JP2014530511A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の領域及び第２の領域を有する基板であって、第１の表面及び該第１の表面から遠隔の第２の表面を有する、基板と、
   前記第１の領域内で前記第１の表面に載る少なくとも１つの超小型電子素子と、
   前記第２の領域内で前記基板の前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも一方の表面において露出する導電性素子であって、該導電性素子の少なくとも幾つかは、前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気接続される、導電性素子と、
   縁部表面を画定し、前記導電性素子のそれぞれの導電性素子にボンディングされたベースを有するワイヤボンドであって、前記ベースは、前記導電性素子に沿って延在する前記縁部表面の第１の部分を、該第１の部分に対して２５度と９０度との間の角度にある前記縁部表面のそれぞれの第２の部分とともに含み、該ワイヤボンドは、前記基板から遠隔でかつ前記ベースから遠隔の端部を更に有する、ワイヤボンドと、
   前記第１の表面又は前記第２の表面の少なくとも一方の表面から延在し、前記ワイヤボンドの所定部分を被覆する誘電体封止層であって、それにより、前記誘電体封止層は前記ワイヤボンドの被覆部分が該封止層によって互いから分離され、前記封止層は、少なくとも前記基板の前記第２の領域に載り、前記ワイヤボンドの非封入部分が、前記封止層によって被覆されない前記ワイヤボンドの部分によって画定され、前記非封入部分は前記端部を含み、前記導電性素子は、前記複数の導電性素子のそれぞれの隣接する導電性素子間の第１の最小ピッチを有するパターンで所定の位置に配設され、前記非封入部分は、前記複数のワイヤボンドの隣接するワイヤボンドのそれぞれの端部間の第２の最小ピッチを有するパターンで所定位置に配設され、前記第２のピッチは前記第１のピッチより大きい、誘電体封止層と
   を備える、超小型電子パッケージ。
2. 前記角度は８０度と９０度との間である、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
3. 請求項１に記載の超小型電子パッケージであって、前記導電性素子は第１の導電性素子であり、該超小型電子パッケージは、前記ワイヤボンドの前記非封入部分に電気接続された複数の第２の導電性素子を更に備え、前記第２の導電性素子は、前記第１の導電性素子に接触しない、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
4. 前記ワイヤボンドの少なくとも１つのワイヤボンドの端部は、前記ワイヤボンドのベースから前記基板の前記第１の表面に平行な方向に、前記導電性素子間の最小ピッチと１００ミクロンとの少なくとも一方に等しい距離だけ変位され、前記ワイヤボンドの少なくとも１つのワイヤボンドは、該ワイヤボンドの前記ベースと該ワイヤボンドの前記非封入部分との間に少なくとも１つの屈曲部を含み、前記少なくとも１つのワイヤボンドの前記屈曲部は、前記ワイヤボンドの前記ベース及び前記ワイヤボンドの前記非封入部分から遠隔にある、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
5. 前記屈曲部の半径は、前記少なくとも１つのワイヤボンドの円柱部分の直径の１２倍より大きい、請求項４に記載の超小型電子パッケージ。
6. 前記屈曲部の前記半径は、前記少なくとも１つのワイヤボンドの円柱部分の直径の１０倍より小さい、請求項４に記載の超小型電子パッケージ。
7. 前記少なくとも１つのワイヤボンドの前記非封入部分は、前記基板の前記第１の表面に対して垂直から２５度以内の方向に、前記封止層の上に突出する、請求項４に記載の超小型電子パッケージ。
8. 請求項１に記載の超小型電子パッケージであって、前記少なくとも１つの超小型電子素子は、前記第１の領域内で前記第１の表面に載る第１の超小型電子素子及び第２の超小型電子素子を含み、前記導電性素子の少なくとも幾つかは、前記第１の超小型電子素子に接続され、少なくとも幾つかの導電性素子は、前記第２の超小型電子素子に接続され、前記第１の超小型電子素子及び前記第２の超小型電子素子は、該超小型電子パッケージ内で互いに電気接続される、請求項１に記載の超小型電子パッケージ。
9. 第１の領域及び第２の領域を有する基板であって、第１の表面及び該第１の表面から遠隔の第２の表面を有する、基板と、
   前記第１の領域内で前記第１の表面に載る少なくとも１つの超小型電子素子と、
   前記第２の領域内で前記基板の前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも一方の表面において露出する導電性素子であって、該導電性素子の少なくとも幾つかは、前記少なくとも１つの超小型電子素子に電気接続される、導電性素子と、
   前記導電性素子の少なくとも幾つかの導電性素子に接合されたボールボンドと、
   縁部表面を画定し、前記少なくとも幾つかの導電性素子の頂上で前記ボールボンドにボンディングされたベースを有するワイヤボンドであって、前記ベースは、前記導電性素子にわたって延在する前記縁部表面の第１の部分を、該第１の部分に対して２５度と９０度との間の角度にある前記縁部表面のそれぞれの第２の部分とともに含み、該ワイヤボンドは、前記基板から遠隔でかつ前記ベースから遠隔の端部を更に有する、ワイヤボンドと、
   前記第１の表面又は前記第２の表面の少なくとも一方の表面から延在し、前記ワイヤボンドの所定部分を被覆する誘電体封止層であって、それにより、前記誘電体封止層は前記ワイヤボンドの被覆部分が該封止層によって互いから分離され、前記封止層は、少なくとも前記基板の前記第２の領域に載り、前記ワイヤボンドの非封入部分が、前記封止層によって被覆されない前記ワイヤボンドの部分によって画定され、前記非封入部分は前記端部を含む、誘電体封止層と
   を備える、超小型電子パッケージ。
10. 請求項１に記載され、前記基板の前記第２の表面において露出した複数の端子と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の方向に延在する周辺縁部とを更に含む第１の超小型電子パッケージと、
    第２の超小型電子パッケージであって、基板であって、該基板上にコンタクトを有する、基板と、前記コンタクトに電気接続された第２の超小型電子素子と、前記基板の表面において露出し、前記コンタクトを通して前記第２の超小型電子素子に電気接続される端子とを含み、前記第２の超小型電子素子の前記端子は、前記ワイヤボンドのそれぞれの非封入部分に面し電気接続される、第２の超小型電子パッケージと、
    回路パネルであって、第１の表面及び該回路パネルの前記表面において露出するパネルコンタクトを含み、前記第１の超小型電子パッケージは、前記回路パネルに載り、前記回路パネルの前記パネルコンタクトに接合した前記第１の超小型電子パッケージの前記端子を有する、回路パネルと、
    モノリシックアンダーフィルであって、前記モノリシックアンダーフィルは、前記第１の超小型電子パッケージの周辺縁部の少なくとも１つに載り、前記第１の超小型電子パッケージの前記端子と前記回路パネルの前記パネルコンタクトとの間の接合部を囲む空間内に配設され、前記第２の超小型電子パッケージの前記端子と前記第１の超小型電子パッケージの前記端子との間の接合部を囲む空間内に配設される、モノリシックアンダーフィルと
    を備える、超小型電子アセンブリ。