JP2011181803A - Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 165
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 21
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Natural products OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- -1 fumaric acid diester Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
【解決手段】IGZO系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。
【選択図】なし
Description
IGZO系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後前記薄膜をアニール処理してIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量と前記アニール処理の温度の組み合わせを変化させて、任意の電気抵抗値を有する前記アモルファス酸化物薄膜を製造することを特徴とするものである。
前記半導体層と、
前記ソース/ドレイン電極の少なくとも前記半導体層に接する面側の導電層,前記ゲート電極の少なくとも前記半導体層に接する面側の導電層,及び前記ゲート絶縁膜のうち少なくとも1つを、上記本発明のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法により製造することを特徴とするものである。
100≦T(℃)≦300 ・・・(2)、
5×10−4<P(Pa) ・・・(3)、
P(Pa)<1×10−5 ・・・(4)、
2×10−5≦P(Pa)≦1×10−4 ・・・(5)
200≦T(℃)≦300 ・・・(7)、
P(Pa)=5×10−5 ・・・(8)、
120≦T(℃)≦270 ・・・(9)、
P(Pa)=6.5×10−5 ・・・(10)、
100≦T(℃)≦240 ・・・(11)、
P(Pa)=1×10−4 ・・・(12)、
100≦T(℃)≦195 ・・・(13)
なお、上記式(6),(8),(10),(12)の背圧Pの値は、±10%の幅を有するものとする。
本発明者は、電気的ストレスに対して安定性の良好なIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法について鋭意検討を行った。その結果、成膜装置内の水分量によって成膜されるIGZO系アモルファス酸化物薄膜の電気抵抗値が変化すること、更に、その値は、スパッタ成膜後のアニール処理温度によって変化すること、つまり、成膜装置内の水分量とスパッタ成膜後のアニール処理温度の組み合わせを好適化することにより、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造可能であることを見出した。(後記実施例1、図3を参照)。
また、これら樹脂基板中に酸化ケイ素粒子,金属ナノ粒子,無機酸化物ナノ粒子,無機窒化物ナノ粒子, 金属系・無機系のナノファイバー又はマイクロファイバー,カーボン繊維,カーボンナノチューブ,ガラスフェレーク,ガラスファイバー,ガラスビーズ,粘土鉱物、雲母派生結晶構造を含んだ複合樹脂基板、
薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料、無機層(ex.SiO2, Al2O3, SiOxNy)と有機層(上記)を交互に積層することで少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、
ステンレス基板、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属多層基板、アルミニウム基板、あるいは、表面に酸化処理(例えば、陽極酸化処理)を施すことで、表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板等を挙げることができる。
(式中0≦x≦2かつmは自然数)
「背景技術」の項目において述べたように、かかる成膜ガス中のArとO2の流量比により、スパッタ成膜される膜の電気抵抗値が変化するので、本発明の成膜方法において、背圧に加えてこの流量比も変化させて電気抵抗値を制御してもよいが、酸素分圧を高くすることにより成膜速度が低下する傾向があり、後記比較例1の図5に示されるように、背圧及びアニール処理温度によっては、成膜時の酸素分圧の電気抵抗値への影響はほとんどなくなる場合もある。本発明では、背圧とアニール処理温度を好適化するだけで、導電体領域から絶縁体領域の任意の電気抵抗値を有するIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造することができるので、酸素分圧O2/Arは1/15以下の一定値とすることが好ましい。
100≦T(℃)≦300 ・・・(2)、
5×10−4≦P(Pa) ・・・(3)、
P(Pa)≦1×10−5 ・・・(4)、
2×10−5≦P(Pa)≦1×10−4 ・・・(5)、
P(Pa)=2×10−5 ・・・(6)、
200≦T(℃)≦300 ・・・(7)、
P(Pa)=5×10−5 ・・・(8)、
120≦T(℃)≦270 ・・・(9)、
P(Pa)=6.5×10−5 ・・・(10)、
100≦T(℃)≦240 ・・・(11)、
P(Pa)=1×10−4 ・・・(12)、
100≦T(℃)≦195 ・・・(13)
図2Aから図2Dを参照して、上記本発明のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法により製造されたIGZO系アモルファス酸化物薄膜を備えた電界効果型トランジスタ及びその製造方法について説明する。本実施形態では、ボトムゲート型を例として説明する。図2Aから図2Dは、電界効果型トランジスタ(TFT)の製造工程図(基板の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
以上の工程により、本実施形態のTFT2が製造される。
(実施例1)
約1cm2の正方形の市販の合成石英基板(1mm厚,T−4040合成石英基板)上に、InGaZnO4(at比)多結晶ターゲットを用いて、基板上に膜厚50nmのIGZO膜を成膜した。
背圧を1×10−6Paの一定条件とし、成膜ガスの酸素流量を0.25sccm,0.33sccm,0.4sccmと変化させた以外は実施例1と同様としてIGZOアモルファス酸化物薄膜のサンプルを作製し、実施例1と同様のアニール条件でアニールしてそれぞれの電気抵抗値を測定した。その結果を図5に示す。
2 電界効果型トランジスタ(薄膜トランジスタ:TFT)
11 活性層(半導体層)
21 ゲート電極
22 ソース電極
23 ドレイン電極
31 ゲート絶縁膜
32 保護膜
B 成膜基板
Claims (18)
- IGZO系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後前記薄膜をアニール処理してIGZO系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、
成膜装置内の水分量と前記アニール処理の温度の組み合わせを変化させて、任意の電気抵抗値を有する前記アモルファス酸化物薄膜を製造することを特徴とするIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。 - 前記水分量と前記アニール処理の温度の組み合わせのうち、前記アニール処理の温度を一定とすることを特徴とする請求項1に記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。
- 前記基板上にスパッタ成膜する前記アモルファス酸化物薄膜が、所定の電気抵抗値を有する第1のアモルファス酸化物薄膜と、該第1のアモルファス酸化物薄膜と異なる電気抵抗値を有する第2のアモルファス酸化物薄膜とを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。
- 前記アニール処理の温度を100℃以上300℃以下とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。
- 前記基板として、可とう性基板を用いることを特徴とする請求項4に記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の成膜方法。
- 前記スパッタ成膜を、成膜圧力10Pa以下で実施することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。
- 前記スパッタ成膜において、成膜ガスがArとO2とを含むものであり、
該成膜ガス中のArとO2との流量比がO2/Ar≦1/15であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。 - 前記水分量を、前記スパッタ成膜における背圧により変化させることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。
- 前記背圧が2×10−3Pa以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法。
- 基板上に、IGZO系アモルファス酸化物からなる半導体層,ソース/ドレイン電極,ゲート電極,及びゲート絶縁膜を備えてなる電界効果型トランジスタの製造方法において、
前記半導体層と、
前記ソース/ドレイン電極,前記ゲート電極,及び前記ゲート絶縁膜のうち少なくとも1つを、
請求項1〜9のいずれかに記載のIGZO系アモルファス酸化物薄膜の製造方法により製造することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記半導体層を下記式(1)及び(2)を満足する条件で製造し、前記ゲート絶縁膜を下記式(2)及び(3)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項10に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
1×10−5≦P(Pa)≦5×10−4 ・・・(1)、
100≦T(℃)≦300 ・・・(2)、
5×10−4≦P(Pa) ・・・(3)
