JP3400279B2 - バンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
電極上にバンプを形成する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ワイヤボンディング装置を利用し
て半導体デバイスの電極上にバンプを形成することが行
われている。かかるバンプ形成方法においては、ワイヤ
切断位置を安定させることが重要である。その方法には
種々の方法が提案されているが、それぞれ一長一短を有
している。ワイヤ切断位置の安定化が確実に図れる方法
として、例えば特公平６−９５５１９号公報に示すもの
が挙げられる。 【０００３】この方法を図２により説明する。図２
（ａ）に示すように、クランパ３が閉じた状態で、キャ
ピラリ４に挿通されたワイヤ５の先端に放電によってボ
ール６を形成する。次にクランパ３が開き、図２（ｂ）
に示すように、キャピラリ４を下降させてボール６を半
導体デバイス１の電極２上に押し付ける。次に図２
（ｃ）に示すようにキャピラリ４が上昇する。続いて鋭
利なエッジ部１０を有する切欠き治具１１が前進してボ
ール６の付け根の箇所に切欠き７を形成する。 【０００４】次に切欠き治具１１が後退すると共に、図
２（ｄ）に示すように、クランパ３が閉じてワイヤ５を
クランプし、クランパ３及びキャピラリ４が上昇する。
これにより、ワイヤ５は切欠き７の箇所から切断され、
電極２上にバンプ８が形成される。次に図２（ｅ）に示
すように、加圧体１２が水平に進入し、続いて図２
（ｆ）に示すように下降してバンプ８を所定の圧力で加
圧する。これにより、図２（ｇ）に示すように、バンプ
８は加圧体１２によって上面が平坦部９に形成される。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、片側
から切欠き治具１１で切欠き７を付加するので、切欠き
７の上方部分のワイヤ５が変形し易い。またワイヤ切断
後のバンプ８の平坦部９成形のために、加圧体１２の進
入、その後に下降させる動作時間を必要とし、また加圧
体１２の駆動のために装置が複雑化する。 【０００６】本発明の課題は、ワイヤ切断後のワイヤ変
形がなく、また装置の簡素化及びバンプ形成時間の短縮
化が図れるバンプ形成方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の手段は、キャピラリに挿通されたワイヤの先
端にボールを形成し、このボールを半導体デバイスの電
極に押し付け、その後キャピラリを上昇させ、次にボー
ルの付け根を両側から一対のカッターで切断して前記電
極上にバンプを形成した後、カッターの下面でバンプの
上面を加圧して平坦部を形成することを特徴とする。 【０００８】 【０００９】 【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１によ
り説明する。図１（ａ）に示すように、クランパ３が閉
じた状態で、キャピラリ４に挿通されたワイヤ５の先端
に放電によってボール６を形成する。次にクランパ３が
開き、図１（ｂ）に示すように、キャピラリ４を下降さ
せてボール６を半導体デバイス１の電極２上に押し付け
る。次に図１（ｃ）に示すようにキャピラリ４が上昇す
る。以上は従来と同様である。 【００１０】次に図１（ｄ）に示すように、相対向して
配設された一対のカッター２０が閉じ、ボール６の付け
根を切断する。続いて図１（ｅ）に示すように、クラン
パ３が閉じてワイヤ５をクランプし、クランパ３及びキ
ャピラリ４が上昇する。これにより、電極２上にバンプ
８が形成される。次に図１（ｆ）に示すように、一対の
カッター２０は閉じたまま下降し、バンプ８を所定の圧
力で加圧する。これにより、図１（ｇ）に示すように、
バンプ８はカッター２０の下面によって上面が平坦部９
に形成される。 【００１１】このように、ボール６の付け根を両側から
一対のカッター２０で切断するので、ワイヤ５が変形す
ることがない。またカッター２０でワイヤ５を切断後、
カッター２０を下降させる動作のみで平坦部９を形成す
るので、装置の簡素化及びバンプ形成時間の短縮化が図
れる。 【００１２】なお、上記実施の形態においては、カッタ
ー２０でワイヤ５を切断後、カッター２０を下降させた
が、カッター２０で切断した状態のバンプ８は殆ど平ら
であるので、カッター２０を下降させなくてもよい。し
かし、本実施の形態のようにカッター２０を下降させた
方が、バンプ８の上面の位置が安定し、またより良い平
坦部９となるので好ましい。 【００１３】 【発明の効果】本発明によれば、ボールの付け根を両側
から一対のカッターで切断して電極上にバンプを形成し
た後、カッターの下面でバンプの上面を加圧して平坦部
を形成するので、ワイヤ切断後のワイヤ変形がなく、ま
た装置の簡素化及びバンプ形成時間の短縮化が図れる。
【図面の簡単な説明】 【図１】本発明のバンプ形成方法の一実施の形態を示す
動作説明図である。 【図２】従来のバンプ形成方法を示す動作説明図であ
る。 【符号の説明】 １ 半導体デバイス ２ 電極 ４ キャピラリ ５ ワイヤ ６ ボール ８ バンプ ９ 平坦部 ２０ カッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−152142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−154648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−117449（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−152303（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 キャピラリに挿通されたワイヤの先端に
    ボールを形成し、このボールを半導体デバイスの電極に
    押し付け、その後キャピラリを上昇させ、次にボールの
    付け根を両側から一対のカッターで切断して前記電極上
    にバンプを形成した後、カッターの下面でバンプの上面
    を加圧して平坦部を形成することを特徴とするバンプ形
    成方法。
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