JP2007116651A - 高周波電力増幅用電子部品および無線通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】出力電力検出信号と出力レベルを指示する信号とに基づいて高周波電力増幅回路(210)の出力電力を制御する無線通信システムにおいて、出力電力検出回路(220)に、カプラや容量素子(221)を介して取り出された高周波信号を増幅する多段構成のアンプを設ける。また、各段のアンプの出力を検波する複数の検波回路と多段構成のアンプを通さない高周波信号を検波する検波回路を設け、これらの検波回路の出力を合成したものを出力電力検出信号として、出力電力制御信号を生成する誤差アンプに入力して高周波電力増幅回路の制御信号を生成するようにした。
【選択図】図1
Description
Ibias=(1/2)*(W/L)*β*(VGS−Vth)2*(1+λVDS) ……(1)
で表わされる。上記式(1)において温度変動パラメータとなるのはβとVthである。式(1)を温度Tで微分すると、次式(2)
δIbias/δT=(1/2)*(W/L)*β*(VGS-Vth) 2*(1+λVDS)*δβ/δT
−(W/L)*β*(VGS-Vth)*(1+λVDS)*δVth /δT
=(W/L)*(1+λVDS)*{(1/2)*(VGS-Vth) 2*δβ/δT
−β*(VGS−Vth)*δVth /δT} ……(2)
が得られる。
gm=δIbias/δVGS=(W/L)*β*(VGS-Vth) *(1+λVDS) ……(3)
のように、表わされる。この式(3)を温度Tで微分すると、次式(4)
δgm/δT=(W/L)*(VGS-Vth) *(1+λVDS)*δβ/δT
=(W/L)*(1+λVDS)*{(VGS-Vth) *δβ/δT-β*δVth/δT}……(4)
が得られる。この式から、δgm/δT=0とするには、
(VGS-Vth) *δβ/δT=β*Vth/δT ……(5)
とすればよいことが分かる。
δIbias/δT=(W/L)*(1+λVDS)*{(1/2)*β*(VGS-Vth) *δVth/δT
−β*(VGS-Vth)*δVth /δT}
=−(1/2)*(W/L)*β*(VGS-Vth)* (1+λVDS)*δVth/δT
=−{Ibias/(VGS-Vth)}*δVth/δT ……(6)
が得られる。これを変形すると、
(δIbias/Ibias)/δT={−1/(VGS-Vth)}*δVth/δT ……(7)
となる。一般に、δVth/δT≒−2mV/degC、VGS−Vth>0であるので、これを式(7)に入れると、
(δIbias/Ibias)/δT≒−2mV/degC/(VGS-Vth)>0
となる。これより、増幅回路222と検波回路223のバイアス電流Ibias1,Ibias2には正の温度特性を持たせればよいことが分かる。
110 ベースバンド回路
200 RFパワーモジュール
210 高周波電力増幅回路
220 出力電力検出回路
221 出力抽出手段
222 多段構成の増幅回路
223 マルチ検波回路
224 検波回路
225 バイアス電流発生回路
226 電圧−電流変換回路
227 ディファレンシャルアンプ(減算回路)
229 アッテネータ
230 出力電力制御回路
231 バイアス生成回路
234 誤差アンプ
300 フロントエンド・モジュール
CPL カプラ
ANT 送受信用アンテナ
LPF ロウパスフィルタ
LNA ロウノイズ・アンプ
GCA 可変利得アンプ
Claims (20)
- 増幅用素子を含み高周波の送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、該高周波電力増幅回路の出力電力の大きさを検出する出力電力検出回路とを備え、前記出力電力検出回路の出力と出力レベルを指示する制御信号とに基づいて前記高周波電力増幅回路のゲインを制御する高周波電力増幅用電子部品であって、
前記出力電力検出回路は、出力抽出手段により前記高周波電力増幅回路の出力から取り出された交流成分を検波する第1検波回路と、前記出力抽出手段により前記高周波電力増幅回路の出力から取り出された交流成分を増幅する多段構成の増幅回路と、該増幅回路の各増幅段の出力を検波する複数の検波段からなる第2検波回路とを備え、前記第1検波回路の出力と前記第2検波回路の出力を合成して出力し、前記第1検波回路と前記複数の検波段はそれぞれ異なる有効検波範囲を有し互いの有効検波範囲がオーバーラップするように設定されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。 - 増幅用素子を含み高周波の送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、該高周波電力増幅回路の出力電力の大きさを検出する出力電力検出回路とを備え、前記出力電力検出回路の出力と出力レベルを指示する制御信号とに基づいて前記高周波電力増幅回路のゲインを制御する高周波電力増幅用電子部品であって、
