JP2000284723A

JP2000284723A - 表示装置

Info

Publication number: JP2000284723A
Application number: JP8924999A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Sano; 景一佐野; Norio Nakatani; 紀夫中谷
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-03-30
Filing date: 1999-03-30
Publication date: 2000-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】補助容量における保持電圧の変動を抑制して
良好な表示を得る表示装置を提供する。【解決手段】絶縁性基板１０上に複数のゲート信号線
５１及び複数のドレイン信号線５２に囲まれた各領域に
表示画素が配列されており、ゲート信号線５１からドレ
イン信号線５２の延在方向に突出させて配置したゲート
突出部５３と、このゲート突出部５３とゲート絶縁膜１
２を介してｐ−Ｓｉからなる容量電極５４との間で容量
を成しており、層間絶縁膜１５を介して容量電極５４を
覆って設けられた遮蔽膜１８がｐ−Ｓｉからなる能動層
１３のチャネル１３ｃの上方に、そのチャネル１３ｃの
チャネル長よりも狭い幅であってソース及びドレイン接
合部と重畳しないように設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、補助容量電極線ま
たはゲート信号線と、半導体膜とで容量を成す表示装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、表示装置として、表示領域に表示
電極を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジ
スタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）を備えた液晶表示装置（Liquid Crystal Displa
y：以下、「ＬＣＤ」と称する。）やエレクトロルミネ
ッセンス（Electro Lumi nescence：以下、「ＥＬ」と
称する。）表示装置の研究開発も進められている。

【０００３】図７にＬＣＤの１表示画素の平面図を示
し、図８（ａ）に図７中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示
し、図８（ｂ）に図７中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示
す。

【０００４】図７に示すように、ゲート電極１１を一部
に備えたゲート信号線５１と、ドレイン電極１６を一部
に備えたドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画
素が形成されている。両信号線の交点付近には表示電極
２０に信号を供給するためのスイッチング素子であるＴ
ＦＴが備えられている。

【０００５】ゲート信号線５１（図中左上から右下に向
かう斜線を付している。）はその一部がゲート信号線５
１に対して垂直であって次段の表示画素方向に突出した
ゲート突出部５３を備えており、そのゲート突出部５３
はドレイン信号線５２の延在方向にそのドレイン信号線
５２と重畳している。

【０００６】図８に従ってＴＦＴ及びＬＣＤの構造につ
いて説明する。

【０００７】図８（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からな
るゲート信号線５１の一部を成すゲート電極１１を備え
ている。そのゲート電極１１上には、ゲート絶縁膜１
２、及び多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る。）膜からなる能動層１３を順に形成し、その能動層
１３には、ゲート電極１１上方に真性又は実質的に真性
であるチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両側
に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオン注入して
形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped
Drain）領域を備えた構造であって、更にイオン注入を
して高濃度領域としたソース１３ｓ及びドレイン１３ｄ
が設けられている。なお、図８（ａ）に示すように、ゲ
ート信号線５１から突出したゲート突出部５３と、能動
層１３のソース１３ｓが延在されて形成された容量電極
５４との間で電荷を蓄積して容量を成している補助容量
形成部が形成される。ここで形成される容量は、液晶２
２に印加される電圧を保持するために設けられた補助容
量である。この補助容量を確保するとともに表示画素の
開口部の面積を大きくするために、補助容量形成部はド
レイン信号線と重畳する領域に形成されている。

【０００８】そして、図８（ｂ）に示すように、ゲート
絶縁膜１２、能動層１３及びストッパ絶縁膜１４上の全
面には、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層
された層間絶縁膜１５を設け、その上に遮蔽膜１８が設
けられている。更に全面にＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ膜及びＳ
ｉＯ₂膜の順に積層された層間絶縁膜１７を設け、層間
絶縁膜１５，層間絶縁膜１７のドレイン１３ｄに対応し
た位置に設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填
してドレイン電極１６を設ける。このとき図８（ａ）に
示すように、ドレイン電極１６と同時に形成されるドレ
イン信号線５２をゲート突出部５３の上方に配置する。

