TW478014B - Semiconductor device and method of manufacturing thereof - Google Patents

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TW478014B
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Taiwan
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film
insulating film
line
semiconductor device
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TW089116126A
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Hiroshi Shibata
Atsuo Isobe
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
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478014 A7
五、發明說明（1 ) 發明背景 1 ·發明範圍 本發明是關於半導體裝置，其具有由薄膜電晶體（此 後稱爲TFT s )構成的電路，及製造半導體裝置之方法 。例如’本發明關於以液晶顯示面板爲典型的電光學裝置 ’及以此電光學裝置做爲其零件之電子裝備。 注意’在說明書中使用的半導體裝置標示一般的裝置 ’其利用半導體特徵而作用，且電光學裝置、半導體電路 與電子裝備皆爲半導體裝置。 2.相關技藝說明 近年來，利用形成在具有絕緣表面之基材上的半導體 薄膜（其厚度在約數毫微米至數百毫微米的位階）構成薄 膜電晶體（T F T )的技術已成爲眾人注目的焦點。此薄 膜電晶體廣泛應用到電子裝置，諸如積體電路或電光學裝 置，特別地，薄膜電晶體充當液晶顯示裝置之切換元件的 發展正快速進行中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了在液晶顯示裝置中獲得高品質的影像，一使用薄 月旲電晶體做爲切換兀件以連接到個別像素電極-其係配置在 基體中-的有效基體型液晶顯示裝置正吸引很多注意，。 必須做到的是，一影像信號的電位保存在每一連接到 薄膜電晶體的像素電極中，直到次一寫入時間爲止，以在 有效基體型液晶顯示裝置中執行良好品質的顯示。通常， 在每一像素中提供一儲存電容器（C s )可保存影像信號 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- 478014 A7 _________ B7 五、發明說明（2 ) 的電位。 已有各種建議，以用於上述儲存電容器（C s )的結 構與形成方法。然而，自製造過程之可靠性或簡單性的觀 點，較佳者爲，在用於構成一像素的絕緣薄膜中，薄膜電 晶體之一具有最高品質的閘絕緣薄膜充當儲存電容器（ C s )的介電質。傳統上，如圖1 8所示，一成爲上電極 的電容器線路係首先利用一掃描線而提供，然後儲存電容 器（C s )的形成是利用上電極（電容器線路）、一介電 層（閘絕緣薄膜）與一下電極（半導體薄膜）而實行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，自執行顯示的觀點，需要提供像素更大的儲存 電容器及使孔徑比更高。如果每一像素具有高孔徑比，則 改進背光的有效利用。結果，可以抑制用於獲得預定的顯 示發光性之背光量，因而可獲得省電及小尺寸的顯示裝置 。此外，每一像素設有一大的儲存電容器，藉以改進每一 像素保存顯示資料的特徵，以改進顯示品質。此外，在顯 示裝置的點循序驅動狀況，於每一信號線的驅動電路側需 要一信號儲存電容器（抽樣保存電容器）。然而，藉由在 每一像素中提供一大的儲存電容器，抽樣保存電容器所佔 據的表面積可以更小，因此，顯示裝置可以做得更小。 隨著使每一顯示像素微小化的進展，微小化伴隨著使 液晶顯示裝置更小及高淸晰度（增加像素數目）的進展而 發生，此需求乃變成問題。 有一額外的問題，即，在上述傳統像素結構中，難以 實現高孔徑比及相容的大儲存電容器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5-
五、發明說明（3 ) 依據表1的設計規則之傳統像素結構象素尺寸爲 1 9 · 2微米-顯示於圖1 8。 矽層.最小尺寸=Ο . 8微米，最小間隔=丄.5微米 聞電極：最小尺寸=1·〇微米，最小間隔=1·5微米 掃插線：最小尺寸=1 · 5微米，最小間隔二1 · 5微米 ίθ號線與砂層的接觸孔：最小尺寸：=1 . Q微米 接觸孔與矽層的界限=1 . 〇微米 接觸孔與掃描（鬧電極）線的最小間隔=1 . 3微米 信號線：最小尺寸=1 . 5微米，最小間隔=1 . 5微米 接觸孔與信號線的界限=1 . 3微米 像素尺寸：19.微米□ 像素薄膜電晶體：L = 1 · 5微米，W = 〇 . 8微米，單閘 掃描線：線路寬度的最小尺寸=1 . 0微米 掃描線：在重疊的矽層之一部分的線路寬度之最小尺寸= 1 . 5微米 電容器線路：最小尺寸二2.0微米_ 傳統像素結構之一特徵爲’二線路（一掃描線與一電 容器線路）係相關於二個別線路、掃描線與電容器線路的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 ______________ B7 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 連續形成而配置成互相平行。圖1 8中，參考號碼1 ◦標 示一半導體薄膜，1 1標示一掃描線，1 2標示一信號線 ’ 1 3標示一電極，1 4標示一電容器線路。注意，圖 1 8是像素的簡化頂視圖，所以連接到電極1 3的像素電 極及到達電極1 3的接觸孔二者皆未顯示於圖中。 於是，在以一上電極（電容器線路）、一介電層（絕 緣薄膜）與一下電極（半導體薄膜）構成儲存電容器的狀 況，構成像素之電路所需要的全部電路元件（一像素薄膜 電晶體、一儲存電容器、一接觸孔等）變成與一閘絕緣薄 膜相關的元件。因此，構成電路元件的這些元件在每一像 素內幾乎配置成平面狀。 所以，重要的是有效佈置構成像素電路所需要的電路 元件，以獲得每一像素的高孔徑比及大的儲存電容器，且 在規則化的像素尺寸內。另言之，自全部電路元件係與閘 絕緣薄膜連接的事實，可以斷言，重要的是改進利用閘絕 緣薄膜的效率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於是，從以上的看法，圖1 8之一像素電路結構的例 子之有效平面佈置圖顯示於圖1 9。圖1 9中，參考號碼 2 1標示單一像素區域，2 2標示一像素開口區域，2 3 標示一儲存電容器區域，2 4標示一 A區域，2 5標示薄 膜電晶體之一部分與一接觸區域。 關於圖1 9所示像素開口區域2 2的面積，其爲 216· 7平方微米（孔徑比爲58 .8%)，其由 6 4 · 2平方微米之儲存電容器區域2 3、薄膜電晶體部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478014 A7 B7 五、發明說明（5) 分與42 · 2平方微米之接觸區域25、及34 · 1平方 微米之A區域的面積組成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A區域2 4是掃描線與電容器線路之隔離區域，其源 自於以下的事實-用於將充當薄膜電晶體閘電極之區域互相 連接的線路部分、掃描線與電容器線路配置成爲互相平行 ° A區域的閘絕緣薄膜未被賦予它的原始功能，乃成爲線 路佈置效率減少的原因。 此外，在以上結構的狀況有一個問題，即，嚴格要求 一電容器線路電阻。 在一正常的液晶顯示裝置驅動器中，影像信號電位之 寫入至連接到每一掃描線的複數像素是在掃描線方向連續 (於點循序驅動的狀況或同時（於線性循序驅動的狀況） 執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於上述使電容器線路與掃描線於像素結構中互相平 行的配置，連接到個別掃描線的複數像素係連接到一共同 的電容器線路。所以，對應於像素寫入電流之用於複數像 素的相反電流連續或同時流動於共同的電容器線路中。爲 了避免電容器線路的電位變化造成顯示品質降低，需要充 分降低電容器線路電阻。 然而，加寬線路的寬度以降低電容器線路電阻意指， 儲存電容器的表面積擴大，而像素的孔徑比減少。 發明槪述 鑑於以上問題，乃產生本發明以做爲設計方面的解答 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 478014 A7 B7 -------—--— 五、發明說明（6 ) ，所以，本發明之一目的是提供一種液晶顯示裝置，其藉 由獲得高孔徑比並保存足夠的儲存電容器（C s )，胃_ 將電容器線路的負載（像素寫入電流）以適時的方式# Μ 而有效減少負載，乃具有高顯示品質。 揭示於此說明書中之本發明的結構是一半導體裝置， 其特徵爲包括： 一在絕緣表面上的第一線路； 一在該第一線路上的第一絕緣薄膜； 一在該第一絕緣薄膜上的半導體薄膜； 一在該半導體薄膜上的第二絕緣薄膜； 一第二線路與一閘電極，其待連接到該第二絕緣薄膜 上的第一線路； 一在該第二線路與該閘電極上的第三絕緣薄膜； 一弟二線路，其待連接到該第二絕緣薄膜上的半導體 薄膜。 在上述結構中，半導體裝置之特徵爲半導體薄膜與第 二線路經由第二絕緣薄膜而重疊。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲一儲 存電容器具有第二絕緣薄膜充當介電質，而在一區域，第 二線路與半導體薄膜經由第二絕緣薄膜而重疊。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲一導 電型式的不純元素摻雜至半導體薄膜區域中，於該處，第 二線路經由第二絕緣薄膜而重疊。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲又包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 裝
-ϋ I _1 ^-°4 «^1 I ammmm I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 478014 A7 ___ B7 五、發明說明（7 ) 括一待連接到半導體薄膜的電極及一待連接到第三絕緣薄 膜上之電極的像素。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外’在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲第一 線路與第二線路配置在互相正交的方向。 此外’在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲第一 線路配置在與第三線路正交的方向。 此外’在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲閘電 極形成在與第一線路不同的層上。 此外’在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲閘電 極的圖案是島形。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲第一 線路包括一掃描線。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲第二 線路包括一*電容器線路。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲第三 線路包括一* fg號線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲第二 絕緣薄膜包括一閘絕緣薄膜。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲閘電 極由一薄膜製成，薄膜以一元素做爲它的主要成分，元素 是選自聚矽、鎢、W S i x、鋁、鉅、鉻或鉬組成的群組， 其已摻雜導電型不純元素，或由這些元素之組合的層壓薄 膜製成。 此外，另一發明的結構是一半導體裝置，其特徵爲包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 478014 A7 B7 五、發明說明（8 ) 括： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 複數信號線，其以一預定間隔互相配置成平行’且連 接到一信號線驅動器電路；及 複數掃描線，其以一預定間隔互相配置成平行，且連 接到一掃描線驅動器電路；及 一配置成與信號線平行的電容器線路。 此外，在上述結構中，半導體裝置之特徵爲掃描線與 信號線正交。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲又包 括一薄膜電晶體，其具有一連接到與信號線正交之掃描線 的閘電極及一連接到薄膜電晶體的像素電極。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲閘電 極形成在與掃描線不同的層上。 此外，在上述個別結構中，半導體裝置之特徵爲閘電 極的圖案是島形。 · 此外，獲得以上結構之本發明的結構是一種半導體裝 置之製造方法，其特徵爲包括： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一步驟，在一具有絕緣表面的基材上形成第一線路 y 第二步驟，在第一線路上形成第一絕緣薄膜； 第二步驟，在第一線路上形成半導體薄膜； 第四步驟，在半導體薄膜上形成第二絕緣薄膜； 第五步驟，藉由選擇性蝕刻第一絕緣薄膜與第二絕緣 薄膜’形成到達第一線路的第一接觸孔； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 478014 A7 B7
