JP2005116756A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 強誘電体キャパシタを覆う層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜にキャパシタ電極まで到達するコンタクトホールが形成されている。そして、コンタクトホールを介してキャパシタ電極に接続された配線が層間絶縁膜上に形成されている。コンタクトホールの平面形状は、正八角形、正方形の4角が丸められた形状、隣り合う変の長さが異なる八角形、円形等である。
【選択図】 図7
Description
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを覆い、前記強誘電体キャパシタの電極まで到達する孔が形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記孔を介して前記電極に接続された配線と、
を有し、
前記孔の平面形状は、
(1)全ての角の内角が鈍角となっている多角形、
(2)曲がる方向が常に前記孔の内側となっている閉曲線、及び
(3)線分と曲がる方向が常に前記孔の内側となっている曲線とから構成され、線分と曲線との交点では曲線の接線と線分とのなす角度が鈍角となっており、2本の線分の交点ではその内角が鈍角となっている形状、
からなる群から選択された1種であることを特徴とする半導体装置。
前記孔の径は、最も小さい部分で1.0μm以上であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記配線はAl配線であり、前記配線と前記電極との間にバリアメタル膜が形成されていることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。
前記バリアメタル膜はTiN膜であることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
前記電極は、白金族系金属又はその酸化物を含有することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記孔の形状は、円又は正五角形状の正多角形であることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に前記強誘電体キャパシタの電極まで到達する孔を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記孔を介して前記電極に接続される配線を形成する工程と、
を有し、
前記孔を形成する工程において、前記孔の平面形状を、
(1)全ての角の内角が鈍角となっている多角形、
(2)曲がる方向が常に前記孔の内側となっている閉曲線、及び
(3)線分と曲がる方向が常に前記孔の内側となっている曲線とから構成され、線分と曲線との交点では曲線の接線と線分とのなす角度が鈍角となっており、2本の線分の交点ではその内角が鈍角となっている形状、
からなる群から選択された1種とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記孔の径を、最も小さい部分で1.0μm以上とすることを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線をAl配線とし、前記配線を形成する前に前記配線と前記電極との間にバリアメタル膜を形成することを特徴とする付記7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
前記バリアメタル膜をTiN膜とすることを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
前記電極を、白金族系金属又はその酸化物を含有するものとすることを特徴とする付記7乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記孔の形状を、円又は正五角形状の正多角形とすることを特徴とする付記7乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記孔を形成する工程は、
前記層間絶縁膜上に、形成しようとする孔と同じ平面形状の開口部を備えたマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記層間絶縁膜のエッチングを行う工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする付記7乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
2:素子分離絶縁膜
3:ゲート絶縁膜
4:ゲート電極
5:シリサイド層
6:サイドウォール
7:シリコン酸窒化膜
8:シリコン酸化膜
9:下部電極膜
10:強誘電体膜
11:上部電極
12、13:Al2O3膜
14:層間絶縁膜
15:Wプラグ
16:SiON膜
17:バリアメタル膜
18:Al配線
19:コンタクトホール
101:強誘電体キャパシタ
102:MOSトランジスタ
103:ビット線
104:ワード線
105:プレート線
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを覆い、前記強誘電体キャパシタの電極まで到達する孔が形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記孔を介して前記電極に接続された配線と、
を有し、
前記孔の平面形状は、
(1)全ての角の内角が鈍角となっている多角形、
(2)曲がる方向が常に前記孔の内側となっている閉曲線、及び
(3)線分と曲がる方向が常に前記孔の内側となっている曲線とから構成され、線分と曲線との交点では曲線の接線と線分とのなす角度が鈍角となっており、2本の線分の交点ではその内角が鈍角となっている形状、
からなる群から選択された1種であることを特徴とする半導体装置。 - 前記孔の径は、最も小さい部分で1.0μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線はAl配線であり、前記配線と前記電極との間にバリアメタル膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記バリアメタル膜はTiN膜であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記電極は、白金族系金属又はその酸化物を含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に前記強誘電体キャパシタの電極まで到達する孔を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記孔を介して前記電極に接続される配線を形成する工程と、
を有し、
前記孔を形成する工程において、前記孔の平面形状を、
(1)全ての角の内角が鈍角となっている多角形、
(2)曲がる方向が常に前記孔の内側となっている閉曲線、及び
(3)線分と曲がる方向が常に前記孔の内側となっている曲線とから構成され、線分と曲線との交点では曲線の接線と線分とのなす角度が鈍角となっており、2本の線分の交点ではその内角が鈍角となっている形状、
からなる群から選択された1種とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記孔の径を、最も小さい部分で1.0μm以上とすることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線をAl配線とし、前記配線を形成する前に前記配線と前記電極との間にバリアメタル膜を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリアメタル膜をTiN膜とすることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極を、白金族系金属又はその酸化物を含有するものとすることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006134664A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007067241A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100822581B1 (ko) | 2006-09-08 | 2008-04-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
US7851917B2 (en) | 2007-06-27 | 2010-12-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Wiring structure and method of manufacturing the same |
JP2014198461A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-23 | 株式会社リコー | アクチュエータ素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び画像形成装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344783A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
ITMI20062294A1 (it) * | 2006-11-29 | 2008-05-30 | St Microelectronics Srl | Circuito per la generazione di segnali a modulazione di larghezza di impulso particolarmente per un sistema di ricezione satellitare |
JP2009123773A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置、及び半導体装置製造用マスクパターン |
US9741602B2 (en) * | 2011-09-08 | 2017-08-22 | Nxp Usa, Inc. | Contact for a non-volatile memory and method therefor |
US20130320522A1 (en) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Re-distribution Layer Via Structure and Method of Making Same |
US9373594B2 (en) | 2014-02-13 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Under bump metallization |
TWI550830B (zh) * | 2014-05-23 | 2016-09-21 | 旺宏電子股份有限公司 | 半導體結構及其製造方法 |
JP6819894B2 (ja) * | 2016-11-08 | 2021-01-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US11049820B2 (en) * | 2018-07-30 | 2021-06-29 | Texas Instruments Incorporated | Crack suppression structure for HV isolation component |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3045928B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2000-05-29 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3368726B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2003-01-20 | ヤマハ株式会社 | 半導体記憶装置とその製造方法 |
US5716875A (en) * | 1996-03-01 | 1998-02-10 | Motorola, Inc. | Method for making a ferroelectric device |
EP0837504A3 (en) * | 1996-08-20 | 1999-01-07 | Ramtron International Corporation | Partially or completely encapsulated ferroelectric device |
US6027947A (en) * | 1996-08-20 | 2000-02-22 | Ramtron International Corporation | Partially or completely encapsulated top electrode of a ferroelectric capacitor |
US5920453A (en) * | 1996-08-20 | 1999-07-06 | Ramtron International Corporation | Completely encapsulated top electrode of a ferroelectric capacitor |
US5864932A (en) * | 1996-08-20 | 1999-02-02 | Ramtron International Corporation | Partially or completely encapsulated top electrode of a ferroelectric capacitor |
JP3055494B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリ及びその製造方法 |
JP3028080B2 (ja) * | 1997-06-18 | 2000-04-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の構造およびその製造方法 |
JP3165093B2 (ja) | 1997-11-13 | 2001-05-14 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100273703B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2001-03-02 | 윤종용 | 콘택관련 결함 및 콘택저항을 감소하기 위한 반도체 장치의 콘택구조 및 그 제조 방법 |
US6229167B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-05-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2000040800A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Sharp Corp | 強誘電体記憶素子及びその製造方法 |
KR100365766B1 (ko) * | 1998-10-28 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 메모리 제조방법 |
JP3249496B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US6600185B1 (en) * | 1999-03-10 | 2003-07-29 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor with dielectric lining, semiconductor memory device employing same, and fabrication methods thereof |
US6610548B1 (en) * | 1999-03-26 | 2003-08-26 | Sony Corporation | Crystal growth method of oxide, cerium oxide, promethium oxide, multi-layered structure of oxides, manufacturing method of field effect transistor, manufacturing method of ferroelectric non-volatile memory and ferroelectric non-volatile memory |
JP3907921B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE10042235A1 (de) * | 2000-08-28 | 2002-04-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung |
US6713310B2 (en) * | 2002-03-08 | 2004-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric memory device using via etch-stop layer and method for manufacturing the same |
JP2004146772A (ja) * | 2002-03-18 | 2004-05-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3847645B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2006-11-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4316188B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2009-08-19 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004079675A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004095861A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7755734B2 (en) * | 2003-03-31 | 2010-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor |
CN100559592C (zh) * | 2003-04-15 | 2009-11-11 | 富士通微电子株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
WO2006078791A2 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Luminescent Technologies, Inc. | Systems, masks and methods for printing contact holes and other patterns |
-
2003
- 2003-10-07 JP JP2003348610A patent/JP2005116756A/ja active Pending
-
2004
- 2004-06-04 US US10/860,577 patent/US7211850B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-03-23 US US11/727,033 patent/US20070184595A1/en not_active Abandoned
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006134664A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100973703B1 (ko) | 2005-06-17 | 2010-08-04 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US7910968B2 (en) | 2005-06-17 | 2011-03-22 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP4930371B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-05-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007067241A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100822581B1 (ko) | 2006-09-08 | 2008-04-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
US7687403B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-03-30 | Hynix Semiconductor | Method of manufacturing flash memory device |
US7851917B2 (en) | 2007-06-27 | 2010-12-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Wiring structure and method of manufacturing the same |
JP2014198461A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-23 | 株式会社リコー | アクチュエータ素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び画像形成装置 |
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