KR19990035741U - 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치 - Google Patents

내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19990035741U
KR19990035741U KR2019980001387U KR19980001387U KR19990035741U KR 19990035741 U KR19990035741 U KR 19990035741U KR 2019980001387 U KR2019980001387 U KR 2019980001387U KR 19980001387 U KR19980001387 U KR 19980001387U KR 19990035741 U KR19990035741 U KR 19990035741U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
device under
tested
internal memory
output value
Prior art date
Application number
KR2019980001387U
Other languages
English (en)
Inventor
이상우
Original Assignee
구본준
엘지반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체 주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR2019980001387U priority Critical patent/KR19990035741U/ko
Publication of KR19990035741U publication Critical patent/KR19990035741U/ko

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체칩 테스트 장치에 관한 것으로, 종래의 기술에 있어서 테스터에서 테스트 프로그램을 구동하여 피측정디바이스(Device Under Test)에 보내고, 상기 피측정디바이스에서 출력되는 출력값을 기대값과 비교하여 피측정디바이스의 이상유무를 판단하는 방식이었으나, 현재 반도체가 고집적화 됨에 따라 디바이스의 동작 전체의 이상유무를 확인하기 어려운 문제점이 있었다. 따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 피측정디바이스의 내부 메모리에 특정 영역을 할당하여 테스트하고자 하는 특정회로의 입출력값을 저장하고, 테스트시 상기 특정 회로의 동작에 따른 출력값을 상기 특정영역에 저장된 출력값과 비교하여 피측정디바이스의 이상유무를 판단함으로써, 테스트프로그램의 일부 수정으로 동일한 테스트 시간 안에 추가적인 외부 테스트 핀 없이 테스트하고자 하는 특정회로의 동작을 확인하게 하여, 디바이스의 정상동작 유무를 정확히 판단하고 테스트 비용을 절감하는 효과가 있다.

Description

내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치
본 고안은 반도체 칩 테스트 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 내부 메모리의 특정 영역을 테스트용으로 사용하여 피측정디바이스(Device Under Test, 이하 DUT)의 테스트를 보다 쉽게 할 수 있는 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치에 관한 것이다.
도1은 종래 피측정디바이스 테스트 장치를 보인 블록도로서, 이에 도시된 바와 같이 피측정디바이스(DUT1)를 테스트하기 위한 테스트 프로그램을 구동시켜 디바이스의 이상유무를 확인할 수 있는 테스터(TD1)와; 테스트하고자 하는 피측정디바이스(DUT1)로 구성되며, 이와 같이 구성된 종래 장치의 동작을 설명한다.
우선, 테스터(TD1)에서 테스트 프로그램을 구동하여 입력을 피측정디바이스(DUT1)에 보내면, 상기 피측정디바이스(DUT1)의 동작에 따른 출력값을 테스터(TD1)에 보내고, 상기 테스터(TD1)에선 상기 피측정디바이스(DUT1)의 출력값과 기대값을 비교하여 상기 피측정디바이스(DUT1)의 정상(PASS)/불량(FAIL)을 판단하여 외부로 출력한다.
그러나, 상기와 같은 종래의 기술에 있어서는 최근 디바이스가 고집적화 됨에 따라 테스트 가능성(Testability)과 관측성(Observability)에 제약이 뒤따르므로, 테스트시 특정영역의 측정이 어렵게 되고, 이런 문제를 해결하기 위해 테스트용 핀을 추가로 삽입시키기도 하나, 디바이스의 패키지(Package)의 제약 때문에 이 또한 테스트하는데 한계가 있고, 테스트하고자 하는 디바이스 동작 전체를 확인하기 위해서는 많은 비용이 소요된다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 피측정디바이스가 갖고 있는 내부 메모리의 특정영역을 테스트용으로 사용하여 디바이스 테스트를 쉽게 수행할 수 있게 한 피측정디바이스 테스트 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
도1은 종래의 반도체 테스트 장치의 블록도
도2는 본 고안의 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치의 블록도
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
DUT2 : 피측정디바이스 TD2 : 테스트 회로
10 : 특정 회로 20 : 내부 메모리
20a : 테스트용 메모리
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안 내부메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치는 시스템의 내부 메모리에 특정 영역을 할당하여 테스트하고자 하는 특정 회로의 입출력값을 저장한 테스트용 메모리와, 테스트시 상기 특정 회로의 동작에 따른 출력값을 상기 테스트용 메모리에 저장된 출력값과 비교하여 테스트를 수행하는 테스트회로로 구성한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 고안의 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치의 구성을 보인 블록도로서, 이에 도시한 바와 같이 피측정디바이스(DUT2)의 내부 메모리(20)에 특정영역을 할당하여 테스트하고자 하는 특정회로(10)의 입출력값을 저장한 테스트용 메모리(20a)와; 테스트시 상기 특정회로(20)의 동작에 따른 출력값을 상기 테스트용 메모리(20a)에 저장된 출력값과 비교하여 피측정디바이스(DUT2)의 정상유무를 테스트하는 테스트회로(TD2)로 구성한 것으로 이와 같이 구성한 본 고안의 동작을 설명한다.
대부분의 시스템에는 일정한 크기의 내부 메모리(20)를 가지고 있다. 그러므로, 피측정디바이스(DUT2)를 테스트할 경우 상기 내부 메모리(20)에 특정영역(20a)을 테스트용으로 할당하여, 그 할당된 테스트용 메모리(20a)에 테스트하고자 하는 상기 특정회로(10)의 입출력값을 테이블(Table)형태로 저장한다.
그리고, 테스트시 테스트회로(TD2)에서 상기 테스트하고자 하는 특정회로(10)에 입력값을 입력하여 동작시키고, 그 특정회로(10)의 동작에 따른 테스트회로(TD2)에서 입력받은 후, 상기 내부 메모리(20)의 테스트용 메모리(20a)에 저장된 출력값과 비교하고, 그 비교 결과에 따라 테스트하고자 하는 피측정디바이스(DUT2)가 정상(PASS)인지 불량(FAIL)인지를 나타내는 테스트 결과신호를 출력한다.
상기에서 설명한 바와 같이 본 고안은 피측정디바이스 테스트시 내부메모리의 특정영역에 저장된 테스트 프로그램의 일부만 수정하여, 추가적인 외부 테스트 핀 없이 동일한 테스트 시간 안에 특정영역의 동작을 확인함으로써, 디바이스의 정상동작 유무를 정확히 판단하고 테스트 비용을 절감하는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 시스템 내부 메모리에 특정영역을 할당하여 테스트하고자 하는 특정 회로의 입출력값을 저장한 테스트용 메모리와; 테스트시 상기 특정회로의 출력값을 상기 테스트용 메모리에 저장된 출력값과 비교하여 테스트를 수행하는 테스트회로로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치
  2. 제 1항에 있어서 상기 테스트용 메모리는 테스트하고자 하는 특정 회로의 입출력값을 테이블 형태로 저장하여 구성된 것을 특징으로 하는 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치
KR2019980001387U 1998-02-07 1998-02-07 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치 KR19990035741U (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019980001387U KR19990035741U (ko) 1998-02-07 1998-02-07 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019980001387U KR19990035741U (ko) 1998-02-07 1998-02-07 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990035741U true KR19990035741U (ko) 1999-09-15

Family

ID=69712128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019980001387U KR19990035741U (ko) 1998-02-07 1998-02-07 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19990035741U (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703969B1 (ko) * 2005-04-07 2007-04-06 삼성전자주식회사 메모리 모듈의 테스트 장치
KR100832645B1 (ko) * 2005-12-09 2008-05-27 가부시끼가이샤 도시바 불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 자기 테스트 방법
KR100878300B1 (ko) * 2006-04-07 2009-01-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로 칩 및 그 테스트 방법
KR100888852B1 (ko) * 2006-01-25 2009-03-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 폐일 비트 테스트 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703969B1 (ko) * 2005-04-07 2007-04-06 삼성전자주식회사 메모리 모듈의 테스트 장치
KR100832645B1 (ko) * 2005-12-09 2008-05-27 가부시끼가이샤 도시바 불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 자기 테스트 방법
KR100888852B1 (ko) * 2006-01-25 2009-03-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 폐일 비트 테스트 방법
KR100878300B1 (ko) * 2006-04-07 2009-01-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로 칩 및 그 테스트 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6556938B1 (en) Systems and methods for facilitating automated test equipment functionality within integrated circuits
US20040119487A1 (en) Test board for testing IC package and tester calibration method using the same
US7493434B1 (en) Determining the value of internal signals in a malfunctioning integrated circuit
EP0849678B1 (en) A system and method for testing electronic devices
KR19990035741U (ko) 내부 메모리를 이용한 피측정디바이스 테스트 장치
KR20060019556A (ko) 집적 회로 디바이스 테스트 방법 및 장치, 집적 회로디바이스
US8037089B2 (en) Test system
US6754867B2 (en) Method of determining non-accessible device I/O pin speed using on chip LFSR and MISR as data source and results analyzer respectively
US7403027B2 (en) Apparatuses and methods for outputting signals during self-heat burn-in modes of operation
Huang et al. Using fault model relaxation to diagnose real scan chain defects
EP3290934B1 (en) Scan circuitry with iddq verification
US20030158691A1 (en) Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits
US6738940B1 (en) Integrated circuit including a test signal generator
US6815969B2 (en) Semiconductor inspection device capable of performing various inspections on a semiconductor device
US20010025227A1 (en) Monitored burn-in test system and monitored burn-in test method of microcomputers
JPS645461B2 (ko)
US20020049942A1 (en) Analog/digital characteristics testing device and IC testing apparatus
KR100336156B1 (ko) 카운터검사방법및장치와시리얼억세스메모리
JPS609136A (ja) 自己試験タイプlsi
JPS63177437A (ja) 半導体集積回路装置の試験方法
KR100202646B1 (ko) 이피롬의 데이타 리텐션 테스트 장치
KR20020087303A (ko) 반도체 웨이퍼를 테스트하기 위한 프루브 카드를테스트하는 방법
KR0177987B1 (ko) 복수 개의 반도체 칩 테스트 방법
JPH03120697A (ja) 集積回路装置
KR100822889B1 (ko) Ate를 이용한 실제속도 칩 테스트 시스템 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination