JPS586127A - フオトマスク欠陥修正方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フォトマスタのパターン欠陥０修正方渋およ
びそ０装置に関するものである。

ＬＳＩを生産する際、崗路勢のパターンを描いたフォト
マスタＶ数枚用−１゛°１このパターンを層成ウェハ上
に転写して黴ｌＡ８路を作°りてぃ〈。

この７オトマスクのパターン中和欠陥があるとＬＳＩの
チップ上に七の１１転写され、不良原因となりて生産の
歩留まりを低下させる。このため従来よりフォトマスク
の欠陥修正が試みられて龜ている。

第１図は従来技術の一列である。ガラス基板４上に正常
なパターン５が厚さ数百オンダスト四−ムの夕四五材料
で構成されている。この正常んパターン５以外に、パタ
ーン材料が余分に残９ている黒点欠２Ｍ４やパターン材
料が欠落し九自点欠陥７が存在する。この愚点欠９１＋
４は。

シーず発振！１１から出九シーず光２を集光レンズ墨で
黒点欠陥４に集光照射し、除去することにより、修正が
行なわれる。この方法では白点火＠７の修正はで亀ない
。

纂２ｉｌＩは従来技術の白点修正の一方法である（イ）
で基板ガラス４の上につけられたＣｙＡターンｎｏ中Ｋ
Ｃｒが脱落した白点欠陥７が存在する鳩舎、（ａ）この
上にポジ臘フォトレジスト！を塗布し、スポット照射光
を白点６欠陥部分く照射し。

穏儂すると（→のように光の当りえ白点欠陥７の部分の
レジストは取り除かれ露光されない部分のレジスト９は
残りてマスクの役゛割をする０次にスパッタ蒸着を行う
とに）Ｏ如く、自点火Ｂｙの部分には基板ガラス４に＠
＠蒸着Ｃｒｌ［１０がり禽、他の部分はフォトレジスト
！Ｏ上Ｗｃ１７ｉ着Ｃｒ膜１０がつく。次に）片トレジ
ストを剥離すると（ホ）の如く基板ガ２ス４に直鎖つい
た蒸着Ｃｒ１ｌＯみが欠陥修正Ｃｒ１ｉとして残り、他
の部分の蒸着Ｃｒ膜はフォトレジストとと−に除去され
、白点欠陥の修正轄終る。

この方法では、レジスト塗布、プリベータ、スポット露
光、′ｉＡ儂、真空中でのスパッタ蒸着レジスト剥離、
洗浄という多数の工１と長い工数を要するため、従来よ
り工１が少なく、工数の短かい方法が待ち望まれていえ
。

本発明の目的は上記従来技ＩＩＯ欠点をなくしフォトマ
スタの黒点欠陥と白点欠陥を少ないｌ１と短か一工数で
修正で自る７オトマスタ欠障方法とその装置を提供する
ｋある。−゛即ち上記目的を達成するために本発明にお
ける黒点修正は高出力パルスレーザによる材料除去を応
用し、白点修正は、シー蓼を照射すると線光物質を析出
する錯体材料をマスクＫｍ布し欠陥部分を選択的に連続
発振のシレずで照射して鐘光膜を作る方法を用−る。特
に両方法を同一の加工ヘッドで行うために、高出力パル
スレーずと連続発振レーザなともに藉載し、光軸を合わ
せておいて、使用Ｖ−ずを選ぶことくより黒点修正と白
点修正を任意忙実膣できるようにしえ。