【０００９】ここで、ゲート突出部５３と容量電極５４
との間の補助容量については、ｐ−Ｓｉ膜から成ってい
る容量電極５４の上方に遮蔽膜１８を挟んでドレイン信
号線５２が形成された構造である。遮蔽膜１８がない
と、ドレイン信号線５２と容量電極５４との間で容量カ
ップリングを起こしてしまい、１水平同期期間ごとに変
化するドレイン信号線５２に印加された電圧に追従して
容量電極５４に印加される電圧が、本来保持されるべき
電圧に対して変化してしまうことになり、表示電極２０
に印加される電圧も変化するため、保持電圧、即ち液晶
２２に印加される実効電圧が小さくなってしまい表示が
白くなりコントラストの低下を引き起こす。

【００１０】それを防止するために、容量電極５４とド
レイン信号線５２との間、即ち層間絶縁膜１７の上に遮
蔽膜１８が設けられている。更にその上には例えば有機
樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設け
る。

【００１１】そして、その平坦化絶縁膜１９、層間絶縁
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）から成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９
上に設ける。

【００１２】その表示電極２０及び平坦化絶縁膜１９上
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。

【００１３】こうして、ＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０
が完成する。

【００１４】このＴＦＴ基板１０に対向して設けられる
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明材料か
ら成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向膜３
２が形成されている。

【００１５】これらの両基板１０，３０を互いに対向さ
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、層間絶
縁膜１５の上には、表示電極２０からの透過光以外、例
えば表示電極２０の周辺からの透過光を遮光するように
遮蔽膜１８が設けられている。またこの遮光膜１８に
は、表示電極２０等に印加された電位によって遮光膜の
電位が変化してしまい、ＴＦＴのチャネルに対してその
電位が影響してチャネルの電位が変化してしまうため、
それを防止するために定電位、例えばゲート電位、接地
電位などの電位が印加されている。

【００１７】また、チャネル１３ｃ領域とドレイン１３
ｄとの接合部またはチャネル１３ｃとソース１３ｓとの
接合部もこの遮光膜１８によって覆われている。

【００１８】ところが、これらによって、接合部におい
て電界が集中してしまい、リーク電流が増大してしまう
という欠点があった。

【００１９】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、補助容量の変動を抑制するとと
もにＴＦＴのリーク電流の増加を抑制することにより、
液晶に印加される電圧を十分保持して良好な表示を得る
ことが可能な表示装置を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、絶
縁性基板上にゲート電極を兼ねた複数のゲート信号線、
及び複数のドレイン信号線に囲まれた各領域に表示画素
が配列された表示装置であって、前段の表示画素に接続
されたゲート信号線の一部を次段の当該表示画素方向で
あって前記ドレイン信号線の延在方向に突出させて配置
したゲート突出部と、該ゲート突出部と第１の絶縁膜を
介して設けた半導体膜とによって容量を成す補助容量形
成部を備えており、前記半導体膜と第２の絶縁膜を介し
て前記半導体膜を覆うように設けられた遮蔽膜と、該遮
蔽膜と第３の絶縁膜を介して前記遮蔽膜上に設けられた
前記ドレイン信号線と、該ドレイン信号線上の第４の絶
縁膜を介して設けられた表示電極とを備えており、前記
半導体膜は前記ゲート電極と交差した領域にチャネル、
及び該チャネルの両側にソース及びドレインを有してお
り、前記遮蔽膜は前記半導体膜上の前記第２の絶縁膜上
であって前記チャネル上方に備えられており、前記遮蔽
膜のチャネル長方向の幅が前記チャネルのチャネル長よ
りも狭く、かつ前記ドレイン及びソースと前記チャネル
との接合部と非重畳であるものである。

【００２１】また、本発明の表示装置は、絶縁性基板上
にゲート電極を兼ねた複数のゲート信号線、及び複数の
ドレイン信号線に囲まれた各領域に表示画素が配列され
ており、該各表示画素に対応して容量を成す補助容量電
極線を備えた表示装置であって、前記補助容量電極線の
一部を前記ドレイン信号線の延在方向に突出させて配置
した補助容量電極突出部と、該補助容量電極突出部と第
１の絶縁膜を介して設けた半導体膜とによって容量を成
す補助容量形成部を備えており、前記半導体膜と第２の
絶縁膜を介して前記半導体膜を覆うように設けられた遮
蔽膜と、該遮蔽膜と第３の絶縁膜を介して前記遮蔽膜上
に設けられた前記ドレイン信号線と、該ドレイン信号線
上の第４の絶縁膜を介して設けられた表示電極とを備え
ており、前記半導体膜は前記ゲート電極と交差した領域
にチャネル、及び該チャネルの両側にソース及びドレイ
ンを有しており、前記遮蔽膜は前記半導体膜上の前記第
２の絶縁膜上であって前記チャネル上方に備えられてお
り、前記遮蔽膜のチャネル長方向の幅が前記チャネルの
チャネル長よりも狭く、かつ前記ドレイン及びソースと
前記チャネルとの接合部と非重畳であるものである。

