JP2006079809A - テスト用バッファを備えた不揮発性メモリ装置及びそのテスト方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置のテスト方法は、テスト時に、メモリセルがプログラムされるとき毎にテストデータを外部からローディングしてくる代わりに、テストデータを半導体メモリ装置の内部のバッファに貯蔵して置く。そして、バッファに貯蔵されたテストデータをページバッファに選択的にローディングした後、これを反復的に用いてメモリセルをプログラムする。これにより、テストデータについてのローディング時間が短縮されて、テスト効率が高められる。
【選択図】図4
Description
110 ホスト
130 フラッシュコア
140,150 バッファ
160 制御部
Claims (15)
- メモリセルアレイと前記メモリセルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファを備えた不揮発性メモリコア、
外部ソースからテストデータを受け入れるテストデータ入力バッファ、そして
前記不揮発性メモリコア及び前記テストデータ入力バッファを制御する制御回路を含み、
前記制御回路は、前記テストデータを前記テストデータ入力バッファから前記ページバッファにローディングし、前記ページバッファにローディングされた前記テストデータを前記メモリセルアレイにプログラムし、そして前記メモリセルアレイの連続的なプログラムのために、前記プログラムされたテストデータを前記ページバッファに維持させることを特徴とするメモリ装置。 - 前記制御回路は、プログラムの誤謬に応答して前記ページバッファ内にある前記維持されたテストデータを前記メモリセルアレイに再プログラムすることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記制御回路は、第1のセットのメモリセルをテストするために、前記ページバッファにローディングされた前記テストデータを前記メモリセルアレイの前記第1のセットのメモリセルにプログラムし、
前記制御回路は、第2のセットのメモリセルをテストするために、前記維持されたテストデータを前記メモリセルアレイの前記第2のセットのメモリセルにさらにプログラムすることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記ページバッファは、前記ページバッファのリセット禁止機能が解除されるときまで前記プログラムされたテストデータを維持することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記制御回路は、前記テストデータ入力バッファ内にそれぞれのテストデータパターンを貯蔵し、少なくとも一つ以上のテストデータパターンを前記ページバッファに複数回伝送し、少なくとも一つ以上のテストデータパターンを前記メモリセルアレイに複数回プログラムすることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記制御回路は、
外部ソースから一つ又はそれ以上の制御信号とテストデータとを受け入れるインターフェース回路と、
前記一つ又はそれ以上の制御信号を貯蔵する制御レジスタと、
前記不揮発性メモリコアをプログラムすると共に読み出すメモリコントローラと、
前記インターフェース、前記テストデータ入力バッファ、及び前記メモリコントローラの間でテストデータを伝送するバッファコントローラと、
前記制御レジスタに貯蔵されている一つ又はそれ以上の制御信号に応答して、前記バッファコントローラと前記メモリコントローラとを制御するステートマシン回路とを含むことを特徴とするメモリ装置。 - 前記メモリセルアレイから読み出されたデータを受け入れるテストデータ出力バッファをさらに含み、
前記制御回路は、前記テストデータ出力バッファに貯蔵されたデータを外部受領者に伝達する動作をさらに遂行することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記テストデータ出力バッファは、ランダムアクセスメモリを含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。
- 前記テストデータ入力バッファは、ランダムアクセスメモリを含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- メモリセルアレイと前記メモリセルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファを備えた不揮発性メモリコア、そして外部ソースからテストデータを受け入れるテストデータ入力バッファを含むメモリ装置をテストする方法であって、
前記テストデータを前記テストデータ入力バッファから前記ページバッファにローディングする段階と、
前記ページバッファにローディングされた前記テストデータを前記メモリセルアレイにプログラムする段階と、
前記プログラムされたテストデータを前記ページバッファに維持させる段階と、
前記維持されたテストデータを前記メモリセルアレイにプログラムする段階とを含むことを特徴とするメモリ装置のテスト方法。 - 前記維持されたテストデータを前記メモリセルアレイにプログラムする段階では、プログラムの誤謬に応答して前記維持されたテストデータを前記メモリセルアレイに再プログラムすることを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置のテスト方法。
- 前記ページバッファにローディングされた前記テストデータを前記メモリセルアレイにプログラムする段階では、第1のセットのメモリセルにプログラムし、
前記維持されたテストデータを前記メモリセルアレイにプログラムする段階では、第2のセットのメモリセルにプログラムすることを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置のテスト方法。 - 前記プログラムされたテストデータを前記ページバッファに維持させる段階では、前記ページバッファのリセット禁止機能が解除されるときまで前記プログラムされたテストデータを維持することを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置のテスト方法。
- 前記テストデータを前記テストデータ入力バッファから前記ページバッファにローディングする段階は、前記テストデータ入力バッファ内にそれぞれのテストデータパターンを貯蔵することによって進行され、
前記テストデータを前記テストデータ入力バッファから前記ページバッファにローディングする段階では、少なくとも一つ以上のテストデータが前記ページバッファに複数回伝送され、
前記ページバッファにローディングされた前記テストデータを前記メモリセルアレイにプログラムする段階では、少なくとも一つ以上のテストデータが前記メモリセルアレイに複数回プログラムされることを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置のテスト方法。 - 前記メモリセルアレイから読み出されたデータをテストデータ出力バッファに貯蔵する段階と、
前記テストデータ出力バッファに貯蔵されたデータを外部受領者に伝達する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置のテスト方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040071797A KR100645043B1 (ko) | 2004-09-08 | 2004-09-08 | 테스트용 버퍼를 구비한 불휘발성 메모리 장치 및 그것의테스트 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006079809A true JP2006079809A (ja) | 2006-03-23 |
Family
ID=36159107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005235515A Pending JP2006079809A (ja) | 2004-09-08 | 2005-08-15 | テスト用バッファを備えた不揮発性メモリ装置及びそのテスト方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7451366B2 (ja) |
JP (1) | JP2006079809A (ja) |
KR (1) | KR100645043B1 (ja) |
CN (1) | CN100545946C (ja) |
DE (1) | DE102005040226B4 (ja) |
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GB2432237A (en) | Apparatus for identifying and handling defective memory cells. |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110414 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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