JP4686350B2 - 不揮発性半導体記憶装置及びその自己テスト方法 - Google Patents
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Description
(1)プリプログラム(PreProgram)(消去ブロック内のセル閾値を高い側に揃える)
(2)消去(Erase)(消去ブロック内の全セルの閾値を下げる)
(3)弱い書き込み(Weak Program)(過消去されたセルに弱い書き込みを実施し、一定幅に閾値を入れる)
の3段階の動作からなる。
Claims (5)
- 情報を記憶する不揮発性の第1のメモリセルと、
前記第1のメモリセルに記憶される前記情報の入出力、あるいは前記第1のメモリセルに対してテストを指令するテストコマンドの入力のいずれかが行われるデータ入出力パッドと、
前記データ入出力パッドから前記テストコマンドを受け取るテストインタフェースと、
消去及び書込み可能な前記不揮発性の第2のメモリセルから構成され、前記テストコマンドにより指令されたテストを実行するために必要なテスト情報を記憶するテスト記憶回路と、
前記テストインタフェースに入力された前記テストコマンドをデコードし、前記テストコマンドに基づいて、前記テスト記憶回路に記憶された前記テスト情報を選択するデコーダと、
前記テスト記憶回路から前記デコーダにより選択された前記テスト情報を読み出すセンスアンプと、
前記センスアンプにて読み出した前記テスト情報を保持する保持回路と、
前記保持回路に保持された前記テスト情報に基づいて、前記メモリセルが正常に動作するか否かのテスト動作を制御する制御回路と、
前記メモリセルが正常に動作しないとき、前記メモリセルが不良であることを記憶する不良記憶回路と、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記不良記憶回路に前記メモリセルが不良であることが記憶されているとき、前記不良のメモリセルと置き換えられる冗長メモリセルと、
前記不良のメモリセルが前記冗長メモリセルに置き換えられていることを記憶するリダンダンシ回路と、をさらに具備し、
前記デコーダは、前記テストコマンドを前記テスト信号記憶回路のアドレスとして用いて、前記アドレスに該当するテスト信号記憶回路に記憶された前記テスト情報を選択することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記不良のメモリセルを前記冗長メモリセルに置き換えできない場合、テスト不良情報を記憶する状態記憶回路をさらに具備し、
前記状態記憶回路に記憶された前記テスト不良情報は、外部から前記テストインタフェースを介して読み出されることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記テスト記憶回路は複数の記憶部を有し、複数のテストを実行するために必要な複数のテスト情報が前記複数の記憶部に記憶され、
前記デコーダは、前記複数の記憶部から前記テストコマンドに従って前記テスト情報を選択することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 情報を記憶する不揮発性の第1のメモリセルを備える不揮発性半導体記憶装置の自己テスト方法において、
テストコマンドにより指令されるテストを実行するために必要なテスト情報を、消去及び書込み可能な前記不揮発性の第2のメモリセルにて構成されたテスト記憶回路に書込むステップと、
前記第1のメモリセルに記憶される前記情報が入力される入出力パッドに前記テストコマンドを入力するステップと、
前記入力された前記テストコマンドに従って、前記テスト記憶回路から前記テスト情報を選択するステップと、
前記選択された前記テスト情報を前記テスト記憶回路から読み出し、保持するステップと、
前記保持した前記テスト情報に基づいて、前記メモリセルが正常に動作するか否かのテスト動作を制御するステップと、
前記メモリセルが正常に動作しないとき、前記メモリセルが不良であることを記憶するステップと、
前記メモリセルが不良であることが記憶されているとき、前記不良のメモリセルを冗長メモリセルに置き換えるステップと、
前記不良のメモリセルが前記冗長メモリセルに置き換えられていることを記憶するステップと、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の自己テスト方法。
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