JP2007073701A - アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ - Google Patents
アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007073701A JP2007073701A JP2005258270A JP2005258270A JP2007073701A JP 2007073701 A JP2007073701 A JP 2007073701A JP 2005258270 A JP2005258270 A JP 2005258270A JP 2005258270 A JP2005258270 A JP 2005258270A JP 2007073701 A JP2007073701 A JP 2007073701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating film
- semiconductor layer
- amorphous
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 146
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 30
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 In-M-Znを含み(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とし、その抵抗値が1011Ω・cm以上であるアモルファス酸化物絶縁膜を、ゲート絶縁膜3として用いる、もしくは抵抗層として半導体層とゲート絶縁膜との間に用いる。チャネルを構成する半導体層としてIn−M−Znを含み(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とし、その抵抗値が1010Ω・cm未満であり、アモルファス酸化物絶縁膜のバンドギャップが半導体層のバンドギャップよりも大きい。
【選択図】 図2
Description
このような特定のアモルファス酸化物膜を使用することにより、界面特性の良好な薄膜TFTを安定して作製することが可能となる。
また、本発明は、前記半導体層が前記抵抗層の酸素以外の少なくとも1種の組成を含む酸化物半導体であり、且つ該半導体層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする上記(3)に記載の薄膜トランジスタである。
結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)で表されるアモルファス酸化物膜は、mの値が6未満の場合は、800℃以上の高温まで、アモルファス状態が安定に保たれる。しかし、mの値が大きくなるにつれ、すなわち、InGaO3に対するZnOの比が増大して、ZnO組成に近づくにつれ、結晶化しやすくなる。
(アモルファス酸化物絶縁層とアモルファス酸化物半導体を積層する場合)
図1もしくは図2の構成で半導体層としてIn-M-Zn-O(MはGa,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とするアモルファス酸化物を用いる場合は以下の構成とすることが好ましい。即ち、アモルファス酸化物絶縁層のMで表されるGa,Al,Fe,Sn,Mgのうち少なくとも1種の組成比を半導体層に比べ大きくすることによりバンドギャップを大きくすることが好ましい。例えばインジウム,ガリウム,亜鉛の組成比が1:1:1のアモルファス酸化物半導体膜ではバンドギャップが約3eV程度であるのでGa組成比を十分に大きくすることによりアモルファス酸化物絶縁膜のバンドギャップを約5eVにすることができる。
その抵抗値が1011Ω・cm以上、膜厚が1nm以上200nm以下であるアモルファス酸化物を有し、かつ、該抵抗層のバンドギャップは前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さい薄膜トランジスタについて述べる。
図3に示すアモルファス酸化物抵抗層をゲート絶縁膜と半導体層の間に設ける構造を採ることにより、リーク電流を抑制することができる。即ち、図2の構造ではゲート電極から半導体層へのキャリア注入によりゲートリーク電流が大きくなってしまうこと(半導体層のバンドギャップとゲート絶縁膜のバンドギャップに大きな差が無い場合)を防止することが出来る。
図3に示す構造において、半導体層2が少なくとも抵抗層7であるアモルファス酸化物膜の組成を含む場合、界面における主に酸素欠損にかかわる欠陥生成が抑制される。完全な異種材料の接合に対して、同じ成分が含まれる分、結合状態の違いによる欠陥生成の確率が下がるものと考えられる。また、半導体層と抵抗層が共に酸化物であり抵抗層の酸素欠損が少ないため、半導体層と抵抗層の界面において酸素欠損に係わるキャリア密度の増加を抑え、TFTにおけるオフ電流の増加現象を抑制できる。また、抵抗層のバンドギャップを半導体層のバンドギャップよりも広くすることで、その抵抗値1011Ω・cm以上が容易に実現できる。
(機能分離効果:半導体層がキャリア発生層であり、抵抗層がキャリア輸送層)
図3の構造を用い半導体層と抵抗層にほぼ同等のバンドギャップもしくは抵抗層のバンドギャップが半導体層のバンドギャップと同等もしくは小さくなる様に組み合わせを選ぶことにより、以下の機能を得ることができる。即ち、抵抗層を主にキャリア輸送層として機能させることができる。そして、チャネル層を主にキャリア発生層として機能させることができる。
(MISFET素子の作製)
図1に示す逆スタガ(ボトムゲート)型MISFET素子を作製した。まず、ガラス基板1上にCrを蒸着しフォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子4を形成した。その上にゲート絶縁膜3として用いるアモルファスIn-Ga-Zn-O絶縁膜をスパッタ法により150nm形成した。さらにその上に、半導体層2として用いる厚さ300nmのアモルファスシリコン膜をプラズマCVD法により、基板温度250℃で形成した。Cr/Al積層膜を300nm蒸着し、フォトリゾグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子5及びソース端子6を形成した。
(比較例1)
抵抗層7が無いこと以外、実施例4と同様の構成のスタガ(トップゲート)型MISFET素子を作製した。
2 半導体層
3 ゲート絶縁膜
4 ゲート電極(ゲート端子)
5 ドレイン電極(ドレイン端子)
6 ソース電極(ソース端子)
7 抵抗層
Claims (6)
- 少なくとも、基板と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜が、Inと、Znと、Oと、Ga,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種と、を含み、
その抵抗値が1011Ω・cm以上であるアモルファス酸化物絶縁膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層が、Inと、Znと、Oと、Ga,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種とを含み、
その抵抗値が1010Ω・cm未満であるアモルファス酸化物絶縁膜を有し、
該半導体層のバンドギャップが前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 少なくとも、基板と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に抵抗層を有し、
前記抵抗層は、Inと、Znと、Oと、Ga,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種と、を含み、
その抵抗値が1011Ω・cm以上、膜厚が1nm以上200nm以下であるアモルファス酸化物を有し、
かつ、該抵抗層のバンドギャップは前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層が前記抵抗層の酸素以外の少なくとも1種の組成を含む酸化物半導体であり、
且つ該半導体層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層が主にキャリア発生層としての機能を有し、前記抵抗層が主にキャリア輸送層としての機能を有することを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層がInと、Znと、Oと、Ga,Al,Fe,Sn,Mg,Ca,Si,Geのうち少なくとも1種と、を含むアモルファス酸化物膜であり、
その抵抗値が1010Ω・cm未満であることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258270A JP4981283B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258270A JP4981283B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073701A true JP2007073701A (ja) | 2007-03-22 |
JP2007073701A5 JP2007073701A5 (ja) | 2008-10-23 |
JP4981283B2 JP4981283B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=37934902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005258270A Active JP4981283B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4981283B2 (ja) |
Cited By (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183684A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | 株式会社日立製作所 | セラミツクスの接合方法 |
JP2007073312A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法 |
JP2007305658A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Bridgestone Corp | 酸化物トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008270723A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2009081413A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
JP2009141341A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2009141342A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2009188213A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2009212497A (ja) * | 2007-03-27 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2009218562A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | トランジスタ及びその製造方法 |
EP2105967A1 (en) | 2008-03-24 | 2009-09-30 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display |
JP2010028021A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2010067849A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010067954A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2010074061A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2010073881A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010103451A (ja) * | 2007-11-26 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置 |
KR100990217B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2010-10-29 | 한국전자통신연구원 | 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과트랜지스터 및 이의 제조방법 |
JP2010287735A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー |
JP2011054812A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2011146692A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、測定装置、比誘電率の測定方法 |
US8017045B2 (en) | 2008-04-16 | 2011-09-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Composition for oxide semiconductor thin film and field effect transistor using the composition |
JP2011181803A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2011181800A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | Igzo系アモルファス酸化物絶縁膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
US20110227064A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors |
JP2011222989A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2011228693A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228692A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228690A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011243745A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 |
JP2011249691A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 非晶質酸化物薄膜の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
CN102315229A (zh) * | 2010-06-29 | 2012-01-11 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管基板及具备薄膜晶体管基板的显示装置 |
US8143678B2 (en) | 2007-02-09 | 2012-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Thin film transistors having multi-layer channel |
KR101148829B1 (ko) | 2008-10-23 | 2012-05-29 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
WO2012124434A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2012238763A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2013110427A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8461583B2 (en) | 2007-12-25 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
JP2013531383A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-08-01 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 薄膜トランジスタ |
JP2013191856A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101325573B1 (ko) * | 2011-12-15 | 2013-11-05 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 실리콘 및 게르마늄을 함유하는 인듐으로 이루어진 액티브층을 갖는 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
JP2013541226A (ja) * | 2010-10-29 | 2013-11-07 | シーブライト・インコーポレイテッド | 改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
WO2013183726A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
WO2013183733A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
US8680526B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-03-25 | Fujifilm Corporation | Electronic device, method of producing the same, and display device |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2014199930A (ja) * | 2009-01-23 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101465192B1 (ko) * | 2010-04-09 | 2014-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014188893A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101477593B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
JP2015019094A (ja) * | 2008-11-28 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015035610A (ja) * | 2009-09-16 | 2015-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9136390B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9184298B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-11-10 | Kobe Steel, Ltd. | Interconnect structure and sputtering target |
JP2016136629A (ja) * | 2011-01-20 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017050553A (ja) * | 2010-12-03 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017050559A (ja) * | 2010-06-16 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界効果トランジスタ |
JP2017055136A (ja) * | 2010-04-23 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017069578A (ja) * | 2010-08-27 | 2017-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017085080A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP2017103465A (ja) * | 2008-11-13 | 2017-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017107949A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
KR101805190B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2017-12-05 | 후지필름 가부시키가이샤 | 전자 디바이스의 제조 방법, 박막 트랜지스터, 전기 광학 장치 및 센서 |
US9842937B2 (en) | 2010-04-02 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film |
JP2018011077A (ja) * | 2012-08-03 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018050068A (ja) * | 2012-09-14 | 2018-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20190012974A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | 한양대학교 산학협력단 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
JP2019024136A (ja) * | 2010-12-28 | 2019-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20190065996A (ko) * | 2010-06-25 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
JP2019140421A (ja) * | 2010-04-02 | 2019-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20200038324A (ko) * | 2010-03-08 | 2020-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
JP2020174183A (ja) * | 2011-07-08 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021005091A (ja) * | 2007-06-29 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11049977B2 (en) | 2010-12-17 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
JP2021101485A (ja) * | 2011-06-17 | 2021-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2021114618A (ja) * | 2009-12-18 | 2021-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230027057A1 (en) * | 2021-07-09 | 2023-01-26 | Tdk Corporation | Amorphous dielectric, capacitor element, and electronic device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318123A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2005101529A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2005
- 2005-09-06 JP JP2005258270A patent/JP4981283B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318123A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2005101529A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Cited By (183)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183684A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | 株式会社日立製作所 | セラミツクスの接合方法 |
JP2007073312A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法 |
JP2007305658A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Bridgestone Corp | 酸化物トランジスタ及びその製造方法 |
US8143678B2 (en) | 2007-02-09 | 2012-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Thin film transistors having multi-layer channel |
US8558323B2 (en) | 2007-02-09 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd | Thin film transistors having multi-layer channel |
JP2009212497A (ja) * | 2007-03-27 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2008270723A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2022171680A (ja) * | 2007-06-29 | 2022-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021005091A (ja) * | 2007-06-29 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021165839A (ja) * | 2007-06-29 | 2021-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7293473B2 (ja) | 2007-06-29 | 2023-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2009081413A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
JP2009141341A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2009141342A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010103451A (ja) * | 2007-11-26 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置 |
US8723175B2 (en) | 2007-12-08 | 2014-05-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
US8461583B2 (en) | 2007-12-25 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
US8791457B2 (en) | 2007-12-25 | 2014-07-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
JP2009188213A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
US8669551B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor including insertion layer and channel layer with different work functions and method of manufacturing the same |
JP2009218562A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | トランジスタ及びその製造方法 |
KR101513601B1 (ko) * | 2008-03-07 | 2015-04-21 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 |
US8188480B2 (en) | 2008-03-24 | 2012-05-29 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor and display |
EP2105967A1 (en) | 2008-03-24 | 2009-09-30 | FUJIFILM Corporation | Thin film field effect transistor and display |
KR100990217B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2010-10-29 | 한국전자통신연구원 | 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과트랜지스터 및 이의 제조방법 |
US8017045B2 (en) | 2008-04-16 | 2011-09-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Composition for oxide semiconductor thin film and field effect transistor using the composition |
JP2010028021A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
US8203143B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor |
JP2010067954A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2010067849A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010073881A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP2010074061A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
KR101148829B1 (ko) | 2008-10-23 | 2012-05-29 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 |
KR101477593B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
JP2017103465A (ja) * | 2008-11-13 | 2017-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9722054B2 (en) | 2008-11-28 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019057719A (ja) * | 2008-11-28 | 2019-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015019094A (ja) * | 2008-11-28 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9136390B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2014199930A (ja) * | 2009-01-23 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9997638B2 (en) | 2009-02-27 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2022008359A (ja) * | 2009-02-27 | 2022-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9660102B2 (en) | 2009-02-27 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9064899B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8680526B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-03-25 | Fujifilm Corporation | Electronic device, method of producing the same, and display device |
JP2010287735A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー |
US8299461B2 (en) | 2009-06-11 | 2012-10-30 | Fujifilm Corporation | Thin film transistor, method of producing the same, electrooptic apparatus, and sensor |
JP2011054812A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2015035610A (ja) * | 2009-09-16 | 2015-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018198339A (ja) * | 2009-12-17 | 2018-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9530893B2 (en) | 2009-12-17 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
JP2011146692A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、測定装置、比誘電率の測定方法 |
US8853683B2 (en) | 2009-12-17 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
JP2021114618A (ja) * | 2009-12-18 | 2021-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7057850B2 (ja) | 2009-12-18 | 2022-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013191856A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8791529B2 (en) | 2010-02-05 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including gate and conductor electrodes |
JP2011181803A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2011181800A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | Igzo系アモルファス酸化物絶縁膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
US10749033B2 (en) | 2010-03-08 | 2020-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR20200038324A (ko) * | 2010-03-08 | 2020-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
KR102220018B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2021-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
JP2011199291A (ja) * | 2010-03-22 | 2011-10-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 |
US20110227064A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors |
US9564531B2 (en) | 2010-03-22 | 2017-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors |
JP2011222989A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014195079A (ja) * | 2010-03-26 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9425295B2 (en) | 2010-03-26 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9941414B2 (en) | 2010-03-26 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide semiconductor device |
US9012908B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with metal oxide film |
JP2011228692A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228693A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9842937B2 (en) | 2010-04-02 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film |
JP2011228690A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
US9793412B2 (en) | 2010-04-02 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2019153793A (ja) * | 2010-04-02 | 2019-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102292523B1 (ko) | 2010-04-02 | 2021-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2015228515A (ja) * | 2010-04-02 | 2015-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019149584A (ja) * | 2010-04-02 | 2019-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10608116B2 (en) | 2010-04-02 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2021010009A (ja) * | 2010-04-02 | 2021-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017085150A (ja) * | 2010-04-02 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018037694A (ja) * | 2010-04-02 | 2018-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020174192A (ja) * | 2010-04-02 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019140421A (ja) * | 2010-04-02 | 2019-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20180031065A (ko) * | 2010-04-02 | 2018-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200093701A (ko) * | 2010-04-02 | 2020-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101977152B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2019-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102141064B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2020-08-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20190049949A (ko) * | 2010-04-02 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US11411121B2 (en) | 2010-04-02 | 2022-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11380800B2 (en) | 2010-04-02 | 2022-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10714626B2 (en) | 2010-04-02 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9059047B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101465192B1 (ko) * | 2010-04-09 | 2014-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101850926B1 (ko) | 2010-04-09 | 2018-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10510777B2 (en) | 2010-04-09 | 2019-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101884798B1 (ko) | 2010-04-09 | 2018-08-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9431429B2 (en) | 2010-04-09 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20180041263A (ko) * | 2010-04-09 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10879274B2 (en) | 2010-04-09 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10008515B2 (en) | 2010-04-09 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013110427A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US9202877B2 (en) | 2010-04-23 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8461007B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9812533B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102167416B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2020-10-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2013140989A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2017055136A (ja) * | 2010-04-23 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20190034362A (ko) * | 2010-04-23 | 2019-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101805190B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2017-12-05 | 후지필름 가부시키가이샤 | 전자 디바이스의 제조 방법, 박막 트랜지스터, 전기 광학 장치 및 센서 |
JP2011243745A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 |
JP2011249691A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 非晶質酸化物薄膜の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2017050559A (ja) * | 2010-06-16 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界効果トランジスタ |
US9911866B2 (en) | 2010-06-16 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
KR102257045B1 (ko) * | 2010-06-25 | 2021-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
KR20190065996A (ko) * | 2010-06-25 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
CN102315229A (zh) * | 2010-06-29 | 2012-01-11 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管基板及具备薄膜晶体管基板的显示装置 |
JP2013531383A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-08-01 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 薄膜トランジスタ |
JP2017069578A (ja) * | 2010-08-27 | 2017-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013541226A (ja) * | 2010-10-29 | 2013-11-07 | シーブライト・インコーポレイテッド | 改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
US9184298B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-11-10 | Kobe Steel, Ltd. | Interconnect structure and sputtering target |
US10103277B2 (en) | 2010-12-03 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film |
JP2017050553A (ja) * | 2010-12-03 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018182343A (ja) * | 2010-12-03 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10916663B2 (en) | 2010-12-03 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US11217702B2 (en) | 2010-12-17 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
US11049977B2 (en) | 2010-12-17 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
US11688810B2 (en) | 2010-12-17 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
JP2019024136A (ja) * | 2010-12-28 | 2019-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP2016040845A (ja) * | 2010-12-28 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9287294B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device having oxide semiconductor |
US9917206B2 (en) | 2011-01-20 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor element and semiconductor device |
JP2016154251A (ja) * | 2011-01-20 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016136629A (ja) * | 2011-01-20 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018014530A (ja) * | 2011-01-20 | 2018-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018186295A (ja) * | 2011-01-20 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012191131A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Fujifilm Corp | 電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
WO2012124434A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
US9236491B2 (en) | 2011-03-14 | 2016-01-12 | Fujifilm Corporation | High mobility field effect transistor with ZN containing active layer, display device, sensor, and method of manufacturing field effect transistor |
JP2012238763A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021101485A (ja) * | 2011-06-17 | 2021-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US11588058B2 (en) | 2011-07-08 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2020174183A (ja) * | 2011-07-08 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6995936B2 (ja) | 2011-07-08 | 2022-01-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101325573B1 (ko) * | 2011-12-15 | 2013-11-05 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 실리콘 및 게르마늄을 함유하는 인듐으로 이루어진 액티브층을 갖는 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
KR101648661B1 (ko) | 2012-06-06 | 2016-08-16 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 |
US9202926B2 (en) | 2012-06-06 | 2015-12-01 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
WO2013183733A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
CN104335353A (zh) * | 2012-06-06 | 2015-02-04 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管 |
KR20150027164A (ko) * | 2012-06-06 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 |
US9343586B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-05-17 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
US9324882B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-04-26 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
KR20150029035A (ko) * | 2012-06-06 | 2015-03-17 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 |
KR101568631B1 (ko) | 2012-06-06 | 2015-11-11 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 |
KR101648684B1 (ko) | 2012-06-06 | 2016-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 |
WO2013183726A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
JP2018011077A (ja) * | 2012-08-03 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11935944B2 (en) | 2012-09-14 | 2024-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US10923580B2 (en) | 2012-09-14 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US10134879B2 (en) | 2012-09-14 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
CN108962998A (zh) * | 2012-09-14 | 2018-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP2018050068A (ja) * | 2012-09-14 | 2018-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10468506B2 (en) | 2012-09-14 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US11437500B2 (en) | 2012-09-14 | 2022-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP2020141143A (ja) * | 2012-09-14 | 2020-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI611583B (zh) * | 2013-05-20 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
WO2014188893A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9209307B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105264668A (zh) * | 2013-05-20 | 2016-01-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US9666724B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9991397B2 (en) | 2013-05-20 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105264668B (zh) * | 2013-05-20 | 2019-04-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP2017085080A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP2017107949A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
KR20190012974A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | 한양대학교 산학협력단 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
KR101973269B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2019-04-26 | 한양대학교 산학협력단 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4981283B2 (ja) | 2012-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4981283B2 (ja) | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ | |
JP5213458B2 (ja) | アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ | |
JP5241143B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
US7906780B2 (en) | Field effect transistor | |
JP5006598B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
JP5345456B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
US9660098B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
KR20240056711A (ko) | 반도체 장치 및 그 제작 방법 | |
JP5467728B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
KR102033292B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR101621644B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 | |
JP5258475B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
US10566457B2 (en) | Thin film transistor and display device | |
JP5339792B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ、その製造方法、およびそれを用いた表示装置 | |
TW201202452A (en) | Oxide for semiconductor layer of thin film transistor, sputtering target, and thin film transistor | |
JP2013030682A (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに、電界効果型トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ | |
JP2010103451A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置 | |
JP2011035376A (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ | |
JP2012238763A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012028481A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5489429B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ | |
Jang et al. | Transparent thin film transistors of polycrystalline SnO |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080904 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080904 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090324 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120420 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4981283 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |