JP2010067849A - 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に酸化物半導体層からなる抵抗層６を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層と接する面側がＴｉ又はＴｉ合金層８−１，８−２である薄膜電界効果型トランジスタ。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置に関する。特に活性層にアモルファス酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置に関する。

近年、液晶やエレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）技術等の進歩により、平面薄型画像表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）が実用化されている。特に、電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた有機電界発光素子（以後、「有機ＥＬ素子」と記載する場合がある）は、低電圧で高輝度の発光が得られるために、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で、デバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力のなどの効果が期待されている。
これらＦＰＤは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を活性層に用いる電界効果型薄膜トランジスタ（以後の説明で、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、もしくはＴＦＴと記載する場合がある）のアクティブマトリクス回路により駆動されている。

一方、これらＦＰＤのより一層の薄型化、軽量化、耐破損性の向上を求めて、ガラス基板の替わりに軽量で可撓性のある樹脂基板を用いる試みも行われている。
しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
そこで、低温での成膜が可能なアモルファス酸化物、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物を半導体薄膜に用いるＴＦＴの開発が活発に行われている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴは、室温成膜が可能であり、フイルム上に作製が可能であるので、フイルム（フレキシブル）ＴＦＴの活性層の材料として最近注目を浴びている。特に、東工大・細野らにより、ａ−ＩＧＺＯを用いたＴＦＴは、ＰＥＮ基板上でも電界効果移動度が約１０ｃｍ^２／Ｖｓとガラス上のａ−Ｓｉ系ＴＦＴよりも高移動度が報告されて、特にフイルムＴＦＴとして注目されるようになった（例えば、非特許文献２参照）。

しかし、このａ−ＩＧＺＯを用いたＴＦＴを例えば表示装置の駆動回路として用いる場合、１ｃｍ^２／Ｖｓ〜１０ｃｍ^２／Ｖｓという移動度では、特性は不十分であり、またＯＦＦ電流が高く、ＯＮ／ＯＦＦ比が低いという問題がある。特に有機ＥＬ素子を用いた表示装置に用いるためには、さらなる移動度の向上、ＯＮ／ＯＦＦ比の向上、また駆動時の安定性向上（特に、駆動時のＴＦＴの閾値シフトの改善）が要求される。
特開２００６−１６５５２９号公報 ＩＤＷ／ＡＤ’０５、８４５頁−８４６頁（６ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ、２００５） ＮＡＴＵＲＥ、Ｖｏｌ．４３２、４８８頁−４９２頁（２５ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ、２００４）

本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示し、かつ駆動安定性に優れたアモルファス酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタを提供することにある。特に、可撓性のある樹脂基板上に作製が可能な高性能の薄膜電界効果型トランジスタを提供することにある。
また、その薄膜電界効果型トランジスタを用いた表示装置を提供することにある。

本発明の上記課題は下記の手段によって解決された。
＜１＞ 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体層からなる抵抗層を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層に面する側がＴｉ又はＴｉ合金層である薄膜電界効果型トランジスタ。
＜２＞ 前記活性層が前記ゲート絶縁膜と接している＜１＞に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜３＞ 前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^２以上１０^１０以下である＜１＞又は＜２＞に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜４＞ 前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^２以上１０^８以下である＜３＞に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜５＞ 前記ソース電極及びドレイン電極の前記抵抗層に面する側がＴｉ又はＴｉ合金層である＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜６＞ 前記活性層の電気伝導度が１０^−１Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満である＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜７＞ 前記活性層及び前記抵抗層の酸化物半導体がアモルファス酸化物である＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜８＞ 前記活性層及び抵抗層の酸化物半導体がＩｎ、ＧａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種若しくはこれらの複合酸化物を含む＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜９＞ 前記基板が可撓性樹脂基板である＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
＜１０＞ ＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の薄膜電界効果型トランジスタを用いた表示装置。

アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴは、室温成膜が可能であり、可撓性プラスチックフイルムを基板として作製が可能であるので、フイルム（フレキシブル）ＴＦＴの活性層の材料として注目された。特に特開２００６−１６５５２９号公報で開示されているように、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を半導体層（活性層）として用いることにより、電界効果移動度１０ｃｍ^２／Ｖｓ、ＯＮ／ＯＦＦ比１０^３超の性能を持つＰＥＴ上に形成されたＴＦＴが報告されている。しかしながら、これを例えば表示装置の駆動回路に用いる場合、移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比の観点から駆動回路を動作するには性能がまだ不十分であった。
それは、従来の技術では、ＯＦＦ電流を低減させる為に、活性層の電子キャリア濃度を１０^１８／ｃｍ^３未満にする必要があった。活性層に用いられるアモルファス酸化物半導体は、電子キャリア濃度が下がると電子移動度が下がる傾向があるので、良好なＯＦＦ特性と、高移動度を両立するＴＦＴを形成することが困難であったからである。
更に、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴの開発を進める中で、ＴＦＴ素子を駆動状態での通電試験を行うと、図３に示される閾値電圧（Ｖｔｈ）として定義される電圧が通電時間が長くなると、高電圧側に変動する問題（閾値シフト）が生じることが判明した。よって、実用化に向け、この閾値シフトの解決が望まれている。

本発明者らは、ＴＦＴの電界効果移動度を高め、かつＯＮ／ＯＦＦ比を改良し、且つ連続駆動しても安定した性能を維持するＴＦＴの探索を鋭意進めた。その結果、活性層が酸化物半導体層より形成し、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に活性層より電気伝導度の低い抵抗層を配し、活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、抵抗層の電気伝導度に対する活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、且つ、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の抵抗層に面する側をＴｉ又はＴｉ合金層とする構成により、課題を解決し得ることを見出し、本発明に到達した。

本発明によると、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示し、更に、閾値の変動の少ない安定した性能を有するＴＦＴが提供される。特に、可撓性基板を用いたフイルム（フレキシブル）ＴＦＴとして有用なＴＦＴおよびそれを用いた表示装置を提供することができる。

１．薄膜電界効果型トランジスタ
薄膜電界効果型トランジスタは、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を順次有し、ゲート電極に電圧を印加して、活性層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。ＴＦＴ構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。

本発明の薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体層からなる抵抗層を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層に面する側がＴｉ又はＴｉ合金層である。
好ましくは、ソース電極及びドレイン電極の抵抗層と接する面側が共にＴｉ又はＴｉ合金層である。より好ましくは、Ｔｉ層である。

好ましくは、抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^２以上１０^１０以下であり、より好ましくは、１０^２以上１０^８以下である。
好ましくは、活性層の電気伝導度が１０^−１Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満である。
好ましくは、前記抵抗層が酸化物半導体層である。
好ましくは、活性層の酸化物半導体がアモルファス酸化物である。
好ましくは、抵抗層の酸化物半導体がアモルファス酸化物である。
好ましくは、活性層及び抵抗層の酸化物半導体が、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種若しくはこれらの複合酸化物よりなる。より好ましくは、酸化物半導体がＩｎおよびＺｎを含有し、抵抗層のＺｎとＩｎの組成比（Ｉｎに対するＺｎの比率Ｚｎ／Ｉｎで表す）が活性層の組成比Ｚｎ／Ｉｎより大きい。好ましくは、抵抗層のＺｎ／Ｉｎ比が活性層のＺｎ／Ｉｎ比より３％以上大きく、さらに好ましくは、１０％以上大きい。