第六步驟，在第二絕緣薄膜上形成一閘電極，其電_ 於半導體薄膜之一部分，且經由第一接觸孔連接到第〜 線 路； 第七步驟，在閘電極上形成第三絕緣薄膜； 第八步驟，藉由選擇性蝕刻第二絕緣薄膜與第三絕糸条 薄膜，形成到達半導體薄膜的第二接觸孔； 第九步驟，在第三絕緣薄膜上形成第三線路，其，經_ 第二接觸孔連接到半導體薄膜； 此外，在上述結構中，製造方法之特徵爲在形成阐胃 極的相同步驟中，第二線路形成於第二絕緣薄膜上，以胃 疊於一部分半導體薄膜。 此外，在上述結構中，製造方法之特徵爲又包括_ & 驟，係在形成第二絕緣薄膜於半導體薄膜上的步驟以後， 使重疊於第二線路的第二絕緣薄膜部分變薄。 此外，在上述結構中，製造方法之特徵爲第二絕緣薄 膜是一閘絕緣薄膜，第一線路是一掃描線，第二線路是一 電容器線路，而第二線路是一信號線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖式簡單說明 在附圖中： 圖1是一像素的頂視圖； 圖2!是顯不一薄膜電晶體基材之電路結構的圖； 圖3 A與3 B是顯示薄膜電晶體基材之剖視圖的圖； 圖4繪示一有效基體型液晶顯示裝置的剖面結構； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 - 478014 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11) 100c 接觸孔 1〇〇d 接觸孔 1〇1 基材（薄膜電晶體基材） 102 掃描線 10 3 第一絕緣薄膜 1〇4 半導體薄膜 10 5 閘絕緣薄膜（第 1〇6 閘電極 107 電容器線路 108 第三絕緣薄膜 10 9 信號線或電極 110 島形電極 111 信號線或電極 112 第四絕緣薄膜 113 光屏蔽薄膜 114 第五絕緣薄膜 115 像素電極 116 對準薄膜 117 液晶層 118 對準薄膜 119 對立電極 120 對立基材 200 儲存電容器 2 0 1 像素部分 絕緣薄膜） ------------·!裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 478014 A7 B7 五、發明說明（12) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 〇 2 掃 描 線 馬區 動 器 電 路 2 〇 3 信 號 線 驅 動 器 電 路 2 〇 4 驅 動 器 電路 2 〇 5 影 像 信 號 2 〇 6 接 地 或 固 定 電 位 2 0 7 掃 描 線 ( 閘 線 路 ) 2 〇 8 信 線 4 〇 1 基 材 4 〇 2 掃 描 線 4 〇 3 3 絕 緣 薄 膜 4 〇 3 b 絕 緣 薄 膜 4 〇 4 半 導 體 層 4 〇 5 罩 幕 4 〇 6 半 導 體 rJ-ii 層 的 一 部 分 4 〇 7 罩 幕 4 〇 8 a 絕 緣 薄 膜 4 〇 8 b 絕 緣 薄 膜 4 〇 9 罩 幕 4 1 〇 閘 電 極 4 1 1 電 容 器 線 路 4 1 2 罩 幕 4 1 3 筒 濃 度 不 純 區 域 4 1 4 槽 道 形成 域 4 1 5 低 濃 度 不 純 區 域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 478014 A7 B7 五、發明說明（13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 6 鈍 化 薄 膜 4 1 7 層 間 絕 緣 薄 膜 4 1 8 電 極 4 1 9 源 極 線 路 4 2 〇 層 間 絕 緣 薄 膜 4 2 1 光 屏 蔽 層 4 2 2 層 間 絕 緣 薄 膜 4 2 3 像 素 電 極 4 2 4 像 素 電 極 5 〇 0 a 接 觸 孔 5 〇 Ob 接 觸 孔 5 〇 0 c 接 觸 孔 5 0 1 基 材 5 0 2 閘 絕 緣 薄 膜 ( 5 0 2 a 掃 描 線 5 〇 2 b 電 容 器 電 極 5 〇 3 絕 緣 薄 膜 5 〇 4 半 導 體 薄 膜 5 〇 6 閘 電 極 5 〇 7 電 容 器 線 路 5 〇 8 第 二 閘 絕 緣 薄 5 〇 9 信 號 線 5 1 〇 電 極 6 〇 1 基 材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 478014 A7 _B7 五、發明說明（14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 〇 2 掃 描 線 6 〇 3 第 一 絕 緣 薄 膜 6 〇 4 半 導 體 薄 膜 6 〇 5 閘 絕 緣 薄 膜 ( 第 二 絕 緣薄 6 〇 6 a 電 容 器 線 路 6 0 6 b 閘 電 極 6 0 6 c 閘 線 路 6 〇 7 第 二 絕 緣 薄 膜 6 〇 8 電 極 6 0 9 第 四 絕 緣 薄 膜 6 1 〇 光 屏 蔽 薄 膜 6 1 1 第 五 絕 緣 薄 膜 6 1 2 像 素 電 極 6 1 3 對 準 薄 膜 6 1 4 液 晶 層 6 1 5 對 準 薄 膜 6 1 6 對 、r,: 電 極 6 1 7 對 基 材 8 〇 〇 像 素 薄 膜 電 晶 體 8 0 2 掃 描 線 驅 動 器 電 路 8 〇 3 信 號 線 驅 動 器 電 路 8 〇 4 F P C ( 撓 性 印 刷 電 路） 8 〇 5 外 部 輸 入 _LU_r m 子 8 〇 6 連 接 線 路 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478014 A7 B7 五、發明說明（15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 〇 7 連接 線 路 8 〇 8 對立 基 材 2 〇 〇 1 主 體 2 〇 〇 2 影 像 輸 入 部 分 2 〇 〇 3 顯 示 部 分 2 〇 〇 4 鍵 j&ru 2 1 〇 1 主 體 2 1 〇 2 顯 示 部 分 2 1 〇 3 聲 頻 輸 入 部 分 2 1 〇 4 操 作 開 關 2 1 〇 5 電 池 2 1 〇 6 影 像 接 收 部 分 2 2 〇 1 主 體 2 2 〇 2 照 相 機 部 分 2 2 〇 3 影 像 接 收 部 分 2 2 〇 4 操 作 開 關 2 2 〇 5 顯 示 部 分 2 3 〇 1 主 體 2 3 〇 2 顯 示 部 分 2 3 〇 3 臂 部 分 2 4 〇 1 主 體 2 4 〇 2 顯 示 部 分 2 4 〇 3 揚 聲 器 部 分 2 4 〇 4 記 錄 媒 體 -------------^^装-----r---訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 478014 A7 B7 五、發明說明（16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 〇 5 操 作 開 關 2 5 〇 1 主 體 2 5 〇 2 顯 示 部 分 2 5 〇 3 巨 m 部 分 2 5 〇 4 操 作 開 關 2 6 〇 1 投 影 單 元 2 6 〇 2 螢 光 幕 2 7 〇 1 主 體 2 7 〇 2 投 影 單 元 2 7 〇 3 鏡 子 2 7 〇 4 螢 光 幕 2 8 〇 1 光 源 光 學 系 統 2 8 〇 2 鏡 子 2 8 〇 3 二 色 鏡 2 8 〇 4 鏡 子 2 8 〇 5 鏡 子 2 8 〇 6 鏡 子 2 8 〇 7 稜 鏡 2 8 〇 8 液 晶 顯 示 裝 置 2 8 〇 9 相 差 板 2 8 1 〇 投 影 光 學 系 統 2 8 1 1 反射 器 2 8 1 2 光 源 2 8 1 3 透 鏡 陣 列 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·% 一^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 478014 A7 B7 五、發明說明（17) 2 8 14 透鏡陣列 2815 極化轉換元件 2 8 16 聚光透鏡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳實施例詳細說明 以下將說明本發明的較佳實施例。 本發明的特徵爲一掃描線形成在與一閘電極不同的層 上’以增加孔徑比及增加儲存電容器。本發明之像素結構 的例子顯示於圖1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1中，一藉由圖案化而成爲島形的閘電極1 〇 6經 由一形成在絕緣薄膜上的接觸孔1 〇 〇 c ，而連接到一掃 描線1 0 2。此外，一半導體薄膜1 〇 4經由一接觸孔 1 〇 0 a連接到一信號線1 〇 9。此外，半導體薄膜 1〇4經由一接觸孔1 〇 〇 b連接到一電極1 1 〇。半導 體薄膜之一區域，其連接到信號線1 〇 9或電極1 1 〇， 稱爲源極區域或汲極區域。此外，一槽道形成區域形成在 源極區域與汲極區域之間，且閘電極1 〇 6經由一閘絕緣 薄膜而出現在槽道形成區域上。注意，爲了簡化起見，源 極區域與汲極區域、槽道形成區域未顯示於圖中。 依據本發明，在掃描線1 〇 2係形成於閘電極1 0 6 下層的狀況，如圖1所示，掃描線1 〇 2將設在半導體薄 膜1 0 4下層，於是可充當光屏蔽薄膜。此外，儲存電容 器具有充當半導體薄膜的下電極、遮蓋充當介電質之半導 體薄膜的絕緣薄膜、充當電容器線路1 〇 7的上電極。注 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20- 478014 A7 __ B7 五、發明說明（18) 意’儲存電容器可以藉由使遮蓋半導體薄膜的絕緣薄膜部 分變薄而變大。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，依據本發明之一特色，每一像素的薄膜電晶體 可以是雙閘結構，其中一閘電極經由一閘絕緣薄膜而設在 槽道形成區域的上與下部，而可以抑制由掃描線與另一線 路形成的儲存電容器，並藉由適當設定第一絕緣薄膜的薄 膜厚度，而改進薄膜電晶體的特徵。 不同於先前技藝（電容器線路配置成與掃描線平行） ，本發明的特徵爲電容器線路的配置是俾使它與信號線平 行。因此，可以獲得良好的顯示影像，其原因爲每一像素 連接到由個別獨立的電容器線路所形成的儲存電容器，即 使影像信號的連續寫入是以驅動方法而執行於和每一掃描 線對應的像素時亦然，故避免了相鄰像素的寫入電流所致 之電容器線路電位的變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 傳統上，一抽樣保存電容器設在每一信號線中，以在 寫入每一掃描線期間，防止信號線電位（寫入電位）減少 。在本發明中，電容器線路配置成爲平行且重疊於信號線 。所以，從信號線的寄生電容增加的事實，不需要在周邊 電路之一部分中設置抽樣保存電容器，藉以改進信號線電 位的保存特徵。與先前技藝相比，周邊電路可以做成更小 〇 此外，已經減輕了電容器線路電阻的性·能需求，其原 因同上，所以在設計電容器線路的配置、尺寸與薄膜厚度 時有更多的自由。此外，因爲用於電容器線路之材料的選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 478014 A7 ____ B7 五、發明說明（19) 擇範圍已經加寬，故減少設計與製造的複雜程度，導致獲 得更高的生產良率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於由以上特色組成的本發明，實施例的詳細說明如 下。 〔實施例1〕 以下，取一投影機型液晶顯示裝置的點循序驅動器爲 例，說明本發明的實施例。 一有效基體型液晶顯示裝置，其使用薄膜電晶體做爲 它的切換元件，是由一基材（薄膜電晶體基材）與一對立 基材構成，基材的像素電極係配置在基體中，具有對立電 極的對立基材係形成於其上，而經由一液晶層配置成爲面 對薄膜電晶體基材。二基材之間的空間經由隔板等控制在 一預定的間隔’且使用一密封材料於顯示區域外周緣部分 的周圍，以圍繞液晶層。 圖4示意顯示本發明之液晶顯示裝置的剖面結構。圖 4中，參考號碼1 0 1標示一基材（薄膜電晶體基材）， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1〇2標不掃描線’ 1 0 3標不第一^絕緣薄膜，1 〇 4標 示半導體薄膜，1 0 5標示閘絕緣薄膜（第二絕緣薄膜） ，1 0 6標示閘電極，1 0 7標示電容器線路，1 〇 8標 示第三絕緣薄膜，1 0 9與1 1 1標示由信號線發出的信 號線或電極。參考號碼1 1 0標示一電極，其經由一接觸 孔（圖中未顯示）連接到半導體薄膜，接觸孔係形成於第 三絕緣薄膜。此外，閘電極1 1 0是用於將薄膜電晶體連 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）" --- •22- 478014 A7 B7 五、發明說明（20) 接到像素電極的電極。 注意，在本發明中，術語「電極」意指「線路」的一 部分，且指示線路與另一線路電連接的地方’或線路與一 半導體層相交的地方。於是，爲了解說方便起見’將術語 「線路」與「電極」區別而使用。然而，術語「電極」總 是涵蓋「線路」的意義。 注意，由參考號碼1 0 1至1 1 〇標示的部分在本發 明中界定爲薄膜電晶體。此外，參考號碼1 0 9與1 1 0 可以是由一線路發散出去的電極。 此外，參考號碼1 1 2標示第四絕緣薄膜，其遮蓋薄 膜電晶體，1 1 3標示一光屏蔽薄膜，用於防止薄膜電晶 體光退化，1 1 4標示第五絕緣薄膜，1 1 5標示一經由 接觸孔1 0 0 d連接到電極1 1 0的像素電極，1 1 6標 示一對準薄膜，用於將液晶層1 1 7定位。 亦在圖4中，一對立電極1 1 9與一對準薄膜1 1 8 設在一對立基材1 2 0上，此外，需要時，可以提供一光 屏蔽薄膜與一顏色過濾器。 基材（薄膜電晶體基材）i 〇 1包括形成在其周緣之 一像素部分2 0 1、一掃描線驅動器電路2 0 2與一信號 線驅動器電路2 0 3，如圖2所示。 掃描線驅動器電路2 0 2主要由移位暫存器組成，用 於循序傳送掃瞄信號。信號線驅動器電路2 0 3主要由抽 樣保存電路組成，用於在將一移位暫存器與一影像信號（ 影像信號是依據移位暫存器的輸出而輸入）抽樣以後，保 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
