JPH0869009A - Ｔｆｔ型液晶表示装置 - Google Patents
Ｔｆｔ型液晶表示装置Info
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- JPH0869009A JPH0869009A JP20554894A JP20554894A JPH0869009A JP H0869009 A JPH0869009 A JP H0869009A JP 20554894 A JP20554894 A JP 20554894A JP 20554894 A JP20554894 A JP 20554894A JP H0869009 A JPH0869009 A JP H0869009A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＦＴ型液晶表示装置の開口率の向上を図
る。 【構成】 ソース配線及びゲート配線をそれぞれ不透明
配線部分と透明配線部分で構成する。
る。 【構成】 ソース配線及びゲート配線をそれぞれ不透明
配線部分と透明配線部分で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、開口率を向上させた薄
膜トランジスタ型液晶表示装置に関する。
膜トランジスタ型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ型液晶表示装置は、その高い画質
と共に半導体の製造に広く用いられているプレーナ技術
を利用した量産が可能なことにより、昨今、大きな注目
を集めている。この種のＴＦＴ型液晶表示装置は、一般
に、ガラス基板間に収納した液晶分子の配列方向の制御
を行うためにマトリックス状に設けた複数の画素電極
と、これらの画素電極を選択的に制御するために各画素
電極に対応して設けられた薄膜型トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）と、により構成されている。
と共に半導体の製造に広く用いられているプレーナ技術
を利用した量産が可能なことにより、昨今、大きな注目
を集めている。この種のＴＦＴ型液晶表示装置は、一般
に、ガラス基板間に収納した液晶分子の配列方向の制御
を行うためにマトリックス状に設けた複数の画素電極
と、これらの画素電極を選択的に制御するために各画素
電極に対応して設けられた薄膜型トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）と、により構成されている。
【０００３】図４（ａ）は従来のＴＦＴ型液晶表示装置
の主要部を示す。同図に示すように、従来のＴＦＴ型液
晶表示装置は、表示領域としての画素電極２１と、これ
らの画素電極２１に対応して設けられたＴＦＴ２２から
成っている。ＴＦＴ２２はソース配線２３に電気的に接
続されたソース電極２４と、画素電極２１に電気的に接
続されたドレーン電極２５と、並びにゲート配線２６に
電気的に接続されたゲート電極２７と、を有している。
の主要部を示す。同図に示すように、従来のＴＦＴ型液
晶表示装置は、表示領域としての画素電極２１と、これ
らの画素電極２１に対応して設けられたＴＦＴ２２から
成っている。ＴＦＴ２２はソース配線２３に電気的に接
続されたソース電極２４と、画素電極２１に電気的に接
続されたドレーン電極２５と、並びにゲート配線２６に
電気的に接続されたゲート電極２７と、を有している。
【０００４】図４（ｂ）は図４（ａ）中、線Ｙ−Ｙに沿
う断面を示す。同図に示すように、ＴＦＴ２２はガラス
基板２８上に形成されたゲート電極２７上に絶縁膜２９
及び３０を介して形成されたアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）から成る半導体層３１を有しており、半導体層
３１上にＡｌ等の導電性金属を被着してソース電極２４
びドレーン電極２５が形成されている。ここで、ドレー
ン電極２５は、絶縁膜３０上に形成された画素電極２１
に電気的に接続されていると共に、ソース電極２４及び
ゲート電極２７はソース配線２３及びゲート配線２６に
それぞれ電気的に接続されている。このような構成によ
り、ソース配線２３及びゲート配線２６に所要の電圧信
号を印加することにより、各ＴＦＴ２２は選択的に作動
せしめられ、ＴＦＴのドレーン電極２５に接続された画
素電極２１上の電位を制御することによりガラス基板間
に保持された液晶を駆動せしめている。
う断面を示す。同図に示すように、ＴＦＴ２２はガラス
基板２８上に形成されたゲート電極２７上に絶縁膜２９
及び３０を介して形成されたアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）から成る半導体層３１を有しており、半導体層
３１上にＡｌ等の導電性金属を被着してソース電極２４
びドレーン電極２５が形成されている。ここで、ドレー
