JP2013541226A - 改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ - Google Patents
改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013541226A JP2013541226A JP2013536618A JP2013536618A JP2013541226A JP 2013541226 A JP2013541226 A JP 2013541226A JP 2013536618 A JP2013536618 A JP 2013536618A JP 2013536618 A JP2013536618 A JP 2013536618A JP 2013541226 A JP2013541226 A JP 2013541226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- layer
- trap density
- density material
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 161
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 158
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 5
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 5
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- -1 PMMA metal oxide Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims description 3
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(i) oxide Chemical compound [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001668 ameliorated effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
Description
1.A.A. Avey and R.H. Hill 「Solid State PhotoChemistry of Cu2(OH2)2(O2C(CH2)4CH3)4 in Thin Films: The Photochemical Formation of High Quality Films of Copper and Copper(I) Oxide. Demonstration of a Novel Lithographic Technique for the Patterning of Copper」J. Am. Chem. Soc. 118 1996 237.
2.R.H. Hill and S.L. Blair 「An Inorganic Approach to Photolithography: The photolithographic Deposition of Dielectric Metal Oxide Films」ACS Symposium Series 706.
Claims (24)
- 主表面を有する金属酸化物活性層と、
主表面を有するゲート誘電体層と、
前記金属酸化物活性層とゲート誘電体層との間に位置する低トラップ密度材料層であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と低トラップ密度のインタフェースを形成するために、前記金属酸化物活性層に平行でありかつ前記金属酸化物活性層と接触する第1主表面を有する、低トラップ密度材料層と、
から構成されることを特徴とする金属酸化物半導体装置。 - 前記金属酸化物活性層は、バンドギャップを有し、前記ゲート誘電体層は、前記金属酸化物活性層の前記バンドギャップよりも遥かに大きいバンドギャップを有し、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物層の前記バンドギャップに近いバンドギャップを有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と比較して低い移動度を有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO SrTiO3、SrNbO3、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)、バリウム・チタン酸ストロンチウム(BST)のうちの1つ、および、前記材料または前記金属酸素結合の1つを越えるものを含む混合酸化物であることを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、Alq3:トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(III)、BAlq3:ビス(2−メチル−8−キノリンオラート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム、Bepq2:ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリネト)ベリリウム、PBD:2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾル、TAZ:3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−tert−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾル、Bphen:4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGI(ポリメチルグルタルイミド)、BCB(ビス−ベンゾシクロブテン)、SU−8、およびPMMA(ポリメタクリル酸メチル)を含む有機物質のグループのうちの1つを含むことを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、前記ゲート誘電体層とインタフェースを形成するために、前記ゲート誘電体層の前記主表面に平行でありかつ前記主表面と接触する第2主表面を有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記金属酸化物活性層は反対側の主表面を有し、かつ、前記装置は、前記前記金属酸化物活性層の前記反対側の主表面とインタフェースを形成するために、前記金属酸化物活性層の前記反対側の主表面に平行でありかつ前記反対側の主表面に接触する主表面を有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、および前記低トラップ密度材料層は、すべて、上部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに含まれていることを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、5nmから50nmの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。
- 主表面を有する金属酸化物活性層であって、前記金属酸化物活性層はバンドギャップを有する、金属酸化物活性層と、
主表面を有するゲート誘電体層であって、前記ゲート誘電体層は、前記金属酸化物活性層のバンドギャップより遥かに大きいバンドギャップを有する、ゲート誘電体層と、
前記金属酸化物活性層と前記ゲート誘電体層との間に位置する低トラップ密度材料層であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層とインタフェースを形成するために、前記金属酸化物層に平行でありかつ前記金属酸化物層と接触する第1主表面を有し、前記低トラップ密度材料層は、前記ゲート誘電体層とインタフェースを形成するために、前記ゲート誘電体層に平行でありかつ前記ゲート誘電体層と接触する第2主表面を有し、および、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層のバンドギャップに近いバンドギャップを有する、低トラップ密度材料層と、
から構成されることを特徴とする金属酸化物半導体装置。 - 前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と比較して低い移動度を有することを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)、および、上記の材料または上記の金属−酸素結合のうちの1つを越えるものを含む混合酸化物を含むことを特徴とする上記請求項10記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、Alq3:トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(III)、BAlq3:ビス(2−メチル−8−キノリンオラート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム、Bepq2:ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリネト)ベリリウム、PBD:2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾル、TAZ:3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−tert−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾル、Bphen:4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGI(ポリメチルグルタルイミド)、BCB(ビス−ベンゾシクロブテン)、SU−8、およびPMMA(ポリメタクリル酸メチル)を含む有機物質のグループのうちの1つを含むことを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、5nmから50nmの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記金属酸化物活性層は、反対側の主表面を有し、前記装置は、さらに、前記金属酸化物活性層の反対側の主表面に平行でありかつ前記金属酸化物活性層の反対側の主表面と接触する主表面を有し、前記金属酸化物活性層の前記反対側の主表面と低トラップ密度のインタフェースを形成することを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、および前記低トラップ密度材料層は、すべて、上部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに含まれることを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。
- 主表面を有する金属酸化物活性層であって、前記金属酸化物活性層は、バンドギャップを有する、金属酸化物活性層と、
主表面を有するゲート誘電体層であって、前記ゲート誘電体層は、前記金属酸化物活性層のバンドギャップより遥かに大きいバンドギャップを有する、ゲート誘電体層と、
前記金属酸化物活性層と前記ゲート誘電体層との間に位置する低トラップ密度材料層であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層とインタフェースを形成するために、前記金属酸化物層に平行でありかつ前記金属酸化物層と接触する第1主表面を有し、前記低トラップ密度材料層は、前記ゲート誘電体層とインタフェースを形成するために、前記ゲート誘電体層に平行でありかつ前記ゲート誘電体層と接触する第2主表面を有し、および、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と比較して低い移動度を有する、低トラップ密度材料層とから構成され、
前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、および前記低トラップ密度材料層は、すべて、上部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに含まれることを特徴とする金属酸化物半導体装置。 - 前記低トラップ密度材料層は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)、および、上記の材料または上記の金属−酸素結合のうちの1つを越えるものを含む混合酸化物を含むことを特徴とする上記請求項17記載の金属酸化物半導体装置。
- 前記低トラップ密度材料層は、Alq3:トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(III)、BAlq3:ビス(2−メチル−8−キノリンオラート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム、Bepq2:ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリネト)ベリリウム、PBD:2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾル、TAZ:3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−tert−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾル、Bphen:4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGI(ポリメチルグルタルイミド)、BCB(ビス−ベンゾシクロブテン)、SU−8、およびPMMA(ポリメタクリル酸メチル)を含む有機物質のグループのうちの1つを含むことを特徴とする請求項17記載の金属酸化物半導体装置。
- 金属酸化物半導体装置を製作する方法において、
主表面を有する金属酸化物活性層を堆積する段階と、
前記金属酸化物活性層の前記主表面上に低トラップ密度材料層を堆積する段階であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と低トラップ密度のインタフェースを形成するために、前記金属酸化物活性層に平行でありかつ前記金属酸化物活性層と接触する第1主表面を有する、段階と、
前記低トラップ密度材料層の上にゲート誘電体層を堆積する段階と、
から構成され、
前記堆積する段階のシーケンスおよび層の配置は、前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、前記低トラップ密度材料層を、上部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート・下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート・上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに形成することを特徴とする方法。 - 前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)、および、上記の材料または上記の金属−酸素結合のうちの1つを越えるものを含む混合酸化物を堆積する段階を含むことを特徴とする上記請求項20記載の方法。
- 前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、Alq3:トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(III)、BAlq3:ビス(2−メチル−8−キノリンオラート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム、Bepq2:ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリネト)ベリリウム、PBD:2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾル、TAZ:3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−tert−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾル、Bphen:4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGI(ポリメチルグルタルイミド)、BCB(ビス−ベンゾシクロブテン)、SU−8、およびPMMA(ポリメタクリル酸メチル)を含む有機物質のグループのうちの1つを堆積する段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、5nmから50nmの範囲の厚さを有する層を堆積する段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、
PVD(物理蒸着)、CVD(化学蒸着)、ALD(原子層堆積)の1つを使用する段階、
飽和溶液からの縮合によってフィルムを形成する段階、あるいは、キャスティング、スピンコーティング、スロットコーティング、スクリーン印刷、転写印刷、インクジェット印刷、およびスタンピングの1つによって処理されたゾル・ゲル溶液またはそれに対応する有機金属化合前駆体溶液からフィルムを形成する段階、および、
それに続くアニーリングまたは加水分解、
を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/915,712 US9911857B2 (en) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric |
US12/915,712 | 2010-10-29 | ||
PCT/US2011/047768 WO2012057903A1 (en) | 2010-10-29 | 2011-08-15 | Metal oxide tft with improved stability |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013541226A true JP2013541226A (ja) | 2013-11-07 |
JP5805203B2 JP5805203B2 (ja) | 2015-11-04 |
Family
ID=45994299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013536618A Expired - Fee Related JP5805203B2 (ja) | 2010-10-29 | 2011-08-15 | 改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9911857B2 (ja) |
JP (1) | JP5805203B2 (ja) |
KR (1) | KR20130140002A (ja) |
WO (1) | WO2012057903A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9401431B2 (en) * | 2009-04-21 | 2016-07-26 | Cbrite Inc. | Double self-aligned metal oxide TFT |
KR102128369B1 (ko) | 2011-09-29 | 2020-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9379247B2 (en) * | 2012-06-28 | 2016-06-28 | Cbrite Inc. | High mobility stabile metal oxide TFT |
CN104685633B (zh) * | 2012-07-03 | 2018-08-03 | Imec 非营利协会 | 制作薄膜晶体管的方法 |
US8836037B2 (en) | 2012-08-13 | 2014-09-16 | International Business Machines Corporation | Structure and method to form input/output devices |
TWI524825B (zh) | 2012-10-29 | 2016-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 碳材導電膜的轉印方法 |
CN103811558B (zh) * | 2012-11-06 | 2018-10-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
US9773918B2 (en) * | 2012-12-18 | 2017-09-26 | Cbrite Inc. | Metal oxide TFT with improved stability and mobility |
CN103904125A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管 |
CN103268891B (zh) * | 2013-03-28 | 2016-08-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法 |
KR101515543B1 (ko) * | 2013-08-12 | 2015-05-11 | 동의대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR102107537B1 (ko) | 2013-10-01 | 2020-05-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
KR20200021030A (ko) | 2018-08-17 | 2020-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체 소자 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086808A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Masashi Kawasaki | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
WO2005001940A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Tdk Coroporation | 電界効果トランジスタ |
JP2007073701A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
US20090278120A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin Film Transistor |
JP2009302352A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Brother Ind Ltd | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2010016347A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置 |
JP2011228695A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228689A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2118774B (en) * | 1982-02-25 | 1985-11-27 | Sharp Kk | Insulated gate thin film transistor |
US6911707B2 (en) * | 1998-12-09 | 2005-06-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultrathin high-K gate dielectric with favorable interface properties for improved semiconductor device performance |
US20080023703A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Randy Hoffman | System and method for manufacturing a thin-film device |
KR100863909B1 (ko) * | 2007-04-06 | 2008-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법 |
US8258511B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors using multiple active channel layers |
-
2010
- 2010-10-29 US US12/915,712 patent/US9911857B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-15 KR KR1020137012368A patent/KR20130140002A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-08-15 WO PCT/US2011/047768 patent/WO2012057903A1/en active Application Filing
- 2011-08-15 JP JP2013536618A patent/JP5805203B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086808A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Masashi Kawasaki | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
WO2005001940A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Tdk Coroporation | 電界効果トランジスタ |
JP2007073701A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
US20090278120A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin Film Transistor |
JP2009302352A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Brother Ind Ltd | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2010016347A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置 |
JP2011228695A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228689A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012057903A1 (en) | 2012-05-03 |
JP5805203B2 (ja) | 2015-11-04 |
US20120104381A1 (en) | 2012-05-03 |
US9911857B2 (en) | 2018-03-06 |
KR20130140002A (ko) | 2013-12-23 |
CN103229305A (zh) | 2013-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5805203B2 (ja) | 改善された安定性を有する金属酸化物薄膜トランジスタ | |
JP6306069B2 (ja) | 金属酸化物半導体装置および半導体装置を製造する方法 | |
KR101148718B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 표시 장치 | |
US7691715B2 (en) | Method of fabricating oxide semiconductor device | |
Lee et al. | Rapid vapor-phase fabrication of organic− inorganic hybrid superlattices with monolayer precision | |
TWI335625B (en) | Dielectric interface for gruop iii-v semiconductor device | |
EP2790227B1 (en) | Graphene based field effect transistor | |
JP2009194351A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
US10811254B2 (en) | Method for fabricating metal chalcogenide thin films | |
TW200915577A (en) | Manufacturing method of thin film transistor using oxide semiconductor | |
KR101147262B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 | |
Widiapradja et al. | 2D MOS2 charge injection memory transistors utilizing hetero‐stack SIO2/HFO2 dielectrics and oxide interface traps | |
US9070779B2 (en) | Metal oxide TFT with improved temperature stability | |
JP2008053554A (ja) | 電子デバイスとその製造方法 | |
WO2010061554A1 (ja) | トランジスタ及びその製造方法 | |
TWI362127B (en) | Low-voltage organic thin film transistor and fabrication method thereof | |
JP5814712B2 (ja) | 薄膜デバイスの製造方法 | |
KR102426958B1 (ko) | 이차원 물질을 포함하는 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 및 그 제조방법 | |
KR20170054161A (ko) | 유기물 코팅 채널을 가지는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JP5196215B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR102509588B1 (ko) | 이종접합 igzo 채널층을 구비하는 박막트랜지스터 | |
CN103229305B (zh) | 稳定性提高的金属氧化物tft | |
JP6786100B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW565885B (en) | Method for growing gate dielectrics with a high dielectric constant by liquid phase anode oxidation technique | |
CN117594449A (zh) | 一种垂直自对准双栅晶体管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150803 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5805203 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |