JP2004221257A - ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 - Google Patents

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wire
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electrode
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Hitoshi Nosaka
仁志 野坂
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Seiko Epson Corp
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Abstract

【課題】信頼性の高いワイヤボンディングを行うことにある。
【解決手段】ワイヤボンディング方法は、（ａ）第１のツール１０の第１の穴１２に挿通されるワイヤ３０の、第１の穴１２の外側に突出する先端部３２に、第１の穴１２の開口端部１４を押し付けることによって、ワイヤ３０の先端部３２を第１の電極４０にボンディングすること、（ｂ）ワイヤ３０の第１の電極４０から引き出される部分の一部３３を、第２の電極４２にボンディングすること、を含む。第１のツール１０は、第２のツール２０の第２の穴２２に挿通されている。第２の穴２２の開口端部２４の幅は、第１の穴１２の開口端部１４の幅よりも大きく形成されている。（ｂ）工程は、ワイヤ３０の一部３３に、第２の穴２２の開口端部２４を押し付けることによって行う。
【選択図】 図５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体装置の製造で行われるワイヤボンディング工程では、半導体チップのパッドとパッケージのリードをワイヤで接続する。この工程では、キャピラリの先端から外側に引き出されたワイヤの先端部をパッドにボンディングし、ワイヤをパッドから引き出して、その一部をリードにボンディングする。最近では、半導体装置の小型化及び高集積化によって、半導体チップのパッドの微細化及び狭ピッチが進み、ワイヤ同士の接触防止のために、キャピラリの先端部の小径化を図ることで対応していた。
【０００３】
しかし、キャピラリの先端部の小径化が進むと、ワイヤをリードにボンディング（セカンドボンディング）するときに、キャピラリの先端部とワイヤとの接触面積が減少し、ワイヤがリードに十分に接合されず、ボンディング不良が発生する場合があった。
【０００４】
本発明の目的は、信頼性の高いワイヤボンディングを行うことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るワイヤボンディング方法は、（ａ）第１のツールの第１の穴に挿通されるワイヤの、前記第１の穴の外側に突出する先端部に、前記第１の穴の開口端部を押し付けることによって、前記ワイヤの先端部を第１の電極にボンディングすること、（ｂ）前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部を、第２の電極にボンディングすること、を含み、前記第１のツールは、第２のツールの第２の穴に挿通され、前記第２の穴の開口端部の幅は、前記第１の穴の開口端部の幅よりも大きく形成され、前記（ｂ）工程を、前記ワイヤの一部に、前記第２の穴の開口端部を押し付けることによって行う。
本発明によれば、ワイヤの先端部を第１のツールによって第１の電極にボンディングし、ワイヤの第１の電極から引き出される部分の一部を、第２のツールによって第２の電極ボンディングする。第２のツールにおける第２の穴の開口端部の幅は、第１のツールにおける第１の穴の開口端部の幅よりも大きくなっている。
したがって、ワイヤの押圧面積を十分に確保することができ、ワイヤが確実に第２の電極に接合され、ボンディング不良をなくすことができる。
（２）本発明に係るワイヤボンディング方法は、（ａ）第１のツールの第１の穴に挿通されるワイヤの、前記第１の穴の外側に突出する先端部に、前記第１の穴の開口端部を押し付けることによって、前記ワイヤの先端部を第１の電極にボンディングすること、（ｂ）前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部を、第２の電極にボンディングすること、を含み、前記第１のツールは、第２のツールの第２の穴に挿通され、前記（ｂ）工程を、前記ワイヤの一部に、前記第１の穴の開口端部及び前記第２の穴の開口端部を押し付けることによって行う。本発明によれば、ワイヤの先端部を第１のツールによって第１の電極にボンディングし、ワイヤの第１の電極から引き出される部分の一部を、第１及び第２のツールによって第２の電極ボンディングする。したがって、ワイヤの押圧面積を十分に確保することができ、ワイヤが確実に第２の電極に接合され、ボンディング不良をなくすことができる。
（３）このワイヤボンディング方法において、前記（ｂ）工程後に、（ｃ）前記ワイヤを切断することをさらに含んでもよい。
（４）このワイヤボンディング方法において、前記（ｃ）工程で、前記第２の穴の開口端部付近で、前記ワイヤを切断してもよい。
（５）このワイヤボンディング方法において、前記（ｃ）工程を、前記第１の穴の開口端部を前記第２の穴の開口端部よりも上方に配置して、前記ワイヤが前記第１の穴から前記第２の穴の開口端部付近に至るように引き出されている状態で行ってもよい。これによれば、第１の穴の外側にワイヤが突出している状態で切断工程を行うので、ワイヤの先端部を第１の穴の外側に送り出す操作を省略することができる。
（６）このワイヤボンディング方法において、前記第２の穴の開口端部には、先細るようにテーパが付されていてもよい。これによって、第２の穴の開口端部付近で、ワイヤを容易に切断することができる。
（７）このワイヤボンディング方法において、前記（ｃ）工程で、前記第１の穴の開口端部付近で、前記ワイヤを切断してもよい。
（８）このワイヤボンディング方法において、前記（ｃ）工程後に、前記ワイヤの先端部が前記第１の穴の外側に突出するように、前記ワイヤを送り出すことをさらに含んでもよい。
（９）このワイヤボンディング方法において、前記第１の穴の開口端部及び前記第２の穴の開口端部は、同一の高さに揃えられたときに、連続する平らな面になっていてもよい。これによって、ワイヤの押圧面積をより十分に確保することができる。
（１０）このワイヤボンディング方法において、前記第１の電極は、半導体チップのパッドであり、前記第２の電極は、半導体装置のパッケージのリードであってもよい。
（１１）本発明に係るワイヤボンディング装置は、第１及び第２の電極にワイヤをボンディングするための第１及び第２のツールを含み、前記第１のツールは、前記ワイヤが挿通される第１の穴と、前記ワイヤの前記第１の穴の外側に突出する先端部に押し付けられる前記第１の穴の開口端部とを含み、前記第２のツールは、前記第１のツールが挿通される第２の穴と、前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部に押し付けられる前記第２の穴の開口端部とを含み、前記第２の穴の開口端部の幅は、前記第１の穴の開口端部の幅よりも大きい。
本発明によれば、第２のツールにおける第２の穴の開口端部の幅は、第１のツールにおける第１の穴の開口端部の幅よりも大きくなっている。したがって、ワイヤの押圧面積を十分に確保することができ、ワイヤが確実に第２の電極に接合され、ボンディング不良をなくすことができる。
（１２）本発明に係るワイヤボンディング装置は、第１及び第２の電極にワイヤをボンディングするための第１及び第２のツールを含み、前記第１のツールは、前記ワイヤが挿通される第１の穴と、前記ワイヤの前記第１の穴の外側に突出する先端部に押し付けられる前記第１の穴の開口端部とを含み、前記第２のツールは、前記第１のツールが挿通される第２の穴と、前記第２の穴の開口端部とを含み、前記第１の穴の開口端部及び前記第２の穴の開口端部は、前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部に押し付けられる。
本発明によれば、第１の穴の開口端部及び第２の穴の開口端部が、ワイヤの第１の電極から引き出される部分の一部に押し付けられる。したがって、ワイヤの押圧面積を十分に確保することができ、ワイヤが確実に第２の電極に接合され、ボンディング不良をなくすことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。図１及び図２は、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置を説明する図である。半導体装置を製造する場合、ワイヤボンディング装置は半導体装置の製造装置である。ワイヤボンディング装置は、ボールボンディング（又はネイルヘッドボンディング）を行うためのものである。
【０００７】