以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。

第１図に本発明のフォトマスク修正装置の構成を示す。

この装置の操作は次の通りである。

先ず黒点欠陥と１点欠陥を有するフォト−ｑスタ２１を
載物台２２に載せ１次にコントルーツ２ｓですじ出し毫
−ドと低倍率観察系を１選択すると低倍率撮像系２４で
とらえ九フォトマスクの像がＴｒ；ント四−ツ２ｓを経
てＴｒ令二ターに送り込まれ、４エターすることがで自
る。ここでコントローり２１で載物台２２を動かすよう
ｋすると、テーブル駆動装置２７が働いてマスク２１が
左右に移動しｒｒ、モニター２６の上でパターンが移動
する。　ｒｒ、−％二ター画面には上下方向と左右方向
にそれでれ２本づつ電子ラインが表示されておや、これ
はコントローチ２ＩＫより自由に１１動することができ
る。この電子ライン２７の方向にマスクパターンを概略
合せるようＫ１１ｍする。次に高倍率撮像系２８に切り
換えて同様の方法で高精度にすじ出しを行なう。

すじ出しが終るとコントローｌ）２墨を白点修正モード
にすると、電源切換スイッチ２９が作動してＡに切り換
わり、ＡＴレシー電＠ｉｏが稼動状態に入り、同時にＡ
ｔシレーから所定の連続出力光が出るとともに、４ｒレ
ーずシャッターｉ２とｌｒレシーモニメーシャッメーｉ
３が−き、　Ａｒシレー受光器ｊ１４にレーザ光の一部
が入射し、パワーメータＢ５で出力が異１定され、その
出力信号はコントローチ２５にフィードバッタされ、Ｐ
Ｒ定“出力からずれているとＡｔシレー電源暴ＯＫ信号
が送られて放電電流をコント買−ルし、所定出力にもど
す。

このと龜、Ｄｙ−レーザ峰二ターシャッター５４と白点
修正シャッタ５７は閉じ光状態に＆る。ｌｒシレー光は
約９９４を反射する全反射（ツシＳ８で反射されてｓ　
４８８ｓｓのＡｙシレー光は大部分透過させ今が、５１
ｏｓｉａＱｊ）７−レーザ光ははとんど反射Ｓせる特性
をもりた特殊ノ）−７ンツーｉ９を透過して、白点修正
シャッター５７１で到達し、とζで線断された状態にあ
る。

次にオペレータがコントローラ５Ｓの上の白点欠陥位置
出しボタンを押すと、欠陥番地情報を納め九カセットテ
ープ４０の情報によってテーブル駆動装置２７が作動し
て最初の白点火陥部分がＴｌ’＊＝ター２６の上Ｋｌｌ
われる。オペレータはこの白点欠陥をかこむように４本
の電子ツインをコントローラで調整するとスリット駆１
ＩＩｌ！Ｉ置４１が作動してスリット４２の儂が対物レ
ンズ４８によりてフォトマスク２１の白点欠陥を囲むよ
うに自動的に調整される。　゛ 以上のようＫｖＩ４整された後、オペレータがコントロ
ーモ 点修正シャッターｓ７と透過光測定シャッター４４が開
き、スリット４２を通過しえシレず光は対物レンズ４５
によるスリット４２の縮小投影結像として白点火陥部分
に照射される。フォトマスクには１表面全体Ｋｍりてシ
レず光ＯＭ射により線光性が生じる錯体材料（硝酸銀、
シトラコン駿アセトニトリル、メチ＃−に＃ソルプ、チ
タンアルコレート、アセチルアセトン、および高沸点溶
媒としてトリメチレンダリコールモノメチルエーテルよ
りなる錯体）を−約０．２〜２Ｊ１罵の厚−ｉｌに塗布
してあり、レーザ照射前ははとんど透明である。錯体材
料中に高沸点溶媒を用ｉて−るＯはプリベー２７により
て塗膜にクツツタを生じさせな％Ａためである。

白点欠陥部にシレず光が照射され始めると。

欠陥を通過し九シーず光が透−光測定シャッター４４１
に通過して透過光焚光器４５に入射し、この出力信号は
コントローチ２！ＩＫ・送られ゛て演算堪れ錯体材料か
らｏｉａ光材料の析出を４３ターするパワー重度数千４
−のレーザ光を照射した鳩舎数μ〜数＋μ角の場合、数
秒〜数十秒立つと急速く析出が起り、透過光量が低下す
る。透過光量が最小にな−）虎後数秒追加照射を行ない
照射を終了する。最小になる一時間は、透過光量の変化
を測定し急速く低下する部分の傾斜を鷺長する形で演算
して透過率０になる時間を求め、これを最小になる時間
とする。このちとに数秒の追加照射を行う。この追加照
射を実施することにより、析出する遮光膜の品質を向上
し、スクラブ洗浄に強い膜を得ることができる。

照射終了時間になると白点修正シャッター３７は自動的
に閉じ、Ａｒレープの光を遁１する。遮断が終ると、オ
ペレータのＴｒモニター２４ＶＣよる確１１ＫＩ！する
時間の数秒を経て自動的に次の白点火陥への移動信号が
コント冒−ツ２墨より出され、テーブル駆動装置２７が
働いて次の白点欠陥をＴｒモニター２６の画面に出るよ
う嬬もってくるそして再び同じ１福を繰返し白点久陥ｓ
Ｋ次々迩光膜を析出させていく。すべての白点火陥のレ
ーザ照射が終了し、　Ａｙレシー！１を停止させるトＡ
ｒシーずシャッタ５２．　ＡＴＶ−ずモニタシャッタ５
３．透過光測定Ｖヤッメ４４が閉じる。

白点欠陥のレーザ照射が終り九７オトマスタ２１はメチ
ルセルソルブとイソプロピルアルコールＩＩ縄で各々数
分ずつ超音波洗浄し、紫外線炉でアフターベークされ、
再び載物台２２に載せ、同゛様な方法ですし出しを行な
う。すじ出しが終ってコントロー’）２ＳヲＤ／−レー
ザモニターモードにすると電源切換スイッチ２９が作動
してｊＫ切り換り、ｉｊ１木レーザ励起Ｄｙ−レーザ電
源４４が稼動状１ｉ１になる。そして、　Ｄｙｅレーザ
ジャツメ４ＢトＤｙｅレーザモニタシャッタ５６が開放
状態になる。ここで、Ｄｙ−シレずモニタボタンを押す
と、Ｄｙｅ　Ｖ−ザが１０＃ｚでパｋＸ発振し、特殊Ｉ
・−フンツー３９を透過し九レーザ光の約２優はＤｙ−
レーザ受光器４９に入射し、パワーメータｓ５で出力が
測定され、その出力信号はコントローラ２ｓにフィード
バックされ、所定出力か・らずれているとコントローラ
２５から９信号により、アオリ方式の透過率フィルター
５０を調整し、所定のシレず出力にもどす。シーザノ（
ルス出力の９８％は特殊）・−フンツー５９により反射
され、閉じてｉる白点修正シャッターで遮光される。・
次にコントローラ２５を黒点修正モードにするとＤｙｅ
レーザ４７は発振を停止し、待期状態になる。オペレー
タがコントローラ２３の黒点欠陥位置出しボタンを押す
と欠陥番地情報を納め九カセットテープ４０の情報によ
ってテーブル駆動装置２７が作動して最初の白点欠陥部
分がＴＶモニター２６の上に現われる。このあとは白点
欠陥修正の場合と同様に４本の電子ラインで黒点欠陥を
囲み、レーザ照射ボタンを押す。シレず照射ボタンが押
されると、先ず白点修正シャッター１７が開き１次ｔｉ
Ｄｙａシーずが自動的に２ノ（ルス発振し、残留する余
分なマスク材料を除去し、最後に白点修正シャッター５
７が閉じる。これは、ノイズによりてｆ１４−ｖてＤｉ
−レーザＩ（ルスが発射されてｉスフにダメージを与え
る場合を考慮し白点修正シャッター５７の開いてｉる時
間を必要最小限にするためである。白点修正シャッター
Ｓ７が閉じると、オペレータのＴＶ篭二ター２４による
確１！に要する数秒の時間を経て、自動的に次の黒点欠
陥が位置出しされ、同様の黒３点修正Ｏプｐセスが繰返
される。黒点修正モードでは黒点欠陥がすべて修正され
ると引続自修正済の白点欠陥が順次位置出しされ、遮光
膜の析出が過剰になりている白点欠陥修正部は黒点欠陥
と同様に修正する。