ン電極２５は、絶縁膜３０上に形成された画素電極２１
に電気的に接続されていると共に、ソース電極２４及び
ゲート電極２７はソース配線２３及びゲート配線２６に
それぞれ電気的に接続されている。このような構成によ
り、ソース配線２３及びゲート配線２６に所要の電圧信
号を印加することにより、各ＴＦＴ２２は選択的に作動
せしめられ、ＴＦＴのドレーン電極２５に接続された画
素電極２１上の電位を制御することによりガラス基板間
に保持された液晶を駆動せしめている。
【０００５】ここで上述の従来の液晶表示装置では、画
素電極２１が形成された領域は表示領域として液晶表示
に利用されているのだが、これ以外の領域、即ちＴＦＴ
２２が形成された領域並びにソース配線２３及びゲート
配線２６が形成された画素電極２１間の領域、は非表示
領域とされている。ＴＦＴ２２及び画素電極２１と対向
する他方のガラス基板の内面上の表示領域は、ここでは
図示は省略するが、Ｃｒ等から成る遮光膜が形成されて
遮光領域となっている。
素電極２１が形成された領域は表示領域として液晶表示
に利用されているのだが、これ以外の領域、即ちＴＦＴ
２２が形成された領域並びにソース配線２３及びゲート
配線２６が形成された画素電極２１間の領域、は非表示
領域とされている。ＴＦＴ２２及び画素電極２１と対向
する他方のガラス基板の内面上の表示領域は、ここでは
図示は省略するが、Ｃｒ等から成る遮光膜が形成されて
遮光領域となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＦＴ型液晶表
示装置は、上述のように、マトリックス状に配置された
画素電極２１の間にソース配線２３及びゲート配線２６
が形成され、ＴＦＴ２２が形成された領域のみならず、
これらのソース配線２３及びゲート配線２６が形成され
た画素電極２１間の領域も非表示領域とされていたた
め、ＴＦＴ型液晶表示装置の全表示画面に対する表示領
域の割合、即ち開口率、は高々４０％程度までしか採る
ことができず、そのため表示画面全体としては十分に明
るい表示を得ることができなかった。特に、ＴＦＴ型液
晶表示装置では、上述のように、マトリックス状に配置
された多数の画素電極２１間に格子状に形成されたソー
ス配線２３及びゲート配線２６を介して各ＴＦＴ２２を
線順次走査方式により選択的に電圧駆動しているので、
これらのソース配線２３及びゲート配線２６を細線化す
ることにより開口率を向上させようとしても、これらの
配線を一定以上に細線化した場合、ソース配線２３やゲ
ート配線２６の配線抵抗の過度な増大に起因して制御信
号に遅延が生じてしまい、画面表示の性能を低下させて
しまう。
示装置は、上述のように、マトリックス状に配置された
画素電極２１の間にソース配線２３及びゲート配線２６
が形成され、ＴＦＴ２２が形成された領域のみならず、
これらのソース配線２３及びゲート配線２６が形成され
た画素電極２１間の領域も非表示領域とされていたた
め、ＴＦＴ型液晶表示装置の全表示画面に対する表示領
域の割合、即ち開口率、は高々４０％程度までしか採る
ことができず、そのため表示画面全体としては十分に明
るい表示を得ることができなかった。特に、ＴＦＴ型液
晶表示装置では、上述のように、マトリックス状に配置
された多数の画素電極２１間に格子状に形成されたソー
ス配線２３及びゲート配線２６を介して各ＴＦＴ２２を
線順次走査方式により選択的に電圧駆動しているので、
これらのソース配線２３及びゲート配線２６を細線化す
ることにより開口率を向上させようとしても、これらの
配線を一定以上に細線化した場合、ソース配線２３やゲ
ート配線２６の配線抵抗の過度な増大に起因して制御信
号に遅延が生じてしまい、画面表示の性能を低下させて
しまう。
【０００７】本発明は上述の問題に鑑みてなされたもの
であり、開口率を向上させ、以て表示の明度を向上させ
たＴＦＴ型液晶表示装置を提供することを目的とする。
であり、開口率を向上させ、以て表示の明度を向上させ
たＴＦＴ型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明によれば、相互に対向して設けられたガラス
基板と、ガラス基板間に収納された液晶と、ガラス基板
の一方の内表面上に形成されたゲート配線と、ゲート配
線に直交して形成されたソース配線と、前記ゲート配線
とソース配線に電気的に接続されたＴＦＴと、前記ＴＦ
Ｔに電気的に接続され前記液晶の駆動を行う画素電極
と、から成るＴＦＴ型液晶表示装置であって、ソース配
線及びゲート配線はそれぞれ不透明配線部分とこれより
幅広な透明配線部分とから成ることを特徴とするＴＦＴ
型液晶表示装置が提供される。
め、本発明によれば、相互に対向して設けられたガラス
基板と、ガラス基板間に収納された液晶と、ガラス基板
の一方の内表面上に形成されたゲート配線と、ゲート配
線に直交して形成されたソース配線と、前記ゲート配線
とソース配線に電気的に接続されたＴＦＴと、前記ＴＦ
Ｔに電気的に接続され前記液晶の駆動を行う画素電極
と、から成るＴＦＴ型液晶表示装置であって、ソース配
線及びゲート配線はそれぞれ不透明配線部分とこれより
幅広な透明配線部分とから成ることを特徴とするＴＦＴ
型液晶表示装置が提供される。
【０００９】上記画素電極は、ゲート配線の隣接する透
明金属配線部分に跨り且つソース配線の隣接する透明金
属配線部分に跨る基板上の領域に形成するように構成で
きる。
明金属配線部分に跨り且つソース配線の隣接する透明金
属配線部分に跨る基板上の領域に形成するように構成で
きる。
【００１０】
【作用および効果】ＴＦＴ型液晶表示装置のソース配線
及びゲート配線をそれぞれ不透明配線部分とこれよりも
幅広な透明配線部分とで形成するので、不透明ソース配
線部分及び不透明ゲート配線部分に加えて、幅広な透明
ソース配線部分及び透明ゲート配線部分も信号電流用の
配線として機能する。このため、配線の一部としての透
明ソース及びゲート配線部分の形成された領域を表示領
域として利用できると共に、遮光領域としての不透明ソ
ース及びゲート配線部分を従来の配線に比較して細線化
できるので、配線抵抗の増大を招くことなく全表示画面
の面積に対する表示領域の比率、即ち開口率、を大幅に
向上することができる。
及びゲート配線をそれぞれ不透明配線部分とこれよりも
幅広な透明配線部分とで形成するので、不透明ソース配
線部分及び不透明ゲート配線部分に加えて、幅広な透明
ソース配線部分及び透明ゲート配線部分も信号電流用の
配線として機能する。このため、配線の一部としての透
明ソース及びゲート配線部分の形成された領域を表示領
域として利用できると共に、遮光領域としての不透明ソ
ース及びゲート配線部分を従来の配線に比較して細線化
できるので、配線抵抗の増大を招くことなく全表示画面
の面積に対する表示領域の比率、即ち開口率、を大幅に
向上することができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明によるＴＦＴ型液晶表示装置を
実施例に従い図面を参照しながら詳細に説明する。本実
施例によるＴＦＴ型液晶表示装置は、図示は省略する
が、液晶を介して相互に対向配置したガラス基板の一方
の内表面上に、液晶を駆動するためにマトリックス状に
配置された複数の画素電極と、これらの画素電極の電圧
を制御するために各画素電極毎に対応して設けられたＴ
ＦＴを有している。他方のガラス基板上には、カラーフ
ィルターが画素電極に対応する領域、即ち表示領域、に
形成され、及びＣｒ等から成る遮光膜がＴＦＴ及び画素
電極同士間に対応する領域、即ち遮光領域、に形成され
ている。
実施例に従い図面を参照しながら詳細に説明する。本実
施例によるＴＦＴ型液晶表示装置は、図示は省略する
が、液晶を介して相互に対向配置したガラス基板の一方
の内表面上に、液晶を駆動するためにマトリックス状に
配置された複数の画素電極と、これらの画素電極の電圧
を制御するために各画素電極毎に対応して設けられたＴ
ＦＴを有している。他方のガラス基板上には、カラーフ
ィルターが画素電極に対応する領域、即ち表示領域、に
形成され、及びＣｒ等から成る遮光膜がＴＦＴ及び画素
電極同士間に対応する領域、即ち遮光領域、に形成され
ている。
【００１２】図１は、本実施例のＴＦＴ型液晶表示装置
の主要部を示し、具体的にはＴＦＴの形成されたガラス
基板の内表面に形成されたソース配線、ゲート配線、及
び画素電極等の平面視における位置関係を示す。ここ
で、ソース配線及びゲート配線は後述するように、それ
ぞれ不透明の金属から成る不透明配線部分と透明な金属
から成る透明配線部分から構成されている。図２は、図
１中線Ｘ−Ｘに沿った断面を示す。
の主要部を示し、具体的にはＴＦＴの形成されたガラス
基板の内表面に形成されたソース配線、ゲート配線、及
び画素電極等の平面視における位置関係を示す。ここ
で、ソース配線及びゲート配線は後述するように、それ
ぞれ不透明の金属から成る不透明配線部分と透明な金属
から成る透明配線部分から構成されている。図２は、図
１中線Ｘ−Ｘに沿った断面を示す。
【００１３】ガラス基板１上には、図１中にて最良に示
されるように、複数の不透明ソース配線部分２が帯状に
相互に平行に形成されている。不透明ソース配線部分２
の材料金属としては、電気抵抗値が低く且つ遮光目的に
も合致する金属材としてＡｌが使用される。これらの不
透明ソース配線部分上にはこれらが延在する方向にそれ
ぞれ被覆するように形成された幅広な透明ソース配線部
分３が設けられている。透明ソース配線部分３の材料金
属としては、透光性が高く且つ導電性を有するＩＴＯ
（インジウム錫酸化物）が使用される。これらの積層さ
れた不透明及び透明ソース配線部分２、３が協働してソ
ース配線を構成している。
されるように、複数の不透明ソース配線部分２が帯状に
相互に平行に形成されている。不透明ソース配線部分２
の材料金属としては、電気抵抗値が低く且つ遮光目的に
