JP2006157062A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体基板100と、半導体基板の上方に設けられ、強誘電体で形成された誘電体膜120を有するキャパシタと、キャパシタの上層側に設けられ、溝を有する第1の層間絶縁膜139と、溝内に形成された配線140と、配線の上面及び第1の層間絶縁膜の上面に接し、キャパシタへの水素の拡散を防止する第1の水素バリア膜141aと、第1の水素バリア膜上に設けられた第2の層間絶縁膜142とを備える。
【選択図】図12
Description
図1〜図7は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した断面図である。
図8〜図12は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した断面図である。なお、キャパシタ形成工程前までの工程については、第1の実施形態で示した図1及び図2の工程と同様である。
102…ゲート絶縁膜 103…多結晶シリコン膜
104…WSix 膜 105…シリコン窒化膜
106…シリコン窒化膜 107…ソース/ドレイン領域
108…シリコン酸化膜 110…TiN膜
111…タングステン膜 112…シリコン窒化膜
114…TiN膜 115…タングステン膜
116…炭化シリコン膜 117…チタン膜
118…イリジウム膜 119…プラチナ
120…PZT膜 121…プラチナ膜
122、124、129、131…シリコン酸窒化膜
122a、124a、129a、131a、141a、143a、145a、147a…アルミニウム酸化物膜
123、127、130、132…シリコン酸化膜
128…フォトレジストパターン
133、134…コンタクトプラグ
135、137、139、142、146…層間絶縁膜
136、140、148…配線
138、144…ビアプラグ
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、強誘電体で形成された誘電体膜を有するキャパシタと、
前記キャパシタの上層側に設けられ、溝を有する第1の層間絶縁膜と、
前記溝内に形成された配線と、
前記配線の上面及び前記第1の層間絶縁膜の上面に接し、前記キャパシタへの水素の拡散を防止する第1の水素バリア膜と、
前記第1の水素バリア膜上に設けられた第2の層間絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記配線に接続されたプラグと、
前記第2の層間絶縁膜と前記プラグとの間に設けられ、前記キャパシタへの水素の拡散を防止する第2の水素バリア膜と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の水素バリア膜はアルミニウム酸化物膜で形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上方に、強誘電体で形成された誘電体膜を有するキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタの上層側に、溝を有する第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記溝内に配線を形成する工程と、
前記配線の上面及び前記第1の層間絶縁膜の上面に接し、前記キャパシタへの水素の拡散を防止する第1の水素バリア膜を形成する工程と、
前記第1の水素バリア膜上に、水素を含んだガス雰囲気下で、第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006065949A JP2006157062A (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2006065949A Pending JP2006157062A (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP2006157062A (ja) |
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