JP2007073701A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 少なくとも、基板上に、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
   前記ゲート絶縁膜が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、前記ゲート絶縁膜の抵抗値が１０^１１Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
2. 前記半導体層が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、
   前記半導体層の抵抗値が１０^１０Ω・ｃｍ未満であり、前記半導体層のバンドギャップが前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
3. 少なくとも、基板上に、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
   前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に抵抗層を有し、
   前記抵抗層は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、
   前記抵抗層の抵抗値が１０^１１Ω・ｃｍ以上、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、かつ、前記抵抗層のバンドギャップは前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ。
4. 前記半導体層が前記抵抗層の酸素以外の少なくとも１種の組成を含む酸化物半導体であり、且つ前記半導体層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
5. 前記半導体層が主にキャリア発生層としての機能を有し、前記抵抗層が主にキャリア輸送層としての機能を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
6. 前記半導体層が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種と、を含むアモルファス酸化物を有し、
   前記半導体層の抵抗値が１０^１０Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。