も合致する金属材としてＡｌが使用される。これらの不
透明ソース配線部分上にはこれらが延在する方向にそれ
ぞれ被覆するように形成された幅広な透明ソース配線部
分３が設けられている。透明ソース配線部分３の材料金
属としては、透光性が高く且つ導電性を有するＩＴＯ
（インジウム錫酸化物）が使用される。これらの積層さ
れた不透明及び透明ソース配線部分２、３が協働してソ
ース配線を構成している。
【００１４】透明ソース配線部分３上には、これらを被
覆するように全面的に形成されたＳｉＯｘから成る配線
層間絶縁膜１３を介して、更に、複数の帯状の不透明ゲ
ート配線部分４が不透明若しくは透明ソース配線部分
２、３と直交するように相互に平行に形成されている。
不透明ゲート配線部分４の材料金属は、不透明ソース配
線部分２と同様にＡｌが使用される。これらの不透明ゲ
ート配線部分４上にはこれらが延在する方向にそれぞれ
被覆するように形成された幅広な透明ゲート配線部分５
が形成されている。透明ゲート配線部分５の材料金属と
しては、透明ソース配線部分３と同様に、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）が使用される。これらの積層された不
透明及び透明ゲート配線部分４、５が協働してゲート配
線を構成している。
覆するように全面的に形成されたＳｉＯｘから成る配線
層間絶縁膜１３を介して、更に、複数の帯状の不透明ゲ
ート配線部分４が不透明若しくは透明ソース配線部分
２、３と直交するように相互に平行に形成されている。
不透明ゲート配線部分４の材料金属は、不透明ソース配
線部分２と同様にＡｌが使用される。これらの不透明ゲ
ート配線部分４上にはこれらが延在する方向にそれぞれ
被覆するように形成された幅広な透明ゲート配線部分５
が形成されている。透明ゲート配線部分５の材料金属と
しては、透明ソース配線部分３と同様に、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）が使用される。これらの積層された不
透明及び透明ゲート配線部分４、５が協働してゲート配
線を構成している。
【００１５】不透明ソース配線部分２と不透明ゲート配
線部分４との各交差部近傍には後述するＴＦＴ６が設け
られている。透明ゲート配線部分５上には、これらを被
覆するように全面的に形成されたＳｉＯｘから成る画素
電極下絶縁膜１４を介して、更に、ＩＴＯから成る液晶
の分子を駆動すべく電界を選択的に形成するための画素
電極７がＴＦＴ６に対応し且つ単位画素を画成するよう
に形成されている。
線部分４との各交差部近傍には後述するＴＦＴ６が設け
られている。透明ゲート配線部分５上には、これらを被
覆するように全面的に形成されたＳｉＯｘから成る画素
電極下絶縁膜１４を介して、更に、ＩＴＯから成る液晶
の分子を駆動すべく電界を選択的に形成するための画素
電極７がＴＦＴ６に対応し且つ単位画素を画成するよう
に形成されている。
【００１６】各ＴＦＴ６は、ゲート電極が反基板側に設
けられるいわゆるスタガ型であり、半導体膜としては図
示しないアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が使用さ
れ、図３に拡大して示すように、不透明ソース配線部分
２に電気的に接続されたＡｌから成るソース電極８と、
対応する画素電極７に電気的に接続され且つソース電極
８と対向するように形成されたやはりＡｌから成るドレ
ーン電極９と、不透明ゲート配線部分４に電気的に接続
されソース及びドレーン電極８、９間に設けられたＡｌ
から成るゲート電極１０と、から成っている。尚、同図
では理解を容易にするために透明ソース配線部分及び透
明ゲート配線部分は省略して示している。ここで、ソー
ス電極８と不透明ソース配線部分２との間の接続は、透
明ソース配線部分３、絶縁膜、不透明及び透明ゲート配
線部分４、５に設けたコンタクトホール１１を介して行
われる。また、ゲート電極１０と不透明ゲート配線部分
４との間の接続は、透明ゲート配線部分５、配線層間絶
縁膜１３に設けたコンタクトホール１２を介して行われ
る。
けられるいわゆるスタガ型であり、半導体膜としては図
示しないアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が使用さ
れ、図３に拡大して示すように、不透明ソース配線部分
２に電気的に接続されたＡｌから成るソース電極８と、
対応する画素電極７に電気的に接続され且つソース電極
８と対向するように形成されたやはりＡｌから成るドレ
ーン電極９と、不透明ゲート配線部分４に電気的に接続
されソース及びドレーン電極８、９間に設けられたＡｌ
から成るゲート電極１０と、から成っている。尚、同図
では理解を容易にするために透明ソース配線部分及び透
明ゲート配線部分は省略して示している。ここで、ソー
ス電極８と不透明ソース配線部分２との間の接続は、透
明ソース配線部分３、絶縁膜、不透明及び透明ゲート配
