DE112013006828T5 - Schutz einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren - Google Patents

Schutz einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren Download PDF

Info

Publication number
DE112013006828T5
DE112013006828T5 DE112013006828.1T DE112013006828T DE112013006828T5 DE 112013006828 T5 DE112013006828 T5 DE 112013006828T5 DE 112013006828 T DE112013006828 T DE 112013006828T DE 112013006828 T5 DE112013006828 T5 DE 112013006828T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
switching elements
current
power converter
switched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112013006828.1T
Other languages
English (en)
Inventor
David Giuliano
Gregory Szczeszynski
Jeff Summit
Oscar Blyde
Aichen Low
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PSemi Corp
Original Assignee
Arctic Sand Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arctic Sand Technologies Inc filed Critical Arctic Sand Technologies Inc
Publication of DE112013006828T5 publication Critical patent/DE112013006828T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/1203Circuits independent of the type of conversion
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/1203Circuits independent of the type of conversion
    • H02H7/1206Circuits independent of the type of conversion specially adapted to conversion cells composed of a plurality of parallel or serial connected elements
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/1213Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for DC-DC converters
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0009Devices or circuits for detecting current in a converter
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type
    • H02M3/075Charge pumps of the Schenkel-type including a plurality of stages and two sets of clock signals, one set for the odd and one set for the even numbered stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Übergangs- oder Fehlerzustände bei einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren durch Messen von mindestens einer internen Spannung und/oder Stromstärke, die in Verbindung mit Schaltelementen (z. B. Transistoren) oder Phasenknoten steht, oder von Spannungen oder Stromstärken an Anschlüssen des Wandlers erkannt und sie erkennen aufgrund dieser Messungen, dass ein solcher Zustand aufgetreten ist, wenn die Messungen von einem vorfestgelegten Bereich abweichen. Bei Erkennen des Zustands ändert eine Fehlerbeherrschungsschaltung den Betrieb des Wandlers, zum Beispiel durch das Verwenden eines Hochspannungsschalters, um zumindest einige der Schaltelemente von mindestens einem Anschluss des Wandlers elektrisch zu trennen, oder durch das Ändern der Timing-Eigenschaften der Phasensignale.

Description

  • Querverweis zu verwandten Patentanmeldungen
  • Diese Patentanmeldung beansprucht Priorität gegenüber der US-Patentanmeldung Nr. 13/838,681, welche am 15. März 2013 eingereicht wurde, wobei deren Inhalte in dieser Schrift durch Bezugnahme in Gänze eingeschlossen sind.
  • Hintergrund
  • Diese Erfindung betrifft den Schutz einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren.
  • Diverse Konfigurationen von Stromwandlerschaltungen mit geschalteten Kondensatoren bieten Spannungswandlung (d. h. herauftransformierend, herabtransformierend oder bidirektional) zwischen einer Hochspannungs- und einer Niederspannungsseite. Eine Dickson-Ladungspumpe ist ein Beispiel für eine derartige Umwandlungsschaltung. Die Steuerung der Ladungsübertragung zwischen den Kondensatoren nutzt im Allgemeinen Schaltelemente, die als „Schalter” fungieren, zum Beispiel Dioden oder FET-Transistoren.
  • Einige Konfigurationen von Schaltelementen und Kondensatoren begrenzen die typische maximale Spannung über die Schaltelemente hinweg im Normalbetrieb. Derartige begrenzte Spannungen ermöglichen die Verwendung von Schaltelementen, die nicht zwingend die vollständige Spannung der Hochspannungsseite oder die Differenz zwischen der Spannung der Hochspannungsseite und der Spannung der Niederspannungsseite beinhalten müssen, wodurch die Verwendung von „Niederspannungs”-Elementen ermöglicht wird. Zum Beispiel weisen bei einer herkömmlichen Dickson-Ladungspumpe mit einer Umwandlung zwischen 20 Volt und 5 Volt in 4 Stufen die Schaltelemente typischerweise ein Maximum von 10 Volt während des Betriebs auf und erfordern somit eine Spannungsfestigkeit (z. B. Durchschlagspannungsfestigkeit) von 10 Volt.
  • Ladungspumpen transformieren eine Eingangsspannung durch Speichern eines Teils der Eingangsspannung über alle Kondensatoren hinweg herauf oder herab. Da sich das Ausmaß der Spannungsumwandlung erhöht, erhöht sich die Zahl der benötigten Kondensatoren. Es sind Schalter an beiden Anschlüssen aller Kondensatoren erforderlich, um die Ladungsübertragung durchzuführen und die Ladungspumpe zu konfigurieren, um ein gewünschtes Spannungsumwandlungsverhältnis bereitzustellen.
  • 1A1B zeigen zwei Ladungspumpen. Die erste in 1A ist eine 1:3-Herabtransformationskonfiguration und die zweite in 1B ist eine 3:1-Herauftransformationskonfiguration. Die Spannungsetiketten an jedem Knoten haben zwei Werte, einen für jede Betriebsstufe: Spannungswert während Stufe 1/Spannungswert während Stufe 2. Jeder Schalter muss auf eine nicht überlappende Weise während Stufe 1 oder Stufe 2 ein- und ausgeschaltet werden. Sowohl für die Herauftransformation als auch für die Herabtransformation ist der als VX ausgewiesene Knoten das niedrigste Ladungspumpenspannungsniveau: VX ist typischerweise der Ausgang einer Herabtransformation und umgekehrt der Eingang einer Herauftransformation. VX legt ferner den Gerätespannungsabfall über alle Schalter hinweg fest, wenn der Schalter ausgeschaltet ist: die Schalter an der Unterseite der Kondensatoren weisen jeweils einen maximalen Spannungsabfall von VX auf, während die Schalter an der Oberseiter aller Kondensatoren einen maximalen Spannungsabfall von 2VX aufweisen. Das bedeutet, dass die als Schalter an der Oberseite der Kondensatoren ausgewählten Transistoren eine Drain-Source-Durchschlagspannung (BVDSS nach engl. „drain-to-source breakdown voltage”) über 2VX erfordern, um Schäden zu verhindern. Im Allgemeinen: Je höher die BVDSS eines MOS-Transistors ist, desto größer sind der Transistorbereich und die Kapazitäten für einen bestimmten an-Widerstand, was die Chip-Kosten und den Schaltleistungsverlust erhöht. Deshalb ist es wünschenswert, einen Transistor zu verwenden, dessen BVDSS nahe an dem maximalen Spannungsabfall ist, den der Transistor unterstützen muss.
  • 2 zeigt eine verschachtelte Version der herabtransformierenden Ladungspumpe aus 1A, bei der die Schalter an der Oberseite jedes Kondensators einen maximalen Spannungsabfall von nur VX aufweisen. Es ist zu beachten, dass die verschachtelte Topologie den maximalen Spannungsabfall, der über alle Schalter hinweg auftritt, verringern kann, indem sie jeden der oberen Schalter einfach kaskodiert (oder unter Verwendung von zwei in Reihe geschalteten Transistoren je oberen Schalter), obwohl andere Vorgehensweisen dieses Ziel ebenfalls erreichen können. Für die meisten CMOS-Prozesse sind die Effizienz und die Chip-Bereich-Gewinne bei der Verwendung derselben niedrigen BVDSS trotzdem so vorteilhaft, dass sie die höhere Transistor-Zählung und die Komplexität rechtfertigen. Die Komplexität entsteht dadurch, dass diese Niederspannungstransistoren bei unterschiedlichen Gleichtaktspannungsvielfachen von VX gesteuert und betrieben werden müssen. Unter Bezugnahme auf 2 als Beispiel kann der Schalter, der den obersten Kondensator mit VIN bei 6 V verbindet, ein 3,3 V-Transistor sein, da der Transistor 2 V differenziell über seine Drain-Source-Anschlüsse hinweg aufweist, wenn er nicht leitet, obwohl die absoluten Spannungs-Niveaus an den Transistor-Drain- und -Source-Anschlüssen (4 V oder 6 V je nach Betriebsstufe; wobei 4 V die Gleichtaktspannung für diesen Schalter sind) 3,3 V übersteigen. Das liegt daran, dass die BVDSS eine Differenzspannungsbeschränkung bei dem Drain-Source-Anschluss des Transistors statt einer absoluten Beschränkung an jedem der Transistor-Anschlüsse ist. Obwohl die Drain- und Source-Anschlüsse jeweils eine absolute Durchschlagspannung auf das Siliziumsubstrat haben, sind diese absoluten Durchschlagspannungen typischerweise wesentlich höher als die BVDSS und ermöglichen deshalb, dass der Transistor in einem Gleichtaktspannungsniveau über der BVDSS betrieben wird.
  • Zusätzlich zu der BVDSS ist eine weitere Differenzspannungsbeschränkung für einen MOS-Transistor die maximale Gate-Source-Spannung (VGSmax), die durch die Gate-Oxid-Durchschlagspannung bestimmt wird. Moderne CMOS-Prozesse mit kleinen Geometrien und Niederspannungstransistoren erfordern dünnere Gate-Oxide, um die Leistung aufrechtzuerhalten, was ebenfalls zu geringeren VGSmax-Werten führt. Dies macht die Konzeption einer Ladungspumpe mit einem Hochspannungsumwandlungsverhältnis unter Verwendung von Niederspannungstransistorschaltern noch komplizierter, da Sorgfalt geboten ist, um ein Überschreiten sowohl der Gate-Source- als auch der Drain-Source-Spannungsbeschränkung während des Schaltbetriebs zu vermeiden.
  • Handelsübliche Niederspannungstransistoren-Flavours wie beispielsweise die 1,8 V-, 3,3 V- und gelegentliche die 5 V-Transistoren spezifizieren üblicherweise eine VGSmax-Festigkeit gleich der maximalen Drain-Source-Spannungsfestigkeit, VDSmax, wobei VDSmax < BVDSS. Bei Anwendungen, bei denen die minimale VX-Spannung in dem Betriebsbereich ausreichend über der Transistorschwellenspannung liegt, ist es praktisch und günstig, dasselbe VX-Spannungsniveau für die Transistor-Gate-Treiber zu verwenden statt zu diesem Zweck separate interne Versorgungsschienen zu generieren. Dies ist durch die Tatsache begründet, dass bereits ein VX-Niveau-Spannungsbereich generiert ist und zwischen einem nicht schaltenden Knoten (z. B. VIN, VX, 4 V-Knoten zwischen den Kondensatoren aus 2) in der verschachtelten Ladungspumpe getragen wird, der in dem Ladungspumpenbetrieb selbst enthalten ist. Deshalb kann der Gate-Treiber für jeden Transistor hinsichtlich des Niveaus auf das Gleichtaktspannungsniveau dieses Transistors verschoben werden, dieselben Niederspannungstransistoren verwenden und die Transistor-Gate-Source-Spannung, wie in 3 dargestellt, zwischen 0 V und VX bringen. Der n-te Abschnitt einer verschachtelten Ladungspumpe, die zwei Schalter an der Oberseite eines Kondensators zeigt, wobei n eine ganze Zahl ist. Eine äquivalente Transistor-Niveau-Darstellung ist rechts mit Gate-Treibern dargestellt, die verwendet werden, um die Transistoren ein- und auszuschalten. Die Transistoren und die Gate-Treiber-Schaltung weisen durchweg ein Maximum der VX-Spannung auf. Der Hochspannungsschalter ist als PMOS-Transistor dargestellt, kann jedoch auch ein NMOS sein, wenn sein Gate-Treiber zwischen dem dargestellten Kondensatorknoten und einem angrenzenden Kondensatorknoten gebootstrappt wurde, der zwischen Vn+1 und Vn+2 schaltet.
  • Ladungspumpen transformieren eine Eingangsspannung durch das Speichern eine Teils oder von Vielfachen der Eingangsspannung bei den Kondensatoren herauf oder herab. Da sich das Ausmaß der Übertragung vergrößert, vergrößert sich die Anzahl der verwendeten Kondensatoren. Jeder Kondensator hilft dabei, eine einmalige Zwischenspannung während eines Teils des Betriebszyklus zu bilden. Die Schalter, die verwendet werden, um die Kondensatoren in unterschiedlichen Konfigurationen auszurichten, müssen über eine Energiequelle mit Strom versorgt werden.
  • In 4A–B sind eine Serien-Parallel- und eine Dickson-Ladungspumpe in einer 1:5-(Herabtransformations)-Konfiguration (oder 5:1-Herauftransformationskonfiguration, wenn der Stromfluss umgekehrt wird) dargestellt. Die Spannungsetiketten an jedem Knoten haben zwei Werte: der erste ist der Spannungswert während Stufe 1 des Betriebs; der zweite ist der Spannungswert während Stufe 2 des Betriebs.
  • Bei einer Dickson-Ladungspumpe weist jede Stufe nur einen kleinen Teil der Gesamtspannung an der Hochspannungsseite der Ladungspumpe auf. Dies ermöglicht die Verwendung von Geräten mit niedrigerer Spannungsfestigkeit und erhöht die Effizient. Wenn die Hochspannungsseite sich jedoch plötzlich schnell vergrößert, kann es sein, dass die Niederspannungsschalter einen Überspannungszustand aufweisen, der zu Schäden führen kann.
  • Im Allgemeinen ist es wichtig, die Schaltelemente davor zu schützen, dass sie Spannungen ausgesetzt werden, die ihre Durchschlagspannungen überschreiten, um Schäden an der Wandlungsschaltung oder einen fehlerhaften Betrieb der Schaltung zu verhindern.
  • Zusammenfassung
  • In einem Aspekt werden im Allgemeinen Übergangs- oder Fehlerzustände bei einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren durch Messen von mindestens einer internen Spannung und/oder Stromstärke, die in Verbindung mit Schaltelementen (z. B. Transistoren) oder Phasenknoten steht, oder von Spannungen oder Stromstärken an Anschlüssen des Wandlers erkannt und sie erkennen aufgrund dieser Messungen, dass ein solcher Zustand aufgetreten ist, wenn die Messungen von einem vorfestgelegten Bereich abweichen. Bei Erkennen des Zustands ändert eine Fehlerbeherrschungsschaltung den Betrieb des Wandlers, zum Beispiel durch das Verwenden eines Hochspannungsschalters, um zumindest einige der Schaltelemente von mindestens einem Anschluss des Wandlers elektrisch zu trennen, oder durch das Ändern der Timing-Eigenschaften der Phasensignale.
  • In einem anderen Aspekt kann im Allgemeinen im Falle, dass ein Kondensator versehentlich mit der nächsten Stufe durch sich selbst hinweg oder mit der Erde (wie beispielsweise seiner Bodenplatte mit der Erde) kurzgeschlossen wird, ein Überspannungs- und ein Unterspannungsschutz eingesetzt werden. Jeder Kondensator in der Ladungspumpe wird überwacht, um festzustellen, ob er sich innerhalb eines akzeptablen Bereichs in Bezug auf das Ladungspumpenverhältnis befindet. Zum Beispiel sollte, wenn der Ausgang der Ladungspumpe 2 V beträt, der Kondensator, der am nächsten an dem Ausgang gelegen ist, etwa 2 V betragen. Beim adiabatischen Laden kann die Kondensatorspannung während aller Zyklen etwas variieren, sodass ein ausreichender Spielraum bei dem Über- und Unterspannungsschutz vorhanden sein muss, um eine normale Spannungsvariation zu ermöglichen.
  • In einem anderen Aspekt weist im Allgemeinen ein Stromwandler eines geschalteten Kondensators einen ersten Anschluss zum Anschließen an eine erste externe Schaltung bei einer im Wesentlichen hohen Spannung und einen zweiten Anschluss zum Anschließen an eine zweite externe Schaltung bei einer im Wesentlichen niedrigen Spannung auf, die niedriger ist als die hohe Spannung. Beim Betrieb des Stromwandlers verläuft die Ladung auf einem Ladungsübertragungsweg zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss. Der Wandler umfasst eine Mehrzahl von Halbleiterschaltelementen. Diese Schaltelemente umfassen eine erste Reihe von Schaltelementen auf dem Ladungsübertragungsweg zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei kein Schaltelement in der ersten Reihe von Schaltelementen in Reihe mit entweder dem ersten Anschluss oder dem zweiten Anschluss verbunden ist, um im Wesentlichen die gesamte Stromstärke, der dieses Anschluss durchläuft, zu tragen, und wobei jedes Schaltelement in der ersten Reihe von Schaltelementen so konfiguriert ist, dass es einen steuerbaren Ladungsübertragungsweg zwischen einer entsprechenden Teilmenge einer Mehrzahl von Kondensatoren bildet. Diese Schaltelemente umfassen ferner eine zweite Reihe von Schaltelementen, die so konfiguriert sind, dass sie eine elektrische Verbindung zumindest einiger der Kondensatoren mit wechselnden Referenzspannungen bilden. Die Mehrzahl der Schaltelemente ist so konfiguriert, dass sie die Verbindungen in aufeinanderfolgenden Betriebszuständen bilden. Der Kondensator umfasst ferner eine Messschaltung, die so konfiguriert ist, dass sie eine Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaft von mindestens einem Schaltelement der ersten Reihe von Schaltelementen oder der zweiten Reihe von Schaltelementen misst, und eine mit der Messschaltung verbundene Fehlerbeherrschungschaltung, die so konfiguriert ist, dass sie den Betrieb des Stromwandlers bei Erkennen eines Zustands, der bestimmt wurde, als die gemessenen Eigenschaften der Schaltelemente von einem vorfestgelegten Bereich für diese Eigenschaften abwich, ändert.
  • Aspekte können mindestens eines der folgenden Merkmale umfassen.
  • Die Mehrzahl von Schaltelementen umfasst ferner eine dritte Reihe von Schaltelementen auf dem Ladungsübertragungsweg zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, die in Reihe mit entweder dem ersten Anschluss oder dem zweiten Anschluss verbunden ist.
  • Die zweite Reihe von Schaltelementen umfasst Schaltelemente, die eine elektrische Verbindung zumindest einiger Kondensatoren mit dem Niederspannungsanschluss während einiger Betriebszustände (z. B. an „Phasenknoten” des Kondensators) bildet.
  • Die Betriebsstufen umfassen eine wiederholte Abfolge von getakteten Stufen.
  • Der Wandler umfasst ferner die Mehrzahl von Kondensatoren, wobei jeder Kondensator ein Anschluss aufweist, der mit einem Anschluss mindestens eines der Schaltelemente aus der Mehrzahl von Schaltelementen verbunden ist. In einigen Beispielen sind die Kondensatoren und Schaltelemente in eine monolithische Vorrichtung integriert.
  • Der Wandler umfasst eine Dickson-Ladungspumpe.
  • Die Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaften des mindestens einen Schaltelements gehören zu einer Gruppe bestehend aus:
    • • einer Spannung über die Anschlüssen eines Schaltelements der ersten Reihe der Schaltelemente hinweg;
    • • eine Stromstärke durch ein Schaltelement der ersten Reihe von Schaltelementen;
    • • eine Spannung an einer Verbindungsstelle zwischen einem Schaltelement der ersten Reihe von Schaltelementen und einen Kondensator aus der Mehrzahl von Kondensatoren;
    • • einer Spannung über die Anschlüssen eines Kondensators aus der Mehrzahl von Kondensatoren, der mit dem Schaltelement verbunden ist, hinweg;
    • • einer Spannung an einer Verbindungsstelle zwischen einem Schaltelement der zweiten Reihe von Schaltelementen und einen Kondensator aus der Mehrzahl von Kondensatoren; und
    • • eine Stromstärke durch ein Schaltelement der ersten Reihe von Schaltelementen.
  • Die Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaft des Schaltelementes umfasst eine Spannung über die Anschlüsse des Schaltelements hinweg.
  • Die Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaft des Schaltelementes umfasst eine Stromstärke durch die Anschlüsse des Schaltelements.
  • Die Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaft des Schaltelementes umfasst eine Spannung an einem Anschluss des Schaltelements.
  • Die Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaft des Schaltelements umfasst eine Spannung über die Anschlüsse eines Kondensators aus der Mehrheit von Kondensatoren, die mit den Schaltelementen verbunden sind, hinweg.
  • Die Schaltelemente der zweiten Reihe von Schaltelementen bilden einen Phasengenerator, und wobei die Spannungs- und/oder Stromstärkeneigenschaft des Schaltelements eine Spannung und/oder Stromstärke umfasst, die von dem Phasengenerator bereitgestellt wird.
  • Jedes der Halbleiterschaltelemente umfasst einen FET-Transistor zum Verbinden von mindestens zwei der Kondensatoren.
  • Zumindest einige der Halbleiterschaltelemente umfassen ein Netzwerk aus mehreren FET-Transistoren.
  • Zumindest einige der Schaltelemente der ersten Reihe von Schaltelementen oder der zweiten Reihe von Schaltelementen weisen einen maximalen Spannungswert auf, der niedriger ist als die Hochspannung.
  • Zumindest einige der Schaltelemente der ersten Reihe von Schaltelementen oder der zweiten Reihe von Schaltelementen weisen einen maximalen Spannungswert auf, der niedriger ist als die Differenz zwischen der Hochspannung und der Niederspannung.
  • Zumindest einige der Schaltelemente der ersten Reihe von Schaltelementen oder der zweiten Reihe von Schaltelementen weisen einen maximalen Spannungswert auf, der nicht größer ist als ein Teil 1/N, N < 1, der Differenz zwischen der Hochspannung und der Niederspannung.
  • Die Fehlerbeherrschungsschaltung umfasst mindestens einen Schalter, der einen maximalen Spannungswert aufweist, der größer ist als der Spannungswert zumindest einiger aus der Mehrzahl von Schaltungen, wobei der mindestens eine Schalter so konfiguriert ist, dass er den Stromfluss durch zumindest einige Schaltelemente aus der Mehrzahl von Schaltelementen elektrisch trennt oder beschränkt. In einigen Beispielen umfasst der mindestens eine Schalter einen Schalter, der direkt an den ersten Anschluss angeschlossen ist. In einigen Beispielen umfasst der mindestens eine Schalter einen Schalter, der zwischen zwei Schaltelementen aus der Mehrzahl von Schaltelementen angeschlossen ist.
  • Die Fehlerbeherrschungsschaltung ist so konfiguriert, dass sie die Eigenschaften der Phasen bei Erkennen des Zustands verändert. In einigen Beispielen gehören die Eigenschaften der Phasen zu einer Gruppe bestehend aus:
    • • einem Arbeitszyklus getakteter Phasen;
    • • einer Taktungsfrequenz der Phasen;
    • • einem Überspringen mindestens eines Taktzyklus der getakteten Phasen.
  • 1A und 1B sind Schaltpläne einer Ladungspumpe mit einem Spannungsumwandlungsverhältnis von 1:3 (Step-Down), beziehungsweise einer Ladungspumpe mit einem Spannungsumwandlungsverhältnis von 1:3 (Step-Up).
  • 2 ist ein Schaltplan einer verschachtelten Version der Step-Down-Ladungspumpe aus 1A.
  • 3 ist ein Schaltplan einer Darstellung auf Transistorebene eines Paars Schalter.
  • 4A–B sind Schaltpläne einer Reihen-Parallel-Ladungspumpe, beziehungsweise einer Dickson-Ladungspumpe.
  • 5 ist ein Schaltplan einer Fehleranzeigeschaltung.
  • 6 ist ein Schaltplan einer Ladungspumpe mit Fehlererkennungsschaltung.
  • 7 ist ein Schaltplan einer Ladungspumpe mit Kaskoden-Schaltern.
  • 8 ist ein Schaltplan einer Ladungspumpe mit Kaskoden-Schaltern und Erkennungsschaltung.
  • 9 ist ein Schaltplan einer Ladungspumpe mit Eingangssteuerung.
  • 10 ist ein Schaltplan einer Ladungspumpe mit Eingangstrenner.
  • 11A–B sind Schaltpläne von High-Side- und Low-Side-Schaltern für einen Step-Down, beziehungsweise einen Step-Up.
  • 12A–B sind Schaltpläne von Stromerkennungsschaltungen.
  • 13 ist ein Schaltplan eines Fehlererkenners mit einer Ladungspumpe nach 1A.
  • 1415 sind Schaltpläne für Stromerkennungsschaltungen und Vergleichsschaltungen, die geeignet sind für eine Verwendung in der Schaltung von 13.
  • 16 ist ein Schaltplan, der eine Step-Down-Ladungspumpe mit einer Fehlererkennungsschaltung beinhaltet.
  • 1720 sind Schaltpläne, die jeweils einen fehlenden oder offenen Anschlusspol-Fehlererkenner enthalten.
  • Beschreibung
  • 1 Übersicht
  • Im Folgenden wird eine Reihe an verwandten Herangehensweisen beschrieben, die der Erkennung von Fehlern (oder potentiellen Fehlern oder potentiellen Fehlfunktionen, Überschreiten der Nennleistung von Geräten, usw.) von Switched-Capacitor-Leistungswandler und/oder Schaltungen, die mit solchen Wandlern gekoppelt sind (z. B. Lastkreis), und in manchen Fällen, Herangehensweisen für die Steuerung des Betriebs von Wandlern nachdem solch ein Fehler erkannt wurde, z. B. um Fehlfunktionen inner- und außerhalb der Ladungspumpe zu vermeiden. Diese Fehler oder Fehlfunktionen können im Betrieb oder in einem abgeschalteten (z. B. wenn nicht aktiv im Betrieb als Leistungswandler) aber bestromten Zustand auftreten. Es gilt zu beachten, dass die im Folgenden beschriebenen Herangehensweisen unabhängig von einander verwendet werden können, und im Allgemeinen, zusammen in verschiedenen Kombinationen verwendet werden können. Des Weiteren, sollte klargestellt werden, dass obwohl die im Folgenden beschriebenen Herangehensweisen im Kontext bestimmter Typen an Wandlern veranschaulicht werden können (z. B. Reihen/Parallel oder Dickson), zumindest ein Teil der Herangehensweisen auf eine viel größere Bandbreite an Wandlern anwendbar ist.
  • Eine Reihe der im Folgenden beschrieben Herangehensweisen unterscheiden sich je nachdem, was gemessen wird, und je nachdem, wie der Fehler oder die Fehlfunktion abgeschwächt wird.
  • Messungen können eine oder mehr enthalten von
    • • Spannung über der Quelle und Drain eines Schalttransistors
    • • Strom durch einen Schalttransistor;
    • • Spannung am Anschlusspol eines Kondensators des Wandlers (z. B. am Anschlusspol eines Geräts, an welchem ein externer Kondensator angebracht ist, an einem Anschlusspol an dem ein Schalttransistor angebracht ist. Usw.)
    • • Spannung und/oder Strom am Hoch- oder Niederspannungsanschlusspol des Wandlers
    • • Spannung und/oder Strom am Ausgang eines Phasenknotens, oder an einem Anschlusspol eines Kondensators, der an einem Phasenknoten angebracht ist
  • Herangehensweisen zum Abschwächen des Fehlers oder der Fehlfunktion können einen oder mehrere der folgenden Punkte enthalten:
    • • Unterbrechen des Betriebs des Wandlers (z. B. Unterbrechen des getakteten Betriebs);
    • • Modifizieren des Takts des Wandlers ohne den Betrieb zu unterbrechen, z. B. durch Erhöhung oder Verlangsamung der Taktgeschwindigkeit, Änderung des Arbeitszyklus usw., um ein Spannungsgleichgewicht innerhalb des Wandlers zu erlauben, jegliches Schalten zu verhindern;
    • • Neustart des Wandlers (z. B. Ausführen einer Betriebsstartsequenz);
    • • Steuern eines Hochspannungsschalters (Transistor) am Hochspannungsanschlusspol des Wandlers, z. B., um den Stromfluss durch den Wandler zu begrenzen (z. B. durch Öffnen des Schalters, um den Stromfluss anzuhalten oder durch Stellen des Schalters in einen Konstantstrommodus);
    • • Entkoppeln des elektrischen Pfads (der elektrischen Pfade) durch den Wandler mit einem oder mehr Schaltern (z. B. Hochspannungsschalter), die sich auf internen Pfaden im Wandlern befinden können;
    • • Generieren eines logischen Fehleranzeigers, der einen Pinübergang oder ein externes Unterbrechungssignal verursacht, so dass der Anwender benachrichtigt wird und Korrekturmaßnahme vornehmen kann (z. B. Reduzierung der externen Last, Unterbrechung des Wandlerbetriebs)
    • • Ändern des logischen Zustands von einem oder mehr Bits in einem internen Register, je nach Art des/der erkannten Fehler(s), um den Anwender bei der Beseitigung der Fehler zu unterstützen, wenn die Inhalte des internen Registers zurückgelesen werden
  • In der folgenden Diskussion werden FET-Transistoren als Beispiel für Halbleiterschaltelemente verwendet. Andere Arten an Geräten (z. B. andere Arten an Transistoren) und Netzwerke aus mehreren Geräten (z. B. Reihenschaltungen und/oder Parallelschaltungen von Transistoren) können verwendet werden, um solche Schalter zu bilden.
  • Es gilt zu beachten, dass in manchen Implementierungen der Wandler eine Reihe an parallelgeschalteten Wandlern beinhalten könnte, die phasenverschoben zueinander arbeiten (z. B. zwei parallelgeschaltete Wandler, die um 180 Grad phasenverschoben sind, drei Wandler, die um 120 Grad phasenverschoben sind mit überlappenden Phasen, usw.), und die Herangehensweisen zur Erkennung und Abschwächung unabhängig für jede Phase durchgeführt oder koordiniert werden könnten. Beispielsweise können während einer Wiederherstellung/eines Neustarts von einem der parallelgeschalteten Wandler die restlichen Wandler dafür rekonfiguriert werden, in einer Weise zu arbeiten, die eine ununterbrochene Leistungsumwandlung bietet (z. B. durch passendes Anpassen ihrer relativen Phasen, Übertaktungsrate, usw.).
  • 2 Wahrnehmen von Über-/Unterspannung an Anschlusspolen
  • Wie oben beschrieben, verwendet eine Herangehensweise im Allgemeinen wahrgenommene Spannungen an den Anschlusspol des Wandlers um Unter- oder Überspannungsbedingungen zu erkennen. In mehreren Ausführungsformen ist die Ladungspumpe dafür konfiguriert, den Betrieb der Ladungspumpe unter atypischen oder fehlerhaften Bedingungen zu verhindern, die
    • a) die VGSmax- und VDSmax-Nennleistung der Schalttransistoren, ihrer Gatetreiber und zugehörigen Steuerschaltung überschreiten würden,
    • b) den Transistor in einem schwachen Zustand betreiben würden, wobei funktionelles oder parametrisches Fehlverhalten auftreten kann,
    • c) ein Untersystem, welches sich in Reihenschaltungen mit VX befindet, dazu bringen würden, außerhalb seines normalen Umfangs zu arbeiten
  • Wenn Ereignis (a) auftritt, kann der Schaden an der Ladungspumpe unmittelbar und langfristig sein, wobei der Teil weiterarbeiten könnte, aber mit einem reduzierten Niveau an Robustheit und Leistung. Ereignis (b) und (c) können anomales Betriebsverhalten verursachen, welches zudem die Robustheit und Leistung des Teils vermindern kann. Solche Ereignisse können auftreten, da es sich bei VX wahrscheinlich um einen Gehäusepin handelt, wodurch es exponiert und anfällig ist für physischen Kontakt durch den Anwender. Des Weiteren, könnte der Montageprozess selbst Kurzschlüsse oder Offenheiten an einem Gehäusepin oder einer externen Komponente verursachen, oder Kurzschlüsse zwischen benachbarten Pins oder Komponenten schaffen. Beispielsweise könnte ein Anwender, der verschiedene Knoten auf dem Gehäuse oder dem Board während der Betreibung einer Step-Down-Ladungspumpe untersucht, versehentlich VX an der Masse oder einer Versorgungsschiene kurzschließen. Oder der Anwender könnte ungewollt mehr Laststrom als vorgeschrieben an VX anlegen und dadurch verursachen, dass die VX-Spannung unter den normalen Betriebsbereich fällt. Wenn die Kondensatoren außerhalb des Chips und des Gehäuses der Ladungspumpe liegen, könnte ein Schaden im Montageprozess einen Kondensator auslassen oder eine der Kondensatorverbindungen mit der Ladungspumpe offenlassen. Falls die Ladungspumpe mit einem fehlenden oder offenen Kondensator betrieben wird, würde die VX-Spannung ebenfalls fallen.
  • Bei Anwendungen, in denen die Ladungspumpe in Reihenschaltungen mit einem anderen Untersystem wie einem LDO oder einem anderen Schaltwandler (induktor- oder kondensatorbasierend) betrieben wird, kann VX entweder der Eingang, der dieses Untersystem mit Strom versorgt, oder der Ausgang des Untersystems, der die Ladungspumpe mit Strom versorgt, sein. In beiden Fällen könnte ein Unter- oder Überspannungsereignis an XV auch unerwünscht sein für die Leistung und Robustheit des Untersystems.
  • 2.1 Wahrnehmung und Aussperrung von VX Unter- und Überspannung
  • In manchen Ausführungsformen wird die VX-Spannung während des Betriebs oder im abgeschalteten aber bestromten Zustand wahrgenommen, und ein interner Anzeiger wird von der Schaltung in oder in Verbindung mit der Ladungspumpe generiert, um den Betrieb zu deaktivieren oder den Betrieb der Ladungspumpe bei Freigabe (Aussperrung) zu verhindern, immer wenn sich die VX-Spannung außerhalb eines vordefinierten Spannungsfenster bewegt. Wenn VX unter die untere Grenze des Fensters fällt, ist VX Unterspannungen, während VX Überspannung ist, wenn VX über die obere Grenze des Fensters steigt. Wahrnehmung und Aussperrung von VX-Unterspannungen (UVLO) und VX-Überspannungen (OVLO) implementiert einen Schutz erster Ordnung der Niederspannungstransistoren, die in einer Ladungspumpe mit hohem Spannungswandlungsverhältnis verwendet werden, indem der Betrieb der Ladungspumpe verhindert wird, falls die absolute maximale Spannungsnennleistung des Transistors überschritten wird oder falls der Transistor aufgrund eines unzureichenden Gatedrives nicht zuverlässig schalten kann.
  • Der OVLO-Grenzwert, oder die obere Grenze des VX-Wahrnehmungsfensters, sollte über den maximalen VX-Betriebspegel gesetzt werden, welcher von der Anwendung benötigt wird, aber unterhalb der VDSmax Nennleistung der Transistoren, um einen Spielraum für Toleranzen in der OVLO-Schaltung und den VX-Spannungsschwankungen zu geben. Der UVLO-Grenzwert, oder die untere Grenze des VX-Wahrnehmungsfensters, wird beispielsweise unter den kleinsten VX-Betriebspegel gesetzt, einschließlich der größten VX-Welligkeitsamplitude, die über dem Anwendungsraum auftreten würde, aber über den Pegel, bei welchem die grundlegende Funktionalität von Transistoren scheitern oder in dem Maße abnehmen würde, dass es die Leistung der Ladungspumpe und/oder eines Untersystems, welches sich in Reihenschaltung mit VX befindet, nachteilig beeinflussen würde. Beispiele für die zuletzt genannten Einschränkungen sind die Spannungen, bei denen der Gatetreiber-Ausgang scheitert, gemäß dem Gatetreiber-Input überzugehen, oder bei denen die Laufzeitverzögerung des Gatetreibers sich in einem Maße erhöht, das Fehlverhalten an einer anderen Stelle in der Ladungspumpe verursacht. Abhängig vom Anwendungsraum gibt es für gewöhnlich mehr Flexibilität beim Festlegen des UVLO-Grenzwertes als beim OVLO-Grenzwert, da der letztere hauptsächlich von der Spannungsnennleistung der Ladungspumpentransistoren eingeschränkt wird. Anstelle eines festen Spannungspegels, kann der UVLO-Grenzwert variabel sein als eine Funktion des VX-Spannungspegels und der VX-Welligkeitsamplitude, falls solche Informationen der Ladungspumpe durch wahrgenommene Eingänge oder intern programmierte Einstellungen zur Verfügung stehen. Beispielsweise könnten die Schaltfrequenz und Kondensatorenwerte der Ladungspumpe intern programmierte Einstellungen sein und diese Einstellungen unmittelbar die VX-Welligkeitsamplitude steuern.
  • 5 zeigt ein Schaltungsbeispiel, welches UVLO- und OVLO-Wahrnehmung am VX-Knoten implementiert. Dieses Beispiel verwendet zwei Komparatoren, deren Ausgänge durch ein Oder-Gatter kombiniert sind, um einen logischen Fehleranzeiger zu generieren. Die Eingänge zu den Komparatoren sind VX oder ein Bruchteil von VX, generiert durch die Verwendung eines internen Spannungsteilers, und die Grenzwerte VTHuvlo und VTHovlo, die skaliert sind von den UVLO- und OVLO-Grenzwerten durch den selben Bruchteil wie der VX-basierte Eingang zum Komparator. In der Praxis ist VTHovlo > VTHuvlo. Wenn die VX-Spannung zwischen den UVLO- und OVLO-Grenzwerten liegt, sind beide Ausgänge der Komparatoren niedrig und daher ist auch der Fehleranzeiger ein logisches LOW. Sonst wird der Fehleranzeiger ein logisches HIGH sein und dieser Logikzustand kann verwendet werden, um den Betrieb der Ladungspumpe zu deaktivieren oder zu aktivieren.
  • Es gilt zu beachten, dass obwohl ein Großteil der Darstellungen der Ladungspumpe für eine Step-Down-Konfiguration gelten, diese Herangehensweise auf ähnliche Weise auch auf Step-Up-Konfigurationen angewendet werden kann, da es sich bei der einen um eine Version mit Leistungsfluss in umgekehrter Richtung der anderen handelt.
  • 3 Erkennung interner Spannungsabweichungen
  • Ein weiterer Ansatz erkennt Abweichungen der Spannung auf Kondensatoren im Wandlern außerhalb ihrer zu erwartenden Arbeitsbereiche.
  • 3.1 Erkennungsverfahren 1
  • 6 zeigt das grundlegende Verfahren angewandt auf die Erkennung eines Fehlerzustandes auf Kondensator C1. Eine ähnliche Schaltung wird benötigt, um die Spannungen auf C2, C3 und C4 zu überwachen. Dieses Beispiel zeigt eine 5:1 Step-Down Dickson-Ladungspumpe, aber es kann ähnlich angewandt werden, wie z. B. auf eine Step-Up-Konfiguration, auf alle möglichen Ladungspumpenverhältnisse und auf die Reihen-Parallel-Ladungspumpen-Topologie.
  • Die Ladungspumpe arbeitet in einer substanziell konventionellen Weise, unter Hinzufügung des PMOS-Geräts MP1 (welches ausgewählt werden muss, um bei der höheren Spannung über C1 zu arbeiten), zusammen mit den Widerständen R1 und R2 und Schalter S10 und den Komparatoren CMP1 und CMP2.
  • Strom I1 ist in etwa proportional zur Spannung über C1 (der Fehler ist die Source-Gate-Spannung von MP1). Current I2 gleicht fast I1. Durch geeignete Selektion von R2 ist die Spannung über diesem Widerstand, in etwa, ein Analogon der Spannung auf C1 und kann wie gewünscht skaliert werden. Schalter S10, zusammen mit Kondensator Cfilter, wird verwendet, um eine Erkennung der Spannung auf R2 nur dann zu ermöglichen, wenn Schalter S8 eingeschaltet ist (Schalter S9 zwingt die R2-Spannung 0 zu sein). Zusammen mit den Referenzspannungen für Unter- und Überspannung bilden CMP1 und CMP2 einen so genannten Fensterkomparator. Werden entweder die OV- oder UV-Ausgänge geltend gemacht, zeigt dies einen Fehlerzustand an, der dann einen oder mehrere der implementierten Schutzmechanismen auslöst.
  • 3.2 Erkennungsverfahren 2
  • 7 zeigt eine möglicherweise praktischere Ausführungsform der 5:1 Dickson-Ladungspumpe. Die zusätzlichen Schalter werden benötigt, weil, unter Verweis auf 6 – die Schalter S2, S3 und S4 im Abschaltzustand der doppelten Spannung über den Schaltern S1 und S5 im Abschaltzustand ausgesetzt sind.
  • Für ein bestimmtes Ladungspumpen-Verhältnis und eine feste VIN, ändern sich die genannten Spannungen V1, V2 und V3 nicht nennenswert. 8 zeigt ein Erkennungsverfahren, welches angewiesen ist auf die Erkennung einer großen Veränderung in der Spannung über den Ladepumpenkondensatoren durch einen Fensterkomparator für jeden Kondensator (wie oben beschrieben). Der Eingang zu diesem Fensterkomparator ist eine abgeschwächte Version der Spannungen der Ladepumpenkondensatoren selbst. Die Widerstandsverhältnisse R1/R2, R3/R4 und R5/R6 werden so gewählt, dass diese Kondensatorspannungen angemessen skaliert werden. Die Komparatorausgangssignale OV_ und UV_ können verwendet werden, um einen oder alle der implementierten Schutzmechanismen auszulösen.
  • 4 High-Side-Transientenschutz
  • Unter Verweis auf 9 ist eine andere Möglichkeit, um vor transienten Fehlern zu schützen, die Verwendung eines Hochspannungstrenn-(SWINP)-Schalters, der während eines transienten Ereignisses als spannung- oder strombegrenzendes Gerät agiert. Das in der Schaltung von 9 implementierte Verfahren steuert den SWNIP-Schalter mit einem oder einer Kombination aus mehreren Betriebsmodi.
    • • Ein möglicher Modus ist als ein Low-Drop-Out-(LDO)-Regler.
    • • Ein zweiter Modus ist ein Strombegrenzungs-(CL)-Schalter.
    • • Ein dritter Modus ist ein Überspannungsbegrenzer (TVS).
  • Im LDO-Modus hat die Spannung an N1 einen Maximalwert. Die STEUERUNG erlaubt es nicht, dass eine Spannung auf N1 die Maximalspannung, die die Ladungspumpe aushalten kann, überschritten wird. In dem Zustand, in welchem VIN kleiner ist, als die Maximalspannung, wäre der Schalter SWINP in einem niederohmigen Zustand. Beispielsweise ist die erlaubte Maximalspannung auf N1 22 Volt. Bei normalem Betrieb ist die Spannung auf VIN 20 Volt. Die Spannung auf N1 ist fast 20 Volt. Die VIN-Speisung steigt auf 22 Volt. Die Spannung auf N1 bleibt bei 20 Volt.