好ましくは、活性層がゲート絶縁膜と接している。より好ましくは、活性層がゲート絶縁膜と接し、抵抗層がソース電極及びドレイン電極と接している。
また、動作安定性の観点から、抵抗層の膜厚が活性層の膜厚より厚いことが好ましい。
より好ましくは、抵抗層の膜厚／活性層の膜厚の比が１を超え１００以下、さらに好ましくは１を超え１０以下である。

活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１を下まわると電界効果移動度としては高移動度が得られず、１０^２Ｓｃｍ^−１以上ではＯＦＦ電流が増加し、良好なＯＮ／ＯＦＦ比が得られないので、好ましくない。
抵抗層の電気伝導度に対する活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）は、１０^１を下まわるとＯＮ／ＯＦＦ比が低下するので好ましくなく、１０^１０を超えると通電試験によるＴＦＴの安定性が低下するので好ましくない。

また、別の態様として、抵抗層と活性層の間の電気伝導度が連続的に変化している態様、即ち酸化物半導体層であって、ゲート絶縁膜に面する側が電気伝導度が高く、ソース電極及びドレイン電極に面する側が電気伝導度が低く高抵抗である構成も好ましい。該構成の場合、酸化物半導体層の総厚みに対してゲート絶縁膜に面する側の１０％が本発明に於ける活性層、ソース電極及びドレイン電極に面する側の１０％が本発明に於ける抵抗層である。
好ましくは、基板が可撓性樹脂基板である。

１）構造
次に、図面を用いて、詳細に本発明における薄膜電界効果型トランジスタの構造を説明する。
図１は、本発明の薄膜電界効果型トランジスタであって、逆スタガ構造の一例を示す模式図である。基板１がプラスチックフィルムなどの可撓性基板の場合、基板１の一方の面に絶縁層７を配し、その上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、抵抗層６を積層して有し、その表面にＴｉ層またはＴｉ合金層８−１，８−２，及びソース電極５−１とドレイン電極５−２が設置される。Ｔｉ層またはＴｉ合金層は電極の一部を構成する。

該構成では、ソース電極及びドレイン電極の抵抗層に面する側にＴｉ層またはＴｉ合金層を有する。Ｔｉ層またはＴｉ合金層は、ソース電極およびドレイン電極が酸化物半導体層からなる抵抗層により界面が酸化されることを防止する。ソース電極およびドレイン電極と抵抗層との界面に酸化膜が形成されると、ソース電極およびドレイン電極と抵抗層とのコンタクト抵抗が上昇し、または抵抗層の電気抵抗値も変動をする。これは、閾値シフトや移動度減少等のＴＦＴ特性の悪化を招く原因となる。ソース電極およびドレイン電極の抵抗層に面する側にＴｉ層またはＴｉ合金層を導入する本発明の構成により、長時間駆動した状態でも安定したＴＦＴが提供できる。

また、活性層４はゲート絶縁膜３に接し、抵抗層６はソース電極５−１およびドレイン電極５−２側に面し、Ｔｉ層またはＴｉ合金層と接している。ゲート電極に電圧が印加されていない状態での活性層４の電気伝導度が抵抗層６の電気伝導度より大きくなるように、活性層４および抵抗層６の組成が決定される。ここで、活性層には、特開２００６−１６５５２９号公報に開示されている酸化物半導体、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体を用いる。これらの酸化物半導体は、電子キャリア濃度が高いほど、電子移動度が高くなることが知られている。つまり、電気伝導度が大きいほど、電子移動度が高い。
本発明における構造によれば、薄膜電界効果型トランジスタがゲート電極に電圧が印加されたＯＮの状態では、チャネルとなる活性層４が大きい電気伝導度を有しているため、トランジスタの電界効果移動度は高くなり、高ＯＮ電流が得られる。ＯＦＦの状態では抵抗層６の電気伝導度が小さく、高抵抗であることから、ＯＦＦ電流が低く保たれるために、ＯＮ／ＯＦＦ比特性が極めて改良される。

従来の抵抗層を有しない構成では、ＯＦＦ電流を低減するために、活性層のキャリア濃度を下げる必要があった。特開２００６−１６５５２９号公報によれば、良好なＯＮ／ＯＦＦ比を得るには、活性層のアモルファス酸化物半導体の伝導度を低減する為に、電子キャリア濃度を１０^１８／ｃｍ^３未満、より好ましくは１０^１６／ｃｍ^３未満にすることが開示されている。しかし、特開２００６−１６５５２９号公報の図２に示されるように、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体では、電子キャリア濃度を下げると膜の電子移動度が減少しまう。
その為に、ＴＦＴの電界効果移動度で１０ｃｍ^２／Ｖｓ以上を得ることができず、充分なＯＮ電流を得ることができない。そのため、ＯＮ／ＯＦＦ比も充分な特性が得られない。
また、膜の電子移動度を上げるために、活性層の酸化物半導体の電子キャリア濃度を上げると、活性層の電気伝導度が増し、ＯＦＦ電流が増加し、ＯＮ／ＯＦＦ比特性は悪くなる。

図２は、本発明の薄膜電界効果型トランジスタの別の構成を示す模式図である。ゲート絶縁膜１３上に、活性層１４及び抵抗層１６が形成され、Ｔｉより成るソース電極１５−１およびドレイン電極１５−２が形成される。該構成では、Ｔｉがソース電極及びドレイン電極を形成する。

２）電気伝導度
本発明における活性層及び抵抗層の酸化物半導体の電気伝導度について説明する。
電気伝導度とは、物質の電気伝導のしやすさを表す物性値であり、物質のキャリア濃度ｎ、電荷素量をｅ、キャリア移動度μとすると物質の電気伝導度σは以下の式で表される。
σ＝ｎｅμ
酸化物半導体がｎ型半導体である時はキャリアは電子であり、キャリア濃度とは電子キャリア濃度を、キャリア移動度とは電子移動度を示す。同様に酸化物半導体がｐ型半導体ではキャリアは正孔であり、キャリア濃度とは、正孔キャリア濃度を、キャリア移動度とは正孔移動度を示す。尚、物質のキャリア濃度とキャリア移動度とは、ホール測定により求めることができる。

＜電気伝導度の求め方＞
厚みが分かっている膜のシート抵抗を測定することにより、膜の電気伝導度を求めることができる。半導体の電気伝導度は温度により変化するが、本文記載の電気伝導度は、室温（２０℃）での電気伝導度を示す。

３）ゲート絶縁膜
ゲート絶縁膜としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２等の絶縁体、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。また、ポリイミドのような高分子絶縁体もゲート絶縁膜として用いることができる。

