺での前記選択活性パターンSAPの厚さW2より大きくなる。
より具体的に、この実施形態によれば、前記基板10上に絶縁膜120及び導電膜を順に、そして交互に積層した後、これらを貫通するホール又は開口部を形成する。以後、前記ホール又は開口部を順に満たす選択ゲート絶縁膜LGI及び選択活性パターンSAPを形成する。前記上部鋳型構造体102は前記選択活性パターンSAPが形成された結果物上に形成される。結果的に、この実施形態によれば、前記導電ライン135、前記選択ゲート絶縁膜LGI、及び前記選択活性パターンSAPは図49を参照して説明した格納所優先方式を通じて形成することができる。
この場合、前記導電ライン135の一部分はシリサイド化されて、前記金属シリサイドパターン137を形成する。これと異なり、前記上部鋳型構造体102のリセス領域210を満たす金属膜は反応せず金属膜で維持される。以後、前記トレンチ内に残存し、前記シリサイド形成工程に参加しない金属膜を除去する。図66は前記金属膜を除去した後の結果物を例示的に示す。
図68に示したように、図1〜図21を参照して説明した3次元半導体装置の場合、前記基板10の上部面内に所定の深さで挿入された前記垂直パターン155が存在するため、前記不純物領域240を経由する電流経路P1が長くなる。
これと異なり、図69に示したように、前記選択活性パターンSAPが前記垂直パターン155なしに前記基板10上に延伸される場合には、電流経路P2が前記最下部導電パターン230に隣接して形成されるので、上述の電流経路が長くなること及び電気的抵抗の急増を予防することができる。
[アンダーカット領域の形成方法及びこれによる構造]
一方、後述のアンダーカット領域77の形成方法及びこれによる構造は、図24に例示的に示した構造に限定的に適用されることではなく、上述の3次元半導体装置又はその変形を実現するために適用できる。それにもかかわらず、この分野で通常の知識を持つ者であれば、上述の実施形態の拡張的実現のために、後述の前記アンダーカット領域77に関する技術的思想を容易に適用することができるので、このような拡張的実現のための説明は省略する。これに加えて、後述の製造方法の各々は図3〜図6又は図13及び図14を参照して説明した製造方法の段階に代わって適用することができ、これらを除いた他の段階は上述の実施形態の後続段階(例えば、図7〜図11又は図15〜図21を参照して説明した段階)又はそれの変形に基づいて実行することができる。
前記鋳型構造体100は図1を参照して説明した実施形態のそれと実質的に同一である。即ち、図示した絶縁膜121及び犠牲膜131は前記鋳型構造体100の一部分を例示的に示し、前記鋳型構造体100は図1のように、より多い絶縁膜及び犠牲膜を含むことができる。
前記垂直膜150及び前記第1半導体膜160は前記開口部105の側壁及び底面を実質的にコンフォーマルに覆うように形成する。示したように、前記垂直膜150及び前記第1半導体膜160の蒸着厚さの和は前記開口部105の幅の半分より小さい場合がある。即ち、前記開口部105は前記垂直膜150及び前記第1半導体膜160によって完全に満たされない場合がある。
図71を参照すれば、前記第1半導体膜160及び前記垂直膜150を異方性エッチングして前記開口部105の底で前記基板10の上部面を露出させる貫通溝(penetrating dent;PD)を形成する。前記貫通溝PDを形成する段階は、図4を参照して説明したように、前記鋳型構造体100をエッチングマスクとして用いるプラズマ乾式エッチングの方法で実施できる。
図72を参照すれば、前記露出された電荷格納膜CLを等方的にエッチングして第1アンダーカット領域UC1を形成する。前記第1アンダーカット領域UC1は前記貫通溝PDから延長されたギャップ領域になることができ、前記キャッピング膜CPL及び前記トンネル絶縁膜TILの表面を部分的に露出させるように形成される。
一実施形態によれば、前記電荷格納膜CLは例えばシリコン窒化膜である。この場合、前記第1アンダーカット領域UC1はリン酸を含むエッチング液を用いる湿式エッチング工程を通じて形成する。しかし、他の実施形態によれば、前記第1アンダーカット領域UC1は等方性乾式エッチングの方法を通じて形成できる。
前記第2アンダーカット領域を形成する段階は湿式エッチング又は等方的乾式エッチングの方法のうちの少なくとも1つを利用して実施する。前記湿式エッチング方法の場合、フッ化水素酸又は硫酸を含むエッチング液を用いる。
この場合、図75に示したように、前記電荷格納膜CLの底面は前記キャッピング膜CPL又は前記トンネル絶縁膜TILのうちの少なくとも1つの底面より前記開口部105の底面からさらに遠く離隔する。これと異なり、図72のように、前記電荷格納膜CLを先ずエッチングする場合、図73に示したように、前記キャッピング膜CPL又は前記トンネル絶縁膜TILのうちの少なくとも1つの底面は前記電荷格納膜CLの底面より前記開口部105の底面からさらに遠く離隔する。
例えば、前記半導体スペーサ165及び前記第2半導体膜170が多結晶シリコンで形成される場合、前記再結晶化工程はこれらのグレーンサイズを増加するか、又はこれらの結晶構造を単結晶化する。前記再結晶化工程は熱処理技術、レーザーアニーリング技術及びエピタキシャル技術のうちの少なくとも1つを利用して実施できる。それにも拘らず、前記基板10が単結晶ウェーハの場合、平均的に前記基板10は前記半導体スペーサ165及び前記第2半導体膜170より少ない結晶欠陥を有する。
図68を参照して説明したように、図1〜図21を参照して説明した3次元半導体装置の場合、前記基板10の上部面内に所定の深さで挿入された前記垂直パターン155が存在するので、前記不純物領域240を経由する電流経路P1が長くなる。
これと異なり、図83に示したように、前記第2半導体膜170(後で半導体胴体部175となる)は前記アンダーカット領域77によって前記最下部導電パターン230に隣接して形成されているので、電流経路P2は図68に示した電流経路P1に比較して前記最下部導電パターン230に隣接して実現する。これによって、この実施形態によれば、電流経路P1のように電流経路長の増大、及び電気的抵抗の急激な増加を予防できる。
[アンダーカット領域の形成方法及びこれによる構造]
上述の図24を参照して前記垂直パターン155の底面が前記アンダーカット領域77によって定義される3次元半導体装置を例示的に説明した。以下、前記アンダーカット領域77を形成する方法及びこれによる3次元半導体装置の構造と関わる本発明の実施形態を説明する。
これから述べるアンダーカット領域77の形成方法及びこれによる構造は、図24に例示的に示した構造に限定的に適用されるものではなく、上述の様々な実施形態が開示する3次元半導体装置又はその変形を実現するために適用できる。それにも拘らず、この分野で通常の知識を持つ者であれば、上述の実施形態の拡張的実現のために、後述の前記アンダーカット領域77に関する技術的思想を容易に適用できることは自明であろう。従って、このような拡張的実現のための別途の説明は省略する。
これに加えて、後述の製造方法の各々は図3〜図6又は図13及び図14を参照して説明した製造方法の段階に代わって適用でき、これらを除いた他の段階は上述の実施形態の後続段階(例えば、図7〜図11又は図15〜図21を参照して説明した段階)又はそれの変形に基づいて実行できる。
前記アンダーカット領域77を形成する段階は、図85に示したように、前記第1半導体膜160をエッチングして前記トンネル絶縁膜TILの表面を露出する予備アンダーカット領域UC0及びこれによって定義される下端部を有する半導体スペーサ165を形成する段階を含む。具体的に、この段階は前記保護膜スペーサPSをエッチングマスクとして用いて前記第1半導体膜160の下部領域を等方的にエッチングして実施する。
この実施形態によれば、前記第1半導体膜160はプラズマを使わない乾式エッチング方法を通じて等方的にエッチングされる。この時、等方的エッチング方法が適用されるので、点線に示したように、前記第1半導体膜160の露出される表面はエッチング過程の進行に従ってすべての方向に拡張される。その結果、前記半導体スペーサ165の底面は前記保護膜スペーサPSの底面より前記開口部105の底面からさらに遠く離隔する。また、前記半導体スペーサ165の底面は前記等方的エッチング方法によって曲面状を有すること呈する。
これによって、前記トンネル絶縁膜TILの下部領域は図87に示したように前記電荷格納膜CLより下方向に突き出されるが、前記キャッピング膜CPLをエッチングする段階で追加的にエッチングされて図88に示したように前記電荷格納膜CLと前記半導体スペーサ165との間で上方向にリセスされる。その結果、図88に示したように、前記垂直パターン155の底面のエッチングプロフィルは不均一になる。即ち、前記電荷格納膜CLは前記キャッピング膜CPL及び前記トンネル絶縁膜TILより前記基板10に向けて下方向に突き出され、前記キャッピング膜CPLの底面は前記トンネル絶縁膜TILの底面よりも、それら各々の下部に位置する前記基板10の上部面に近接する。
前記第2半導体膜170は蒸着技術のうちの1つを用いて形成される半導体物質(例えば、多結晶シリコン)である。この場合、図示したように、前記第2半導体膜170は前記アンダーカット領域77から上方へ延長されて前記鋳型構造体100内で前記半導体スペーサ165の内壁を覆うことができる。一方、前記アンダーカット領域77の幅及び高さは前記第2半導体膜170の内壁によって定義される空乏領域の幅より大きい。この場合、図90に示したように、前記アンダーカット領域77内には前記埋め立て絶縁膜180によって完全に満たされないボイド(void)89が形成される。
図68を参照して説明したように、図1〜図21を参照して説明した3次元半導体装置の場合、前記基板10の上部面内に所定の深さで挿入された前記垂直パターン155が存在するので、前記不純物領域240を経由する電流経路P1が長くなる。これと異なり、図91に示したように、前記第2半導体膜170(後で半導体胴体部175となる)は前記アンダーカット領域77によって前記最下部導電パターン230に隣接して形成されているので、電流経路P2は図68に示した電流経路P1に比較して前記最下部導電パターン230に近接して実現する。これによって、この実施形態によれば、電流経路P1のように、電流経路長の増大か、及び電気的抵抗の急激な増加を予防できる。
以上の本発明のフラッシュメモリー装置を含むメモリーカード又はメモリーシステムによれば、ダミーセルの消去特性が改善されたフラッシュメモリー装置1210を通じて信頼性の高いメモリーシステムを提供できる。特に、最近活発に推進されている半導体ディスク装置(Solid State Disk:以下SSD)のようなメモリーシステムに対して本発明のフラッシュメモリー装置を提供できる。この場合、ダミーセルから惹起される読み出しエラーを遮断することで、信頼性の高いメモリーシステムを実現できる。
フラッシュメモリーシステム1310は上述のメモリーカード1200と実質的に同一に構成される。フラッシュメモリーシステム1310には中央処理装置1330によって処理されたデータ又は外部から入力されたデータが格納される。ここで、上述のフラッシュメモリーシステム1310は半導体ディスク装置(SSD)となり、情報処理システム1300は大容量のデータをフラッシュメモリーシステム1310に安定的に格納できる。そして信頼性の増大に従って、フラッシュメモリーシステム1310はエラー訂正に必要となる資源を節減できるので、高速のデータ交換機能を情報処理システム1300に提供できる。
図示しないが、本発明に係る情報処理システム1300に、応用チップセット(Application Chipset)、カメライメージプロセッサ(Camera Image Processor:CIS)、入出力装置などをさらに提供できることはこの分野の通常的な知識を習得した者等に自明であろう。
77 アンダーカット領域
88 シーム(seam)
89、89a、89b ボイド、上部ボイド、下部ボイド
100 鋳型構造体
101 下部鋳型構造
102 上部鋳型構造
105、106 開口部
105a ホール
120 絶縁膜群、絶縁膜
121〜129 絶縁膜
130 犠牲膜群、犠牲膜
131〜138 犠牲膜
150 垂直膜
154 予備垂直パターン
155 垂直パターン
155e 水平延長部
160 第1半導体膜
164 予備半導体スペーサ
165 半導体スペーサ
170 第2半導体膜
174 第2半導体パターン
175 半導体胴体部
179 不連続的境界面(ボイド)
180 埋め立て絶縁膜
182 ストリング定義マスク
182a 上部パターン
182b 延長パターン
185 埋め立てパターン
200 トレンチ
210 リセス領域
220 水平パターン
230 導電パターン
240 不純物領域
245 トレンチスペーサ
250 電極分離パターン
255 垂直導電板
260 上部プラグ
270 上部配線
1200 メモリーカード
1210 フラッシュメモリー装置
1220 メモリーコントローラ
1221 SRAM
1222 プロセッシングユニット
1223 ホストインターフェース
1224 エラー訂正ブロック
1225 メモリーインターフェース
1300 情報処理システム
1310 フラッシュメモリーシステム
1311 フラッシュメモリー
1312 メモリーコントローラー
1320 モデム
1330 中央処理装置
1340 RAM
1350 ユーザインターフェース
1360 システムバス
Claims (29)
- 順に積層された電極を含み、基板上に配置される電極構造体と、
前記電極構造体を貫通する半導体パターンと、
第1パターン及び第2パターンを具備して前記半導体パターンと前記電極構造体との間に介在するメモリー要素と、を含み、
前記第1パターンは垂直に延長されて複数の前記電極を横切り、前記第2パターンは水平に延長されて複数の前記半導体パターンを横切ることを特徴とする3次元半導体装置 - 前記第2パターンは、前記電極の上部面及び下部面、そして前記半導体パターンに隣接した前記電極の側壁上に実質的にコンフォーマルな厚さで形成されることを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。
- 垂直方向において前記電極の間に介在する層間絶縁膜をさらに含み、
前記第1パターンは前記半導体パターンと前記電極の側壁との間から連続的に、そして垂直方向に延長されて前記層間絶縁膜と前記半導体パターンの側壁との間に介在し、
前記第2パターンは前記半導体パターンと前記電極の側壁との間から連続的に、そして水平方向に延長されて前記層間絶縁膜と前記電極の水平面との間に介在することを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。 - 前記半導体パターンと前記層間絶縁膜との間に配置されるキャッピング膜をさらに含み、前記キャッピング膜は前記層間絶縁膜と異なる物質で形成されることを特徴とする請求項3に記載の3次元半導体装置。
- 前記キャッピング膜は垂直方向に延長されて前記電極と前記半導体パターンとの間に配置され、
前記キャッピング膜の厚さは、前記層間絶縁膜と前記半導体パターンとの間でよりも、前記電極と前記半導体パターンとの間でさらに薄いことを特徴とする請求項4に記載の3次元半導体装置。 - 前記第2パターンは前記第1パターンの側壁に直接接触し、前記キャッピング膜は前記第2パターンによって垂直方向において分離された部分を含むことを特徴とする請求項4に記載の3次元半導体装置。
- 前記第1パターン及び前記第2パターンは、化学的組成又は電気的特性のうちの少なくとも1つが実質的に互いに同一であることを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。
- 前記第2パターンの最高の含量を有する2種類の原子の種類は、前記第1パターンの最高の含量を有する2種類の原子の種類と同一であることを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。
- 前記メモリー要素は電荷格納膜と、少なくとも1つの絶縁膜で構成され、前記電荷格納膜及び前記半導体パターンの間に介在するトンネル絶縁膜と、少なくとも1つの絶縁膜で構成され、前記電荷格納膜及び前記電極の間に介在するブロッキング絶縁膜と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。
- 前記第1パターンは前記トンネル絶縁膜を含み、
前記第2パターンは前記電荷格納膜及び前記ブロッキング絶縁膜を含むことを特徴とする請求項9に記載の3次元半導体装置。 - 前記第1パターンは前記トンネル絶縁膜及び前記電荷格納膜を含み、
前記第2パターンは前記ブロッキング絶縁膜を含むことを特徴とする請求項9に記載の3次元半導体装置。 - 前記第1パターンは、前記電荷格納膜と異なる物質で形成され、前記電荷格納膜と前記ブロッキング絶縁膜との間に介在するキャッピング膜をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の3次元半導体装置。
- 前記第2パターン及び前記第1パターンの全部は前記トンネル絶縁膜、前記ブロッキング絶縁膜、及び前記電荷格納膜のうちの1つを構成することを特徴とする請求項9に記載の3次元半導体装置。
- 前記第2パターン及び前記第1パターンは前記電極と前記半導体パターンの側壁との間で互いに接触し、前記第2パターンの最高の含量を有する2種類の原子の種類は、これに接触する前記第1パターンの最高の含量を有する2種類の原子の種類と同一であることを特徴とする請求項13に記載の3次元半導体装置。
- 前記トンネル絶縁膜を構成する絶縁膜のうちの少なくとも1つ及び前記ブロッキング絶縁膜を構成する絶縁膜のうちの少なくとも1つは前記電荷格納膜より大きいバンドギャップを有する物質であり、
前記ブロッキング絶縁膜を構成する絶縁膜のうちの少なくとも1つは前記トンネル絶縁膜より大きい誘電常数を有する物質であることを特徴とする請求項9に記載の3次元半導体装置。 - 前記トンネル絶縁膜は少なくとも1つのシリコン酸化膜を含み、
前記電荷格納膜は、トラップサイトの密度がシリコン酸化膜より高い絶縁膜、及び導電性ナノ粒子を内包する絶縁膜のうちの1つを含み、
前記ブロッキング絶縁膜はアルミニウム酸化膜、ハフニウム酸化膜、ジルコニウム酸化膜、タンタル酸化膜、チタン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜及びシリコン酸化膜のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の3次元半導体装置。 - 前記電極はドーピングされたシリコン、金属物質、金属窒化物、及び金属シリサイドのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。
- 前記電極はドーピングされたシリコンより低い比抵抗を有する導電性物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。
- 前記半導体パターンは、
前記第1パターン内に挿入されるスペーサ部と、
前記半導体スペーサ内に挿入される胴体部と、を含み、
前記胴体部の底面は前記スペーサ部の底面より低いことを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。 - 前記胴体部は前記基板に直接接触し、
前記スペーサ部は前記基板から離隔されることを特徴とする請求項19に記載の3次元半導体装置。 - 前記胴体部は、
前記半導体スペーサの内壁を覆うコア領域と、
前記コア領域から延長され、前記基板の上部に挿入される接続領域と、を含むことを特徴とする請求項19に記載の3次元半導体装置。 - 前記胴体部の接続領域は水平方向に延長されて前記スペーサ部より広い幅を有することを特徴とする請求項21に記載の3次元半導体装置。
- 前記胴体部の接続領域は前記メモリー要素の下方を通って前記基板の内側壁と直接接触することで、前記第1パターンの底面を覆うことを特徴とする請求項21に記載の3次元半導体装置。
- 前記基板は前記胴体部より少ない結晶欠陥を有する半導体物質で形成されることを特徴とする請求項19に記載の3次元半導体装置。
- 前記スペーサ部は前記第1パターンの底面に比較して下方へ突き出されることを特徴とする請求項19に記載の3次元半導体装置。
- 前記電極構造体と前記基板との間に介在する選択構造体をさらに含み、
前記選択構造体は選択ライン及び前記選択ラインを貫通して前記半導体パターンと前記基板とを接続する選択活性パターンを含み、
前記第1パターンの底面は前記選択ラインのうちの最上部面より上側に形成されることを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。 - 前記第1パターンは電荷格納膜、前記電荷格納膜と前記半導体パターンとの間のトンネル絶縁膜、そして前記電荷格納膜と前記電極との間のキャッピング膜を含み、
前記電荷格納膜は前記キャッピング膜及び前記トンネル絶縁膜に比較して下方へ突き出され、
前記キャッピング膜の底面は前記トンネル絶縁膜の底面に比較して前記基板の上部面にさらに隣接して形成されることを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。 - 前記基板は、
前記半導体パターンと接触するコンタクト領域と、
前記コンタクト領域から離隔されたソース領域と、を含み、
前記コンタクト領域は前記半導体パターンと同一の導電型を有し、前記ソース領域は前記コンタクト領域と異なる導電型を有することを特徴とする請求項1に記載の3次元半導体装置。 - 前記電極構造体を貫通して前記ソース領域に接続するソース導電パターンをさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の3次元半導体装置。
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013098563A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリ装置 |
KR20140033938A (ko) * | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP2014057067A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 3次元半導体メモリ装置及びその製造方法 |
KR20140040515A (ko) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8912089B2 (en) | 2012-09-05 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device including a stacked body comprising pluralities of first and second metallic conductive layers |
KR20150020933A (ko) * | 2013-08-19 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP2015046564A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015512567A (ja) * | 2012-03-29 | 2015-04-27 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | ロジックcmosフローへのono統合の方法 |
US9379165B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
WO2016190036A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
JP2017045825A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9735171B2 (en) | 2015-07-14 | 2017-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
JP2017174866A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US9842853B2 (en) | 2015-09-14 | 2017-12-12 | Toshiba Memory Corporation | Memory cell array with improved substrate current pathway |
JP2017224684A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置及び記憶媒体。 |
KR101825534B1 (ko) | 2011-02-07 | 2018-02-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
US9917099B2 (en) | 2016-03-09 | 2018-03-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device having vertical channel between stacked electrode layers and insulating layers |
US9966385B2 (en) | 2016-03-14 | 2018-05-08 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
US10056131B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including first memory cell and second memory cell over first memory cell |
US10181477B2 (en) | 2016-03-11 | 2019-01-15 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2020506542A (ja) * | 2017-01-26 | 2020-02-27 | マイクロン テクノロジー,インク. | マルチゲート誘導ドレイン漏れ電流発生器 |
JP2020516085A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | アールエヌアール ラボラトリー インコーポレイテッド | レーザを用いた間接加熱方法 |
JP2022533461A (ja) * | 2020-02-17 | 2022-07-22 | 長江存儲科技有限責任公司 | 3次元メモリデバイスおよびその製造方法 |
Families Citing this family (670)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9536970B2 (en) | 2010-03-26 | 2017-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same |
KR101688604B1 (ko) * | 2010-07-05 | 2016-12-23 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101735810B1 (ko) | 2010-08-20 | 2017-05-16 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
KR101660262B1 (ko) * | 2010-09-07 | 2016-09-27 | 삼성전자주식회사 | 수직형 반도체 소자의 제조 방법 |
KR101763420B1 (ko) * | 2010-09-16 | 2017-08-01 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법 |
KR101800438B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2017-11-23 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8963231B2 (en) | 2011-03-29 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same |
KR101807250B1 (ko) * | 2011-07-11 | 2017-12-11 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101835114B1 (ko) | 2011-09-07 | 2018-03-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20130044711A (ko) * | 2011-10-24 | 2013-05-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 3차원 불휘발성 메모리 소자와, 이를 포함하는 메모리 시스템과, 그 제조방법 |
KR20130057670A (ko) * | 2011-11-24 | 2013-06-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR20130070923A (ko) * | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
US8879073B2 (en) | 2012-02-24 | 2014-11-04 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology using targets with field enhancement elements |
KR20130116604A (ko) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR101986534B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2019-06-07 | 삼성전자주식회사 | 내장된 스트레인-유도 패턴을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
JP2014011389A (ja) | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR20140025864A (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-05 | 삼성전자주식회사 | 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8987805B2 (en) * | 2012-08-27 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vertical type semiconductor devices including oxidation target layers |
KR20140029707A (ko) * | 2012-08-29 | 2014-03-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 채널들을 갖는 반도체 메모리 소자와 이를 포함하는 메모리 시스템과 이의 제조방법 |
KR102054258B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2019-12-10 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN103680611B (zh) * | 2012-09-18 | 2017-05-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 3d nand存储器以及制作方法 |
KR102007274B1 (ko) | 2013-01-15 | 2019-08-05 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR102089532B1 (ko) | 2013-02-06 | 2020-03-16 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102044823B1 (ko) | 2013-02-25 | 2019-11-15 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US8946076B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells |
KR102114341B1 (ko) | 2013-07-08 | 2020-05-25 | 삼성전자주식회사 | 수직형 반도체 장치 |
KR102078852B1 (ko) | 2013-08-29 | 2020-02-18 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150029403A (ko) * | 2013-09-10 | 2015-03-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102091729B1 (ko) | 2013-10-10 | 2020-03-20 | 삼성전자 주식회사 | 3차원 반도체 메모리 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 3차원 반도체 메모리 소자 |
KR102154784B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2020-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
KR102161260B1 (ko) * | 2013-11-07 | 2020-09-29 | 삼성전자주식회사 | 관통전극을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
KR102039708B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2019-11-01 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US10360983B2 (en) | 2014-02-03 | 2019-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and method of programming the same |
KR102116668B1 (ko) | 2014-02-04 | 2020-05-29 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 불 휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102069274B1 (ko) | 2014-02-05 | 2020-01-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 제어 방법 |
KR102225989B1 (ko) | 2014-03-04 | 2021-03-10 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
US9425237B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-08-23 | Crossbar, Inc. | Selector device for two-terminal memory |
KR102222463B1 (ko) | 2014-03-14 | 2021-03-03 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 타이머 설정 방법 및 구동 방법들 |
KR102233808B1 (ko) * | 2014-03-14 | 2021-03-30 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 테이블 관리 방법 |
KR102116674B1 (ko) | 2014-03-21 | 2020-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102248267B1 (ko) | 2014-04-30 | 2021-05-07 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 및 읽기 방법들 |
KR102210964B1 (ko) | 2014-05-13 | 2021-02-03 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법 |
KR102174030B1 (ko) | 2014-05-13 | 2020-11-05 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 읽기 방법 |
KR102285994B1 (ko) | 2014-05-13 | 2021-08-06 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
US9768234B2 (en) * | 2014-05-20 | 2017-09-19 | Crossbar, Inc. | Resistive memory architecture and devices |
US10257192B2 (en) | 2014-05-29 | 2019-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage system and method for performing secure write protect thereof |
KR102200489B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-01-11 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치 |
KR102218722B1 (ko) | 2014-06-09 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
CN105185748B (zh) * | 2014-06-10 | 2018-05-08 | 旺宏电子股份有限公司 | 多层存储器阵列及其制作方法 |
KR102148389B1 (ko) | 2014-06-11 | 2020-08-27 | 삼성전자주식회사 | 오버 라이트 동작을 갖는 메모리 시스템 및 그에 따른 동작 제어방법 |
KR20160005264A (ko) | 2014-07-04 | 2016-01-14 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 읽기 방법들 |
US10211397B1 (en) | 2014-07-07 | 2019-02-19 | Crossbar, Inc. | Threshold voltage tuning for a volatile selection device |
US9633724B2 (en) | 2014-07-07 | 2017-04-25 | Crossbar, Inc. | Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics |
KR102247087B1 (ko) | 2014-07-08 | 2021-05-03 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
US9698201B2 (en) | 2014-07-09 | 2017-07-04 | Crossbar, Inc. | High density selector-based non volatile memory cell and fabrication |
US9685483B2 (en) | 2014-07-09 | 2017-06-20 | Crossbar, Inc. | Selector-based non-volatile cell fabrication utilizing IC-foundry compatible process |
US10115819B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-10-30 | Crossbar, Inc. | Recessed high voltage metal oxide semiconductor transistor for RRAM cell |
US9460788B2 (en) | 2014-07-09 | 2016-10-04 | Crossbar, Inc. | Non-volatile memory cell utilizing volatile switching two terminal device and a MOS transistor |
KR102243497B1 (ko) | 2014-07-22 | 2021-04-23 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102179270B1 (ko) | 2014-07-23 | 2020-11-18 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
US9378826B2 (en) | 2014-07-23 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same |
KR20160013765A (ko) * | 2014-07-28 | 2016-02-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR101603971B1 (ko) * | 2014-07-30 | 2016-03-17 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102116671B1 (ko) | 2014-07-30 | 2020-06-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드 라인 구동 방법 |
US9904651B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-02-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operating method of controller for setting link between interfaces of electronic devices, and storage device including controller |
KR102147970B1 (ko) | 2014-08-05 | 2020-08-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 기반의 스토리지 디바이스의 복구 방법 및 상기 스토리지 디바이스를 포함하는 전자 시스템의 동작 방법 |
KR102238579B1 (ko) | 2014-08-06 | 2021-04-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 프로그램 방법 |
KR102318561B1 (ko) | 2014-08-19 | 2021-11-01 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20160022637A (ko) | 2014-08-20 | 2016-03-02 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 소자의 제조 방법 |
KR102192895B1 (ko) | 2014-08-21 | 2020-12-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102235492B1 (ko) | 2014-08-25 | 2021-04-05 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법 |
KR102189440B1 (ko) | 2014-08-25 | 2020-12-14 | 삼성전자주식회사 | 에러 정정 디코더를 포함하는 스토리지 장치 및 에러 정정 디코더의 동작 방법 |
KR102157863B1 (ko) | 2014-09-01 | 2020-09-22 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 |
KR102272238B1 (ko) | 2014-09-02 | 2021-07-06 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102245825B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-04-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
KR102290448B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리의 동작 방법 |
KR102150251B1 (ko) * | 2014-09-05 | 2020-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR102330391B1 (ko) | 2014-09-11 | 2021-11-24 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템의 가비지 컬렉션 방법 |
KR102268296B1 (ko) | 2014-09-15 | 2021-06-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 |
KR102249172B1 (ko) | 2014-09-19 | 2021-05-11 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 |
CN104201176B (zh) * | 2014-09-23 | 2017-10-27 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 3d nand闪存结构及其制作方法 |
KR102128406B1 (ko) | 2014-09-26 | 2020-07-10 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
US10685972B2 (en) * | 2014-09-26 | 2020-06-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same |
KR102244219B1 (ko) | 2014-09-29 | 2021-04-27 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US9666593B2 (en) * | 2014-09-29 | 2017-05-30 | Sandisk Technologies Llc | Alternating refractive index in charge-trapping film in three-dimensional memory |
KR102248835B1 (ko) | 2014-09-29 | 2021-05-10 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102235516B1 (ko) | 2014-09-30 | 2021-04-05 | 삼성전자주식회사 | 이레이즈 컨트롤 유닛을 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법 |
KR20160039739A (ko) | 2014-10-01 | 2016-04-12 | 삼성전자주식회사 | 하드 마스크막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR102233074B1 (ko) | 2014-10-08 | 2021-03-30 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 신뢰성 검증 방법 |
KR102149674B1 (ko) | 2014-10-13 | 2020-09-01 | 삼성전자주식회사 | 에러 정정 디코더 및 에러 정정 디코더의 동작 방법 |
US9798657B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof |
KR102358463B1 (ko) | 2014-10-20 | 2022-02-07 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102293136B1 (ko) | 2014-10-22 | 2021-08-26 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US9379132B2 (en) * | 2014-10-24 | 2016-06-28 | Sandisk Technologies Inc. | NAND memory strings and methods of fabrication thereof |
KR102238717B1 (ko) | 2014-10-27 | 2021-04-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR20160049200A (ko) | 2014-10-27 | 2016-05-09 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 장치의 작동 방법, 이를 포함하는 모바일 컴퓨팅 장치, 및 이의 작동 방법 |
KR101730991B1 (ko) | 2014-10-28 | 2017-04-28 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102358053B1 (ko) | 2014-10-28 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 복수의 불휘발성 메모리 칩들을 포함하는 스토리지 장치 |
KR102248207B1 (ko) | 2014-10-30 | 2021-05-06 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102292183B1 (ko) | 2014-11-07 | 2021-08-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리의 동작 방법 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102290974B1 (ko) | 2014-11-07 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 그것들을 포함하는 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102258117B1 (ko) | 2014-11-10 | 2021-05-31 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법 |
KR102268187B1 (ko) | 2014-11-10 | 2021-06-24 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 및 그 제조 방법 |
KR102222594B1 (ko) | 2014-11-13 | 2021-03-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것의 소거 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR101678933B1 (ko) | 2014-11-18 | 2016-12-07 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20160060850A (ko) * | 2014-11-20 | 2016-05-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그 형성방법 |
KR102237563B1 (ko) | 2014-11-21 | 2021-04-07 | 삼성전자주식회사 | 테스트 시간을 감축하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 |
KR20160061704A (ko) | 2014-11-24 | 2016-06-01 | 삼성전자주식회사 | 페이지 상태 알림 기능이 있는 메모리 장치 |
KR102397016B1 (ko) | 2014-11-24 | 2022-05-13 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102291505B1 (ko) | 2014-11-24 | 2021-08-23 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102240022B1 (ko) | 2014-11-26 | 2021-04-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102245822B1 (ko) | 2014-11-26 | 2021-04-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102229024B1 (ko) | 2014-12-03 | 2021-03-17 | 삼성전자주식회사 | 스스로 에러를 검출하고 로그를 저장할 수 있는 데이터 저장 장치와 이를 포함하는 시스템 |
US9754956B2 (en) * | 2014-12-04 | 2017-09-05 | Sandisk Technologies Llc | Uniform thickness blocking dielectric portions in a three-dimensional memory structure |
KR102259943B1 (ko) | 2014-12-08 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 멀티 플래인을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치 |
KR102152285B1 (ko) | 2014-12-08 | 2020-09-04 | 삼성전자주식회사 | 스트레서를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
KR102307633B1 (ko) | 2014-12-10 | 2021-10-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR102324819B1 (ko) | 2014-12-12 | 2021-11-11 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 고분자, 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102282952B1 (ko) | 2014-12-15 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102211868B1 (ko) | 2014-12-15 | 2021-02-04 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102282947B1 (ko) | 2014-12-15 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102295208B1 (ko) | 2014-12-19 | 2021-09-01 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 영역을 동적으로 할당하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102282962B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
US9397113B2 (en) * | 2014-12-23 | 2016-07-19 | Macronix International Co., Ltd. | Memory architecture of array with single gate memory devices |
KR102292641B1 (ko) | 2014-12-30 | 2021-08-23 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 그 동작 방법 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN105810640A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 上海格易电子有限公司 | 一种3d nand源极选择管及其制作方法 |
CN105826321B (zh) * | 2015-01-04 | 2018-11-02 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
KR102254100B1 (ko) | 2015-01-05 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102272248B1 (ko) | 2015-01-09 | 2021-07-06 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102219759B1 (ko) | 2015-01-09 | 2021-02-25 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치, 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템 및 그것의 동작 방법 |
KR102295223B1 (ko) | 2015-01-13 | 2021-09-01 | 삼성전자주식회사 | 속도 모드 관리자를 포함하는 저장 장치 및 사용자 장치 |
KR102250423B1 (ko) | 2015-01-13 | 2021-05-12 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
KR102271462B1 (ko) | 2015-01-13 | 2021-07-05 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102226370B1 (ko) | 2015-01-13 | 2021-03-15 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102333743B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-12-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102336455B1 (ko) | 2015-01-22 | 2021-12-08 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102391678B1 (ko) | 2015-01-22 | 2022-04-29 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 서스테인드 상태 가속 방법 |
KR102277521B1 (ko) | 2015-01-23 | 2021-07-16 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 리드 리클레임 및 읽기 방법 |
US9761601B2 (en) * | 2015-01-30 | 2017-09-12 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and method for manufacturing same |
KR102320955B1 (ko) | 2015-02-02 | 2021-11-05 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 |
KR102333738B1 (ko) | 2015-02-03 | 2021-12-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102336443B1 (ko) | 2015-02-04 | 2021-12-08 | 삼성전자주식회사 | 가상화 기능을 지원하는 스토리지 장치 및 사용자 장치 |
KR20160097608A (ko) | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR102270101B1 (ko) | 2015-02-10 | 2021-06-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10403363B2 (en) | 2015-02-11 | 2019-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory and storage device including nonvolatile memory |
KR102396422B1 (ko) | 2015-02-11 | 2022-05-11 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102235521B1 (ko) | 2015-02-13 | 2021-04-05 | 삼성전자주식회사 | 특정 패턴을 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102239356B1 (ko) | 2015-02-17 | 2021-04-13 | 삼성전자주식회사 | 클록 제어 유닛 또는 전원 제어 유닛을 포함하는 저장 장치와 메모리 시스템, 그리고 그것의 동작 방법 |
KR102355580B1 (ko) | 2015-03-02 | 2022-01-28 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
CN107533977B (zh) * | 2015-03-02 | 2021-01-08 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置及其制造方法 |
KR102222444B1 (ko) | 2015-03-05 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 전력 상태 정보를 사용하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102302231B1 (ko) | 2015-03-05 | 2021-09-14 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR102301772B1 (ko) | 2015-03-09 | 2021-09-16 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 가비지 컬렉션 방법 |
KR102398213B1 (ko) | 2015-03-09 | 2022-05-17 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치, 그것을 포함하는 호스트 시스템, 및 그것의 맵 테이블 업데이트 방법 |
US9524983B2 (en) | 2015-03-10 | 2016-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vertical memory devices |
US9859297B2 (en) | 2015-03-10 | 2018-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
KR102403202B1 (ko) | 2015-03-13 | 2022-05-30 | 삼성전자주식회사 | 메타 데이터 관리자를 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법 |
KR102392821B1 (ko) | 2015-03-16 | 2022-05-02 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102506135B1 (ko) | 2015-03-16 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 장치와 이를 포함하는 데이터 처리 시스템 |
KR102291518B1 (ko) | 2015-03-20 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102371557B1 (ko) | 2015-03-20 | 2022-03-07 | 삼성전자주식회사 | 호스트 장치, 그것과 복수의 장치들을 갖는 호스트 시스템 및 그것의 인터페이스 링크 레이어 구성 방법 |
KR102333478B1 (ko) | 2015-03-31 | 2021-12-03 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
KR102291803B1 (ko) | 2015-04-07 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 사용자 시스템의 동작 방법 |
KR102365269B1 (ko) | 2015-04-13 | 2022-02-22 | 삼성전자주식회사 | 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법 |
KR102432268B1 (ko) | 2015-04-14 | 2022-08-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법. |
KR102316441B1 (ko) | 2015-04-14 | 2021-10-25 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
US9477408B1 (en) | 2015-04-14 | 2016-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory systems having improved out-of-order execution of commands and methods for operating the same |
KR102291806B1 (ko) | 2015-04-20 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
KR20160126330A (ko) | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 3차원 반도체 패키지 |
KR102298661B1 (ko) | 2015-04-30 | 2021-09-07 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 초기화 방법 |
KR102282139B1 (ko) * | 2015-05-12 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR20160133688A (ko) | 2015-05-13 | 2016-11-23 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102291309B1 (ko) | 2015-05-20 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102415401B1 (ko) | 2015-05-21 | 2022-07-01 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102450553B1 (ko) | 2015-06-04 | 2022-10-05 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것을 내장한 메인 보드 및 그것의 자가 진단 방법 |
KR102267041B1 (ko) | 2015-06-05 | 2021-06-22 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102266733B1 (ko) | 2015-06-05 | 2021-06-22 | 삼성전자주식회사 | 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법 |
US9799402B2 (en) | 2015-06-08 | 2017-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and program method thereof |
US10261697B2 (en) | 2015-06-08 | 2019-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device and operating method of storage device |
US10152413B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-12-11 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Nonvolatile memory module and operation method thereof |
US10048878B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory module and storage system having the same |
KR102302433B1 (ko) | 2015-06-10 | 2021-09-16 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법 |
KR102461453B1 (ko) | 2015-06-10 | 2022-11-02 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 |
KR102447471B1 (ko) | 2015-06-24 | 2022-09-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102268699B1 (ko) | 2015-06-29 | 2021-06-28 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치의 동작 방법, 호스트 장치의 동작 방법, 그리고 저장 장치 및 호스트 장치를 포함하는 사용자 시스템의 동작 방법 |
KR102294848B1 (ko) | 2015-06-30 | 2021-08-31 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102345597B1 (ko) | 2015-06-30 | 2022-01-03 | 삼성전자주식회사 | 더미 워드 라인을 갖는 3차원 플래시 메모리 장치 |
KR102445662B1 (ko) | 2015-07-01 | 2022-09-22 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 |
KR102398167B1 (ko) | 2015-07-02 | 2022-05-17 | 삼성전자주식회사 | 사용자 장치, 그것의 패스워드 설정 방법, 그리고 그것의 패스워드를 설정하고 확인하는 동작 방법 |
KR102293078B1 (ko) | 2015-07-06 | 2021-08-26 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 |
KR102403253B1 (ko) | 2015-07-06 | 2022-05-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
US10078448B2 (en) | 2015-07-08 | 2018-09-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic devices and memory management methods thereof |
KR102373542B1 (ko) | 2015-07-09 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
CN106356307B (zh) * | 2015-07-15 | 2019-11-26 | 旺宏电子股份有限公司 | 开口结构及其制造方法以及内连线结构 |
US9793290B2 (en) | 2015-07-16 | 2017-10-17 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer |
KR102415385B1 (ko) | 2015-07-22 | 2022-07-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치 |
KR102381343B1 (ko) | 2015-07-27 | 2022-03-31 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102336458B1 (ko) | 2015-07-30 | 2021-12-08 | 삼성전자주식회사 | 고속으로 결함 비트 라인을 검출하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 테스트 시스템 |
KR102274038B1 (ko) | 2015-08-03 | 2021-07-09 | 삼성전자주식회사 | 백업 기능을 갖는 메모리 모듈 |
US10109641B2 (en) * | 2015-08-10 | 2018-10-23 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
KR102437779B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-08-30 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR102385908B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-04-13 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치로부터 데이터를 검색하는 방법 |
KR102396435B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-05-11 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 버퍼 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 포함하는 컴퓨팅 장치의 동작 방법 |
KR102352316B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-01-18 | 삼성전자주식회사 | 인쇄 회로 기판 |
KR102311916B1 (ko) | 2015-08-17 | 2021-10-15 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 |
KR102480016B1 (ko) | 2015-08-18 | 2022-12-21 | 삼성전자 주식회사 | 다수의 맵핑 단위를 이용하는 불휘발성 메모리 시스템 및 그 동작방법 |
KR102295058B1 (ko) | 2015-08-19 | 2021-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법 |
KR102447476B1 (ko) | 2015-08-20 | 2022-09-27 | 삼성전자주식회사 | 암복호 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 암복호 방법 |
KR102313017B1 (ko) | 2015-08-21 | 2021-10-18 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 쓰기를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102309841B1 (ko) | 2015-08-24 | 2021-10-12 | 삼성전자주식회사 | 표면 실장 기술의 적용에 따른 메모리 셀의 문턱 전압 산포 변화 복구 기능을 갖는 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법 |
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KR102456104B1 (ko) | 2015-08-24 | 2022-10-19 | 삼성전자주식회사 | 데이터 신뢰성에 따라 동작 조건을 변경하는 저장 장치의 동작 방법 |
