JPH04359225A - 液晶配向膜 - Google Patents
液晶配向膜Info
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- JPH04359225A JPH04359225A JP13483591A JP13483591A JPH04359225A JP H04359225 A JPH04359225 A JP H04359225A JP 13483591 A JP13483591 A JP 13483591A JP 13483591 A JP13483591 A JP 13483591A JP H04359225 A JPH04359225 A JP H04359225A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子に関し、特に
液晶素子の特性に影響する液晶配向膜に関する。
液晶素子の特性に影響する液晶配向膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】両基板の間隙に液晶組成物を充填して液
晶素子を得る。この際、一般的に使われる配向膜は、ポ
リイミド系単体から構成されることが多い。
晶素子を得る。この際、一般的に使われる配向膜は、ポ
リイミド系単体から構成されることが多い。
【０００３】なお、液晶分子の配向膜の概念は、佐々木
昭夫編、「液晶エレクトロニクスの基礎と応用」に詳し
い。
昭夫編、「液晶エレクトロニクスの基礎と応用」に詳し
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ネマティック液晶素子
、強誘電性液晶素子において、配向膜の電気抵抗を下げ
ることが、不純物イオンの吸着を妨げることが出来、素
子の電圧−透過率特性の電圧閾値を下げ得ること、強誘
電性液晶素子の場合、配向が良化すること、均一な液晶
素子の表示が可能となること等望ましい。更に、配向操
作、いわゆるラビングにおいて、膜の帯電を軽減し得る
という大きな長所がある。しかし、ポリイミド系の従来
の配向膜は電気抵抗が約１０１５Ωｃｍ以上と高い。ま
た、このために電荷移動錯体をポリイミド系配向膜に混
入させる試みがあるが、これは電荷移動錯体がポリイミ
ド・インクに溶解することを意味する。すなわち、この
溶解を実現させるため、ポリイミド・インクや、電荷移
動錯体に材料的制約、ないし分子構造的制約が非常に大
きく、現実的でない。
、強誘電性液晶素子において、配向膜の電気抵抗を下げ
ることが、不純物イオンの吸着を妨げることが出来、素
子の電圧−透過率特性の電圧閾値を下げ得ること、強誘
電性液晶素子の場合、配向が良化すること、均一な液晶
素子の表示が可能となること等望ましい。更に、配向操
作、いわゆるラビングにおいて、膜の帯電を軽減し得る
という大きな長所がある。しかし、ポリイミド系の従来
の配向膜は電気抵抗が約１０１５Ωｃｍ以上と高い。ま
た、このために電荷移動錯体をポリイミド系配向膜に混
入させる試みがあるが、これは電荷移動錯体がポリイミ
ド・インクに溶解することを意味する。すなわち、この
溶解を実現させるため、ポリイミド・インクや、電荷移
動錯体に材料的制約、ないし分子構造的制約が非常に大
きく、現実的でない。
【０００５】一般に均一性よく、液晶分子を基板に対し
立てて並べられる限界のプレティルト角は、現在１０°
弱である（これは主に、ＳＴＮすなわち、スーパー・ツ
イスティッド・ネマティックの場合）。液晶素子のモー
ドによっては、更に大幅に高いプレティルトを実現する
必要がある。
立てて並べられる限界のプレティルト角は、現在１０°
弱である（これは主に、ＳＴＮすなわち、スーパー・ツ
イスティッド・ネマティックの場合）。液晶素子のモー
ドによっては、更に大幅に高いプレティルトを実現する
必要がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前述のような課
題を解決するために、対向する電極基板の間に液晶を封
入してなる液晶素子に設けられた液晶配向膜であって、
それが配向された導電性高分子からなるか、配向された
導電性高分子上に垂直配向剤分子を結合させてなるよう
なものを明かにするものである。
題を解決するために、対向する電極基板の間に液晶を封
入してなる液晶素子に設けられた液晶配向膜であって、
それが配向された導電性高分子からなるか、配向された
導電性高分子上に垂直配向剤分子を結合させてなるよう
なものを明かにするものである。
【０００７】更に本発明は、導電性高分子が、ポリピロ
ール、またはポリチェニレン、またはポリアニリンから
なるのがより望ましいことを明かにする。
ール、またはポリチェニレン、またはポリアニリンから
なるのがより望ましいことを明かにする。
【０００８】
【作用】一般に、配向膜の電気抵抗を半導体的にするこ
とにより、不純物イオンの吸着の基となる、局在した電
荷の存在を妨げ得る。このことによって、特に強誘電性
液晶の並び等、特性を向上させ得る。閾値を従来より下
げ得ること、ラビング時の静電によるトラブルをさけ得
ることはすぐ理解出来る。
とにより、不純物イオンの吸着の基となる、局在した電
荷の存在を妨げ得る。このことによって、特に強誘電性
液晶の並び等、特性を向上させ得る。閾値を従来より下
げ得ること、ラビング時の静電によるトラブルをさけ得
ることはすぐ理解出来る。