線部分４、５に設けたコンタクトホール１１を介して行
われる。また、ゲート電極１０と不透明ゲート配線部分
４との間の接続は、透明ゲート配線部分５、配線層間絶
縁膜１３に設けたコンタクトホール１２を介して行われ
る。
【００１７】次に、本実施例のＴＦＴ型液晶表示装置の
製造方法について説明する。本実施例のＴＦＴ型液晶表
示装置に使用するガラス基板の一方の表面にＡｌ膜を蒸
着により約１００００オングストローム膜厚に形成し、
エッチングによりパターニングを行うことにより２０μ
の幅の相互に平行な複数の不透明ソース配線部分２を形
成する。不透明ソース配線部分を形成したら、これらを
被覆するようにＩＴＯ膜をスパッタにより約３０００オ
ングストローム膜厚に形成し、エッチングによりパター
ニングを行うことにより１００μの配線幅の帯状の透明
ソース配線部分３を約１０μの配線間隔にて形成する。
製造方法について説明する。本実施例のＴＦＴ型液晶表
示装置に使用するガラス基板の一方の表面にＡｌ膜を蒸
着により約１００００オングストローム膜厚に形成し、
エッチングによりパターニングを行うことにより２０μ
の幅の相互に平行な複数の不透明ソース配線部分２を形
成する。不透明ソース配線部分を形成したら、これらを
被覆するようにＩＴＯ膜をスパッタにより約３０００オ
ングストローム膜厚に形成し、エッチングによりパター
ニングを行うことにより１００μの配線幅の帯状の透明
ソース配線部分３を約１０μの配線間隔にて形成する。
【００１８】次いで、透明ソース配線部分３を被覆する
ようにプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘ膜を約３００℃の
温度条件で約５０００オングストロームの膜厚に形成後
所要のパターンにエッチングして配線層間絶縁膜１３を
形成する。配線層間絶縁膜１３を形成したら、この上に
Ａｌ膜を蒸着により約１００００オングストローム膜厚
に形成し、エッチングによりパターニングを行うことに
より２０μの幅の相互に平行で且つ不透明または透明ソ
ース配線部分２、３に直交する複数の不透明ゲート配線
部分４を形成する。不透明ゲート配線部分４を形成した
ら、これらを被覆するようにＩＴＯ膜をスパッタにより
約３０００オングストローム膜厚に形成し、エッチング
によりパターニングを行うことにより１００μの配線幅
の帯状の透明ゲート配線部分５を約１０μの配線間隔に
て形成する。
ようにプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘ膜を約３００℃の
温度条件で約５０００オングストロームの膜厚に形成後
所要のパターンにエッチングして配線層間絶縁膜１３を
形成する。配線層間絶縁膜１３を形成したら、この上に
Ａｌ膜を蒸着により約１００００オングストローム膜厚
に形成し、エッチングによりパターニングを行うことに
より２０μの幅の相互に平行で且つ不透明または透明ソ
ース配線部分２、３に直交する複数の不透明ゲート配線
部分４を形成する。不透明ゲート配線部分４を形成した
ら、これらを被覆するようにＩＴＯ膜をスパッタにより
約３０００オングストローム膜厚に形成し、エッチング
によりパターニングを行うことにより１００μの配線幅
の帯状の透明ゲート配線部分５を約１０μの配線間隔に
て形成する。
【００１９】次いで、透明ゲート配線部分５を被覆する
ようにプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘ膜を約３００℃の
温度条件で約５０００オングストロームの膜厚に形成後
所要のパターンにエッチングして画素電極下絶縁膜１４
を形成後、ＩＴＯ膜をスパッタにより約３０００オング
ストローム膜厚に形成後エッチングを行うことにより不
透明ソース配線部分２及び不透明ゲート配線部分４によ
り画成される各領域に画素電極７を形成する。
ようにプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘ膜を約３００℃の
温度条件で約５０００オングストロームの膜厚に形成後
所要のパターンにエッチングして画素電極下絶縁膜１４
を形成後、ＩＴＯ膜をスパッタにより約３０００オング
ストローム膜厚に形成後エッチングを行うことにより不
透明ソース配線部分２及び不透明ゲート配線部分４によ
り画成される各領域に画素電極７を形成する。
【００２０】各ＴＦＴは上述の配線等と共通の工程で形
成される。即ち、各ＴＦＴのソース電極８は不透明ソー
ス配線部分２に、ゲート電極１０は不透明ゲート配線部
分４に、及びドレーン電極９は対応する画素電極７に、
それぞれ電気的に接続されるように形成する。尚、この
ような接続に代えて、ソース電極８を透明ソース配線部
分３に、及びゲート電極１０を透明ゲート配線部分５に
接続するように構成できるが、この場合各接続界面にｎ
＋型のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を形成する