KR102393323B1 (ko) | 2015-08-24 | 2022-05-03 | 삼성전자주식회사 | 재사용 주기를 이용하여 사용자 데이터를 쓰기 위한 워드라인을 결정하는 저장 장치의 동작 방법 |
KR102295528B1 (ko) | 2015-08-25 | 2021-08-30 | 삼성전자 주식회사 | 메모리 장치, 메모리 시스템, 상기 메모리 장치의 동작 방법 및 상기 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102321745B1 (ko) | 2015-08-27 | 2021-11-05 | 삼성전자주식회사 | 동적 랜덤 액세스 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 모듈 |
KR102408613B1 (ko) | 2015-08-27 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈의 동작 방법, 및 메모리 모듈을 제어하는 프로세서의 동작 방법, 및 사용자 시스템 |
KR102365114B1 (ko) | 2015-08-28 | 2022-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102437416B1 (ko) | 2015-08-28 | 2022-08-30 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR102401600B1 (ko) | 2015-08-31 | 2022-05-25 | 삼성전자주식회사 | 데이터 양에 기초하여 복수의 데이터 스트림을 관리하도록 구성되는 스토리지 장치 |
US9627404B2 (en) | 2015-09-01 | 2017-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102333746B1 (ko) | 2015-09-02 | 2021-12-01 | 삼성전자주식회사 | 재사용 주기에 따라 마모도를 관리하는 저장 장치의 동작 방법 |
KR102387956B1 (ko) | 2015-09-09 | 2022-04-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 |
US20170069657A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
KR102440221B1 (ko) | 2015-09-09 | 2022-09-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
US9711527B2 (en) | 2015-09-11 | 2017-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
KR102430561B1 (ko) | 2015-09-11 | 2022-08-09 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 포트 디램을 포함하는 메모리 모듈 |
KR102427262B1 (ko) | 2015-09-11 | 2022-08-01 | 삼성전자주식회사 | 랜덤 액세스 메모리 장치들 및 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 저장 장치 |
KR20170032502A (ko) | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 인터럽트 발생 방법 |
KR102435863B1 (ko) | 2015-09-16 | 2022-08-25 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것을 포함하는 서버 시스템의 매칭 키 검색 방법 |
KR102324797B1 (ko) | 2015-09-17 | 2021-11-11 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102461150B1 (ko) | 2015-09-18 | 2022-11-01 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR20170036878A (ko) | 2015-09-18 | 2017-04-03 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR20170034984A (ko) | 2015-09-21 | 2017-03-30 | 삼성전자주식회사 | 더미 웨이퍼, 박막 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
KR102451170B1 (ko) | 2015-09-22 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR102422087B1 (ko) | 2015-09-23 | 2022-07-18 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102333220B1 (ko) | 2015-09-24 | 2021-12-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
US9911748B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-03-06 | Sandisk Technologies Llc | Epitaxial source region for uniform threshold voltage of vertical transistors in 3D memory devices |
US11070380B2 (en) | 2015-10-02 | 2021-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Authentication apparatus based on public key cryptosystem, mobile device having the same and authentication method |
US9698151B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vertical memory devices |
CN106571368B (zh) * | 2015-10-08 | 2022-01-25 | 三星电子株式会社 | 半导体装置 |
US20170104000A1 (en) | 2015-10-13 | 2017-04-13 | Joo-Hee PARK | Vertical memory devices |
KR20170045445A (ko) | 2015-10-16 | 2017-04-27 | 삼성전자주식회사 | 충전 노드를 충전하는 구동 회로 |
KR102316279B1 (ko) | 2015-10-19 | 2021-10-22 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 에스에스디 |
KR102571561B1 (ko) * | 2015-10-19 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 소자 |
US10170467B2 (en) * | 2015-10-22 | 2019-01-01 | Macronix International Co., Ltd. | Three dimensional memory device and method for fabricating the same |
KR102424720B1 (ko) | 2015-10-22 | 2022-07-25 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102349729B1 (ko) | 2015-10-23 | 2022-01-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102379167B1 (ko) | 2015-10-26 | 2022-03-25 | 삼성전자주식회사 | 레지스터 세트들을 포함하는 반도체 장치와 이를 포함하는 데이터 저장 장치 |
US9793139B2 (en) * | 2015-10-29 | 2017-10-17 | Sandisk Technologies Llc | Robust nucleation layers for enhanced fluorine protection and stress reduction in 3D NAND word lines |
KR102453709B1 (ko) | 2015-10-29 | 2022-10-12 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 |
US9397111B1 (en) * | 2015-10-30 | 2016-07-19 | Sandisk Technologies Llc | Select gate transistor with single crystal silicon for three-dimensional memory |
KR102358691B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-02-07 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치의 요청 방법 및 호스트의 커맨드 발행 방법 |
KR102377469B1 (ko) | 2015-11-02 | 2022-03-23 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102306853B1 (ko) | 2015-11-02 | 2021-10-01 | 삼성전자주식회사 | 호스트 장치가 스토리지 장치를 제어하는 방법 및 호스트 장치와 스토리지 장치를 포함하는 메모리 시스템 |
US9601586B1 (en) | 2015-11-02 | 2017-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions |
KR102377453B1 (ko) | 2015-11-05 | 2022-03-23 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102435027B1 (ko) | 2015-11-09 | 2022-08-23 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 |
KR102450555B1 (ko) | 2015-11-09 | 2022-10-05 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법 |
US9672091B2 (en) | 2015-11-10 | 2017-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device and debugging method thereof |
KR102485088B1 (ko) | 2015-11-10 | 2023-01-05 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR20170056072A (ko) | 2015-11-12 | 2017-05-23 | 삼성전자주식회사 | 멀티 플레인을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치 |
KR102401254B1 (ko) | 2015-11-12 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102424702B1 (ko) | 2015-11-19 | 2022-07-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US9543319B1 (en) | 2015-11-19 | 2017-01-10 | Macronix International Co., Ltd. | Vertical channel structure |
US10346097B2 (en) | 2015-11-26 | 2019-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device |
KR102533229B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2023-05-17 | 삼성전자주식회사 | 상대 주소를 사용하는 메모리 장치의 접근 방법 |
KR102387973B1 (ko) | 2015-12-01 | 2022-04-19 | 삼성전자주식회사 | 이중화 저장 장치, 그것을 포함한 서버 시스템 및 그것의 동작 방법 |
US10303372B2 (en) | 2015-12-01 | 2019-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and operation method thereof |
KR102437591B1 (ko) | 2015-12-03 | 2022-08-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
KR102451154B1 (ko) | 2015-12-07 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102365171B1 (ko) | 2015-12-10 | 2022-02-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
US10019367B2 (en) | 2015-12-14 | 2018-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module, computing system having the same, and method for testing tag error thereof |
KR102473209B1 (ko) | 2015-12-14 | 2022-12-02 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102449337B1 (ko) | 2015-12-14 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102491651B1 (ko) | 2015-12-14 | 2023-01-26 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 모듈, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 동작 방법 |
KR102435873B1 (ko) | 2015-12-18 | 2022-08-25 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 리드 리클레임 방법 |
KR102473167B1 (ko) | 2015-12-18 | 2022-12-02 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102500821B1 (ko) | 2015-12-29 | 2023-02-17 | 삼성전자주식회사 | 복수의 회로들 및 복수의 회로들을 연결하는 버스를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 |
KR102362239B1 (ko) | 2015-12-30 | 2022-02-14 | 삼성전자주식회사 | 디램 캐시를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 캐시 관리 방법 |
US10229051B2 (en) | 2015-12-30 | 2019-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device including nonvolatile memory device and controller, operating method of storage device, and method for accessing storage device |
KR102318415B1 (ko) | 2016-01-11 | 2021-10-28 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 |
KR102459077B1 (ko) | 2016-01-12 | 2022-10-27 | 삼성전자주식회사 | 비선형 필터링 방식을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법 |
KR102466412B1 (ko) | 2016-01-14 | 2022-11-15 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20170091833A (ko) | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
US9847105B2 (en) | 2016-02-01 | 2017-12-19 | Samsung Electric Co., Ltd. | Memory package, memory module including the same, and operation method of memory package |
KR20170094815A (ko) | 2016-02-11 | 2017-08-22 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 읽기 방법 |
KR102523141B1 (ko) | 2016-02-15 | 2023-04-20 | 삼성전자주식회사 | 휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 불휘발성 메모리 모듈 |
KR102609130B1 (ko) | 2016-02-17 | 2023-12-05 | 삼성전자주식회사 | 읽기 전압 서치 유닛을 포함하는 데이터 저장 장치 |
US10121797B2 (en) * | 2016-02-22 | 2018-11-06 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
KR102444238B1 (ko) | 2016-02-26 | 2022-09-16 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 프로그램 방법 및 이를 적용하는 메모리 시스템 |
US10073732B2 (en) | 2016-03-04 | 2018-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Object storage system managing error-correction-code-related data in key-value mapping information |
KR102549605B1 (ko) | 2016-03-04 | 2023-06-30 | 삼성전자주식회사 | Raid 스토리지 장치의 리커버리 방법 |
US20170271362A1 (en) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
KR102514521B1 (ko) | 2016-03-23 | 2023-03-29 | 삼성전자주식회사 | 페이지 버퍼를 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법 |
US10481799B2 (en) | 2016-03-25 | 2019-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data storage device and method including receiving an external multi-access command and generating first and second access commands for first and second nonvolatile memories |
KR20170112289A (ko) | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법 |
US9887273B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-02-06 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
KR102549611B1 (ko) | 2016-04-01 | 2023-06-30 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 이벤트 통지 방법 |
KR102414186B1 (ko) | 2016-04-04 | 2022-06-28 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR102591057B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2023-10-18 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102512819B1 (ko) | 2016-04-19 | 2023-03-23 | 삼성전자주식회사 | 딜레이 코드를 발생하는 전압 모니터 |
DE102017106713A1 (de) | 2016-04-20 | 2017-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Rechensystem, nichtflüchtiges Speichermodul und Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung |
KR102585221B1 (ko) | 2016-04-21 | 2023-10-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102570367B1 (ko) | 2016-04-21 | 2023-08-28 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법 |
KR102628239B1 (ko) | 2016-05-02 | 2024-01-24 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치 및 호스트 장치를 포함하는 컴퓨팅 장치의 동작 방법 |
KR102609516B1 (ko) | 2016-05-04 | 2023-12-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR102422478B1 (ko) | 2016-05-10 | 2022-07-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법 |
KR102571497B1 (ko) | 2016-05-10 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 멀티 스택 칩 패키지를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102636039B1 (ko) | 2016-05-12 | 2024-02-14 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 및 카피백 방법 |
US10705894B2 (en) | 2016-05-30 | 2020-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device for authenticating application and operating method thereof |
EP3252651A1 (en) | 2016-05-30 | 2017-12-06 | Samsung Electronics Co., Ltd | Computing system having an on-the-fly encryptor and an operating method thereof |
KR102661936B1 (ko) | 2016-06-27 | 2024-04-30 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 |
KR102606497B1 (ko) | 2016-06-27 | 2023-11-29 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법 |
KR102560229B1 (ko) | 2016-06-29 | 2023-07-27 | 삼성전자주식회사 | 전자 시스템 및 이의 동작 방법 |
US9978768B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-05-22 | Sandisk Technologies Llc | Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films |
KR102606490B1 (ko) | 2016-06-30 | 2023-11-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102609177B1 (ko) | 2016-07-04 | 2023-12-06 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102656168B1 (ko) | 2016-07-06 | 2024-04-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102589918B1 (ko) | 2016-07-19 | 2023-10-18 | 삼성전자주식회사 | 저밀도 패리티 체크 디코더 및 그것을 포함하는 저장 장치 |
US10461090B2 (en) * | 2016-07-22 | 2019-10-29 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
KR102567224B1 (ko) | 2016-07-25 | 2023-08-16 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 |
KR102545166B1 (ko) | 2016-07-26 | 2023-06-19 | 삼성전자주식회사 | 파일을 안전하게 삭제하는 호스트, 스토리지 시스템 및 호스트의 동작방법 |
KR20180016680A (ko) | 2016-08-04 | 2018-02-19 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치, 그것을 테스트 하는 테스트 시스템 및 방법 |
KR102650333B1 (ko) | 2016-08-10 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102675911B1 (ko) | 2016-08-16 | 2024-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
KR20180021324A (ko) | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102614083B1 (ko) | 2016-08-31 | 2023-12-18 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20180026022A (ko) | 2016-09-01 | 2018-03-12 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 카피백 방법 |
KR102621467B1 (ko) | 2016-09-05 | 2024-01-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 온도 조절 방법 |
KR20180027710A (ko) | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법 |
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KR20180033369A (ko) | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102545165B1 (ko) | 2016-09-23 | 2023-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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KR102609348B1 (ko) | 2016-10-26 | 2023-12-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102660729B1 (ko) | 2016-10-28 | 2024-04-26 | 삼성전자주식회사 | 전원 잡음을 검출하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102653139B1 (ko) | 2016-10-28 | 2024-04-02 | 삼성전자주식회사 | 복수의 입출력 유닛들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102519458B1 (ko) | 2016-11-01 | 2023-04-11 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR20180051703A (ko) | 2016-11-07 | 2018-05-17 | 삼성전자주식회사 | Raid 방식으로 데이터를 저장하는 스토리지 장치 |
KR102579879B1 (ko) | 2016-11-14 | 2023-09-18 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 독출 방법 |
KR20180054364A (ko) | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 삼성전자주식회사 | 트레이스 데이터를 생성하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 |
US11644992B2 (en) | 2016-11-23 | 2023-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage system performing data deduplication, method of operating storage system, and method of operating data processing system |
KR102656190B1 (ko) | 2016-11-24 | 2024-04-11 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법 |
KR102671472B1 (ko) | 2016-11-28 | 2024-06-03 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
KR102673490B1 (ko) | 2016-11-28 | 2024-06-11 | 삼성전자주식회사 | 부분 읽기 동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 |
CN108121673B (zh) | 2016-11-29 | 2023-09-22 | 三星电子株式会社 | 控制器以及包括控制器和非易失性存储器件的存储设备 |
KR20180061870A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR20180062158A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 삼성전자주식회사 | 루프 상태 정보를 생성하는 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR20180064824A (ko) | 2016-12-06 | 2018-06-15 | 삼성전자주식회사 | 내부 신호 라인들을 테스트하는 멀티 칩 패키지 |
KR102487553B1 (ko) | 2016-12-07 | 2023-01-11 | 삼성전자주식회사 | 리페어 가능한 휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20180066650A (ko) | 2016-12-09 | 2018-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
US10396086B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vertical non-volatile memory device having channel-accomodating opening formed of etch stop region in lower stack layers |
CN106783543A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 无定形硅的沉积方法和3d‑nand闪存的制作方法 |
KR20180083975A (ko) | 2017-01-13 | 2018-07-24 | 삼성전자주식회사 | 트레이닝 동작을 수행하는 메모리 시스템 |
KR20180085418A (ko) | 2017-01-18 | 2018-07-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
TWI669806B (zh) * | 2017-02-07 | 2019-08-21 | 東芝記憶體股份有限公司 | Semiconductor memory device and method of manufacturing same |
CN108427872A (zh) | 2017-02-14 | 2018-08-21 | 三星电子株式会社 | 具有指纹识别传感器的存储装置及其操作方法 |
JP2018137388A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
KR102399356B1 (ko) | 2017-03-10 | 2022-05-19 | 삼성전자주식회사 | 기판, 기판의 쏘잉 방법, 및 반도체 소자 |
JP2018157035A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置、およびその製造方法 |
US10096362B1 (en) | 2017-03-24 | 2018-10-09 | Crossbar, Inc. | Switching block configuration bit comprising a non-volatile memory cell |
KR102267046B1 (ko) | 2017-03-29 | 2021-06-22 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 배드 블록 지정 방법 |
US10381090B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operation method of nonvolatile memory device and storage device |
US10229749B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory storage system |
KR102333439B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2021-12-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
DE112018002779T5 (de) | 2017-06-02 | 2020-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, elektronische Komponente und elektronisches Gerät |
KR102351649B1 (ko) | 2017-06-07 | 2022-01-17 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
JP7213803B2 (ja) | 2017-06-08 | 2023-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
KR102458312B1 (ko) | 2017-06-09 | 2022-10-24 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 이의 동작 방법 |
US10593693B2 (en) | 2017-06-16 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR20240037362A (ko) | 2017-06-27 | 2024-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 웨이퍼, 기억 장치, 및 전자 기기 |
KR102385568B1 (ko) | 2017-07-13 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 |
US10665604B2 (en) | 2017-07-21 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device |
KR102387461B1 (ko) | 2017-07-24 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR102395190B1 (ko) | 2017-07-31 | 2022-05-06 | 삼성전자주식회사 | 호스트와 인터페이스를 수행하는 스토리지 장치, 호스트 및 스토리지 장치의 동작방법 |
KR102631353B1 (ko) | 2017-08-17 | 2024-01-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
CN107731840B (zh) * | 2017-08-24 | 2019-01-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种3d nand闪存结构的制备工艺 |
US10461125B2 (en) | 2017-08-29 | 2019-10-29 | Micron Technology, Inc. | Three dimensional memory arrays |
US10475808B2 (en) * | 2017-08-30 | 2019-11-12 | Macronix International Co., Ltd. | Three dimensional memory device and method for fabricating the same |
CN107527794A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种3d nand存储器件的金属栅制备方法 |
US10797067B2 (en) * | 2017-08-31 | 2020-10-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Three-dimensional memory device and fabricating method thereof |
KR102293069B1 (ko) | 2017-09-08 | 2021-08-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치, 제어기, 그리고 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102440227B1 (ko) | 2017-10-11 | 2022-09-05 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 수직형 메모리 장치의 제조 방법 |
US11158381B2 (en) | 2017-10-12 | 2021-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and operating method thereof |
KR102336662B1 (ko) | 2017-10-12 | 2021-12-07 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102384773B1 (ko) | 2017-10-12 | 2022-04-11 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 컴퓨팅 시스템, 그리고 그것의 디버깅 방법 |
KR102631350B1 (ko) | 2017-10-12 | 2024-01-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 플레인들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102384864B1 (ko) | 2017-11-03 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 불량 스트링을 리페어하는 방법 및 불휘발성 메모리 장치 |
KR102505240B1 (ko) | 2017-11-09 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR102477267B1 (ko) | 2017-11-14 | 2022-12-13 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102408621B1 (ko) | 2017-11-20 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 커패시터를 포함하는 불휘발성 메모리 장치 |
KR20190060527A (ko) | 2017-11-24 | 2019-06-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
CN109841631A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 旺宏电子股份有限公司 | 存储元件及其制造方法 |
KR102408858B1 (ko) | 2017-12-19 | 2022-06-14 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR102534838B1 (ko) | 2017-12-20 | 2023-05-22 | 삼성전자주식회사 | 3차원 구조를 갖는 메모리 장치 |
US11823888B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory stack with pads connecting peripheral and memory circuits |
US11961564B2 (en) | 2017-12-22 | 2024-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device with intermediate switching transistors and programming method |
KR102467291B1 (ko) | 2017-12-22 | 2022-11-14 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US10468414B2 (en) * | 2017-12-28 | 2019-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices |
KR102514772B1 (ko) | 2017-12-28 | 2023-03-28 | 삼성전자주식회사 | 비동기적 동작 수행이 가능한 비휘발성 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 이의 동작 수행 방법 |
CN110033799A (zh) | 2018-01-12 | 2019-07-19 | 三星电子株式会社 | 基于屏障命令按顺序存储数据的存储设备 |
KR102611634B1 (ko) | 2018-01-22 | 2023-12-08 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102518371B1 (ko) | 2018-02-02 | 2023-04-05 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 |
KR102631939B1 (ko) | 2018-02-07 | 2024-02-02 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
CN114050162A (zh) * | 2018-03-05 | 2022-02-15 | 湘潭大学 | 一种铁电存储器及其制备方法 |
JP2019160918A (ja) | 2018-03-09 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR102509909B1 (ko) | 2018-03-09 | 2023-03-15 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102617353B1 (ko) | 2018-03-27 | 2023-12-26 | 삼성전자주식회사 | 복수의 수직 채널 구조체들을 갖는 3차원 메모리 장치 |
KR102656172B1 (ko) | 2018-03-28 | 2024-04-12 | 삼성전자주식회사 | 가상 스트림들과 물리 스트림들을 맵핑하기 위한 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102508529B1 (ko) | 2018-04-12 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 초기화 정보를 읽는 방법 |
KR102541615B1 (ko) | 2018-04-13 | 2023-06-09 | 삼성전자주식회사 | 리소그래피용 기판 처리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102603916B1 (ko) | 2018-04-25 | 2023-11-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치 |
TWI777063B (zh) * | 2018-05-03 | 2022-09-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 設計成使線寬粗糙度及線邊緣粗糙度最小化的臨界尺寸修整方法 |
KR102619625B1 (ko) | 2018-05-18 | 2024-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
KR102581331B1 (ko) | 2018-05-31 | 2023-09-25 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
US11227660B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and operating method thereof |
KR20190139528A (ko) * | 2018-06-08 | 2019-12-18 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 |
KR102543224B1 (ko) | 2018-06-08 | 2023-06-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제조 방법 |
US11081186B2 (en) | 2018-06-08 | 2021-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and erasing method of the same |
KR102606826B1 (ko) | 2018-06-08 | 2023-11-27 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 소거 방법 |
KR102142268B1 (ko) | 2018-06-25 | 2020-08-12 | 삼성전자 주식회사 | 전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
KR102076057B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 한양대학교 산학협력단 | 전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층 및 알루미늄 산화막을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
CN110797443A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
KR102568353B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2023-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 |
CN109524543B (zh) * | 2018-09-18 | 2019-11-22 | 华中科技大学 | 一种三维堆叠相变存储器及其制备方法 |
US10825828B2 (en) * | 2018-10-11 | 2020-11-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices and systems with channel openings or pillars extending through a tier stack, and methods of formation |
KR102467312B1 (ko) | 2018-10-15 | 2022-11-14 | 삼성전자주식회사 | 고전압 스위치 회로 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 |
CN109496361B (zh) * | 2018-10-18 | 2020-10-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有z字形狭缝结构的三维存储器件及其形成方法 |
KR102645142B1 (ko) | 2018-10-25 | 2024-03-07 | 삼성전자주식회사 | 예측된 유효 페이지들을 이용하여 가비지 콜렉션을 수행하는 스토리지 장치들, 방법들 및 불휘발성 메모리 장치들 |
KR102670089B1 (ko) | 2018-10-26 | 2024-05-28 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
KR102659570B1 (ko) | 2018-10-29 | 2024-04-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 방법 |
US11314450B2 (en) | 2018-10-31 | 2022-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating storage device, storage device performing the same and method of operating storage system using the same |
US11182104B2 (en) | 2018-11-12 | 2021-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating storage device with a plurality of streams using a data classifier, storage device performing the same and storage system including the same |
KR102599117B1 (ko) | 2018-11-14 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 블록들의 온 셀 카운트들을 모니터링하고 저장하는 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR102599123B1 (ko) | 2018-11-14 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 인공 신경망 모델에 기초하여 읽기 레벨들을 추론하는 스토리지 장치 및 인공 신경망 모델의 학습 방법 |
WO2020102990A1 (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 外延层和3d nand存储器的形成方法、退火设备 |
KR20200076946A (ko) | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치 |
CN109742038B (zh) * | 2019-01-07 | 2020-12-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d nand存储器及其形成方法 |
KR102130057B1 (ko) * | 2019-01-16 | 2020-07-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR20200099024A (ko) | 2019-02-13 | 2020-08-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR20200107024A (ko) | 2019-03-05 | 2020-09-16 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
US11031071B2 (en) | 2019-03-05 | 2021-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and storage device including nonvolatile memory device |
KR20200115804A (ko) | 2019-03-26 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 평행 구조를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
US11037947B2 (en) * | 2019-04-15 | 2021-06-15 | Macronix International Co., Ltd. | Array of pillars located in a uniform pattern |
KR102671402B1 (ko) | 2019-04-16 | 2024-05-31 | 삼성전자주식회사 | 문턱전압 산포 특성을 향상한 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 그 동작방법 |
KR20200144389A (ko) | 2019-06-18 | 2020-12-29 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 액세스 방법 |
KR20200145151A (ko) | 2019-06-20 | 2020-12-30 | 삼성전자주식회사 | 맵핑 정보를 축약하는 플래시 변환 계층 구조를 이용하여 메모리 리소스를 관리하는 데이터 저장 장치 |
KR20210010726A (ko) | 2019-07-18 | 2021-01-28 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US11367493B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices and program methods thereof |
KR20210010748A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
KR102672984B1 (ko) | 2019-07-26 | 2024-06-11 | 삼성전자주식회사 | 선택된 메모리 셀에 대한 인접성에 따라 비선택된 메모리 셀들을 제어하는 메모리 장치, 및 그것을 동작하는 방법 |
KR20210016184A (ko) | 2019-08-01 | 2021-02-15 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
KR20210016186A (ko) | 2019-08-01 | 2021-02-15 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
JP2021027290A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR20210020689A (ko) | 2019-08-16 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 추론에 기초하여 요청을 처리하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR20210025162A (ko) | 2019-08-26 | 2021-03-09 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
US11158379B2 (en) | 2019-08-26 | 2021-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device |
KR20210025249A (ko) | 2019-08-27 | 2021-03-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그 동작 방법 |
US11069417B2 (en) | 2019-08-27 | 2021-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and method of operating the same |
US11348848B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor die, semiconductor wafer, semiconductor device including the semiconductor die and method of manufacturing the semiconductor device |
KR20210027670A (ko) | 2019-08-30 | 2021-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이 및 반도체 웨이퍼 |
DE102020110546A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vertikale speichervorrichtungen und herstellungsverfahren derselben |
US11217283B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-chip package with reduced calibration time and ZQ calibration method thereof |
KR20210027896A (ko) | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 삼성전자주식회사 | 캘리브레이션 시간을 줄일 수 있는 멀티 칩 패키지 및 그것의 zq 캘리브레이션 방법 |
CN110634760B (zh) * | 2019-09-12 | 2022-04-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法 |
KR20210034274A (ko) | 2019-09-20 | 2021-03-30 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 |
US11545341B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same |
KR20210039871A (ko) | 2019-10-02 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 메타 데이터를 관리하는 스토리지 시스템, 스토리지 시스템을 제어하는 호스트 시스템 및 스토리지 시스템의 동작방법 |
JP7272587B2 (ja) * | 2019-10-04 | 2023-05-12 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置 |
CN110892528A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-03-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体器件及其制作方法 |
KR20210044564A (ko) | 2019-10-15 | 2021-04-23 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그것의 가비지 컬렉션 방법 |
KR20210045538A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 |
US11282827B2 (en) | 2019-10-16 | 2022-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device having stacked structure with spaced apart conductive layers |
US11270759B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory device and computing device including flash memory cells |
KR20210047413A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 셀들을 포함하는 컴퓨팅 장치 |
KR20210059815A (ko) | 2019-11-15 | 2021-05-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 기반의 뉴로모픽 장치 |
US11309032B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device |
KR20210065435A (ko) | 2019-11-27 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 외장형 스토리지 장치 및 외장형 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20210070472A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 |
EP3832653A3 (en) | 2019-12-04 | 2021-06-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device |
KR20210083466A (ko) | 2019-12-26 | 2021-07-07 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20210082705A (ko) | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 삼성전자주식회사 | 미리 정의된 시간을 사용한 스토리지 장치의 작업 스케쥴링 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법 |
KR20210087628A (ko) | 2020-01-03 | 2021-07-13 | 삼성전자주식회사 | 네트워크 기반 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법 |
EP3848787B1 (en) | 2020-01-10 | 2024-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device configured to change power state based on reference clock from host device |
US11315945B2 (en) * | 2020-01-14 | 2022-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device with lateral offset |
KR20210092091A (ko) * | 2020-01-15 | 2021-07-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법 |
KR20210092860A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR20210094696A (ko) | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 및 그것의 프로그램 방법 |
US11309014B2 (en) | 2020-01-21 | 2022-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device transmitting small swing data signal and operation method thereof |
KR20210100790A (ko) | 2020-02-06 | 2021-08-18 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
EP3863017B1 (en) | 2020-02-06 | 2023-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device and operating method of storage device |
WO2021155557A1 (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Intel Corporation | Varying channel width in three-dimensional memory array |
KR20210101982A (ko) | 2020-02-11 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
WO2021163841A1 (en) * | 2020-02-17 | 2021-08-26 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Methods for forming channel structures in three-dimensional memory devices |
KR20210111390A (ko) | 2020-03-02 | 2021-09-13 | 삼성전자주식회사 | 배드 블록 검출 시간을 단축하기 위한 메모리 장치 및 방법 |
JP2021141283A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN111403411B (zh) * | 2020-03-27 | 2023-05-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维存储器及其形成方法 |
CN114746995A (zh) * | 2020-04-27 | 2022-07-12 | 桑迪士克科技有限责任公司 | 采用减薄绝缘层的三维存储器器件及其形成方法 |
US11489043B2 (en) | 2020-04-27 | 2022-11-01 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device employing thinned insulating layers and methods for forming the same |
US11398496B2 (en) | 2020-04-27 | 2022-07-26 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device employing thinned insulating layers and methods for forming the same |
KR20210133087A (ko) | 2020-04-28 | 2021-11-05 | 삼성전자주식회사 | 데이터의 안전한 폐기 기능을 제공하는 스토리지 장치 및 그 동작방법 |
KR20210135376A (ko) | 2020-05-04 | 2021-11-15 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
US11561912B2 (en) | 2020-06-01 | 2023-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Host controller interface using multiple circular queue, and operating method thereof |
KR20210149521A (ko) | 2020-06-02 | 2021-12-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR20210151581A (ko) | 2020-06-05 | 2021-12-14 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 |
US11675531B2 (en) | 2020-06-17 | 2023-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device for high speed link startup and storage system including the same |
KR20210158703A (ko) | 2020-06-24 | 2021-12-31 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210158579A (ko) | 2020-06-24 | 2021-12-31 | 삼성전자주식회사 | 용량 확장성을 가지는 스토리지 시스템 및 그 구동 방법 |
KR20220006927A (ko) | 2020-07-09 | 2022-01-18 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 및 이를 포함하는 스토리지 장치, 및 메모리 시스템 |
US11594293B2 (en) | 2020-07-10 | 2023-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with conditional skip of verify operation during write and operating method thereof |
KR20220007317A (ko) | 2020-07-10 | 2022-01-18 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 데이터 소거 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 |
DE102021103872A1 (de) | 2020-07-13 | 2022-01-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nichtflüchtige speichervorrichtung, die eine hocheffiziente e/a-schnittstelle unterstützt |
US11714561B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-08-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System, device and method for writing data to protected region |
KR20220010360A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 삼성전자주식회사 | 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
KR20220013236A (ko) | 2020-07-24 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
WO2022016479A1 (en) * | 2020-07-24 | 2022-01-27 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Two-step l-shaped selective epitaxial growth |
KR20220015245A (ko) | 2020-07-30 | 2022-02-08 | 삼성전자주식회사 | 프로그래밍 동안 양방향 채널 프리차지를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 |
KR20220019557A (ko) | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 삼성전자주식회사 | 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
KR20220020143A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 삼성전자주식회사 | 오버라이트 처리를 수행하는 스토리지 시스템, 스토리지 시스템을 제어하는 호스트 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법 |
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US11625297B2 (en) | 2020-08-28 | 2023-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device and operating method thereof |
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EP3979250A1 (en) | 2020-09-21 | 2022-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | 3d nonvolatile memory device device including channel short circuit detection |
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US11756592B2 (en) | 2020-09-29 | 2023-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device supporting DBI interface and operating method of memory device |
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CN112331664B (zh) * | 2020-10-12 | 2021-11-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种三维存储器及其制作方法 |
KR20220048303A (ko) | 2020-10-12 | 2022-04-19 | 삼성전자주식회사 | 크레딧을 이용하는 호스트 장치와 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20220049215A (ko) | 2020-10-14 | 2022-04-21 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 호스트 장치 및 이들을 포함하는 메모리 시스템 |
KR20220050272A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-25 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 |
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KR20220052018A (ko) | 2020-10-20 | 2022-04-27 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 시스템 |
KR20220053726A (ko) | 2020-10-22 | 2022-05-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 |
KR20220055034A (ko) | 2020-10-26 | 2022-05-03 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법 |
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EP3992971A1 (en) | 2020-10-28 | 2022-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device |
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US11887684B2 (en) | 2020-10-30 | 2024-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device |
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KR20220067419A (ko) | 2020-11-17 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 시스템 및 이들의 동작 방법 |
KR20220067795A (ko) | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 이를 포함하는 스토리지 시스템 |
KR20220068540A (ko) | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 칩 및 주변 회로 칩을 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치의 제조 방법 |
KR20220069543A (ko) | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 시스템 |
KR20220070613A (ko) | 2020-11-23 | 2022-05-31 | 삼성전자주식회사 | 호스트 장치, 메모리 장치의 구동 방법 및 메모리 시스템 |
KR20220073924A (ko) | 2020-11-27 | 2022-06-03 | 삼성전자주식회사 | 백그라운드 트레이닝을 수행하는 수신기, 이를 포함하는 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 수신 방법 |
KR20220075571A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 데이터 기입 방법, 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 및 이를 이용한 메모리 시스템의 구동 방법 |
KR20220086286A (ko) | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 보호 영역에 데이터를 기입하기 위한 시스템, 장치 및 방법 |
KR20220087297A (ko) | 2020-12-17 | 2022-06-24 | 삼성전자주식회사 | 처리 코드를 실행하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법 |
KR20220087655A (ko) | 2020-12-17 | 2022-06-27 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그의 동작 방법 |
KR20220090885A (ko) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 잔여 수명 예측 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치 |
KR20220092021A (ko) | 2020-12-24 | 2022-07-01 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 시스템 |
KR20220093982A (ko) | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | 파편화율을 이용하는 메모리 컨트롤러, 및 스토리지 장치 및 이의 동작 방법 |
KR20220094726A (ko) | 2020-12-29 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 비휘발성 메모리 장치 및 그 스토리지 장치 |
KR20220096077A (ko) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 삼성전자주식회사 | Ecc 데이터를 이용하여 신뢰성 검사를 수행하는 스토리지 장치 |
US11875036B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Computing system including host and storage system and having increased write performance |
KR20220103227A (ko) | 2021-01-14 | 2022-07-22 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법 |
KR20220105890A (ko) | 2021-01-21 | 2022-07-28 | 삼성전자주식회사 | 커맨드가 삽입된 데이터를 공유된 채널 양방향으로 전송할 수 있는 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR20220105940A (ko) | 2021-01-21 | 2022-07-28 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR20220106307A (ko) | 2021-01-22 | 2022-07-29 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 그 구동 방법 |
KR20220107486A (ko) | 2021-01-25 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 |
KR20220120967A (ko) | 2021-02-24 | 2022-08-31 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 컨트롤러, 그 동작방법 |
US11636912B2 (en) | 2021-04-06 | 2023-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | ECC buffer reduction in a memory device |
KR20220144093A (ko) | 2021-04-19 | 2022-10-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 장치와 호스트 장치의 구동 방법 |
KR102317788B1 (ko) | 2021-05-14 | 2021-10-26 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법 |
KR20220155664A (ko) | 2021-05-17 | 2022-11-24 | 삼성전자주식회사 | 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
KR102344380B1 (ko) | 2021-06-02 | 2021-12-28 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR20220164181A (ko) | 2021-06-04 | 2022-12-13 | 삼성전자주식회사 | 호스트 장치 및 메모리 장치의 구동 방법, 호스트 장치와 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 |
KR20220164852A (ko) | 2021-06-04 | 2022-12-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR20220167979A (ko) | 2021-06-15 | 2022-12-22 | 삼성전자주식회사 | 물리적 복제 방지 기능을 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102434036B1 (ko) | 2021-06-17 | 2022-08-19 | 삼성전자주식회사 | 보조 전원 장치의 수명을 위한 충전 전압 제어 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치 |
KR20230007806A (ko) | 2021-07-06 | 2023-01-13 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
CN113488471B (zh) * | 2021-07-08 | 2023-09-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体存储装置及其制作方法 |
KR20230011747A (ko) | 2021-07-14 | 2023-01-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
DE102021118788A1 (de) | 2021-07-15 | 2023-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | VERFAHREN UND STRUKTUREN FÜR VERBESSERTEN FERROELEKTRISCHEN DIREKTZUGRIFFSSPEICHER (FeRAM) |
KR102374076B1 (ko) | 2021-07-29 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 보조 전원 장치의 불량 방지 회로를 포함하는 스토리지 장치 및 보조 전원 장치의 제어 방법 |
KR20230018215A (ko) | 2021-07-29 | 2023-02-07 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법 |
KR102430495B1 (ko) | 2021-08-04 | 2022-08-09 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치, 호스트 장치 및 그것의 데이터 전송 방법 |
KR20230023101A (ko) | 2021-08-09 | 2023-02-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR20230023113A (ko) | 2021-08-09 | 2023-02-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR102519664B1 (ko) | 2021-08-31 | 2023-04-10 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법 |
KR20230035820A (ko) | 2021-09-06 | 2023-03-14 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 신뢰성 열화 감소 방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 |
KR20230044882A (ko) | 2021-09-27 | 2023-04-04 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이의 프로그램 방법 |
KR20230049982A (ko) | 2021-10-07 | 2023-04-14 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 신호 수신을 위한 파이프라인 방식의 수신기 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
KR20230050549A (ko) | 2021-10-07 | 2023-04-17 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR20230055270A (ko) | 2021-10-18 | 2023-04-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
KR20230056315A (ko) | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 신호 수신을 위한 수신기 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
KR20230059909A (ko) | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20230059910A (ko) | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20230059911A (ko) | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20230061029A (ko) | 2021-10-28 | 2023-05-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
KR20230063386A (ko) | 2021-11-02 | 2023-05-09 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
KR102385572B1 (ko) | 2021-11-02 | 2022-04-13 | 삼성전자주식회사 | 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR20230063508A (ko) | 2021-11-02 | 2023-05-09 | 삼성전자주식회사 | 멀티 테넌시를 지원하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법 |
KR20230064847A (ko) | 2021-11-04 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 호스트 장치 및 메모리 장치의 구동 방법 |
TW202324114A (zh) | 2021-11-09 | 2023-06-16 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 記憶體系統和操作記憶體控制器的方法 |
US20230146540A1 (en) | 2021-11-09 | 2023-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device and an operating method of a storage controller thereof |
US11972111B2 (en) | 2021-11-09 | 2024-04-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof |
EP4181135A1 (en) | 2021-11-10 | 2023-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device having multistack memory block and method of operating the same |
CN116110473A (zh) | 2021-11-10 | 2023-05-12 | 三星电子株式会社 | 存储器装置、存储器***和操作存储器***的方法 |
US20230145681A1 (en) | 2021-11-10 | 2023-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of programming non-volatile memory device |
US20230143829A1 (en) | 2021-11-10 | 2023-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Page buffer circuit and memory device including the same |
EP4181138A1 (en) | 2021-11-11 | 2023-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, storage device having the same, and operating method thereof |
KR102641756B1 (ko) | 2021-11-11 | 2024-02-29 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
US20230153238A1 (en) | 2021-11-12 | 2023-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating a storage device using multi-level address translation and a storage device performing the same |
US20230154540A1 (en) | 2021-11-15 | 2023-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage system and operating method of storage controller |
US11966608B2 (en) | 2021-11-15 | 2024-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory controller with improved data reliability and memory system including the same |
EP4180970A1 (en) | 2021-11-15 | 2023-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device operating in zone unit and data processing system including the same |
US20230154542A1 (en) | 2021-11-15 | 2023-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and erase method thereof |
US20230152993A1 (en) | 2021-11-15 | 2023-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device |
KR20230072318A (ko) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 스토리지 장치 및 그의 제조 방법 |
US12014772B2 (en) | 2021-11-17 | 2024-06-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage controller and storage device including the same |
KR20230075164A (ko) | 2021-11-22 | 2023-05-31 | 삼성전자주식회사 | 수직형 구조를 가지는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR20230075014A (ko) | 2021-11-22 | 2023-05-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
KR20230076656A (ko) | 2021-11-24 | 2023-05-31 | 삼성전자주식회사 | 워드라인 전압 기울기를 조절하는 메모리 장치 및 그 동작방법 |
US11929762B2 (en) | 2021-11-24 | 2024-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low density parity check decoder and storage device |
US11841767B2 (en) | 2021-11-24 | 2023-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Controller controlling non-volatile memory device, storage device including the same, and operating method thereof |
US20230162797A1 (en) | 2021-11-25 | 2023-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20230080766A (ko) | 2021-11-30 | 2023-06-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치에 대한 메모리 컨트롤러 |
KR20230082377A (ko) | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 메모리 시스템 |
KR102481649B1 (ko) | 2021-12-01 | 2022-12-28 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US20230176788A1 (en) | 2021-12-03 | 2023-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device |
US11736098B2 (en) | 2021-12-03 | 2023-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory package, semiconductor device, and storage device |
EP4195209A1 (en) | 2021-12-07 | 2023-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory |
KR20230092227A (ko) | 2021-12-17 | 2023-06-26 | 삼성전자주식회사 | 멀티코어 프로세서 및 스토리지 장치 |
KR20230096304A (ko) | 2021-12-23 | 2023-06-30 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 리프로그램 방법, 프로그램 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 |