第４図は、第５図における特殊〕−−フミクーの分光透
過特性を示したものである。Ｎ点は約９０ｑｂの４８８
絹の透過率を示し、Ｎ点は約２僑の５１Ｑｌの透過率を
示す。ここでは白点修正に用いる４８８ｎｌｌＬ　（Ｄ
ＡＹレーザ光の波長を最大限透過′８せ、黒点修正に用
−る５１０ル露のＤｙ−シレず光の波長を最大限反射す
る必要がある。しかも、Ｏｙａレーシー出力密度が１０
７η−の高いＶベルにあるため、ハーフミラ−の耐パワ
ー性を考慮する必要がある。第５図でｊｒシレーｓｌと
Ｄｙル−ザ４７を逆に置くと特殊／１−フンツーはＡｙ
シレー光に対して高反射率でＤｙｅレーザ光に対して透
過で使用するととになり、この場合１０Ｗ／ａｊオーダ
ーのレーザパワー密ｌＬＫ対してはあまり持友ない。

従りて１本発明の構成の如＜、Ｄｙ−レーザな反射する
タイプで使用する必要がある。

第５図は本発明の装置に使用している投影光学系４２．
４５の基本構成図である。レーザ光５１は左右独立に可
動のＸ方向スリット５２と１．同様に独立に一１ｊＪ動
のＹ方向スリット５５で成形され、矩形光となりて対吻
レンズ４３に入射する。セしてフオ）−ｒスフ２１の欠
ｐｉＳ４の上にスリット形状が縮小投影される形で照射
される。このときの光学配置は總６図に示゛す通りであ
る。レーザ°光５１はレンズ４Ｍ（ＤＷＩ４−の共役像
面６２におかれ危スリット６２．５５で成形され透過光
６４のみがレンズ４３に入射し、焦点面６７で一旦集光
して、８２の共役像面６ＢＫ照射される。このときスリ
ット５２゜５３の儂６９がこの函に投影され、その縮小
重重はレンズ４Ｓの主面６５からの距離をそれぞれｇ、
ｈとし、焦点距離なｆとすると。

の関係で示される。本発明の装置では縮小率と共役距離
（ｇ＋４）はそれぞれ、＜　ｏ　ｏ　ｔ　２２９■を用
いている。従ってスリット５２．５３の１０μ溝の動電
はフォトマスク２１を載置する馬二の共役像面でのスリ
ット像６９００．１μｍｏｗ自となり、非常に＾い修正
精度が実現できる〇 第７図（イ）、（ロ）、（ハ）は本発明で使用する白点
欠陥修正プロセスの説＠図である。基板ガラス４の上に
つけられたマスタのＣｒパターン５の中に白点欠陥５が
ある。この上に錯体材料７０を塗布して約８０℃で数分
プレベークしたのちシーず光７１を白点欠陥部分５に照
射し、メチルセルソルブとイソプロピルアルスールでそ
れぞれ数分づ・り洗浄するとレーザ照射された部分のみ
に析出−が残り白点欠陥Ｓは修正される。これを夷−に
上から見たものが第８図（イ）、（ロ）、（ハ）Ｌに）
である。白点欠陥部分の生じたＣｒパターン２のあるフ
ォトマスクに錯体材料７０を塗布し、スリットの投影パ
ターン７２を白点欠１ＩＩｌｉＫ金わせてシーずを照射
すると、熱伝導、光の回折等のため周辺ＫＫじみのよう
な牛析出部分７３が生じる。この部分をそのまま放置す
るとフォトマスクとして使用すると島影となりてパター
ン精度、を悪くする。この部分を黒点修正するｋはシー
ず光の透過率が高すぎ、レーザ出力をあげて黒点修正を
試みると周辺にダメージを生じる。これを防ぐために洗
浄後、索外纏炉で２００℃前後の温度で約１分ポストベ
ーク処理をすると半析出部７５を含めた析出部分全体の
遮光性が向上し、牛析出部７ｓの析出４進んで安定化し
、レーザ吸収率が高くなる。このあと過剰析出部分７４
の黒点修正を行うと、通常の黒点欠陥の修正条件と同様
のパワー密度で容易に除去できる。従ってポストベーク
により白点欠陥修正部の遮光性が向上し、牛析出部の析
出を促して安定化し、しかも過剰析出部分の除去を容易
にするという効果があるまたプレベークを実施し友もの
としな−４のを比較すると、したものの耐スククプ洗浄
性が高くなり、白点欠陥修正部の信頼性が向上する。

＃１９図は本発明の画点修正の際の追加照射の時間設定
の方法である。照射時間０からレーザ照射開始８１のと
きは基板ガラスに比べ透過率は数憾低ｉ、析出開始８２
は数秒〜数十秒で起り、すぐに急激に析出が進み遮光性
が上りで透過率が低下する。この急激に透過率の低下す
る時間を透過率ｓｏｌ　、　ｂｏ％、　４０１％、　２
０％の４点での時刻Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを測定し、これを直
線近似九場合透過率０となる点の時刻Ｅを予測するよう
に演算処理し、時刻Ｅから数秒追加照射を行な−）た後
時刻Ｆでレーザ照射を停止する。この数秒の追加照射に
より、析出未了部分の析出を促し、膜の遮光性を向上さ
せるとともに基板ガラスとの結合力が向上し、耐フォト
マスク使用時のスＩ２プ洗浄に対し、耐スタラプ性が向
上する。この追加照射が長ずざると過剰照射となり、析
出済の遮光膜材料に損傷が出はじめ、透過率が上って８
３１１光性が低下する。　、 第１０図は本発明のフォトマスク修“正工程を示すもの
である。欠陥番地の検査済マスクは先ずＡＰとｒｉを含
む錯体材料を０．２〜２．Ｏ＃ｓの厚さで塗布しえのち
６００〜１ａａｃで数分電気炉でプリベークする。紫外
線炉では析出をさそうため使用できない、プリベークが
終了したらレーザ修正キｋか・け、白点欠陥にシレｆ１
１１Ｉ射を行って線光属を析出させる。

析出を終−）たマスクはメチルセルソルブで約。

１０分超音波洗浄し、未析出部を洗い流し１次に、１１
ｆｋ＊ルソルプの乾燥を促進する九めイソグ諺ビルアル
；−ルで約５分超音波洗浄する。次に＠外線炉て１５０
°〜３ｏ口℃で３０秒から５分１度処環する。この処Ｉ
ＮＫより析出膜および牛析出のフリンジ部の析出がさら
に進み透過率が低下して遮光性が向上するとともに膜の
基板ガラスへＯＩＩ着強縦強度る。このボストベークの
温度が高すぎ危り、処理時間が長すぎる七ｌｌ［４１性
が劣化しＳ遮光性が悪くなる。

ボストベークを終りたら再びレープ修正キｋかけ、黒点
欠陥の修正および白点欠陥修正部のフリンジ部分、析出
過剰の部分などの修正な行なう。このようｋすべての修
正が済むとフォトマスクな墳り出し、スクラブ洗浄にが
け、作業は完了する。

以上述べたように本発明のｌｌＩ施例ではパルスレーザ
にｈレーザ励起Ｄｌ−シレずヲ、（７ｖ　−ｆＫＡｒレ
ーずシーいているが、これらに限らず。

他のシレずでパルス出力とす出力の４０１１＃組合わせ
てもよ一〇但しその波長範囲は本発ｔｓｏｍ折光学系の
使用可能なＷＪａ近辺の近紫外から近赤外（Ｑ、５５〜
１．２μｍ）あたりに限られる。

２台のレーザな使う代りに連続出力とパルス出力を両方
出す仁とので自るレーザ例えばＪＹＡＯｖ　−ｆ　Ｋ　
超音波Ｑａｗをつけたもの中、Ａｙレ−ｆＫｄＰヤビテ
イダンピング用超音波セルをつけたものなどを用いて、
パルスとすを使いわけるようにしてもよいのは自明であ
る。

以上説明したように本発明によれば従来のシレずを用い
た黒点欠陥の修正装置に錯体祈出方式の白点欠陥修正を
並用すｉため、シレずを２［＃Ａ搭載し、同一の照射光
学系を用ｉることにより、フォトマスクの黒点欠陥と白
一点欠陥をひとつの装置で修正できるようにな２友。會
た本発＠によれば白点欠陥修正を含めたフォトマスクの
すべての欠陥の修正を従来より少なり工程と短かい時間
で容易に行なう方法が確支できた効果を貞する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の黒点欠陥修正の一例を示す図＃！２図は
従来の白点欠陥修正の一例を示す図。 縞６図は不発明の黒点欠陥と白点欠陥の両方を修正する
マスク修正装置の概略構成を示す図、ｔ＆４図は第５図
の特殊ハーフミラ−の透過率特性を示す図、第５図は本
発明の実施例の投影光学系の原理的見堆図を示す図、第
６図は纂５図に示す光学系の結儂の説明−，縞７図は本
゛発明の白点欠陥修正の実施１騙の説明図　Ｓ・図轄菖
７図の平ｍ図、躯９図は本発明の実施例の白点欠陥修正
の際の透過率モニターとシレず照射停止のやり方の説＠
Ｉ、第１０図は本発明のフォトマスク修正の全工程の要
約説明図である。 ■・・・フォトマスク、２墨・−コントローラ。 ２４・・・低倍率撮像系、 ２５−ｒｌ’　＊　ン）　Ｅｌ　−９，２４−・・Ｔｒ
４　＝　Ｉ　−。 ２７・・・テーブル駆動装置。 ２８・・・高倍率撮像系、 ２９−−−電源切換スイッチ、 ５０・・・、４ｒレーザ電源。 ！＋２・・・Ａｒシレーシャッター。 ５４・・ｌｒレシー受光器。 ５７・・・白点修正シャッタ、 ３日・・・全反射ミラー、 ５９・・・特殊ハーフ建２−１ ４０・・・カヒットテープ、 ４１・・・スリット駆動装置、 ４２（５２，５３）・・・スリット、４！ｉ一対物レン
ズ、４４・・・透過光測定シャッタ。 ４５・・・透過光受光器、 ４６・・・窒ｌＡシーザ励起Ｄｌ−レーず電１ｇ。 ４７・・・Ｄｌ−レープ、 ４８・、、　Ｄｉ−シーｆＶヤッタ、 ４９・・・Ｄｙ−シーず受光器、 ５０・・・透過率フィルタ。 才　Ｉ　屈 、１′６図 オフ図 ＼−ｈ 才８図 才９図 、照射吟向 才　７０　図 第１頁の続き ０発　明　者　奥中正昭 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 ０発　明　者　用那部隆夫 ０発　明　者　田辺功 小平市上水本町１４５０番地株式会 社日立製作所武蔵工場内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フォトマスクＯ欠陥修正方法において、パルスレー
   ず出力のスリット投影光で黒点修正を行なＺ、（Ｆレー
   ザ出力のスリット投影光で白点欠陥部に塗布された錯体