【０００９】これらの導電性高分子としては、ノンドー
プのポリピロール、ノンドープのポリチェニレンや、ノ
ンドープのポリアニリン等が望ましい。ポリピロール等
は、若干分子構造を変更して、適当な溶媒への溶解性を
持たせるか、あるいは多くの場合、電界重合により成膜
される。電界重合法は、ある程度の手数を要するもので
ある。ポリアニリンは、安定性もよく、ノーマル・メテ
ィル・２ピロリドン（ＮＭＰ）等、溶剤が有り、より現
実的である。
プのポリピロール、ノンドープのポリチェニレンや、ノ
ンドープのポリアニリン等が望ましい。ポリピロール等
は、若干分子構造を変更して、適当な溶媒への溶解性を
持たせるか、あるいは多くの場合、電界重合により成膜
される。電界重合法は、ある程度の手数を要するもので
ある。ポリアニリンは、安定性もよく、ノーマル・メテ
ィル・２ピロリドン（ＮＭＰ）等、溶剤が有り、より現
実的である。
【００１０】配向した、すなわちラビングした導電性高
分子膜は、これに接する液晶分子のプレティルト角はそ
れほど大きくない。従って、強誘電性液晶やネマティッ
ク液晶のホメオ・モードを使った表示には、プレティル
ト角をより大きくするのが望ましい。
分子膜は、これに接する液晶分子のプレティルト角はそ
れほど大きくない。従って、強誘電性液晶やネマティッ
ク液晶のホメオ・モードを使った表示には、プレティル
ト角をより大きくするのが望ましい。
【００１１】このために、配向した導電性高分子膜表面
に垂直配向剤分子を吸着させ、より、プレティルト角を
大きくする。注入された液晶分子は、配向した導電性高
分子の主鎖方向に並ぶが、この際のプレティルト角をよ
り大きくし得るのである。垂直配向剤分子の吸着は、ア
ルコール等の溶媒で希釈された垂直配向剤を、スピナー
で塗布し、熱処理することによりなされる。垂直配向剤
としては、ＺＬＩ−３３３４、ないしＺＬＩ−３１２４
等が望ましい。垂直配向剤の希釈の濃度により、プレテ
ィルト角は大きく変えられる。
に垂直配向剤分子を吸着させ、より、プレティルト角を
大きくする。注入された液晶分子は、配向した導電性高
分子の主鎖方向に並ぶが、この際のプレティルト角をよ
り大きくし得るのである。垂直配向剤分子の吸着は、ア
ルコール等の溶媒で希釈された垂直配向剤を、スピナー
で塗布し、熱処理することによりなされる。垂直配向剤
としては、ＺＬＩ−３３３４、ないしＺＬＩ−３１２４
等が望ましい。垂直配向剤の希釈の濃度により、プレテ
ィルト角は大きく変えられる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１３】（実施例１）パターニングされた透明導電
電極を主面上に有するガラス基板上にポリピロール膜を
電界重合法で形成した。電解液は（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢＦ
４のアセトニトリル溶液を用いた。陰極として、白金を
使用した。膜厚は約１３０ｎｍであった。これを、よく
洗浄し、乾燥させた。
電極を主面上に有するガラス基板上にポリピロール膜を
電界重合法で形成した。電解液は（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢＦ
４のアセトニトリル溶液を用いた。陰極として、白金を
使用した。膜厚は約１３０ｎｍであった。これを、よく
洗浄し、乾燥させた。
【００１４】この膜を、レーヨン繊維でラビングした。
ラビング時の膜の静電的な破壊は全く生起しなかった。
この上に、０．１ｗ％に希釈した、メルク社製垂直配向
剤、ＺＬＩ−３１２４をスピナーで塗布、約１２０℃で
３０分熱処理した。
剤、ＺＬＩ−３１２４をスピナーで塗布、約１２０℃で
３０分熱処理した。
【００１５】この基板を使い、ＳＴＮパネルを公知の方
法で製作した。このあと、偏光板等を取り付け、表示特
性を評価した。
法で製作した。このあと、偏光板等を取り付け、表示特
性を評価した。
【００１６】なお、別の測定によれば、この基板に接す
る液晶分子のプレティルト角は約２５°であった。この
パネルにおいては、電圧−透過率特性の電圧閾値が２０
％下がり、表示も均一であった。これは、不純物等の吸
着をある程度減少し得たことによると思われる。
る液晶分子のプレティルト角は約２５°であった。この
パネルにおいては、電圧−透過率特性の電圧閾値が２０
％下がり、表示も均一であった。これは、不純物等の吸
着をある程度減少し得たことによると思われる。
【００１７】（実施例２）ポリアニリンを約１ｗ％溶解
されたＮＭＰ溶液を入手ぢた。これを、パターニングさ
れた透明導電電極を主面上に有するガラス基板上にスピ
ナーで塗布した。次に、約１３０℃で３０分間、加温し
た。
されたＮＭＰ溶液を入手ぢた。これを、パターニングさ
れた透明導電電極を主面上に有するガラス基板上にスピ
ナーで塗布した。次に、約１３０℃で３０分間、加温し
た。
【００１８】この膜を、レーヨン繊維でラビングした。
ラビング時の膜の静電的な破壊は全く生起しなかった。
【００１９】この基板を使い、９０°捻れのＴＮ（ツイ
ストネマティック）パネルを公知の方法で製作した。こ
のあと、偏光板等を取り付け、表示特性を評価した。表
示は、従来以上に均一であった。
ストネマティック）パネルを公知の方法で製作した。こ
のあと、偏光板等を取り付け、表示特性を評価した。表
示は、従来以上に均一であった。
【００２０】（実施例３）ポリアニリンを約１ｗ％溶解