ワイヤボンディング装置は、第１及び第２のツール（例えば第１及び第２のキャピラリ）１０，２０を含む。例えば、ワイヤボンディング装置は、ワーク（例えば半導体装置）の供給部、搬送部及び収納部と、ボンディングヘッド部と、ボンディングヘッド部が載るテーブルと、を含み、第１及び第２のツール１０，２０は、ボンディングヘッド部のホルダ（支持部材１６，２６）に取り付けられ、テーブル及びホルダの動作制御によって、３次元的に移動可能になっている。
【０００８】
図１に示すように、第１のツール１０は、ワイヤ３０が挿通される第１の穴（例えば丸穴）１２を有する。第１の穴１２は、ワイヤ３０のガイド部となる。図２の横断面図に示すように、第１の穴１２は閉じた穴であってもよい。第１の穴１２の直径（又は幅）は、ワイヤ３０の直径よりも大きくなっており、ワイヤ３０は第１の穴１２の内側を通過できるようになっている。
【０００９】
第１の穴１２におけるワーク側の開口端部１４は、ワイヤ３０を押圧する部分である。詳しくは、第１の穴１２の開口端部１４は、第１の穴１２の外側に突出するワイヤ３０の先端部３２（例えばボール部）を押圧する（図４参照）。第１の穴１２の開口端部１４は、いわゆるファーストボンディング工程で使用される。第１の穴１２の開口端部１４は、一定の幅を有し、リング状（例えば丸リング状）に形成されている。
【００１０】
第１のツール１０は、支持部材１６によって支持されている。第１のツール１０に超音波振動を加える場合、支持部材１６は、超音波振動を拡大して伝達する超音波ホーンである。支持部材１６には、第１のツール１０の第１の穴１２に連通する穴１８が形成され、穴１８内にワイヤ３０が挿通される。図１に示す例では、第１のツール１０の先端部（ワーク側の端部）は、基端部（支持部材１８側の端部）よりも細くなっている。すなわち、第１のツール１２の先端部は、基端部よりも直径（又は幅）が小さい。第１のツール１０は、ボトルネックタイプのツールであってもよい。こうすることで、第１のツール１０をワークに接近させたときに、横方向の接触（例えば隣のワイヤとの接触）を防止することができる。
【００１１】
図１に示すように、第２のツール２０は、第１のツール１０が挿通される第２の穴（例えば丸穴）２２を有する。すなわち、第１及び第２のツール１０，２０は、第２のツール２０の内側に第１のツール１０が重ねられる２重構造になっている。第２の穴２２は、ワイヤ３０及び第１のツール１０のガイド部となる。図２に示すように、第２の穴２２は閉じた穴であってもよい。第２のツール２２の直径（又は幅）は、第１のツール１０の直径（又は幅）よりも大きくなっており、第１のツール１０の少なくとも一部が第２の穴２２の外側に突出できるようになっている。なお、第１のツール１０の全長（高さ方向の長さ）は、第２のツール２０の全長よりも大きい。
【００１２】
第２の穴２２におけるワーク側の開口端部２４は、ワイヤ３０を押圧する部分である。詳しくは、第２の穴２２の開口端部２４は、ワイヤ３０における第２の穴２２の外側に横方向に引き出される部分の一部を押圧する（図５参照）。第２の穴２２の開口端部２４は、いわゆるセカンドボンディング工程で使用される。第２の穴２２の開口端部２４は、一定の幅を有し、リング状（例えば丸リング状）に形成されている。本実施の形態では、第２の穴２２の開口端部２４の幅は、第１の穴１２の開口端部１４の幅よりも大きくなっている。
【００１３】
第２のツール２０は、支持部材２６によって支持されている。支持部材２６は、上述の超音波ホーンであってもよい。支持部材２６には、第２のツール２０の第２の穴２２に連通する穴２８が形成され、穴２８内に第１のツール１０が挿通される。図１に示すように、第２のツール２０の先端部（ワーク側の端部）は、基端部（支持部材２８側の端部）よりも細くなっていてもよい。
【００１４】
図１に示すように、ワイヤボンディング装置は、クランパ３４及びエアテンション３６を含む。クランパ３４は、第１及び第２のツール１０，２０の上方に設けられ、ワイヤ３０の保持及び供給のために、ワイヤ３０を掴んだり離したりする。エアテンション３６は、クランパ３４の上方に設けられ、ワイヤ３０のループ及びボンディングを安定させるために、ワイヤ３０に張力を加える。
【００１５】
図３〜図７は、本実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明する図である。図８は、その変形例を説明する図である。本実施の形態に係るワイヤボンディング方法は、上述のワイヤボンディング装置を使用して行う。本実施の形態の例に示すように、ワイヤ３０を半導体チップ４４のパッド（第１の電極４０）にボンディングする場合、本実施の形態に係るワイヤボンディング方法を適用して、半導体装置を製造することができる。
【００１６】
まず、第１及び第２の電極４０，４２を有するワークを用意する。図３に示す例では、ワークは、半導体装置である。例えば、第１の電極４０を有する半導体チップ４４と、第２の電極４２を有する基板４６と、を用意する。
【００１７】
半導体チップ４４は、半導体基板に集積回路が形成されたものである。あるいは、基板（半導体基板に限らない）に集積回路が形成される集積回路チップを用意してもよい。その場合、ワークは集積回路装置である。第１の電極４０は、半導体チップ４４の表面に形成されるパッド（例えばアルミパッド）であってもよい。複数のパッドが形成されてもよく、複数のパッドは、半導体チップ４４の少なくとも１辺（対向する２辺又は４辺）に沿って配列されてもよい。半導体チップ４４の表面には、パッドを避けて、パッシベーション膜（ＳｉＯ２、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂）が形成されている。
【００１８】
基板４６は、リード（配線）が形成された配線基板である。基板４６は、半導体装置のパッケージであり、インターポーザと呼ばれる。あるいは、基板の代わりに、リードフレームを用意してもよい。リードフレームには、複数のリードが支持されており、例えば、インナーリード（第２の電極）にワイヤ３０がボンディングされる。第２の電極４２は、基板４６の表面に形成されるリードであってもよい。詳しくは、リードは端子部（基板４６の場合には例えばランド）を有し、リードの端子部が第２の電極４２となる。リードの端子部は、半導体チップ４４の周囲に配置される。
【００１９】
図３に示すように、半導体チップ４４の第１の電極４０の形成された面側に、ワイヤ３０を配置する。ワイヤ３０は、半導体チップ４４の表面に、ほぼ垂直に立ち上がるように配置する。そして、ワイヤ３０の第１の穴１２の外側に突出する先端部３２を、ボール状に加工する。例えば、トーチ３８を接近させて高電圧の放電を行い、ワイヤ３０の先端部３２を溶融させてもよい。先端部３２の直径は、第１の穴１２の直径よりも大きくなる。ワイヤ３０の先端部３２は、第２の穴２２の外側で加工する。すなわち、第１のツール１０の先端部（第１の穴１２の開口端部１４）は、第２のツール２０の第２の穴２２の外側に突出してもよいし、あるいは、図３に示すように、第２のツール２０の先端部と同じ高さに配置されていてもよい。
【００２０】
図４に示すように、第１のツール１０を下降させ、第１の穴１２の開口端部１４をワイヤ３０の先端部３２に押し付ける。第１のツール１０の先端部は、第２のツール２０の第２の穴２２の外側に突出している。ワイヤ３０の先端部３２を一定の圧力で押し付けて、第１の電極４０に圧着している間に、超音波振動や熱などを加える。こうして、ワイヤ３０の先端部３２を、第１の電極４０にボンディングする。このボンディングでは、小径の第１のツール１０のみが第１の電極４０に接近し、大径の第２のツール２０は上方で待機しているので、すでにボンディングが終了した隣のワイヤへの接触を回避することができる。
【００２１】
図５に示すように、ワイヤ３０を、その先端部３２を第１の電極４０に接続させた状態で、第２の電極４２の方向に引き出す。例えば、第１のツール１０の先端部を第２の穴２２の外側に突出した状態で、第１及び第２のツール１０，２０を移動させ、ワイヤ３０のループ形状を形成する。そして、ワイヤ３０を第２の電極４２の上方に配置し、第２のツール４０を下降させ、第２の穴２２の開口端部２４をワイヤ３０の所定部分３３に押し付ける。第１のツール１０は、第２の穴２２内に配置されている。この場合も、ワイヤ３０の所定部分３３を第２の電極４２に圧着している間に、超音波振動や熱などを加える。こうして、ワイヤ３０を第２の電極４２にボンディングする。このボンディングでは、幅の大きい第２の穴２２の開口端部２４を使用するので、ワイヤ３０のクレセント面積（押し潰された部分の面積）を大きくすることができる。したがって、ワイヤ３０の所定部分３３を、第２の電極４２に確実に圧着することができる。
【００２２】
図７は、図５に示す工程の部分拡大図である。図７に示すように、第２の穴２２の開口端部２４には、先細るようにテーパ２５が付されてもよい。こうすることで、第２の穴２２の開口端部２４がワイヤ３０の所定部分３３に深く入り込み、後の切断工程において、ワイヤ３０が第２の穴２２の開口端部２４付近で切断されやすくなる。すなわち、ワイヤ３０の切断位置が安定する。なお、第１のツール１０の第１の穴１２の開口端部１４にも、先細るようにテーパ１５が付されてもよい。
【００２３】
次に、ワイヤ３０を切断する。図６に示す例では、第２の穴２２の開口端部２４付近で、ワイヤ３０を切断する。まず、第２の穴２２の開口端部２４をワイヤ３０に押し付けた状態で、図５に示すように第１のツール１０を上昇させる。言い換えれば、第１の穴１２の開口端部１４を、第２の穴２２の開口端部２４の上方に配置する。これによって、ワイヤ３０を、第１の穴１２から第２の穴２２の開口端部２４付近に至るように引き出す。その後、クランパ３４でワイヤ３０を掴み、第１のツール１０のみをさらに上昇させる。こうして、ワイヤ３０を第２の穴２２の開口端部２４付近（例えば開口端部２４の内周）で引きちぎる。これによれば、ワイヤ３０が第１の穴１２の外側に突出している状態で切断工程を行うので、ワイヤ３０を第１の穴１２の外側に送り出す操作を省略することができる。
【００２４】
その後、ワイヤ３０における第１の穴１２の外側に突出する先端部３２を、第２の穴２２の外側に配置するとともに、ボール状に加工し、上述の工程を繰り返し行う。ワイヤボンディングする１対の第１及び第２の電極４０，４２が複数ある場合には、以上の工程をそれぞれに対して繰り返し行う。
【００２５】
本実施の形態によれば、ワイヤ３０の先端部３２を第１のツール１０によって第１の電極４０にボンディングし、ワイヤ３０の第１の電極４０から引き出される部分の一部（所定部分３３）を、第２のツール２０によって第２の電極４２にボンディングする。第２のツール２０における第２の穴２２の開口端部２４の幅は、第１のツール１０における第１の穴１２の開口端部１４の幅よりも大きくなっている。したがって、ワイヤ３０の押圧面積を十分に確保することができ、ワイヤ３０が確実に第２の電極４２に接合され、ボンディング不良をなくすことができる。
【００２６】
図８の変形例に示すように、ワイヤ３０の所定部分３３に、第１の穴１２の開口端部１１４及び第２の穴２２の開口端部１２４の両方を押し付けることによって、ワイヤ３０を第２の電極４２にボンディングしてもよい。その場合、第１の穴１２の開口端部１１４及び第２の穴２２の開口端部１２４は、ほぼ同じ高さに揃えられ、連続する平らな面になっていることが好ましい。第１の穴１２の開口端部１１４及び第２の穴２２の開口端部１２４は、それぞれ平らな面になっている。また、図８に示すように、第１の穴１２の開口端部１１４と第２の穴２２の開口端部１２４との間は、隙間を設けないことが好ましい。これによって、ワイヤ３０の押圧面積をより十分に確保することができる。
【００２７】
本変形例では、ワイヤ３０の切断工程では、第１の穴１２の開口端部１１４付近でワイヤ３０を切断する。すなわち、第１の穴１２の開口端部１１４及び第２の穴２２の開口端部１２４の両方でワイヤ３０を押し付けた状態で、クランパ３４でワイヤ３０を掴み、クランパ３４のみを上昇させる。こうして、ワイヤ３０を第１の穴１２の開口端部１１４付近（例えば開口端部１１４の内周）で引きちぎる。その後、次のボンディング工程を行うために、第１の穴１２の外側にワイヤ３０を送り出す工程を行う。例えば、クランパ３４でワイヤ３０を掴み、クランパ３４及び第１のツール１０の相対的距離を小さくすることで、第１の穴１２の外側にワイヤ３０の先端部３２を突出させてもよい。
【００２８】
本変形例においても上述と同様の効果を達成することができる。また、本変形例に係るワイヤボンディング装置については説明した通りであるので省略する。
【００２９】
本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を適用して製造された半導体装置の例として、図９にはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置２００が示され、図１０にはＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置３００が示されている。それらの構成は周知であるので、説明は省略する。
【００３０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング装置を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング装置を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態の変形例に係るワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１のツール、１２ 第１の穴、１４ 開口端部、
２０ 第２のツール、２２ 第２の穴、２４ 開口端部
３０ ワイヤ、３２ 先端部、４０ 第１の電極、４２ 第２の電極

Claims (12)

  1. （ａ）第１のツールの第１の穴に挿通されるワイヤの、前記第１の穴の外側に突出する先端部に、前記第１の穴の開口端部を押し付けることによって、前記ワイヤの先端部を第１の電極にボンディングすること、
    （ｂ）前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部を、第２の電極にボンディングすること、を含み、
    前記第１のツールは、第２のツールの第２の穴に挿通され、
    前記第２の穴の開口端部の幅は、前記第１の穴の開口端部の幅よりも大きく形成され、
    前記（ｂ）工程を、前記ワイヤの一部に、前記第２の穴の開口端部を押し付けることによって行うワイヤボンディング方法。
  2. （ａ）第１のツールの第１の穴に挿通されるワイヤの、前記第１の穴の外側に突出する先端部に、前記第１の穴の開口端部を押し付けることによって、前記ワイヤの先端部を第１の電極にボンディングすること、
    （ｂ）前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部を、第２の電極にボンディングすること、を含み、
    前記第１のツールは、第２のツールの第２の穴に挿通され、
    前記（ｂ）工程を、前記ワイヤの一部に、前記第１の穴の開口端部及び前記第２の穴の開口端部を押し付けることによって行うワイヤボンディング方法。
  3. 請求項１又は請求項２に記載のワイヤボンディング方法において、
    前記（ｂ）工程後に、（ｃ）前記ワイヤを切断することをさらに含むワイヤボンディング方法。
  4. 請求項１を引用する請求項３記載のワイヤボンディング方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記第２の穴の開口端部付近で、前記ワイヤを切断するワイヤボンディング方法。
  5. 請求項４記載のワイヤボンディング方法において、
    前記（ｃ）工程を、前記第１の穴の開口端部を前記第２の穴の開口端部よりも上方に配置して、前記ワイヤが前記第１の穴から前記第２の穴の開口端部付近に至るように引き出されている状態で行うワイヤボンディング方法。
  6. 請求項４又は請求項５に記載のワイヤボンディング方法において、
    前記第２の穴の開口端部には、先細るようにテーパが付されているワイヤボンディング方法。
  7. 請求項２を引用する請求項３記載のワイヤボンディング方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記第１の穴の開口端部付近で、前記ワイヤを切断するワイヤボンディング方法。
  8. 請求項７記載のワイヤボンディング方法において、
    前記（ｃ）工程後に、前記ワイヤの先端部が前記第１の穴の外側に突出するように、前記ワイヤを送り出すことをさらに含むワイヤボンディング方法。
  9. 請求項７又は請求項８に記載のワイヤボンディング方法において、
    前記第１の穴の開口端部及び前記第２の穴の開口端部は、同一の高さに揃えられたときに、連続する平らな面になっているワイヤボンディング方法。
  10. 請求項１から請求項９のいずれかに記載のワイヤボンディング方法において、
    前記第１の電極は、半導体チップのパッドであり、
    前記第２の電極は、半導体装置のパッケージのリードであるワイヤボンディング方法。
  11. 第１及び第２の電極にワイヤをボンディングするための第１及び第２のツールを含み、
    前記第１のツールは、前記ワイヤが挿通される第１の穴と、前記ワイヤの前記第１の穴の外側に突出する先端部に押し付けられる前記第１の穴の開口端部とを含み、
    前記第２のツールは、前記第１のツールが挿通される第２の穴と、前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部に押し付けられる前記第２の穴の開口端部とを含み、
    前記第２の穴の開口端部の幅は、前記第１の穴の開口端部の幅よりも大きいワイヤボンディング装置。
  12. 第１及び第２の電極にワイヤをボンディングするための第１及び第２のツールを含み、
    前記第１のツールは、前記ワイヤが挿通される第１の穴と、前記ワイヤの前記第１の穴の外側に突出する先端部に押し付けられる前記第１の穴の開口端部とを含み、
    前記第２のツールは、前記第１のツールが挿通される第２の穴と、前記第２の穴の開口端部とを含み、
    前記第１の穴の開口端部及び前記第２の穴の開口端部は、前記ワイヤの前記第１の電極から引き出される部分の一部に押し付けられるワイヤボンディング装置。
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