   材料を遮光性の馬に変質−させることを特徴とする修正
   方法。 ２、リレーず出力のスリット投影光の白点欠陥部分から
   の透過光量の測定を行つて遮光性物賞の析出状態をモニ
   ターし、最適の成膜状態になりてレーザ照射を停止する
   ことを特徴とする特許請求の範！！＄１１項記載のフォ
   トマスクの欠陥修正方法。 ヘ　レーｆＲ射停止のタイミングを決める方法として、
   透過光が急速に低下する領域の透過率を２点以上役定し
   、各透過率に適した時刻の測定から、透過率が０になる
   時刻を外挿して算出し、この時刻から１０秒以内の追加
   照射を行りたのちレーず照射を停止する仁とを特徴とす
   る特許請求０＠ＩＩ第２項記−の７＃Ｆマスクの形状修
   正法。 ４、　先ず修正するフォトマスタに錯体材料を塗布し、
   次にこれをプリベークし、続いて白点欠陥部分にル−ザ
   光を照射して纏光属を析出させ１次に湊謀で未析出部分
   を洗浄除去しこのあと紫外線炉でボストベータし、仁の
   後黒点欠陥部分と白点欠陥修正部の周辺フリンジと過剰
   析出部分にパルスレーず光を照射して除去修正すること
   を特徴とする特許請求の範１１１ｍ１項記載のフオ）ｗ
   スタの欠陥修正方法。 ５、　錯体の材料として、硝酸銀、シトラーン酸アセト
   ニトリル、メチルセルソルブ、チタンアルコレート、ア
   ーチルアセトンおよび高沸点＊＊を含む材料を用い、Ｒ
   た洗浄のための溶媒としてメチルセルソルブを用いる仁
   とを特徴とする特許請求の範囲第４項゛記載のフォトマ
   スタの欠陥修正方法。 哉　白点欠陥修正のための塗布膜の厚さを昭からスａＳ
   Ｓの間とし、プレベーク条件を電気炉等Ｏ熱纏炉て６ｄ
   ’から１００ｃの間で２分な−シ１０分の時間範囲とし
   、レーザ照射のパワー密度条件を１０　　／ｊから４Ｘ
   １０　　／ａｉｏ間とし、アフターベーク条件を紫外線
   炉による１５００から５ｏｏ℃の間で３０秒ないし５分
   以内とすることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載
   のフォトマスクの欠陥修正方法。 ７、　フォトマスク修正装置においてパルス出力光とり
   出力光の両方が得られる単一を九は複数のレーザ源を搭
   載したことを特徴とするフォトマスク修正装置。 気　レーザ源として超音波ＱＭ’　ＹＪＩＯレーザを搭
   載したことを特徴とする特許請求の範島第７項記載のフ
   ォトマスク修正装置。 ？、　　パルスレーザ光源としてＮｓレシー励起Ｄｙ−
   シーずを、ｔたリレーザ光源としてＡｒレープを搭載し
   たことを特徴とする特許請求の範囲９７項記載のフォト
   マスク修正装置。 １０、　　Ａｒｖ−ずの発振波長を４１１８５ｍ　Ａ：
   　Ｌ　、　Ｉ）ｙａ　ｖ−ずの波長を４８８鱗から２ｏ
   綿以上離して設定したことを特徴とする特許請求の範Ｓ
   第９項記載のフォトマスク修正装置。 １１、　　Ａｒシーず光を透過し、Ｄｌ−シーず光を反
   射する特性をも−）九へ−フ考ツーを使用し、このハー
   フ（ツーに達し九シー簀配置をと−）えことを特徴とす
   る特許請求の＠Ｈ第１ｏ項記載のフォトマスク修正装置
   。 １２、ｃｖ出力光の白点火一部分からの透過Ｖ−ず光量
   を捌定する系を有することを特徴とする特許請求のａｉ
   ｍ菖７項記載０フ檜ト１スタ修正装置。