されたＮＭＰ溶液を入手ぢた。これを、パターニングさ
れた透明導電電極を主面上に有するガラス基板上にスピ
ナーで塗布した。次に、約１３０℃で３０分間、加温し
た。
されたＮＭＰ溶液を入手ぢた。これを、パターニングさ
れた透明導電電極を主面上に有するガラス基板上にスピ
ナーで塗布した。次に、約１３０℃で３０分間、加温し
た。
【００２１】この膜を、レーヨン繊維でラビングした。
ラビング時の膜の静電的な破壊は全く生起しなかった。
この上に、０．０５ｗ％に希釈した、メルク社製垂直配
向剤、ＺＬＩ−３３３４をスピナーで塗布、約１２０℃
で３０分熱処理した。
向剤、ＺＬＩ−３３３４をスピナーで塗布、約１２０℃
で３０分熱処理した。
【００２２】ラビング方向が反平行となるよう、ガラス
基板１と２を主面が対向するように、所定の間隙となる
ように貼り合わせる。シール樹脂は約１５０℃、３時間
で硬化可能なエポキシ樹脂を用いた。
基板１と２を主面が対向するように、所定の間隙となる
ように貼り合わせる。シール樹脂は約１５０℃、３時間
で硬化可能なエポキシ樹脂を用いた。
【００２３】次に、強誘電性液晶組成物を前記間隙に充
填する。かくて、液晶パネルが得られる。前記ＩＴＯ電
極に電圧を印加し、偏光板で挟んで観察する。
填する。かくて、液晶パネルが得られる。前記ＩＴＯ電
極に電圧を印加し、偏光板で挟んで観察する。
【００２４】初期配向はすべて、ユニフォーム配向であ
った。ジグザグ欠陥も僅少であった。従来、この状態を
得られても、電圧を印加すると、ツイスト配向が優勢と
なり、コントラストを著るしく低下させる。ところが、
本実施例では、電圧を印加しても、安定な双安定ユニフ
ォーム配向を得た。必然的に、コントラストも従来に比
べて、大幅に改善された。
った。ジグザグ欠陥も僅少であった。従来、この状態を
得られても、電圧を印加すると、ツイスト配向が優勢と
なり、コントラストを著るしく低下させる。ところが、
本実施例では、電圧を印加しても、安定な双安定ユニフ
ォーム配向を得た。必然的に、コントラストも従来に比
べて、大幅に改善された。
【００２５】また、双安定ユニフォーム配向について、
十分な信頼性を得ることが出来た。これは、従来全く期
待し得なかったことである。
十分な信頼性を得ることが出来た。これは、従来全く期
待し得なかったことである。
【００２６】
【発明の効果】以上本発明は、適当な処理により、優れ
た液晶素子を得ることが出来、産業に貢献するところ大
である。
た液晶素子を得ることが出来、産業に貢献するところ大
である。
Claims (3)
- 【請求項１】 対向する電極基板の間に液晶を封入し
てなる液晶素子に設けられた液晶配向膜であって、配向
された導電性高分子からなることを特徴とする液晶配向
膜。 - 【請求項２】 対向する電極基板の間に液晶を封入し
てなる液晶素子に設けられた液晶配向膜であって、配向
された導電性高分子上に垂直配向剤分子を結合させてな
ることを特徴とする液晶配向膜。 - 【請求項３】 導電性高分子が、ポリピロール、また
はポリチェニレン、またはポリアニリンからなることを
特徴とする請求項１または２記載の液晶配向膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13483591A JPH04359225A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 液晶配向膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13483591A JPH04359225A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 液晶配向膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359225A true JPH04359225A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15137576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13483591A Pending JPH04359225A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 液晶配向膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164839A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその自己テスト方法 |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP13483591A patent/JPH04359225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164839A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその自己テスト方法 |
| JP4686350B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその自己テスト方法 |
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