  • Im CL-Modus gibt es eine Maximalspannung, der SWINP gestattet von VIN nach N1 durchzulaufen. In dem Zustand, in dem N1 an oder unter der Maximalspannung ist, die durch LDO vorgegebenen wird, ist die Ausgangsspannung von SWNIP begrenzt. Beispielsweise ist bei normalem Betrieb VIN = 16 Volts und die Spannung auf N1 ist fast 16 Volt. Die Spannung durch SWNIP ist < 1 Ampere. Eine Situation tritt auf, in der die Spannung durch SWNIP 3 Ampere zuführen müsste, um den Knoten N1 bei 16 Volt zu halten. Diese 3 Ampere liegen über dem sicheren Betriebsbereich auf den Schaltern. Die STEUERUNG würde den SWNIP-Strom auf 2 Ampere begrenzen und die Spannung auf N1 würde abnehmen. Es gilt zu beachten, dass dieser Modus auch nützlich dafür ist, indirekt den Effekt von transienten Spannungen auf die Anschlusspole abzuschwächen.
  • Im TVS-Modus ist es der Spannung auf N1 nicht erlaubt, sich mehr zu ändern als eine vorgegebene Rate. Die Spannung auf N1 ist unter dem Maximum, welches durch LDO zugelassen wird, der Strom ist unter dem Maximum, welches durch CL zugelassen wird. Der TVS erlaubt es der Ladungspumpe, die Spannung von N1 angemessen an die Kondensatoren C_ umzuverteilen. Beispielsweise ist bei normalem Betrieb VIN = 16 Volts. Der Strom durch SWNIP ist < 1 Ampere. Eine Situation tritt auf, in der die Spannung auf VIN in 10–6 Sekunden (1 μs) auf 18 Volt ansteigt. Die maximale Anstiegsrate der Spannung auf N1 ist dafür entworfen 0,100 Volt pro μs zu sein. Die Spannung auf N1 wird auf 18 Volt ansteigen, aber die STEUERUNG würde dafür sorgen, dass sie 20 μs braucht, diesen neuen Spannungspegel auf N1 zu erreichen.
  • 4.1 High-Side-Schutz
  • In einer konventionellen Dickson-Ladungspumpe (siehe z. B. 4B), sieht jede Stufe nur einen kleinen Bruchteil der gesamten Spannung an der Hochspannungsseite (VIN) der Ladungspumpe. Im Betrieb in einem beständigen Zustand überschreitet die Spannung über jeglichen SW_ nicht VOUT. Dies erlaubt die Verwendung von Schaltern für niedrigere Spannungen und erhöht die Effizienz.
  • Bevor Strom an die Schaltung angelegt wird, sind alle Knoten bei einem Potential von null Volt (GND). Wenn eine Spannung VIN zuerst an die Schaltung angelegt wird, ist die Spannung über den Kondensatoren C1, C2, C3, C4 immer noch null Volt. Dies erfordert, dass der Schalter SW4 dafür designt ist, die volle Spannung von VIN zu unterstützen.
  • Die Schalter SW_ werden alle regelmäßig zwischen einem niederohmigen Zustand und einem hochohmigen Zustand in einer vorgegebenen Sequenz umgeschaltet. Jeder Schalter SW_ hat eine Gate-Kapazität. Das Auf- und Entladen der Gate-Kapazität ist ein Energieverlust. Wenn ein Schalter umgeschaltet wird, gibt es einen begrenzten Energieverlust. Dieser Energieverlust reduziert die Effizienz der Ladungspumpe. Der Energieverlust ist abhängig vom Schalterdesign.
  • Ein Schalter für höhere Spannungen hat typischerweise eine viel größere Gate-Kapazität. Der Energieverlust durch Umschalten eines Schalters, der für hohe Spannungen designt ist, ist wesentlich größer als der Energieverlust eines Schalters des selben Niederohmwerts, der für niedrige Spannungen designt ist.
  • Es ist vorteilhaft, einen zusätzlichen Trennschalter (SWNIP) an der Hochspannungsseite zu verwenden, der für hohe Spannungen designt ist, wie zu sehen auf 10. Da der Schalter nicht regelmäßig umschaltet, wenn die Ladungspumpe in Betrieb ist, beeinträchtigt seine große Gate-Kapazität nicht die Leistung.
  • Während dem Einschalten ist der Schalter SWIP dazu in der Lage, die Spannungen zu bewältigen, die an die übrigen Schalter angelegt werden. Die Spannung auf N1 wird so bewältigt, dass sich die Kondensatoren C_Spannungen in einem beständigen Zustand annähern können, ohne die Schalter SW_ übermäßig zu belasten. Dies erlaubt es den übrigen Schaltern, Schalter zu bleiben, die für niedrige Spannungen designt sind.
  • Es gibt mehrere mögliche Fehler für einen Ladungspumpenleistungswandler. Fehler beinhalten sowohl interne als auch externe Geräte. Fehler können auftreten bevor Strom angelegt wird oder während eines bestromten Betriebs. Ein Kondensator kann zu seiner elektrischen Offenheit werden oder beliebige zwei Knoten können elektrisch kurzgeschlossen werden. Häufig auftretende Fehler beinhalten Fehler bei der Montage mit zu viel oder zu wenig Lötmetall an den Verbindungen der Leiterplatte. Kommt es zu einem Fehler, kann dieser SWINP-Schalter den Strom begrenzen oder die Hochspannungsseite von der Ladungspumpe trennen und dabei helfen, sie vor schädlichen Strompegeln zu schützen.
  • 5 Überwachung von Phasenknoten
  • Einige weitere Herangehensweisen machen Gebrauch von einer Überwachung des Stroms an den Phasenknoten des Wandlers.
  • Ausführungsformen solcher Herangehensweisen werden im Folgenden beschrieben und stellen einen effizienten Weg dar, die zahlreichen Arten an Fehlerereignissen zu erkennen, die sowohl die Ladungspumpe als auch ihre Kondensatoren beeinträchtigen könnten. Die erkannten Fehlerereignissen beinhalten einen Phasenknoten, der an einer festen Schiene kurzgeschlossen wird (Massen- oder Phasenpumpenspeisung); einen positiven Anschlusspol eines Kondensators kurzgeschlossen an einer festen Schiene (Massen- oder Eingangsspannung VIN) oder Ladungspumpenausgangsspannung VOUT; einen positiven Anschlusspol eines ersten Kondensators kurzgeschlossen an dem positiven Anschlusspol eines zweiten Kondensators (wobei sich der erste Kondensator am nächsten zu der Eingangsspannung VIN befindet); einen fehlenden oder offenen Kondensator-Anschlusspol; und einen Ladungspumpenausgang kurzgeschlossen an der Masse oder einem Ausgangs-Überstrom.
  • Diese Fehlerereignisse treten am wahrscheinlichsten auf, wenn die Ladungspumpe externe oder nicht integrierte Kondensatoren verwendet, da diese Komponenten und ihre Verbindungen exponiert und anfällig sind für physischen Kontakt durch den Anwender. Des Weiteren, kann der Montageprozess selbst Kurzschlüsse oder Offenheiten an einem Pin oder einer Komponente verursachen oder Kurzschlüsse zwischen benachbarten Pins oder Komponenten schaffen. Die Fehlerereignissen können entweder während dem Starten oder während des normalen Betriebs auftreten.
  • Ausführungsformen, die unten beschrieben werden, verlassen sich zumindest teilweise auf die Erkenntnis, dass eine umfangreiche Fehlerabdeckung für Ladungspumpe auf effiziente Weise (hinsichtlich Chipfläche, Ruhestrom) durch Wahrnehmung des Stroms in den Phasenknoten der Ladungspumpe erreichbar ist. Durch Wahrnehmung des Stromflusses durch die einzelnen Schalter während der Schalter leitet, kann ein Fehlerereignis basierend auf der Stärke und der Polarität des Schalterstroms erkannt werden.
  • Ebenfalls ist es möglich, manche der zuvor genannten Fehlerereignisse wahrzunehmen, durch Wahrnehmung des Stroms durch die Eingangsspannung VIN oder durch die Schalter an den positiven Anschlusspolen eines jeden Kondensators. Allerdings können die Eingangsspannung VIN und die positiven Anschlusspole eines jeden Kondensators abhängig von der Ladungspumpenkonfiguration unter hoher Spannung arbeiten, wodurch es erforderlich ist, dass die Stromwahrnehmungsschaltung dafür designt ist, Hochspannungsgeräte zu verwenden oder zwischen Hochspannungsschienen mit Strom versorgt zu werden.
  • Für einen Hochspannugsbetrieb zu designen erfordert typischerweise mehr Chipfläche und mehr Ruhestrom, im Vergleich zu einer gleichwertigen Schaltung, die vom niedrigsten Spannungsniveau einer Ladungspumpe mit Strom versorgt wird, wie sie verwendet würde in der hier beschriebenen Herangehensweise. Des Weiteren kann dieses Verfahren resultieren in einer wesentlich größeren Chipfläche und einer wesentlich größeren Einsparung an Ruhestrom, wenn die Phasenknoten, die gewöhnlich für einen Betriebszustand sind, geteilt werden, da es nur zwei Phasenknoten pro Ladungspumpe geben würde, im Vergleich zur Stromwahrnehmung an den Schaltern der positiven Anschlusspole eines jeden Kondensators, wo es nicht möglich ist, Knoten oder Pin zu teilen. Allerdings ist solch ein Teilen nicht wesentlich (z. B. mit einem gesonderten Phasenknoten für jeden Kondensator), um den Nutzen der Herangehensweise zu erhalten.
  • 11A definiert die Stromfluss-Polarität durch die High-Side- und Low-Side-Schalter für eine Step-Down-Ladungspumpe. Gleichermaßen definiert 11B die Stromfluss-Polarität durch die High-Side- und Low-Side-Schalter für eine Step-Up-Ladungspumpe. Die Stromfluss-Polarität während eines normalen Betriebs ist veranschaulicht durch die durchgezogenen Pfeile, während die umgekehrte Stromfluss-Polarität, die bei einem Fehlerereignis auftreten könnte, durch gestrichelte Pfeile veranschaulicht ist.
  • Bei manchen Fehlerereignissen sieht der leitende High-Side- oder Low-Side-Schalter nur einen atypischen Anstieg der Stromstärke im Vergleich zu der Stärke in Abwesenheit des Fehlers. Bei anderen Ereignissen sieht der leitende High-Side- oder Low-Side-Schalter sowohl eine Umkehrung in der Polarität des Stromflusses als auch einen Anstieg der Stromstärke. Da der Zustand eines jeden Schalters (leitend oder nicht) in der Ladungspumpe immer bekannt und gut gesteuert ist, ist es nicht schwierig die Schalterstromstärke und/oder -polarität mit einem vorgegebenen Pegel zu vergleichen, welches ein zulässiges Fehlerereignis signalisiert. Dieser vorgegebene Pegel kann fest für alle Betriebsbedingungen der Ladungspumpe sein, programmierbar durch den Anwender oder spezifische Signale verfolgen wie den Ausgangslaststrom, falls solche Informationen der Ladungspumpe zur Verfügung stehen. Sobald ein Fehlerereignis erkannt wird, kann ein Teilschaden oder ein „Rauch-und-Feuer”-Vorfall verhindert werden, indem man sofort alle Phasenknotenschalter abschaltet und die Phasenknoten hochohmig werden lässt. Es gilt zu beachten, dass für einen Schutz vor manchen Typen an Fehlern die Schalter, die die Phasenknoten steuern, eine Hochspannungsnennleistung haben müssen.
  • Tabelle 1 fasst die Stromfluss-Polarität durch die High-Side- und Low-Side-Schalter einer Step-Down-Ladungspumpe für die folgenden Fehlerereignissen zusammen: Ein Phasenknoten, der an der Masse kurzgeschlossen wird, ein Phasenknoten, der an einer Phasenpumpenspeisung kurzgeschlossen wird; ein positiver Anschlusspol eines Kondensators, der an der Masse kurzgeschlossen wird, ein positiver Anschlusspol eines Kondensators, der an der Eingangsspannung VIN kurzgeschlossen wird, ein positiver Anschlusspol eines Kondensator, der an der Ausgangsspannung VOUT kurzgeschlossen wird, ein positiver Anschlusspol eines ersten Kondensators, der an dem positiven Anschlusspol eines zweiten Kondensators kurzgeschlossen wird, und ein Ladungspumpenausgang, der an der Masse oder dem Ausgangs-Überstrom kurzgeschlossen wird. Bei einer Step-Up-Ladungspumpe wäre die Polarität des High-Side- und Low-Side-Schalterstromflusses entgegengesetzt der Step-Down, mit Ausnahme von Fehlerereignissen, die mit einem Sternchen gekennzeichnet sind. Tabelle 1
    Fehlerereignis Polarität des High-Side-Schalterstromflusses Polarität des Low-Side-Schalterstromflusses
    (a) Ein Phasenknoten an Masse kurzgeschlossen Umgekehrt Nicht verfügbar
    (b) Ein Phasenknoten an Phasenpumpenspeisung kurzgeschlossen Nicht verfügbar Umgekehrt
    (c) Ein positiver Anschlusspol eines Kondensators an Masse kurzgeschlossen Umgekehrt Normal
    (d) Ein positiver Anschlusspol eines Kondensators an Eingangsspannung VIN* kurzgeschlossen Normal Umgekehrt
    (e) Ein positiver Anschlusspol eines Kondensators an Ausgangsspannung VOUT* kurzgeschlossen Umgekehrt Normal
    (f) Ein positiver Anschlusspol eines ersten Kondensators an dem positiven Anschlusspol eines zweiten Kondensators kurzgeschlossen* Normal Umgekehrt
    (g) Fehlender Kondensator oder offener Kondensatoranschlusspol Normal Normal
    (h) Ladungspumpenausgang an Masse oder Ausgangs-Überstrom kurzgeschlossen Normal Normal
  • Mit Ausnahme eines Ausgangs-Überstroms ist die Wahrscheinlichkeit, dass die in Tabelle 1 aufgelisteten Fehler auftreten viel geringer, wenn die Kondensatoren auf dem selben Chip integriert sind wie die Ladungspumpe, mit dem Ladungspumpenchip mittels Silizium-Durchkontaktierungsprozess verbunden sind oder aus diskreten Bauelementen bestehen, die auf dem Ladungspumpenchip in einem einzigen Modul mitmontiert sind. Allerdings kann Fehlererkennung immer noch nützlich sein als Diagnosewerkzeug oder zur Verhinderung von Rauch-und-Feuer-Ereignissen, wenn Prozessfehler (z. B. Metall-Kurzschlüsse oder Offenheiten zwischen benachbarten chip-integrierten Kondensatoren) oder Fehler bei der Mitmontierung auftreten.
  • 12A–B veranschaulichen zwei Schaltungen, die verwendet werden können für die Durchführung von Schalterstrom-Wahrnehmung. Beide Schaltungen nutzen einen Transkonduktanzverstärker GM1, um einen Spannungsabfall über entweder einen Schalter oder einem Abtastwiderstand, der sich in Reihenschaltung mit dem Schalter befindet, in einen Abtaststrom ISEN umzusetzen, dessen Stärke proportional ist zu dem Schalterstrom ISW. Die Polarität des Abtaststroms ISEN im und außerhalb des Verstärkers GM1 folgt der Polarität des Schalterstroms ISW. Der Abtaststrom ISEN kann dann unmittelbar verglichen werden mit einem Strom, dessen Stärke und Polarität in Einklang stehen mit dem Fehlerereignis, das erkannt werden soll, um eine Logikpegel-Ausgangsfehleranzeiger zu generieren.
  • Falls beispielsweise die Transkonduktanz des Verstärkers GM1 in 12A dafür designt ist unmittelbar proportional zur Schalterleitfähigkeit zu sein, dann kann der Abtaststrom ISEN ein unmittelbares Vielfaches des Schalterstroms ISW sein und keine weitere Variable einer ersten Ordnung. Alternativ dazu, wie auf 12B zu sehen, kann der Abtastwiderstand in Reihenschaltung mit dem Schalter bestehen aus der Metallzusammenschaltung zwischen dem Schalter und den Gehäusepins, die auf derselben Größenordnung sein können wie der Einschaltwiderstand des Schalters.
  • 13 zeigt wie ein Beispiel des Fehlererkenners mit der Ladungspumpe in 1A gekoppelt werden kann. Über jedem der vier Schalter an dem Phasenknoten P1 und P2 ist eine Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltungen: CS1 nimmt den High-Side-Schalterstrom am Phasenknoten P1 wahr, CS2 nimmt den High-Side-Schalterstrom am Phasenknoten P2 wahr, CS3 nimmt den Low-Side-Schalterstrom am Phasenknoten P1 wahr, und CS4 nimmt den Low-Side-Schalterstrom am Phasenknoten P2 wahr. Jede der vier Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltungen hat einen Logikausgang, der ein logisches LOW ist, wenn kein Fehler bemerkt wird, und ein logisches HIGH, wenn ein Fehler basierend auf Veränderungen der Schalterstromstärke- und -polarität erkannt wird. Falls eine oder mehrere der Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltungen CS1 bis CS4 einen logischen HIGH-Ausgang während des Betriebs der Ladungspumpe hat, gibt ein Logikgatter OR1 ein logisches High-Signal ab, welches ein Set-Reset-Latch SR1 aufstellt, wodurch ein verriegelten Logiksignal generiert wird, das verwendet werden kann um alle Schalter zu schließen, die Ladungspumpe sofort abzuschalten und eine Bus-Unterbrechung zu generieren oder einen Ausgangsfehleranzeigerpin umzuschalten. Die Ladungspumpe bleibt solange ausgeschaltet bis das Set-Reset-Latch SR1 ein Fehler-Rücksetzsignal empfängt, woraufhin der Betrieb der Ladungspumpe fortgesetzt werden kann. Das Fehler-Rücksetzsignal kann von einer Versorgungsunterspannungsaussperrung oder einem Umschalten auf dem Ladungspumpenfreigabeeingang kommen.
  • 14 und 15 veranschaulichen zwei Schaltungen, die die Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltungen von 13 implementieren, wo dieselbe Implementierung auf alle vier Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltungen CS1 bis CS4 angewandt werden kann. Der Teil für die Stromwahrnehmung der 1415 kann implementiert werden durch die Verwendung einer der Schaltung in 12A oder 12B, obwohl nur die Schaltung in 12A gezeigt wird. In 14 wird der Abtaststrom ISEN, dessen Stärke und Polarität dem Schalterstrom folgt, mittels Stromspiegel oder Stromverstärker gespiegelt in drei einzelne Ströme ISEN1 bis ISEN3, jede dem Abtaststrom ISEN oder seinen Vielfachen gleichend. Die Ströme ISEN1 und ISEN2 können einzeln konvertiert werden in die Spannungen VSEN1 und VSEN2 mittels Widerständen, die dann verglichen werden mit den Schwellenspannung VTH1 und VTH2 mittels der Spannungskomparatoren CP1 beziehungsweise CP2. Der Strom ISEN3 wird in einen Single-Ended-Stromkomparator ICP1 eingspeist (wie z. B. ein Traff-Stromkomparator), der verwendet wird, um die Strompolarität zu bestimmen: Wenn die Polarität des Schalterstroms normal ist, fließt der Abtaststrom ISEN aus dem Transkonduktanzverstärker GM2 heraus und der gespiegelte Strom ISEN3 fließt in den Eingangsanschlusspol des Single-Ended-Stromkomparator ICP1, was die Ausgangsspannung von ICP1 veranlasst, ein logisches LOW zu sein; wenn sich im Gegenzug die Polarität des Schalterstroms bei einem Fehlerereignis umkehrt, kehrt sich auch die Polarität des Abtaststroms ISEN um, und der gespiegelte Strom ISEN3 fließt aus dem Eingangsanschlusspol des Single-Ended-Stromkomparator ICP1 heraus, was die Ausgangsspannung von ICP1 veranlasst, ein logisches HIGH zu sein. Die Spannungskomparatoren CP1 und CP2 werden verwendet, um zu bestimmen, ob die Stärke des Schalterstrom mit normaler Polarität einen Pegel übersteigt, der konsistent ist mit einem Fehlerereignis. Unterschiedliche Fehlerereignisse können verschiedenen Schalterstromstärken zugeordnet werden, und können durch die Verwendung von mehr als einem Grenzwert für die Komparatoreingangsspannung (VTH1 ≠ VTH2) erkannt und unterschieden werden. Die Ausgänge der Spannungskomparatoren CP1, CP2 und ICP1 werden von dem Logikgatter OR2 in einer logischen ODER-Operation kombiniert, um einen logischen Fehleranzeiger zu generieren, der ein logisches HIGH ist, immer wenn einer oder mehrere der Komparatorausgänge ein logisches HIGH sind. Es gilt zu beachten, dass die Komparatoren CP1 und CP2 nicht Spannungskomparatoren sein müssen, sondern auch Differenzstrom-Komparatoren sein können, in diesem Fall werden die Widerstände nicht länger gebraucht und die Spannungsschwellwerte VTH1 und VTH2 sollten mit Stromschwellenpegeln ersetzt werden, die konsistent sind mit jedem Fehlerereignis, dass erkannt werden soll.
  • 15 zeigt eine alternative Implementierung der Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltung aus 4A, wobei für die Wahrnehmung einer Umkehr der Polarität des Schalterstroms anstelle eines Single-Ended-Stromkomparators wie ICP1 in 4B ein Spannungskomparator CP3, der den Spannungskomparatoren CP1 und CP2 ähnelt, verwendet wird. Der Abtaststrom ISEN wird eingespeist in ein Widerstandsteilernetzwerk, das durch eine Referenzspannung, VREF, mit Strom versorgt wird, während ein gewöhnlicher Spannungsabgriff vom Widerstandsteilernetzwerk, VSEN, von drei Spannungskomparatoren CP1 bis CP3 verglichen wird. Die Stärke des Spannungsabgriffs VSEN ist eine Funktion sowohl von der Stärke als auch von der Polarität des Abtaststroms ISEN: Wenn die Polarität des Schalterstroms normal ist, fließt der Abtaststrom ISEN aus dem Transkonduktanzverstärker GM2 und in das Widerstandsteilernetzwerk am Punkt des Spannungsabgriffs VSEN, wodurch die Stärke von VSEN über den als VDIV definierten Pegel, der für gewöhnlich bestimmt wird vom Wert des Widerstandsteilerverhältnisses und der Referenzspannung, VREF. Daher sollten die Schwellenspannung VTH1 und VTH2, die Fehlerereignissen entsprechen, bei denen die Schalterstromstärke atypisch erhöht ist, oberhalb von VDIV gesetzt werden. Bei einem Fehlerereignis, bei dem sich die Polarität des Schalterstroms umkehrt, fließt der Abtaststrom ISEN in den Ausgang des Transkonduktanzverstärkers GM2, und zieht den Spannungsabgriff VSEN unter VDIV. Infolgedessen sollte die Schwellspannung VTH3 unter VDIV gesetzt werden. Wie auf 4B zu sehen, werden die Ausgänge der Spannungskomparatoren CP1 bis CP3 in einer logischen ODER-Operation durch das Logikgatter OR2 kombiniert, um einen logischen Fehleranzeiger zu generieren, der ein immer dann ein logisches HIGH ist, wenn einer oder mehrere der Komparatorausgänge logisch HIGH sind.
  • Ein Fehlerereignis durch einen fehlenden Kondensator oder einen offenen Anschlusspol eines Kondensators führen normaler Weise nicht sofort zu einem Schaden an der Ladungspumpe oder einem „Rauch-und-Feuer-Ereignis”. Nichtsdestotrotz ist es wünschenswert, das Auftreten solcher Fehler zu erkennen und vorbeugende Maßnahmen zu ergreifen, so wie das Abschalten der Ladungspumpe, sonst wird die Ladungspumpe für mehrere Zyklen weiterarbeiten, bevor sie letztendlich festgelegte Toleranzen überschreitet.
  • 16 veranschaulicht eine Step-Down-Ladungspumpe 50 mit Fehlererkennungsschaltung, um einen offenen Klemmenanschluss eines äußeren Kondensators während des Betriebs zu erkennen. Ein äußerer Kondensator wird hier definiert als der Kondensator, der der Eingangsspannung VIN oder der Ausgangsspannung VOUT am nächsten ist. Immer wenn eine Ladungspumpe zwei oder weniger Kondensatoren hat, wie auf 1A1B zu sehen, dann sind alle Kondensatoren äußere Kondensatoren.
  • Ladungspumpe 50 hat N Kondensatoren, C1 bis CN, wobei N eine gerade Ganzzahl ist. Die ungeraden Kondensatoren C1, C3, ... Cn–1 teilen sich einen ersten Phasenknoten P1, und die geraden Kondensatoren C2, C4, ... Cn–1 teilen sich einen zweiten Phasenknoten P2. Der erste und der zweite High-Side-Schalter HS1, HS2 kuppeln jeweils den ersten und den zweiten Phasenknoten P1, P2 an die Ausgangsspannung VOUT. Gleichermaßen kuppeln der erste und der zweite Low-Side-Schalter LS1, LS2 jeweils den ersten und den zweiten Phasenknoten P1, P2 an die Masse. In diesem Beispiel sind die äußeren Kondensatoren C1 und CN. Die Last am Ausgang der Ladungspumpe 50 ist eine Stromquelle IOUT, die einen Ladungstransfer zwischen den Kondensatoren mittels eines ruhigen und gleichmäßigen Ladestroms ermöglicht, der proportional zu IOUT ist, in einem Softaufladung genannten Prozess.
  • In einem normalen Betrieb in einem beständigen Zustand mit Softaufladung, haben die Ströme durch die leitenden Phasenschalter in jedem Zustand die gleiche Stärke. Beispielsweise leiten der erste High-Side-Schalter HS1 und der zweite Low-Side-Schalter LS2 in einem ersten Zustand Strom, wobei beide Schalter dieselbe Stärke an Strom tragen. Gleichermaßen leiten der zweite High-Side-Schalter HS2 und der erste Low-Side-Schalter LS1 in einem zweiten Zustand Strom, wobei beide Schalter dieselbe Stärke an Strom tragen.
  • Wenn ein Anschlusspol der äußeren Kondensatoren C1 oder CN während des Betriebs getrennt wird, tritt Folgendes für mehrere Schaltzyklen auf, bevor der Ausgang der Ladungspumpe letztendlich zusammenbricht: die Phasenknotenströme geraten in jedem zweiten Zustand in ein Ungleichgewicht oder die Stromstärke durch einen leitenden High-Side-Schalter entspricht nicht mehr der Stromstärke durch den anderen gleichzeitig leitenden Low-Side-Schalter. Dieser Fehler kann erkannt werden, indem die Schalterströme der Phasenknoten in jedem Zustand wahrgenommen und verglichen werden und immer dann einen Logik-Flag generiert wird, wenn sich die Stromstärken stärker als eine vordefinierte Abweichung unterscheiden. Um Falschmeldungen zu vermeiden, sollte dieser Logik-Flag nur dann gesetzt werden, wenn die Nichtübereinstimmung des Stroms die vordefinierte Abweichung in mindestens mehreren aufeinanderfolgenden Zyklen überschreitet, und die vordefinierte Abweichen sollte groß genug sein, um Nichtübereinstimmungen, bei denen es sich nicht um Fehler handelt und die durch Nichtübereinstimmungen in den äußeren Kondensatorwerten auftreten können, zu ignorieren.
  • 16 zeigt ebenfall vier Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltungen, CS5, CS6, CS7, CS8; jede über einem von vier Phasenschaltern. Die besondere Implementierung einer jeden Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltung ähnelt der in 14 oder 15. Um in jedem Zustand eine Nichtübereinstimmungen zwischen den High-Side- und Low-Side-Schalterströmen zu erkennen, kann einer der Spannungsschwellwerte VTH1 oder VTH2 in 14 oder 15 dafür designt sein, eine Funktion des Schalterstroms in diesem Zustand zu sein. Wenn z. B. im ersten Zustand der erste High-Side-Switch HS1 und der zweite Low-Side-Switch LS2 leiten, sollte der Spannungsschwellwert VTH1 in der Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltung CS5 proportional zur Stromstärke des Low-Side-Schalters LS2 sein, um die Nichtübereinstimmungen in der Stromstärke zwischen dem High-Side-Switch HS1 und dem Low-Side-Switch LS2 wahrzunehmen. Wenn gleichermaßen im zweiten Zustand der zweite High-Side-Switch HS2 und der erste Low-Side-Switch LS1 leiten, sollte der Spannungsschwellwert VTH1 in der Stromwahrnehmungs- und -vergleichsschaltung CS6 proportional zur Stromstärke des Low-Side-Schalters LS1 sein, um die Nichtübereinstimmungen in der Stromstärke zwischen dem High-Side-Switch HS2 und dem Low-Side-Switch LS1 wahrzunehmen. Das Verhältnis der Phasenschalterstromstärke, das verwendet wird um den Spannungsschwellwert VTH1 zu generieren, bestimmt die vordefinierte Abweichung, durch welche ein Fehler durch einen offenen äußeren Kondensatoranschlusspol erkannt werden und von Nichtübereinstimmungen unterschieden werden kann, bei denen es sich nicht um Fehler handelt. Darüber hinaus sollte der Komparator CP1 eine symmetrische Eingangsabweichung oder Hysterese haben, oder ein Fensterkomparator sein, um eine bidirektionale Nichtübereinstimmungen des Stroms zu erkennen.
  • Ein Beispiel für einen Fehlererkenner eines fehlenden bzw. offenen Kondensatoranschlusspols kann ebenfalls auf eine Ladungspumpe angewendet werden, bei der die Phasenknoten und Schalter nicht von den Kondensatoren in gewöhnlichem Zustand geteilt werden, wie Ladungspumpe 60A auf 17. Wie bei Ladungspumpe 50A, gibt es in Ladungspumpe 60A N Kondensatoren, C1 bis CN, wobei N eine gerade Ganzzahl ist. Jeder Kondensator hat sein eigenes Paar Phasenschalter, die den negativen Anschlusspol des Kondensators zwischen der Masse und der Ausgangsspannung VOUT verbinden. Insgesamt gibt es N High-Side-Schalter und N Low-Side-Schalter, anstelle von nur 2 High-Side-Schaltern und 2 Low-Side-Schaltern für die Ladungspumpe in 13 und 16. Über jedem Phasenschalter ist eine Stromwahrnehmungsschaltungen, dargestellt in 17 als HCS1 bis HCSn für die High-Side-Schalter und LCS1 bis LCSn für die Low-Side-Schalter. Das Wahrnehmungsverfahren von Phasenknotenströmen gilt nun für eine größere Anzahl an Schaltern auf Kosten von Chipfläche und Ruhestrom, aber bietet viel mehr Informationen über den Strom durch jeden Kondensator und eine größere Fehlerabdeckung. In diesem Fall kann ein Fehler durch einen offenen Kondensatoranschlusspol in einem beliebigen Kondensator erkannt werden, nicht nur in den äußeren Kondensatoren, durch Kennzeichnen eines Strompegels pro Kondensatoren, welcher praktisch null oder wesentlich niedriger ist als der der anderen Kondensatorstrompegel.
  • 18 zeigt eine bestimmte Implementierung des Fehlererkenners für die High-Side-Schalter in 17. Die Stromwahrnehmungsschaltung über jedem Phasenschalter kann durch die Verwendung einer der Schaltungen in 12A oder 12B implementiert werden. Wie zuvor beschrieben, ist der Ausgang einer jeden Stromwahrnehmungsschaltung ein Strom, der die Stärke und Polarität des dazugehörigen Schalterstroms repräsentiert. In 18 wird der Stromausgang der ersten High-Side-Schalterstromwahrnehmungsschaltungen HSC1 durch die Verwendung eines Stromspiegels oder eines Stromverstärkers in zwei Kopien des Stroms repliziert, ISENHA1 und ISENHB1. Die übrigen Stromausgänge der ungeraden High-Side-Schalterstromwahrnehmungsschaltungen HCS3, HCS5 ... HCSn–1 werden summiert mit ISENHA1, um einen gesamten High-Side-Schalterstrom für den ersten Zustand zu generieren, ISENH_STATE1, der gleich dem Strom des High-Side-Schalters HS1 in 16 ist. ISENH_STATE1 kann dann durch die Verwendung eines zweiten Stromspiegels oder Stromverstärkers repliziert werden, um die Vergleichsschemata, die zuvor in 4B4C beschrieben wurden, zu implementieren, um Fehlerereignisse wahrzunehmen, die eine Veränderung der Schalterstromstärke- und -polarität verursachen. ISENHB1 wird verwendet, um einen Fehler durch einen fehlenden oder offenen Anschlusspol an Kondensator C1 zu erkennen, da sich die Stromstärke durch den ersten High-Side-Schalter und infolgedessen auch die von ISENHB1 auf null verringert, wenn der Fehler entsteht: durch das Verbinden von ISENhb1 mit dem Eingang eines Stromkomparators ICP3 wird der Logikpegel des Komparatorausgangs HIGH sein, wenn erkannt wird, dass ISENHB1 nahe null ist, und LOW sein, wenn ISENHB1 in der gleichen Größenordnung liegt wie die anderen Stromausgänge ISENH1, ISENH, ISENH5 ... ISENHN–1.
  • Ähnlich ist es im zweiten Zustand, wobei 18 die Summierung der Stromausgänge der geraden High-Side-Schalterstromwahrnehmungsschaltungen HCS2, HCS4 ... HCSn zeigt, um einen gesamten High-Side-Schalterstrom für den zweiten Zustand ISENH_STATE2 zu generieren, der gleich dem Strom des High-Side-Schalters HS2 in 16 ist. Die daraus resultierende Implementierung einer Fehlererkennung mittels ISENH_STATE2 ist dann ähnlich der, die für ISENH_STATE1 verwendet wird, und die individuellen Logikfehlersignale für jeden Zustand können logisch in einer ODER-Operation kombiniert werden.
  • 19 zeigt eine bestimmte Implementierung des Fehlererkenners für die Low-Side-Schalter in 17. Die Stromausgänge der geraden Low-Side-Schalterstromwahrnehmungsschaltungen LSC2, LSC4, LSC6, ... LSCn werden zunächst durch die Verwendung eines Stromspiegels oder eines Stromverstärkers während des ersten Zustandes in zwei Kopien repliziert. Im zweiten Zustand werden die Stromausgänge der ungeraden High-Side-Schalterstromwahrnehmungsschaltungen LSC1, LSC3, LSC5, ... LSCn–1 auf ähnliche Weise durch die Verwendung eines Stromspiegels oder eines Stromverstärkers repliziert. Für beide Zustände des Betriebs gilt, dass ein erster Satz an kopierten Strömen, die jedem Zustand (ISENLA2, ISENLA4, ISENLA6 ... ISENLAN im ersten Zustand; ISENLA1, ISENLA3, ISENLA5 ... ISENLAN–1 im zweiten Zustand) zugehörig sind, summiert werden, um einen gesamten Low-Side-Schalterstrom, ISENL_STATE1 und ISENL_STATE2, zu generieren, der jeweils gleich dem Strom der Low-Side-Schalter LS2 und LS1 in 5 ist. Die zuvor in 1415 beschriebenen Vergleichsschemata können dann durch die Verwendung von ISENL_STATE1 und ISENL_STATE2 angewandt werden.
  • Der Fehlererkenner eines fehlenden bzw. offenen Kondensatoranschlusspols unterscheidet sich leicht von dem, der für High-Side-Schalter verwendet wird, wie zuvor in 18 veranschaulicht wurde. Der zweite Satz and replizierten Strömen, die jedem Zustand (ISENLB2, ISENLB4, ISENLB6 ... ISENLBN im ersten Zustand; ISENLB1, ISENLB3, ISENLB5 ... ISENLBN–1 im zweiten Zustand) zugehörig sind, werden alle verbunden mit Stromkomparatoren ICPL1 bis ICPLn um einen Fehler durch einen fehlenden oder offenen Anschlusspol zu erkennnen, indem erkannt wird, wenn die Stromstärken bei null oder nahe null liegen. Dieser Nullstromdetektor kann tatsächlich auch für die High-Side-Schalter-Implementierung (18) verwendet werden, aber es ist unnötig, einen Nullstromdetektor für alle High-Side- und Low-Side-Schalter zu verwenden, da sich die Kondensatoren C2 bis CN in 17 in beiden Zuständen immer in Reihenschaltung mit einem Low-Side-Schalter befinden; lediglich der äußere Kondensator C1 befindet sich im ersten Zustand nicht in Reihenschaltung mit einem Low-Side-Schalter. Wie der Stromkomparator ICP3 in 18 zeigt, wird ein Nullstromdetektor daher nur für den ersten High-Side-Schalter benötigt. Im Gegenzug befinden sich die Kondensatoren C1 bis Cn–1 in 17 in beiden Zuständen immer in Reihenschaltung mit einem High-Side-Schalter; lediglich der äußere Kondensator CN befindet sich im ersten Zustand nicht in Reihenschaltung mit einem High-Side-Schalter. Beispielsweise zeigen die 1819 die Verwendung des Nullstromdetektors für alle Low-Side-Schalter und nur für den ersten High-Side-Schalter, der mit Kondensator C1 verbunden ist, wobei beide Implementierungen zusammen dazu in der Lage sind, einen Fehler durch einen fehlenden oder offenen Anschlusspol an einem beliebigen Kondensator in der Ladungspumpe in 17 zu erkennen, und nicht nur an den äußeren Kondensatoren.
  • 20 zeigt ein alternatives Verfahren, um einen Fehler durch einen fehlenden oder offenen Kondensatoranschlusspol an einem beliebigen Kondensator für die Ladungspumpe in 1A zu erkennen, obwohl dieses Verfahren auf gleiche Weise auch angewandt werden kann auf die Ladungspumpen in 1B, 16 und 17. Ein Vorteil dieses Verfahrens ist es, dass die Ladungspumpe nicht mit Softaufladung betrieben werden muss, damit der Fehlererkenner funktioniert. Sobald ein Fehlerereignis durch einen fehlenden oder offenen Kondensatoranschlusspol, entweder während des Betriebs der Ladungspumpe oder bevor die Ladungspumpe ihren Betrieb aufnimmt, auftritt, wird die Ladungspumpe nicht dazu in der Lage sein, den Ausgang VOUT an das Ziel zu steuern, welches vom Umwandlungsverhältnis der Ladungspumpe festgelegt wird und VOUT wird über aufeinanderfolgende Schaltzyklen hinweg kleiner. Durch den Vergleich des VOUT Spannungspegels mit dem Spannungsschwellwert VUVLO mittels eines Spannungskomparators CP8, kann der Ausgang des Spannungskomparators CP8 als ein logischer Fehleranzeiger verwendet werden, der den Betrieb der Ladungspumpe deaktiviert, wenn VOUT unter den Spannungsschwellwert VUVLO sinkt. Der Spannungsschwellwert VUVLO sollte unter den kleinsten VOUT-Betriebspegel in der Anwendung gesetzt werden, einschließlich der größten VOUT-Welligkeitsamplitude, die über den Anwendungsort auftreten würde, aber über einen Pegel, bei welchem die grundlegende Funktionalität von Transistoren scheitern oder in dem Maße abnehmen würde, dass es die Leistung der Ladungspumpe und/oder eines Untersystems, welches sich in Reihenschaltung mit VOUT befindet, nachteilig beeinflussen würde. Der Spannungsschwellwert VUVLO kann ein fester Spannungspegel oder als eine Funktion des VOUT-Spannungspegels und der VOUT-Welligkeitsamplitude variable sein, falls solche Informationen der Ladungspumpe durch wahrgenommene Eingänge oder intern programmierte Einstellungen zur Verfügung stehen. Beispielsweise könnten die Schaltfrequenz und Kondensatorenwerte der Ladungspumpe intern programmierte Einstellungen sein und diese Einstellungen unmittelbar die VOUT Welligkeitsamplitude steuern.
  • 6 Implementierungen
  • Implementierungen der oben beschriebenen Herangehensweisen könnten unter Verwendung von integrierten und/oder externen (z. B. diskreten) Kondensatoren in monolithischen Geräten integriert werden. Steuerlogik für die Erkennung und Verarbeitung von erkannten Zuständen könnte vollständig im Gerät integriert werden oder zumindest teilweise durch die Verwendung von externen Schaltungen implementier werden. Diese integrierte und/oder externe Schaltung kann dedizierte Logikschaltungen (z. B. anwendungsspezifische integrierte Schaltungen, ASICs) und/oder software-implementierte Logik, die eine Steuerung, einen Prozessors oder andere softwaregesteuerte Elemente beinhaltet, verwenden. Solche Software kann gespeichert werden auf einem festen maschinenlesbaren Medium (z. B. Halbleiterspeicher, optische Platte, usw.) Anweisungen für die Steuerung von mindestens irgendeinem Stadium des Designs oder der Herstellung eines Geräts, welches eine der oben beschriebenen Herangehensweisen implementiert, könnte ebenfalls auf einem festen maschinenlesbaren Medium gespeichert werden.
  • Es muss verstanden werden, dass die vorausgehende Beschreibung zur Veranschaulichung und nicht zur Begrenzung des Umfangs der Erfindung gedacht ist, was den Umfang der angefügten Ansprüche einschließt. Weitere Ausführungsformen liegen im Umfang der folgenden Ansprüche.