EP4207199A3 (en) | 2021-12-28 | 2023-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system |
US20230230640A1 (en) | 2022-01-18 | 2023-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device including combined sensing node and cache read method thereof |
US20230255036A1 (en) | 2022-02-10 | 2023-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device |
US20230267975A1 (en) | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device |
KR20230168390A (ko) | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 전자 시스템 |
KR20240020093A (ko) | 2022-08-05 | 2024-02-14 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
KR20240030819A (ko) | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법 |
KR20240040507A (ko) | 2022-09-21 | 2024-03-28 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법 |
KR20240044119A (ko) | 2022-09-28 | 2024-04-04 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
KR20240048306A (ko) | 2022-10-06 | 2024-04-15 | 삼성전자주식회사 | G-ldpc 인코더, g-ldpc 인코딩 방법 및 스토리지 장치 |
US20240160794A1 (en) | 2022-11-10 | 2024-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device |
KR20240068346A (ko) | 2022-11-10 | 2024-05-17 | 삼성전자주식회사 | 센서 정보를 이용한 스토리지 장치의 데이터 백업 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치 |
KR20240094058A (ko) | 2022-11-18 | 2024-06-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 스토리지 장치 |
KR20240077792A (ko) | 2022-11-25 | 2024-06-03 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 서스펜션 제어를 이용한 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치 |
KR20240079650A (ko) | 2022-11-29 | 2024-06-05 | 삼성전자주식회사 | 다이렉트 스토리지 기능을 지원하는 스토리지 장치 및 스토리지 시스템 |
KR20240083705A (ko) | 2022-12-05 | 2024-06-12 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법 |
US20240194265A1 (en) | 2022-12-13 | 2024-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device having asymmetric page buffer array architecture |
EP4390652A1 (en) | 2022-12-22 | 2024-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device, storage controller, and operating method of storage controller |
US20240224522A1 (en) | 2022-12-30 | 2024-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device |
CN118335155A (zh) | 2023-01-12 | 2024-07-12 | 三星电子株式会社 | 非易失性存储器件、具有该非易失性存储器件的存储设备和该非易失性存储器件的操作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009027134A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Ltd | Mos型半導体メモリ装置 |
JP2009117843A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直型半導体素子及びその製造方法 |
JP2009146954A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20090242966A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-10-01 | Sumsung Electronics Co., Ltd. | Vertical-type semiconductor devices |
JP2009224465A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
JP2010056533A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010182947A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5382648A (en) | 1992-04-09 | 1995-01-17 | Akzo Nobel Nv | Twisted nematic film, a method for the preparation thereof, and a display device comprising said film |
KR100270618B1 (ko) | 1992-06-30 | 2000-12-01 | 윤종용 | 다결정 실리콘 박막의 제조방법 |
KR100771923B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2007-11-01 | 삼성전자주식회사 | 소노스 타입의 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP5016832B2 (ja) | 2006-03-27 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US7424691B2 (en) | 2006-04-11 | 2008-09-09 | International Business Machines Corporation | Method for verifying performance of an array by simulating operation of edge cells in a full array model |
US20080067554A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Jae-Hun Jeong | NAND flash memory device with 3-dimensionally arranged memory cell transistors |
JP5076140B2 (ja) | 2006-12-28 | 2012-11-21 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 研削砥石の製造方法 |
JP5091491B2 (ja) | 2007-01-23 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4939955B2 (ja) | 2007-01-26 | 2012-05-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7620921B2 (en) * | 2007-04-27 | 2009-11-17 | International Business Machines Corporation | IC chip at-functional-speed testing with process coverage evaluation |
JP5193551B2 (ja) | 2007-10-05 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
JP5148242B2 (ja) | 2007-10-29 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
KR101192359B1 (ko) | 2007-12-17 | 2012-10-18 | 삼성전자주식회사 | Nand 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP2009158775A (ja) | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP5134944B2 (ja) | 2007-12-27 | 2013-01-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
JP2009206451A (ja) | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
JP5086851B2 (ja) | 2008-03-14 | 2012-11-28 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4649487B2 (ja) | 2008-03-17 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR20090103055A (ko) | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP5288877B2 (ja) | 2008-05-09 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009277770A (ja) | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR100950479B1 (ko) | 2008-05-28 | 2010-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 제조 방법 |
US7867831B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-01-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Manufacturing method of flash memory device comprising gate columns penetrating through a cell stack |
JP5230274B2 (ja) | 2008-06-02 | 2013-07-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
CA2667849A1 (en) | 2008-06-10 | 2009-12-10 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Blade pitch-angle control apparatus and wind turbine generator |
KR101539697B1 (ko) | 2008-06-11 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 수직형 필라를 활성영역으로 사용하는 3차원 메모리 장치,그 제조 방법 및 그 동작 방법 |
KR101434588B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2014-08-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20100007254A (ko) | 2008-07-11 | 2010-01-22 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR101498676B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2015-03-09 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
KR101551901B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2015-09-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 소자 및 그 형성 방법 |
KR20110042619A (ko) | 2009-10-19 | 2011-04-27 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101623547B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2016-05-23 | 삼성전자주식회사 | 재기입가능한 3차원 반도체 메모리 장치의 제조 방법 |
KR101549690B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2015-09-14 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101660488B1 (ko) | 2010-01-22 | 2016-09-28 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20110090056A (ko) | 2010-02-02 | 2011-08-10 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR101652873B1 (ko) | 2010-02-18 | 2016-08-31 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
US9536970B2 (en) * | 2010-03-26 | 2017-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same |
-
2011
- 2011-03-25 US US13/072,078 patent/US9536970B2/en active Active
- 2011-03-28 CN CN201110086496.5A patent/CN102201416B/zh active Active
- 2011-03-28 JP JP2011071053A patent/JP5832114B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-21 US US13/972,533 patent/US9564499B2/en active Active
-
2015
- 2015-07-10 US US14/796,569 patent/US9768266B2/en active Active
-
2017
- 2017-08-18 US US15/681,050 patent/US20170345907A1/en not_active Abandoned
-
2020
- 2020-04-27 US US16/859,437 patent/US10903327B2/en active Active
- 2020-12-21 US US17/129,667 patent/US11588032B2/en active Active
-
2022
- 2022-10-19 US US17/969,022 patent/US20230044895A1/en not_active Abandoned
-
2023
- 2023-01-09 US US18/094,484 patent/US11888042B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009027134A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Ltd | Mos型半導体メモリ装置 |
JP2009117843A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直型半導体素子及びその製造方法 |
JP2009146954A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20090242966A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-10-01 | Sumsung Electronics Co., Ltd. | Vertical-type semiconductor devices |
JP2009224465A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
JP2010056533A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010182947A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101825534B1 (ko) | 2011-02-07 | 2018-02-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
JP2013098563A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリ装置 |
JP2015512567A (ja) * | 2012-03-29 | 2015-04-27 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | ロジックcmosフローへのono統合の方法 |
US8912089B2 (en) | 2012-09-05 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device including a stacked body comprising pluralities of first and second metallic conductive layers |
KR102031179B1 (ko) * | 2012-09-11 | 2019-11-08 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP2014057067A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 3次元半導体メモリ装置及びその製造方法 |
KR20140033938A (ko) * | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US9899411B2 (en) | 2012-09-11 | 2018-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same |
KR20140040515A (ko) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR102018614B1 (ko) | 2012-09-26 | 2019-09-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP2015046564A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20150020933A (ko) * | 2013-08-19 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
KR102107146B1 (ko) | 2013-08-19 | 2020-05-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US9379165B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
WO2016190036A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
JPWO2016190036A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2017-12-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
US10056131B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including first memory cell and second memory cell over first memory cell |
US11972790B2 (en) | 2015-05-26 | 2024-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US10529413B2 (en) | 2015-05-26 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US11355179B2 (en) | 2015-05-26 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US9735171B2 (en) | 2015-07-14 | 2017-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
JP2017045825A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9842853B2 (en) | 2015-09-14 | 2017-12-12 | Toshiba Memory Corporation | Memory cell array with improved substrate current pathway |
US9917099B2 (en) | 2016-03-09 | 2018-03-13 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device having vertical channel between stacked electrode layers and insulating layers |
US10276590B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-04-30 | Toshiba Memory Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device including a vertical channel between stacked electrode layers and an insulating layer |
US10181477B2 (en) | 2016-03-11 | 2019-01-15 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US9966385B2 (en) | 2016-03-14 | 2018-05-08 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
JP2017174866A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2017224684A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置及び記憶媒体。 |
JP2020506542A (ja) * | 2017-01-26 | 2020-02-27 | マイクロン テクノロジー,インク. | マルチゲート誘導ドレイン漏れ電流発生器 |
JP7112411B2 (ja) | 2017-01-26 | 2022-08-03 | マイクロン テクノロジー,インク. | マルチゲート誘導ドレイン漏れ電流発生器 |
JP2020516085A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | アールエヌアール ラボラトリー インコーポレイテッド | レーザを用いた間接加熱方法 |
JP2022533461A (ja) * | 2020-02-17 | 2022-07-22 | 長江存儲科技有限責任公司 | 3次元メモリデバイスおよびその製造方法 |
JP7439135B2 (ja) | 2020-02-17 | 2024-02-27 | 長江存儲科技有限責任公司 | 3次元メモリデバイスおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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