【００２２】更に、本発明の表示装置は、上述の表示装
置において前記遮蔽膜が前記ゲート電極に接続されてゲ
ート電位が印加されているか、または接地電位が印加さ
れて設けられているものである。

【００２３】また、本発明の表示装置は、上述の表示装
置において前記遮蔽膜が不透明材料から成る表示装置で
ある。

【００２４】

【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞本発明の表
示装置をＬＣＤに適用した場合について説明する。

【００２５】図１にＬＣＤの１表示画素を表す平面図を
示し、図２（ａ）に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示し、図２（ｂ）に図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を
示し、図３に図１中のＣ−Ｃ線に沿った断面図を示す。

【００２６】図１に示すように、一部にゲート電極１１
を備えた複数のゲート信号線５１（図中右上から左下に
向かう斜線を付している。）と複数のドレイン信号線５
２とに囲まれた各領域には表示画素を成す表示電極２０
がそれぞれ形成されており、その表示電極２０はＴＦＴ
に接続されている。

【００２７】このとき、ゲート信号線５１から垂直に突
出したゲート突出部５３は、ドレイン信号線５２の延在
方向（図中上下方向）に延在しており、ドレイン信号線
５２と重畳して配置されている。

【００２８】このように配置することで、開口率を低下
させることなく、後述の補助容量を形成することができ
る。

【００２９】図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴの能動層
１３はｐ−Ｓｉ膜から成っており、能動層１３に設けら
れたドレイン１３ｄはドレイン信号線５２に接続されて
おり、ソース１３ｓは表示電極２０に接続されている。

【００３０】また、ゲート電極１１とゲート絶縁膜１２
を介して重畳した能動層１３にはチャネル１３ｃを形成
している。本実施の形態においてはダブルゲート構造を
成しているのでチャネル１３ｃは２つある。

【００３１】更にソース１３ｓは、ゲート突出部５３の
全体と重畳するように延在して配置されて容量電極５４
を成している。そうしてこの容量電極５４とゲート突出
部５３との間のゲート絶縁膜１２を介して容量を成して
いる。容量電極５４は能動層１３の形成と同時にｐ−Ｓ
ｉ膜で形成されている。

【００３２】この容量電極５４上に形成された第１の層
間絶縁膜１５を介して遮蔽膜１８が形成されている。こ
の遮蔽膜１８の上には第２の層間絶縁膜１７を設け、そ
の上にＡｌ等の導電材料から成るドレイン信号線５２を
形成している。そして、ドレイン信号線５２の上には有
機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設
け、その上にＩＴＯから成る表示電極２０を形成してい
る。

【００３３】図２に従ってＬＣＤの構造を説明する。

【００３４】図２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート信号線５１及びそ
の一部を成すゲート電極１１を設ける。そのゲート電極
１１上には、第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜１２、及
びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層１３を順に形成し、その能
動層１３には、ゲート電極１１上方に真性又は実質的に
真性であるチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両
側に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオン注入し
て形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ領域を備えてお
り、更にイオン注入をして高濃度領域としたソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。なお、図２
（ａ）に示すように、ゲート信号線５１から突出したゲ
ート突出部５３と能動層１３のソース１３ｓが延在され
て形成された容量電極５４との間で電荷を蓄積して容量
を成している。この容量は液晶２２に印加される電圧を
保持するために設けられている補助容量である。ゲート
突出部５３はゲート電極１１及びゲート信号線５１と同
時に同材料にて形成する。

【００３５】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、例えばＳｉＯ
₂膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層された第２の絶
縁膜である層間絶縁膜１５を設ける。