Claims (23)

  1. Switched-Capacitor-Leistungswandler, umfassend: einen ersten Anschlusspol zum Koppeln mit einer ersten externen Schaltung bei im Wesentlichen einer hohen Spannung; einen zweiten Anschlusspol zum Koppeln mit einer zweiten externen Schaltung bei im Wesentlich einer niedrigen Spannung, die niedriger ist als die hohe Spannung, wobei während des Betriebs des Leistungswandlers Ladung auf einem Ladungstransferpfad zwischen dem ersten Anschlusspol und dem zweiten Anschlusspol läuft; eine Vielzahl an Halbleiterschaltelemente, einschließlich eines ersten Satzes Schaltelemente auf dem Ladungstransferpfad zwischen dem ersten Anschlusspol und dem zweiten Anschlusspol, wobei sich kein Schaltelement im ersten Satz Schaltelemente weder mit dem ersten Anschlusspol noch mit dem zweiten Anschlusspol in Reihenschaltung befindet, um im Wesentlichen den gesamten Strom zu tragen, der durch den genannten Anschlusspol läuft, und wobei jedes Schaltelement im ersten Satz Schaltelemente dafür konfiguriert ist, einen kontrollierbaren Ladungstransferpfad zwischen dazugehörigen Untersätzen einer Vielzahl an Kondensatoren zu bilden, und einen zweiten Satz Schaltelemente, der dafür konfiguriert ist, eine elektrische Verbindung von mindestens manchen der Kondensatoren zu Wechselreferenzspannungen zu bilden, wobei die Vielzahl an Schaltelementen dafür konfiguriert ist, die genannten Verbindungen in aufeinanderfolgenden Zuständen im Betrieb zu bilden; eine Messschaltung, die dafür konfiguriert ist, ein Spannungs- und/oder strommerkmal von einem oder mehreren Schaltelementen des ersten Satz Schaltelemente oder des zweiten Satz Schaltelemente zu messen; und eine Fehlersteuerschaltung, die mit der Messschaltung gekoppelt ist, die dafür konfiguriert ist, den Betrieb des Leistungswandlers zu ändern, sobald eine Bedingung erkannt wird, die bestimmt wird, wenn die gemessenen Merkmale der Schaltelemente abweichen von einer vorgegebenen Bandbreite an Merkmalen.
  2. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl an Schaltelementen ferner enthält: einen dritten Satz Schaltelemente auf dem Ladungstransferpfad zwischen dem ersten Anschlusspol und dem zweiten Anschlusspol, der sich in Reihenschaltung befindet mit entweder dem ersten Anschlusspol oder dem zweiten Anschlusspol.
  3. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei der zweite Satz Schaltelemente Schaltelemente enthält, die während mancher Betriebszustände eine elektrische Verbindung von mindestens manchen der Kondensatoren zu dem Niederspannungsanschlusspol bilden.
  4. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei die Stadien des Betriebs eine wiederholte Sequenz getakteter Stadien umfassen.
  5. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Vielzahl an Kondensatoren, wobei jeder Kondensator einen Anschlusspol hat, der gekoppelt ist mit einem Anschlusspol von mindestens einem Schaltelement der Vielzahl an Schaltelementen.
  6. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 5, wobei die Kondensatoren und Schaltelemente in einem monolithischen Gerät integriert sind.
  7. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei der Wandlern eine Dickson-Ladungspumpe umfasst.
  8. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei die Spannungs- und/oder strommerkmale des einen oder der mehreren Schaltelemente einer Gruppe zugehörig sind, bestehend aus: einer Spannung über den Anschlusspolen eines Schaltelements des ersten Satzes Schaltelemente; einem Strom durch ein Schaltelement des ersten Satz Schaltelemente; einer Spannung an einer Kreuzung zwischen einem Schaltelement des ersten Satzes Schaltelemente und einem Kondensator der Vielzahl an Kondensatoren; einer Spannung über Anschlusspolen eines Kondensators der Vielzahl an Kondensatoren, die an das Schaltelement gekoppelt sind; einer Spannung an der Kreuzung zwischen einem Schaltelement des zweiten Satzes Schaltelemente und einem Kondensator der Vielzahl an Kondensatoren; und einem Strom durch ein Schaltelement des ersten Satzes Schaltelemente.
  9. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei das Spannungs- und/oder strommerkmal des Schaltelements eine Spannung über Anschlusspolen des Schaltelements umfasst.
  10. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei das Spannungs- und/oder strommerkmal des Schaltelements einen Strom durch das Schaltelement umfasst.
  11. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei das Spannungs- und/oder strommerkmal des Schaltelements eine Spannung an einem Anschlusspol des Schaltelements umfasst.
  12. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei das Spannungs- und/oder strommerkmal des Schaltelements eine Spannung über Anschlusspolen eines Kondensator der Vielzahl an Kondensatoren umfasst, die gekoppelt ist mit dem Schaltelement.
  13. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei die Schaltelemente des zweiten Satzes Schaltelemente einen Phasengenerator bilden, und wobei das Spannungs- und/oder strommerkmal des Schaltelements eine Spannung und/oder einen Strom umfasst, der durch den Phasengenerator eingespeist wird.
  14. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei jedes der Halbleiterschaltelemente einen FET-Transistor umfasst, um mindestens zwei der Kondensatoren zu koppeln.
  15. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 14, wobei zumindest manche der Halbleiterschaltelemente ein Netzwerk mehrerer FET-Transistoren umfassen.
  16. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei zumindest manche der Schaltelemente des ersten Satzes Schaltelemente oder des zweiten Satzes Schaltelemente eine maximale Nennspannung haben, die geringer ist als die hohe Spannung.
  17. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 16, wobei zumindest manche der Schaltelemente des ersten Satzes Schaltelemente oder des zweiten Satzes Schaltelemente eine maximale Nennspannung haben, die geringer ist als der Unterschied zwischen der hohen Spannung und der niedrigen Spannung.
  18. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 17, wobei zumindest manche der Schaltelemente des ersten Satzes Schaltelemente oder des zweiten Satzes Schaltelemente eine maximale Nennspannung haben, die nicht größer ist als ein Bruch 1/N, N > 1, des Unterschieds zwischen der hohen Spannung und der niedrigen Spannung.
  19. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei die Fehlersteuerschaltung einen oder mehrere Schalter umfasst, von denen jeder eine maximale Nennspannung hat, die größer ist als die Nennspannung von mindestens manchen der Vielzahl an Schaltern, wobei der eine oder die mehreren Schalter für eine elektrisches Trennen oder eine Begrenzung des Stromflusses durch mindestens manche der Schaltelemente der Vielzahl an Schaltelementen konfiguriert sind.
  20. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 19, wobei der eine oder die mehreren Schalter einen Schalter umfassen, der direkt mit dem ersten Anschlusspol gekoppelt ist.
  21. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 19, wobei der eine oder die mehreren Schalter einen Schalter umfassen, der zwischen zwei Schaltelementen der Vielzahl an Schaltelementen gekoppelt ist.
  22. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 1, wobei die Fehlersteuerschaltung dafür konfiguriert ist, die Merkmale der Phasen zu ändern, sobald die Bedingung erkannt wird.
  23. Switched-Capacitor-Leistungswandler nach Anspruch 22, wobei die Merkmale der Phasen zu einer Gruppe zugehörig sind, bestehend aus: einem Tastverhältnis der getakteten Phasen; einer Taktfrequenz der Phasen; und einem Übergehen von einem oder mehreren Taktzyklen der getakteten Phasen.
DE112013006828.1T 2013-03-15 2013-12-30 Schutz einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren Pending DE112013006828T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/838,681 2013-03-15
US13/838,681 US8619445B1 (en) 2013-03-15 2013-03-15 Protection of switched capacitor power converter
PCT/US2013/078243 WO2014143366A1 (en) 2013-03-15 2013-12-30 Protection of switched capacitor power converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112013006828T5 true DE112013006828T5 (de) 2016-03-10

Family

ID=49776073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112013006828.1T Pending DE112013006828T5 (de) 2013-03-15 2013-12-30 Schutz einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren

Country Status (7)

Country Link
US (6) US8619445B1 (de)
KR (4) KR102640555B1 (de)
CN (1) CN105229908B (de)
DE (1) DE112013006828T5 (de)
GB (4) GB2526492B (de)
TW (1) TW201448428A (de)
WO (1) WO2014143366A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10938299B2 (en) 2013-03-15 2021-03-02 Psemi Corporation Fault detector for voltage converter

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8724353B1 (en) * 2013-03-15 2014-05-13 Arctic Sand Technologies, Inc. Efficient gate drivers for switched capacitor converters
US20150008894A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Lsi Corporation Dynamic start-up circuit for hysteretic loop switched-capacitor voltage regulator
US9041459B2 (en) * 2013-09-16 2015-05-26 Arctic Sand Technologies, Inc. Partial adiabatic conversion
US9742266B2 (en) * 2013-09-16 2017-08-22 Arctic Sand Technologies, Inc. Charge pump timing control
KR102464565B1 (ko) * 2014-03-14 2022-11-07 아크틱 샌드 테크놀로지스, 인크. 전하 펌프 안정성 제어
US9491151B2 (en) * 2015-01-07 2016-11-08 Ememory Technology Inc. Memory apparatus, charge pump circuit and voltage pumping method thereof
JP7020923B2 (ja) 2015-03-13 2022-02-16 ピーセミ コーポレーション 断熱的コンデンサ間電荷輸送の容易化のためのインダクタを有するdc-dc変圧器
DE102015109285A1 (de) * 2015-04-09 2016-10-13 Weidmüller Interface GmbH & Co. KG Elektrische Baugruppe sowie Messschaltung und Messverfahren zur Überwachung eines Bauelements der elektrischen Baugruppe
DE102015209330A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Hocheffiziente schaltende Ladevorrichtung mit verringerter Eingangsspannungswelligkeit
TWI555316B (zh) 2015-10-07 2016-10-21 財團法人工業技術研究院 保護電路
WO2017110651A1 (ja) 2015-12-25 2017-06-29 コニカミノルタ株式会社 光学反射フィルム
US9653909B1 (en) 2015-12-31 2017-05-16 X Development Llc Fault handling for motor controllers
WO2017148404A1 (en) * 2016-03-02 2017-09-08 The Hong Kong University Of Science And Technology Two-phase, three-phase reconfigurable switched-capacitor power converter
EP3427375A4 (de) 2016-03-11 2019-10-30 PSEMI Corporation Batterieverwaltungssystem mit adiabatischer schaltung mit geschaltetem kondensator
US10380341B2 (en) * 2016-04-01 2019-08-13 Qualcomm Incorporated Adaptive systems and procedures for defending a processor against transient fault attacks
WO2017184441A1 (en) * 2016-04-18 2017-10-26 Lion Semiconductor Inc. Apparatus,systems, and methods for reconfigurable dickson star switched capacitor voltage regulator
CN110024290B (zh) * 2016-12-01 2021-04-13 宜普电源转换公司 用于基于GaN晶体管的功率转换器的自举电容器过电压管理电路
TWI656722B (zh) * 2017-04-28 2019-04-11 偉詮電子股份有限公司 高壓充電控制方法、電源控制器、以及電源供應器
US10847461B2 (en) * 2017-07-25 2020-11-24 Kinetic Technologies Systems and methods for power management
CN109391140B (zh) * 2017-08-02 2020-07-28 瑞鼎科技股份有限公司 电荷泵电路及其运作方法
US10404176B2 (en) * 2017-10-16 2019-09-03 Texas Instruments Incorporated Switched capacitor voltage converters with current sense circuits coupled to tank circuits
DE102017219551A1 (de) * 2017-11-03 2019-05-09 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verpolschutzanordnung, Verfahren zum Betrieb der Verpolschutzanordnung und korrespondierende Verwendung
US10263514B1 (en) 2018-03-13 2019-04-16 Psemi Corporation Selectable conversion ratio DC-DC converter
US10965204B2 (en) * 2018-03-20 2021-03-30 Psemi Corporation Adaptive control for reconfiguring a regulator and/or a charge pump for a power converter
CN110350905B (zh) * 2018-04-03 2024-04-19 中国科学院声学研究所 一种mems电容式加速度计接口电路
TWI657724B (zh) * 2018-05-16 2019-04-21 李岳翰 易於更換電容器之物品構造及電容器更換警示系統
US11079443B2 (en) 2018-12-21 2021-08-03 Analog Devices International Unlimited Company Switch fault detection techniques for DC-DC converters
US10686367B1 (en) 2019-03-04 2020-06-16 Psemi Corporation Apparatus and method for efficient shutdown of adiabatic charge pumps
US10734893B1 (en) 2019-05-03 2020-08-04 Psemi Corporation Driving circuit for switches used in a charge pump
DE102019206421A1 (de) 2019-05-03 2020-11-05 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Hybrid-Gleichspannungsleistungsumsetzer mit klkeinem Spannungsumsetzungsverhältnis
US20200373844A1 (en) * 2019-05-23 2020-11-26 Infineon Technologies Austria Ag Hybrid resonant power supply
KR20200137388A (ko) 2019-05-30 2020-12-09 삼성전자주식회사 부스트 컨버터 및 부스트 컨버터에 적용되는 셀
CN110212764B (zh) * 2019-06-04 2021-04-20 西安交通大学 一种适用于数据中心电压调节模块的非隔离直流斩波电路
US11387789B2 (en) 2019-06-05 2022-07-12 Qorvo Us, Inc. Charge pump tracker circuitry
US11401783B2 (en) 2019-06-10 2022-08-02 Halliburton Energy Services. Inc. Fault tolerant downhole power regulator
CN110535332B (zh) * 2019-09-11 2020-07-28 上海南芯半导体科技有限公司 一种多相位电荷泵的驱动电路
CN110492735B (zh) * 2019-09-11 2021-06-01 上海南芯半导体科技有限公司 电荷泵的电容自检查和软启电电路及其实现方法
US10924006B1 (en) 2019-09-30 2021-02-16 Psemi Corporation Suppression of rebalancing currents in a switched-capacitor network
CN110729888B (zh) * 2019-10-29 2020-11-06 上海南芯半导体科技有限公司 一种高电压转换比的混合电源变换器
US11374491B2 (en) * 2020-01-09 2022-06-28 Skyworks Solutions, Inc. Low noise charge pumps
US11482931B2 (en) 2020-02-06 2022-10-25 Psemi Corporation In-rush current protected power converter
US10958166B1 (en) 2020-02-06 2021-03-23 Psemi Corporation Startup of switched capacitor step-down power converter
US10992226B1 (en) 2020-03-03 2021-04-27 Psemi Corporation Startup detection for parallel power converters
US11146167B1 (en) 2020-07-10 2021-10-12 Psemi Corporation Current detection for an adiabatic power converter
DE102020213559B4 (de) * 2020-10-28 2022-05-05 Infineon Technologies Ag Bestimmung einer Information über eine Verbindung einer Schaltungskomponente
US12003173B2 (en) 2021-11-09 2024-06-04 Qorvo Us, Inc. Direct current-to-direct current conversion system
US11811304B2 (en) * 2021-11-19 2023-11-07 Psemi Corporation Power converters, power systems, and methods for protecting power converters

Family Cites Families (563)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3370215A (en) 1966-02-09 1968-02-20 Basic Inc Step up cycloconverter with harmonic distortion reducing means
BE791943A (fr) 1972-02-18 1973-03-16 Telecomunicazioni Soc It Regulateur de tension et/ou de courant
US3745437A (en) 1972-05-18 1973-07-10 Lorain Prod Corp Regulator circuit having a multi-stepped regulating wave
FR2190322A5 (de) 1972-06-23 1974-01-25 Telecommunications Sa
FR2340838A1 (fr) 1976-02-11 1977-09-09 Cibie Projecteurs Dispositif de reglage manuel de l'orientation de projecteurs de vehicules automobiles
GB1593863A (en) 1977-03-25 1981-07-22 Plessey Co Ltd Circuit arrangements
US4513364A (en) 1980-08-14 1985-04-23 Nilssen Ole K Thermally controllable variable frequency inverter
US4415959A (en) 1981-03-20 1983-11-15 Vicor Corporation Forward converter switching at zero current
US4408268A (en) 1982-08-09 1983-10-04 General Electric Company Pulse modulated electronic voltage controller with smooth voltage output
DE3347106A1 (de) * 1983-12-27 1985-07-04 Garbe Lahmeyer & Co Ag Schaltungsanordnung zur polaritaetsgerechten erfassung der stroeme in einer halbleiter-umrichterbruecke
US4604584A (en) * 1985-06-10 1986-08-05 Motorola, Inc. Switched capacitor precision difference amplifier
US4713742A (en) 1986-10-09 1987-12-15 Sperry Corporation Dual-inductor buck switching converter
US4812961A (en) 1987-05-15 1989-03-14 Linear Technology, Inc. Charge pump circuitry having low saturation voltage and current-limited switch
US5198970A (en) 1988-04-27 1993-03-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha A.C. power supply apparatus
US5072354A (en) * 1989-05-16 1991-12-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pulse-width modulation type inverter apparatus
US4903181A (en) 1989-05-16 1990-02-20 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Power converter having parallel power switching systems coupled by an impedance inversion network
US5006782A (en) 1989-06-15 1991-04-09 International Rectifier Corporation Cascaded buck converter circuit with reduced power loss
US5159539A (en) 1989-08-17 1992-10-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High frequency DC/AC power converting apparatus
US5057986A (en) 1990-03-12 1991-10-15 Unisys Corporation Zero-voltage resonant transition switching power converter
US5078321A (en) 1990-06-22 1992-01-07 Nordson Corporation Rotary atomizer cup
US5132895A (en) 1990-12-11 1992-07-21 Motorola, Inc. Variable charge pumping DC-to-DC converter
US5132606A (en) 1991-01-07 1992-07-21 Edward Herbert Method and apparatus for controlling the input impedance of a power converter
DE69205885T2 (de) 1991-05-15 1996-06-13 Matsushita Electric Works Ltd Apparat für den Betrieb von Entladungslampen.
US5119283A (en) 1991-06-10 1992-06-02 General Electric Company High power factor, voltage-doubler rectifier
FR2679715B1 (fr) 1991-07-25 1993-10-29 Centre Nal Recherc Scientifique Dispositif electronique de conversion d'energie electrique.
JP2766407B2 (ja) 1991-08-20 1998-06-18 株式会社東芝 太陽光発電用インバータの制御装置
JPH05191970A (ja) 1992-01-13 1993-07-30 Sony Corp 電源装置
US5331303A (en) 1992-04-21 1994-07-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Power transformer for cycloconverters
US5301097A (en) 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
US5982645A (en) 1992-08-25 1999-11-09 Square D Company Power conversion and distribution system
JP3085562B2 (ja) 1992-10-12 2000-09-11 三菱電機株式会社 基準電圧発生回路および内部降圧回路
US5402329A (en) 1992-12-09 1995-03-28 Ernest H. Wittenbreder, Jr. Zero voltage switching pulse width modulated power converters
US5345376A (en) 1993-02-19 1994-09-06 Tescom Corporation Switching power supply with electronic isolation
JP3235289B2 (ja) 1993-09-20 2001-12-04 松下電器産業株式会社 バッテリーチャージャー
US5548206A (en) 1993-09-30 1996-08-20 National Semiconductor Corporation System and method for dual mode DC-DC power conversion
EP0691729A3 (de) 1994-06-30 1996-08-14 Sgs Thomson Microelectronics Ladungspumpenschaltung mit Rückkopplungssteuerung
US5610807A (en) 1994-10-14 1997-03-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Power converting system with a plurality of charging capacitors
US5581454A (en) * 1994-11-22 1996-12-03 Collins; Hansel High power switched capacitor voltage conversion and regulation apparatus
US5563779A (en) 1994-12-05 1996-10-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for a regulated supply on an integrated circuit
EP0716368B1 (de) 1994-12-05 2002-06-12 STMicroelectronics S.r.l. Ladungspumpe-Spannungsvervielfacherschaltung mit Regelungsrückkopplung und Verfahren dafür
JP4010124B2 (ja) 1995-01-11 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 電源回路、液晶表示装置及び電子機器
US5661348A (en) 1995-07-18 1997-08-26 Dell Usa L.P. Method and apparatus for passive input current waveform correction for universal offline switchmode power supply
JP3424398B2 (ja) * 1995-07-26 2003-07-07 松下電工株式会社 電力変換装置
US5602794A (en) 1995-09-29 1997-02-11 Intel Corporation Variable stage charge pump
US5856918A (en) * 1995-11-08 1999-01-05 Sony Corporation Internal power supply circuit
JP3456074B2 (ja) 1995-11-08 2003-10-14 ソニー株式会社 Dc−dcコンバータ
DE19543625C1 (de) 1995-11-23 1997-01-30 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum Nachrüsten einer weiteren Antenne an eine vorhandene Fahrzeugantenne und Fahrzeugzusatzantenne
US5907484A (en) 1996-04-25 1999-05-25 Programmable Microelectronics Corp. Charge pump
US5793626A (en) 1996-05-29 1998-08-11 Lucent Technologies Inc. High efficiency bimodal power converter and method of operation thereof
SE510366C2 (sv) 1996-08-22 1999-05-17 Ericsson Telefon Ab L M AC/DC Omvandlare
JP2002305248A (ja) 1996-10-08 2002-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
JP3701091B2 (ja) 1996-11-29 2005-09-28 ローム株式会社 スイッチトキャパシタ
JP3475688B2 (ja) 1997-01-14 2003-12-08 松下電工株式会社 電力変換装置
US5801987A (en) 1997-03-17 1998-09-01 Motorola, Inc. Automatic transition charge pump for nonvolatile memories
US5892395A (en) 1997-05-02 1999-04-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for efficient signal power amplification
JPH10327573A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置の半導体スタック
JPH10327575A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Kyocera Corp 電源回路
KR100282728B1 (ko) * 1997-06-23 2001-03-02 김영환 플래쉬메모리장치
US5831846A (en) 1997-08-22 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Dual mode boost converter and method of operation thereof
JP3923150B2 (ja) 1997-10-16 2007-05-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 周波数シンセサイザ
JPH11235053A (ja) 1998-02-10 1999-08-27 Takaoka Electric Mfg Co Ltd 電力変換装置用スタック
US6055168A (en) 1998-03-04 2000-04-25 National Semiconductor Corporation Capacitor DC-DC converter with PFM and gain hopping
US5991169A (en) 1998-03-16 1999-11-23 Lincoln Global, Inc. Arc welding power supply
US6133788A (en) 1998-04-02 2000-10-17 Ericsson Inc. Hybrid Chireix/Doherty amplifiers and methods
WO1999056383A1 (en) 1998-04-24 1999-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Combined capacitive up/down converter
US6111767A (en) 1998-06-22 2000-08-29 Heliotronics, Inc. Inverter integrated instrumentation having a current-voltage curve tracer
US6198645B1 (en) 1998-07-02 2001-03-06 National Semiconductor Corporation Buck and boost switched capacitor gain stage with optional shared rest state
US5978283A (en) 1998-07-02 1999-11-02 Aplus Flash Technology, Inc. Charge pump circuits
JP3280623B2 (ja) 1998-08-11 2002-05-13 沖電気工業株式会社 チャージポンプ回路の駆動制御回路
US5956243A (en) 1998-08-12 1999-09-21 Lucent Technologies, Inc. Three-level boost rectifier with voltage doubling switch
JP4026947B2 (ja) 1998-08-24 2007-12-26 株式会社ルネサステクノロジ 昇圧回路
DE19983561T1 (de) 1998-09-16 2001-08-30 Crown Int Leistungsversorgung für Verstärker
US6140807A (en) 1998-10-01 2000-10-31 Motorola, Inc. Electronic device and associated method for charging an energy storage circuit with a DC-DC converter
JP2000134095A (ja) 1998-10-28 2000-05-12 Murata Mfg Co Ltd Pllモジュール及び携帯端末機器
US6021056A (en) 1998-12-14 2000-02-01 The Whitaker Corporation Inverting charge pump
US6327462B1 (en) 1998-12-29 2001-12-04 Conexant Systems, Inc. System and method for dynamically varying operational parameters of an amplifier
US6169673B1 (en) 1999-01-27 2001-01-02 National Semiconductor Corporation Switched capacitor circuit having voltage management and method
KR20000052068A (ko) 1999-01-29 2000-08-16 에릭 발리베 교류발전기용 냉각팬
US6377117B2 (en) 1999-07-27 2002-04-23 Conexant Systems, Inc. Method and system for efficiently transmitting energy from an RF device
US6157253A (en) 1999-09-03 2000-12-05 Motorola, Inc. High efficiency power amplifier circuit with wide dynamic backoff range
FR2799063B1 (fr) 1999-09-24 2001-12-21 Centre Nat Etd Spatiales Emetteur de signaux radioelectriques modules a polarisation d'amplification auto-adaptee
US6255896B1 (en) 1999-09-27 2001-07-03 Intel Corporation Method and apparatus for rapid initialization of charge pump circuits
US6255906B1 (en) 1999-09-30 2001-07-03 Conexant Systems, Inc. Power amplifier operated as an envelope digital to analog converter with digital pre-distortion
US6316956B1 (en) 1999-10-22 2001-11-13 Motorola, Inc. Multiple redundant reliability enhancement method for integrated circuits and transistors
US6429632B1 (en) 2000-02-11 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Efficient CMOS DC-DC converters based on switched capacitor power supplies with inductive current limiters
US6400579B2 (en) 2000-03-24 2002-06-04 Slobodan Cuk Lossless switching DC to DC converter with DC transformer
US6456153B2 (en) 2000-05-04 2002-09-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for a regulated power supply including a charge pump with sampled feedback
US6275018B1 (en) 2000-06-02 2001-08-14 Iwatt Switching power converter with gated oscillator controller
US6636104B2 (en) 2000-06-13 2003-10-21 Microsemi Corporation Multiple output charge pump
US6469482B1 (en) 2000-06-30 2002-10-22 Intel Corporation Inductive charge pump circuit for providing voltages useful for flash memory and other applications
US6329796B1 (en) 2000-07-25 2001-12-11 O2 Micro International Limited Power management circuit for battery systems
US6570434B1 (en) 2000-09-15 2003-05-27 Infineon Technologies Ag Method to improve charge pump reliability, efficiency and size
US6563235B1 (en) 2000-10-03 2003-05-13 National Semiconductor Corporation Switched capacitor array circuit for use in DC-DC converter and method
EP1199788A1 (de) 2000-10-17 2002-04-24 STMicroelectronics S.r.l. Induktiver Gleichspannungsschaltwandler
US6504422B1 (en) 2000-11-21 2003-01-07 Semtech Corporation Charge pump with current limiting circuit
US6396341B1 (en) 2000-12-29 2002-05-28 Ericsson Inc. Class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
US6501325B1 (en) 2001-01-18 2002-12-31 Cypress Semiconductor Corp. Low voltage supply higher efficiency cross-coupled high voltage charge pumps
KR100374644B1 (ko) 2001-01-27 2003-03-03 삼성전자주식회사 승압 전압의 조절이 가능한 전압 승압 회로
US7009858B2 (en) 2001-01-29 2006-03-07 Seiko Epson Corporation Adjustable current consumption power supply apparatus
KR100407100B1 (ko) * 2001-02-01 2003-11-28 산요덴키가부시키가이샤 차지 펌프 회로
JP2002233139A (ja) 2001-02-05 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dc−dcコンバータ
JP3957150B2 (ja) 2001-02-08 2007-08-15 セイコーインスツル株式会社 Led駆動回路
KR100403810B1 (ko) 2001-03-09 2003-10-30 삼성전자주식회사 혼합형 전원 공급회로와 상기 혼합형 전원 공급 회로를이용한 논리 회로의 충/방전 방법
US6486728B2 (en) 2001-03-16 2002-11-26 Matrix Semiconductor, Inc. Multi-stage charge pump
US6927441B2 (en) 2001-03-20 2005-08-09 Stmicroelectronics S.R.L. Variable stage charge pump
US6738432B2 (en) 2001-03-21 2004-05-18 Ericsson Inc. System and method for RF signal amplification
US6362986B1 (en) 2001-03-22 2002-03-26 Volterra, Inc. Voltage converter with coupled inductive windings, and associated methods
DE10122534A1 (de) 2001-05-09 2002-11-21 Philips Corp Intellectual Pty Resonanter Konverter
SE523457C2 (sv) 2001-05-17 2004-04-20 Abb Ab VSC-strömriktare flrsedd med resonanskrets för kommuntering, jämte tillhörande förfarande, datorprogramprodukt och datorläsbart medium
US6650552B2 (en) 2001-05-25 2003-11-18 Tdk Corporation Switching power supply unit with series connected converter circuits
US6476666B1 (en) 2001-05-30 2002-11-05 Alliance Semiconductor Corporation Bootstrapped charge pump
JP3693599B2 (ja) 2001-07-09 2005-09-07 シャープ株式会社 スイッチドキャパシタ型安定化電源装置
EP1417757B1 (de) 2001-08-14 2008-07-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Systeme und verfahren zur impulsbreitenmodulation
US6618296B2 (en) 2001-08-22 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Charge pump with controlled charge current
JP4790945B2 (ja) 2001-09-21 2011-10-12 セイコーNpc株式会社 チャージポンプ回路
US6515612B1 (en) 2001-10-23 2003-02-04 Agere Systems, Inc. Method and system to reduce signal-dependent charge drawn from reference voltage in switched capacitor circuits
US6791298B2 (en) 2001-11-05 2004-09-14 Shakti Systems, Inc. Monolithic battery charging device
US6738277B2 (en) 2001-11-27 2004-05-18 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for balancing active capacitor leakage current
US20080231233A1 (en) 2001-12-03 2008-09-25 Walter Thornton Power converter including auxiliary battery charger
US6717458B1 (en) * 2001-12-03 2004-04-06 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for a DC-DC charge pump voltage converter-regulator circuit
JP3937831B2 (ja) 2001-12-18 2007-06-27 富士ゼロックス株式会社 電源装置及びこれを用いた画像形成装置
US6975098B2 (en) 2002-01-31 2005-12-13 Vlt, Inc. Factorized power architecture with point of load sine amplitude converters
US6888399B2 (en) 2002-02-08 2005-05-03 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device equipped with a voltage step-up circuit
CA2476909C (en) 2002-02-22 2009-05-05 Xantrex Technology Inc. Modular ac voltage supply and algorithm for controlling the same
US20030169896A1 (en) 2002-03-05 2003-09-11 Kirk Karl Dallas Ear clip speakers that interlock and enable cord spooling
JP2003284324A (ja) 2002-03-25 2003-10-03 Nec Tokin Corp 降圧型dc/dcコンバータ
US6853566B2 (en) 2002-04-18 2005-02-08 Ricoh Company, Ltd. Charge pump circuit and power supply circuit
US6617832B1 (en) * 2002-06-03 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Low ripple scalable DC-to-DC converter circuit
US20040041620A1 (en) 2002-09-03 2004-03-04 D'angelo Kevin P. LED driver with increased efficiency
US7123664B2 (en) 2002-09-17 2006-10-17 Nokia Corporation Multi-mode envelope restoration architecture for RF transmitters
US6798177B1 (en) 2002-10-15 2004-09-28 Arques Technology, Inc. Boost-buck cascade converter for pulsating loads
FI114758B (fi) 2002-10-25 2004-12-15 Nokia Oyj Jännitekertoja
KR20050074629A (ko) 2002-11-18 2005-07-18 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전력 전달 장치, 방법 및 회로
US7233473B2 (en) * 2002-11-18 2007-06-19 Nxp B.V. Protection circuit and method for floating power transfer device
JP2004187355A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Fujitsu Ltd 電源制御方法、電流・電圧変換回路及び電子装置
JP3697695B2 (ja) 2003-01-23 2005-09-21 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 チャージポンプ型dc/dcコンバータ
US7193470B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for controlling a power amplifier in a mobile communication system
KR20040102298A (ko) 2003-05-27 2004-12-04 삼성전자주식회사 바이어스 적응 방식의 대전력 증폭기
FR2852748B1 (fr) 2003-03-18 2005-06-03 Hacheur serie a commutation synchrone et faibles pertes
TW200505162A (en) * 2003-04-14 2005-02-01 Sanyo Electric Co Charge pump circuit
US6934167B2 (en) 2003-05-01 2005-08-23 Delta Electronics, Inc. Contactless electrical energy transmission system having a primary side current feedback control and soft-switched secondary side rectifier
US7269036B2 (en) 2003-05-12 2007-09-11 Siemens Vdo Automotive Corporation Method and apparatus for adjusting wakeup time in electrical power converter systems and transformer isolation
US6906567B2 (en) 2003-05-30 2005-06-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and structure for dynamic slew-rate control using capacitive elements
JP3675454B2 (ja) 2003-06-19 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 昇圧回路、半導体装置及び表示装置
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
US6944034B1 (en) 2003-06-30 2005-09-13 Iwatt Inc. System and method for input current shaping in a power converter
US20050024125A1 (en) 2003-08-01 2005-02-03 Mcnitt John L. Highly efficient, high current drive, multi-phase voltage multiplier
US7091778B2 (en) 2003-09-19 2006-08-15 M/A-Com, Inc. Adaptive wideband digital amplifier for linearly modulated signal amplification and transmission
US20050068073A1 (en) 2003-09-26 2005-03-31 Xudong Shi Regulated adaptive-bandwidth PLL/DLL using self-biasing current from a VCO/VCDL
JP4215614B2 (ja) 2003-10-22 2009-01-28 加藤電機株式会社 携帯端末用ヒンジ
EP1526631A1 (de) 2003-10-24 2005-04-27 Alcatel Hochleistungsschaltwandler
US6995995B2 (en) 2003-12-03 2006-02-07 Fairchild Semiconductor Corporation Digital loop for regulating DC/DC converter with segmented switching
US6980045B1 (en) 2003-12-05 2005-12-27 Xilinx, Inc. Merged charge pump
DE10358299A1 (de) 2003-12-12 2005-07-14 Infineon Technologies Ag Kondensatorbauelement
US7095992B2 (en) 2003-12-19 2006-08-22 Broadcom Corporation Phase locked loop calibration
TWI233617B (en) 2004-01-02 2005-06-01 Univ Nat Chiao Tung Charge pump circuit suitable for low voltage process
US8339102B2 (en) 2004-02-10 2012-12-25 Spansion Israel Ltd System and method for regulating loading on an integrated circuit power supply
US7071660B2 (en) 2004-02-20 2006-07-04 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Two-stage voltage regulators with adjustable intermediate bus voltage, adjustable switching frequency, and adjustable number of active phases
US7408795B2 (en) 2004-02-24 2008-08-05 Vlt, Inc. Energy storage and hold-up method and apparatus for high density power conversion
WO2005086978A2 (en) 2004-03-11 2005-09-22 International Rectifier Corporation Embedded power management control circuit
US7239194B2 (en) 2004-03-25 2007-07-03 Integral Wave Technologies, Inc. Trench capacitor power supply system and method
US7190210B2 (en) 2004-03-25 2007-03-13 Integral Wave Technologies, Inc. Switched-capacitor power supply system and method
WO2005106613A1 (en) 2004-04-22 2005-11-10 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for switched-mode power conversion at radio frequencies
JP2005339658A (ja) 2004-05-26 2005-12-08 Toshiba Corp 昇圧回路
EP1759454A1 (de) 2004-06-04 2007-03-07 Silocon Power Devices APS Leistungsverstärker und impulsbreitenmodulierter verstärker
JP4397291B2 (ja) 2004-06-29 2010-01-13 Okiセミコンダクタ株式会社 表示装置の駆動回路、及び表示装置の駆動方法
TWI261406B (en) 2004-07-08 2006-09-01 Analog Integrations Corp Charge pump DC/DC converter with constant-frequency operation
US8581147B2 (en) 2005-03-24 2013-11-12 Lincoln Global, Inc. Three stage power source for electric ARC welding
US8785816B2 (en) 2004-07-13 2014-07-22 Lincoln Global, Inc. Three stage power source for electric arc welding
TWI298970B (en) 2004-07-29 2008-07-11 Sanyo Electric Co Voltage reduction type dc-dc converter
JP2006067783A (ja) 2004-07-29 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd Dc−dcコンバータ
JP2006050833A (ja) 2004-08-06 2006-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd チャージポンプ回路
EP1635444B1 (de) 2004-09-14 2009-01-07 Dialog Semiconductor GmbH Abschaltvorrichtung für Ladungspumpeschaltung
WO2006035528A1 (ja) 2004-09-29 2006-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. スタックモジュール及びその製造方法
CN100588094C (zh) 2004-10-11 2010-02-03 天利半导体(深圳)有限公司 电荷泵电路
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US7129784B2 (en) 2004-10-28 2006-10-31 Broadcom Corporation Multilevel power amplifier architecture using multi-tap transformer
TW200631295A (en) 2004-11-02 2006-09-01 Nec Electronics Corp Apparatus and method for power conversion
US7157956B2 (en) * 2004-12-03 2007-01-02 Silicon Laboratories, Inc. Switched capacitor input circuit and method therefor
US7724551B2 (en) * 2004-12-06 2010-05-25 Rohm Co., Ltd. Step-up circuit and portable device using it
JP5651284B2 (ja) 2005-01-18 2015-01-07 オクシス・エナジー・リミテッド リチウム−硫黄電池
TWI253701B (en) 2005-01-21 2006-04-21 Via Tech Inc Bump-less chip package
US7375992B2 (en) 2005-01-24 2008-05-20 The Hong Kong University Of Science And Technology Switched-capacitor regulators
FR2881852B1 (fr) 2005-02-08 2007-04-13 St Microelectronics Sa Brouillage de la signature en courant d'un circuit integre
US7595682B2 (en) 2005-02-24 2009-09-29 Macronix International Co., Ltd. Multi-stage charge pump without threshold drop with frequency modulation between embedded mode operations
US20070066224A1 (en) 2005-02-28 2007-03-22 Sirit, Inc. High efficiency RF amplifier and envelope modulator
JP4984569B2 (ja) 2005-03-18 2012-07-25 富士通株式会社 スイッチングコンバータ
WO2006102927A1 (en) 2005-04-01 2006-10-05 Freescale Semiconductor, Inc. Charge pump and control scheme
US9647555B2 (en) 2005-04-08 2017-05-09 Lincoln Global, Inc. Chopper output stage for arc welder power source
JP2006311703A (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Seiko Instruments Inc チャージポンプ回路を有する電子機器
WO2006119362A2 (en) 2005-05-03 2006-11-09 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for resistance compression networks
US8035148B2 (en) 2005-05-17 2011-10-11 Analog Devices, Inc. Micromachined transducer integrated with a charge pump
TWI315456B (en) 2005-07-21 2009-10-01 Novatek Microelectronics Corp Charge pump control circuit
US9214909B2 (en) 2005-07-29 2015-12-15 Mks Instruments, Inc. High reliability RF generator architecture
US7319313B2 (en) 2005-08-10 2008-01-15 Xantrex Technology, Inc. Photovoltaic DC-to-AC power converter and control method
US7525853B2 (en) 2005-08-12 2009-04-28 Spansion Llc Semiconductor device and method for boosting word line
JP2007074797A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Rohm Co Ltd スイッチング電源装置およびそれを用いた電子機器
JP2007116651A (ja) 2005-09-22 2007-05-10 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅用電子部品および無線通信装置
CA2626345A1 (en) 2005-10-21 2007-04-26 The Regents Of The University Of Colorado Systems and methods for receiving and managing power in wireless devices
TW200733523A (en) 2005-10-25 2007-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv Power converter
DE112006002885B8 (de) 2005-10-31 2016-01-14 Autonetworks Technologies, Ltd. Energieversorgungssteuerung
WO2007054858A2 (en) 2005-11-08 2007-05-18 Nxp B.V. Integrated capacitor arrangement for ultrahigh capacitance values
US7330070B2 (en) 2005-11-10 2008-02-12 Nokia Corporation Method and arrangement for optimizing efficiency of a power amplifier
US20070146020A1 (en) 2005-11-29 2007-06-28 Advanced Analogic Technologies, Inc High Frequency Power MESFET Gate Drive Circuits
GB2432982A (en) 2005-11-30 2007-06-06 Toshiba Res Europ Ltd An EER RF amplifier with PWM signal switching
JP4719567B2 (ja) 2005-12-21 2011-07-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 双方向dc−dcコンバータおよびその制御方法
US8884714B2 (en) 2005-12-22 2014-11-11 Pine Valley Investments, Inc. Apparatus, system, and method for digital base modulation of power amplifier in polar transmitter
KR100673022B1 (ko) 2005-12-26 2007-01-24 삼성전자주식회사 챠지 펌프
US7250810B1 (en) 2005-12-27 2007-07-31 Aimtron Technology Corp. Multi-mode charge pump drive circuit with improved input noise at a moment of mode change
WO2007082090A2 (en) 2006-01-12 2007-07-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for a resonant converter
DE102006002712B4 (de) 2006-01-19 2015-11-26 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung zur Spannungsversorgung und Verfahren
TWM297047U (en) 2006-01-30 2006-09-01 Samya Technology Co Ltd Multi-functional portable charger
WO2007088595A1 (ja) 2006-01-31 2007-08-09 Fujitsu Limited Pll回路及び半導体集積装置
US7397677B1 (en) 2006-02-08 2008-07-08 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for charge pump control with adjustable series resistance
US7589605B2 (en) 2006-02-15 2009-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus to provide compensation for parasitic inductance of multiple capacitors
US7932800B2 (en) 2006-02-21 2011-04-26 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Method and apparatus for three-dimensional integration of embedded power module
CN101034536A (zh) 2006-03-08 2007-09-12 天利半导体(深圳)有限公司 一种tft驱动电路中的电荷泵电路
JP2007274883A (ja) 2006-03-08 2007-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチング電源装置
US7382113B2 (en) 2006-03-17 2008-06-03 Yuan Ze University High-efficiency high-voltage difference ratio bi-directional converter
US7408414B2 (en) 2006-03-21 2008-08-05 Leadis Technology, Inc. Distributed class G type amplifier switching method
DE102006019178B4 (de) 2006-04-21 2009-04-02 Forschungszentrum Dresden - Rossendorf E.V. Anordnung zur zweidimensionalen Messung von verschiedenen Komponenten im Querschnitt einer Mehrphasenströmung
CN101071981B (zh) 2006-05-11 2010-09-29 中华映管股份有限公司 升压式直流/直流转换器
US8031003B2 (en) 2006-05-17 2011-10-04 Dishop Steven M Solid-state RF power amplifier for radio transmitters
US7362251B2 (en) 2006-05-18 2008-04-22 Broadcom Corporation Method and system for digital to analog conversion for power amplifier driver amplitude modulation
CN101079576B (zh) 2006-05-24 2010-04-07 昂宝电子(上海)有限公司 用于提供对电源调节器的开关的***
US7342445B2 (en) 2006-05-30 2008-03-11 Motorola, Inc. Radio frequency power amplifier circuit and method
US8548400B2 (en) 2006-05-31 2013-10-01 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for polar modulation using power amplifier bias control
US7570931B2 (en) 2006-06-02 2009-08-04 Crestcom, Inc. RF transmitter with variably biased RF power amplifier and method therefor
US7408330B2 (en) 2006-06-06 2008-08-05 Skyworks Solutions, Inc. Voltage up-conversion circuit using low voltage transistors
US8761305B2 (en) 2006-06-14 2014-06-24 Blackberry Limited Input drive control for switcher regulated power amplifier modules
AU2007260548B2 (en) 2006-06-14 2010-06-03 Blackberry Limited Improved control of switcher regulated power amplifier modules
US7746041B2 (en) 2006-06-27 2010-06-29 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Non-isolated bus converters with voltage divider topology
US7817962B2 (en) 2006-06-29 2010-10-19 Broadcom Corporation Polar transmitter amplifier with variable output power
US20080003962A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 Wai Lim Ngai Method and apparatus for providing adaptive supply voltage control of a power amplifier
KR100757371B1 (ko) 2006-07-07 2007-09-11 삼성전자주식회사 고주파 신호의 엔벨롭 변조를 위한 전력 증폭기 회로 및방법
US7764055B2 (en) 2006-07-10 2010-07-27 Skyworks Solutions, Inc. Polar transmitter having a dynamically controlled voltage regulator and method for operating same
US20080013236A1 (en) 2006-07-17 2008-01-17 Da Feng Weng Passive switching capacitor network auxiliary voltage source for off-line IC chip and additional circuits
JP2008028509A (ja) 2006-07-19 2008-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信電力増幅器とその制御方法及び無線通信装置
US7724839B2 (en) 2006-07-21 2010-05-25 Mediatek Inc. Multilevel LINC transmitter
US8098089B2 (en) 2006-07-28 2012-01-17 Stmicroelectronics S.R.L. Voltage booster
JP2008042979A (ja) 2006-08-02 2008-02-21 Rohm Co Ltd 半導体集積回路およびそれを備えた電子機器
RU2396691C1 (ru) 2006-08-10 2010-08-10 Итон Пауэр Кволити Кампани Циклоконвертер и способ его работы
GB2441358B (en) 2006-08-31 2011-07-06 Wolfson Microelectronics Plc DC-DC converter circuits,and methods and apparatus including such circuits
TWI320626B (en) 2006-09-12 2010-02-11 Ablerex Electronics Co Ltd Bidirectional active power conditioner
GB0617990D0 (en) 2006-09-13 2006-10-18 Palmer Patrick R Control of power semiconductor devices
WO2008039526A2 (en) 2006-09-25 2008-04-03 Flextronics Ap, Llc Bi-directional regulator
JP4944571B2 (ja) 2006-10-31 2012-06-06 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド チャージポンプ回路
WO2008054275A1 (en) 2006-11-01 2008-05-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Dynamic range improvements of load modulated amplifiers
JP2008118517A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Moswell:Kk テレビジョンカメラ装置
KR101340056B1 (ko) 2006-12-07 2013-12-11 삼성디스플레이 주식회사 직류/직류 컨버터 및 액정표시장치
US20080136559A1 (en) 2006-12-08 2008-06-12 Wataru Takahashi Electronic device and rf module
US7579902B2 (en) 2006-12-11 2009-08-25 Atmel Corporation Charge pump for generation of multiple output-voltage levels
US8509290B2 (en) 2006-12-21 2013-08-13 Icera Canada ULC Closed-loop digital power control for a wireless transmitter
GB2447426B (en) * 2006-12-22 2011-07-13 Wolfson Microelectronics Plc Charge pump circuit and methods of operation thereof
GB2444984B (en) 2006-12-22 2011-07-13 Wolfson Microelectronics Plc Charge pump circuit and methods of operation thereof
CN101647181B (zh) 2006-12-30 2012-08-29 先进模拟科技公司 Dc/dc电压转换器
US7786712B2 (en) 2006-12-30 2010-08-31 Advanced Analogic Technologies, Inc. High-efficiency DC/DC voltage converter including up inductive switching pre-regulator and capacitive switching post-converter
US7777459B2 (en) 2006-12-30 2010-08-17 Advanced Analogic Technologies, Inc. High-efficiency DC/DC voltage converter including capacitive switching pre-converter and down inductive switching post-regulator
US7656740B2 (en) 2007-02-05 2010-02-02 Micron Technology, Inc. Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods
US7932770B2 (en) 2007-02-07 2011-04-26 Panasonic Corporation Charge pump circuit
JP2008220158A (ja) 2007-02-07 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 昇圧回路
US7705672B1 (en) 2007-02-12 2010-04-27 Manuel De Jesus Rodriguez Buck converters as power amplifier
JP5134263B2 (ja) 2007-03-01 2013-01-30 本田技研工業株式会社 電力変換装置
US8019293B2 (en) 2007-03-09 2011-09-13 Skyworks Solutions, Inc. Controller and method for using a DC-DC converter in a mobile handset
EP1971018A1 (de) 2007-03-13 2008-09-17 SMA Solar Technology AG Schaltungsvorrichtung zum transformatorlosen Umwandeln einer Gleichspannung in eine Wechselspannung mittels zweier DC/DC Wandler und einem AC/DC Wandler
US7711334B2 (en) 2007-03-23 2010-05-04 Newport Media, Inc. High linearity, low noise figure, front end circuit with fine step gain control
US7696735B2 (en) 2007-03-30 2010-04-13 Intel Corporation Switched capacitor converters
CN101295925B (zh) 2007-04-24 2011-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 直流/直流转换***
TWI335709B (en) 2007-04-30 2011-01-01 Novatek Microelectronics Corp Voltage conversion device capable of enhancing conversion efficiency
CN101682252B (zh) 2007-05-10 2013-10-23 Nxp股份有限公司 包含可重构电容器单元的直流-直流变换器
EP2145351A1 (de) 2007-05-10 2010-01-20 Ipdia Integrationssubstrat mit kondensator mit ultrahoher dichte und substratdurchgang
US7800352B2 (en) 2007-05-16 2010-09-21 Intersil Americas Inc. Controller having comp node voltage shift cancellation for improved discontinuous conduction mode (DCM) regulator performance and related methods
US7446596B1 (en) 2007-05-25 2008-11-04 Atmel Corporation Low voltage charge pump
US7400118B1 (en) 2007-06-01 2008-07-15 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. High efficiency single-inductor dual-control loop power converter
US20090004981A1 (en) 2007-06-27 2009-01-01 Texas Instruments Incorporated High efficiency digital transmitter incorporating switching power supply and linear power amplifier
JP2009022093A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Ricoh Co Ltd 多出力電源装置
JP4325710B2 (ja) 2007-07-13 2009-09-02 株式会社デンソー 昇圧電源装置
ITMI20071468A1 (it) 2007-07-20 2009-01-21 Polimeri Europa Spa Procedimento per la preparazione di copolimeri vinilaromatici antiurto trasparenti
US8463189B2 (en) 2007-07-31 2013-06-11 Texas Instruments Incorporated Predistortion calibration and built in self testing of a radio frequency power amplifier using subharmonic mixing
US8427113B2 (en) 2007-08-01 2013-04-23 Intersil Americas LLC Voltage converter with combined buck converter and capacitive voltage divider
US20090033293A1 (en) 2007-08-01 2009-02-05 Intersil Americas Inc. Voltage converter with combined capacitive voltage divider, buck converter and battery charger
JP2009044831A (ja) 2007-08-08 2009-02-26 Renesas Technology Corp 電源装置
US7977927B2 (en) 2007-08-08 2011-07-12 Advanced Analogic Technologies, Inc. Step-up DC/DC voltage converter with improved transient current capability
US8619443B2 (en) 2010-09-29 2013-12-31 The Powerwise Group, Inc. System and method to boost voltage
JP5255248B2 (ja) 2007-09-04 2013-08-07 株式会社アドバンテスト 電源安定化回路、電子デバイス、および、試験装置
US20090066407A1 (en) 2007-09-12 2009-03-12 Rochester Institute Of Technology Charge pump systems and methods thereof
US7907429B2 (en) 2007-09-13 2011-03-15 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for a fully integrated switched-capacitor step-down power converter
US20090086511A1 (en) 2007-09-27 2009-04-02 Phison Electronics Corp. Converter circuit with pulse width frequency modulation and method thereof
JP5180311B2 (ja) 2007-10-26 2013-04-10 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) 改良増幅装置
JP5063299B2 (ja) 2007-11-05 2012-10-31 株式会社リコー チャージポンプ回路の動作制御方法
KR100900965B1 (ko) 2007-11-05 2009-06-08 한국전자통신연구원 고전압용 씨모스 전하 펌프
US7595683B1 (en) 2007-11-15 2009-09-29 Fairchild Semiconductor Corporation Low-input-voltage charge pump
KR20100133947A (ko) 2007-11-21 2010-12-22 더 아리조나 보드 오브 리전츠 온 비핼프 오브 더 유니버시티 오브 아리조나 적응적-이득 스텝-업/다운 스위치드-커패시터 dc/dc 컨버터
JP5643104B2 (ja) 2007-11-30 2014-12-17 アレンコン・アクイジション・カンパニー・エルエルシー 多相グリッド同期調整電流形インバータシステム
US8213199B2 (en) 2007-11-30 2012-07-03 Alencon Acquisition Co., Llc. Multiphase grid synchronized regulated current source inverter systems
GB2455144B (en) 2007-12-01 2012-08-15 Converteam Technology Ltd Voltage clamping and energy recovery circuits
WO2009073867A1 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Solaredge, Ltd. Parallel connected inverters
US7768800B2 (en) 2007-12-12 2010-08-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Multiphase converter apparatus and method
JP2009165227A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Nec Electronics Corp 電圧変換回路
US8217637B2 (en) 2008-01-07 2012-07-10 The Hong Kong University Of Science And Technology Frequency compensation based on dual signal paths for voltage-mode switching regulators
US8081935B2 (en) 2008-01-08 2011-12-20 Panasonic Corporation Multiple-mode modulator to process baseband signals
US8106597B2 (en) 2008-01-22 2012-01-31 Supertex, Inc. High efficiency boost LED driver with output
JP2009183111A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Panasonic Corp チャージポンプ回路およびそれを備える電子機器
US7872886B2 (en) 2008-02-20 2011-01-18 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Quasi-parallel voltage regulator
TW200937820A (en) 2008-02-20 2009-09-01 Richtek Technology Corp Buck power converter capable of improving cross-interference and method thereof
WO2009108391A1 (en) 2008-02-28 2009-09-03 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
JP4582161B2 (ja) 2008-03-04 2010-11-17 株式会社豊田自動織機 電力変換装置
KR100911978B1 (ko) 2008-03-10 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
CA2718168A1 (en) 2008-03-10 2009-09-17 Techtium Ltd. Environmentally friendly power supply
US7928705B2 (en) 2008-03-12 2011-04-19 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Switched mode voltage converter with low-current mode and methods of performing voltage conversion with low-current mode
US7960950B2 (en) 2008-03-24 2011-06-14 Solaredge Technologies Ltd. Zero current switching
US7705681B2 (en) 2008-04-17 2010-04-27 Infineon Technologies Ag Apparatus for coupling at least one of a plurality of amplified input signals to an output terminal using a directional coupler
US20090273955A1 (en) 2008-05-01 2009-11-05 Tseng Tang-Kuei Optimum structure for charge pump circuit with bipolar output
US8212541B2 (en) * 2008-05-08 2012-07-03 Massachusetts Institute Of Technology Power converter with capacitive energy transfer and fast dynamic response
US8693213B2 (en) 2008-05-21 2014-04-08 Flextronics Ap, Llc Resonant power factor correction converter
US7742318B2 (en) 2008-06-10 2010-06-22 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Multi-element resonant converters
TWI358884B (en) 2008-06-13 2012-02-21 Green Solution Tech Co Ltd Dc/dc converter circuit and charge pump controller
US7957712B2 (en) 2008-06-16 2011-06-07 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Double-LINC switched-mode transmitter
DE102008028952A1 (de) 2008-06-18 2009-12-24 Abb Ag AC-DC-Zwischenkreis-Wandler mit sehr weitem AC-Eingangsspannungs-Bereich
US8040174B2 (en) 2008-06-19 2011-10-18 Sandisk Il Ltd. Charge coupled pump-efficient charge pump regulator with MOS capacitor
US7952418B2 (en) 2008-06-27 2011-05-31 Dell Products L.P. Enhanced transistor gate drive
EP2294621B1 (de) 2008-06-30 2017-11-15 NXP USA, Inc. Verfahren zur bildung einer leistungshalbleiteranordnung und leistungshalbleiteranordnung
US8582333B2 (en) 2008-06-30 2013-11-12 Intel Corporation Integration of switched capacitor networks for power delivery
US8330436B2 (en) 2008-06-30 2012-12-11 Intel Corporation Series and parallel hybrid switched capacitor networks for IC power delivery
US20100013548A1 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Analog Devices, Inc. Power efficient charge pump with controlled peak currents
US8994452B2 (en) 2008-07-18 2015-03-31 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US7956673B2 (en) 2008-08-11 2011-06-07 Micron Technology, Inc. Variable stage charge pump and method for providing boosted output voltage
US8000117B2 (en) 2008-08-13 2011-08-16 Intersil Americas Inc. Buck boost function based on a capacitor bootstrap input buck converter
US7977921B2 (en) 2008-08-15 2011-07-12 National Semiconductor Corporation AC-to-DC voltage conversion and charging circuitry
JP5297116B2 (ja) 2008-08-18 2013-09-25 ローム株式会社 昇圧回路及びこれを用いた電源装置
KR100986183B1 (ko) 2008-08-21 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 직류/직류 변환 장치
CN101662208B (zh) 2008-08-26 2013-10-30 天利半导体(深圳)有限公司 一种实现正负高压的电荷泵电路
US20100052772A1 (en) 2008-08-29 2010-03-04 Caleb Yu-Sheng Cho Charge-Recycle Scheme for Charge Pumps
US20100073084A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. Systems and methods for a level-shifting high-efficiency linc amplifier using dynamic power supply
US8854019B1 (en) 2008-09-25 2014-10-07 Rf Micro Devices, Inc. Hybrid DC/DC power converter with charge-pump and buck converter
US8089788B2 (en) 2008-09-30 2012-01-03 Intel Corporation Switched capacitor voltage regulator having multiple conversion ratios
US8339802B2 (en) 2008-10-02 2012-12-25 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US8054658B2 (en) 2008-10-06 2011-11-08 Himax Technologies Limited Convertible charge-pump circuit for generating output voltage level according to voltage level selected from predetermined voltage and potential difference stored in charging capacitor and method thereof
MX2011003821A (es) 2008-10-09 2011-06-17 Adc Telecommunications Inc Arreglo de conmutacion de potencia.
US8094468B2 (en) 2008-10-21 2012-01-10 System General Corp. Control circuit having off-time modulation to operate power converter at quasi-resonance and in continuous current mode
US8488342B2 (en) 2008-10-21 2013-07-16 On-Bright Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Systems and methods for constant voltage mode and constant current mode in flyback power converters with primary-side sensing and regulation
US20100110741A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 University Of Florida Research Foundation, Inc. Miniature high voltage/current ac switch using low voltage single supply control
JP2010114802A (ja) 2008-11-10 2010-05-20 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc 無線通信装置および電源装置
EP2353219B1 (de) 2008-11-11 2018-05-02 Massachusetts Institute of Technology Asymmetrische mehrpegel-outphasing-architektur für hf-verstärker
US9634577B2 (en) 2008-11-11 2017-04-25 Massachusetts Institute Of Technology Inverter/power amplifier with capacitive energy transfer and related techniques
US7932757B2 (en) 2008-11-12 2011-04-26 Qualcomm Incorporated Techniques for minimizing control voltage ripple due to charge pump leakage in phase locked loop circuits
JP2010119226A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Elpida Memory Inc チャージポンプ回路
US8614595B2 (en) 2008-11-14 2013-12-24 Beniamin Acatrinei Low cost ultra versatile mixed signal controller circuit
US8081495B2 (en) 2008-11-20 2011-12-20 Semiconductor Components Industries, Llc Over power compensation in switched mode power supplies
US7858441B2 (en) 2008-12-08 2010-12-28 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package with semiconductor core structure and method of forming same
US8081494B2 (en) 2008-12-08 2011-12-20 National Semiconductor Corporation Fully integrated multi-phase grid-tie inverter
US7935570B2 (en) 2008-12-10 2011-05-03 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of embedding integrated passive devices into the package electrically interconnected using conductive pillars
US7907430B2 (en) 2008-12-18 2011-03-15 WaikotoLink Limited High current voltage regulator
CN102265494B (zh) * 2008-12-18 2014-03-19 Nxp股份有限公司 电荷泵电路
TWI381633B (zh) 2008-12-23 2013-01-01 Richtek Technology Corp 消除拍音震盪的切換式電源供應器及方法
GB2466775B (en) 2008-12-30 2011-06-22 Wolfson Microelectronics Plc Charge pump circuits
JP5107272B2 (ja) 2009-01-15 2012-12-26 株式会社東芝 温度補償回路
US8239881B2 (en) 2009-02-11 2012-08-07 Honeywell International Inc. Zero-power event detector
US8164932B2 (en) 2009-02-12 2012-04-24 Apple Inc. Power converter with automatic mode switching
US7808324B1 (en) 2009-03-17 2010-10-05 Cirrus Logic, Inc. Operating environment and process position selected charge-pump operating mode in an audio power amplifier integrated circuit
WO2010109371A1 (en) 2009-03-23 2010-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Supply circuit
US20100244585A1 (en) 2009-03-26 2010-09-30 General Electric Company High-temperature capacitors and methods of making the same
US8154333B2 (en) 2009-04-01 2012-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Charge pump circuits, systems, and operational methods thereof
US8159091B2 (en) 2009-04-01 2012-04-17 Chimei Innolux Corporation Switch circuit of DC/DC converter configured to conduct various modes for charging/discharging
DE202009006585U1 (de) 2009-05-06 2009-08-13 Exact Planwerk Gmbh Aufhängevorrichtung für Bildschirme
DE102009020834A1 (de) 2009-05-11 2011-02-03 Austriamicrosystems Ag Spannungswandler und Verfahren zur Spannungswandlung
US8971830B2 (en) 2009-05-12 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Multi-mode multi-band power amplifier module
US7990070B2 (en) 2009-06-05 2011-08-02 Louis Robert Nerone LED power source and DC-DC converter
US8378695B2 (en) 2009-06-17 2013-02-19 Infineon Technologies Austria Ag Determining the dead time in driving a half-bridge
CN101931204B (zh) * 2009-06-24 2015-01-07 立锜科技股份有限公司 过载保护装置及方法
KR20100138146A (ko) 2009-06-24 2010-12-31 삼성전자주식회사 고효율의 차지 펌프
US8456874B2 (en) 2009-07-15 2013-06-04 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Partial arbitrary matrix topology (PMAT) and general transposed serial-parallel topology (GTSP) capacitive matrix converters
TWI401555B (zh) 2009-07-29 2013-07-11 Delta Electronics Inc 調壓電路及其適用之並聯式調壓電路系統
TWI403080B (zh) * 2009-08-24 2013-07-21 Green Solution Tech Co Ltd 具電流偵測的電荷幫浦電路及其方法
US8358520B2 (en) 2009-09-14 2013-01-22 Vladimir Shvartsman High efficiency charge-and-add adjustable DC-DC converter
TWI381622B (zh) 2009-10-05 2013-01-01 Anpec Electronics Corp 同步式電源供應器及其相關直流轉換器
KR101025974B1 (ko) 2009-10-30 2011-03-30 삼성전기주식회사 멀티 스텝을 갖는 전원 공급 장치
KR101100131B1 (ko) 2009-11-16 2011-12-29 한국전기연구원 버퍼 커패시터를 이용한 저전력 충전 장치 및 방법
US8169257B2 (en) 2009-11-18 2012-05-01 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for communicating between multiple voltage tiers
US8276002B2 (en) 2009-11-23 2012-09-25 International Business Machines Corporation Power delivery in a heterogeneous 3-D stacked apparatus
KR101710154B1 (ko) 2009-12-01 2017-02-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 전원회로 및 이를 포함하는 액정표시장치
US8400122B2 (en) 2009-12-22 2013-03-19 Fairchild Semiconductor Corporation Selectively activated three-state charge pump
US8423800B2 (en) 2009-12-22 2013-04-16 Intel Corporation Switched capacitor voltage regulator with high efficiency over a wide voltage range
US20110175591A1 (en) 2010-01-16 2011-07-21 Cuks, Llc Step-down low ripple switching converter
CN102136801B (zh) 2010-01-21 2014-02-19 台达电子工业股份有限公司 谐振转换器以及其间歇模式控制方法
WO2011091249A2 (en) 2010-01-22 2011-07-28 Massachusetts Institute Of Technology Grid-tied power conversion circuits and related techniques
WO2011089483A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Duraikkannan Varadarajan Dc to dc power converter
US8310109B2 (en) 2010-01-28 2012-11-13 Texas Instruments Incorporated Power management DC-DC converter and method for induction energy harvester
US9141832B2 (en) 2010-02-03 2015-09-22 Massachusetts Institute Of Technology Multiway lossless power combining and outphasing incorporating transmission lines
WO2011097387A1 (en) 2010-02-03 2011-08-11 Massachusetts Institute Of Technology Radio-frequency (rf) amplifier circuits and related techniques
CN102200558A (zh) * 2010-03-25 2011-09-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 开/关机检测电路
US8538355B2 (en) 2010-04-19 2013-09-17 Rf Micro Devices, Inc. Quadrature power amplifier architecture
US9184701B2 (en) 2010-04-20 2015-11-10 Rf Micro Devices, Inc. Snubber for a direct current (DC)-DC converter
US8892063B2 (en) 2010-04-20 2014-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Linear mode and non-linear mode quadrature PA circuitry
US9030256B2 (en) 2010-04-20 2015-05-12 Rf Micro Devices, Inc. Overlay class F choke
US8811920B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter semiconductor die structure
US9008597B2 (en) 2010-04-20 2015-04-14 Rf Micro Devices, Inc. Direct current (DC)-DC converter having a multi-stage output filter
US8842399B2 (en) 2010-04-20 2014-09-23 Rf Micro Devices, Inc. ESD protection of an RF PA semiconductor die using a PA controller semiconductor die
US8706063B2 (en) 2010-04-20 2014-04-22 Rf Micro Devices, Inc. PA envelope power supply undershoot compensation
US9577590B2 (en) 2010-04-20 2017-02-21 Qorvo Us, Inc. Dual inductive element charge pump buck and buck power supplies
US8989685B2 (en) 2010-04-20 2015-03-24 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of multi-mode multi-band radio frequency power amplifier circuitry
US8913971B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Selecting PA bias levels of RF PA circuitry during a multislot burst
US8983410B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Configurable 2-wire/3-wire serial communications interface
US9900204B2 (en) 2010-04-20 2018-02-20 Qorvo Us, Inc. Multiple functional equivalence digital communications interface
US8942651B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. Cascaded converged power amplifier
US8983407B2 (en) 2010-04-20 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Selectable PA bias temperature compensation circuitry
US8958763B2 (en) 2010-04-20 2015-02-17 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply undershoot compensation
US8699973B2 (en) 2010-04-20 2014-04-15 Rf Micro Devices, Inc. PA bias power supply efficiency optimization
US9077405B2 (en) 2010-04-20 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency path based power amplifier circuitry
US8731498B2 (en) 2010-04-20 2014-05-20 Rf Micro Devices, Inc. Temperature correcting an envelope power supply signal for RF PA circuitry
US8831544B2 (en) 2010-04-20 2014-09-09 Rf Micro Devices, Inc. Dynamic device switching (DDS) of an in-phase RF PA stage and a quadrature-phase RF PA stage
US8542061B2 (en) 2010-04-20 2013-09-24 Rf Micro Devices, Inc. Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply
US8811921B2 (en) 2010-04-20 2014-08-19 Rf Micro Devices, Inc. Independent PA biasing of a driver stage and a final stage
US9214900B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Interference reduction between RF communications bands
US8942650B2 (en) 2010-04-20 2015-01-27 Rf Micro Devices, Inc. RF PA linearity requirements based converter operating mode selection
US8947157B2 (en) 2010-04-20 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Voltage multiplier charge pump buck
US8559898B2 (en) 2010-04-20 2013-10-15 Rf Micro Devices, Inc. Embedded RF PA temperature compensating bias transistor
US9048787B2 (en) 2010-04-20 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs
US8571492B2 (en) 2010-04-20 2013-10-29 Rf Micro Devices, Inc. DC-DC converter current sensing
US9214865B2 (en) 2010-04-20 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Voltage compatible charge pump buck and buck power supplies
US8712349B2 (en) 2010-04-20 2014-04-29 Rf Micro Devices, Inc. Selecting a converter operating mode of a PA envelope power supply
US9362825B2 (en) 2010-04-20 2016-06-07 Rf Micro Devices, Inc. Look-up table based configuration of a DC-DC converter
US8913967B2 (en) 2010-04-20 2014-12-16 Rf Micro Devices, Inc. Feedback based buck timing of a direct current (DC)-DC converter
US8515361B2 (en) 2010-04-20 2013-08-20 Rf Micro Devices, Inc. Frequency correction of a programmable frequency oscillator by propagation delay compensation
US9553550B2 (en) 2010-04-20 2017-01-24 Qorvo Us, Inc. Multiband RF switch ground isolation
US8565694B2 (en) 2010-04-20 2013-10-22 Rf Micro Devices, Inc. Split current current digital-to-analog converter (IDAC) for dynamic device switching (DDS) of an RF PA stage
JP5632191B2 (ja) 2010-04-28 2014-11-26 パナソニック株式会社 双方向dc/dcコンバータ
IT1400921B1 (it) 2010-05-14 2013-07-02 St Microelectronics Srl Diodo di by-pass o interruttore realizzato con un mosfet a bassa resistenza di conduzione e relativo circuito di controllo autoalimentato
JP2011259192A (ja) 2010-06-09 2011-12-22 Sony Corp マルチバイブレータ回路および電圧変換回路
KR101141374B1 (ko) 2010-07-22 2012-07-13 삼성전기주식회사 부스트 컨버터
US8737093B1 (en) 2010-08-02 2014-05-27 Solarbridge Technologies, Inc. Power converter with quasi-resonant voltage multiplier having shared switching node
US8872384B2 (en) 2010-08-18 2014-10-28 Volterra Semiconductor Corporation Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods
CN101976953B (zh) 2010-09-17 2012-08-15 浙江大学 耦合电感实现隔离型双向直流-直流变换器
WO2012047738A1 (en) 2010-09-29 2012-04-12 Rf Micro Devices, Inc. SINGLE μC-BUCKBOOST CONVERTER WITH MULTIPLE REGULATED SUPPLY OUTPUTS
US8629666B2 (en) 2010-10-04 2014-01-14 International Rectifier Corporation Dynamic control parameter adjustment in a power supply
US8274322B2 (en) 2010-10-18 2012-09-25 National Tsing Hua University Charge pump with low noise and high output current and voltage
US8339184B2 (en) 2010-10-29 2012-12-25 Canaan Microelectronics Corporation Limited Gate voltage boosting element for charge pump
WO2012056719A1 (ja) 2010-10-29 2012-05-03 パナソニック株式会社 コンバータ
US9184659B2 (en) 2010-11-12 2015-11-10 Integrated Device Technology, Inc. Self-adaptive current-mode-control circuit for a switching regulator
US8258852B2 (en) 2010-11-18 2012-09-04 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Bootstrapped high-side driver control without static DC current for driving a motor bridge circuit
US8405465B2 (en) 2010-11-18 2013-03-26 Earl W. McCune, Jr. Duty cycle translator methods and apparatus
US8400199B2 (en) 2010-11-26 2013-03-19 Mediatek Inc. Charge pump, phase frequency detector and charge pump methods
US8981836B2 (en) 2010-11-30 2015-03-17 Infineon Technologies Ag Charge pumps with improved latchup characteristics
TWI432951B (zh) 2010-12-01 2014-04-01 Delta Electronics Inc 電源供應器以及具有複數個電源供應器之供電系統
JP5759710B2 (ja) 2010-12-08 2015-08-05 東芝テック株式会社 静電容量性アクチュエータの駆動装置
US8994048B2 (en) 2010-12-09 2015-03-31 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming recesses in substrate for same size or different sized die with vertical integration
US8564260B2 (en) 2010-12-17 2013-10-22 Qualcomm Incorporated Dual-stage power conversion
US20120153912A1 (en) 2010-12-17 2012-06-21 Jeffrey Demski Controller for a Power Converter and Method of Operating the Same
US8294509B2 (en) 2010-12-20 2012-10-23 Sandisk Technologies Inc. Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances
US20120158188A1 (en) 2010-12-20 2012-06-21 Rectorseal Corporation Electronic condensate overflow switch
GB2486698B (en) 2010-12-23 2014-01-15 Wolfson Microelectronics Plc Charge pump circuit
GB2486701B (en) 2010-12-23 2013-01-09 Wolfson Microelectronics Plc Charge pump circuit
US10389235B2 (en) 2011-05-05 2019-08-20 Psemi Corporation Power converter
US8773102B2 (en) 2011-01-03 2014-07-08 Eta Semiconductor Inc. Hysteretic CL power converter
US9413362B2 (en) 2011-01-18 2016-08-09 Peregrine Semiconductor Corporation Differential charge pump
JP2012157211A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 電力伝達用絶縁回路および電力変換装置
US8436676B2 (en) 2011-02-07 2013-05-07 Texas Instruments Incorporated Charge pump
US8817500B2 (en) 2011-02-17 2014-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Power supply apparatuses for preventing latch-up of charge pump and methods thereof
EP2493060A1 (de) 2011-02-22 2012-08-29 ST-Ericsson SA Hochsetz-/Tiefsetzsteller mit geringer Welligkeit
JP5576556B2 (ja) 2011-03-18 2014-08-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 直列蓄電セルのバランス充電回路
US8773085B2 (en) 2011-03-22 2014-07-08 Ledillion Technologies Inc. Apparatus and method for efficient DC-to-DC conversion through wide voltage swings
TWI425750B (zh) 2011-04-01 2014-02-01 Richtek Technology Corp 雙模式電荷幫浦
US8508958B2 (en) 2011-04-01 2013-08-13 Power Integrations, Inc. LLC controller with programmable fractional burst frequency
US8669715B2 (en) 2011-04-22 2014-03-11 Crs Electronics LED driver having constant input current
US8718188B2 (en) 2011-04-25 2014-05-06 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for envelope tracking
US10680515B2 (en) 2011-05-05 2020-06-09 Psemi Corporation Power converters with modular stages
US10381924B2 (en) 2011-05-05 2019-08-13 Psemi Corporation Power converters with modular stages
US9882471B2 (en) 2011-05-05 2018-01-30 Peregrine Semiconductor Corporation DC-DC converter with modular stages
KR101556838B1 (ko) 2011-05-05 2015-10-13 아크틱 샌드 테크놀로지스, 인크. 모듈형 단계들을 구비한 dc-dc 컨버터
CN102769986B (zh) 2011-05-06 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 电子镇流器
CN102185484B (zh) 2011-05-10 2013-09-18 成都芯源***有限公司 开关电源及其控制电路和控制方法
US9357596B2 (en) 2011-06-30 2016-05-31 Nokia Technologies Oy Drivers for loads such as light emitting diodes
JP5804552B2 (ja) 2011-08-01 2015-11-04 独立行政法人国立高等専門学校機構 Dc/dc変換器及び電源モジュール
US8952570B2 (en) 2011-08-25 2015-02-10 Hamilton Sundstrand Corporation Active damping with a switched capacitor
US8536841B2 (en) 2011-08-28 2013-09-17 Yueh Mei Chiu PWM control circuit of a converter and the control method thereof
US9530761B2 (en) 2011-09-02 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package systems including passive electrical components
JP5740262B2 (ja) 2011-09-15 2015-06-24 富士フイルム株式会社 撮像素子モジュール及びその電源回路
TW201312916A (zh) 2011-09-15 2013-03-16 Richtek Technology Corp 電源供應電路及具有適應性致能電荷泵之電源供應電路
US8743553B2 (en) 2011-10-18 2014-06-03 Arctic Sand Technologies, Inc. Power converters with integrated capacitors
US9007791B2 (en) 2011-10-27 2015-04-14 Infineon Technologies Ag Digital slope control for switched capacitor dc-dc converter
WO2013086445A1 (en) 2011-12-09 2013-06-13 The Regents Of The University Of California Switched-capacitor isolated led driver
KR20130066266A (ko) 2011-12-12 2013-06-20 한국전자통신연구원 부하변동 특성 향상을 위한 전압공급 회로 및 출력전압 공급 방법
US8686654B2 (en) 2011-12-14 2014-04-01 Maxim Integrated Products, Inc. Efficiency regulation for LED illumination
US8723491B2 (en) 2011-12-19 2014-05-13 Arctic Sand Technologies, Inc. Control of power converters with capacitive energy transfer
CN103178711A (zh) 2011-12-23 2013-06-26 联芯科技有限公司 升降压直流变换电路
WO2013095685A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 North Carolina State University Switched-capacitor dc-dc converter
US9298167B2 (en) 2011-12-23 2016-03-29 Vision Works Ip Corporation Timing system and device and method for making the same
GB2497970A (en) 2011-12-23 2013-07-03 Amantys Ltd Power semiconductor switching device controller
US8854849B2 (en) 2012-01-12 2014-10-07 International Business Machines Corporation Power-saving voltage converter system
WO2013109719A1 (en) 2012-01-17 2013-07-25 Massachusetts Institute Of Technology Stacked switched capacitor energy buffer circuit
US9413257B2 (en) 2012-01-20 2016-08-09 The Ohio State University Enhanced flyback converter
US9407164B2 (en) 2012-02-03 2016-08-02 Massachusetts Institute Of Technology Systems approach to photovoltaic energy extraction
US8937818B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Sheikh Mohammad Ahsanuzzaman Low-volume programmable-output PFC rectifier with dynamic efficiency and transient response optimization
CN102570862A (zh) 2012-02-15 2012-07-11 杭州矽力杰半导体技术有限公司 一种具有多路输出的电流平衡电路
WO2013134573A1 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Massachusetts Institute Of Technology Resonant power converters using impedance control networks and related techniques
US20130234785A1 (en) 2012-03-12 2013-09-12 Futurewei Technologies, Inc. Apparatus and Method for Feedforward Controlled Charge Pumps
US9204816B2 (en) 2012-03-13 2015-12-08 Vital Connect, Inc. Method and system for determining body impedance
US8384467B1 (en) 2012-03-22 2013-02-26 Cypress Semiconductor Corporation Reconfigurable charge pump
US8436674B1 (en) 2012-03-23 2013-05-07 Altasens, Inc. Self-scaled voltage booster
WO2013147710A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Agency For Science, Technology And Research Iii-nitride high electron mobility transistor structures and methods for fabrication of same
WO2013158136A2 (en) 2012-04-18 2013-10-24 Ney-Li Funding, Llc Variable input control for improving switched power supplies
US9281744B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Infineon Technologies Ag System and method for a programmable voltage source
US8874828B2 (en) 2012-05-02 2014-10-28 Apple Inc. Systems and methods for providing early hinting to nonvolatile memory charge pumps
JP5902998B2 (ja) 2012-05-28 2016-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路およびその動作方法
US8699237B2 (en) 2012-05-30 2014-04-15 National Tsing Hua University Soft-switching inverter utilizing high step up ratio circuit with active clamping
US8830710B2 (en) 2012-06-25 2014-09-09 Eta Devices, Inc. RF energy recovery system
US8760219B2 (en) 2012-07-09 2014-06-24 Nanya Technology Corp. Current providing circuit and voltage providing circuit
US20140015731A1 (en) 2012-07-11 2014-01-16 Rf Micro Devices, Inc. Contact mems architecture for improved cycle count and hot-switching and esd
US8704587B2 (en) 2012-07-23 2014-04-22 Freescale Semiconductor, Inc. Configurable multistage charge pump using a supply detect scheme
US9450506B2 (en) 2012-08-13 2016-09-20 Massachusetts Institute Of Technology Apparatus for multi-level switched-capacitor rectification and DC-DC conversion
KR101432139B1 (ko) 2012-09-05 2014-08-20 주식회사 실리콘웍스 시스템 온 칩 구현이 가능하고 안전한 부트스트랩 기능을 제공하는 스위칭 모드 컨버터 및 그 제어 방법
US9252660B2 (en) 2012-09-28 2016-02-02 Analog Devices, Inc. System and method for generating a regulated boosted voltage using a controlled variable number of charge pump circuits
EP2713488B1 (de) 2012-09-28 2020-04-15 OSRAM GmbH Elektronischer Wandler und zugehöriges Beleuchtungssystem und Verfahren zum Betrieb eines elektronischen Wandlers
US8503203B1 (en) 2012-10-16 2013-08-06 Arctic Sand Technologies, Inc. Pre-charge of switched capacitor circuits with cascoded drivers
CN102904436B (zh) 2012-10-22 2016-01-20 张逸兴 一种新型功率因数校正电路
US8829993B2 (en) 2012-10-30 2014-09-09 Eta Devices, Inc. Linearization circuits and methods for multilevel power amplifier systems
US8824978B2 (en) 2012-10-30 2014-09-02 Eta Devices, Inc. RF amplifier architecture and related techniques
US9166536B2 (en) 2012-10-30 2015-10-20 Eta Devices, Inc. Transmitter architecture and related methods
JP6348907B2 (ja) 2012-10-31 2018-06-27 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 可変周波数逓倍電力変換器用のシステムおよび方法
US8693224B1 (en) 2012-11-26 2014-04-08 Arctic Sand Technologies Inc. Pump capacitor configuration for switched capacitor circuits
KR101367607B1 (ko) 2012-12-17 2014-02-27 주식회사 하이딥 동기형 dc-dc 컨버터
JP6206698B2 (ja) 2012-12-19 2017-10-04 株式会社村田製作所 電力増幅器
US9692408B2 (en) 2012-12-21 2017-06-27 Gan Systems Inc. Devices and systems comprising drivers for power conversion circuits
FR3000323B1 (fr) 2012-12-21 2016-05-13 Thales Sa Systeme d'alimentation a decoupage et aeronef comprenant un tel systeme
US9086708B2 (en) 2012-12-31 2015-07-21 Gazelle Semiconductor Inc. High slew rate switching regulator circuits and methods
US10374512B2 (en) 2013-03-15 2019-08-06 Psemi Corporation Switch-timing in a switched-capacitor power converter
US8724353B1 (en) 2013-03-15 2014-05-13 Arctic Sand Technologies, Inc. Efficient gate drivers for switched capacitor converters
US9847712B2 (en) 2013-03-15 2017-12-19 Peregrine Semiconductor Corporation Fault control for switched capacitor power converter
US8867281B2 (en) 2013-03-15 2014-10-21 Silicon Storage Technology, Inc. Hybrid chargepump and regulation means and method for flash memory device
US9203299B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-01 Artic Sand Technologies, Inc. Controller-driven reconfiguration of switched-capacitor power converter
US8619445B1 (en) 2013-03-15 2013-12-31 Arctic Sand Technologies, Inc. Protection of switched capacitor power converter
CN105556820B (zh) 2013-04-11 2018-08-03 莱恩半导体股份有限公司 用于提供混合式电压调节器的设备、***和方法
TWI551017B (zh) 2013-04-19 2016-09-21 中心微電子德累斯頓股份公司 用於調整具有功率因數校正之整流器的非對稱升壓為基礎之前端階操作的系統與方法、及用於降低在pfc整流器中升壓電感器的體積與損失之系統與方法
JP6082969B2 (ja) 2013-04-19 2017-02-22 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 Pwm制御が可能なスイッチトキャパシタコンバータ
CN103275753B (zh) 2013-05-31 2015-04-22 沈红新 一种原油罐区多功能处理剂
US9584024B2 (en) 2013-06-24 2017-02-28 Illinois Tool Works Inc. Metal working power supply converter system and method
KR102456266B1 (ko) 2013-07-16 2022-10-18 라이온 세미컨덕터 인크. 재구성 가능한 전력 조정기
US9041459B2 (en) * 2013-09-16 2015-05-26 Arctic Sand Technologies, Inc. Partial adiabatic conversion
US9742266B2 (en) 2013-09-16 2017-08-22 Arctic Sand Technologies, Inc. Charge pump timing control
US10840805B2 (en) 2013-09-24 2020-11-17 Eta Devices, Inc. Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers
US9755672B2 (en) 2013-09-24 2017-09-05 Eta Devices, Inc. Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers
US9601998B2 (en) 2013-10-07 2017-03-21 Lion Semiconductor Inc. Hybrid regulator including a buck converter and a switched capacitor converter
US9374001B1 (en) 2015-02-03 2016-06-21 General Electric Company Improving load transient response by adjusting reference current in isolated power converters
EP3284165B1 (de) 2015-04-17 2020-03-25 Lion Semiconductor Inc. Asymmetrischer schaltkondensatorregler
US9621138B1 (en) 2015-11-05 2017-04-11 Nxp B.V. Slew control using a switched capacitor circuit
WO2017160821A1 (en) 2016-03-14 2017-09-21 Arctic Sand Technologies, Inc. Slew-controlled switched capacitors for ac-dc applications
WO2017184441A1 (en) 2016-04-18 2017-10-26 Lion Semiconductor Inc. Apparatus,systems, and methods for reconfigurable dickson star switched capacitor voltage regulator
US10541603B2 (en) 2016-04-18 2020-01-21 Lion Semiconductor Inc. Circuits for a hybrid switched capacitor converter
CN109997299B (zh) 2016-09-26 2021-08-20 莱恩半导体股份有限公司 被配置为控制输入电压的电压调节器***
US10243457B2 (en) 2016-11-01 2019-03-26 Lion Semiconductor Inc. Feedback control for efficient high-speed battery charging
US10236766B2 (en) 2016-11-01 2019-03-19 Lion Semiconductor Inc. Charge recycling switched capacitor regulators
US10833579B1 (en) 2016-11-01 2020-11-10 Lion Semiconductor Inc. Switched capacitor regulators with flying-inverter-controlled power switches
US10523039B2 (en) 2017-08-11 2019-12-31 Lion Semiconductor Inc. Systems for battery charging using a wireless charging signal
US10355593B1 (en) 2018-01-11 2019-07-16 Lion Semiconductor Inc. Circuits for three-level buck regulators
US10601311B2 (en) 2018-02-13 2020-03-24 Lion Semiconductor Inc. Circuits and methods for hybrid 3:1 voltage regulators
US10715035B2 (en) 2018-02-23 2020-07-14 Lion Semiconductor Inc. Circuits and methods for slew rate control of switched capacitor regulators
US10720832B2 (en) 2018-11-05 2020-07-21 Lion Semiconductor Inc. Circuits and methods for measuring the output current of a switched capacitor regulator
US10686367B1 (en) * 2019-03-04 2020-06-16 Psemi Corporation Apparatus and method for efficient shutdown of adiabatic charge pumps
US10958166B1 (en) * 2020-02-06 2021-03-23 Psemi Corporation Startup of switched capacitor step-down power converter
CN115336156B (zh) 2020-03-26 2023-08-08 莱恩半导体股份有限公司 用于开关电容式电压变换器的电路
WO2021195451A1 (en) 2020-03-27 2021-09-30 Lion Semiconductor Inc. Circuits for switched capacitor voltage converters
US11342844B1 (en) 2021-03-25 2022-05-24 Lion Semiconductor Inc. Circuits for DC voltage converters
US11811304B2 (en) * 2021-11-19 2023-11-07 Psemi Corporation Power converters, power systems, and methods for protecting power converters

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10938299B2 (en) 2013-03-15 2021-03-02 Psemi Corporation Fault detector for voltage converter
US11025164B2 (en) 2013-03-15 2021-06-01 Psemi Corporation Fault detector for voltage converter
US11901817B2 (en) 2013-03-15 2024-02-13 Psemi Corporation Protection of switched capacitor power converter

Also Published As

Publication number Publication date
KR102416267B1 (ko) 2022-07-01
US10666134B2 (en) 2020-05-26
GB202102377D0 (en) 2021-04-07
US20240014735A1 (en) 2024-01-11
US20210152084A1 (en) 2021-05-20
US11025164B2 (en) 2021-06-01
WO2014143366A1 (en) 2014-09-18
GB2587732B (en) 2021-09-22
TW201448428A (zh) 2014-12-16
GB2588878A (en) 2021-05-12
GB202102388D0 (en) 2021-04-07
KR102640555B1 (ko) 2024-02-23
US20210006157A1 (en) 2021-01-07
CN105229908A (zh) 2016-01-06
KR20150132530A (ko) 2015-11-25
US20180097444A1 (en) 2018-04-05
US20200366195A1 (en) 2020-11-19
GB2526492A (en) 2015-11-25
KR20220098263A (ko) 2022-07-11
GB201516830D0 (en) 2015-11-04
GB2526492B (en) 2021-01-27
US11901817B2 (en) 2024-02-13
US10938299B2 (en) 2021-03-02
KR20240026258A (ko) 2024-02-27
GB2587732A (en) 2021-04-07
GB2588878B (en) 2021-09-22
KR20200077607A (ko) 2020-06-30
US8619445B1 (en) 2013-12-31
KR102128137B1 (ko) 2020-06-29
CN105229908B (zh) 2018-10-19
GB202019303D0 (en) 2021-01-20
GB2589040B (en) 2021-09-22
GB2589040A (en) 2021-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013006828T5 (de) Schutz einer Stromwandlerschaltung mit geschalteten Kondensatoren
DE112006001377B4 (de) Energieversorgungssteuerung
DE102011087368B4 (de) Treiberschaltung, Anordnung und Verfahren zum Bootstrapping eines Schaltertreibers
EP2597764B1 (de) Verfahren zur Behandlung von Fehlern in einem modularen Multilevelumrichter sowie ein solcher Umrichter
DE102016225795A1 (de) Hybrid-dcdc-leistungswandler mit höherer effizienz
DE112014001395T5 (de) Verfahren für einen rekonfigurierbaren Schaltkondensator-Spannungswandler
DE102011052922A1 (de) Vielphasen-Gleichspannungswandler mit einer Vielzahl zueinander parallel verschalteter Wandlerschaltungen
DE102011087434A1 (de) Anordnung und Verfahren zum Treiben eines Schalters
EP3414778B1 (de) Schutzschaltung für ein photovoltaik (pv)-modul, verfahren zum betrieb der schutzschaltung und photovoltaik (pv)-anlage mit einer derartigen schutzschaltung
DE102016105485A1 (de) Linearer DC-Spannungsregler, der einen schaltbaren Schaltkreis für eine Leckstromunterdrückung aufweist
DE112016003991T5 (de) DC-DC-Wandler
DE102011087431A1 (de) Anordnung und Verfahren zum Treiben eines Kaskodenschalters
DE112016003455T5 (de) DC-DC-Wandler
DE102019133907A1 (de) Schutzschaltkreis mit Unterbrechungsschalter für Leistungssysteme
DE102015112245A1 (de) Gleichrichter mit spannungsdetektion
DE102010028149A1 (de) Bereitstellung einer Ausgangsspannung aus einer in weitem Bereich variablen und auch niedrigen Eingangsspannung
EP3740836B1 (de) Schaltung zum erkennen von schaltungsdefekten und zur vermeidung von überspannungen in reglern
DE102015217836A1 (de) Überstromschutzschaltkreis und -verfahren
DE102020000062A1 (de) Wandlertechniken zum Aufnehmen und Abgeben von Strom
DE102019207849A1 (de) Schutz von Ladungspumpenschaltungen vor hohen Eingangsspannungen
DE102016124655A1 (de) Stromerfassung in einer leistungsversorgung
WO2016207382A2 (de) Schaltungsanordnung für einen sicheren digitalen schaltausgang sowie ausgangsmodul mit und prüfverfahren für eine derartige schaltungsanordnung
DE19546132C2 (de) Schaltungsanordnung zum Schutz vor eingangsseitigem Überstrom bei Spannungszwischenkreisumrichtern
DE2304423B2 (de) Steuerschaltungsanordnung fuer einen thyristor
DE102019214539A1 (de) Schaltungsanordnung zum Ansteuern von mehreren parallel geschalteten Halbleiterschaltern

Legal Events

Date Code Title Description
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: PSEMI CORPORATION, SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: ARCTIC SAND TECHNOLOGIES, INC., CAMBRIDGE, MASS., US