前記出力電力検出回路は、出力抽出手段により前記高周波電力増幅回路の出力から取り出された交流成分を検波する第1検波回路と、前記出力抽出手段により前記高周波電力増幅回路の出力から取り出された交流成分を増幅する多段構成の増幅回路と、該増幅回路の各増幅段の出力を検波する複数の検波段からなる第2検波回路とを備え、前記高周波電力増幅回路の出力電力が次第に増加するように制御された場合、前記第2検波回路は前記複数の検波段のうち前記増幅回路の最終の増幅段に対応した検波段の出力が最初に飽和し、前記複数の検波段のうち前記増幅回路の先頭の増幅段に対応した検波段の出力が最後に飽和するように構成されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。 - 前記第1検波回路および前記第2検波回路の各検波段はソース接地された電界効果型トランジスタにより構成され、それぞれのゲート端子に検波すべき交流信号が入力されると共に所定の直流バイアス電圧が印加されている請求項1または2に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記増幅回路の各増幅段はソース接地された電界効果型トランジスタにより構成され、それぞれのゲート端子に増幅すべき交流信号が入力されると共に所定の直流バイアス電圧が印加されている請求項3に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記第2検波回路の各段の検波用電界効果型トランジスタのゲート端子に印加されるバイアス電圧と前記増幅回路の各段の増幅用電界効果型トランジスタのゲート端子に印加されるバイアス電圧は、共通の回路により生成されたバイアス電流に基づいて生成されるように構成されている請求項4に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記第1検波回路の検波用電界効果型トランジスタのゲート端子に印加されるバイアス電圧は、前記共通の回路とは別個の設けられた回路により生成されたバイアス電流に基づいて生成されるように構成されている請求項5に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記共通の回路は、前記第2検波回路の検波出力に正の温度特性を与えるようなバイアス電流を生成する温度補償手段を備えることを特徴とする請求項5に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記第1検波回路の検波出力に正の温度特性を与える温度補償回路を備えることを特徴とする請求項6に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記増幅回路の最終段よりも前の増幅段には並列接続された複数の増幅段が設けられ、複数の増幅段のうち1つの増幅段の出力が次段の増幅段に入力され、他の1つの増幅段の出力が前記第2検波回路内の対応する検波段に入力されるように構成されている請求項1または2に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記出力電力検出回路の出力と前記制御信号とを比較してその差に応じた信号を出力する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力に応じて前記増幅用素子にバイアスを与えるバイアス生成回路とを備える請求項1または2に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 所定の周波数帯の第1の送信信号を増幅して出力する第1の高周波電力増幅回路と、前記第1の送信信号と異なる周波数帯の第2の送信信号を増幅して出力する第2の高周波電力増幅回路とを備え、
前記出力電力検出回路、前記誤差増幅回路および前記バイアス生成回路は前記第1の高周波電力増幅回路と第2の高周波電力増幅回路に共通の回路として設けられていることを特徴とする請求項10に記載の高周波電力増幅用電子部品。 - 請求項1〜11のいずれかに記載の高周波電力増幅用電子部品と、該高周波電力増幅用電子部品により増幅されるべき送信信号を生成するベースバンド回路とを備えた無線通信装置であって、出力レベルを指示する前記制御信号は前記ベースバンド回路から前記高周波電力増幅用電子部品へ与えられるように構成されてなる無線通信装置。
- 増幅用素子を含み高周波の送信信号を増幅する高周波電力増幅回路と、該高周波電力増幅回路の出力電力の大きさを検出する出力電力検出回路とを備え、前記出力電力検出回路の出力と出力レベルを指示する制御信号とに基づいて前記高周波電力増幅回路のゲインを制御する高周波電力増幅用電子部品であって、
前記出力電力検出回路は、
方向性電力結合器により前記高周波電力増幅回路の出力から取り出された交流成分を検波する第1検波回路と、
前記方向性電力結合器により前記高周波電力増幅回路の出力から取り出された交流成分を増幅する多段構成の増幅回路と、
前記増幅回路の各増幅段の出力を検波する複数の検波段からなる第2検波回路と、を備え、
前記第1検波回路の出力と前記第2検波回路の出力を合成して出力するように構成され、前記第1検波回路の入力側にはアッテネータを設けられていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。 - 前記アッテネータは、前記第1検波回路の入力端子と定電位点との間に接続可能にされた複数の容量素子または複数の抵抗素子からなり、前記複数の容量素子または複数の抵抗素子は前記出力電力検出回路を構成する素子が形成されている半導体基板と同一の半導体基板に形成されているオンチップの素子であることを特徴とする請求項13に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記複数の容量素子または複数の抵抗素子は、配線形成工程でマスタスライスにより形成される配線の有無によって前記第1検波回路の入力端子と定電位点との間に選択的に接続されることを特徴とする請求項14に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記アッテネータは、前記第1検波回路と前記第2検波回路の共通の入力端子と前記第1検波回路の入力端子との間に容量素子と直列に接続可能にされた並列形態の複数の抵抗素子からなり、前記複数の抵抗素子は前記出力電力検出回路を構成する素子が形成されている半導体基板と同一の半導体基板に形成されているオンチップの素子であることを特徴とする請求項13に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記アッテネータは、前記複数の容量素子または複数の抵抗素子と直列に接続された複数のスイッチ素子を備え、前記複数のスイッチ素子のオン、オフ状態に応じて前記第1検波回路の入力端子と定電位点との間に選択的に接続されることを特徴とする請求項14に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 前記方向性電力結合器は、前記第1検波回路を構成する素子が形成されている半導体基板が実装される絶縁基板上に形成された配線パターンにより構成されるカップリング容量であることを特徴とする請求項17に記載の高周波電力増幅用電子部品。
- 第1の周波数の送信信号を増幅する第1の高周波電力増幅回路と、前記第1の周波数と異なる第2の周波数の送信信号を増幅する第2の高周波電力増幅回路と、前記第1の高周波電力増幅回路の出力から交流成分を取り出す第1の方向性電力結合器と、前記第2の高周波電力増幅回路の出力から交流成分を取り出す第2の方向性電力結合器と、を備え、
前記出力電力検出回路は、前記第1の電力結合器により取り出された交流成分と前記第2の方向性電力結合器により取り出された交流成分を検波する共通の回路として設けられ、前記アッテネータは、前記出力電力検出回路がいずれの方向性電力結合器により取り出された交流成分を検波するかに応じてオン状態にされるスイッチ素子が切り替えられることを特徴とする請求項18に記載の高周波電力増幅用電子部品。 - 請求項17〜19のいずれかに記載の高周波電力増幅用電子部品と、該高周波電力増幅用電子部品により増幅されるべき送信信号を生成するベースバンド回路とを備えた無線通信装置であって、前記複数のスイッチ素子をそれぞれオン状態にするかオフ状態にするかを指示する制御情報が前記ベースバンド回路から前記高周波電力増幅用電子部品へ与えられるように構成されてなる無線通信装置。
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