23 478014 A7 _____ B7 五、發明說明（21) 存影像信號且驅動一信號線。 在像素部分2 0 1中，複數掃描線（閘線路）2 0 7 連接到是掃描線驅動器電路2 0 2，且以一預定間隔配置 成爲互相平行，且複數掃痛線2 0 8連接到具備一用於輸 入影像信號2 0 5之端子的信號線驅動器電路2 0 3 ’且 以一預定間隔配置成爲互相平行。掃描線2 0 7與信號線 2 0 8正交。配合薄膜電晶體（圖中未顯示）之配置在每 一交點，像素電極（圖中未顯示）配置在由掃描線與信號 線標記的個別區域中。於是，每一像素電極配置在來自此 結構的基體中。此外，連接到一 G N D (接地）或固定電 位2 0 6的複數電容器線路2 0 9配置成爲與信號線 2〇8平行。參考號碼2 〇 4標示一驅動器電路，其配置 在一^對立基材上。注意’爲了簡化起見’只有ί目號線、掃 描線與電容器線路的一些線顯不於圖2。 以下，參考圖1、3Α與3Β，說明圖4所示半導體 裝置之簡化的製造過程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，此外，也可以使用諸如基材1 0 1之玻璃基材 、石英基材與塑膠基材。在使用玻璃基材的狀況，可以在 低於玻璃畸變點約1 〇至2 0 °C的溫度，預先執行熱處理 。此外，在將形成薄膜電晶體的基材表面上形成一底薄膜 ，以防止不純物從基材1 0 1擴散。底薄膜由絕緣薄膜製 成，諸如氧化矽薄膜、氮化矽薄膜、或矽氧氮化物薄膜。 其次，一導電薄膜形成在基材上，然後，執行圖案化 ，藉以形成掃描線1 〇 2。諸如聚砂、W S i X ( X = 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24- 478014 A7 __ B7 五、發明說明（22) 2 · 0至2 · 8 )、鋁、鉅、鎢與鉻-其已摻雜一導電型不 純物元素-及其層化結構的導電材料可以用於掃描線1 〇 2 。此實施例中，配置在一預定間隔的掃描線1 〇 2由 WSix薄膜（薄膜厚度：1〇〇毫微米）與一聚矽薄膜（ 薄膜厚度：5 0毫微米）組成的層化結構形成，其係具有 高光阻礙特徵的導電材料。 其次，形成第一絕緣薄膜1 0 3，其遮蓋掃描線 1 0 2且薄fl吴厚度約爲5 0 0毫微米。一含有砂的絕緣薄 膜’其由諸如電漿化學蒸氣澱積或噴濺的習知方法形成， 係用於第一絕緣薄膜1 0 3。此外，第一絕緣薄膜1 〇 3 可由一有機絕緣材料製成的薄膜、一氧化矽薄膜、一矽氧 氮化物薄膜、一氮化矽薄膜或這些薄膜組合的層化薄膜形 成。 其次，半導體薄膜藉由諸如電漿化學蒸氣澱積或噴濺 的習知方法形成，厚度爲2 5與8 0毫微米之間（較佳爲 3 0與6 0毫微米之間），然後圖案化至所欲的形狀。此 實施例中，一無定形矽薄膜藉由電漿化學蒸氣澱積形成爲 約5 0毫微米厚。藉由習知的結晶方法，執行結晶過程， 以自無定形矽薄膜形成結晶矽薄膜（聚矽）。然後，在結 晶矽薄膜上進行圖案化，以成爲島形。雖然本實施例使用 結晶矽薄膜（聚矽），但只要它是半導體薄膜即可，無特 殊限制。 注意，在本發明中，術語「半導體薄膜」標示單晶半 導體薄膜、結晶半導體薄膜（諸如聚矽、無定形半導體薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •25- 478014 A7 ____ B7 五、發明說明（23) 膜（諸如a -矽），或微結晶半導體薄膜。此外，，諸如 矽鍺薄膜的複合半導體薄膜也包含於「半導體薄膜」。 藉由諸如電漿化學蒸氣澱積噴濺方法形成之含有矽的 絕緣薄膜’或已熱氧化之半導體薄膜（諸如矽薄膜）所形 成的氧化物薄膜是用於形成第二絕緣薄膜（閘絕緣薄膜） 1 0 5。需要的時候，第二絕緣薄膜1 〇 5可以是由諸如 二層或三層之複數層組成的層化結構。 其後’爲了利用個別的島形半導體薄膜構建薄膜電晶 體’其充當影像信號寫入開關，乃使用習知的技術，以選 擇性摻雜一不純元素（諸如磷或硼），其將P型或n型導 電性賦予島形半導體薄膜，藉以形成一低電阻源極區域與 汲極區域，且又形成一低電阻區域。此低電阻區域類似於 汲極區域之處在於，它摻雜一不純元素（典型上爲磷或硼 )’且是已變成低電阻的半導體薄膜之一部分。注意，選 擇性摻雜不純元素之過程的順序沒有特殊限制。例如，不 純元素可以在第一絕緣薄膜與閘電極形成以前摻雜，或在 閘電極形成以後摻雜。此外，可以回應於電路結構，而形 成一 LDD區域與一偏置區域。注意，爲了簡化起見，個 別區域在圖中未顯示。 於是，一槽道形成區域形成於薄膜1 0 4的源極區域 與汲極區域之間。 其次，在第一絕緣薄膜1 0 3與第二絕緣薄膜1 0 5 之間執行選擇性蝕刻，藉以形成圖3 Β所示到達掃描線 102的第一接觸孔100c。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 B7 五、發明說明（24) 其次，一導電薄膜形成於第二絕緣薄膜i 〇 5上。然 後’執彳了圖案化，以形成閘電極1 Q 6 ®電容器線路 1 0 7。閘電極1 0 6與電容器線路1 〇 7以導電材料形 成約3 0 0毫微米之厚度’導電材料係諸如聚砂、w s 土 χ (X = 2 · Ο至2 · 8 )、鋁、鉅、鎢與鉻—其已摻雜一導 電型不純物兀素-及其層化結構。此外，形成單一層，以用 於閘電極1 0 6與電容器線路1 0 7，但需要的時候，也 可以形成由諸如二層或三層之複數層組成的層化結構。在 此狀況，每一島形的閘電極經由第一接觸孔1 〇 〇 C電連 接到掃描線1 0 2 ’第一接觸孔1 〇 〇 c具有第一絕緣薄 膜1 〇 3與第二絕緣薄膜1 0 5。 島形閘電極1 〇 6經由第二絕緣薄膜1 〇 5而配置在 每一像素的槽道形成區域上。此外，電容器線路1 〇 7經 由第二絕緣薄膜1 0 5而配置在低電阻區域上。注意，儲 存電容器可以藉由增加一過程而擴大，在該過程中，電容 器線路1 0 7重疊於第二絕緣薄膜1 〇 5之區域的薄膜部 分變薄。電容器線路1 0 7也在信號線方向連續配置至每 一像素，且於顯示區域外部電連接至地面或固定的電位。 其次，形成遮蓋閘電極1 0 6與電容器線路1 〇 7的 第三絕緣薄膜1 0 8。一含有矽的絕緣薄膜，其由諸如電 槳化學蒸氣澱積或噴濺方法形成，係用於第三絕緣薄膜 1〇8。此外，第三絕緣薄膜1 0 8可由氧化矽薄膜、氮 化氧薄膜、氮化砂薄膜或這些薄膜組合的層化薄膜形成。 其次，在第二絕緣薄膜1 〇 5與第三絕緣薄膜1 0 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------I I---—. 裝·！！!訂--I I I I I--線 j (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -27- 478014 A7 B7 五、發明說明（25) 上執行選擇性蝕刻，藉以形成個別顯示於圖3 A與3 B的 第二接觸孔1 0 0 a與1 〇 〇 b，以到達半導體薄膜（源 極區域或汲極區域）。 其次，一具有鋁、鎢、鈦與氮化鈦做爲其主要成分的 薄膜或一具有這些元素之層化結構的導電薄膜（薄膜厚度 :5 0 0微米）形成於第三絕緣薄膜1 〇 8上。然後執行 圖案化，藉以形成信號線1 0 9與1 1 1及島形電極 1 1 0，以連接一稍後形成的像素電極。信號線1 〇 9與 1 1 1經由到達半導體薄膜的第二接觸孔1 0 0 a與 1 0 0 b，而連接到源極區域或汲極區域。類似地，島形 電極1 1 0經由到達半導體薄膜的第二接觸孔1 〇 〇 a ， 而連接到源極區域或汲極區域。此外，信號線1 〇 9與 1 1 1配置在平行於電容器線路1 0 7的方向。 島形電極1 1 0配置成爲與信號線1 0 9隔離。然而 ，信號線1 0 9與島形電極1 1 0二者不一起連接到源極 區域。類似地，信號線1 0 9與島形電極1 1 〇二者不一 起連接到汲極區域。 對應於圖1之在此階段的像素頂視圖及剖面結構示意 圖-其中’剖面是沿者圖1的斷裂線A — A 與斷裂線B — B /而作-個別對應於圖3 A與3 B。 其次，形成第四絕緣薄膜1 1 2，其遮蓋信號線 1 0 9與島形電極1 1 0。第四絕緣薄膜1 1 2可由諸如 有機絕緣材料薄膜、氧化矽薄膜、矽氧氮化物薄膜、氮化 矽薄膜或這些薄膜組合的層化薄膜形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « I I I I---訂·！--I I ! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 478014 A7 ___B7 五、發明說明（26) 接著，一由諸如鈦、鋁、鎢、鉻或黑色樹脂之材料形 成而具有高光屏蔽特徵的薄膜形成在第四絕緣薄膜1 1 2 上，然後圖案化至所欲的形狀，藉以形成光屏蔽薄膜 1 1 3。光屏蔽薄膜1 1 3配置成篩孔狀，以致於除了像 素的開口部分以外，使其他區域與光隔開。 在實施例1中，如果選擇一低電阻薄膜充當光屏蔽薄 膜的材料，則雖然光屏蔽薄膜1 1 3變成電浮動，但可以 控制光屏蔽薄膜至一在顯示部分外部的選擇性電位。 其次，一第五絕緣薄膜1 1 4形成於光屏蔽薄膜 1 1 3上。以一由有機絕緣材料製成的薄膜形成第五絕緣 薄膜1 1 4是適當的。藉由以一有機絕緣材料形成第五絕 緣薄膜1 1 4，可使表面充分平坦。此外，因爲有機樹脂 材料通常是低介電常數，故可減少寄生電容。然而，因爲 有機樹脂材料是吸收性，它們不適於充當保護薄膜。於是 ’第五絕緣薄膜1 1 4可以是氧化氮薄膜、矽氧氮化物薄 膜與氮化矽薄膜之組合的層化結構。 ---------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 到 4 ， 5 個部 1 以圖 膜 1 。 口 1 ， 由 薄^-"I ο 開 膜 d d 電極 1 的 薄 ο ο 導電 1 極 緣 ο ο 明素極電 絕 1 1 透像電一 五孔孔 的。形每 第觸觸 膜 5 島蓋 與接接 薄 1 到遮 2 三三 物 1 接以 1 第第 化極連， 1 成， 氧電.而置 膜形見 錫素，配 薄以起 銦像 d 立 緣藉化 如成 ο 獨 絕，簡 諸形 ο 自 四刻了 一以 1 各 第蝕爲。成藉孔係 在性。示形，觸極 ， 擇極指，化接電 次選電線次案三素 其行形裂其圖第像 執島斷 後由的 上達的 然經別 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29- 478014 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（27) 分。 用於將液晶層1 1 7定位的對準薄膜1 1 6形成於如 此开< 成的薄膜電晶體基材上。然後，薄膜電晶體基材與對 立的基材1 2 0，其設有對立的電極1 1 9與對準薄膜 1 1 8，利用習知的電池構建技術連接在一起。其後，一 液晶材料注入於二基材之間，且封閉於其中。於是完成液 晶電池，其中液晶層保存在二基材之間。 利用上述製造步驟，而且依據表2之設計規則配置線 路、半導體薄膜等，可獲得表面積爲2 3 6 · 9平方微米 的像素開口區域（孔徑比：6 4 · 3 % )與表面積爲 6 2 · 8平方微米的儲存電容器區域。 (請先閱讀背面之注音2事項再填寫本頁) 0 裝 —.1 ϋ I I >ϋ 1 n I » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30 - 478014 A7 B7 五、發明說明（28) 表 2 _____— 一_ ϊ夕層：最小尺寸=0 · 8微米’最小間隔=1 · 5微米 閘電極··最小尺寸=1 · 〇微米，最小間隔=1 . 5微米 掃描線與聞電極的接觸孔：最小尺寸=1 · 〇微米 接觸孔與閘電極的界限=1 . 0微米□ 掃描線：最小尺寸=1 · 5微米，最小間隔=1 . 5微米 信號線與矽層的接觸孔：最小尺寸=1 · 0微米□ 接觸孔與矽層的界限二1 . 0微米 接觸孔與掃描（閘電極）線的最小間隔=1 . 3微米 信號線：最小尺寸=1 · 5微米，最小間隔=1 . 5微米 接觸孔與信號線的界限二1 . 3微米 像素尺寸：19.2微米□ 像素薄膜電晶體：L = 1 · 5微米，W = 〇 . 8微米，單閘 掃描線：線路寬度的最小尺寸=1 . 0微米 掃描線：在重疊矽層之一部分的線路寬度之最小尺寸二 1 . 5微米 電容器線路：最小尺寸=2 . 0微米 在實施例1中，再構建之像素區域中需要提供一用於 接觸孔1 0 0 c的區域，以連接閘電極1 0 6與掃描線 1 0 2。此外，在實施例1中，一上光屏蔽薄膜只是一用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 · 478014 A7 B7 五、發明說明（29) 於使島形矽薄膜之槽道形成區域的周緣部分隔離於光的薄 膜。因此，所欲者爲，結構設有一上光屏蔽薄膜。 依據本結構’因爲掃描線1 0 2充當槽道形成區域及 其周緣部分的下光屏蔽薄膜’故自液晶層1 1 7入射的光 在薄膜電晶體基材的下表面反射，然後入射於槽道形成區 域及其周緣部分。因此’可以避免光自薄膜電晶體洩漏， 以致於可獲得較佳的顯示品質。 〔實施例2〕 此處，將參考圖5的透視圖，在實施例2中說明實施 例1所示有效基體型液晶顯示裝置的結構。注意，相同的 參考號碼標示與實施例1的對應的部件。 圖5中，一基體基材由一像素部分、一掃描線驅動器 電路8 0 2、一信號線驅動器電路8 0 3及形成於一基材 1 0 1上之其他信號處理電路組成。一像素薄膜電晶體 8〇0與一儲存電容器2 0 0設在像素部分中，且設在其 周緣中的驅動器電路是根據一互補式金氧半導體電路而構 建。. 