とよい。
成される。即ち、各ＴＦＴのソース電極８は不透明ソー
ス配線部分２に、ゲート電極１０は不透明ゲート配線部
分４に、及びドレーン電極９は対応する画素電極７に、
それぞれ電気的に接続されるように形成する。尚、この
ような接続に代えて、ソース電極８を透明ソース配線部
分３に、及びゲート電極１０を透明ゲート配線部分５に
接続するように構成できるが、この場合各接続界面にｎ
＋型のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を形成する
とよい。
【００２１】本実施例の液晶表示装置では、その使用時
に、液晶の分子配列を制御する画素電極の下方にソース
配線、即ち不透明及び透明ソース配線２、３、及びゲー
ト配線、即ち不透明及び透明ゲート配線４、５、を介し
て信号電圧が供給されるのだが、透明ゲート配線５と画
素電極７との間にＳｉＯｘの絶縁膜を介して導電体とし
てのＩＴＯから成る電界遮蔽膜を設けこれを、例えば、
接地電位に保持するように構成すれば、液晶分子はソー
ス配線２、３やゲート配線４、５に印加された電圧によ
り不要に電界が加えられることが有効に防止され、より
適正な液晶表示が得られる。
に、液晶の分子配列を制御する画素電極の下方にソース
配線、即ち不透明及び透明ソース配線２、３、及びゲー
ト配線、即ち不透明及び透明ゲート配線４、５、を介し
て信号電圧が供給されるのだが、透明ゲート配線５と画
素電極７との間にＳｉＯｘの絶縁膜を介して導電体とし
てのＩＴＯから成る電界遮蔽膜を設けこれを、例えば、
接地電位に保持するように構成すれば、液晶分子はソー
ス配線２、３やゲート配線４、５に印加された電圧によ
り不要に電界が加えられることが有効に防止され、より
適正な液晶表示が得られる。
【００２２】尚、上述の実施例では、不透明ソース及び
ゲート配線部分２、４にＡｌを使用したが、本発明はこ
れに限られることなく、Ａｌに代えて、電気的抵抗値が
低く且つ遮光目的に合致する他の金属、例えばＣｒやＴ
ａ等、を使用することが可能である。
ゲート配線部分２、４にＡｌを使用したが、本発明はこ
れに限られることなく、Ａｌに代えて、電気的抵抗値が
低く且つ遮光目的に合致する他の金属、例えばＣｒやＴ
ａ等、を使用することが可能である。
【図１】本発明のＴＦＴ型液晶表示装置の基板の主要部
を示す部分拡大平面図である。
を示す部分拡大平面図である。
【図２】図１の基板の線Ｘ−Ｘ及び線Ｙ−Ｙに沿う断面
図である。
図である。
【図３】図１の基板のＴＦＴ及びその近傍の拡大平面図
である。
である。
【図４】従来のＴＦＴ型液晶表示装置の基板の主要部を
示す部分拡大平面図、及びＴＦＴの断面図である。
示す部分拡大平面図、及びＴＦＴの断面図である。
１ 基板 ２ 不透明ソース配線部分 ３ 透明ソース配線部分 ４ 不透明ゲート配線部分 ５ 透明ゲート配線部分 ６ ＴＦＴ ７ 画素電極 ８ ソース電極 ９ ドレーン電極 １０ ゲート電極
フロントページの続き (72)発明者 高村 誠 京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ−ム株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】相互に対向して設けられたガラス基板と、
前記ガラス基板間に収納された液晶と、前記ガラス基板
の一方の内表面上に形成されたゲート配線と、ゲート配
線に直交して形成されたソース配線と、前記ゲート配線
とソース配線に電気的に接続されたＴＦＴと、前記ＴＦ
Ｔに電気的に接続され前記液晶の駆動を行う画素電極
と、から成るＴＦＴ型液晶表示装置であって、 前記ソース配線及びゲート配線はそれぞれ不透明配線部
分とこれより幅広な透明配線部分とから成ることを特徴
とするＴＦＴ型液晶表示装置。 - 【請求項２】前記画素電極は前記ゲート配線の隣接する
透明金属配線部分に跨り且つ前記ソース配線の隣接する
透明金属配線部分に跨る前記基板上の領域に形成された
請求項１に記載のＴＦＴ型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20554894A JPH0869009A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Ｔｆｔ型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20554894A JPH0869009A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Ｔｆｔ型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869009A true