【００３６】その上に光を遮光する不透明材料である金
属、例えばＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）などから成る遮
蔽膜１８を形成する。更に全面に例えばＳｉＯ₂膜、Ｓ
ｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層されて成る第３の絶縁
膜である層間絶縁膜１７を設ける。そして、層間絶縁膜
１５及び層間絶縁膜１７に、ドレイン１３ｄに対応して
設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレ
イン電極１６を設ける。このとき図２（ａ）に示すよう
に、ドレイン電極１６と同時に形成されるドレイン信号
線５２をゲート電極１１の突出部５３の上方に配置す
る。

【００３７】更にその上には例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする第４の絶縁膜である平坦化絶縁膜１９を
設ける。

【００３８】そして、その平坦化絶縁膜１９、層間絶縁
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトした透明導電材料で
あるＩＴＯから成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９上
に設ける。

【００３９】その表示電極２０及び平坦化絶縁膜１９上
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。

【００４０】こうして、ＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０
が完成する。

【００４１】このＴＦＴ基板１０に対向して設けられる
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明導電材
料から成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向
膜３２が形成されている。

【００４２】これらの両基板１０，３０を互いに対向さ
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。

【００４３】ここで、この遮蔽膜１８はＴＦＴ領域にお
いてはＴＦＴのチャネル１３ｃのチャネル長よりも遮光
膜のチャネル長方向の幅が小さくなるように形成されて
おり、かつその端部７０がチャネル１３ｃとドレイン１
３ｄとの接合部７１またはチャネル１３ｃとソース１３
ｓとの接合部７２と重畳しないように配置されており、
また、補助容量を形成するドレイン信号線においてはゲ
ート突出部５３と容量を成す容量電極５４を覆うように
形成されている。

【００４４】このようにチャネル長よりも遮光膜のチャ
ネル方向の幅を小さくし、その端部７０が各接合部７
１，７２と重畳しないことにより、各接合部７１，７２
における電界集中が発生しなくなり、リーク電流の発生
を抑制することができる。

【００４５】また、遮蔽膜１８は補助容量形成部におい
てｐ−Ｓｉ膜からなる容量電極５４を覆っているため、
表示電極２０の周囲の漏れ光を遮蔽することができると
ともに、ｐ−Ｓｉから成る容量電極５４とドレイン信号
線５２との容量カップリングを防止することができ、ド
レイン信号線５２に印加された電圧による容量電極５４
への影響を抑制でき、保持電圧が小さくなることを抑制
することができる。

【００４６】そのため、ドレイン信号線に印加され１水
平期間ごとに変化する電圧に応じて、表示電極に印加さ
れる電圧が変動して表示として白くなることを防止する
ことができ、コントラストの低下を防止することができ
る。

【００４７】さらに、図３に示すように、層間絶縁膜１
５及びゲート絶縁膜１２に設けたコンタクトホールを介
して遮蔽膜１８とゲート電極１１とは接続されており、
遮蔽膜１８には各行のゲート信号線５１ごとのゲート電
極１１に印加された電位と同じ電位が印加されることに
なる。

【００４８】そのため、ＴＦＴのチャネル１３ｃに対し
てゲート電極１１側及び遮蔽膜１８側からゲート電圧を
印加でき、ＴＦＴのオン時の電流を増加させることがで
きる。このため、表示電極２０への信号電圧充電時間を
短時間化でき、左右のコントラスト差などの表示品位低
下が防止できる。＜第２の実施の形態＞本発明の表示装置をＬＣＤに適用
した場合について説明する。

【００４９】図４にＬＣＤの１表示画素を表す平面図を
示し、図５（ａ）に図４中のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示し、図５（ｂ）に図４中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を
示し、図６に図４中のＣ−Ｃ線に沿った断面図を示す。

【００５０】本実施の形態が第１の実施の形態と異なる
点は、補助容量電極線６０から突出した補助容量電極突
出部５５と、ソース１３ｓを成すｐ−Ｓｉからなる容量
電極５４とによって補助容量を形成する点である。

【００５１】図４に示すように、一部にゲート電極１１
を備えた複数のゲート信号線５１（図中右上から左下に
向かう斜線を付している。）と複数のドレイン信号線５
２とに囲まれた各領域には表示画素を成す表示電極２０
がそれぞれ形成されており、その表示電極２０はＴＦＴ
に接続されている。

【００５２】このとき、補助容量電極線６０から垂直に
突出した補助容量電極突出部５５は、ドレイン信号線５
２の延在方向（図中上下方向）に延在しており、ドレイ
ン信号線５２と重畳して配置されている。

【００５３】このよに配置することで、開口率は幾分低
下するものの、ゲート信号線の付加容量を低減し、左右
コントラスト差など表示品位低下を防止できる。

【００５４】図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴの能動層
１３はｐ−Ｓｉ膜から成っており、能動層１３に設けら
れたドレイン１３ｄはドレイン信号線５２に接続されて
おり、ソース１３ｓは表示電極２０に接続されている。

【００５５】また、ゲート電極１１とゲート絶縁膜１２
を介して重畳した能動層１３にはチャネル１３ｃを形成
している。本実施の形態においてはダブルゲート構造を
成しているのでチャネル１３ｃは２つある。

【００５６】更にソース１３ｓは、補助容量電極突出部
５５の全体と重畳するように延在して配置されて容量電
極５４を成している。そうしてこの容量電極５４と補助
容量電極突出部５５との間のゲート絶縁膜１２を介して
容量を成している。容量電極５４は能動層１３の形成と
同時にｐ−Ｓｉ膜で形成されている。

【００５７】この容量電極５４上に形成された第１の層
間絶縁膜１５を介して遮蔽膜１８が形成されている。こ
の遮蔽膜１８の上には第２の層間絶縁膜１７を設け、そ
の上にＡｌ等の導電材料から成るドレイン信号線５２を
形成している。そして、ドレイン信号線５２の上には有
機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１９を設
け、その上にＩＴＯから成る表示電極２０を形成してい
る。

【００５８】図５に従ってＬＣＤの構造を説明する。

【００５９】図５（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、Ｃｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート信号線５１及びそ
の一部を成すゲート電極１１を設ける。そのゲート電極
１１上には、第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜１２、及
びｐ−Ｓｉ膜からなる能動層１３を順に形成し、その能
動層１３には、ゲート電極１１上方に真性又は実質的に
真性であるチャネル１３ｃと、このチャネル１３ｃの両
側に、ストッパ絶縁膜１４をマスクにしてイオン注入し
て形成された低濃度領域いわゆるＬＤＤ領域を備えてお
り、更にイオン注入をして高濃度領域としたソース１３
ｓ及びドレイン１３ｄが設けられている。なお、図５
（ａ）に示すように、補助容量電極線６０から突出した
補助容量電極突出部５５と能動層１３のソース１３ｓが
延在されて形成された容量電極５４との間で電荷を蓄積
して容量を成している。この容量は液晶２２に印加され
る電圧を保持するために設けられている補助容量であ
る。補助容量電極突出部５５はゲート電極１１及びゲー
ト信号線５１と同時に同材料にて形成する。

【００６０】そして、ゲート絶縁膜１２、能動層１３及
びストッパ絶縁膜１４上の全面には、例えばＳｉＯ
₂膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層された第２の絶
縁膜である層間絶縁膜１５を設ける。

【００６１】その上に光を遮光する不透明材料である金
属、例えばＣｒ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）などから成る遮
蔽膜１８を形成する。更に全面に例えばＳｉＯ₂膜、Ｓ
ｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層されて成る第３の絶縁
膜である層間絶縁膜１７を設ける。そして、層間絶縁膜
１５及び層間絶縁膜１７に、ドレイン１３ｄに対応して
設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレ
イン電極１６を設ける。このとき図５（ａ）に示すよう
に、ドレイン電極１６と同時に形成されるドレイン信号
線５２を補助容量電極突出部５５の上方に配置する。

【００６２】更にその上には例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする第４の絶縁膜である平坦化絶縁膜１９を
設ける。

【００６３】そして、その平坦化絶縁膜１９、層間絶縁
膜１７及び層間絶縁膜１５のソース１３ｓに対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース１３ｓとコンタクトした透明導電材料で
あるＩＴＯから成る表示電極２０を平坦化絶縁膜１９上
に設ける。

【００６４】その表示電極２０及び平坦化絶縁膜１９上
に、液晶２２を配向する配向膜２１を形成する。

【００６５】こうして、ＴＦＴを備えたＴＦＴ基板１０
が完成する。

【００６６】このＴＦＴ基板１０に対向して設けられる
対向電極基板３０には、基板３０側から順に透明導電材
料から成る対向電極３１、及び有機樹脂等から成る配向
膜３２が形成されている。

【００６７】これらの両基板１０，３０を互いに対向さ
せてそれらの周囲をシール接着材にて接着して両基板の
間隙に液晶２２を充填し、両基板の外側に偏光板３３を
貼ってＬＣＤが完成する。

【００６８】ここで、この遮蔽膜１８はＴＦＴ領域にお
いてはＴＦＴのチャネル１３ｃのチャネル長よりも遮光
膜のチャネル長方向の幅が小さくなるように形成されて
おり、かつその端部７０がチャネル１３ｃとドレイン１
３ｄとの接合部７１またはチャネル１３ｃとソース１３
ｓとの接合部７２と重畳しないように配置されており、
また、補助容量を形成する補助容量形成部においてはゲ
ート突出部５３と容量を成す容量電極５４を覆うように
形成されている。

【００６９】このようにチャネル長よりも遮光膜のチャ
ネル方向の幅を小さくし、その端部７０が各接合部７
１，７２と重畳しないことにより、各接合部７１，７２
における電界集中が発生しなくなり、リーク電流の発生
を抑制することができる。

【００７０】また、遮蔽膜１８は補助容量形成部におい
てｐ−Ｓｉ膜からなる容量電極５４を覆っているため、
表示電極２０の周囲の漏れ光を遮蔽することができると
ともに、ｐ−Ｓｉから成る容量電極５４とドレイン信号
線５２との容量カップリングを防止することができ、ド
レイン信号線５２に印加された電圧による容量電極５４
への影響を抑制でき、保持電圧が小さくなることを抑制
することができる。

【００７１】そのため、ドレイン信号線に印加され１水
平期間ごとに変化する電圧に応じて、表示電極に印加さ
れる電圧が変動して表示として白くなることを防止する
ことができ、コントラストの低下を防止することができ
る。

【００７２】さらに、図６に示すように、層間絶縁膜１
５及びゲート絶縁膜１２に設けたコンタクトホールを介
して遮蔽膜１８とゲート電極１１とは接続されており、
遮蔽膜１８には各行のゲート信号線５１ごとのゲート電
極１１に印加された電位と同じ電位が印加されることに
なる。

【００７３】そのため、ＴＦＴのチャネル１３ｃに対し
てゲート電極１１側及び遮蔽膜１８側からゲート電圧を
印加でき、ＴＦＴのオン時の電流を増加させることがで
きる。このため、表示電極２０への信号電圧充電時間を
短時間化でき、左右のコントラスト差などの表示品位低
下が防止できる。

【００７４】なお、上述の各実施の形態においては、能
動層の半導体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シ
リコン膜又は非晶質シリコン膜を用いても良い。

【００７５】また、本実施の形態においては、ＬＣＤに
適用した場合を示したが、本発明はそれに限定されるも
のではなく、有機ＥＬ表示装置に適用しても本発明と同
様の効果を得ることができる。

【００７６】また、各実施の形態においては、遮蔽膜１
８を前段の表示電極に接続されたＴＦＴにゲート信号を
供給するゲート電極１１の電位と同じ場合について説明
したが、本発明はそれに限定されるものではなく、遮蔽
膜１８には接地電位を印加しても良い。その場合には、
ゲート電位を印加する場合と同様に本願のリーク電流の
低減に対して効果を奏することができる。

【００７７】

【発明の効果】本発明によれば、遮蔽膜がチャネル全面
を覆うことによって生じる接合部における電界集中を抑
制でき、それによってリーク電流のないＴＦＴを備えた
表示装置を得ることができるとともに、１水平同期期間
ごとに変化するドレイン信号線に印加される電圧に関係
なく一定の保持電圧を得ることができるので、コントラ
スト低下のない良好な表示を得られる表示装置を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明をＬＣＤに適用した場合の第１の実施の
形態を示す平面図である。

【図２】本発明をＬＣＤに適用した場合の第１の実施の
形態を示す断面図である。

【図３】本発明をＬＣＤに適用した場合の第１の実施の
形態を示す断面図である。

【図４】本発明をＬＣＤに適用した場合の第２の実施の
形態を示す平面図である。

【図５】本発明をＬＣＤに適用した場合の第２の実施の
形態を示す断面図である。

【図６】本発明をＬＣＤに適用した場合の第２の実施の
形態を示す断面図である。

【図７】従来のＬＣＤの平面図である。

【図８】従来のＬＣＤの断面図である。

【符号の説明】

１０ＴＦＴ基板１１ゲート電極１３ｓソース１３ｄドレイン１３ｃチャネル１６ドレイン電極１８遮蔽膜２０表示電極３０対向電極基板５１ゲート信号線５２ドレイン信号線５３ゲート突出部５４容量電極５５補助容量電極突出部６０補助容量電極線７０遮光膜端部７１チャネルとドレインの接合部７２チャネルとソースの接合部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 GA29 JA24 JA36 JA37 JA41 JA46 JB51 JB69 KB25 NA07 NA19 NA26 PA11 5C094 AA06 AA07 AA25 AA54 BA03 BA29 BA43 CA19 DA13 DA15 DB04 EA04 ED15 FA01 FA02 5F110 AA06 AA13 AA18 CC08 DD02 DD03 EE04 EE28 EE36 GG02 GG13 GG14 GG15 GG35 HJ13 HM15 NN03 NN16 NN23 NN24 NN44 NN46 NN73 QQ11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上にゲート電極を兼ねた複数
のゲート信号線、及び複数のドレイン信号線に囲まれた
各領域に表示画素が配列された表示装置であって、前段の表示画素に接続されたゲート信号線の一部を次段
の当該表示画素方向であって前記ドレイン信号線の延在
方向に突出させて配置したゲート突出部と、該ゲート突
出部と第１の絶縁膜を介して設けた半導体膜とによって
容量を成す補助容量形成部を備えており、前記半導体膜
と第２の絶縁膜を介して前記半導体膜を覆うように設け
られた遮蔽膜と、該遮蔽膜と第３の絶縁膜を介して前記
遮蔽膜上に設けられた前記ドレイン信号線と、該ドレイ
ン信号線上の第４の絶縁膜を介して設けられた表示電極
とを備えており、前記半導体膜は前記ゲート電極と交差した領域にチャネ
ル、及び該チャネルの両側にソース及びドレインを有し
ており、前記遮蔽膜は前記半導体膜上の前記第２の絶縁
膜上であって前記チャネル上方に備えられており、前記
遮蔽膜のチャネル長方向の幅が前記チャネルのチャネル
長よりも狭く、かつ前記ドレイン及びソースと前記チャ
ネルとの接合部と非重畳であることを特徴とする表示装
置。
【請求項２】絶縁性基板上にゲート電極を兼ねた複数
のゲート信号線、及び複数のドレイン信号線に囲まれた
各領域に表示画素が配列されており、該各表示画素に対
応して容量を成す補助容量電極線を備えた表示装置であ
って、前記補助容量電極線の一部を前記ドレイン信号線の延在
方向に突出させて配置した補助容量電極突出部と、該補
助容量電極突出部と第１の絶縁膜を介して設けた半導体
膜とによって容量を成す補助容量形成部を備えており、
前記半導体膜と第２の絶縁膜を介して前記半導体膜を覆
うように設けられた遮蔽膜と、該遮蔽膜と第３の絶縁膜
を介して前記遮蔽膜上に設けられた前記ドレイン信号線
と、該ドレイン信号線上の第４の絶縁膜を介して設けら
れた表示電極とを備えており、前記半導体膜は前記ゲート電極と交差した領域にチャネ
ル、及び該チャネルの両側にソース及びドレインを有し
ており、前記遮蔽膜は前記半導体膜上の前記第２の絶縁
膜上であって前記チャネル上方に備えられており、前記
遮蔽膜のチャネル長方向の幅が前記チャネルのチャネル
長よりも狭く、かつ前記ドレイン及びソースと前記チャ
ネルとの接合部と非重畳であることを特徴とする表示装
置。
【請求項３】前記遮蔽膜は前記ゲート電極に接続され
てゲートの電位が印加されているか、または接地電位が
印加されていることを特徴とする請求項１または２に記
載の表示装置。
【請求項４】前記遮蔽膜が不透明材料から成ることを
特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の表示
装置。