此外，電容器線路1 0 7設在與信號線1 0 9平行的 方向，且充當儲存電容器2 0 0的上電極。電容器線路 1〇7也接地或連接到一固定的電位。 個別來自掃描線驅動器電路8 0 2與信號線驅動器電 路8 0 3的掃描線1 〇 2與信號線1 0 9延伸到像素部分 ，且連接到像素薄膜電晶體8 0 0。此外，一 F P C (撓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----r---訂---------線j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 478014 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（30) 性印刷電路）8 〇 4連接到一外部輸入端子8 〇 5，其用 於輸入諸如影像信號的信號。F P c 8 〇 4係以強化樹脂 牢牢固定。然後，連接線路8 0 6與8 0 7連接至個別的 驅動器電路。一光屏蔽薄膜與一透明的電極設在一對立基 材8 0 8上，但圖中未顯不。 〔實施例3〕 藉由實行本發明而形成的像素基體電路可以適用於各 種電光學裝置（有效基體型液晶顯示裝置、有效基體E L 顯不器與有效基體E C顯不器）。即，本發明可施行於全 部電子裝備，其將這些電光學裝置附設爲一顯示部分。 以下可以提供爲電子裝備·視頻照相機、數位照相機 、ί又影機（後型或則型）、頭邰安裝式顯示器（眼鏡智顯 示器）、汽車導航系統、個人電腦、可攜式資訊終端機（ 諸如行動電腦、細胞式電話與電子書）等。這些中的若干 例子顯示於圖6Α至6F與圖7Α至7D。 圖6Α顯示一個人電腦，其由一主體soQi、一影 .像輸入部分2 0 0 2、一顯示部分2 0 .0 3與一鍵盤 2 0 0 4組成。本發明可以應用到顯示部分2 q 〇 3。 圖6 B顯示一視頻照相機，其由一主體2 1 〇丨、一 顯示部分2 1 0 2、一聲頻輸入部分2 1 〇 3、操作開關 2 1〇4、一電池2 1 〇 5與一影像接收部分2工〇 6組 成。本發明可以應用到顯示部分2 1 0 2。 圖6 C顯示一行動電腦，其由一主體2 2 〇 ；[、一日s 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----r---訂---------線 •丨 -33- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 ___ B7 五、發明說明（31) 相機部分2 2 0 2、一影像接收部分2 2 0 3、操作開關 2 2 0 4與一顯不部分2 2 0 5組成。本發明可以應用到 顯不部分2 2〇5。 圖6 D顯示一眼鏡型顯示器，其由一主體2 3 〇丄、 顯示部分2 3 0 2與臂部分2 3 0 3組成。本發明可以應 用到顯示部分2 3 0 2。 圖6 E顯示一播送器，其使用儲存一節目的記錄媒體 (此後稱爲記錄媒體），且其由一主體2 4 0 1、一顯示 部分2402、揚聲器部分2403、一記錄媒體 2 4 0 4與ί架作開關2 4 0 5組成。D V D (多樣化數位 光碟）、光碟（C D )等充當記錄媒體，以使播送者欣賞 音樂與視頻遊戲或上網。本發明可以應用到顯示部分 2 4 0 2。 圖6顯示一數位照相機，其由一主體2 5 0 1、一顯 示部分2 5 0 2、一目鏡部分2 5 0 3、操作開關 2 5 0 4與一影像接收部分（圖中未顯示）組成。本發明 可以應用到顯示部分2 5 0 2。 圖7 Α顯示一前型投影機，其由一投影單元2 6 0 1 、一螢光幕2 6 0 2等組成。本發明可以應用到一液晶顯 示裝置2808，其係構成投影單元2601之一零件。 圖7B顯示一後型投影機，其由一主體2701、一 投影單元2702、一鏡子2703、一螢光幕2704 等組成。本發明可以應用到液晶顯示裝置2 8 0 8，其係 構成投影單元2 7 0 2之一零件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------r---訂---------線. (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) -34- A7
478014 五、發明說明（32) 圖7 C所繪示的是圖7 A與7 B所個別顯示之投影單 元2 6 0 1與2 7〇2之一例。每一投影單元2 6 0 1與 27 02由一光源光學系統280 1、鏡子2802與 2804 至 2806、二色鏡 2803、一稜鏡 2807 、液晶顯示裝置2 8 0 8、相差板2 8 0 9與一投影光學 系統2 8 1 0組成。投影光學系統2 8 1 0由一光學系統 構成’其包含投影透鏡。三板系統之一例顯示於實施例3 ，但無特殊限制。例如，單板系統之光學系統是可以接受 的。此外，操作者可以適當設定光學系統，諸如光學透鏡 、極化薄膜、薄膜，以調節光學路徑中的相差、I R薄膜 ，如圖7 C的箭頭所示。 此外，圖7D顯示圖7 C之光源光學系統2 8 0 1的 結構之一例。此實施例中，光源光學系統2 8 0 1由一反 射器2 8 1 1、一光源2 8 1 2、透鏡陣列2 8 1 3與 2 8 1 4、一極化轉換元件2 8 1 5與一聚光透鏡 2 8 1 6組成。注意，圖7 D所示的光源光學系統是一例 ，且不限於所繪不的結構。例如，操作者可以適當設定光 學系統，諸如光學透鏡、極化薄膜、薄膜，以調節相差與 I R薄膜。 於是，本發明的應用範圍極廣，且它可應用到所有領 域的電子裝備。此外，此實施例的電子裝備能以一使用實 施例1與2之任何組合的構造而實現。 〔實施例4〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財彥扃員工消費合作社印製 -35- 478014 A7 -—-- B7 五、發明說明（33) 單閘薄膜電晶體之一例顯示於實施例1 ，但此處，雙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘薄膜電晶體之一例將顯示於實施例4中。儘管如此，它 們的結構基本上相同。 首先，一導電薄膜形成在具有一絕緣表面的基材 4 0 1上，然後執行圖案化，以形成一掃描線4 0 2 (見 圖8 A )。掃描線4 0 2也充當光屏蔽層，保護一稍後形 成的有效層，以與光隔離。一石英基材充當基材4 0 1 ， 且一聚矽薄膜（薄膜厚度爲5 〇毫微米）與一矽化鎢（W 一 S i )薄膜（薄膜厚度爲χ 〇 〇毫微米）的層化結構用 於掃描線4 0 2。此外，聚矽薄膜保護基材，免於被矽化 鎢薄膜污染。 其次，形成薄膜厚度在1 0 0與1 0 0 0毫微米之間 (典型爲3 0 0與5 0 0毫微米之間）的絕緣薄膜 403a與403b，其遮蓋掃描線402 (見圖8B) 。此處，層化一利用化學蒸氣澱積方法形成的1 0 0毫微 米厚氧化矽薄膜與一利用低壓化學蒸氣澱積方法形成的 2 8 0毫微米厚氧化矽薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，形成一無定形半導體薄膜，厚度爲1 0至 1 0 0毫微米。此處，一 6 9毫微米厚無定形矽薄膜利用 低壓化學蒸氣澱積方法形成。其次，利用日本先行公開專 利申請案平8 - 7 8 3 2 9號所揭示的結晶技術，其係使 無定形半導體薄膜結晶的技術，以執行無定形半導體薄膜 的結晶。以上公告所揭示的技術是一結晶技術，其中一用 於促進結晶的金屬元素選擇性摻雜至無定形矽薄膜中，然 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36 - 478014 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（34) 後執行熱處理。藉由執行熱處理，形成一結晶矽薄膜，其 中它的形成是始於摻雜的區域。此處，鎳充當金屬元素， 以促進結晶。用於結晶的熱處理（6 0 0 t，1 2小時） 是在用於釋放氫的熱處理（4 5 0 °C，1小時）執行以後 執行。 其後，自一充當薄膜電晶體的有效層之區域獲得鎳。 充當薄膜電晶體的有效層之區域是以一罩幕（氧化矽薄膜 )遮蓋，然後，磷（P )摻雜至結晶矽薄膜之一部分中。 其次，在6 0 0 °C的氮氣氛中執行熱處理1 2小時。 移除罩幕以後，執行圖案化，以移除結晶矽薄膜之不 需要的部分，以形成一半導體層404 (見圖8C (1) )。注思’半導體層4 0 4形成以後之像素的頂視圖顯示 於圖8 C ( 2 )。沿著圖8 C ( 2 )之斷裂線A — A >切 開的剖視圖對應於圖8 C ( 1 )。 其次，形成一罩幕4 0 5，然後磷摻雜至半導體層的 一部分（一充當儲存電容器的區域）4 0 6，以形成儲存 電容器（見圖9A)。 然後，移除罩幕405，且在形成一用於遮蓋半導體 層之絕緣薄膜以後，形成一罩幕4 0 7。然後，移除充當 儲存電容器的區域4 0 6上之絕緣薄膜（見圖9 B )。 其後，移除罩幕4 0 7，且進行熱氧化，以形成一絕 緣薄肖吴4 0 8 a (鬧絕緣薄膜）。經由熱氧化，閘絕緣薄 膜的最後厚度變成8 0毫微米。注意，一在充當儲存電容 器之區域上形成的絕緣薄膜4 0 8 b比其他區域者更薄（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ·ϋ emt ϋ I «I 1 I Mmmmm eamf ϋ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 _ -37- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 _— B7 五、發明說明（35) 見圖9 C ( 1 ))。此階段之像素的頂視圖顯示於圖9 c (2 )。圖9 C ( 2 )中，沿著斷裂線B — B，切開的剖 視圖對應於圖9 C ( 1 )。此外，圖9 C ( 1 )與（2 ) 中的虛線所示區域是形成薄絕緣薄膜4 0 8 b的部分。 在整個表面上或選擇性執行一用於摻雜不純元素的槽 道摻雜過程，其將低濃度的p型或η型導電性賦予一待變 成薄膜電晶體之槽道形成區域的區域。槽道摻雜過程是一 用於控制薄膜電晶體臨限値電壓的過程。注意，乙硼院（ Β 2 Η 6 )並不大量分離，但硼是藉由電獎激發的離子摻雜 方法而摻雜。當然，可以使用離子植入方法，以執行大量 分離。 其次，一罩幕4 0 9形成於絕緣薄膜4 0 8 a與絕緣 薄膜4 0 3 a及4 0 3 b上，以形成一到達掃描線4 0 2 的接觸孔（見圖1 0 A )。然後，形成接觸孔以後，移除 罩幕。 其次，形成一導電薄膜，然後執行圖案化，以形成一 閘電極4 1 0與一電容器線路4 1 1 (見圖1 Ο B )。此 處使用一矽薄膜（薄膜厚度爲1 5 0毫微米）與一矽化鎢 (薄膜厚度爲1 5 0毫微米）的層化結構，其係已摻雜磷 ◦注意，以絕緣薄膜4 0 8 b做爲介電質的儲存電容器是 由電容器線路4 1 1與半導體層的部分4 0 6組成。 然後，以自行對準方式，利用閘電極4 1 0與電容器 線路4 1 1充當罩幕，而以低濃度摻雜磷（見圖1 〇 C ( 1 ))。此階段之像素的頂視圖顯示於圖1 0 C ( 2 ) ° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-38- 478014 A7 厂 _ B7 五、發明說明（36) 圖1 0 C ( 2 )中，沿著斷裂線C 一 C /切開的剖視圖對 應於圖1 0 C ( 1 )。調整以低濃度摻雜之此區域的磷濃 度，以致於它變成1 X 1〇16至5 X 1 018原子/立方公 分，典型上爲3 X 1 〇17至3 X 1 〇18原子/立方公分。 其次，形成一罩幕4 1 2，以高濃度摻雜磷，藉以形 成一高濃度不純區域4 1 3，其待變成源極區域或汲極區 域（見圖1 1 A )。調整此高濃度不純區域的磷濃度，以 致於它變成lxl 02Q至1x1 〇21原子/立方公分，（ 典型上爲2xl02Q至5xl02Q原子/立方公分）。注 意，與閘電極4 1 0重疊的半導體層4 0 4之一區域變成 一槽道形成區域4 1 4，而由罩幕4 1 2遮蓋的半導體層 4 0 4之一區域變成一低濃度不純區域4 1 5，其充當 L D D區域。然後，摻雜一不純元素以後，移除罩幕 4 12。 雖然在圖中未顯示，爲了形成一用於驅動器電路的p 型薄膜電晶體，驅動器電路是形成於相同基材上以充當像 素，一待變成η型薄膜電晶體的區域以一罩幕遮蓋，然後 摻雜硼，以形成源極區域或汲極區域。 其次，移除罩幕4 1 2以後，形成一鈍化薄膜4 1 6 ，以遮蓋閘電極4 1 0與電容器線路4 1 1。此處，一厚 度爲7 0毫微米的氧化矽薄膜是用於鈍化薄膜。其次，執 行熱處理，以激發不純元素’其將以個別濃度摻雜之Ρ型 導電性或η型導電性賦予半導體層。熱處理是在8 5 0 °C 執行3 0分鐘。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I——tr---------率 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 ------ B7 五、發明說明（38) 鉬（Μ 〇 )、鎢（W )、鉻（C r )與矽（S i )組成之 群組選出的元素或由這些元素（典型上爲鉬一鎢合金與鉬 鈦合金）之組合的合金薄膜所形成的薄膜可以充當個別的 導電薄膜。此外，氧化矽薄膜、氮化矽薄膜、矽氧氮化物 薄膜與一由有機樹脂材料（諸如聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯 月女樹脂、聚酿亞fee熱化物與B C B ( benzocyclobutene )) 可充當個別的絕緣薄膜。 如此獲得的薄膜電晶體之特徵顯示令人滿意的値。薄 膜電晶體特徵（V - I特徵）顯示於圖1 3。一 S値顯示 105 · 8 (毫伏特/dec)之優良値，其原因爲，特 別地，本發明之結構是雙閘結構。此外，藉由製造本發明 的結構，一臨限値（V t h )-其顯示在V - I特徵圖之啓 動點的電壓値-在V d二〇 · 1伏特的狀況是〇 · 9 4 6伏 特，而在V d二5伏特的狀況是〇 · 8 8 6伏特。於是， 差是〇 · 〇 6，其極小。可以斷言，差越小，則短槽道效 應被抑制得越多。此外，移動率（// F F )顯示2 2 〇 (平 方公分/Vs)之優良値。 〔實施例5〕 實施例5之特徵爲一掃描線5 0 2 a形成在與閘電極 不同的層上，此外，一電容器電極5 0 2 b形成在與掃描 線5 0 2 a相同的層上，以增加孔徑比及使儲存電容器擴 大。本發明之像素結構之一例顯示於圖1 4與圖1 5 A及 1 5 B 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------I-----^i-----—訂丨i丨丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 _ B7 五、發明說明（39) 注意，沿著圖1 4之斷裂線A - A /與B - B >切開 的示意剖視圖個別對應於圖1 5 A及1 5 B。 圖1 4中，一圖案化爲島形的聞電極5 0 6經由一形 成在絕緣薄膜的接觸孔5 0 0 c，而連接到一掃描線 5〇2 a。此外，一半導體薄膜5 0 4經由一接觸孔 5 0 0 a連接到一信號線5 0 9。此外，半導體薄膜 5 0 4經由一接觸孔5 0 0 b連接到一電極5 1 0。連接 到信號線5 0 9或電極5 1 0的半導體薄膜之一區域稱爲 源極區域或汲極區域。此外，一槽道形成區域形成在源極 區域與汲極區域之間，且閘電極5 0 6經由一閘絕緣薄膜 而出現在槽道形成區域上。注意，爲了簡化起見，源極區 域、汲極區域與槽道形成區域未顯示於圖中。 實施例5中，在形成掃描線5 0 2 a於鬧電極5 0 6 下層之狀況，如圖1 4所示，掃描線5 0 2 a將設在半導 體薄膜5 0 4的下層上，於是，使它可充當光屏蔽薄膜。 此外，儲存電容器具有一充當半導體薄膜之下電極、一遮 蓋充當介電質之半導體薄膜的儲存電容器、一遮蓋於充當 介電質半導體薄膜之絕緣薄膜、一充當電容器線路5 0 7 的上電極。注意，藉由使遮蓋半導體薄膜的絕緣薄膜部分 變薄，可擴大儲存電容器。 此外，實施例5的儲存電容器也可具有連接到電容器 線路5 0 7的電容器電極5 0 2 b ’而絕緣薄膜5 0 3充 當介電質，如圖1 5 A與1 5 B顯示。替代地’可以有效 確保儲存電容器，且可改進使用此像素結構之液晶顯示裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----------·裝--------訂---------線·- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 478014 A7 一 B7 五、發明說明（40) 置的對比。注意’參考號碼5 0 1標示一基材，5 〇 2標 不一閘絕緣薄膜（第二聞絕緣薄膜），5 Q 8標示一第三 閘絕緣薄膜，而5 1 1標示一信號線。 依據實施例5的結構，每一像素的膜電晶體可以是雙 閘結構，其中一閘電極經由一絕緣薄膜而設在槽道形成區 域之上與下部分’且可抑制掃描線與另一線路所形成的寄 生性電容，並藉由適當設定第一絕緣的薄膜厚度而改進薄 膜電晶體的特徵。 實施例5所示像素結構的製造方法與實施例1或4者 幾乎相同，所以其說明在此省略。 注意’實施例5可與實施例1至4所述任一結構自由 結合。 〔實施例6〕 實施例6揭示’在減少像素尺寸的狀況時，增加孔徑 比及擴大儲存電容器。特別地，本實施例之特徵爲儲存電 容器由光屏蔽薄膜與像素電極形成。 圖1 6是剖視圖’顯示本實施例的液晶顯示裝置。參 考號碼6 0 1標示一基材（薄膜電晶體基材），6 0 2標 示一掃描線，6 0 3標示第一絕緣薄膜，6 〇 4標示半導 體薄膜，6 0 5標不閘絕緣薄膜（第二絕緣薄膜）， 6〇6 b標示閘電極，6 0 6 c標示閘線路，6 0 6 a標 示電容器線路’ 6 0 7標示第三絕緣薄膜，6 〇 8標示一 電極，用於經由第三絕緣薄膜中所形成的接觸孔連接像素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Μ·· I ^OJ MM βΒΜ MM ----線IP-· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 478014 A7
五、發明說明（41) 電極6 1 2與薄膜電晶體。 參考號碼6 0 9標示遮蓋薄膜電晶體的第四絕緣薄膜 ’ 6 1 0標示光屏蔽薄膜，其防止薄膜電晶體因光而畸變 ，6 1 1標示第五絕緣薄膜，6 1 2標示經由一接觸孔連 接到電極6 0 8的像素電極，6 1 3標示一用於使液晶層 6 1 4定位的對準薄膜。 圖1 6中，一對立電極6 1 6與一對準薄膜6 1 5設 在對基材6 1 7上。可再設置一光屏蔽薄膜或一顏色過 濾器於對立基材6 1 7上。 如圖1 6所示，本實施例的儲存電容器是由電容器線 路6 0 6 a形成的第一儲存電容器、半導體薄膜6 〇 4、 充當介電質的絕緣薄膜6 0 5、光屏蔽薄膜6 1 0形成的 第二儲存電容器、像素電極6 1 2與充當介電質的絕緣薄 膜6 1 1所構成。注意，絕緣薄膜6 1 1可以是有機樹脂 薄膜或無機絕緣薄膜，諸如矽氧氮化物與氧化矽等。絕緣 薄膜的厚度可以由操作者適當決定。 例如，即使像素尺寸設定爲1 4微米X 1 4微米，則 藉由構建如圖1 7 B所示的像素電極，可以確保足夠的儲 存電容器（約lOOfF)與48 · 8%的孔徑比。 圖1 7 A標示在形成電極6 0 8的步驟之頂視圖，而 圖17B是在形成光屏蔽薄膜610與像素電極612的 步驟之頂視圖。相同的參考號碼使用在對應於圖1 6的零 件。 注意，實施例6可與實施例1至5所述任一結構自由 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ MMme —mm _1 aKmm^-OJa 1 I ϋ n ammmm ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44 - 478014 A7 __ B7 五、發明說明（42) 結合。 依據本發明，一區域（對應於圖1 9的A區域）-其傳 統上充當掃描線內的線路區域及掃描線/電容器線路隔離 區域-可以充當儲存電容器。此外，藉由構建連接到個別掃 描線以連接到個別獨立的電容器線路之複數電極，則可對 每一像素與相鄰像素執行信號寫入，即使在執行以上信號 寫入的狀況，每一像素不會受到相鄰像素之寫入電流的影 響。此外，個別電容器線路的電負載以適時的方式分散， 藉以減少有效負載。於是，減輕了電容器線路電阻的需求 〇 結果，依據使用本發明之液晶顯示裝置，獲得一液晶 顯示元件，其具有高孔徑比與個別的像素，像素內具有儲 存電容器，其保存足夠的顯示信號電位。因此，可以獲得 令人滿意的影像顯不，並得到小尺寸及省電的裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -45-

Claims (1)

  1. 478014 A8 B8 C8 D8 〜年Μ月，乡正 補充 六、申請專利範圍 第89 1 1 61 26號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年1 1月修正 1 · 一種半導體裝置，包括： 一在絕緣表面上的第一線路； 一在該第一線路上的第一絕緣薄膜； 一在該第一絕緣薄膜上的半導體薄膜； 一在該半導體薄膜上的第二絕緣薄膜； 一第二線路與一閘電極，其待連接到該第二絕緣薄膜 上的第一線路； 一在該第二線路與該閘電極上的第三絕緣薄膜； 一第三線路，其連接到該第三絕緣薄膜上的半導體薄 膜。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中半導 體薄膜與第二線路經由第二絕緣薄膜而重疊。 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中一儲 存電容器具有第二絕緣薄膜充當介電質，而在一區域，第 二線路與半導體薄膜經由第二絕緣薄膜而重疊。 4 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中一導 電型不純元素摻雜至半導體薄膜區域中，於該處，第二線 路經由第二絕緣薄膜而重疊。 5 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，.又包括一 連接到半導體薄膜的電極及一連接到第三絕緣薄膜上之電 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 478014 A8 B8 C8 _ D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 極的像素。 6 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中第一 線路與第二線路配置在互相正交的方向。 7 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中第一 線路配置在與第三線路正交的方向。 8 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中閘電 極形成在與第一線路不同的層上。 9 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中閘電 極的圖案是島形。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中第 一線路包括一掃描線。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中第 二線路包括一電容器線路。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中第 三線路包括一信號線。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中第 二絕緣薄膜包括一閘絕緣薄膜。 1 4 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中閘 電極由一薄膜製成，薄膜以一元素做爲它的主要成分，元 素是選自聚矽、鎢、W S i X、鋁、鉬、鉻或鉬組成的群組 ，其已摻雜導電型不純元素，或由這些元素之組合的層壓 薄膜製成。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置.，其中該 半導體裝置選自於由視頻照相機、數位照相機、投影機、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4規格(公釐） 478014 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 頭部安裝式顯示器、汽車導航系統、個人電腦、資訊處理 終端機組成的群組。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 .如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該 半導體裝置是E L顯示裝置。 17. —種半導體裝置，包括： 複數信號線，其以一預定間隔互相配置成平行，且連 接到一信號線驅動器電路； 複數掃描線，其以一預定間隔互相配置成平行，且連 接到一掃描線驅動器電路；及 一配置成與該信號線平fr的電容器線路。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置，其中 掃描線與信號線相交。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置，又包 括一薄膜電晶體，其具有一連接到與信號線相交之掃描線 的閘電極及一連接到薄膜電晶體的像素電極。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置，其中 閘電極形成在與掃描線不同的層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 .如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置，其中 閘電極的圖案是島形。 2 2 ·如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置，其中 該半導體裝置選自於由視頻照相機、數位照相機、投影機 、頭部安裝式顯示器、汽車導航系統、個人電腦、資訊處 理終端機組成的群組。 . 2 3 ·如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置，其中 一· 一 - . — —____________ — | 1 — f 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格（2J GX297公簸） 〇 478014 ,A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該斗*導體裝置是E L顯示裝置。 24 · —種半導體裝置之製造方法，包括的步驟爲： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一具有絕緣表面的基材上形成第一線路； 在第一線路上形成第一絕緣薄膜； 在第一線路上形成半導體薄膜； 在半導體薄膜上形成第二絕緣薄膜； 藉由選擇性蝕刻第一絕緣薄膜與第二絕緣薄膜，形成 到達弟一線路的第一接觸孔； 在第一絕緣薄膜上形成一閘電極，第二絕緣薄膜重疊 於半導體薄膜之一部分，且經由第一接觸孔連接到第一線 路； 在閘電極上形成第三絕緣薄膜； 藉由選擇性蝕刻第二絕緣薄膜與第三絕緣薄膜，形成 到達半導體薄膜的第二接觸孔； 在第三絕緣薄膜上形成第三線路，其經由第二接觸孔 連接到半導體薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項之方法，其中在形成 閘電極的相同步驟中，第二線路形成於第二絕緣薄膜上， 以重疊於一部分半導體薄膜。 2 6 ·如申請專利範圍第2 4項之方7去，又包括一步 驟，係在形成第二絕緣薄膜於半導體薄膜上的步驟以後， 使重疊於第二線路的第二絕緣薄膜部分變薄。 2 7 ·如申請專利範圍第2 4項之方法，其.中第二絕 緣薄膜包括一閘絕緣薄膜。 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公後) ~~ 一 478014 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 2 8 .如申請專利範圍第2 4項之方法，其中第一線 路包括一掃描線。 2 9 .如申請專利範圍第2 4項之方法，其中第二線 路包括一電容器線路。 3 0 .如申請專利範圍第2 4項之方法，其中第三線 路包括一信號線。 3 1 .如申請專利範圍第2 4項之方法，其中該半導 體裝置選自於由視頻照相機、數位照相機、投影機、頭部 安裝式顯示器、汽車導航系統、個人電腦、資訊處理終端 機組成的群組。 3 2 ·如申請專利範圍第2 4項之方法，其中該半導 體裝置是E L顯示裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -5-
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EP (3) EP1081676A1 (zh)
JP (12) JP2001144301A (zh)
KR (2) KR100788870B1 (zh)
CN (4) CN100355013C (zh)
TW (1) TW478014B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103926760A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3784491B2 (ja) 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP4700156B2 (ja) * 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6646692B2 (en) * 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US6825488B2 (en) * 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW513753B (en) 2000-03-27 2002-12-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor display device and manufacturing method thereof
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6583576B2 (en) * 2000-05-08 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
TW504846B (en) 2000-06-28 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3918412B2 (ja) * 2000-08-10 2007-05-23 ソニー株式会社 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法
US6509616B2 (en) 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP2002299632A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びアクティブマトリクス型表示装置
US6642986B2 (en) * 2001-04-13 2003-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid crystal display device having uniform integrated spacers
JP4831885B2 (ja) 2001-04-27 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6906344B2 (en) 2001-05-24 2005-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with plural channels and corresponding plural overlapping electrodes
JP2003229578A (ja) * 2001-06-01 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置およびその作製方法
US6897477B2 (en) 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
JP2003045874A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法
JP5046445B2 (ja) * 2001-07-31 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003177682A (ja) * 2001-09-05 2003-06-27 Konica Corp ディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100840318B1 (ko) 2001-12-10 2008-06-20 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법과 액정 표시 장치
US7209192B2 (en) 2001-09-26 2007-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR100635042B1 (ko) * 2001-12-14 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100484591B1 (ko) * 2001-12-29 2005-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
TW594336B (en) * 2002-01-30 2004-06-21 Sanyo Electric Co Semiconductor display device, method for making the same, and active matrix type display device
TWI244571B (en) * 2002-01-30 2005-12-01 Sanyo Electric Co Semiconductor display device
JP4216092B2 (ja) * 2002-03-08 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2004004722A (ja) * 2002-04-25 2004-01-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP3925555B2 (ja) * 2002-04-25 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
JP4214741B2 (ja) * 2002-08-27 2009-01-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP3850364B2 (ja) 2002-10-25 2006-11-29 株式会社ミツトヨ 変位測定器の測定子駆動機構
JP3767590B2 (ja) 2002-11-26 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3925549B2 (ja) * 2002-11-26 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4168836B2 (ja) 2003-06-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
CN1307479C (zh) * 2003-07-10 2007-03-28 友达光电股份有限公司 电容器装置
JP2005045017A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置
JP4069906B2 (ja) * 2003-08-04 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2005084104A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 半導体装置及び電気光学装置
JP4529450B2 (ja) * 2004-01-19 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100850613B1 (ko) * 2004-08-24 2008-08-05 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 기판 및 그것을 구비한 표시 장치
JP2006098641A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp 薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器
JP4063266B2 (ja) * 2004-09-30 2008-03-19 セイコーエプソン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器
US7379718B2 (en) * 2004-12-20 2008-05-27 Marvell World Trade Ltd. Method and apparatus to manage power consumption of a semiconductor device
JP4349375B2 (ja) * 2005-04-11 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
EP1958019B1 (en) * 2005-12-05 2017-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
EP1832915B1 (en) 2006-01-31 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with improved contrast
JP5222477B2 (ja) * 2006-01-31 2013-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5178018B2 (ja) * 2006-01-31 2013-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
EP1816508A1 (en) 2006-02-02 2007-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2007233361A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
EP1826605A1 (en) 2006-02-24 2007-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5346441B2 (ja) * 2006-02-24 2013-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN101401031A (zh) * 2006-03-24 2009-04-01 夏普株式会社 液晶显示装置
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
JP5028906B2 (ja) * 2006-08-11 2012-09-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
US7952100B2 (en) * 2006-09-22 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7507998B2 (en) * 2006-09-29 2009-03-24 Tpo Displays Corp. System for displaying images and method for fabricating the same
US8021518B2 (en) * 2006-11-30 2011-09-20 Nalco Company Method of applying a super-absorbent composition to tissue or towel substrates
JP5280671B2 (ja) * 2006-12-20 2013-09-04 富士フイルム株式会社 画像検出器および放射線検出システム
JP4007412B2 (ja) * 2007-01-12 2007-11-14 ソニー株式会社 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法
KR101366162B1 (ko) * 2007-03-20 2014-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조방법
JP4730407B2 (ja) * 2008-07-17 2011-07-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2010134395A (ja) * 2008-11-06 2010-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
TWI401494B (zh) 2009-03-06 2013-07-11 Hannstar Display Corp 接地結構
CN101840899B (zh) * 2009-03-19 2012-05-02 瀚宇彩晶股份有限公司 接地结构
TWI529942B (zh) * 2009-03-27 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101073174B1 (ko) * 2009-07-31 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
JP4530105B2 (ja) * 2009-10-13 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5874804B2 (ja) * 2010-02-15 2016-03-02 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置並びに電子機器
CN202404339U (zh) * 2012-01-12 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及包括该阵列基板的显示装置
KR101335527B1 (ko) * 2012-02-23 2013-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
JP2013222124A (ja) * 2012-04-18 2013-10-28 Sony Corp 信号伝達装置、表示装置および電子機器
JP5386626B2 (ja) * 2012-11-06 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6098309B2 (ja) * 2013-04-09 2017-03-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法
JP2013200574A (ja) * 2013-06-05 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6367655B2 (ja) * 2013-09-13 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5685633B2 (ja) * 2013-10-08 2015-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9590111B2 (en) * 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6486660B2 (ja) * 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102132697B1 (ko) 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
US9704888B2 (en) 2014-01-08 2017-07-11 Apple Inc. Display circuitry with reduced metal routing resistance
KR102206377B1 (ko) * 2014-01-24 2021-01-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103985671B (zh) * 2014-04-30 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置
JP5799132B2 (ja) * 2014-05-02 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
CN111830758B (zh) 2015-02-12 2021-07-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP6087970B2 (ja) * 2015-03-26 2017-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器
CN106158879B (zh) * 2015-04-15 2019-10-01 群创光电股份有限公司 显示面板
US9899445B2 (en) * 2015-05-19 2018-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing solid-state image pickup apparatus, solid-state image pickup apparatus, and image pickup system including the same
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105096871B (zh) 2015-08-11 2017-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板驱动电路、阵列基板、显示面板、显示装置
CN105226055B (zh) 2015-11-03 2018-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板及显示装置
WO2017094644A1 (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 シャープ株式会社 半導体基板及び表示装置
KR102611499B1 (ko) 2015-12-15 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6749591B2 (ja) * 2015-12-29 2020-09-02 天馬微電子有限公司 表示装置および表示装置の製造方法
JP2018017981A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
JP6697101B2 (ja) * 2016-09-05 2020-05-20 株式会社日立製作所 情報処理システム
KR20180040185A (ko) 2016-10-11 2018-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111540779B (zh) 2016-10-12 2023-01-06 群创光电股份有限公司 发光二极管显示设备
JP6999272B2 (ja) 2017-01-20 2022-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106876429B (zh) * 2017-02-16 2019-09-17 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示设备
JP6412181B2 (ja) * 2017-02-22 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6673386B2 (ja) * 2018-02-26 2020-03-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN108899339B (zh) * 2018-05-07 2021-04-30 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108767016B (zh) * 2018-05-21 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
JP6466614B2 (ja) * 2018-06-04 2019-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN109064908B (zh) * 2018-10-31 2021-04-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示面板
KR20200110573A (ko) * 2019-03-15 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7352826B2 (ja) * 2019-10-21 2023-09-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN112397562B (zh) * 2020-11-13 2023-09-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US36836A (en) * 1862-11-04 Improvement in revolving battery-guns
US523211A (en) * 1894-07-17 Car-door
DE3015936A1 (de) * 1980-04-25 1981-10-29 Albrecht G. Prof. Dr. 4600 Dortmund Fischer Herstellungsverfahren fuer duennfilmtransistor-grossmatrizen fuer flache bildschirme
US4337989A (en) * 1980-05-28 1982-07-06 Amp Incorporated Electromagnetic shielded connector
JPS586127A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法とその装置
US5650637A (en) * 1982-04-30 1997-07-22 Seiko Epson Corporation Active matrix assembly
JPS59121876A (ja) 1982-12-28 1984-07-14 Toshiba Corp 薄膜デバイス用ガラス基板
JP2727562B2 (ja) 1988-04-27 1998-03-11 ソニー株式会社 表示装置
JPH02234128A (ja) 1989-03-08 1990-09-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置の製造方法
JPH0728093Y2 (ja) 1989-05-16 1995-06-28 トーイン株式会社 容器類の多段収納パッケージ
JP2906470B2 (ja) 1989-08-23 1999-06-21 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス基板
JP3070062B2 (ja) * 1990-03-29 2000-07-24 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2622183B2 (ja) * 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
ATE199046T1 (de) * 1990-05-09 2001-02-15 Canon Kk Erzeugung von mustern und herstellungsverfahren für halbleiteranordnungen mit diesem muster
JPH0451120A (ja) * 1990-06-19 1992-02-19 Nec Corp 薄膜電界効果型トランジスタ駆動液晶表示素子アレイ
JPH0472769A (ja) 1990-07-13 1992-03-06 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPH0824193B2 (ja) * 1990-10-16 1996-03-06 工業技術院長 平板型光弁駆動用半導体装置の製造方法
JP3024661B2 (ja) 1990-11-09 2000-03-21 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JPH04217230A (ja) * 1990-12-19 1992-08-07 Nec Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JPH04283729A (ja) 1991-03-13 1992-10-08 Sharp Corp アクティブマトリクス表示装置
JP2998255B2 (ja) 1991-04-04 2000-01-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
JP2776083B2 (ja) * 1991-08-23 1998-07-16 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
TW226044B (zh) * 1992-04-15 1994-07-01 Toshiba Co Ltd
JPH0621455A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3357687B2 (ja) * 1992-07-15 2002-12-16 株式会社東芝 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置の製造方法