JPH0869009A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16508718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20554894A Pending JPH0869009A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Ｔｆｔ型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0869009A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272537B1 (ko) * | 1997-10-09 | 2000-11-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시소자구조및제조방법 |
| JP2006013524A (ja) * | 1999-08-31 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2010156963A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US7982267B2 (en) | 1999-08-31 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Projector including display device |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20554894A patent/JPH0869009A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272537B1 (ko) * | 1997-10-09 | 2000-11-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시소자구조및제조방법 |
| US8552431B2 (en) | 1999-08-31 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising pixel portion |
| US7982267B2 (en) | 1999-08-31 | 2011-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Projector including display device |
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| JP2012212936A (ja) * | 1999-08-31 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、液晶表示装置及びプロジェクター |
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| US8933455B2 (en) | 1999-08-31 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising pixel |
| JP2015008336A (ja) * | 1999-08-31 | 2015-01-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9250490B2 (en) | 1999-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device including light shielding film |
| US9466622B2 (en) | 1999-08-31 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising a thin film transistor and a storage capacitor |
| JP2010156963A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014179622A (ja) * | 2008-12-05 | 2014-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、液晶表示モジュール及び電子機器 |
| US8999750B2 (en) | 2008-12-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9201280B2 (en) | 2008-12-05 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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