(Pは前記スパッタ成膜における背圧、Tは前記アニール処理の温度である。) - 前記半導体層を下記式(1)及び(2)を満足する条件で製造し、前記ソース/ドレイン電極又はゲート電極の少なくとも前記半導体層に接する面側の導電層を下記式(2)及び(4)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項10に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
1×10−5≦P(Pa)≦5×10−4 ・・・(1)、
100≦T(℃)≦300 ・・・(2)、
P(Pa)<1×10−5 ・・・(4)
(Pは前記背圧、Tは前記アニール処理の温度である。) - 前記半導体層を、下記式(1)及び(2)を満足する条件で製造し、前記ゲート絶縁膜を下記式(2)及び(3)を満足する条件で製造し、前記ソース/ドレイン電極又はゲート電極の少なくとも前記半導体層に接する面側の導電層を下記式(2)及び(4)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項10に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
1×10−5≦P(Pa)≦5×10−4 ・・・(1)、
100≦T(℃)≦300 ・・・(2)、
5×10−4<P(Pa) ・・・(3)、
P(Pa)<1×10−5 ・・・(4)、
(Pは前記背圧、Tは前記アニール処理の温度である。) - 更に下記式(5)を満足する条件で前記半導体層を製造することを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
2×10−5≦P(Pa)≦1×10−4 ・・・(5) - 前記半導体層を、下記式(6)及び(7)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項14に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
P(Pa)=2×10−5 ・・・(6)、
200≦T(℃)≦300 ・・・(7) - 前記半導体層を、下記式(8)及び(9)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項14に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
P(Pa)=5×10−5 ・・・(8)、
120≦T(℃)≦270 ・・・(9) - 前記半導体層を、下記式(10)及び(11)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項14に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
P(Pa)=6×10−5 ・・・(10)、
100≦T(℃)≦240 ・・・(11) - 前記半導体層を、下記式(12)及び(13)を満足する条件で製造することを特徴とする請求項14に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
P(Pa)=1×10−4 ・・・(12)、
100≦T(℃)≦195 ・・・(13)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010046315A JP5560064B2 (ja) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
KR1020110016123A KR101790091B1 (ko) | 2010-03-03 | 2011-02-23 | Igzo계 아모퍼스 산화물 박막의 제조 방법 및 그것을 사용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010046315A JP5560064B2 (ja) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011181803A true JP2011181803A (ja) | 2011-09-15 |
JP5560064B2 JP5560064B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=44692990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010046315A Active JP5560064B2 (ja) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5560064B2 (ja) |
KR (1) | KR101790091B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9691906B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-06-27 | Joled Inc. | Method for producing thin film transistor |
JP2017123483A (ja) * | 2011-12-15 | 2017-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
CN112885718A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种复合导电薄膜的制备方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130043944A (ko) * | 2011-10-21 | 2013-05-02 | 제일모직주식회사 | 박막 트랜지스터 배열 기판 및 그 제조방법 |
WO2015119385A1 (ko) * | 2014-02-06 | 2015-08-13 | 코닝정밀소재 주식회사 | 이황화 몰리브덴으로 이루어진 액티브층을 갖는 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073701A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007073697A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2007305658A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Bridgestone Corp | 酸化物トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008053356A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Canon Inc | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5354999B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2013-11-27 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US8148245B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-04-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for producing a-IGZO oxide thin film |
-
2010
- 2010-03-03 JP JP2010046315A patent/JP5560064B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-23 KR KR1020110016123A patent/KR101790091B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073701A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007073697A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2007305658A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Bridgestone Corp | 酸化物トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008053356A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Canon Inc | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017123483A (ja) * | 2011-12-15 | 2017-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
US10153346B2 (en) | 2011-12-15 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI662706B (zh) * | 2011-12-15 | 2019-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9691906B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-06-27 | Joled Inc. | Method for producing thin film transistor |
CN112885718A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种复合导电薄膜的制备方法 |
CN112885718B (zh) * | 2021-01-20 | 2022-07-05 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种复合导电薄膜的制备方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110100148A (ko) | 2011-09-09 |
JP5560064B2 (ja) | 2014-07-23 |
KR101790091B1 (ko) | 2017-10-25 |
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