ゲート絶縁膜の膜厚としては１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましい。ゲート絶縁膜はリーク電流を減らす、電圧耐性を上げる為に、ある程度膜厚を厚くする必要がある。しかし、ゲート絶縁膜の膜厚を厚くすると、ＴＦＴの駆動電圧の上昇を招く結果となる。そ１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
高分子絶縁体だと０．５μｍ〜５μｍで用いられることが、より好ましい。特に、ＨｆＯ_２のような高誘電率絶縁体をゲート絶縁膜に用いると、膜厚を厚くしても、低電圧でのＴＦＴ駆動が可能であるので、特に好ましい。

４）活性層、抵抗層
本発明に用いられる活性層及び抵抗層には、酸化物半導体を用いることが好ましい。特にアモルファス酸化物半導体がさらに好ましい。酸化物半導体、特にアモルファス酸化物半導体は、低温で成膜可能である為に、プラスティックのような可撓性のある樹脂基板に作製が可能である。低温で作製可能な良好なアモルファス酸化物半導体としては、特開２００６−１６５５２９号公報に開示されているような、Ｉｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有する酸化物であり、組成構造としては、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは６未満の自然数）のものが好ましいことが知られている。これらは、キャリアが電子のｎ型半導体である。もちろん、ＺｎＯ・Ｒｈ_２Ｏ_３、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２のようなｐ型酸化物半導体を活性層及び抵抗層に用いても良い。

具体的に本発明に係るアモルファス酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み構成され、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは６未満の自然数）で表されるアモルファス酸化物半導体が好ましい。特に、ＩｎＧａＺｎＯ_４がより好ましい。この組成のアモルファス酸化物半導体の特徴としては、電気伝導度が増加するにつれ、電子移動度が増加する傾向を示す。また、電気伝導度を制御するには、成膜中の酸素分圧により制御が可能であることが特開２００６−１６５５２９号公報に開示されている。
もちろん、活性層及び抵抗層には酸化物半導体だけではなく、Ｓｉ、Ｇｅなどの無機半導体、ＧａＡｓ等の化合物半導体、ペンタセン、ポリチオフェン等の有機半導体材料、カーボンナノチューブ等にも適応可能である。

＜活性層及び抵抗層の電気伝導度＞
本発明における活性層は、ゲート絶縁膜に近接し、ソース電極及びドレイン電極に近接する抵抗層より高い電気伝導度を有することを特徴とする。
好ましくは、抵抗層の電気伝導度に対する活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）は、１０^１以上１０^１０以下であり、より好ましくは、１０^２以上１０^１０以下であり、さらに好ましくは、１０^２以上１０^８以下である。好ましくは、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満である。より好ましくは１０^−１Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満である。
抵抗層の電気伝導度は、好ましくは１０^−２Ｓｃｍ^−１以下、より好ましくは１０^−９Ｓｃｍ^−１以上１０^−３Ｓｃｍ^−１以下である。

＜活性層と抵抗層の膜厚＞
本発明に於いては、抵抗層の膜厚が活性層の膜厚より厚いことが好ましい。より好ましくは、抵抗層の膜厚／活性層の膜厚比が１を越え１００以下、さらに好ましくは１を越え１０以下である。
活性層の膜厚は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。抵抗層の膜厚は、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
抵抗層の膜厚／活性層の膜厚比が１以下では、駆動安定性の点で好ましくなく、１００を越えると移動度が低下するので好ましくない。

上記の構成の活性層及び抵抗層を用いることにより、移動度が１０ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上の高い移動度のＴＦＴで、ＯＮ／ＯＦＦ比が１０^６以上のトランジスタ特性を実現できる。

＜電気伝導度の調整手段＞
電気伝導度の調整手段としては、活性層及び抵抗層が酸化物半導体である場合は下記の手段を挙げることが出来る。

（１）酸素欠陥による調整
酸化物半導体において、酸素欠陥ができると、キャリア電子が発生し、電気伝導度が大きくなることが知られている。よって、酸素欠陥量を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度を制御することが可能である。酸素欠陥量を制御する具体的な方法としては、成膜中の酸素分圧、成膜後の後処理時の酸素濃度と処理時間等がある。ここでいう後処理とは、具体的に１００℃以上の熱処理、酸素プラズマ、ＵＶオゾン処理がある。これらの方法の中でも、生産性の観点から成膜中の酸素分圧を制御する方法が好ましい。成膜中の酸素分圧を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度の制御ができることは、特開２００６−１６５５２９号公報に開示されており、本手法を利用することができる。

（２）組成比による調整
酸化物半導体の金属組成比を変えることにより、電気伝導度が変化することが知られている。例えば、ＩｎＧａＺｎ_１−ＸＭｇ_ＸＯ_４において、Ｍｇの比率が増えていくと、電気伝導度が小さくなることが、特開２００６−１６５５２９号公報に開示されている。また、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_１−Ｘ（ＺｎＯ）_Ｘの酸化物系において、Ｚｎ／Ｉｎ比が１０％以上では、Ｚｎ比率が増加するにつれ、電気伝導度が小さくなることが報告されている（「透明導電膜の新展開ＩＩ」シーエムシー出版、Ｐ．３４−３５）。これら組成比を変える具体的な方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比が異なるターゲットを用いる。または、多元のターゲットにより、共スパッタし、そのスパッタレートを個別に調整することにより、膜の組成比を変えることが可能である。

（３）不純物による調整
酸化物半導体に、Ｌｉ，Ｎａ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｄ，Ｃ，Ｎ，又はＰ等の元素を不純物として添加することにより、電子キャリア濃度を減少させること、つまり電気伝導度を小さくすることが可能であることが、特開２００６−１６５５２９号公報に開示されている。不純物を添加する方法としては、酸化物半導体と不純物元素とを共蒸着により行う、成膜された酸化物半導体膜に不純物元素のイオンをイオンドープ法により行う等がある。

（４）酸化物半導体材料による調整
上記（１）〜（３）においては、同一酸化物半導体系での電気伝導度の調整方法を述べたが、もちろん酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度を変えることができる。例えば、一般的にＳｎＯ_２系酸化物半導体は、Ｉｎ_２Ｏ_３系酸化物半導体に比べて電気伝導度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度の調整が可能である。特に電気伝導度の小さい酸化物材料としては、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、又はＨｆＯ_３等の酸化物絶縁体材料が知られており、これらを用いることも可能である。
電気伝導度を調整する手段としては、上記（１）〜（４）の方法を単独に用いても良いし、組み合わせても良い。

＜活性層及び抵抗層の形成方法＞
活性層及び抵抗層の成膜方法は、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。

例えば、ＲＦマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。酸素流量が多いほど電気伝導度を小さくすることができる。

成膜した膜は、周知のＸ線回折法によりアモルファス膜であることが確認できる。
また、膜厚は触針式表面形状測定により求めることができる。組成比は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析法により求めることができる。