JP3287806B2 (ja) 1992-09-03 2002-06-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP2859784B2 (ja) * 1992-09-03 1999-02-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP2950061B2 (ja) 1992-11-13 1999-09-20 日本電気株式会社 液晶表示素子
JPH06175154A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Seiko Epson Corp 液晶表示装置の製造方法
JPH06202155A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Toshiba Corp 液晶表示装置の製造方法
JP2556252B2 (ja) * 1993-05-14 1996-11-20 日本電気株式会社 薄膜電界効果型トランジスタアレイ
JPH0728093A (ja) 1993-07-13 1995-01-31 Sony Corp 表示用アクティブマトリクス基板
JP3267011B2 (ja) * 1993-11-04 2002-03-18 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPH07147411A (ja) 1993-11-24 1995-06-06 Sony Corp 表示素子基板用半導体装置
JP3298109B2 (ja) 1994-02-17 2002-07-02 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及びカラー液晶表示装置
US5822026A (en) 1994-02-17 1998-10-13 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and color liquid crystal display
JPH07302912A (ja) * 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN1230919C (zh) * 1994-06-02 2005-12-07 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器和电光元件
JP3253808B2 (ja) * 1994-07-07 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JPH0869009A (ja) 1994-08-30 1996-03-12 Rohm Co Ltd Ｔｆｔ型液晶表示装置
JP3464287B2 (ja) 1994-09-05 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2643098B2 (ja) * 1994-12-07 1997-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置及びその製造方法並びに画像形成方法
JP3307144B2 (ja) 1995-02-28 2002-07-24 ソニー株式会社 表示装置
JP3617857B2 (ja) 1995-04-17 2005-02-09 株式会社東芝 カラー撮像装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3307181B2 (ja) 1995-07-31 2002-07-24 ソニー株式会社 透過型表示装置
JP3642876B2 (ja) * 1995-08-04 2005-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマを用いる半導体装置の作製方法及びプラズマを用いて作製された半導体装置
JPH0990405A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
JP3490216B2 (ja) * 1996-04-24 2004-01-26 シャープ株式会社 スイッチング素子基板の製造方法
US5917563A (en) * 1995-10-16 1999-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line
JP3245527B2 (ja) * 1995-12-13 2002-01-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3468986B2 (ja) * 1996-04-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路および表示装置
JP3433779B2 (ja) * 1996-06-19 2003-08-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH1010581A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6005648A (en) 1996-06-25 1999-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JPH1010580A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3708637B2 (ja) * 1996-07-15 2005-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH1048667A (ja) 1996-08-01 1998-02-20 Seiko Epson Corp 液晶パネル用基板およびその製造方法並びに投射型表示装置
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3830213B2 (ja) 1996-10-04 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 スイッチング素子を備えた基板及び液晶表示パネル並びにそれを用いた電子機器
TW479151B (en) 1996-10-16 2002-03-11 Seiko Epson Corp Substrate for liquid crystal device, the liquid crystal device and projection-type display
US6831623B2 (en) * 1996-10-22 2004-12-14 Seiko Epson Corporation Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same
JP3087841B2 (ja) * 1996-10-29 2000-09-11 日本電気株式会社 広視野角液晶表示装置
JPH10133217A (ja) * 1996-11-05 1998-05-22 Hosiden Corp 液晶表示素子
JP3588945B2 (ja) * 1996-11-25 2004-11-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
US6532053B2 (en) * 1996-12-18 2003-03-11 Hitachi, Ltd. Transverse electric field system liquid crystal display device suitable for improving aperture ratio
JP3468003B2 (ja) 1996-12-20 2003-11-17 ソニー株式会社 表示用薄膜半導体装置
JP4201862B2 (ja) * 1997-02-27 2008-12-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3784491B2 (ja) 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
JPH10282527A (ja) 1997-04-11 1998-10-23 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
US5889302A (en) * 1997-04-21 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Multilayer floating gate field effect transistor structure for use in integrated circuit devices
JPH112844A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Nec Corp 液晶表示パネル及びその製造方法
JP3767154B2 (ja) 1997-06-17 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置
JP3892115B2 (ja) 1997-07-07 2007-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ディスプレイ及びディスプレイを備えた装置
JP3929119B2 (ja) 1997-08-04 2007-06-13 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
JP3919900B2 (ja) 1997-09-19 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
JP4050377B2 (ja) * 1997-10-31 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置
JP4312851B2 (ja) 1998-04-27 2009-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3702096B2 (ja) 1998-06-08 2005-10-05 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
KR100357213B1 (ko) * 1998-07-23 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP2000058847A (ja) 1998-07-31 2000-02-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
JP3141860B2 (ja) 1998-10-28 2001-03-07 ソニー株式会社 液晶表示装置の製造方法
TW413844B (en) * 1998-11-26 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films
EP1020920B1 (en) * 1999-01-11 2010-06-02 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a driver TFT and a pixel TFT on a common substrate
EP1031873A3 (en) * 1999-02-23 2005-02-23 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US7821065B2 (en) * 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
US6531993B1 (en) * 1999-03-05 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type display device
JP2000284723A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7122835B1 (en) * 1999-04-07 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and a method of manufacturing the same
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP4700156B2 (ja) 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4118484B2 (ja) * 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2002319679A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2003149681A (ja) * 2002-07-18 2003-05-21 Seiko Epson Corp 液晶パネル用基板、液晶パネル及び投射型表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103926760A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板

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