５）Ｔｉ又はＴｉ合金層
本発明に於けるＴｉ又はＴｉ合金層は、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の抵抗層に面する側に配置され、電極の一部を形成するか、又はＴｉ又はＴｉ合金層が電極となる。
ＴｉまたはＴｉ合金層は、ソース電極およびドレイン電極が酸化物半導体層からなる抵抗層により界面が酸化されることを防止する。ソース電極およびドレイン電極と抵抗層との界面に酸化膜が形成されると、ソース電極およびドレイン電極と抵抗層とのコンタクト抵抗が上昇、または抵抗層の電気抵抗値も変動をする。これは、閾値シフトや移動度減少等のＴＦＴ特性の悪化を招く原因となる。よって、ソース電極およびドレイン電極の抵抗層に面する側にＴｉ層またはＴｉ合金層を導入する本発明の構成により、長時間駆動した状態でも安定したＴＦＴが提供できる。

本発明に用いられるＴｉ又はＴｉ合金は、純チタン又はチタンと他の金属との合金である。チタン合金としては、種々の合金が知られており、本発明においては、特にその組成が限定されるわけではない。
例えば、チタンとＡｌ，Ｖ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｎｉなどの合金が挙げられる。具体的には、Ｔｉ−Ａｌ−Ｖが質量比で、９０−６−４，又は７４−４−２２の合金、Ｔｉ−Ａｌ−Ｖ−Ｓｎが質量比で、７５−４−２０−１の合金などがある。

本発明に於けるＴｉ又はＴｉ合金層の厚みは、好ましくは１ｎｍ〜２００ｎｍである。より好ましくは、２ｎｍ〜１００ｎｍ、更に好ましくは、３ｎｍ〜５０ｎｍである。
１ｎｍ未満では、ソース電極およびドレイン電極と抵抗層との界面酸化防止膜の機能を果たさないので好ましくなく、２００ｎｍを越えるとプロセス上加工が困難になるので好ましくない。

本発明に於けるＴｉ又はＴｉ合金層は、ソース電極及びドレイン電極の一部であっても、Ｔｉ又はＴｉ合金層がソース電極及びドレイン電極であっても良い。

６）ゲート電極
本発明におけるゲート電極としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、またはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ゲート電極の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、更に好ましくは、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

ゲート電極の成膜法は特に限定されることはなく、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、ＩＴＯを選択する場合には、直流あるいは高周波スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等に従って行うことができる。またゲート電極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。

７）ソース電極及びドレイン電極
本発明に於けるソース電極及びドレイン電極は、Ｔｉ以外の金属からなる層とＴｉ又はＴｉ合金層の積層体であっても、Ｔｉ又はＴｉ合金層がソース電極及びドレイン電極であっても良い。

Ｔｉ又はＴｉ合金層と積層体を形成する電極材料として、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｕ、またはＡｇ等の金属、Ａｌ−Ｎｄ、ＡＰＣ等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられる。
ソース電極及びドレイン電極の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、更に好ましくは、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

８）基板
本発明に用いられる基板は特に限定されることはなく、例えばＹＳＺ（ジルコニア安定化イットリウム）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。

本発明においては特に可撓性基板が好ましく用いられる。可撓性基板に用いる材料としては、透過率の高い有機プラスチックフィルムが好ましく、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等のプラスティックフィルムを用いることができる。また、フィルム状プラスティック基板には、絶縁性が不十分の場合は絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、フィルム状プラスティック基板の平坦性や電極や活性層との密着性を向上するためのアンダーコート層等を備えることも好ましい。

ここで、可撓性基板の厚みは、５０μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましい。これは、可撓性基板の厚みを５０μｍ未満とした場合には、基板自体が十分な平坦性を保持することが難しいためである。また、可撓性基板の厚みを５００μｍよりも厚くした場合には、基板自体を自由に曲げることが困難になる、すなわち基板自体の可撓性が乏しくなるためである。

９）保護絶縁膜
必要によって、ＴＦＴ上に保護絶縁膜を設けても良い。保護絶縁膜は、活性層または抵抗層の半導体層を大気による劣化から保護する目的や、ＴＦＴ上に作製される電子デバイスとを絶縁する目的がある。

その具体例としては、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、又はＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、又はＣａＦ_２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護絶縁膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、又は転写法を適用できる。

１０）後処理
必要によって、ＴＦＴの後処理として、熱処理を行っても良い。熱処理としては、温度１００℃以上で、大気下または窒素雰囲気下で行う。熱処理を行う工程としては、半導体層を成膜後でも良いし、ＴＦＴ作製工程の最後に行っても良い。熱処理を行うことにより、ＴＦＴの特性の面内バラつきが抑制される、駆動安定性が向上する等の効果がある。

２．表示装置
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やＥＬ素子を用いた画像表示装置、特に平面薄型表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）に好ましく用いられる。より好ましくは、基板に有機プラスチックフィルムのような可撓性基板を用いたフレキシブル表示装置に用いられる。特に、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、移動度が高いことから有機ＥＬ素子を用いた表示装置、フレキシブル有機ＥＬ表示装置に最も好ましく用いられる。

３．有機ＥＬ素子
本発明における有機ＥＬ素子は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、ブロック層、電子注入層、および正孔注入層などの従来知られている有機化合物層を有しても良い。

以下、詳細に説明する。
１）層構成
＜電極＞
本発明における有機電界発光層の一対の電極は、少なくとも一方は透明電極であり、もう一方は背面電極となる。背面電極は透明であっても、非透明であっても良い。
＜有機化合物層の構成＞
前記有機化合物層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機化合物層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機化合物層の形状、大きさ、および厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。

以下に各層について詳細に説明する。
２）正孔輸送層
本発明に用いられる正孔輸送層は正孔輸送材を含む。前記正孔輸送材としては正孔を輸送する機能、もしくは陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば特に制限されることはなく用いることが出来る。本発明に用いられる正孔輸送材としては、低分子正孔輸送材、および高分子正孔輸送材のいずれも用いることができる。
本発明に用いられる正孔輸送材の具体例として、例えば以下の材料を挙げることができる。

カルバゾ−ル誘導体、イミダゾ−ル誘導体、ポリアリ−ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ−ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾ−ル）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。
これらは、単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

正孔輸送層の厚みとしては、１ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍがより好ましい。

３）正孔注入層
本発明おいては、正孔輸送層と陽極の間に正孔注入層を設けることができる。
正孔注入層とは、陽極から正孔輸送層に正孔を注入しやすくする層であり、具体的には前記正孔輸送材の中でイオン化ポテンシャルの小さな材料が好適用いられる。例えばフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、及びスターバースト型トリアリールアミン化合物等を挙げることができ、好適に用いることができる。
正孔注入層の膜厚は、１ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。

４）発光層
本発明に用いられる発光層は、少なくとも一種の発光材料を含み、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホスト材を含んでもよい。
本発明に用いられる発光材料としては特に限定されることはなく、蛍光発光材料または燐光発光材料のいずれも用いることができる。発光効率の点から燐光発光材料が好ましい。

蛍光発光材料としては、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらは１種または２種以上を混合して用いることができる。

燐光発光材料としては特に限定されることはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ましい。

上記オルトメタル化金属錯体とは、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」１５０頁〜２３２頁、裳華房社（１９８２年発行）やＨ．Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｉｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」、７１頁〜７７頁、１３５頁〜１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年発行）等に記載されている化合物群の総称である。該オルトメタル化金属錯体を発光材料として発光層に用いることは、高輝度で発光効率に優れる点で有利である。

上記オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては、種々のものがあり、上記文献にも記載されているが、その中でも好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、及び２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよい。また、上記オルトメタル化金属錯体は、上記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。

本発明で用いるオルトメタル化金属錯体は、Ｉｎｏｒｇ Ｃｈｅｍ．，１９９１年，３０号，１６８５頁、同１９８８年，２７号，３４６４頁、同１９９４年，３３号，５４５頁、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，１９９１年，１８１号，２４５頁、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９８７年，３３５号，２９３頁、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８５年，１０７号，１４３１頁等、種々の公知の手法で合成することができる。
上記オルトメタル化錯体の中でも、三重項励起子から発光する化合物が本発明においては発光効率向上の観点から好適に使用することができる。

また、ポルフィリン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。
燐光発光材料は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、蛍光発光材料と燐光発光材料を同時に用いてもよい。

ホスト材とは、その励起状態から、蛍光発光材料または燐光発光材料へエネルギー移動を起こし、その結果、蛍光発光材料または燐光発光材料を発光させる機能を有する材料のことである。

ホスト材としては、励起子エネルギーを発光材料にエネルギー移動させることのできる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的にはカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾ−ル）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらの化合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ホスト材の発光層における含有量としては２０質量％〜９９．９質量％が好ましく、さらに好ましくは５０質量％〜９９．０質量％である。

５）ブロック層
本発明においては、発光層と電子輸送層との間にブロック層を設けることができる。ブロック層とは発光層で生成した励起子の拡散抑制する層であり、また正孔が陰極側に突き抜けることを抑制する層である。

ブロック層に用いられる材料は、電子輸送層より電子を受け取り、発光層にわたす事のできる材料で有れば特に限定されることはなく、一般的な電子輸送材を用いることができる。例えば以下の材料を挙げることができる。トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物を挙げることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

６）電子輸送層
本発明においては電子輸送材を含む電子輸送層を設けることができる。
電子輸送材としては電子を輸送する機能、もしくは陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば制限されることはなく、前記ブロック層の説明時に挙げた電子輸送材を好適に用いることができる。
前記電子輸送層の厚みとしては、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍがより好ましい。

前記厚みが、１０００ｎｍを越えると駆動電圧が上昇することがあり、１０ｎｍ未満であると該発光素子の発光効率が非常に低下する可能性があり好ましくない。

７）電子注入層
本発明おいては、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を設けることができる。
電子注入層とは、陰極から電子輸送層に電子を注入しやすくする層であり、具体的にはフッ化リチウム、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチウム塩、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属塩、酸化リチウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、又は酸化マグネシウム等の絶縁性金属酸化物等を好適に用いることができる。
電子注入層の膜厚は０．１ｎｍ〜５ｎｍが好ましい。

８）基板
有機ＥＬ素子に用いられる基板の材料としては、水分を透過させない材料又は水分透過率の極めて低い材料が好ましく、また、前記有機化合物層から発せられる光を散乱乃至減衰等のさせることのない材料が好ましい。具体的例として、例えばＹＳＺ（ジルコニア安定化イットリウム）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。
前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。これらの材料は、単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、前記形状としては、板状である。前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であってもよいし、有色透明であってもよいが、前記発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させることがない点で、無色透明であるのが好ましい。

基板には、その表面又は裏面（前記透明電極側）に透湿防止層（ガスバリア層）を設けるのが好ましい。前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。該透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト層、およびアンダ−コ−ト層などを設けてもよい。

９）電極
有機ＥＬ素子における電極は、いずれが陽極であっても陰極であっても構わないが、好ましくは第１電極が陽極であり、第２電極が陰極である。

＜陽極＞
有機ＥＬ素子に用いられる陽極としては、通常、前記有機化合物層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をド−プした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。

陽極は例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、該陽極の形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等に従って行うことができる。また陽極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。

陽極の前記発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。

なお、前記陽極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。

陽極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５０μｍであり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
陽極の抵抗値としては、１０^３Ω／□以下が好ましく、１０^２Ω／□以下がより好ましい。
陽極は、無色透明であっても、有色透明であってもよく、該陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。

陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊（１９９９）に詳述があり、これらを本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯまたはＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で製膜した陽極が好ましい。

＜陰極＞
有機ＥＬ素子に用いることの出来る陰極としては、通常、前記有機化合物層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。

陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、又はＣｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。

これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、又はアルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しくは混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されていて、これらを本発明に適用することができる。

陰極の形成法は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。
例えば、前記陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。

陰極の有機電界発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、有機化合物層上に形成されるのが好ましい。この場合、該陰極は、前記有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と有機化合物層との間に前記アルカリ金属又は前記アルカリ土類金属のフッ化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。

陰極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍであり、２０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、前記陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚みに薄く製膜し、更に前記ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

１０）保護層
有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、又は転写法を適用できる。

１１）封止
さらに、有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、及びシリコーンオイル類が挙げられる。

１２）素子の製造方法
有機ＥＬ素子を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコ−ト法、ディップコ−ト法、キャスト法、ダイコ−ト法、ロ−ルコ−ト法、バ−コ−ト法、グラビアコ−ト法等の湿式製膜法いずれによっても好適に製膜することができる。
中でも発光効率、耐久性の点から乾式法が好ましい。湿式製膜法の場合、残存する塗布溶媒が発光層を損傷させるので好ましくない。
特に好ましくは、抵抗加熱式真空蒸着法である。抵抗加熱式真空蒸着法は、真空下で加熱により蒸散させる物質のみを効率的に加熱できるので、素子が高温に曝されないのでダメージが少なく有利である。

真空蒸着とは真空にした容器の中で、蒸着材料を加熱させ気化もしくは昇華して、少し離れた位置に置かれた被蒸着物の表面に付着させ、薄膜を形成するというものである。蒸着材料、被蒸着物の種類により、抵抗加熱、電子ビーム、高周波誘導、レーザーなどの方法で加熱される。この中で最も低温で成膜を行うのが抵抗加熱式の真空蒸着法であり、昇華点の高い材料は成膜できないが、低い昇華点の材料であれば、被蒸着材料への熱ダメージがほとんど無い状態で成膜を行うことができる。

本発明における封止膜材料は、抵抗加熱式の真空蒸着で成膜し得ることを特徴とする。
従来用いられてきた酸化シリコン等の封止剤は昇華点が高く、抵抗加熱で蒸着することは不可能であった。また、公知例に一般的に記載されているイオンプレーティング式などの真空蒸着法は、蒸着元部が数千℃と超高温となるため、被蒸着材料に熱的な影響を与えて変質させるため、特に熱や紫外線の影響を受けやすい有機ＥＬ素子の封止膜の製造方法としては適していない。

１３）駆動方法
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。

有機ＥＬ素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号公報、同６−３０１３５５号公報、同５−２９０８０号公報、同７−１３４５５８号公報、同８−２３４６８５号公報、同８−２４１０４７号公報、特許第２７８４６１５号公報、米国特許５８２８４２９号公報、同６０２３３０８号公報等に記載の駆動方法を適用することができる。

（応用）
本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、液晶やＥＬ素子を用いた画像表示装置、特にＦＰＤのスイッチング素子、駆動素子として用いることができる。特に、フレキシブルＦＰＤ装置のスイッチング素子、駆動素子として用いるのが適している。さらに本発明の電界効果型薄膜トランジスタを用いた表示装置は、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い分野で応用される。
また、本発明の電界効果型薄膜トランジスタは、表示装置以外にも、有機プラスチックフィルムのような可撓性基板上に本発明の電界効果型薄膜トランジスタを形成し、ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用が可能である。

以下に、本発明の薄膜電界効果型トランジスタについて、実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。

実施例１
１．ＴＦＴ素子の作製
基板としては、無アルカリガラス板（コーニング社、品番ＮＯ．１７３７）を用いて、下記層を順次成膜し、図１又は図２の構成のＴＦＴ素子１において素子を作製した。
（１）ゲート電極：Ｍｏを厚み４０ｎｍに蒸着した。
Ｍｏのスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＤＣパワー３８０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２ｓｃｃｍであった。
ゲート電極のパターニングには、フォトリソグラフィー法とエッチング法とを用いた。
（２）ゲート絶縁膜：ＳｉＯ_２をＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法（条件：ターゲットＳｉＯ_２、成膜温度５４℃、スパッタガスＡｒ／Ｏ_２＝１２／２ｓｃｃｍ、ＲＦパワー４００Ｗ、成膜圧力０．４Ｐａ）にて２００ｎｍ形成した。

（３）活性層及び抵抗層
ゲート絶縁膜の上に、それぞれ、下記条件のいずれかを用いて成膜した。ＴＦＴ素子Ｎｏと用いた条件及び成膜した厚みを表１に示した。
＜条件１＞
ＩｎＧａＺｎＯ_４の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、ＲＦマグネトロンスパッタ真空蒸着法により、Ａｒ流量９７ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量０．８ｓｃｃｍ、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力０．３８Ｐａの条件で行った。
＜条件２＞
条件１と同様にして、但し、Ｏ_２流量２．０ｓｃｃｍの条件で行った。
＜条件３＞
条件１と同様にして、但し、Ｏ_２流量１．６ｓｃｃｍの条件で行った。

（４）ソース電極及びドレイン電極
上記抵抗層又は活性層の上に、下記の条件で、それぞれ異なる組成のソース電極及びドレイン電極を成膜した。
尚、ソース電極およびドレイン電極のパターニングには、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法を用いることにより行った。
・ソース電極及びドレイン電極（Ａ）
ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：ＤＣパワー４００Ｗ，Ａｒ流量１３ｓｃｃｍ，圧力０．３４Ｐａ）にて、Ｔｉを５０ｎｍの厚みに蒸着した。
・ソース電極及びドレイン電極（Ｂ）
ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：ＤＣパワー４００Ｗ，Ａｒ流量１３ｓｃｃｍ，圧力０．３４Ｐａ）にて、Ａｌを５０ｎｍの厚みに蒸着した。
・ソース電極及びドレイン電極（Ｃ）
Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層積層体よりなるソース電極及びドレイン電極である。
第１層：上記ソース電極及びドレイン電極（Ａ）と同様の条件で、Ｔｉを厚み１０ｎｍに蒸着した。
第２層：上記第１層の上に、上記ソース電極及びドレイン電極（Ｂ）と同様の条件で、Ａｌを厚み３０ｎｍに蒸着した。
第３層：上記第２層の上に、上記ソース電極及びドレイン電極（Ａ）と同様の条件で、Ｔｉを厚み１０ｎｍに蒸着した。
・ソース電極及びドレイン電極（Ｄ）〜（Ｉ）
上記ソース電極及びドレイン電極（Ｂ）と同様の条件で、それぞれ、酸化インジウム錫（ＩＴＯと略記する）、Ｍｏ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕを厚み５０ｎｍに蒸着した。

２．膜物性の測定
無アルカリガラス基板（コーニング社、品番ＮＯ．１７３７）に、上記ＴＦＴ素子の製造条件とそれぞれ同一条件で、上記の条件１〜３で酸化物半導体層を成膜して、物性測定用サンプルを作製した。厚みは１００ｎｍであった。これらの物性測定用サンプルの電気伝導度を測定した。
−電気伝導度の測定方法−
物性測定用サンプルの電気伝導度は、サンプルの測定されたシート抵抗と膜厚から計算し求めた。ここで、シート抵抗をρ（Ω／□）、膜厚をｄ（ｃｍ）とすると、電気伝導度σ（Ｓｃｍ^−１）は、σ＝１／（ρ＊ｄ）として算出される。
本実施例において、物性測定用サンプルのシート抵抗１０^７Ω／□未満の領域ではロレスタ−ＧＰ（三菱化学社製）、シート抵抗１０^７Ω／□以上の領域ではハイテスタ−ＵＰ（三菱化学社製）を用いて２０℃の環境下で行った。物性測定用サンプルの膜厚測定には触針式表面形状測定器ＤｅｋＴａｋ−６Ｍ（ＵＬＶＡＣ社製）を用いた。

−組成比の測定方法−
物性測定用サンプルの組成比のＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析により、組成比を求めた。また、アモルファス膜であることは周知のＸ線回折法による分析により、確認できた。

作製したＴＦＴ素子の構成、及び測定された物性値を表１に示した。移動度は表２に示した。

３．性能評価
１）評価方法
評価に用いたＴＦＴの素子サイズはチャネル長Ｌ＝４０μｍ、チャネル幅Ｗ＝２００μｍのものを用いた、
各ＴＦＴ素子について、飽和領域ドレイン電圧Ｖｄ＝１０Ｖ（ゲート電圧−１０Ｖ≦Ｖｇ≦１５Ｖ）でのＴＦＴ伝達特性の測定を行った。ＴＦＴ伝達特性の測定は、半導体パラメータ・アナライザー４１５６Ｃ（アジレントテクノロジー社製）を用いて行った。

−ＯＮ／ＯＦＦ比の算出方法−
ＯＮ／ＯＦＦ比はＴＦＴ伝達特性からドレイン電流Ｉｄにおける最大値Ｉｄ_ｍａｘと最小値Ｉｄ_ｍｉｎとの比Ｉｄ_ｍａｘ／Ｉｄ_ｍｉｎから求められる。

−電界効果移動度の測定−
図３に模式的に示すように、ドレイン−ソース間電流（Ｉ_ＤＳ）をゲート−ソース間電圧（Ｖ_ＧＳ）の関数とし取得し、得られた曲線より閾値電圧（Ｖｔｈ）を求める。この場合ドレイン−ソース間電圧（Ｖ_ＤＳ）は１０Ｖに固定し、Ｖ_ＧＳは−１０Ｖから＋１５Ｖまで変化させた。（Ｉ_ＤＳ）^１／２ｖｓ．（Ｖ_ＧＳ）カーブから、閾値電圧と電界効果移動度を下記式を使って抽出した。
Ｉ_ＤＳ＝μ_ＦＥ・Ｃ_{ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ}・（Ｗ／２Ｌ）・（Ｖ_ＧＳ−Ｖ_ｔｈ）^２
ここで、μ_ＦＥは電界効果移動度、Ｖ_ｔｈは閾値電圧、Ｗはチャネル巾、Ｌはチャネル長、そしてＣ_{ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ}はゲート絶縁膜誘電容量である。

−閾値シフト量−
各ＴＦＴ素子について、ストレス電流ＩＤＳ＝３μＡとなるようにダイオード接続でストレスを１０時間印加した。そのストレス前後での閾値の変化量を閾値シフト量（Ｖ）と定義し、評価を行った。

得られた結果を表２に示した。

本発明のＴＦＴ素子１〜２は、いずれも移動度が高く、高いＯＮ／ＯＦＦ比を示した。さらに閾値シフト量が小さく、安定した性能を示した。
一方、抵抗層を有しない比較のＴＦＴ素子２，３は、いずれも移動度が低く、ＯＮ／ＯＦＦ比が小さく、また、閾値シフト量も大きい。
比較のＴＦＴ素子５は、本発明のＴＦＴ素子と同等の移動度を示したが、閾値シフト量が大きく、安定性に劣る性能であった。
また、比較のＴＦＴ素子１，４，６〜９は、いずれも本発明のＴＦＴ素子より移動度及びＯＮ／ＯＦＦ比が劣り、更に、閾値シフト量が大きく、安定性に劣る性能であった。

実施例２
１．本発明のＴＦＴ素子１０の作製
本発明のＴＦＴ素子１の作製において、基板にはポリエチレンナフタレートフィルムの両面に下記バリア機能を持つ絶縁層を有するバリア付きフイルムを用いた。その他は本発明のＴＦＴ素子１の作製と同様にして、本発明のＴＦＴ素子１０を作製した。

絶縁層：ＳｉＯＮを５００ｎｍの厚みに蒸着した。ＳｉＯＮの蒸着にはＲＦマグネトロンスパッタリング蒸着法（スパッタリング条件：ターゲットＳｉ_３Ｎ_４、ＲＦパワー４００Ｗ、ガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝１２／３ｓｃｃｍ、成膜圧力０．４５Ｐａ）を用いた。

２．性能評価
実施例１と同様に、ＴＦＴ素子性能を評価した結果、本発明のＴＦＴ素子１０は、ガラス上に作製した本発明のＴＦＴ素子１と同等の電界移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比を示した。このことより、本発明のＴＦＴ素子は、有機プラスチックフィルムからなる可撓性基板上においても高移動度、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示し、閾値変動も少なかった。

実施例３
図４に示す構成の有機ＥＬ表示装置を作製した。
１）基板絶縁膜形成
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮと略称する）フイルム４−１上に、ＳｉＯＮをスパッタリングにより５０ｎｍに蒸着し、基板絶縁膜４−１５を形成した。
スパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用いて、ターゲットとしてＳｉ_３Ｎ_４を用いて、ＲＦパワー４００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝１２．０／３．０ｓｃｃｍ、成膜圧力０．４Ｐａで行った。

２）ゲート電極（および走査電線）形成
上記基板を洗浄後、Ｍｏをスパッタリングにより１００ｎｍに蒸着した。次にフォトレジストを塗布し、その上にフォトマスクを重ね、それを通して露光し、加熱により未露光部を硬化させ、続くアルカリ現像液による処理により未硬化のレジストを除去した。次にエッチング液を作用させ、硬化フォトレジストで被覆されていない部分の電極部を溶解し除去した。最後にフォトレジストを剥離してパター二ング工程を終了した。パターニングされたゲート電極４−２および走査電線４−３が形成された。

各工程の処理条件は下記の通りである。
Ｍｏのスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＤＣパワー３８０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１４ｓｃｃｍ、成膜圧力０．３４Ｐａであった。
フォトレジスト塗布条件：フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化（株）製）をスピンコート４０００ｒｐｍ５０ｓｅｃにより塗布した。プリべーク条件：８０℃、２０ｍｉｎ。
露光条件：５ｓｅｃ．（超高圧水銀ランプのｇ線、１００ｍＪ／ｃｍ^２相当）
現像条件：
現像液ＮＭＤ−３（東京応化（株）製）：３０ｓｅｃ．（浸漬）＋３０ｓｅｃ．（攪拌）
リンス：純水超音波洗浄、１ｍｉｎ．２回
ポストべーク：１２０℃、３０ｍｉｎ．
エッチング条件：エッチング液、混酸（硝酸／りん酸／酢酸）
レジスト剥離条件：剥離液−１０４（東京応化（株）製）、５ｍｉｎ．（浸漬）２回
洗浄：ＩＰＡ超音波で５ｍｉｎ．２回、純水超音波洗浄を５ｍｉｎ．
乾燥：Ｎ_２ブローおよび１２０℃でべーク１ｈ。

３）ゲート絶縁膜形成
続いて、ＳｉＯ_２をスパッタリングにより２００ｎｍに成膜し、ゲート絶縁膜４−４を形成した。
スパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタ装置、ＲＦパワー４００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝１２．０／２．０ｓｃｃｍ、成膜圧力０．４Ｐａ。

４）活性層・抵抗層形成
ゲート絶縁膜の上に、ＩＺＧＯ膜１０ｎｍからなる活性層４−５とＩＺＧＯ膜４０ｎｍからなる抵抗層４−６を順次スパッタリングにより成膜した。続いて、フォトレジスト法によるパター二ング工程を行うことにより活性層・抵抗層を形成した。

活性層のＩＺＧＯ膜と抵抗層のＩＺＧＯ膜のスパッタリング条件は下記の通りである。
活性層のＩＺＧＯ膜のスパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用いて、ＩｎＧａＺｎＯ_４の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、ＲＦパワー２００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝９７．０／０．８ｓｃｃｍ、成膜圧力０．３６Ｐａで行った。
抵抗層のＩＺＧＯ膜スパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用いて、ＩｎＧａＺｎＯ_４の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、ＲＦパワー２００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝９７．０／２．０ｓｃｃｍ、成膜圧力０．３８Ｐａで行った。

フォトリソ・エッチング法によるパター二ング工程は、エッチング液として、蓚酸を用いた以外は、ゲート電極のパターニング工程と同様である。

５）コンタクトホール形成
続いてゲート電極のパターニング工程と同様にフォトリソ・エッチング法によるパターニング工程を行い、コンタクトホール形成部分以外をフォトレジストで保護した後、エッチング液としてバッファード・フッ酸を用いてゲート絶縁膜に穴を開け、ゲート電極を露出させた。続いてゲート電極のパターニング工程と同様にフォトレジストを除去し、コンタクトホールＨ１を形成した。

６）ソース・ドレイン電極および共通電線・信号電線形成
上記コンタクトホールの形成に続いて、リフトオフ用のレジストを形成し、その後Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（５０ｎｍ）／Ｔｉ（１５ｎｍ）をスパッタリングにより成膜した。剥離液によりレジストを除去し、ソース・ドレイン電極４−７および共通電線・信号電線４−８を形成した。

Ｔｉスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、ＤＣパワー４００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１４．０ｓｃｃｍ、成膜圧力０．３４Ｐａで行った。
Ａｌスパッタリング条件：ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、ＤＣパワー４００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１４．０ｓｃｃｍ、成膜圧力０．３４Ｐａで行った。

７）保護絶縁膜形成
続いて、保護絶縁膜４−１０として、ＳｉＯ_２を２００ｎｍに成膜した。
ＳｉＯ_２のスパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタ装置、ＲＦパワー４００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝１２．０／２．０ｓｃｃｍ、成膜圧力０．４Ｐａ。

８）コンタクトホール形成
続いてゲート電極のパターニング工程と同様にフォトリソ・エッチング法によるパターニング工程を行い、コンタクトホール形成部分以外をフォトレジストで保護した後、エッチング液としてバッファード・フッ酸を用いて保護絶縁膜に穴を開け、ソース・ドレイン電極を露出させた。続いてゲート電極のパターニング工程と同様にフォトレジストを除去し、コンタクトホールＨ２を形成した。

９）画素電極形成
保護絶縁膜上に画素電極となるＩＴＯを５０ｎｍをスパッタにより成膜した。
ＩＴＯのスパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタ装置、ＲＦパワー２００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ_２＝１４．０／０．８ｓｃｃｍ、成膜圧力０．３６Ｐａ。
フォトリソ・エッチング法によるパター二ング工程は、エッチング液として、シュウ酸を用いて画素電極４−１１を形成した。

１０）平坦化膜形成
続いて、感光性ポリイミド膜２μｍを塗布し、フォトリソ法によりパターニングして平坦化膜４−１２を形成した。
塗布およびパター二ング工程条件は下記の通りである。
塗布条件：スピンコート１０００ｒｐｍ３０ｓｅｃ．
露光条件：２０ｓｅｃ．（超高圧水銀ランプのｇ線を用いて、４００ｍＪ／ｃｍ_２相当のエネルギー）
現像条件
現像液：ＮＭＤ−３（東京応化（株）製）、１ｍｉｎ．（浸漬）＋１ｍｉｎ．（攪拌）
リンス：純水超音波洗浄、１ｍｉｎ．２回＋５ｍｉｎ．１回＋Ｎ_２ブロー
ポストべーク：１２０℃で１ｈ。

以上の工程により、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板を作製した。

１１）有機ＥＬ素子作製
酸素プラズマ処理を行ったＴＦＴ基板上に、有機ＥＬ層４−１３として、順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層を設け、陰極４−１４をシャドウマスクによりパターニングして設けた。各層はいずれも抵抗加熱真空蒸着により設けた。
酸素プラズマ条件、および各層の構成は、下記の通りである。

酸素プラズマ条件：Ｏ_２流量＝１０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー２００Ｗ、処理時間１ｍｉｎ。
正孔注入層：４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡと略記する）、厚み１４０ｎｍ。
正孔輸送層：Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記する）、厚み１０ｎｍ。
発光層：ＣＢＰおよびＩｒ（ｐｐｙ）_３をＣＢＰに対して５質量％含有する層、厚み。２０ｎｍ
正孔ブロック層：ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）−４−（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ） ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＢＡｌｑと略記する）、厚み１０ｎｍ。
電子輸送層：トリス（８−ヒドロキシキノニナート）アルミニウム（Ａｌｑ３と略記する）、厚み２０ｎｍ。
電子注入層：ＬｉＦ、厚み１ｎｍ
陰極（上部電極）：Ａｌ、厚み２００ｎｍ

以上により、有機ＥＬ素子を作製した。

１２）封止工程
有機ＥＬ素子を設けたＴＦＴ基板上に、図示していないが、封止膜として２μｍのＳｉＮ_Ｘ膜をプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）により成膜した。さらに、封止膜の上に、保護フイルム（ＰＥＮフィルムにＳｉＯＮを５０ｎｍ蒸着したもの）を熱硬化型エポキシ樹脂接着剤により接着（９０℃，３ｈ．）した。

以上により、有機ＥＬ表示装置を作製した。尚、本発明の有機ＥＬ表示装置に用いた画素回路を図５に示す。

本発明のＴＦＴ素子構造を示す模式図である。 本発明の別の態様のＴＦＴ素子構造を示す模式図である。 ＴＦＴの伝達特性曲線の模式図であって、ＯＮ／ＯＦＦ比が明確に発現している例である。横軸はゲート電圧（Ｖｇ）を表し、縦軸はＩｓｄ（ソース・ドレイン間電流）を表す。 本発明の表示装置における駆動ＴＦＴと有機ＥＬ素子の構成を示す概念図である。 本発明の表示装置におけるスイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴおよび有機ＥＬ素子の主要部の概略回路図である。

符号の説明

（ＴＦＴ）
１，１１：基板
２，１２：ゲート電極
３，１３：ゲート絶縁膜
４，１４：活性層
６，１６：抵抗層
５−１，１５−１：ソース電極
５−２，１５−２：ドレイン電極
８−１，８−２：Ｔｉ層
（表示装置）
４−１：フィルム基板
４−２：ゲート電極
４−３：走査電線
４−４：ゲート絶縁膜
４−５：活性層
４−６：抵抗層
４−７：ソース・ドレイン電極
４−８：共通電線・信号電線
４−１０：保護絶縁膜
４−１１：画素電極
４−１２：平坦化膜
４−１３：有機ＥＬ層
４−１４：陰極
４−１５：基板絶縁膜
Ｈ１，Ｈ２：コンタクトホール
（表示装置回路）
８１：有機ＥＬ素子
８２：陰極
８３：駆動ＴＦＴ
８４：スイッチングＴＦＴ
８５：コンデンサー
８６：共通電線
８７：信号電線
８８：走査電線

Claims (10)

1. 基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体層からなる抵抗層を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層に面する側がＴｉ又はＴｉ合金層である薄膜電界効果型トランジスタ。
2. 前記活性層が前記ゲート絶縁膜と接している請求項１に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
3. 前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^２以上１０^１０以下である請求項１又は請求項２に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
4. 前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^２以上１０^８以下である請求項３に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
5. 前記ソース電極及びドレイン電極の前記抵抗層に面する側がＴｉ又はＴｉ合金層である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
6. 前記活性層の電気伝導度が１０^−１Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
7. 前記活性層及び前記抵抗層の酸化物半導体がアモルファス酸化物である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
8. 前記活性層及び抵抗層の酸化物半導体がＩｎ、ＧａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種若しくはこれらの複合酸化物を含む請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
9. 前記基板が可撓性樹脂基板である請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の薄膜電界効果型トランジスタ。
10. 請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の薄膜電界効果型トランジスタを用いた表示装置。